JPH1011732A - 記録媒体用基板及びその製造方法 - Google Patents
記録媒体用基板及びその製造方法Info
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- JPH1011732A JPH1011732A JP8179831A JP17983196A JPH1011732A JP H1011732 A JPH1011732 A JP H1011732A JP 8179831 A JP8179831 A JP 8179831A JP 17983196 A JP17983196 A JP 17983196A JP H1011732 A JPH1011732 A JP H1011732A
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- firing
- polishing
- lapping
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カーボン基板において、基板本体の加工の生
産性を向上すること。 【解決手段】 カーボン基板本体1Aを焼成した後、表
面加工して製造されるGC基板1において、焼成工程
後、表面研磨工程前の基板本体1Aにおける300 〜800n
mの可視・紫外光の表面反射率が 5%以上、かつ表面粗
さRa=10μm 以下であるもの。
産性を向上すること。 【解決手段】 カーボン基板本体1Aを焼成した後、表
面加工して製造されるGC基板1において、焼成工程
後、表面研磨工程前の基板本体1Aにおける300 〜800n
mの可視・紫外光の表面反射率が 5%以上、かつ表面粗
さRa=10μm 以下であるもの。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種記録方式(磁
気、光磁気、光)による記録媒体用基板及びその製造方
法に関する。
気、光磁気、光)による記録媒体用基板及びその製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスク装置に搭載されるハードデ
ィスク(HD)用基板に代表される記録媒体用基板は、
基板本体の表面を粗研磨するラッピング工程、内外周端
面を研削して面取りするチャンファ加工工程、表面を鏡
面研磨するポリッシング工程を経て製造されている。そ
して、この基板は、更に、基板本体の表面にテクスチャ
ー層を形成してその表面を適度に粗面化するテクスチャ
ー工程、表面に下地層を形成する下地層形成工程、表面
に磁性層を成膜する磁性層形成工程、磁性層上に保護層
を形成する保護層形成工程、保護層の上に潤滑層を形成
する潤滑層形成工程等にて基板本体の表面に成膜し、更
にその膜表面の異常突起を除去するバーニッシュ工程を
施されて製品となる。
ィスク(HD)用基板に代表される記録媒体用基板は、
基板本体の表面を粗研磨するラッピング工程、内外周端
面を研削して面取りするチャンファ加工工程、表面を鏡
面研磨するポリッシング工程を経て製造されている。そ
して、この基板は、更に、基板本体の表面にテクスチャ
ー層を形成してその表面を適度に粗面化するテクスチャ
ー工程、表面に下地層を形成する下地層形成工程、表面
に磁性層を成膜する磁性層形成工程、磁性層上に保護層
を形成する保護層形成工程、保護層の上に潤滑層を形成
する潤滑層形成工程等にて基板本体の表面に成膜し、更
にその膜表面の異常突起を除去するバーニッシュ工程を
施されて製品となる。
【0003】他方、近年、ハードディスク用基板として
カーボン基板が注目されている。カーボン基板は樹脂基
板を焼成した後、前述の表面研磨、チャンファ加工を施
されて製造されるが、従来使用されてきたアルミニウム
等に比べて高硬度であることから薄板化が可能であり、
ノートブック型コンピュータ等可搬性コンピュータに要
求される小型化に対応できる有望なものである。また、
カーボン基板は耐熱性にも優れることから記録層等を形
成する際高温加工しても基板がたわむことなく、生産性
も良い。
カーボン基板が注目されている。カーボン基板は樹脂基
板を焼成した後、前述の表面研磨、チャンファ加工を施
されて製造されるが、従来使用されてきたアルミニウム
等に比べて高硬度であることから薄板化が可能であり、
ノートブック型コンピュータ等可搬性コンピュータに要
求される小型化に対応できる有望なものである。また、
カーボン基板は耐熱性にも優れることから記録層等を形
成する際高温加工しても基板がたわむことなく、生産性
も良い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、本発明者
の研究結果によれば、焼成後のカーボン基板の表面反射
率、表面粗さ、平坦度、もしくは1枚の基板本体内での
板厚むらの寸法不良は、その後の表面加工工程での生産
性を大きく損なう。即ち、表面反射率、表面粗さの不良
は、表面でのピットの数や大きさが大きい、うねりが大
きいことを意味し、表面加工工程でそれらのピットやう
ねりを除去するために余分な研磨代を付加するする必要
を生じ、加工時間が長くなり、生産性を阻害する。ま
た、平坦度や板厚むらの不良は、表面加工工程で平坦度
を良くするために研磨圧力を小として研磨する必要を生
じたり、余分な研磨代を付加する必要を生じ、加工時間
が長くなり、生産性を阻害する。
の研究結果によれば、焼成後のカーボン基板の表面反射
