JPH04298023A - 単結晶シリコン薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は単結晶シリコン薄膜の製
造方法に係り、特に、プラズマＣＶＤ装置を用い電子移
動度等電気的特性の優れた単結晶シリコン薄膜が求めら
れる単結晶シリコン薄膜の製造方法に関するものである
。

【０００２】

【従来の技術】バイポーラトランジスタ、バイポーラＩ
Ｃ、ＭＯＳ、ＬＳＩ、メモリー等の半導体材料として、
近年、単結晶シリコン薄膜が注目されている。

【０００３】この単結晶シリコン薄膜は、従来、化学的
気相成長法によるエピタキシャル成長で得られ、熱ＣＶ
Ｄ法が一般に適用されている。例えば、シリコンのエピ
タキシャル成長の場合には、基板としてシリコン単結晶
基板を使用し、１０００〜１１５０℃という高温下にお
いて水素ガスで希釈されたシランやクロロシラン等を熱
分解して単結晶シリコン薄膜が製造されている。

【０００４】しかし、最近、バイポーラＩＣの製造にお
いて微細化への要求が高まっており、不純物（ドーパン
ト）濃度の高いシリコン単結晶基板の上に０．５〜１．
５μｍと薄く、かつ、不純物濃度の低いエピタキシャル
層を形成する必要が生じている。それにもかかわらず、
従来の熱ＣＶＤ法によってドーパントを含む単結晶基板
ａ上に形成した単結晶シリコン薄膜ｂは、図３に示すよ
うに上記基板ａに含有されている不純物が単結晶シリコ
ン薄膜ｂ中に拡散してエピタキシャル層と基板ａの臨界
面に厚さ１．５〜２．５μｍもの遷移領域ｃが生じてし
まう欠点があった。ここで、単結晶基板ａ中のドーパン
トが１０ｐｐｍ以上拡散したエピタキシャル層の領域を
上記遷移領域と定義する。このため、従来法ではとても
前記ＩＣの微細化に適応することはできなかった（「日
経マイクロデバイス」１９８５年、１０月号、第８０頁
参照）。

【０００５】そこで、近年、単結晶基板に含有されてい
る不純物を拡散させずに単結晶シリコン薄膜を形成させ
る技術の開発が強く望まれていた。

【０００６】この様な要望に沿って研究が進められた結
果、最近、プラズマＣＶＤ法によってかかる目的を達し
うることが見出された。その一例として、容量結合型Ｒ
ＦプラズマＣＶＤ装置を用いて多量の水素で希釈された
ＳｉＨ４　とＳｉＨ２　Ｆ２　の混合系のグロー放電分
解を行うことにより、約２５０℃程度の低温で（１００
）シリコン単結晶基板上に表面状態の良好な単結晶シリ
コンを成長させることができることが報告されている（
ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アブライド・フィジ
ックス、２６巻、Ｌ９５１−９５３［１９８７］）。

【０００７】一方、特開昭６３−２２２０９６号公報に
は、シラン、フロロシラン、及び、（シラン＋フロロシ
ラン）の５倍以上の水素から成る混合ガスを放電分解し
て単結晶シリコン薄膜を製造する方法が記載されており
、実施例において基板としてシリコン単結晶ウエハを２
５０℃に加熱して使用した場合には上記シリコン基板か
ら単結晶シリコン薄膜がエピタキシャル成長したことが
確認された旨記載されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記基板に
含有されている不純物が成長層の方へ拡散してくること
が少ないこれ等従来の低温プラズマＣＶＤ法においては
、充分ラジカルを拡散させるための工夫が必要である。

【０００９】すなわち、ＳｉＨ４　が分解してできたＳ
ｉＨ３　のようなラジカルがシリコン成膜に寄与してい
ると考えられているが、この様なラジカルが飛来してき
たときにＳｉのダングリングボンドが露出しているとこ
のダングリングボンドにすぐ付着してしまい、ランダム
な成長をしてアモルファス（非晶質）化又は微結晶化し
て単結晶にはならない。このとき水素が成長表面に過剰
に存在していると、成長表面を不活性化するためにラジ
カルが成長表面で充分拡散して安定なサイトに辿着くこ
とができ、結晶成長が可能となる。このため、従来のプ
ラズマＣＶＤ法では反応ガス中に多量の水素ガスを存在
させることが必要と考えられていた。

