JPH1011732A - 記録媒体用基板及びその製造方法 - Google Patents
記録媒体用基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH1011732A JPH1011732A JP8179831A JP17983196A JPH1011732A JP H1011732 A JPH1011732 A JP H1011732A JP 8179831 A JP8179831 A JP 8179831A JP 17983196 A JP17983196 A JP 17983196A JP H1011732 A JPH1011732 A JP H1011732A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- firing
- polishing
- lapping
- flatness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カーボン基板において、基板本体の加工の生
産性を向上すること。 【解決手段】 カーボン基板本体１Ａを焼成した後、表
面加工して製造されるＧＣ基板１において、焼成工程
後、表面研磨工程前の基板本体１Ａにおける300 〜800n
mの可視・紫外光の表面反射率が 5％以上、かつ表面粗
さＲａ＝10μm 以下であるもの。
産性を向上すること。 【解決手段】 カーボン基板本体１Ａを焼成した後、表
面加工して製造されるＧＣ基板１において、焼成工程
後、表面研磨工程前の基板本体１Ａにおける300 〜800n
mの可視・紫外光の表面反射率が 5％以上、かつ表面粗
さＲａ＝10μm 以下であるもの。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種記録方式（磁
気、光磁気、光）による記録媒体用基板及びその製造方
法に関する。
気、光磁気、光）による記録媒体用基板及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置に搭載されるハードデ
ィスク（ＨＤ）用基板に代表される記録媒体用基板は、
基板本体の表面を粗研磨するラッピング工程、内外周端
面を研削して面取りするチャンファ加工工程、表面を鏡
面研磨するポリッシング工程を経て製造されている。そ
して、この基板は、更に、基板本体の表面にテクスチャ
ー層を形成してその表面を適度に粗面化するテクスチャ
ー工程、表面に下地層を形成する下地層形成工程、表面
に磁性層を成膜する磁性層形成工程、磁性層上に保護層
を形成する保護層形成工程、保護層の上に潤滑層を形成
する潤滑層形成工程等にて基板本体の表面に成膜し、更
にその膜表面の異常突起を除去するバーニッシュ工程を
施されて製品となる。
ィスク（ＨＤ）用基板に代表される記録媒体用基板は、
基板本体の表面を粗研磨するラッピング工程、内外周端
面を研削して面取りするチャンファ加工工程、表面を鏡
面研磨するポリッシング工程を経て製造されている。そ
して、この基板は、更に、基板本体の表面にテクスチャ
ー層を形成してその表面を適度に粗面化するテクスチャ
ー工程、表面に下地層を形成する下地層形成工程、表面
に磁性層を成膜する磁性層形成工程、磁性層上に保護層
を形成する保護層形成工程、保護層の上に潤滑層を形成
する潤滑層形成工程等にて基板本体の表面に成膜し、更
にその膜表面の異常突起を除去するバーニッシュ工程を
施されて製品となる。
【０００３】他方、近年、ハードディスク用基板として
カーボン基板が注目されている。カーボン基板は樹脂基
板を焼成した後、前述の表面研磨、チャンファ加工を施
されて製造されるが、従来使用されてきたアルミニウム
等に比べて高硬度であることから薄板化が可能であり、
ノートブック型コンピュータ等可搬性コンピュータに要
求される小型化に対応できる有望なものである。また、
カーボン基板は耐熱性にも優れることから記録層等を形
成する際高温加工しても基板がたわむことなく、生産性
も良い。
カーボン基板が注目されている。カーボン基板は樹脂基
板を焼成した後、前述の表面研磨、チャンファ加工を施
されて製造されるが、従来使用されてきたアルミニウム
等に比べて高硬度であることから薄板化が可能であり、
ノートブック型コンピュータ等可搬性コンピュータに要
求される小型化に対応できる有望なものである。また、
カーボン基板は耐熱性にも優れることから記録層等を形
成する際高温加工しても基板がたわむことなく、生産性
も良い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、本発明者
の研究結果によれば、焼成後のカーボン基板の表面反射
率、表面粗さ、平坦度、もしくは１枚の基板本体内での
板厚むらの寸法不良は、その後の表面加工工程での生産
性を大きく損なう。即ち、表面反射率、表面粗さの不良
は、表面でのピットの数や大きさが大きい、うねりが大
きいことを意味し、表面加工工程でそれらのピットやう
ねりを除去するために余分な研磨代を付加するする必要
を生じ、加工時間が長くなり、生産性を阻害する。ま
た、平坦度や板厚むらの不良は、表面加工工程で平坦度
を良くするために研磨圧力を小として研磨する必要を生
じたり、余分な研磨代を付加する必要を生じ、加工時間
が長くなり、生産性を阻害する。
の研究結果によれば、焼成後のカーボン基板の表面反射
率、表面粗さ、平坦度、もしくは１枚の基板本体内での
板厚むらの寸法不良は、その後の表面加工工程での生産
性を大きく損なう。即ち、表面反射率、表面粗さの不良
は、表面でのピットの数や大きさが大きい、うねりが大
きいことを意味し、表面加工工程でそれらのピットやう
ねりを除去するために余分な研磨代を付加するする必要
を生じ、加工時間が長くなり、生産性を阻害する。ま
た、平坦度や板厚むらの不良は、表面加工工程で平坦度