率、表面粗さ、平坦度、もしくは1枚の基板本体内での
板厚むらの寸法不良は、その後の表面加工工程での生産
性を大きく損なう。即ち、表面反射率、表面粗さの不良
は、表面でのピットの数や大きさが大きい、うねりが大
きいことを意味し、表面加工工程でそれらのピットやう
ねりを除去するために余分な研磨代を付加するする必要
を生じ、加工時間が長くなり、生産性を阻害する。ま
た、平坦度や板厚むらの不良は、表面加工工程で平坦度
を良くするために研磨圧力を小として研磨する必要を生
じたり、余分な研磨代を付加する必要を生じ、加工時間
が長くなり、生産性を阻害する。
【0005】本発明の課題は、カーボン基板において、
基板本体の加工の生産性を向上することにある。
基板本体の加工の生産性を向上することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の本発明
は、樹脂基板を焼成した後、表面加工して製造されるカ
ーボン製記録媒体用基板において、前記焼成工程後、表
面研磨工程前の基板本体における300 〜 800nmの可視・
紫外光の表面反射率が 5%以上であり、かつ表面粗さR
a=10μm 以下であるものである。
は、樹脂基板を焼成した後、表面加工して製造されるカ
ーボン製記録媒体用基板において、前記焼成工程後、表
面研磨工程前の基板本体における300 〜 800nmの可視・
紫外光の表面反射率が 5%以上であり、かつ表面粗さR
a=10μm 以下であるものである。
【0007】ここで表面加工とは、遊離砥粒を用いる研
磨、固定砥粒を用いる研削、単石砥石/バイトを用いる
切削等を含むものとする。遊離砥粒としては、例えば、
Al2 O3 、SiC、ZrO2 、ダイヤモンド等が挙げ
られる。固定砥粒としては、例えば砥粒としてAl2 O
3 、ダイヤモンド、CBN等、それら砥粒のバインダー
としてレジン系、ガラス系、金属系等が挙げられる。切
削工具としては、ダイヤモンド、CBN、超硬金属等が
挙げられる。
磨、固定砥粒を用いる研削、単石砥石/バイトを用いる
切削等を含むものとする。遊離砥粒としては、例えば、
Al2 O3 、SiC、ZrO2 、ダイヤモンド等が挙げ
られる。固定砥粒としては、例えば砥粒としてAl2 O
3 、ダイヤモンド、CBN等、それら砥粒のバインダー
としてレジン系、ガラス系、金属系等が挙げられる。切
削工具としては、ダイヤモンド、CBN、超硬金属等が
挙げられる。
【0008】請求項2に記載の本発明は、請求項1に記
載の本発明において更に、前記焼成工程後、表面加工工
程前の基板本体の平坦度が50μm 以下、1枚の基板本体
内での板厚むらが50μm 以下であるものである。
載の本発明において更に、前記焼成工程後、表面加工工
程前の基板本体の平坦度が50μm 以下、1枚の基板本体
内での板厚むらが50μm 以下であるものである。
【0009】請求項3に記載の本発明は、請求項1又は
2記載の記録媒体用基板の製造方法において、前記焼成
工程が樹脂基板とスペーサとを交互に積層したものを焼
成炉に入れ、該樹脂基板を焼成するに際し、板厚むらが
10μm 以下で且つ平坦度が10μm 以下のスペーサを用い
るものである。
2記載の記録媒体用基板の製造方法において、前記焼成
工程が樹脂基板とスペーサとを交互に積層したものを焼
成炉に入れ、該樹脂基板を焼成するに際し、板厚むらが
10μm 以下で且つ平坦度が10μm 以下のスペーサを用い
るものである。
【0010】請求項1に記載の本発明によれば下記の
作用がある。 焼成工程後、表面加工工程前の基板本体の表面反射率
が 5%以上であり、かつ表面粗さRa=10μm 以下とす
ることにより、表面加工工程で表面のピットやうねりを
除去したり、表面粗さを向上させるための余分な研磨代
を付加する必要がなくなり、加工時間を短くし、生産性
を向上できる。
作用がある。 焼成工程後、表面加工工程前の基板本体の表面反射率
が 5%以上であり、かつ表面粗さRa=10μm 以下とす
ることにより、表面加工工程で表面のピットやうねりを
除去したり、表面粗さを向上させるための余分な研磨代
を付加する必要がなくなり、加工時間を短くし、生産性
を向上できる。
【0011】請求項2に記載の本発明によれば下記の
作用がある。 焼成工程後、表面研磨工程前の基板本体の平坦度が50
μm 以下、1枚の基板本体内での板厚むらが50μm 以下
であるものとすることにより、表面加工工程で平坦度を
良くするための余分な研磨代を付加したり、加工圧力を
小として加工する必要がなくなり、加工時間を短くし、
生産性を向上できる。
作用がある。 焼成工程後、表面研磨工程前の基板本体の平坦度が50
μm 以下、1枚の基板本体内での板厚むらが50μm 以下
であるものとすることにより、表面加工工程で平坦度を
良くするための余分な研磨代を付加したり、加工圧力を
小として加工する必要がなくなり、加工時間を短くし、
生産性を向上できる。
【0012】請求項3に記載の本発明によれば下記の
作用がある。 焼成工程で用いるスペーサの10μm を超える板厚む
ら、及び10μm を超える平坦度が基板本体に転写される
と、表面加工工程で、基板本体に転写した板厚むらおよ
び反りをなくして平坦度を良くするため、研磨圧力を小
として研磨する必要や、余分な取り代を付加する必要を
生じ、加工時間が長くなる。これに対しスペーサの板厚
むらを10μm 以下、平坦度を10μm 以下にすれば、加工
時間を短く、生産性を向上できる。
