JPH10107018A - 半導体ウェーハの熱処理装置 - Google Patents
半導体ウェーハの熱処理装置Info
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハの大口径化に応じて工程の均一性及
び品質を高めることが可能な半導体ウェーハの熱処理装
置を提供する。 【解決手段】 密閉された空間を形成する工程チャンバ
ー２１と、工程チャンバー内に設置されて、熱処理され
るウェーハ２３を載置するサセプタ２２と、サセプタに
設けられて、工程チャンパー内部を加熱する熱抵抗ヒー
ター２９と、ウェーハの上方に設けられて、工程チャン
バー内部を加熱するランプ２８と、工程チャンバーに設
けられて、ガスを工程チャンバー内に供給するガスイン
ジェクタ３３と、ガスインジェクタに設けられて、工程
チャンバー内に供給されるガスを予熱するガス用ヒータ
ー３４とを含む。 【効果】 工程チャンバー内の工程温度範囲を広く選択
できるとともに、高温による熱変形や温度の急変による
ストレスを減少させることができる。
び品質を高めることが可能な半導体ウェーハの熱処理装
置を提供する。 【解決手段】 密閉された空間を形成する工程チャンバ
ー２１と、工程チャンバー内に設置されて、熱処理され
るウェーハ２３を載置するサセプタ２２と、サセプタに
設けられて、工程チャンパー内部を加熱する熱抵抗ヒー
ター２９と、ウェーハの上方に設けられて、工程チャン
バー内部を加熱するランプ２８と、工程チャンバーに設
けられて、ガスを工程チャンバー内に供給するガスイン
ジェクタ３３と、ガスインジェクタに設けられて、工程
チャンバー内に供給されるガスを予熱するガス用ヒータ
ー３４とを含む。 【効果】 工程チャンバー内の工程温度範囲を広く選択
できるとともに、高温による熱変形や温度の急変による
ストレスを減少させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハの
熱処理装置に関し、特に、ウェーハの大口径化に伴う熱
処理工程の均一化及び品質の改善を実現できる半導体ウ
ェーハの熱処理装置に関する。
熱処理装置に関し、特に、ウェーハの大口径化に伴う熱
処理工程の均一化及び品質の改善を実現できる半導体ウ
ェーハの熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、シリコンを用いて集積回路を
製造する工程において多様な熱処理技術が用いられてい
る。例えば、シリコン基板をＳｉＯ2に酸化させること
によって絶縁層を形成する場合やエッチングマスク及び
トランジスタ用のゲート酸化膜を製造する場合などに用
いられている。
製造する工程において多様な熱処理技術が用いられてい
る。例えば、シリコン基板をＳｉＯ2に酸化させること
によって絶縁層を形成する場合やエッチングマスク及び
トランジスタ用のゲート酸化膜を製造する場合などに用
いられている。
【０００３】また、熱処理技術は、シリコン基板に３価
または５価のイオンを注入した後、注入されたイオンが
シリコン結晶の中で、侵入型（ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａ
ｌ）から置換型に再配列されて、導電性に寄与すること
ができる余分のホールまたは電子を生成させるための手
段としても用いられている。
または５価のイオンを注入した後、注入されたイオンが
シリコン結晶の中で、侵入型（ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａ
ｌ）から置換型に再配列されて、導電性に寄与すること
ができる余分のホールまたは電子を生成させるための手
段としても用いられている。
【０００４】さらに、その以外にも熱処理技術は、多様
な方法によって形成された薄膜の熱処理及びＢＰＳＧ膜
のリフローに用いられており、多様な目的のために半導
体デバイスの製造工程に用いられている。このような熱
処理工程に通常用いられている装置は、電気炉である。
な方法によって形成された薄膜の熱処理及びＢＰＳＧ膜
のリフローに用いられており、多様な目的のために半導
体デバイスの製造工程に用いられている。このような熱
処理工程に通常用いられている装置は、電気炉である。
【０００５】しかしながら、最近では、半導体デバイス
がますます高集積化されるに伴って素子の大きさが減少
しているので、製造工程におけるサーマルバジェット