を良くするために研磨圧力を小として研磨する必要を生
じたり、余分な研磨代を付加する必要を生じ、加工時間
が長くなり、生産性を阻害する。
【０００５】本発明の課題は、カーボン基板において、
基板本体の加工の生産性を向上することにある。
基板本体の加工の生産性を向上することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
は、樹脂基板を焼成した後、表面加工して製造されるカ
ーボン製記録媒体用基板において、前記焼成工程後、表
面研磨工程前の基板本体における300 〜 800nmの可視・
紫外光の表面反射率が 5％以上であり、かつ表面粗さＲ
ａ＝10μm 以下であるものである。
は、樹脂基板を焼成した後、表面加工して製造されるカ
ーボン製記録媒体用基板において、前記焼成工程後、表
面研磨工程前の基板本体における300 〜 800nmの可視・
紫外光の表面反射率が 5％以上であり、かつ表面粗さＲ
ａ＝10μm 以下であるものである。
【０００７】ここで表面加工とは、遊離砥粒を用いる研
磨、固定砥粒を用いる研削、単石砥石／バイトを用いる
切削等を含むものとする。遊離砥粒としては、例えば、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＣ、ＺｒＯ2 、ダイヤモンド等が挙げ
られる。固定砥粒としては、例えば砥粒としてＡｌ2 Ｏ
3 、ダイヤモンド、ＣＢＮ等、それら砥粒のバインダー
としてレジン系、ガラス系、金属系等が挙げられる。切
削工具としては、ダイヤモンド、ＣＢＮ、超硬金属等が
挙げられる。
磨、固定砥粒を用いる研削、単石砥石／バイトを用いる
切削等を含むものとする。遊離砥粒としては、例えば、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＣ、ＺｒＯ2 、ダイヤモンド等が挙げ
られる。固定砥粒としては、例えば砥粒としてＡｌ2 Ｏ
3 、ダイヤモンド、ＣＢＮ等、それら砥粒のバインダー
としてレジン系、ガラス系、金属系等が挙げられる。切
削工具としては、ダイヤモンド、ＣＢＮ、超硬金属等が
挙げられる。
【０００８】請求項２に記載の本発明は、請求項１に記
載の本発明において更に、前記焼成工程後、表面加工工
程前の基板本体の平坦度が50μm 以下、１枚の基板本体
内での板厚むらが50μm 以下であるものである。
載の本発明において更に、前記焼成工程後、表面加工工
程前の基板本体の平坦度が50μm 以下、１枚の基板本体
内での板厚むらが50μm 以下であるものである。
【０００９】請求項３に記載の本発明は、請求項１又は
２記載の記録媒体用基板の製造方法において、前記焼成
工程が樹脂基板とスペーサとを交互に積層したものを焼
成炉に入れ、該樹脂基板を焼成するに際し、板厚むらが
10μm 以下で且つ平坦度が10μm 以下のスペーサを用い
るものである。
２記載の記録媒体用基板の製造方法において、前記焼成
工程が樹脂基板とスペーサとを交互に積層したものを焼
成炉に入れ、該樹脂基板を焼成するに際し、板厚むらが
10μm 以下で且つ平坦度が10μm 以下のスペーサを用い
るものである。
【００１０】請求項１に記載の本発明によれば下記の
作用がある。 焼成工程後、表面加工工程前の基板本体の表面反射率
が 5％以上であり、かつ表面粗さＲａ＝10μm 以下とす
ることにより、表面加工工程で表面のピットやうねりを
除去したり、表面粗さを向上させるための余分な研磨代
を付加する必要がなくなり、加工時間を短くし、生産性
を向上できる。
作用がある。 焼成工程後、表面加工工程前の基板本体の表面反射率
が 5％以上であり、かつ表面粗さＲａ＝10μm 以下とす
ることにより、表面加工工程で表面のピットやうねりを
除去したり、表面粗さを向上させるための余分な研磨代
を付加する必要がなくなり、加工時間を短くし、生産性
を向上できる。
【００１１】請求項２に記載の本発明によれば下記の
作用がある。 焼成工程後、表面研磨工程前の基板本体の平坦度が50
μm 以下、１枚の基板本体内での板厚むらが50μm 以下
であるものとすることにより、表面加工工程で平坦度を
良くするための余分な研磨代を付加したり、加工圧力を
小として加工する必要がなくなり、加工時間を短くし、
生産性を向上できる。
作用がある。 焼成工程後、表面研磨工程前の基板本体の平坦度が50
μm 以下、１枚の基板本体内での板厚むらが50μm 以下
であるものとすることにより、表面加工工程で平坦度を
良くするための余分な研磨代を付加したり、加工圧力を
小として加工する必要がなくなり、加工時間を短くし、
生産性を向上できる。
【００１２】請求項３に記載の本発明によれば下記の
作用がある。 焼成工程で用いるスペーサの10μm を超える板厚む
ら、及び10μm を超える平坦度が基板本体に転写される
と、表面加工工程で、基板本体に転写した板厚むらおよ
び反りをなくして平坦度を良くするため、研磨圧力を小
として研磨する必要や、余分な取り代を付加する必要を
生じ、加工時間が長くなる。これに対しスペーサの板厚
むらを10μm 以下、平坦度を10μm 以下にすれば、加工
時間を短く、生産性を向上できる。
作用がある。 焼成工程で用いるスペーサの10μm を超える板厚む
ら、及び10μm を超える平坦度が基板本体に転写される
と、表面加工工程で、基板本体に転写した板厚むらおよ
び反りをなくして平坦度を良くするため、研磨圧力を小
として研磨する必要や、余分な取り代を付加する必要を
生じ、加工時間が長くなる。これに対しスペーサの板厚
むらを10μm 以下、平坦度を10μm 以下にすれば、加工
時間を短く、生産性を向上できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は基板を示す模式図、図２は