【００１０】しかしながら、水素が過剰に存在している
とエピタキシャル成長膜中に水素が取残され易く、これ
により結晶の均一性が低下する結果、求められた単結晶
シリコン薄膜の電子移動度が小さな値となってしまう欠
点があった。例えば、従来法で製造した単結晶シリコン
薄膜中には約１原子％の水素が含有されることが知られ
ている（ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アブライド
・フィジックス、２６巻、第６号、第９５１頁［１９８
７］）。

【００１１】このように、従来法では大きな電子移動度
を有する高品位の単結晶シリコン薄膜を求められない問
題点があった。

【００１２】そこで、本発明者等は基板温度を低温にす
ることができるという利点を有するプラズマＣＶＤ法に
よって大きな電子移動度を有する高品位の単結晶シリコ
ン薄膜を得るべく更に研究を進めた結果、本発明を完成
するに至ったものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】すなわち請求項１に係る
発明は、プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン原子、ハ
ロゲン原子及び水素原子を含有する反応ガスをプラズマ
化し、加熱された単結晶基板上に単結晶シリコンの薄膜
を形成する単結晶シリコン薄膜の製造方法を前提とし、
上記反応ガス中のハロゲン原子の数が水素原子の数より
多くなるように調整したことを特徴とするものであり、
他方、請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明にお
いてそのシリコン原子の供給ガスが、ＳｉＦ４　、Ｓｉ
Ｃｌ４　、及び、Ｓｉ２　Ｆ６　より選択されたハロゲ
ン化珪素ガスで構成され、水素原子の供給ガスが水素ガ
スであることを特徴とするものである。

【００１４】また、請求項３に係る発明は、請求項１〜
２に係る発明において上記単結晶シリコン薄膜の単結晶
基板からの不純物拡散遷移領域の厚みが５００オングス
トローム以下であり、かつ、上記薄膜中の水素濃度が５
０ｐｐｍ以下であることを特徴とするものである。

【００１５】この様な技術的手段において成膜性を有す
るシリコン原子の供給ガスとしては、ＳｉＨ４　、Ｓｉ
２　Ｈ６　、Ｓｉ３　Ｈ８　等の水素化珪素、ＳｉＨｍ
　Ｘ４−ｍ　（但し、ｍは１〜４、好ましくは２〜４、
ＸはＣｌ又はＦ原子、好ましくはＦ原子である）で示さ
れるハロゲン化シラン、及びＳｉＦ４　、ＳｉＣｌ４　
、及びＳｉ２　Ｆ６　より任意に選択されたハロゲン化
珪素が適用可能である。

【００１６】尚、ＳｉＦ４　、ＳｉＣｌ４　、Ｓｉ２　
Ｆ６　等のハロゲン化珪素は、シリコン結晶薄膜作製技
術において従来エッチング性ガスと考えられていたもの
であるが、本発明においては、反応ガス中に水素ガスを
含有させることによりこれ等に成膜性のシリコン原子供
給ガスとしての役割を持たせることに成功したものであ
る。

【００１７】また、ＳｉＦ４　、ＳｉＣｌ４　、Ｓｉ２
　Ｆ６　等のハロゲン化珪素は、水素原子を有するＳｉ
Ｈ４　、Ｓｉ２　Ｈ６　、Ｓｉ３　Ｈ８　等の水素化珪
素やＳｉＨｍ　Ｘ４−ｍ　で示されるハロゲン化シラン
と較べて発火性が小さいためその取扱いが容易である。 請求項２に係る発明はこのハロゲン化珪素の特性に着目
してなされたもので、シリコン原子の供給ガスとしてＳ
ｉＦ４　、ＳｉＣｌ４　、及び、Ｓｉ２　Ｆ６　より選
択されたハロゲン化珪素ガスを適用することにより危険
性の低減を図ったものである。