作用がある。 焼成工程で用いるスペーサの10μm を超える板厚む
ら、及び10μm を超える平坦度が基板本体に転写される
と、表面加工工程で、基板本体に転写した板厚むらおよ
び反りをなくして平坦度を良くするため、研磨圧力を小
として研磨する必要や、余分な取り代を付加する必要を
生じ、加工時間が長くなる。これに対しスペーサの板厚
むらを10μm 以下、平坦度を10μm 以下にすれば、加工
時間を短く、生産性を向上できる。
【0013】
【発明の実施の形態】図1は基板を示す模式図、図2は
樹脂合成工程からコア抜き工程までのGC基板製造プロ
セスを示す模式図、図3は焼成前ラッピング工程から焼
成炭素化工程までのGC基板製造プロセスを示す模式
図、図4は焼成後ラッピング工程から基板本体完成まで
のGC基板製造プロセスを示す模式図、図5は焼成用支
持装置を示す模式図、図6は焼成用スペーサを示す模式
図、図7は焼成工程における樹脂基板積層状態を示す模
式図、図8は研磨装置を示す模式図、図9はチャンファ
加工装置を示す模式図、図10は基板本体の加工手順を
示す模式図である。
樹脂合成工程からコア抜き工程までのGC基板製造プロ
セスを示す模式図、図3は焼成前ラッピング工程から焼
成炭素化工程までのGC基板製造プロセスを示す模式
図、図4は焼成後ラッピング工程から基板本体完成まで
のGC基板製造プロセスを示す模式図、図5は焼成用支
持装置を示す模式図、図6は焼成用スペーサを示す模式
図、図7は焼成工程における樹脂基板積層状態を示す模
式図、図8は研磨装置を示す模式図、図9はチャンファ
加工装置を示す模式図、図10は基板本体の加工手順を
示す模式図である。
【0014】磁気ディスク用ガラス状カーボン基板(G
C基板)(外径1.89インチ)1は、下記工程により基板
本体1Aを製造され、その後、基板本体1Aへの成膜1
0を施されて製品となる。
C基板)(外径1.89インチ)1は、下記工程により基板
本体1Aを製造され、その後、基板本体1Aへの成膜1
0を施されて製品となる。
【0015】基板本体1Aの製造工程 図2〜図4はGC基板製造プロセスを示し、(1) 樹脂合
成工程、(2) 樹脂硬化工程、(3) コア抜き工程、(4) 焼
成前ラッピング工程、(5) 焼成炭素化工程、(6) 焼成後
ラッピング工程、(7) チャンファ加工工程、(8) ポリッ
シング工程の順で行なわれる。但し、(4) の焼成前ラッ
ピング工程でのラッピングの程度により、(6) の焼成後
ラッピング工程は省略可能である。或いは、(4) の焼成
前ラッピング工程を省略し、(6) の焼成後ラッピング工
程を必須としてもよい。また、(6) の焼成後ラッピング
工程と(7) のチャンファ加工工程の順序は入れ替わって
も特に問題はない。
成工程、(2) 樹脂硬化工程、(3) コア抜き工程、(4) 焼
成前ラッピング工程、(5) 焼成炭素化工程、(6) 焼成後
ラッピング工程、(7) チャンファ加工工程、(8) ポリッ
シング工程の順で行なわれる。但し、(4) の焼成前ラッ
ピング工程でのラッピングの程度により、(6) の焼成後
ラッピング工程は省略可能である。或いは、(4) の焼成
前ラッピング工程を省略し、(6) の焼成後ラッピング工
程を必須としてもよい。また、(6) の焼成後ラッピング
工程と(7) のチャンファ加工工程の順序は入れ替わって
も特に問題はない。
【0016】(1) 樹脂合成工程 樹脂合成工程では、反応槽11にて、フェノール変性フ
ラン樹脂を合成する。樹脂合成後の液状の樹脂は濾過器
12により濾過する。
ラン樹脂を合成する。樹脂合成後の液状の樹脂は濾過器
12により濾過する。
【0017】(2) 樹脂硬化工程 樹脂硬化工程では、一対の板13、13間に、硬化剤を
添加・混合した液状の樹脂を注入し、高温状態で放置し
て反応させることにより、硬化させ、この後、板13、
13から取出して、板状の硬化樹脂を得る。
添加・混合した液状の樹脂を注入し、高温状態で放置し
て反応させることにより、硬化させ、この後、板13、
13から取出して、板状の硬化樹脂を得る。
【0018】(3) コア抜き工程 コア抜き工程では、例えばレーザーカッター(或いはル
ーター、旋盤、プレス等)を用いて、板状の硬化樹脂1
4から、外径約70mm、内径約15mmのディスク状の硬化樹
脂(硬化樹脂基板)15を多数切り抜く。
ーター、旋盤、プレス等)を用いて、板状の硬化樹脂1
4から、外径約70mm、内径約15mmのディスク状の硬化樹
脂(硬化樹脂基板)15を多数切り抜く。
【0019】(4) 焼成前ラッピング工程 焼成前ラッピング工程では、両面研磨機16を用いて、
コア抜きされた硬化樹脂基板15の表面を遊離砥粒によ
り研磨する。
コア抜きされた硬化樹脂基板15の表面を遊離砥粒によ
り研磨する。
【0020】ここで使用する砥粒は、焼成後ラッピング
工程を省略することを前提とすれば、平均粒径 1.0〜
6.0μm の範囲の砥粒とする。そして、ラッピング後の
表面粗さをRa= 0.4μm 以下にする。尚、ラッピング
後の厚さは、この後の焼成時の収縮率が70%程度で、焼
成後に得る厚さを0.65mm〜 0.7mm程度とすると、0.9mm
〜0.95mm程度にする。
工程を省略することを前提とすれば、平均粒径 1.0〜
6.0μm の範囲の砥粒とする。そして、ラッピング後の
表面粗さをRa= 0.4μm 以下にする。尚、ラッピング
後の厚さは、この後の焼成時の収縮率が70%程度で、焼