樹脂合成工程からコア抜き工程までのＧＣ基板製造プロ
セスを示す模式図、図３は焼成前ラッピング工程から焼
成炭素化工程までのＧＣ基板製造プロセスを示す模式
図、図４は焼成後ラッピング工程から基板本体完成まで
のＧＣ基板製造プロセスを示す模式図、図５は焼成用支
持装置を示す模式図、図６は焼成用スペーサを示す模式
図、図７は焼成工程における樹脂基板積層状態を示す模
式図、図８は研磨装置を示す模式図、図９はチャンファ
加工装置を示す模式図、図１０は基板本体の加工手順を
示す模式図である。
樹脂合成工程からコア抜き工程までのＧＣ基板製造プロ
セスを示す模式図、図３は焼成前ラッピング工程から焼
成炭素化工程までのＧＣ基板製造プロセスを示す模式
図、図４は焼成後ラッピング工程から基板本体完成まで
のＧＣ基板製造プロセスを示す模式図、図５は焼成用支
持装置を示す模式図、図６は焼成用スペーサを示す模式
図、図７は焼成工程における樹脂基板積層状態を示す模
式図、図８は研磨装置を示す模式図、図９はチャンファ
加工装置を示す模式図、図１０は基板本体の加工手順を
示す模式図である。
【００１４】磁気ディスク用ガラス状カーボン基板（Ｇ
Ｃ基板）（外径1.89インチ）１は、下記工程により基板
本体１Ａを製造され、その後、基板本体１Ａへの成膜１
０を施されて製品となる。
Ｃ基板）（外径1.89インチ）１は、下記工程により基板
本体１Ａを製造され、その後、基板本体１Ａへの成膜１
０を施されて製品となる。
【００１５】基板本体１Ａの製造工程 図２〜図４はＧＣ基板製造プロセスを示し、(1) 樹脂合
成工程、(2) 樹脂硬化工程、(3) コア抜き工程、(4) 焼
成前ラッピング工程、(5) 焼成炭素化工程、(6) 焼成後
ラッピング工程、(7) チャンファ加工工程、(8) ポリッ
シング工程の順で行なわれる。但し、(4) の焼成前ラッ
ピング工程でのラッピングの程度により、(6) の焼成後
ラッピング工程は省略可能である。或いは、(4) の焼成
前ラッピング工程を省略し、(6) の焼成後ラッピング工
程を必須としてもよい。また、(6) の焼成後ラッピング
工程と(7) のチャンファ加工工程の順序は入れ替わって
も特に問題はない。
成工程、(2) 樹脂硬化工程、(3) コア抜き工程、(4) 焼
成前ラッピング工程、(5) 焼成炭素化工程、(6) 焼成後
ラッピング工程、(7) チャンファ加工工程、(8) ポリッ
シング工程の順で行なわれる。但し、(4) の焼成前ラッ
ピング工程でのラッピングの程度により、(6) の焼成後
ラッピング工程は省略可能である。或いは、(4) の焼成
前ラッピング工程を省略し、(6) の焼成後ラッピング工
程を必須としてもよい。また、(6) の焼成後ラッピング
工程と(7) のチャンファ加工工程の順序は入れ替わって
も特に問題はない。
【００１６】(1) 樹脂合成工程 樹脂合成工程では、反応槽１１にて、フェノール変性フ
ラン樹脂を合成する。樹脂合成後の液状の樹脂は濾過器
１２により濾過する。
ラン樹脂を合成する。樹脂合成後の液状の樹脂は濾過器
１２により濾過する。
【００１７】(2) 樹脂硬化工程 樹脂硬化工程では、一対の板１３、１３間に、硬化剤を
添加・混合した液状の樹脂を注入し、高温状態で放置し
て反応させることにより、硬化させ、この後、板１３、
１３から取出して、板状の硬化樹脂を得る。
添加・混合した液状の樹脂を注入し、高温状態で放置し
て反応させることにより、硬化させ、この後、板１３、
１３から取出して、板状の硬化樹脂を得る。
【００１８】(3) コア抜き工程 コア抜き工程では、例えばレーザーカッター（或いはル
ーター、旋盤、プレス等）を用いて、板状の硬化樹脂１
４から、外径約70mm、内径約15mmのディスク状の硬化樹
脂（硬化樹脂基板）１５を多数切り抜く。
ーター、旋盤、プレス等）を用いて、板状の硬化樹脂１
４から、外径約70mm、内径約15mmのディスク状の硬化樹
脂（硬化樹脂基板）１５を多数切り抜く。
【００１９】(4) 焼成前ラッピング工程 焼成前ラッピング工程では、両面研磨機１６を用いて、
コア抜きされた硬化樹脂基板１５の表面を遊離砥粒によ
り研磨する。
コア抜きされた硬化樹脂基板１５の表面を遊離砥粒によ
り研磨する。
【００２０】ここで使用する砥粒は、焼成後ラッピング
工程を省略することを前提とすれば、平均粒径 1.0〜
6.0μm の範囲の砥粒とする。そして、ラッピング後の
表面粗さをＲａ＝ 0.4μm 以下にする。尚、ラッピング
後の厚さは、この後の焼成時の収縮率が70％程度で、焼
成後に得る厚さを0.65mm〜 0.7mm程度とすると、0.9mm
〜0.95mm程度にする。
工程を省略することを前提とすれば、平均粒径 1.0〜
6.0μm の範囲の砥粒とする。そして、ラッピング後の
表面粗さをＲａ＝ 0.4μm 以下にする。尚、ラッピング
後の厚さは、この後の焼成時の収縮率が70％程度で、焼
成後に得る厚さを0.65mm〜 0.7mm程度とすると、0.9mm
〜0.95mm程度にする。
【００２１】また、焼成後ラッピング工程を実施するこ
とを前提として、焼成前ラッピング工程にて厚みを揃え
ることのみを目的とすれば、平均砥粒 1.0〜30.0μm の
範囲の砥粒を使用する。そして、ラッピング後の表面粗
さをＲａ＝ 2.0μm 以下（0.02〜 2.0μm の範囲）にす
る。
とを前提として、焼成前ラッピング工程にて厚みを揃え
ることのみを目的とすれば、平均砥粒 1.0〜30.0μm の
範囲の砥粒を使用する。そして、ラッピング後の表面粗
さをＲａ＝ 2.0μm 以下（0.02〜 2.0μm の範囲）にす
る。
【００２２】両面研磨機１６は、図８に示す如く、上研
磨盤１６Ａ、下研磨盤１６Ｂ、キャリア１６Ｃを有して
構成される。
磨盤１６Ａ、下研磨盤１６Ｂ、キャリア１６Ｃを有して
構成される。
【００２３】両面研磨機１６において、下研磨盤１６Ｂ