（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｂｕｄｇｅｔ）を低減するために、
ＲＴＰ（急速熱処理）装置を用いて熱処理を行う傾向に
なっている。
がますます高集積化されるに伴って素子の大きさが減少
しているので、製造工程におけるサーマルバジェット
（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｂｕｄｇｅｔ）を低減するために、
ＲＴＰ（急速熱処理）装置を用いて熱処理を行う傾向に
なっている。
【０００６】ＲＴＰ装置は、加熱方式によって二つに分
けられ、その１つはハロゲンランプやアークランプを加
熱源として用いたランプ加熱式の熱処理装置であり、他
の１つは抵抗ヒーターを用いたホットウォール型の熱処
理装置である。
けられ、その１つはハロゲンランプやアークランプを加
熱源として用いたランプ加熱式の熱処理装置であり、他
の１つは抵抗ヒーターを用いたホットウォール型の熱処
理装置である。
【０００７】図２は、市販されているＡＭＡＴ社のラン
プ加熱式の熱処理装置を概略的に示す構造図である。こ
の装置は、工程チャンバー１内のサセプタ２上に置かれ
たウェーハ３の上方に均一に配列された複数のランプ４
と、サセプタ２上にウエーハ３を支持するためのサポー
トリング５とからなり、ガスは工程チャンバー１の一側
から水平方向に注入され、その反対側から排出されるよ
うに構成されている。
プ加熱式の熱処理装置を概略的に示す構造図である。こ
の装置は、工程チャンバー１内のサセプタ２上に置かれ
たウェーハ３の上方に均一に配列された複数のランプ４
と、サセプタ２上にウエーハ３を支持するためのサポー
トリング５とからなり、ガスは工程チャンバー１の一側
から水平方向に注入され、その反対側から排出されるよ
うに構成されている。
【０００８】また、図３は、上述のＡＭＡＴ社の装置を
さらに改良したＡＳＴ社の市販のランプ加熱式の装置を
示しており、熱効率を高めるためにウェーハの上方およ
び下方に複数のランプ４がそれぞれ設置されている。
さらに改良したＡＳＴ社の市販のランプ加熱式の装置を
示しており、熱効率を高めるためにウェーハの上方およ
び下方に複数のランプ４がそれぞれ設置されている。
【０００９】このようなランプ加熱式の熱処理装置は、
温度領域を設定して、それぞれのランプ４毎に異なる出
力を加えることによって、均一な温度に維持することが
可能である。
温度領域を設定して、それぞれのランプ４毎に異なる出
力を加えることによって、均一な温度に維持することが
可能である。
【００１０】しかしながら、ランプ加熱式の熱処理装置
は、ウェーハ３の支持体としてサポートリング５やフィ
ンガーを利用しているので、現在ウェーハが大口径化す
ることによって、ウェーハの支持にサポートリングやフ
ィンガーを使用すると、高温の熱処理による曲げ変形や
ストレス変化が高まるという短所がある。
は、ウェーハ３の支持体としてサポートリング５やフィ
ンガーを利用しているので、現在ウェーハが大口径化す
ることによって、ウェーハの支持にサポートリングやフ
ィンガーを使用すると、高温の熱処理による曲げ変形や
ストレス変化が高まるという短所がある。
【００１１】図４は、ＭＡＴＴＯＮＳ社の抵抗加熱式の
市販の熱処理装置を示している。この装置は、工程チャ
ンバー１１内においてウエーハ１３を載置するサセプタ
１２と、サセプタ１２の下側に設置された熱抵抗式ヒー
ター１４とからなり、ヒーター１４によりサセプタ１２
を一定温度に加熱し、ガスはウェーハ１３の上方から供
給される。
市販の熱処理装置を示している。この装置は、工程チャ
ンバー１１内においてウエーハ１３を載置するサセプタ
１２と、サセプタ１２の下側に設置された熱抵抗式ヒー
ター１４とからなり、ヒーター１４によりサセプタ１２
を一定温度に加熱し、ガスはウェーハ１３の上方から供
給される。
【００１２】このような抵抗加熱式の熱処理装置は、工
程チャンバー１１のサイズが大きく、また、ウエーハ１
３を支持するためにサセプタ１２にウェーハ載置溝１２
ａが形成されているので、大口径のウェーハの熱処理の
際に高熱による熱変形がなく、また、ガスがウェーハ１
３の上方から流れるようになっているので、均一な処理
が可能となるという長所を有している。
程チャンバー１１のサイズが大きく、また、ウエーハ１
３を支持するためにサセプタ１２にウェーハ載置溝１２