成後に得る厚さを0.65mm〜 0.7mm程度とすると、0.9mm
〜0.95mm程度にする。
【0021】また、焼成後ラッピング工程を実施するこ
とを前提として、焼成前ラッピング工程にて厚みを揃え
ることのみを目的とすれば、平均砥粒 1.0〜30.0μm の
範囲の砥粒を使用する。そして、ラッピング後の表面粗
さをRa= 2.0μm 以下(0.02〜 2.0μm の範囲)にす
る。
とを前提として、焼成前ラッピング工程にて厚みを揃え
ることのみを目的とすれば、平均砥粒 1.0〜30.0μm の
範囲の砥粒を使用する。そして、ラッピング後の表面粗
さをRa= 2.0μm 以下(0.02〜 2.0μm の範囲)にす
る。
【0022】両面研磨機16は、図8に示す如く、上研
磨盤16A、下研磨盤16B、キャリア16Cを有して
構成される。
磨盤16A、下研磨盤16B、キャリア16Cを有して
構成される。
【0023】両面研磨機16において、下研磨盤16B
は矢印A方向に回転する。また、下研磨盤16Bの上方
には、矢印B方向に回転する太陽歯車16Dと矢印C方
向に回転する内歯歯車16Eとに噛み合って、公転しつ
つ自転する遊星歯車状のキャリア16Cが設けられてい
て、各キャリア16Cの複数のワーク保持孔16Fに基
板本体1Aがセットされる。また、下研磨盤16B及び
キャリア16Cの上方には上研磨盤16Aが設けられ、
この上研磨盤16Aは不図示のエアシリンダにより昇降
されるとともに、下降時には矢印D方向に回転するロー
タ16Gに係合して同方向に回転する。そして、上研磨
盤16Aと下研磨盤16Bの間には、不図示のスラリー
供給パイプにより、砥粒を含んだスラリーが供給され
る。
は矢印A方向に回転する。また、下研磨盤16Bの上方
には、矢印B方向に回転する太陽歯車16Dと矢印C方
向に回転する内歯歯車16Eとに噛み合って、公転しつ
つ自転する遊星歯車状のキャリア16Cが設けられてい
て、各キャリア16Cの複数のワーク保持孔16Fに基
板本体1Aがセットされる。また、下研磨盤16B及び
キャリア16Cの上方には上研磨盤16Aが設けられ、
この上研磨盤16Aは不図示のエアシリンダにより昇降
されるとともに、下降時には矢印D方向に回転するロー
タ16Gに係合して同方向に回転する。そして、上研磨
盤16Aと下研磨盤16Bの間には、不図示のスラリー
供給パイプにより、砥粒を含んだスラリーが供給され
る。
【0024】これにより、両面研磨機16では、上研磨
盤16Aを下降させることにより、キャリア16Cに保
持された基板本体1Aが上研磨盤16Aと下研磨盤16
Bとに挟まれて、砥粒の介在下で上下両面を研磨され
る。
盤16Aを下降させることにより、キャリア16Cに保
持された基板本体1Aが上研磨盤16Aと下研磨盤16
Bとに挟まれて、砥粒の介在下で上下両面を研磨され
る。
【0025】(5) 焼成炭素化工程 焼成炭素化工程では、焼成用支持装置として、図5に示
すように焼成前の硬化樹脂基板15の中央孔に挿入可能
で一端部に鍔状にディスク状の底板17を固着した例え
ばカーボン(黒鉛)製の支持シャフト18と、図6に示
すように支持シャフト18に挿入可能な中央孔19Aを
有するディスク状の例えばカーボン(黒鉛)製のスペー
サ19とを用いる。ここで、スペーサ19は、1本の支
持シャフト18につき、多数用意しておく。
すように焼成前の硬化樹脂基板15の中央孔に挿入可能
で一端部に鍔状にディスク状の底板17を固着した例え
ばカーボン(黒鉛)製の支持シャフト18と、図6に示
すように支持シャフト18に挿入可能な中央孔19Aを
有するディスク状の例えばカーボン(黒鉛)製のスペー
サ19とを用いる。ここで、スペーサ19は、1本の支
持シャフト18につき、多数用意しておく。
【0026】そして、図7に示すように、底板17を下
にして起立させた支持シャフト18に、硬化樹脂基板1
5とスペーサ19とを交互に挿入して積層し、最上部に
荷重(重り)を載せる。このようにして積層したものを
多数、図3に示すように、1枚のカーボン(黒鉛)製の
平板20上に置いて、焼成炉内に入れ、不活性ガス(例
えば窒素、アルゴン等)雰囲気下、例えばカーボン(黒
鉛)製のヒータにより、1000〜1500℃で焼成することに
より、硬化樹脂基板15を炭素化して、GC基板を得
る。このときの収縮率は70〜80%程度である。
にして起立させた支持シャフト18に、硬化樹脂基板1
5とスペーサ19とを交互に挿入して積層し、最上部に
荷重(重り)を載せる。このようにして積層したものを
多数、図3に示すように、1枚のカーボン(黒鉛)製の
平板20上に置いて、焼成炉内に入れ、不活性ガス(例
えば窒素、アルゴン等)雰囲気下、例えばカーボン(黒
鉛)製のヒータにより、1000〜1500℃で焼成することに
より、硬化樹脂基板15を炭素化して、GC基板を得
る。このときの収縮率は70〜80%程度である。
【0027】(6) 焼成後ラッピング工程 焼成後ラッピング工程では、両面研磨機21を用いて、
焼成されたGC基板本体1Aの表面を遊離砥粒により研
磨する。
焼成されたGC基板本体1Aの表面を遊離砥粒により研
磨する。
【0028】ここで使用する両面研磨機21は焼成前ラ
ッピング工程で用いたものと同じものでよい。
ッピング工程で用いたものと同じものでよい。
【0029】また、使用する砥粒は、平均粒径 1.0〜
6.0μm の範囲の砥粒とする。但し、焼成前ラッピング