は矢印Ａ方向に回転する。また、下研磨盤１６Ｂの上方
には、矢印Ｂ方向に回転する太陽歯車１６Ｄと矢印Ｃ方
向に回転する内歯歯車１６Ｅとに噛み合って、公転しつ
つ自転する遊星歯車状のキャリア１６Ｃが設けられてい
て、各キャリア１６Ｃの複数のワーク保持孔１６Ｆに基
板本体１Ａがセットされる。また、下研磨盤１６Ｂ及び
キャリア１６Ｃの上方には上研磨盤１６Ａが設けられ、
この上研磨盤１６Ａは不図示のエアシリンダにより昇降
されるとともに、下降時には矢印Ｄ方向に回転するロー
タ１６Ｇに係合して同方向に回転する。そして、上研磨
盤１６Ａと下研磨盤１６Ｂの間には、不図示のスラリー
供給パイプにより、砥粒を含んだスラリーが供給され
る。
は矢印Ａ方向に回転する。また、下研磨盤１６Ｂの上方
には、矢印Ｂ方向に回転する太陽歯車１６Ｄと矢印Ｃ方
向に回転する内歯歯車１６Ｅとに噛み合って、公転しつ
つ自転する遊星歯車状のキャリア１６Ｃが設けられてい
て、各キャリア１６Ｃの複数のワーク保持孔１６Ｆに基
板本体１Ａがセットされる。また、下研磨盤１６Ｂ及び
キャリア１６Ｃの上方には上研磨盤１６Ａが設けられ、
この上研磨盤１６Ａは不図示のエアシリンダにより昇降
されるとともに、下降時には矢印Ｄ方向に回転するロー
タ１６Ｇに係合して同方向に回転する。そして、上研磨
盤１６Ａと下研磨盤１６Ｂの間には、不図示のスラリー
供給パイプにより、砥粒を含んだスラリーが供給され
る。
【００２４】これにより、両面研磨機１６では、上研磨
盤１６Ａを下降させることにより、キャリア１６Ｃに保
持された基板本体１Ａが上研磨盤１６Ａと下研磨盤１６
Ｂとに挟まれて、砥粒の介在下で上下両面を研磨され
る。
盤１６Ａを下降させることにより、キャリア１６Ｃに保
持された基板本体１Ａが上研磨盤１６Ａと下研磨盤１６
Ｂとに挟まれて、砥粒の介在下で上下両面を研磨され
る。
【００２５】(5) 焼成炭素化工程 焼成炭素化工程では、焼成用支持装置として、図５に示
すように焼成前の硬化樹脂基板１５の中央孔に挿入可能
で一端部に鍔状にディスク状の底板１７を固着した例え
ばカーボン（黒鉛）製の支持シャフト１８と、図６に示
すように支持シャフト１８に挿入可能な中央孔１９Ａを
有するディスク状の例えばカーボン（黒鉛）製のスペー
サ１９とを用いる。ここで、スペーサ１９は、１本の支
持シャフト１８につき、多数用意しておく。
すように焼成前の硬化樹脂基板１５の中央孔に挿入可能
で一端部に鍔状にディスク状の底板１７を固着した例え
ばカーボン（黒鉛）製の支持シャフト１８と、図６に示
すように支持シャフト１８に挿入可能な中央孔１９Ａを
有するディスク状の例えばカーボン（黒鉛）製のスペー
サ１９とを用いる。ここで、スペーサ１９は、１本の支
持シャフト１８につき、多数用意しておく。
【００２６】そして、図７に示すように、底板１７を下
にして起立させた支持シャフト１８に、硬化樹脂基板１
５とスペーサ１９とを交互に挿入して積層し、最上部に
荷重（重り）を載せる。このようにして積層したものを
多数、図３に示すように、１枚のカーボン（黒鉛）製の
平板２０上に置いて、焼成炉内に入れ、不活性ガス（例
えば窒素、アルゴン等）雰囲気下、例えばカーボン（黒
鉛）製のヒータにより、1000〜1500℃で焼成することに
より、硬化樹脂基板１５を炭素化して、ＧＣ基板を得
る。このときの収縮率は70〜80％程度である。
にして起立させた支持シャフト１８に、硬化樹脂基板１
５とスペーサ１９とを交互に挿入して積層し、最上部に
荷重（重り）を載せる。このようにして積層したものを
多数、図３に示すように、１枚のカーボン（黒鉛）製の
平板２０上に置いて、焼成炉内に入れ、不活性ガス（例
えば窒素、アルゴン等）雰囲気下、例えばカーボン（黒
鉛）製のヒータにより、1000〜1500℃で焼成することに
より、硬化樹脂基板１５を炭素化して、ＧＣ基板を得
る。このときの収縮率は70〜80％程度である。
【００２７】(6) 焼成後ラッピング工程 焼成後ラッピング工程では、両面研磨機２１を用いて、
焼成されたＧＣ基板本体１Ａの表面を遊離砥粒により研
磨する。
焼成されたＧＣ基板本体１Ａの表面を遊離砥粒により研
磨する。
【００２８】ここで使用する両面研磨機２１は焼成前ラ
ッピング工程で用いたものと同じものでよい。
ッピング工程で用いたものと同じものでよい。
【００２９】また、使用する砥粒は、平均粒径 1.0〜
6.0μm の範囲の砥粒とする。但し、焼成前ラッピング
工程において平均粒径 1.0〜 6.0μm の範囲の砥粒を用
いて、焼成後に所望の厚さと平坦度／面粗さとを得てい
る場合は、焼成後ラッピング工程を省略可能である。
6.0μm の範囲の砥粒とする。但し、焼成前ラッピング
工程において平均粒径 1.0〜 6.0μm の範囲の砥粒を用
いて、焼成後に所望の厚さと平坦度／面粗さとを得てい
る場合は、焼成後ラッピング工程を省略可能である。
【００３０】(7) チャンファ加工工程 チャンファ加工工程では、チャンファ加工装置３０を用
いて、基板本体１Ａの内外周端面を研削して面取りす
る。図１の２は外周面取り部分、３は内周面取り部分で
ある。
いて、基板本体１Ａの内外周端面を研削して面取りす
る。図１の２は外周面取り部分、３は内周面取り部分で
ある。
【００３１】チャンファ加工装置３０は、図９に示す如
く、チャックステージ３１、クランプ３２、ダイヤモン
ド砥石３３、３４を有して構成される。
く、チャックステージ３１、クランプ３２、ダイヤモン
ド砥石３３、３４を有して構成される。
【００３２】チャックステージ３１は、基板本体１Ａを
支持する同心状の凸部３１Ａと、凸部３１Ａまわりで基
板本体１Ａを真空吸引する真空吸引溝３１Ｂと、真空吸
引溝３１Ｂに真空圧を付与する真空供給路３１Ｃとを備
える。これにより、チャックステージ３１は基板本体１
Ａを真空吸着可能とする。