ａが形成されているので、大口径のウェーハの熱処理の
際に高熱による熱変形がなく、また、ガスがウェーハ１
３の上方から流れるようになっているので、均一な処理
が可能となるという長所を有している。
【００１３】しかしながら、抵抗加熱式の熱処理装置
は、工程温度が９００℃以下に限定されており、工程温
度の範囲が狭いので、多様な工程に適用することができ
ず、また、工程チャンバー内部の温度を工程温度まで上
昇させてそれを維持するのに長時間を要するという短所
がある。
は、工程温度が９００℃以下に限定されており、工程温
度の範囲が狭いので、多様な工程に適用することができ
ず、また、工程チャンバー内部の温度を工程温度まで上
昇させてそれを維持するのに長時間を要するという短所
がある。
【００１４】さらに、従来のランプ加熱式及び抵抗加熱
式の熱処理装置では、ガスが常温または低温の状態で工
程チャンバー内に供給されるので、工程チャンバー内で
急激な温度変化が生じてストレスを誘発するという問題
があった。
式の熱処理装置では、ガスが常温または低温の状態で工
程チャンバー内に供給されるので、工程チャンバー内で
急激な温度変化が生じてストレスを誘発するという問題
があった。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記のよう
な従来の問題点を解決するためになされたものであっ
て、その目的は、ウェーハの大口径化に適合して、均一
な熱処理工程を実行することが可能な半導体ウェーハの
熱処理装置を提供することにある。
な従来の問題点を解決するためになされたものであっ
て、その目的は、ウェーハの大口径化に適合して、均一
な熱処理工程を実行することが可能な半導体ウェーハの
熱処理装置を提供することにある。
【００１６】また、本発明の他の目的は、チャンバー内
の工程温度の範囲を大幅に変更することによって、多様
な工程を実行することが可能な半導体ウェーハの熱処理
装置を提供することにある。
の工程温度の範囲を大幅に変更することによって、多様
な工程を実行することが可能な半導体ウェーハの熱処理
装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体ウェーハの熱処理装置は、密閉
された空間を形成する工程チャンバーと、前記工程チャ
ンバー内に設置されて、熱処理されるウェーハを載置す
るサセプタと、前記サセプタに設けられて、加熱するた
めの熱抵抗ヒーターと、前記ウェーハの上方に設けられ
て、前記工程チャンバー内部を加熱するランプと、前記
工程チャンバーに設けられて、ガスを前記工程チャンバ
ー内に供給するガスインジェクタと、前記ガスインジェ
クタに設けられて、前記工程チャンバー内に供給される
ガスを予熱するガス用ヒーターとを含むことを特徴とす
る。
に、本発明による半導体ウェーハの熱処理装置は、密閉
された空間を形成する工程チャンバーと、前記工程チャ
ンバー内に設置されて、熱処理されるウェーハを載置す
るサセプタと、前記サセプタに設けられて、加熱するた
めの熱抵抗ヒーターと、前記ウェーハの上方に設けられ
て、前記工程チャンバー内部を加熱するランプと、前記
工程チャンバーに設けられて、ガスを前記工程チャンバ
ー内に供給するガスインジェクタと、前記ガスインジェ
クタに設けられて、前記工程チャンバー内に供給される
ガスを予熱するガス用ヒーターとを含むことを特徴とす
る。
【００１８】前記ランプは５００〜１２００℃の範囲の
温度で制御され、前記熱抵抗ヒーターは５００℃以下の
温度で制御されることが好ましい。
温度で制御され、前記熱抵抗ヒーターは５００℃以下の
温度で制御されることが好ましい。
【００１９】前記サセプタの上面には真空吸着溝を形成
してウェーハを真空吸着するようにするとよい。また、
前記サセプタの上面には冷却ガスが供給される冷却溝を
形成してウェーハを冷却するとともに、前記サセプタの
内部には冷却ガスが供給される冷却孔を形成してサセプ
タを冷却するようにするとよい。
してウェーハを真空吸着するようにするとよい。また、
前記サセプタの上面には冷却ガスが供給される冷却溝を
形成してウェーハを冷却するとともに、前記サセプタの
内部には冷却ガスが供給される冷却孔を形成してサセプ
タを冷却するようにするとよい。
【００２０】前記サセプタにはウェーハをローディング
またはアンローディングさせるリフタが設置されること
が好ましい。