工程において平均粒径 1.0〜 6.0μm の範囲の砥粒を用
いて、焼成後に所望の厚さと平坦度/面粗さとを得てい
る場合は、焼成後ラッピング工程を省略可能である。
6.0μm の範囲の砥粒とする。但し、焼成前ラッピング
工程において平均粒径 1.0〜 6.0μm の範囲の砥粒を用
いて、焼成後に所望の厚さと平坦度/面粗さとを得てい
る場合は、焼成後ラッピング工程を省略可能である。
【0030】(7) チャンファ加工工程 チャンファ加工工程では、チャンファ加工装置30を用
いて、基板本体1Aの内外周端面を研削して面取りす
る。図1の2は外周面取り部分、3は内周面取り部分で
ある。
いて、基板本体1Aの内外周端面を研削して面取りす
る。図1の2は外周面取り部分、3は内周面取り部分で
ある。
【0031】チャンファ加工装置30は、図9に示す如
く、チャックステージ31、クランプ32、ダイヤモン
ド砥石33、34を有して構成される。
く、チャックステージ31、クランプ32、ダイヤモン
ド砥石33、34を有して構成される。
【0032】チャックステージ31は、基板本体1Aを
支持する同心状の凸部31Aと、凸部31Aまわりで基
板本体1Aを真空吸引する真空吸引溝31Bと、真空吸
引溝31Bに真空圧を付与する真空供給路31Cとを備
える。これにより、チャックステージ31は基板本体1
Aを真空吸着可能とする。
支持する同心状の凸部31Aと、凸部31Aまわりで基
板本体1Aを真空吸引する真空吸引溝31Bと、真空吸
引溝31Bに真空圧を付与する真空供給路31Cとを備
える。これにより、チャックステージ31は基板本体1
Aを真空吸着可能とする。
【0033】クランプ32は、チャックステージ31上
の基板本体1Aに高圧水を印加する高圧水噴射口32A
を備え、基板本体1Aをチャックステージ31に押圧保
持可能とする。
の基板本体1Aに高圧水を印加する高圧水噴射口32A
を備え、基板本体1Aをチャックステージ31に押圧保
持可能とする。
【0034】ダイヤモンド砥石33は基板本体1Aの外
周端面を面取り研削可能とし、ダイヤモンド砥石34は
基板本体1Aの内周端面を面取り研削可能とする。
周端面を面取り研削可能とし、ダイヤモンド砥石34は
基板本体1Aの内周端面を面取り研削可能とする。
【0035】(8) ポリッシング工程 最後のポリッシング工程では、最終研磨のため、両面研
磨機41を用いて、研磨する。両面研磨機41は、図8
に示す上研磨盤16A、下研磨盤16B、キャリア16
Cを有して構成される研磨機において、上研磨盤16
A、下研磨盤16Bの表面(基板本体と接する面)にパ
ッドを貼り付けたものを使用する。以上の工程を経て、
GC基板本体1Aが得られる。
磨機41を用いて、研磨する。両面研磨機41は、図8
に示す上研磨盤16A、下研磨盤16B、キャリア16
Cを有して構成される研磨機において、上研磨盤16
A、下研磨盤16Bの表面(基板本体と接する面)にパ
ッドを貼り付けたものを使用する。以上の工程を経て、
GC基板本体1Aが得られる。
【0036】然るに、本発明者は、GC基板1におい
て、基板本体1Aの加工の生産性を向上するため、下記
(a) 〜(c) の知見を得た。 (a) 焼成炭素化工程、表面加工工程の前に基板本体にお
ける300 〜 800nmの可視・紫外光の表面反射率が 5%以
上であり、かつ表面粗さRa=10μm 以下であることが
必要である。
て、基板本体1Aの加工の生産性を向上するため、下記
(a) 〜(c) の知見を得た。 (a) 焼成炭素化工程、表面加工工程の前に基板本体にお
ける300 〜 800nmの可視・紫外光の表面反射率が 5%以
上であり、かつ表面粗さRa=10μm 以下であることが
必要である。
【0037】表面反射率を測定する装置としては、日立
分光光度計U−3200が挙げられる。また、表面反射率と
は、反射光量/入射光量のことであり、反射光は積分可
能な積分球向可視・紫外分光光度計によって測定され
る。表面反射率は 5%以上であれば研磨工程(ラッピン
グ工程)の時間が格段に速くなる。その要因、機構は明
らかでないが、次のことが考えられる。
分光光度計U−3200が挙げられる。また、表面反射率と
は、反射光量/入射光量のことであり、反射光は積分可
能な積分球向可視・紫外分光光度計によって測定され
る。表面反射率は 5%以上であれば研磨工程(ラッピン
グ工程)の時間が格段に速くなる。その要因、機構は明
らかでないが、次のことが考えられる。
【0038】表面に特異的に大きい突起やくぼみが殆
ど存在しないため。 反射率の低い不純物(焼成中生成される副生成物)が
少ないため、均質な表面が得られ、反射率が大きい。 表面の穿孔が少ないため、鏡面が得られている。
ど存在しないため。 反射率の低い不純物(焼成中生成される副生成物)が
少ないため、均質な表面が得られ、反射率が大きい。 表面の穿孔が少ないため、鏡面が得られている。
【0039】また、〜の要因が相まっているとも考
えられる。反射率は高い程よく、上限は特段定めない
が、実生産上実施可能な上限としては50%である。
えられる。反射率は高い程よく、上限は特段定めない
が、実生産上実施可能な上限としては50%である。
【0040】また、表面粗さとしてはRa=500 オング
ストローム以下であることが好ましい。
ストローム以下であることが好ましい。
【0041】(b) 焼成炭素化工程後、表面加工工程前の
基板本体1Aの平坦度が50μm 以下、1枚の基板本体1