支持する同心状の凸部３１Ａと、凸部３１Ａまわりで基
板本体１Ａを真空吸引する真空吸引溝３１Ｂと、真空吸
引溝３１Ｂに真空圧を付与する真空供給路３１Ｃとを備
える。これにより、チャックステージ３１は基板本体１
Ａを真空吸着可能とする。
【００３３】クランプ３２は、チャックステージ３１上
の基板本体１Ａに高圧水を印加する高圧水噴射口３２Ａ
を備え、基板本体１Ａをチャックステージ３１に押圧保
持可能とする。
の基板本体１Ａに高圧水を印加する高圧水噴射口３２Ａ
を備え、基板本体１Ａをチャックステージ３１に押圧保
持可能とする。
【００３４】ダイヤモンド砥石３３は基板本体１Ａの外
周端面を面取り研削可能とし、ダイヤモンド砥石３４は
基板本体１Ａの内周端面を面取り研削可能とする。
周端面を面取り研削可能とし、ダイヤモンド砥石３４は
基板本体１Ａの内周端面を面取り研削可能とする。
【００３５】(8) ポリッシング工程 最後のポリッシング工程では、最終研磨のため、両面研
磨機４１を用いて、研磨する。両面研磨機４１は、図８
に示す上研磨盤１６Ａ、下研磨盤１６Ｂ、キャリア１６
Ｃを有して構成される研磨機において、上研磨盤１６
Ａ、下研磨盤１６Ｂの表面（基板本体と接する面）にパ
ッドを貼り付けたものを使用する。以上の工程を経て、
ＧＣ基板本体１Ａが得られる。
磨機４１を用いて、研磨する。両面研磨機４１は、図８
に示す上研磨盤１６Ａ、下研磨盤１６Ｂ、キャリア１６
Ｃを有して構成される研磨機において、上研磨盤１６
Ａ、下研磨盤１６Ｂの表面（基板本体と接する面）にパ
ッドを貼り付けたものを使用する。以上の工程を経て、
ＧＣ基板本体１Ａが得られる。
【００３６】然るに、本発明者は、ＧＣ基板１におい
て、基板本体１Ａの加工の生産性を向上するため、下記
(a) 〜(c) の知見を得た。 (a) 焼成炭素化工程、表面加工工程の前に基板本体にお
ける300 〜 800nmの可視・紫外光の表面反射率が 5％以
上であり、かつ表面粗さＲａ＝10μm 以下であることが
必要である。
て、基板本体１Ａの加工の生産性を向上するため、下記
(a) 〜(c) の知見を得た。 (a) 焼成炭素化工程、表面加工工程の前に基板本体にお
ける300 〜 800nmの可視・紫外光の表面反射率が 5％以
上であり、かつ表面粗さＲａ＝10μm 以下であることが
必要である。
【００３７】表面反射率を測定する装置としては、日立
分光光度計Ｕ−3200が挙げられる。また、表面反射率と
は、反射光量／入射光量のことであり、反射光は積分可
能な積分球向可視・紫外分光光度計によって測定され
る。表面反射率は 5％以上であれば研磨工程（ラッピン
グ工程）の時間が格段に速くなる。その要因、機構は明
らかでないが、次のことが考えられる。
分光光度計Ｕ−3200が挙げられる。また、表面反射率と
は、反射光量／入射光量のことであり、反射光は積分可
能な積分球向可視・紫外分光光度計によって測定され
る。表面反射率は 5％以上であれば研磨工程（ラッピン
グ工程）の時間が格段に速くなる。その要因、機構は明
らかでないが、次のことが考えられる。
【００３８】表面に特異的に大きい突起やくぼみが殆
ど存在しないため。 反射率の低い不純物（焼成中生成される副生成物）が
少ないため、均質な表面が得られ、反射率が大きい。 表面の穿孔が少ないため、鏡面が得られている。
ど存在しないため。 反射率の低い不純物（焼成中生成される副生成物）が
少ないため、均質な表面が得られ、反射率が大きい。 表面の穿孔が少ないため、鏡面が得られている。
【００３９】また、〜の要因が相まっているとも考
えられる。反射率は高い程よく、上限は特段定めない
が、実生産上実施可能な上限としては50％である。
えられる。反射率は高い程よく、上限は特段定めない
が、実生産上実施可能な上限としては50％である。
【００４０】また、表面粗さとしてはＲａ＝500 オング
ストローム以下であることが好ましい。
ストローム以下であることが好ましい。
【００４１】(b) 焼成炭素化工程後、表面加工工程前の
基板本体１Ａの平坦度が50μm 以下、１枚の基板本体１
Ａ内での板厚むらが50μm 以下であること。
基板本体１Ａの平坦度が50μm 以下、１枚の基板本体１
Ａ内での板厚むらが50μm 以下であること。
【００４２】ここで、平坦度は、ニデック社製ＦＴ−１
１によって評価を行なった。勿論、上記定義範囲内にお
いて測定されるものであれば良い。
１によって評価を行なった。勿論、上記定義範囲内にお
いて測定されるものであれば良い。
【００４３】また、板厚むらとは、１枚の基板本体内の
各点の板厚みの最大値−最小値のことで、本発明におい
ては、マイクロメータで基板本体上で十文字をなす４本
の各半径上のそれぞれにおける最外周点、中間点、最内
周点での板厚を測定し、各点の板厚の（最大値−最小
値）を表わすものである。
各点の板厚みの最大値−最小値のことで、本発明におい
ては、マイクロメータで基板本体上で十文字をなす４本
の各半径上のそれぞれにおける最外周点、中間点、最内
周点での板厚を測定し、各点の板厚の（最大値−最小
値）を表わすものである。
【００４４】本発明の効果は、平坦度50μm 以下、板厚
むら50μm 以下であると十分に発現するが、平坦度は30
μm 以下、板厚むらは30μm 以下であると特に効果が高
く、然もポリッシュ後の良品収率も高くなるので好まし
い。
むら50μm 以下であると十分に発現するが、平坦度は30
μm 以下、板厚むらは30μm 以下であると特に効果が高
く、然もポリッシュ後の良品収率も高くなるので好まし
い。
【００４５】(c) 焼成炭素化工程で用いる前述のスペー
サ１９として、板厚むらが10μm 以下で、平坦度が10μ
m 以下のものが良い。ここで、板厚むら及び平坦度と
は、基板のものと同定義である。
サ１９として、板厚むらが10μm 以下で、平坦度が10μ
m 以下のものが良い。ここで、板厚むら及び平坦度と