またはアンローディングさせるリフタが設置されること
が好ましい。
【００２１】前記ガスインジェクタはステンレススチー
ルまたは石英で製造されることが好ましい。また、前記
ガス用ヒーターは５０〜８００℃の範囲の温度で調節さ
れるようにするとよい。
ルまたは石英で製造されることが好ましい。また、前記
ガス用ヒーターは５０〜８００℃の範囲の温度で調節さ
れるようにするとよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明による好ましい実施
形態を添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
形態を添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】図１は、本発明による半導体ウェーハの熱
処理装置を概略的に示す構造図である。この装置におい
て、密閉された空間を規定する工程チャンバー２１内部
にサセプタ２２が固定され、このサセプタ２２上にウェ
ーハ２３が載置される。
処理装置を概略的に示す構造図である。この装置におい
て、密閉された空間を規定する工程チャンバー２１内部
にサセプタ２２が固定され、このサセプタ２２上にウェ
ーハ２３が載置される。
【００２４】ウェーハ２３の固定は、サセプタ２２の上
面に形成された円形の真空吸着溝２４によって行われ
る。すなわち、真空吸着溝２４はサセプタ２２の下部を
貫通して延びる真空通路２５に連結されており、ウエー
ハ２３は真空通路を２５を通じて真空吸着溝２４に真空
吸着される。
面に形成された円形の真空吸着溝２４によって行われ
る。すなわち、真空吸着溝２４はサセプタ２２の下部を
貫通して延びる真空通路２５に連結されており、ウエー
ハ２３は真空通路を２５を通じて真空吸着溝２４に真空
吸着される。
【００２５】また、サセプタ２２を垂直方向に貫通して
設置されたピン型のリフタ３５によって、ウェーハ２３
がサセプタ２２上にローディング及びアンローディング
されるようになっている。
設置されたピン型のリフタ３５によって、ウェーハ２３
がサセプタ２２上にローディング及びアンローディング
されるようになっている。
【００２６】サセプタ２２及びウェーハ２３の冷却は、
サセプタ２２の上面とサセプタ２２の内部に形成された
冷却溝２６及び冷却孔２７にＮ2、ＨｅまたはＡｒ等の
冷却ガスを供給することによって行われる。冷却溝２６
は、サセプタ２２の下部を貫通して延設された冷却ガス
通路３６に連結され、この冷却ガス通路３６を通じて冷
却ガスが供給される。
サセプタ２２の上面とサセプタ２２の内部に形成された
冷却溝２６及び冷却孔２７にＮ2、ＨｅまたはＡｒ等の
冷却ガスを供給することによって行われる。冷却溝２６
は、サセプタ２２の下部を貫通して延設された冷却ガス
通路３６に連結され、この冷却ガス通路３６を通じて冷
却ガスが供給される。
【００２７】工程チャンバー２１内の熱処理工程温度の
維持は、ウェーハ２３の上方に設置されたハロゲンラン
プ２８と、サセプタ２２に設けられた熱抵抗ヒーター２
９と、サセプタ２２に設けられた温度センサ３０とによ
って行われ、ハロゲンランプ２８と熱抵抗ヒーター２９
の加熱温度の範囲をその特性に合わせて設定して、温度
制御及び工程温度範囲を多様に調節することができるよ
うになっている。
維持は、ウェーハ２３の上方に設置されたハロゲンラン
プ２８と、サセプタ２２に設けられた熱抵抗ヒーター２
９と、サセプタ２２に設けられた温度センサ３０とによ
って行われ、ハロゲンランプ２８と熱抵抗ヒーター２９
の加熱温度の範囲をその特性に合わせて設定して、温度
制御及び工程温度範囲を多様に調節することができるよ
うになっている。
【００２８】例えば、急速加熱及び急冷が可能なハロゲ
ンランプ２８は、５００〜１２００℃の高温を維持でき
るように設定し、温度上昇率が比較的に低い熱抵抗ヒー
ター２９は、常温から５００℃以下の温度範囲を維持で
きるように設定する。従って、ハロゲンランプ２８と熱
抵抗ヒーター２９の両方を用いるか、または、そのいず
れか１つを用いることによって、多様な工程温度を選択
し設定することができ、ウェーハ２３を熱処理する際の
工程温度の範囲が増大する。
ンランプ２８は、５００〜１２００℃の高温を維持でき
るように設定し、温度上昇率が比較的に低い熱抵抗ヒー
ター２９は、常温から５００℃以下の温度範囲を維持で
きるように設定する。従って、ハロゲンランプ２８と熱