A内での板厚むらが50μm 以下であること。
基板本体1Aの平坦度が50μm 以下、1枚の基板本体1
A内での板厚むらが50μm 以下であること。
【0042】ここで、平坦度は、ニデック社製FT−1
1によって評価を行なった。勿論、上記定義範囲内にお
いて測定されるものであれば良い。
1によって評価を行なった。勿論、上記定義範囲内にお
いて測定されるものであれば良い。
【0043】また、板厚むらとは、1枚の基板本体内の
各点の板厚みの最大値−最小値のことで、本発明におい
ては、マイクロメータで基板本体上で十文字をなす4本
の各半径上のそれぞれにおける最外周点、中間点、最内
周点での板厚を測定し、各点の板厚の(最大値−最小
値)を表わすものである。
各点の板厚みの最大値−最小値のことで、本発明におい
ては、マイクロメータで基板本体上で十文字をなす4本
の各半径上のそれぞれにおける最外周点、中間点、最内
周点での板厚を測定し、各点の板厚の(最大値−最小
値)を表わすものである。
【0044】本発明の効果は、平坦度50μm 以下、板厚
むら50μm 以下であると十分に発現するが、平坦度は30
μm 以下、板厚むらは30μm 以下であると特に効果が高
く、然もポリッシュ後の良品収率も高くなるので好まし
い。
むら50μm 以下であると十分に発現するが、平坦度は30
μm 以下、板厚むらは30μm 以下であると特に効果が高
く、然もポリッシュ後の良品収率も高くなるので好まし
い。
【0045】(c) 焼成炭素化工程で用いる前述のスペー
サ19として、板厚むらが10μm 以下で、平坦度が10μ
m 以下のものが良い。ここで、板厚むら及び平坦度と
は、基板のものと同定義である。
サ19として、板厚むらが10μm 以下で、平坦度が10μ
m 以下のものが良い。ここで、板厚むら及び平坦度と
は、基板のものと同定義である。
【0046】尚、スペーサの表面粗さをRa<0.3 μm
とすると焼成基板の表面粗さを小さく抑えることが可能
となるのでラッピング及びポリッシング時間及び取り代
が少なくてすむので、好ましい。
とすると焼成基板の表面粗さを小さく抑えることが可能
となるのでラッピング及びポリッシング時間及び取り代
が少なくてすむので、好ましい。
【0047】ところで、上記スペーサの板厚むらと平坦
度は各々10μm 以下であれば本発明の効果を発現し、下
限は小さい程好ましく、特段定める必要はないが、現実
的達成可能な値として5 μm である。
度は各々10μm 以下であれば本発明の効果を発現し、下
限は小さい程好ましく、特段定める必要はないが、現実
的達成可能な値として5 μm である。
【0048】上記(a)〜(c) によれば、下記〜の作
用がある。 焼成工程後、表面加工工程前の基板本体1Aの表面反
射率が 5%以上であり、かつ表面粗さRa=10μm 以下
であることにより、表面加工工程で表面のピットやうね
りを除去したり、表面粗さを向上させるための余分な研
磨代を付加する必要がなくなり、加工時間を短くし、生
産性を向上できる。
用がある。 焼成工程後、表面加工工程前の基板本体1Aの表面反
射率が 5%以上であり、かつ表面粗さRa=10μm 以下
であることにより、表面加工工程で表面のピットやうね
りを除去したり、表面粗さを向上させるための余分な研
磨代を付加する必要がなくなり、加工時間を短くし、生
産性を向上できる。
【0049】焼成炭素化工程後、表面加工工程前の基
板本体1Aの平坦度が50μm 以下、1枚の基板本体1A
内での板厚むらが50μm 以下であるものとすることによ
り、表面加工工程で平坦度を良くするための余分な研磨
代を付加したり、加工圧力を小で研磨する必要がなくな
り、加工時間を短くし、生産性を向上できる。
板本体1Aの平坦度が50μm 以下、1枚の基板本体1A
内での板厚むらが50μm 以下であるものとすることによ
り、表面加工工程で平坦度を良くするための余分な研磨
代を付加したり、加工圧力を小で研磨する必要がなくな
り、加工時間を短くし、生産性を向上できる。
【0050】焼成炭素化工程で用いるスペーサ19の
10μm を超える板厚むら、及び10μm を超える平坦度が
基板本体1Aに転写されると、表面加工工程で、基板本
体1Aに転写した板厚むらおよび反りをなくして平坦度
を良くするため、研磨圧力を小として研磨する必要や余
分な取り代を付加する必要を生じ、加工時間が長くな
る。これに対しスペーサ19の板厚むらを10μm 以下、
平坦度を10μm 以下にすれば、加工時間を短く、生産性
を向上できる。
10μm を超える板厚むら、及び10μm を超える平坦度が
基板本体1Aに転写されると、表面加工工程で、基板本
体1Aに転写した板厚むらおよび反りをなくして平坦度
を良くするため、研磨圧力を小として研磨する必要や余
分な取り代を付加する必要を生じ、加工時間が長くな
る。これに対しスペーサ19の板厚むらを10μm 以下、
平坦度を10μm 以下にすれば、加工時間を短く、生産性
を向上できる。
【0051】
(実施例1〜3)25mil(635 μm 厚)(1.89インチ外
径)のGC基板を作成するため、図10に示す如く、
(A) 焼成前コア抜き基板、(B) 焼成基板、(C) ラッピン
グ基板(加工条件は表1)、(D) チャンファ加工基板
(加工条件は表2)、(E) ポリッシング基板(加工条件
は表3)の順に硬化樹脂基板を加工し、基板本体1Aを
得た。
径)のGC基板を作成するため、図10に示す如く、
(A) 焼成前コア抜き基板、(B) 焼成基板、(C) ラッピン
グ基板(加工条件は表1)、(D) チャンファ加工基板
(加工条件は表2)、(E) ポリッシング基板(加工条件
は表3)の順に硬化樹脂基板を加工し、基板本体1Aを
得た。
【0052】焼成炭素化工程で用いたスペーサの板厚む
ら及び平坦度、並びに焼成炭素化工程後、ラッピング工
程前の基板本体1Aの300 〜800nm の可視・紫外光の表
面反射率、平坦度、板厚むらを測定した。測定結果を表
4に示す。
ら及び平坦度、並びに焼成炭素化工程後、ラッピング工
程前の基板本体1Aの300 〜800nm の可視・紫外光の表
面反射率、平坦度、板厚むらを測定した。測定結果を表
4に示す。
【0053】
【表1】
【0054】
【表2】
【0055】
【表3】
【0056】
【表4】
【0057】尚、上述のスペーサの板厚むら、平坦度は
下記(a) 、(b) により測定した。 (a) 板厚むら 測定器:ミツトヨ マイクロメータ 1枚のスペーサ19につき全12点(スペーサ19上で
十文字をなす4本の各半径上のそれぞれにおける最外周
点、中間点、最内周点の全12点)の板厚を測定し、そ
れら各点の板厚の(最大値−最小値)をそのスペーサ1
9の板厚むらとした。
下記(a) 、(b) により測定した。 (a) 板厚むら 測定器:ミツトヨ マイクロメータ 1枚のスペーサ19につき全12点(スペーサ19上で
十文字をなす4本の各半径上のそれぞれにおける最外周
点、中間点、最内周点の全12点)の板厚を測定し、そ
れら各点の板厚の(最大値−最小値)をそのスペーサ1
9の板厚むらとした。
【0058】(b) 平坦度 測定器:ニデック社 FT−11
【0059】また、上述の基板本体1Aの表面反射率、
平坦度、板厚むらは下記〜により測定した。 表面反射率 測定器:日立分光光度計(可視紫外分光光度計)U−3200 :150 φ積分球付属装置(型式150-0901) 測定条件: スリット: 5nm レスポンス:Medium スキャンスピード:120 nm/分 積分球の球内面:硫酸バリウム処理 積分球の副白枝:酸化アルミニウム(型式210-0740) 上記可視紫外分光光度計に上記積分球を付け、300 〜80
0nm の範囲の反射光量を測定した。
平坦度、板厚むらは下記〜により測定した。 表面反射率 測定器:日立分光光度計(可視紫外分光光度計)U−3200 :150 φ積分球付属装置(型式150-0901) 測定条件: スリット: 5nm レスポンス:Medium スキャンスピード:120 nm/分 積分球の球内面:硫酸バリウム処理 積分球の副白枝:酸化アルミニウム(型式210-0740) 上記可視紫外分光光度計に上記積分球を付け、300 〜80
0nm の範囲の反射光量を測定した。
【0060】平坦度 測定器:ニデック社 FT−11 測定条件:FRINGE SPACING 2 μm
【0061】板厚むら 測定器:ミツトヨ マイクロメータ 1枚の基板本体1Aにつき全12点(基板本体1A上で
十文字をなす4本の各半径上のそれぞれにおける最外周
点、中間点、最内周点の全12点)の板厚を測定し、そ
れら各点の板厚の(最大値−最小値)をその基板本体1
Aの板厚むらとした。
十文字をなす4本の各半径上のそれぞれにおける最外周
点、中間点、最内周点の全12点)の板厚を測定し、そ
れら各点の板厚の(最大値−最小値)をその基板本体1
Aの板厚むらとした。
【0062】(実施例4、5)図10に示した(A) 焼成
前コア抜き基板に(B-1) 焼成前ラッピング(加工条件は
表1と同じ)を施した後、(B-2) 焼成炭素化したもの
を、 (C)のラッピングに供する以外は、実施例1と同
じ。
前コア抜き基板に(B-1) 焼成前ラッピング(加工条件は
表1と同じ)を施した後、(B-2) 焼成炭素化したもの
を、 (C)のラッピングに供する以外は、実施例1と同
じ。
【0063】焼成炭素化工程で用いたスペーサの板厚む
ら及び平坦度、並びに焼成炭素化工程後、ラッピング工
程前の基板本体1Aの表面反射率、平坦度、板厚むらを
測定した。測定結果を表4に示す。
ら及び平坦度、並びに焼成炭素化工程後、ラッピング工
程前の基板本体1Aの表面反射率、平坦度、板厚むらを
測定した。測定結果を表4に示す。
【0064】(比較例)実施例1と同じ。焼成炭素化工
程で用いたスペーサの板厚むら及び平坦度、並びに焼成
炭素化工程後、ラッピング工程前の基板本体1Aの表面
反射率、平坦度、板厚むらを測定した。測定結果を表4
に示す。
程で用いたスペーサの板厚むら及び平坦度、並びに焼成
炭素化工程後、ラッピング工程前の基板本体1Aの表面
反射率、平坦度、板厚むらを測定した。測定結果を表4
に示す。
【0065】(生産性の評価)実施例1〜7、比較例の
基板について、ラッピング加工に要する加工時間を測定
し表4を得た。
基板について、ラッピング加工に要する加工時間を測定
し表4を得た。
【0066】表4によれば、焼成炭素化工程で用いたス
ペーサの寸法、焼成炭素化工程後、ラッピング工程前の
基板本体1Aの表面反射率、寸法を本発明範囲に制限す
ることにより、ラッピング加工時間を短くし、基板本体
1Aの加工の生産性を向上できることを認めた。
ペーサの寸法、焼成炭素化工程後、ラッピング工程前の
基板本体1Aの表面反射率、寸法を本発明範囲に制限す
ることにより、ラッピング加工時間を短くし、基板本体
1Aの加工の生産性を向上できることを認めた。
【0067】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述したが、本発明の具体的な構成はこの実施の形態に限
られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計の変更等があっても本発明に含まれる。
述したが、本発明の具体的な構成はこの実施の形態に限
られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計の変更等があっても本発明に含まれる。
【0068】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、カーボン
基板において、基板本体の加工の生産性を向上すること
ができる。
基板において、基板本体の加工の生産性を向上すること
ができる。
【図1】図1は基板を示す模式図である。
【図2】図2は樹脂合成工程からコア抜き工程までのG
C基板製造プロセスを示す模式図である。
C基板製造プロセスを示す模式図である。
【図3】図3は焼成前ラッピング工程から焼成炭素化工
程までのGC基板製造プロセスを示す模式図である。
程までのGC基板製造プロセスを示す模式図である。
【図4】図4は焼成後ラッピング工程から基板本体完成
までのGC基板製造プロセスを示す模式図である。
までのGC基板製造プロセスを示す模式図である。
【図5】図5は焼成用支持装置を示す模式図である。
【図6】図6は焼成用スペーサを示す模式図である。
【図7】図7は焼成工程における樹脂基板積層状態を示
す模式図である。
す模式図である。
【図8】図8は研磨装置を示す模式図である。
【図9】図9はチャンファ加工装置を示す模式図であ
る。
る。
【図10】図10は基板本体の加工手順を示す模式図で
ある。
ある。
1 GC基板 1A 基板本体 2、3 面取り部分 19 スペーサ 21 両面研磨機 30 チャンファ加工装置
Claims (3)
- 【請求項1】 樹脂基板を焼成した後、表面加工して製
造されるカーボン製記録媒体用基板において、 前記焼成工程後、表面加工工程前の基板本体における30
0 〜 800nmの可視・紫外光の表面反射率が 5%以上であ
り、かつ表面粗さRa=10μm 以下であることを特徴と
する記録媒体用基板。 - 【請求項2】 前記焼成工程後、表面加工工程前の基板
本体の平坦度が50μm 以下、1枚の基板本体内での板厚
むらが50μm 以下である請求項1記載の記録媒体用基
板。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の記録媒体用基板の
製造方法において、 前記焼成工程が樹脂基板とスペーサとを交互に積層した
ものを焼成炉に入れ、該樹脂基板を焼成するに際し、板
厚むらが10μm 以下で且つ平坦度が10μm 以下のスペー
サを用いることを特徴とする記録媒体用基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8179831A JPH1011732A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 記録媒体用基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8179831A JPH1011732A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 記録媒体用基板及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1011732A true JPH1011732A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=16072666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8179831A Withdrawn JPH1011732A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 記録媒体用基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1011732A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007087456A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Sunao Haga | 破壊機能付ハードディスクドライブ |
-
1996
- 1996-06-21 JP JP8179831A patent/JPH1011732A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007087456A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Sunao Haga | 破壊機能付ハードディスクドライブ |
JP4568910B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2010-10-27 | 直 芳賀 | 破壊機能付ハードディスクドライブ |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030902 |