は、基板のものと同定義である。
【００４６】尚、スペーサの表面粗さをＲａ＜0.3 μm
とすると焼成基板の表面粗さを小さく抑えることが可能
となるのでラッピング及びポリッシング時間及び取り代
が少なくてすむので、好ましい。
とすると焼成基板の表面粗さを小さく抑えることが可能
となるのでラッピング及びポリッシング時間及び取り代
が少なくてすむので、好ましい。
【００４７】ところで、上記スペーサの板厚むらと平坦
度は各々10μm 以下であれば本発明の効果を発現し、下
限は小さい程好ましく、特段定める必要はないが、現実
的達成可能な値として5 μm である。
度は各々10μm 以下であれば本発明の効果を発現し、下
限は小さい程好ましく、特段定める必要はないが、現実
的達成可能な値として5 μm である。
【００４８】上記(a）〜(c) によれば、下記〜の作
用がある。 焼成工程後、表面加工工程前の基板本体１Ａの表面反
射率が 5％以上であり、かつ表面粗さＲａ＝10μm 以下
であることにより、表面加工工程で表面のピットやうね
りを除去したり、表面粗さを向上させるための余分な研
磨代を付加する必要がなくなり、加工時間を短くし、生
産性を向上できる。
用がある。 焼成工程後、表面加工工程前の基板本体１Ａの表面反
射率が 5％以上であり、かつ表面粗さＲａ＝10μm 以下
であることにより、表面加工工程で表面のピットやうね
りを除去したり、表面粗さを向上させるための余分な研
磨代を付加する必要がなくなり、加工時間を短くし、生
産性を向上できる。
【００４９】焼成炭素化工程後、表面加工工程前の基
板本体１Ａの平坦度が50μm 以下、１枚の基板本体１Ａ
内での板厚むらが50μm 以下であるものとすることによ
り、表面加工工程で平坦度を良くするための余分な研磨
代を付加したり、加工圧力を小で研磨する必要がなくな
り、加工時間を短くし、生産性を向上できる。
板本体１Ａの平坦度が50μm 以下、１枚の基板本体１Ａ
内での板厚むらが50μm 以下であるものとすることによ
り、表面加工工程で平坦度を良くするための余分な研磨
代を付加したり、加工圧力を小で研磨する必要がなくな
り、加工時間を短くし、生産性を向上できる。
【００５０】焼成炭素化工程で用いるスペーサ１９の
10μm を超える板厚むら、及び10μm を超える平坦度が
基板本体１Ａに転写されると、表面加工工程で、基板本
体１Ａに転写した板厚むらおよび反りをなくして平坦度
を良くするため、研磨圧力を小として研磨する必要や余
分な取り代を付加する必要を生じ、加工時間が長くな
る。これに対しスペーサ１９の板厚むらを10μm 以下、
平坦度を10μm 以下にすれば、加工時間を短く、生産性
を向上できる。
10μm を超える板厚むら、及び10μm を超える平坦度が
基板本体１Ａに転写されると、表面加工工程で、基板本
体１Ａに転写した板厚むらおよび反りをなくして平坦度
を良くするため、研磨圧力を小として研磨する必要や余
分な取り代を付加する必要を生じ、加工時間が長くな
る。これに対しスペーサ１９の板厚むらを10μm 以下、
平坦度を10μm 以下にすれば、加工時間を短く、生産性
を向上できる。
【００５１】
（実施例１〜３）25mil(635 μm 厚）（1.89インチ外
径）のＧＣ基板を作成するため、図１０に示す如く、
(A) 焼成前コア抜き基板、(B) 焼成基板、(C) ラッピン
グ基板（加工条件は表１）、(D) チャンファ加工基板
（加工条件は表２）、(E) ポリッシング基板（加工条件
は表３）の順に硬化樹脂基板を加工し、基板本体１Ａを
得た。
径）のＧＣ基板を作成するため、図１０に示す如く、
(A) 焼成前コア抜き基板、(B) 焼成基板、(C) ラッピン
グ基板（加工条件は表１）、(D) チャンファ加工基板
（加工条件は表２）、(E) ポリッシング基板（加工条件
は表３）の順に硬化樹脂基板を加工し、基板本体１Ａを
得た。
【００５２】焼成炭素化工程で用いたスペーサの板厚む
ら及び平坦度、並びに焼成炭素化工程後、ラッピング工
程前の基板本体１Ａの300 〜800nm の可視・紫外光の表
面反射率、平坦度、板厚むらを測定した。測定結果を表
４に示す。
ら及び平坦度、並びに焼成炭素化工程後、ラッピング工
程前の基板本体１Ａの300 〜800nm の可視・紫外光の表
面反射率、平坦度、板厚むらを測定した。測定結果を表
４に示す。
【００５３】
【表１】
【００５４】
【表２】
【００５５】
【表３】
【００５６】
【表４】
【００５７】尚、上述のスペーサの板厚むら、平坦度は
下記(a) 、(b) により測定した。 (a) 板厚むら 測定器：ミツトヨ マイクロメータ １枚のスペーサ１９につき全１２点（スペーサ１９上で
十文字をなす４本の各半径上のそれぞれにおける最外周
点、中間点、最内周点の全１２点）の板厚を測定し、そ
れら各点の板厚の（最大値−最小値）をそのスペーサ１
９の板厚むらとした。
下記(a) 、(b) により測定した。 (a) 板厚むら 測定器：ミツトヨ マイクロメータ １枚のスペーサ１９につき全１２点（スペーサ１９上で
十文字をなす４本の各半径上のそれぞれにおける最外周
点、中間点、最内周点の全１２点）の板厚を測定し、そ
れら各点の板厚の（最大値−最小値）をそのスペーサ１
９の板厚むらとした。
【００５８】(b) 平坦度 測定器：ニデック社 ＦＴ−１１
【００５９】また、上述の基板本体１Ａの表面反射率、
平坦度、板厚むらは下記〜により測定した。 表面反射率 測定器：日立分光光度計（可視紫外分光光度計）Ｕ−3200 ：150 φ積分球付属装置（型式150-0901） 測定条件： スリット： 5nm レスポンス：Ｍｅｄｉｕｍ スキャンスピード：120 nm／分 積分球の球内面：硫酸バリウム処理 積分球の副白枝：酸化アルミニウム（型式210-0740） 上記可視紫外分光光度計に上記積分球を付け、300 〜80