【００１８】一方、エッチング性を有するハロゲン原子
の供給ガスとしては、上記ＳｉＦ４　、ＳｉＣｌ４　、
Ｓｉ２　Ｆ６　等のハロゲン化珪素やＳｉＨｍ　Ｘ４−
ｍ　で示されるハロゲン化シラン、及び、Ｆ２　又はＣ
ｌ２　等のハロゲンガスが適用できる。これ等のガスは
プラズマ条件下においてシリコン表面をエッチングする
ことのできるハロゲン原子を放出する。すなわち、プラ
ズマ中のハロゲン原子は常に清浄なシリコン成長表面を
露出させる、成長シリコン成膜中の不純物を除去する、
気相中のシランの重合防止等の機能を有すると考えられ
ている。

【００１９】また、単結晶シリコン薄膜の結晶成長に必
要とされた水素原子の供給ガスとしては、水素ガス、及
び、このガス以外の供給ガスとて反応系に無用の不純物
を導入しない上から、ＳｉＨ４　、Ｓｉ２　Ｈ６　、Ｓ
ｉ３　Ｈ８　等の水素化珪素、ＳｉＨｍ　Ｘ４−ｍ　で
示されるハロゲン化シランの適用が可能である。

【００２０】次に、請求項１〜３に係る発明においては
、プラズマＣＶＤ法に係る従来法とは異なり反応ガス中
の水素原子の数がエッチング性の弗素原子及び／又は塩
素原子等ハロゲン原子の数より少ないということが最大
の特徴である。この様な条件は、反応ガス中に含有され
るハロゲン原子の総量を反応ガス中に含有される水素原
子の総量より多くすることによって容易に達成すること
ができる。反応ガス中に含まれる上記ハロゲン原子の総
量は、反応ガス中に含まれる水素原子の総量の約２〜１
０００倍、特に、５〜４００倍とすることが好ましい。

【００２１】また、請求項１〜３に係る発明においては
上記反応ガス中に更に希ガス等の不活性ガス、好ましく
はヘリウム、ネオン、アルゴン等を希釈ガスとして加え
てもよい。希釈ガスは上記ハロゲン原子に対して１〜１
０００倍量、特に、１〜１００倍量使用することが好ま
しい。この場合、ハロゲン原子の数は、反応ガス中に含
有される弗素原子及び／又は塩素原子であるハロゲン原
子の総量で換算する。

【００２２】更に、成膜性のシリコン原子とエッチング
性のハロゲン原子との関係については、ハロゲン原子を
シリコン原子の約１〜５００倍、特に、３〜３００倍と
することが好ましい。ハロゲン原子をシリコン原子の１
倍以下にするとエッチング速度が小さくなり過ぎて単結
晶シリコンが成長し易いように基板表面を常に最良の状
態に保つことができなくなる一方、５００倍以上にした
場合エッチング速度が大きくなり過ぎてシリコン結晶成
長速度が低下するためである。

【００２３】尚、上記反応ガスの組合わせの一例として
、成膜性ガスについてはＳｉＨ４　及びＳｉ２　Ｈ６　
を夫々単独で又は混合して適用し、他方、エッチング性
ガスについてはＳｉＦ４　及びＦ２　を夫々単独又は混
合して適用することが好ましい。但し、この技術的手段
はこの様な適用例に限定されるものではない。

【００２４】この技術的手段においては、上記の条件を
満たした反応ガスを、電力密度０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ
２　、好ましくは０．０５〜５Ｗ／ｃｍ２　で放電して
反応ガスをプラズマ化し、約１００℃〜７００℃、好ま
しくは約２００℃〜６００℃、更に好ましくは約３００
℃〜５００℃の間の一定温度に維持した単結晶基板上に
単結晶シリコン薄膜を形成せしめる。

【００２５】ここで、基板温度が１００℃より低いと結
晶構造が乱れ、多結晶構造となるので品質が悪化する。 基板温度を７００℃より高くした場合には最早、性能を
より向上させることができない上、低温法としてのプラ
ズマＣＶＤ法の利点を生かせなくなる。

【００２６】また、電力密度は反応ガスの種類及びチャ
ンバー内の圧力によって異なるが、電力密度が０．０１
Ｗ／ｃｍ２　より小さいと反応ガスの圧力を十分低下さ
せなければならないので成膜速度が遅く、１０Ｗ／ｃｍ
２　を越えると薄膜の品質を高く維持することができな
いので好ましくない。