抵抗ヒーター２９の両方を用いるか、または、そのいず
れか１つを用いることによって、多様な工程温度を選択
し設定することができ、ウェーハ２３を熱処理する際の
工程温度の範囲が増大する。
【００２９】ハロゲンランプ２８はサークルランプ式の
ものを用いることが好ましいが、リニアランプ式または
ライトパイプ式のランプを用いることもできる。なお、
ハロゲンランプ２８の形態によって、工程チャンバー２
１の形態も設計可能である。工程に要するガスの流れ
は、工程チャンバー２１の下部の両側に備えられたガス
流入口３１とガス排出口３２とを通じて行われる。ま
た、工程チャンバー２１の側壁にガスインジェクタ３３
を設けてガスを供給するようにしてもよい。この場合、
ガスインジェクタ３３のガス供給ライン上にガス用ヒー
ター３４を設けて、工程チャンバー２１内にガスを供給
する前に工程温度に応じて５０〜８００℃の範囲内でガ
スを予熱する。
ものを用いることが好ましいが、リニアランプ式または
ライトパイプ式のランプを用いることもできる。なお、
ハロゲンランプ２８の形態によって、工程チャンバー２
１の形態も設計可能である。工程に要するガスの流れ
は、工程チャンバー２１の下部の両側に備えられたガス
流入口３１とガス排出口３２とを通じて行われる。ま
た、工程チャンバー２１の側壁にガスインジェクタ３３
を設けてガスを供給するようにしてもよい。この場合、
ガスインジェクタ３３のガス供給ライン上にガス用ヒー
ター３４を設けて、工程チャンバー２１内にガスを供給
する前に工程温度に応じて５０〜８００℃の範囲内でガ
スを予熱する。
【００３０】ここで、ガスインジェクタ３３は、供給さ
れるガス、例えば窒素系ガス、酸素系ガス及び不活性ガ
スをさらに活性化させるために、ステンレススチールや
石英で製造することが好ましい。
れるガス、例えば窒素系ガス、酸素系ガス及び不活性ガ
スをさらに活性化させるために、ステンレススチールや
石英で製造することが好ましい。
【００３１】上記のように構成された半導体ウェーハの
熱処理装置によると、工程チャンバー２１内の工程温度
はウェーハ２３の上方に設けられたハロゲンランプ２８
とサセプタ２２に設けられた熱抵抗ヒーター２９とを制
御することによって維持されるので、工程温度範囲の幅
が広くなり、これによって多様な工程温度範囲における
熱処理工程が可能となる。
熱処理装置によると、工程チャンバー２１内の工程温度
はウェーハ２３の上方に設けられたハロゲンランプ２８
とサセプタ２２に設けられた熱抵抗ヒーター２９とを制
御することによって維持されるので、工程温度範囲の幅
が広くなり、これによって多様な工程温度範囲における
熱処理工程が可能となる。
【００３２】すなわち、ハロゲンランプ２８は、その特
性上１２００℃以下の高温を維持するのに適しており、
また、熱抵抗ヒーター２９は、５００℃以下の比較的低
温を維持するのに適しているので、高温で熱処理する場
合にはハロゲンランプ２８を、また、比較的低温で熱処
理する場合には熱抵抗ヒーター２９を選択的に使用する
ことができる。
性上１２００℃以下の高温を維持するのに適しており、
また、熱抵抗ヒーター２９は、５００℃以下の比較的低
温を維持するのに適しているので、高温で熱処理する場
合にはハロゲンランプ２８を、また、比較的低温で熱処
理する場合には熱抵抗ヒーター２９を選択的に使用する
ことができる。
【００３３】さらに、ハロゲンランプ２８と熱抵抗ヒー
ター２９とを同時に使用して高温工程を行う場合には、
熱抵抗ヒーター２９を５００℃以下に維持して、工程チ
ャンバー２１内の温度を一定水準に上昇させた状態で、
ハロゲンランプ２８を用いて内部温度を高温に維持する
と、温度変化が大きくならず、また、迅速に高温の工程
温度に上昇でき、より均一な工程温度を維持することが
可能となる。
ター２９とを同時に使用して高温工程を行う場合には、
熱抵抗ヒーター２９を５００℃以下に維持して、工程チ
ャンバー２１内の温度を一定水準に上昇させた状態で、
ハロゲンランプ２８を用いて内部温度を高温に維持する
と、温度変化が大きくならず、また、迅速に高温の工程
温度に上昇でき、より均一な工程温度を維持することが
可能となる。
【００３４】また、熱抵抗ヒーター２９によって予熱さ
れた工程チャンバー２１内にウェーハ２３がローディン
グされ、その後ハロゲンランプ２８を用いて高温で加熱
するようにすると、温度の急激な変化によるウェーハ２
３のストレスが減少する。
れた工程チャンバー２１内にウェーハ２３がローディン
グされ、その後ハロゲンランプ２８を用いて高温で加熱
するようにすると、温度の急激な変化によるウェーハ２
３のストレスが減少する。
【００３５】さらに、本発明によれば、サセプタ２２に
設けられたリフタ３５によってウェーハ２３がサセプタ
２２上にローディグ及びアンローディングされ、ウェー
ハ２３は真空通路２５を通じた真空吸着溝２４によって
真空吸着され、同時に冷却ガス通路３６を通じて冷却溝
２６に供給される冷却ガスによって冷却される。
設けられたリフタ３５によってウェーハ２３がサセプタ
２２上にローディグ及びアンローディングされ、ウェー
ハ２３は真空通路２５を通じた真空吸着溝２４によって
真空吸着され、同時に冷却ガス通路３６を通じて冷却溝
２６に供給される冷却ガスによって冷却される。
【００３６】従って、高熱によるウェーハ２３の熱変形
が減少し、特に、ウェーハの大口径化に対処して熱変形
を最小化し、サセプタ２２内部に形成された冷却孔２７
に工程時に冷却ガスを供給してウェーハ２３を冷却し、
工程後はサセプタ２２を冷却する。
が減少し、特に、ウェーハの大口径化に対処して熱変形
を最小化し、サセプタ２２内部に形成された冷却孔２７
に工程時に冷却ガスを供給してウェーハ２３を冷却し、
工程後はサセプタ２２を冷却する。
【００３７】さらに、本発明によれば、ガスインジェク
タ３３に設けられたガス用ヒーター３４により注入前に
ガスが予熱され、一次的に活性化されたガスが注入され
るので、ガス反応を安定化させて均一な工程を行うこと
ができる。ガスが予熱されて注入されるので、工程チャ
ンバー内における温度変化が減少し、温度変化によるス
トレスの問題も解消する。
タ３３に設けられたガス用ヒーター３４により注入前に
ガスが予熱され、一次的に活性化されたガスが注入され
るので、ガス反応を安定化させて均一な工程を行うこと
ができる。ガスが予熱されて注入されるので、工程チャ
ンバー内における温度変化が減少し、温度変化によるス
トレスの問題も解消する。
【００３８】
【発明の効果】以上のように構成された本発明による半
導体ウェーハの熱処理装置によれば、工程チャンバー内
における工程温度範囲の選択できる幅が広くなって、多
様な熱処理工程を行うことが可能となる。また、高温に
よる熱変形や温度の急激な変化によるストレスが減少
し、安定した工程を行うことができ、特に大口径のウェ
ーハを熱処理する際に工程の均一性及び品質を高めるこ
とができる。
導体ウェーハの熱処理装置によれば、工程チャンバー内
における工程温度範囲の選択できる幅が広くなって、多
様な熱処理工程を行うことが可能となる。また、高温に
よる熱変形や温度の急激な変化によるストレスが減少
し、安定した工程を行うことができ、特に大口径のウェ
ーハを熱処理する際に工程の均一性及び品質を高めるこ
とができる。
【図１】本発明による熱処理装置を概略的に示す構造図
である。
である。
【図２】従来のランプ加熱式の熱処理装置を概略的に示
す構造図である。
す構造図である。
【図３】従来の他のランプ加熱式の熱処理装置を概略的
に示す構造図である。
に示す構造図である。
【図４】従来の熱抵抗加熱式の熱処理装置を概略的に示
す構造図である。
す構造図である。
２１ 工程チャンバー ２２ サセプタ ２３ ウェーハ ２８ ランプ ２９ 熱抵抗ヒーター ２４ 真空吸着溝 ２５ 真空通路 ２６ 冷却溝 ２７ 冷却孔 ３０ 温度センサ ３１ ガス流入口 ３２ ガス排出口 ３３ ガスインジェクタ ３４ ガス用ヒーター ３５ リフタ ３６ 冷却ガス通路
Claims (10)
- 【請求項１】 密閉された空間を形成する工程チャンバ
ーと、 前記工程チャンバー内に設置されて、熱処理されるウェ
ーハを載置するサセプタと、 前記サセプタに設けられて、加熱するための熱抵抗ヒー
ターと、 前記ウェーハの上方に設けられて、前記工程チャンバー
内部を加熱するランプと、 前記工程チャンバーに設けられて、ガスを前記工程チャ
ンバー内に供給するガスインジェクタと、 前記ガスインジェクタに設けられて、前記工程チャンバ
ー内に供給されるガスを予熱するガス用ヒーターとを含
むことを特徴とする半導体ウェーハの熱処理装置。 - 【請求項２】 前記ランプは５００〜１２００℃の範囲
の温度で制御され、前記熱抵抗ヒーターは５００℃以下
の温度で制御されることを特徴とする請求項１記載の熱
処理装置。 - 【請求項３】 前記サセプタの上面にはウェーハを真空
吸着するための真空吸着溝が形成されたことを特徴とす
る請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項４】 前記サセプタの上面にはウェーハを冷却
するために冷却ガスが供給される冷却溝が形成されたこ
とを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項５】 前記サセプタの内部にはサセプタを冷却
するために冷却ガスが供給される冷却孔が形成されたこ
とを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項６】 前記冷却ガスは、Ｎ2、ＨｅまたはＡｒ
の中から選択されたことを特徴とする請求項４または５
記載の熱処理装置。 - 【請求項７】 前記サセプタにはウェーハをローディン
グまたはアンローディングさせるリフタが設置されたこ
とを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項８】 前記ガスインジェクタはステンレススチ
ールで製造されたことを特徴とする請求項１記載の熱処
理装置。 - 【請求項９】 前記ガスインジェクタは石英で製造され
たことを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。 - 【請求項１０】 前記ガス用ヒーターは５０〜８００℃
の範囲の温度で調節されることを特徴とする請求項１記
載の熱処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1996-41741 | 1996-09-23 | ||
| KR1019960041741A KR100203780B1 (ko) | 1996-09-23 | 1996-09-23 | 반도체 웨이퍼 열처리 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107018A true JPH10107018A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=19474925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9711097A Pending JPH10107018A (ja) | 1996-09-23 | 1997-04-15 | 半導体ウェーハの熱処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107018A (ja) |
| KR (1) | KR100203780B1 (ja) |
| DE (1) | DE19716707A1 (ja) |
| GB (1) | GB2317497A (ja) |
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-
1996
- 1996-09-23 KR KR1019960041741A patent/KR100203780B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-04-15 JP JP9711097A patent/JPH10107018A/ja active Pending
- 1997-04-21 DE DE1997116707 patent/DE19716707A1/de not_active Ceased
- 1997-05-19 GB GB9710204A patent/GB2317497A/en not_active Withdrawn
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|---|---|
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| GB9710204D0 (en) | 1997-07-09 |
| GB2317497A (en) | 1998-03-25 |
| KR19980022560A (ko) | 1998-07-06 |
| KR100203780B1 (ko) | 1999-06-15 |
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