0nm の範囲の反射光量を測定した。
平坦度、板厚むらは下記〜により測定した。 表面反射率 測定器：日立分光光度計（可視紫外分光光度計）Ｕ−3200 ：150 φ積分球付属装置（型式150-0901） 測定条件： スリット： 5nm レスポンス：Ｍｅｄｉｕｍ スキャンスピード：120 nm／分 積分球の球内面：硫酸バリウム処理 積分球の副白枝：酸化アルミニウム（型式210-0740） 上記可視紫外分光光度計に上記積分球を付け、300 〜80
0nm の範囲の反射光量を測定した。
【００６０】平坦度 測定器：ニデック社 ＦＴ−１１ 測定条件：ＦＲＩＮＧＥ ＳＰＡＣＩＮＧ 2 μm
【００６１】板厚むら 測定器：ミツトヨ マイクロメータ １枚の基板本体１Ａにつき全１２点（基板本体１Ａ上で
十文字をなす４本の各半径上のそれぞれにおける最外周
点、中間点、最内周点の全１２点）の板厚を測定し、そ
れら各点の板厚の（最大値−最小値）をその基板本体１
Ａの板厚むらとした。
十文字をなす４本の各半径上のそれぞれにおける最外周
点、中間点、最内周点の全１２点）の板厚を測定し、そ
れら各点の板厚の（最大値−最小値）をその基板本体１
Ａの板厚むらとした。
【００６２】（実施例４、５）図１０に示した(A) 焼成
前コア抜き基板に(B-1) 焼成前ラッピング（加工条件は
表１と同じ）を施した後、(B-2) 焼成炭素化したもの
を、 (C)のラッピングに供する以外は、実施例１と同
じ。
前コア抜き基板に(B-1) 焼成前ラッピング（加工条件は
表１と同じ）を施した後、(B-2) 焼成炭素化したもの
を、 (C)のラッピングに供する以外は、実施例１と同
じ。
【００６３】焼成炭素化工程で用いたスペーサの板厚む
ら及び平坦度、並びに焼成炭素化工程後、ラッピング工
程前の基板本体１Ａの表面反射率、平坦度、板厚むらを
測定した。測定結果を表４に示す。
ら及び平坦度、並びに焼成炭素化工程後、ラッピング工
程前の基板本体１Ａの表面反射率、平坦度、板厚むらを
測定した。測定結果を表４に示す。
【００６４】（比較例）実施例１と同じ。焼成炭素化工
程で用いたスペーサの板厚むら及び平坦度、並びに焼成
炭素化工程後、ラッピング工程前の基板本体１Ａの表面
反射率、平坦度、板厚むらを測定した。測定結果を表４
に示す。
程で用いたスペーサの板厚むら及び平坦度、並びに焼成
炭素化工程後、ラッピング工程前の基板本体１Ａの表面
反射率、平坦度、板厚むらを測定した。測定結果を表４
に示す。
【００６５】（生産性の評価）実施例１〜７、比較例の
基板について、ラッピング加工に要する加工時間を測定
し表４を得た。
基板について、ラッピング加工に要する加工時間を測定
し表４を得た。
【００６６】表４によれば、焼成炭素化工程で用いたス
ペーサの寸法、焼成炭素化工程後、ラッピング工程前の
基板本体１Ａの表面反射率、寸法を本発明範囲に制限す
ることにより、ラッピング加工時間を短くし、基板本体
１Ａの加工の生産性を向上できることを認めた。
ペーサの寸法、焼成炭素化工程後、ラッピング工程前の
基板本体１Ａの表面反射率、寸法を本発明範囲に制限す
ることにより、ラッピング加工時間を短くし、基板本体
１Ａの加工の生産性を向上できることを認めた。
【００６７】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述したが、本発明の具体的な構成はこの実施の形態に限
られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計の変更等があっても本発明に含まれる。
述したが、本発明の具体的な構成はこの実施の形態に限
られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計の変更等があっても本発明に含まれる。
【００６８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、カーボン
基板において、基板本体の加工の生産性を向上すること
ができる。
基板において、基板本体の加工の生産性を向上すること
ができる。
【図１】図１は基板を示す模式図である。
【図２】図２は樹脂合成工程からコア抜き工程までのＧ
Ｃ基板製造プロセスを示す模式図である。
Ｃ基板製造プロセスを示す模式図である。
【図３】図３は焼成前ラッピング工程から焼成炭素化工
程までのＧＣ基板製造プロセスを示す模式図である。
程までのＧＣ基板製造プロセスを示す模式図である。
【図４】図４は焼成後ラッピング工程から基板本体完成
までのＧＣ基板製造プロセスを示す模式図である。
までのＧＣ基板製造プロセスを示す模式図である。
【図５】図５は焼成用支持装置を示す模式図である。
【図６】図６は焼成用スペーサを示す模式図である。
【図７】図７は焼成工程における樹脂基板積層状態を示
す模式図である。
す模式図である。
【図８】図８は研磨装置を示す模式図である。
【図９】図９はチャンファ加工装置を示す模式図であ
る。
る。
【図１０】図１０は基板本体の加工手順を示す模式図で
ある。
ある。
１ ＧＣ基板 １Ａ 基板本体 ２、３ 面取り部分 １９ スペーサ ２１ 両面研磨機 ３０ チャンファ加工装置
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂基板を焼成した後、表面加工して製
造されるカーボン製記録媒体用基板において、 前記焼成工程後、表面加工工程前の基板本体における30
0 〜 800nmの可視・紫外光の表面反射率が 5％以上であ
り、かつ表面粗さＲａ＝10μm 以下であることを特徴と
する記録媒体用基板。 - 【請求項２】 前記焼成工程後、表面加工工程前の基板
本体の平坦度が50μm 以下、１枚の基板本体内での板厚
むらが50μm 以下である請求項１記載の記録媒体用基