【００２７】また、上記プラズマを発生させるチャンバ
ー内の圧力は、基板上に到達する原子等が有するエネル
ギー量に関係するので、その圧力は０．０１Ｔｏｒｒ〜
１５Ｔｏｒｒとすることが必要であり、特に、０．０５
Ｔｏｒｒ〜５Ｔｏｒｒとすることが好ましい。

【００２８】ここで、プラズマＣＶＤ法によるシリコン
のエピタキシャル成長は、例えば、図２に示すような装
置により達成される。

【００２９】すなわち、図２において真空反応室１１へ
ガス供給源１７、１８からＳｉＨ４　やＳｉＦ４　等の
シリコン原子供給ガス、水素原子供給ガス、及び、ハロ
ゲン原子供給ガスを供給し、高周波電源１６により平行
平板電極１２、１３の間で高周波放電させ、ポンプ１９
で反応ガスを排気する構成となっている。そして、単結
晶基板１４は電極１３上に載置されてヒータ１５で加熱
され、この単結晶基板１４上に結晶成長が行われる。尚
、上記放電は、高周波放電以外の、例えば、直流放電、
マイクロ波放電等のいづれであってもよい。

【００３０】この技術的手段においては真性の単結晶シ
リコン薄膜を作製することができるのみならず、反応ガ
ス中に元素周期率表第ＩＩＩ　族又は第Ｖ族のドーパン
トガスを混合することにより、形成される単結晶シリコ
ン薄膜をｐ型又はｎ型にすることができる。この場合の
上記ドーパントガスとしては、例えば、ジボラン、ホス
フィン、アルシン等の水素化物が挙げられる。

【００３１】また、この技術的手段において適用できる
単結晶基板としては、シリコンをエピタキシャル成長さ
せる関係上その格子定数がシリコンと同一又は略同一の
単結晶基板であることを必要とし、例えば、シリコン単
結晶基板、酸化アルミニウム（Ａｌ２　Ｏ３　：サファ
イア）単結晶基板、及び、弗化カルシウム（ＣａＦ２　
：ホタル石）単結晶基板等が挙げられる。

【００３２】このように請求項１〜３に係る発明は、従
来、エピタキシャル成長が行われていたあらゆる分野、
例えば、バイポーラトランジスタ、バイポーラＩＣ、Ｍ
ＯＳ、ＬＳＩ、メモリー等の半導体を初め、太陽電池の
製造等に応用することが可能である。

【００３３】特に、請求項３に係る発明においては、単
結晶シリコン薄膜の単結晶基板からの不純物拡散遷移領
域の厚みが５００オングストローム以下、好ましくは４
００オングストローム以下、更に好ましくは３５０オン
グストローム以下であり、かつ、単結晶シリコン薄膜中
の水素濃度が５０ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以
下であるためエピタキシャル層の膜厚を薄く設定するこ
とができ、従って、この単結晶シリコン薄膜が適用され
たデバイスの寄生容量を減少できるだけでなく、高密度
化、高性能化に対応したＩＣの微細化を達成し得る。

【００３４】

【作用】請求項１に係る発明によれば、エッチング性の
ハロゲン原子の数を水素原子の数より多くなるように調
整しているため、水素濃度が低下する分シリコンのエピ
タキシャル成長表面が水素原子で過剰に覆われることが
なくなり、この結果、単結晶シリコンの成長膜中に水素
が取残され難くなって結晶の均一性を向上させることが
可能となる。

【００３５】他方、請求項２に係る発明によれば、結晶
の均一性が向上した単結晶シリコン薄膜が求められるこ
とに加えてシリコン原子の供給ガスとして発火性のシラ
ンを使用しないためその危険性の低減が図れ、更に、請
求項３に係る発明によれば、製造された単結晶シリコン
薄膜の単結晶基板からの不純物拡散遷移領域の厚みが５
００オングストローム以下であり、かつ、上記薄膜中の
水素濃度が５０ｐｐｍ以下であるため、従来に較べてそ
の膜厚を薄く設定した単結晶シリコン膜が得られると共
にこの単結晶シリコン薄膜の電子移動度等電気的特性を
向上させることが可能となる。

【００３６】ここで、請求項１〜３に係る発明において
、従来、単結晶シリコン薄膜の結晶成長に必要とされた
多量の水素が適用されてないにも拘らず電気的特性に優
れた単結晶シリコン薄膜が求められる理由について本発
明者等は以下のように推察している。

【００３７】すなわち、この技術的手段においては反応
室内に水素が少ない代わりにエッチング作用の強いハロ
ゲン原子が相対的に従来より余分に存在している。この
ため、エピタキシャル成長表面は常にエッチング作用を
受けており、例えば、アモルファス成長や結晶粒界を形
成する歪んだシリコン膜の成長が起るとこれ等はその結
合力が弱いためにエッチング作用を受け常にきれいな表
面が露出する一方、シリコンが所定のサイトに入込んだ
場合には上記成長に較べてその結合力が強いためエッチ
ング作用があまり起らずその結晶化が促進する。

【００３８】従って、常にきれいな表面を露出しながら
かつ弱い結合を切りながらエピタキシャル成長が進行す
るため、従来法に反し多量の水素が適用されてないにも
拘らず電気的特性に優れた単結晶シリコン薄膜が求めら
れるものであると推察している。

【００３９】

【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
るが、本発明はこれ等実施例によって限定されるもので
はない。

【００４０】［実施例１］予め、１×１０−９Ｔｏｒｒ
の高真空にした反応室内に、ＳｉＦ４　：ＳｉＨ４　：
Ｈ２　（ガス比率は容量比で５：１：３、また、Ｆ／Ｈ
比率は２：１である）の混合ガスを反応ガスとして８０
ＳＣＣＭで供給し、反応ガスの圧力を０．３Ｔｏｒｒに
調整した。

【００４１】次いで、この反応ガスを１３．５６ＭＨＺ
　の高周波電源を用いて電力密度０．１Ｗ／ｃｍ２　で
プラズマ化し、２００℃に加熱されたシリコン単結晶基
板上に２．０μｍの厚さとなるまでシリコン結晶薄膜を
形成させた。

【００４２】このようにして得られた薄膜について、反
射高速電子線回析（ＲＨＥＥＤ）によってシリコン結晶
薄膜の評価を行ったところ、ストリークパターンと菊地
ラインが観測され、良好な単結晶であることが判明した
。この薄膜の比抵抗は１５Ω・ｃｍであり、電子移動度
をペトリッツ法を適用したホール効果測定装置により求
めたところ７００ｃｍ２　／Ｖ・Ｓであった。また、薄
膜中の水素含有濃度は１０ｐｐｍ以下であった。

【００４３】［実施例２〜１０］表１の条件で実施例１
と同様にしてシリコン薄膜を形成させ、同様の評価を行
ったところ表２の結果が得られた。尚、実施例１の条件
及び効果も併せて表１〜２に記載した。

【００４４】

【表１】

【００４５】

【表２】

【００４６】［実施例１１］以下、この実施例から実施
例１８は請求項３に係る発明を適用した製造方法に関す
るものである。

【００４７】すなわち、予め、１×１０−９Ｔｏｒｒの
高真空にした反応室内に、ＳｉＦ４　：ＳｉＨ４　：Ｆ
２　（ガス比率は容量比で２：１：５、また、Ｆ／Ｈ比
率は９：２である）の混合ガスを反応ガスとして８０Ｓ
ＣＣＭで供給し、反応ガスの圧力を０．２Ｔｏｒｒに調
整した。

【００４８】次いで、この反応ガスを１３．５６ＭＨＺ
　の高周波電源を用いて電力密度０．１Ｗ／ｃｍ２　で
プラズマ化し、３５０℃に加熱されたシリコン単結晶基
板（不純物としてＰ濃度１×１０１８ｃｍ−３）１上に
２．０μｍの厚さとなるまでシリコン結晶薄膜２を形成
させた（図１参照）。

【００４９】このようにして得られた薄膜について、反
射高速電子線回析（ＲＨＥＥＤ）によってシリコン結晶
薄膜の評価を行ったところ、ストリークパターンと菊地
ラインが観測され、良好な単結晶であることが判明した
。

【００５０】また、２次イオン質量分析法から、遷移領
域３の厚みは２５０オングストローム、水素濃度は１０
ｐｐｍ以下であることが判った。この薄膜のラマン分光
分析による５２０ｃｍ−１の位置での半値幅は３．５ｃ
ｍ−１で、比抵抗は５０Ω・ｃｍであり、電子移動度を
ペトリッツ法を適用したホール効果測定装置により求め
たところ１３００ｃｍ２　／Ｖ・Ｓであった。また、薄
膜中の水素含有濃度は１０ｐｐｍ以下であった。

【００５１】［実施例１２〜１８］表３の条件で実施例
１１と同様にしてシリコン薄膜を形成させ、同様の評価
を行ったところ表４の結果が得られた。

【００５２】

【表３】

【００５３】

【表４】

【００５４】『比較例１』 熱ＣＶＤ法により、実施例１と同じシリコン単結晶基板
上へ単結晶シリコン薄膜を形成させた。

【００５５】反応温度１１００℃、圧力２００Ｔｏｒｒ
の条件とし、反応ガスとしては１００％ＳｉＨ４　を用
いた。

【００５６】薄膜は８．０μｍで、水素濃度は１０ｐｐ
ｍ以下であり、ラマン半値幅は３．５ｃｍ−１であった
が、遷移領域が１８０００オングストロームもの広さで
生じていた。

【００５７】『比較例２』 反応ガスとしてＳｉＨ４　：ＳｉＨ２　Ｆ２　：Ｈ２　
＝１：１０：１００の混合ガスを使用し、この反応ガス
を１１１ＳＣＣＭで供給し、反応ガスの圧力を２．０Ｔ
０ｒｒに維持して電力密度０．８Ｗ／ｃｍ２　、基板温
度２５０℃の条件で実施例１と同じシリコン単結晶基板
上へシリコン結晶薄膜を形成させた。

【００５８】得られた薄膜の比抵抗は３０Ω・ｃｍで電
子移動度は２７０ｃｍ２　／Ｖ・Ｓであった。また、遷
移領域は５００オングストロームであったが水素含有量
は１．２原子％（１２０００ｐｐｍ）でラマン半値幅は
７ｃｍ−１であった。

【００５９】

【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、単結晶シ
リコンの成長膜中に水素が取残され難くなるため結晶の
均一性を向上させることが可能となる。

【００６０】従って、結晶の均一性向上に伴い電子移動
度等電気的特性が向上した単結晶シリコン薄膜が得られ
る効果を有している。

【００６１】また、請求項２に係る発明によれば、電子
移動度等電気的特性が向上した単結晶シリコン薄膜が得
られると共に製造時における危険性の低減並びに取扱い
管理の低減が図れる効果を有している。

【００６２】更に、請求項３に係る発明によれば、従来
に較べてその膜厚を薄く設定した単結晶シリコン薄膜が
製造できると共にその単結晶シリコン薄膜の電気的特性
が優れているため、その微細化と高性能化が要求される
バイポーラＩＣ等への適用が可能となる効果を有してい
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係る単結晶シリコン薄膜とその基板の
断面図。

【図２】本発明に適用されるプラズマＣＶＤ装置の構成
説明図。

【図３】従来法に係る単結晶シリコン薄膜とその基板の
断面図。

【符号の説明】

１　　　　シリコン単結晶基板 ２　　　　薄膜 ３　　　　遷移領域

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　プラズマＣＶＤ装置を用いてシリコン
   原子、ハロゲン原子及び水素原子を含有する反応ガスを
   プラズマ化し、加熱された単結晶基板上に単結晶シリコ
   ンの薄膜を形成する単結晶シリコン薄膜の製造方法にお
   いて、上記反応ガス中のハロゲン原子の数が水素原子の
   数より多くなるように調整したことを特徴とする単結晶
   シリコン薄膜の製造方法。
2. 【請求項２】　　上記シリコン原子の供給ガスが、Ｓｉ
   Ｆ４　、ＳｉＣｌ４　、及びＳｉ２　Ｆ６　より選択さ
   れたハロゲン化珪素ガスで構成され、水素原子の供給ガ
   スが水素ガスであることを特徴とする請求項１記載の単
   結晶シリコン薄膜の製造方法。
3. 【請求項３】　　上記単結晶シリコン薄膜の単結晶基板
   からの不純物拡散遷移領域の厚みが５００オングストロ
   ーム以下であり、かつ、上記薄膜中の水素濃度が５０ｐ
   ｐｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２
   記載の単結晶シリコン薄膜の製造方法。