板。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の記録媒体用基板の
製造方法において、 前記焼成工程が樹脂基板とスペーサとを交互に積層した
ものを焼成炉に入れ、該樹脂基板を焼成するに際し、板
厚むらが10μm 以下で且つ平坦度が10μm 以下のスペー
サを用いることを特徴とする記録媒体用基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8179831A JPH1011732A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 記録媒体用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8179831A JPH1011732A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 記録媒体用基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1011732A true JPH1011732A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=16072666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8179831A Withdrawn JPH1011732A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 記録媒体用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1011732A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007087456A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Sunao Haga | 破壊機能付ハードディスクドライブ |
-
1996
- 1996-06-21 JP JP8179831A patent/JPH1011732A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007087456A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Sunao Haga | 破壊機能付ハードディスクドライブ |
| JP4568910B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2010-10-27 | 直 芳賀 | 破壊機能付ハードディスクドライブ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101091030B1 (ko) | 감소된 마찰력을 갖는 패드 컨디셔너 제조방법 | |
| JP6960866B2 (ja) | 単結晶４Ｈ−ＳｉＣ成長用種結晶及びその加工方法 | |
| TW201351494A (zh) | 晶圓的雙面研磨方法 | |
| JP2000114216A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| DE19636578A1 (de) | Magnetaufzeichnungsmedium und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| JPH1011732A (ja) | 記録媒体用基板及びその製造方法 | |
| JP5333428B2 (ja) | 研磨パッド用ドレッサー及びその製造方法及びガラス基板及びその製造方法及び磁気記録媒体用ガラス基板 | |
| JP3208056B2 (ja) | 複合材料のポリシング加工方法 | |
| JPH09320036A (ja) | 記録媒体用基板及びその製造方法 | |
| JPH08174428A (ja) | 砥粒固定型研磨定盤 | |
| JP3678993B2 (ja) | Ｃｍｐ加工用ドレッサ | |
| JPH10217076A (ja) | ディスク基板の加工方法、加工装置および該加工方法に使用する外周刃砥石 | |
| KR19980080547A (ko) | 디스크 기판 중간체와 그 제조 방법 및 연삭 가공 장치 | |
| JPH09176620A (ja) | 磁気記録媒体基板製造用研磨材組成物及び磁気記録媒体用基板の製造方法 | |
| JP2000190199A (ja) | 定盤平面修正方法 | |
| JPH09100465A (ja) | 磁気記録媒体基板製造用研磨材組成物及び磁気記録媒体用基板の製造方法 | |
| JP3612122B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP4210134B2 (ja) | ウエーハ研磨治具及びその製造方法 | |
| JPH11277445A (ja) | 基板研磨用砥石及び研磨装置 | |
| JPH1110527A (ja) | 磁気ディスク用基板の研磨方法 | |
| JPH1199475A (ja) | ポリッシャ修正工具及びその製造方法 | |
| JPH0976147A (ja) | 表面加工基板及びその製造方法 | |
| JPH11188588A (ja) | ディスク基板中間体およびその製造方法 | |
| JPS61226272A (ja) | ウエ−ハ研削用砥石 | |
| CN109285565B (zh) | 磁盘用玻璃基板的制造方法和磁盘的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |