JPH0992539A - 立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合フィルタ - Google Patents
立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合フィルタInfo
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- JPH0992539A JPH0992539A JP7244947A JP24494795A JPH0992539A JP H0992539 A JPH0992539 A JP H0992539A JP 7244947 A JP7244947 A JP 7244947A JP 24494795 A JP24494795 A JP 24494795A JP H0992539 A JPH0992539 A JP H0992539A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容量や結合インダクタンスの微調整を容易に
行うことができ，調整精度に優れ，損失が少なく，更に
安価な立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合
フィルタを提供することを目的とする。 【解決手段】 複数のインダクタ１３４及び１３５を，
基板の異なる面（第１層１５１及び第２層１５２）にそ
れぞれ形成される線パターン１０８及び１０９を孔１１
３〜１１６及び１２３〜１２６によって連結して形成
し，基板の異なる面上でそれぞれ線パターン１０８及び
１０９を含まない領域に複数の電気的中性面１０２を形
成し，更に，複数のインダクタ１３４及び１３５間の位
置に，複数の電気的中性面１０２を連結する電気的中性
孔１１８〜１２１を形成して構成する。
行うことができ，調整精度に優れ，損失が少なく，更に
安価な立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合
フィルタを提供することを目的とする。 【解決手段】 複数のインダクタ１３４及び１３５を，
基板の異なる面（第１層１５１及び第２層１５２）にそ
れぞれ形成される線パターン１０８及び１０９を孔１１
３〜１１６及び１２３〜１２６によって連結して形成
し，基板の異なる面上でそれぞれ線パターン１０８及び
１０９を含まない領域に複数の電気的中性面１０２を形
成し，更に，複数のインダクタ１３４及び１３５間の位
置に，複数の電気的中性面１０２を連結する電気的中性
孔１１８〜１２１を形成して構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は集中定数型の立体渦
巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合フィルタに係
り，特に，容量成分及び相互誘導成分による結合度の微
調整を容易に行うことができ，調整精度に優れ，また容
量成分及び相互誘導成分による損失が少なく，更に安価
な立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合フィ
ルタに関する。
巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合フィルタに係
り，特に，容量成分及び相互誘導成分による結合度の微
調整を容易に行うことができ，調整精度に優れ，また容
量成分及び相互誘導成分による損失が少なく，更に安価
な立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合フィ
ルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の集中定数型の立体渦巻状インダク
タとしては，実開平２−１３７００９号公報に開示され
た，プリント配線基板の両面それぞれに形成される線パ
ターンをスルーホールによって連結してインダクタを構
成するという技術がある。
タとしては，実開平２−１３７００９号公報に開示され
た，プリント配線基板の両面それぞれに形成される線パ
ターンをスルーホールによって連結してインダクタを構
成するという技術がある。
【０００３】図７（ａ）に，この従来技術によるインダ
クタの一構成例を示す。図中，７０１ａ及び７０１ｂは
インダクタ，７０３は表面の線パターン，７０４は裏面
の線パターン，７０５はスルーホールである。また，イ
ンダクタ７０１ａを流れる電流をｉａ，インダクタ７０
１ｂを流れる電流をｉｂとする。
クタの一構成例を示す。図中，７０１ａ及び７０１ｂは
インダクタ，７０３は表面の線パターン，７０４は裏面
の線パターン，７０５はスルーホールである。また，イ
ンダクタ７０１ａを流れる電流をｉａ，インダクタ７０
１ｂを流れる電流をｉｂとする。
【０００４】図７（ｂ）は，図７（ａ）のインダクタに
おける磁束及び誘起電流を説明するための模式図であ
る。同図に示すように，インダクタ７０１ｂに交流電流
ｉｂが流れた時，図示する方向に磁束Ｆｂが発生する。
この時，インダクタ７０１ａには，磁束Ｆｂを打ち消す
磁束Ｆａが発生するように，交流電流ｉａが誘導される
ことになる。
おける磁束及び誘起電流を説明するための模式図であ
る。同図に示すように，インダクタ７０１ｂに交流電流
ｉｂが流れた時，図示する方向に磁束Ｆｂが発生する。
この時，インダクタ７０１ａには，磁束Ｆｂを打ち消す
磁束Ｆａが発生するように，交流電流ｉａが誘導される
ことになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように，上記従来
の立体渦巻状インダクタにおいては，インダクタ７０１
ｂで発生した磁束Ｆｂは全てインダクタ７０１ａを鎖交
するので，誘起電流ｉａは巻数によって決まり，当該構
成で微少な結合を得るには不向きであり，自由度が少な
く，実用上の面で，基板上に当該インダクタを形成する
には，制約が大きいという問題があった。尚，本明細書
において，「結合」という語は，１つ以上の共振系の間
のエネルギーのやりとりをするための手段を意味するも
のとして使用する。
の立体渦巻状インダクタにおいては，インダクタ７０１
ｂで発生した磁束Ｆｂは全てインダクタ７０１ａを鎖交
するので，誘起電流ｉａは巻数によって決まり，当該構
成で微少な結合を得るには不向きであり，自由度が少な
く，実用上の面で，基板上に当該インダクタを形成する
には，制約が大きいという問題があった。尚，本明細書
において，「結合」という語は，１つ以上の共振系の間
のエネルギーのやりとりをするための手段を意味するも
のとして使用する。
【０００６】また，この従来の立体渦巻状インダクタを
用いた誘導結合フィルタにおいても，結合の自由度が少
なく，実用上，制約が大きいという問題点があった。
用いた誘導結合フィルタにおいても，結合の自由度が少
なく，実用上，制約が大きいという問題点があった。
【０００７】本発明は，上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであって，容量成分及び相互誘導成分による結
合度の微調整を容易に行うことができ，調整精度に優
れ，また容量成分及び相互誘導成分による損失が少な
く，更に安価な立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた
誘導結合フィルタを提供することを目的としている。
れたものであって，容量成分及び相互誘導成分による結
合度の微調整を容易に行うことができ，調整精度に優
れ，また容量成分及び相互誘導成分による損失が少な
く，更に安価な立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた
誘導結合フィルタを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明の第１の特徴の立体渦巻状インダクタは，基
板の異なる面にそれぞれ形成される線パターンを孔によ
って連結した複数のインダクタと，前記基板の異なる面
上でそれぞれ前記線パターンを含まない領域に形成され
る複数の電気的中性面と，前記複数のインダクタ間に位
置して，前記複数の電気的中性面を連結する電気的中性
孔とを具備するものである。
に，本発明の第１の特徴の立体渦巻状インダクタは，基
板の異なる面にそれぞれ形成される線パターンを孔によ
って連結した複数のインダクタと，前記基板の異なる面
上でそれぞれ前記線パターンを含まない領域に形成され
る複数の電気的中性面と，前記複数のインダクタ間に位
置して，前記複数の電気的中性面を連結する電気的中性
孔とを具備するものである。
【０００９】また，第２の特徴の立体渦巻状インダクタ
は，請求項１記載の立体渦巻状インダクタにおいて，前
記複数のインダクタの間隔，前記電気的中性孔の個数，
及びまたは，前記電気的中性孔の断面積を変化させるこ
とにより，前記複数のインダクタ間の結合を調整するも
のである。
は，請求項１記載の立体渦巻状インダクタにおいて，前
記複数のインダクタの間隔，前記電気的中性孔の個数，
及びまたは，前記電気的中性孔の断面積を変化させるこ
とにより，前記複数のインダクタ間の結合を調整するも
のである。
【００１０】また，第１の特徴の誘導結合フィルタは，
請求項１記載の立体渦巻状インダクタと，前記一のイン
ダクタの一方の端に接続され，所定の電源を供給する入
力端子と，前記他のインダクタの一方の端に接続され，
任意の負荷に接続される出力端子とを具備し，前記一の
インダクタの他方の端及び前記他のインダクタの他方の
端は，それぞれ前記電気的中性面に接続されるものであ
る。
請求項１記載の立体渦巻状インダクタと，前記一のイン
ダクタの一方の端に接続され，所定の電源を供給する入
力端子と，前記他のインダクタの一方の端に接続され，
任意の負荷に接続される出力端子とを具備し，前記一の
インダクタの他方の端及び前記他のインダクタの他方の
端は，それぞれ前記電気的中性面に接続されるものであ
る。
【００１１】更に，第２の特徴の誘導結合フィルタは，
請求項３記載の誘導結合フィルタにおいて，前記複数の
インダクタの間隔，前記電気的中性孔の個数，及びまた
は，前記電気的中性孔の断面積を変化させることによ
り，前記複数のインダクタ間の結合，前記一のインダク
タの一方の端と前記入力端子間の結合，及び，前記他の
インダクタの一方の端と前記出力端子間の結合を調整す
るものである。
請求項３記載の誘導結合フィルタにおいて，前記複数の
インダクタの間隔，前記電気的中性孔の個数，及びまた
は，前記電気的中性孔の断面積を変化させることによ
り，前記複数のインダクタ間の結合，前記一のインダク
タの一方の端と前記入力端子間の結合，及び，前記他の
インダクタの一方の端と前記出力端子間の結合を調整す
るものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下，本発明の立体渦巻状インダ
クタ及びそれを用いた誘導結合フィルタの概要につい
て，並びに，本発明の立体渦巻状インダクタ及びそれを
用いた誘導結合フィルタの実施例について，〔実施例
１〕，〔実施例２〕，〔実施例３〕の順に図面を参照し
て詳細に説明する。
クタ及びそれを用いた誘導結合フィルタの概要につい
て，並びに，本発明の立体渦巻状インダクタ及びそれを
用いた誘導結合フィルタの実施例について，〔実施例
１〕，〔実施例２〕，〔実施例３〕の順に図面を参照し
て詳細に説明する。
【００１３】〔本発明の立体渦巻状インダクタ及びそれ
を用いた誘導結合フィルタの概要〕本発明の第１の特徴
の立体渦巻状インダクタでは，図１及び図２に示す如
く，複数のインダクタ１３４及び１３５を，基板の異な
る面（第１層１５１及び第２層１５２）にそれぞれ形成
される線パターン１０８及び１０９を孔１１３〜１１６
及び１２３〜１２６によって連結して形成し，基板の異
なる面（第１層１５１及び第２層１５２）上でそれぞれ
線パターン１０８及び１０９を含まない領域に複数の電
気的中性面１０２（裏面は図示せず）を形成し，更に，
複数のインダクタ１３４及び１３５間の位置に，複数の
電気的中性面１０２を連結する電気的中性孔１１８〜１
２１を形成して，立体渦巻状インダクタを構成してい
る。孔１１３〜１１６及び１２３〜１２６は，スルーホ
ールまたはスリット等で実現される。
を用いた誘導結合フィルタの概要〕本発明の第１の特徴
の立体渦巻状インダクタでは，図１及び図２に示す如
く，複数のインダクタ１３４及び１３５を，基板の異な
る面（第１層１５１及び第２層１５２）にそれぞれ形成
される線パターン１０８及び１０９を孔１１３〜１１６
及び１２３〜１２６によって連結して形成し，基板の異
なる面（第１層１５１及び第２層１５２）上でそれぞれ
線パターン１０８及び１０９を含まない領域に複数の電
気的中性面１０２（裏面は図示せず）を形成し，更に，
複数のインダクタ１３４及び１３５間の位置に，複数の
電気的中性面１０２を連結する電気的中性孔１１８〜１
２１を形成して，立体渦巻状インダクタを構成してい
る。孔１１３〜１１６及び１２３〜１２６は，スルーホ
ールまたはスリット等で実現される。
【００１４】図７（ｃ）は，第１の特徴の立体渦巻状イ
ンダクタにおける磁束及び誘起電流を説明するための模
式図である。同図に示すように，インダクタ１３４に交
流電流ｉ１が流れた時，図示する方向に磁束が発生す
る。この時，インダクタ１３５には，インダクタ１３４
による磁束を打ち消す磁束が発生するように，交流電流
ｉ２が誘導されるが，磁束を完全に共有している訳では
ないので，電気的中性面１０２を設けたり，インダクタ
１３４及び１３５間の距離を変えることにより，インダ
クタ１３４及び１３５間の結合を調整でき，自由度が大
きいので，種々の実用上の制約を容易に満足させること
ができる。つまり，相互誘導成分による結合度の微調整
を容易に行うことができ，調整精度に優れ，また相互誘
導成分による損失が少なく，更に安価な立体渦巻状イン
ダクタを実現できる。また更に，電気的中性面１０２を
設けることによってシールド効果も得られる。
ンダクタにおける磁束及び誘起電流を説明するための模
式図である。同図に示すように，インダクタ１３４に交
流電流ｉ１が流れた時，図示する方向に磁束が発生す
る。この時，インダクタ１３５には，インダクタ１３４
による磁束を打ち消す磁束が発生するように，交流電流
ｉ２が誘導されるが，磁束を完全に共有している訳では
ないので，電気的中性面１０２を設けたり，インダクタ
１３４及び１３５間の距離を変えることにより，インダ
クタ１３４及び１３５間の結合を調整でき，自由度が大
きいので，種々の実用上の制約を容易に満足させること
ができる。つまり，相互誘導成分による結合度の微調整
を容易に行うことができ，調整精度に優れ，また相互誘
導成分による損失が少なく，更に安価な立体渦巻状イン
ダクタを実現できる。また更に，電気的中性面１０２を
設けることによってシールド効果も得られる。
【００１５】また，第２の特徴の立体渦巻状インダクタ
では，図１及び図２に示す如く，複数のインダクタ１３
４及び１３の間隔，電気的中性孔１１８〜１２１の個
数，及びまたは，電気的中性孔１１８〜１２１の断面積
を変化させることにより，複数のインダクタ１３４及び
１３間の結合を調整するようにしている。これにより，
相互誘導成分による結合度の微調整を精度良く且つ容易
に行うことができ，設計自由度が大きく，種々の実用上
の制約にも容易に対応し得る立体渦巻状インダクタを実
現できる。
では，図１及び図２に示す如く，複数のインダクタ１３
４及び１３の間隔，電気的中性孔１１８〜１２１の個
数，及びまたは，電気的中性孔１１８〜１２１の断面積
を変化させることにより，複数のインダクタ１３４及び
１３間の結合を調整するようにしている。これにより，
相互誘導成分による結合度の微調整を精度良く且つ容易
に行うことができ，設計自由度が大きく，種々の実用上
の制約にも容易に対応し得る立体渦巻状インダクタを実
現できる。
【００１６】また，第１の特徴の誘導結合フィルタで
は，図１及び図２に示す如く，請求項１記載の立体渦巻
状インダクタを構成する一のインダクタ１３４の一方の
端を所定の電源１３１を供給する入力端子に接続し，立
体渦巻状インダクタを構成する他のインダクタ１３５の
一方の端を任意の負荷１３９に接続される出力端子に接
続し，一のインダクタ１３４の他方の端及び他のインダ
クタ１３５の他方の端を，それぞれ電気的中性面１０２
に接続して形成している。
は，図１及び図２に示す如く，請求項１記載の立体渦巻
状インダクタを構成する一のインダクタ１３４の一方の
端を所定の電源１３１を供給する入力端子に接続し，立
体渦巻状インダクタを構成する他のインダクタ１３５の
一方の端を任意の負荷１３９に接続される出力端子に接
続し，一のインダクタ１３４の他方の端及び他のインダ
クタ１３５の他方の端を，それぞれ電気的中性面１０２
に接続して形成している。
【００１７】図１に示す如く２つのインダクタによる構
成の場合，図２（ａ）に示すようなバンドパスフィルタ
の構成となるが，挿入損失を低減させるために，複数の
インダクタ１３４及び１３５間の結合，一のインダクタ
１３４の一方の端と入力端子間の結合，及び，他のイン
ダクタ１３５の一方の端と出力端子間の結合について，
微少な結合が要求される。第１の特徴の誘導結合フィル
タでは，電気的中性面１０２の設置，インダクタ１３４
及び１３５間の距離変化により，これら結合の微調整を
容易に行うことができ，また結合容量成分や相互誘導成
分による損失が少なく，更に安価な誘導結合フィルタを
実現できる。また更に，電気的中性面１０２の設置によ
ってシールド特性の優れた誘導結合フィルタを実現でき
る。
成の場合，図２（ａ）に示すようなバンドパスフィルタ
の構成となるが，挿入損失を低減させるために，複数の
インダクタ１３４及び１３５間の結合，一のインダクタ
１３４の一方の端と入力端子間の結合，及び，他のイン
ダクタ１３５の一方の端と出力端子間の結合について，
微少な結合が要求される。第１の特徴の誘導結合フィル
タでは，電気的中性面１０２の設置，インダクタ１３４
及び１３５間の距離変化により，これら結合の微調整を
容易に行うことができ，また結合容量成分や相互誘導成
分による損失が少なく，更に安価な誘導結合フィルタを
実現できる。また更に，電気的中性面１０２の設置によ
ってシールド特性の優れた誘導結合フィルタを実現でき
る。
【００１８】また，第２の特徴の誘導結合フィルタで
は，図１及び図２に示す如く，複数のインダクタ１３４
及び１３５の間隔，電気的中性孔１１８〜１２１の個
数，及びまたは，電気的中性孔１１８〜１２１の断面積
を変化させることにより，複数のインダクタ１３４及び
１３５間の結合，一のインダクタ１３４の一方の端と入
力端子間の結合，及び，他のインダクタ１３５の一方の
端と出力端子間の結合を調整するようにしている。これ
により，結合容量成分や相互誘導成分による結合度の微
調整を精度良く且つ容易に行うことができ，設計自由度
が大きく，種々の実用上の制約にも容易に対応し得る誘
導結合フィルタを実現できる。
は，図１及び図２に示す如く，複数のインダクタ１３４
及び１３５の間隔，電気的中性孔１１８〜１２１の個
数，及びまたは，電気的中性孔１１８〜１２１の断面積
を変化させることにより，複数のインダクタ１３４及び
１３５間の結合，一のインダクタ１３４の一方の端と入
力端子間の結合，及び，他のインダクタ１３５の一方の
端と出力端子間の結合を調整するようにしている。これ
により，結合容量成分や相互誘導成分による結合度の微
調整を精度良く且つ容易に行うことができ，設計自由度
が大きく，種々の実用上の制約にも容易に対応し得る誘
導結合フィルタを実現できる。
【００１９】〔実施例１〕図１は本発明の実施例１に係
る立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合フィ
ルタの斜視図である。尚，本実施例の誘導結合フィルタ
はバンドパスフィルタを構成している。
る立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合フィ
ルタの斜視図である。尚，本実施例の誘導結合フィルタ
はバンドパスフィルタを構成している。
【００２０】同図において，本実施例の立体渦巻状イン
ダクタは，第１層１５１及び第２層１５２を備えた２層
基板１５０上に形成されるものであって，第１層１５１
の領域１０３に形成される線パターン１０８及び第２層
１５２の領域１０６に形成される線パターン１０９を孔
（スルーホール）１１３〜１１６によって連結して形成
したインダクタ１３４と，第１層１５１の領域１０４に
形成される線パターン１０８及び第２層１５２の領域１
０７に形成される線パターン１０９を孔（スルーホー
ル）１２３〜１２６によって連結して形成したインダク
タ１３５と，第１層１５１の内の領域１０３及び１０４
を除いた電気的中性面１０２と第２層１５２の内の領域
１０６及び１０７を除いた電気的中性面を連結する電気
的中性孔１１１，１１２，１１８〜１２１，１２７及び
１２８とを備えて構成されている。
ダクタは，第１層１５１及び第２層１５２を備えた２層
基板１５０上に形成されるものであって，第１層１５１
の領域１０３に形成される線パターン１０８及び第２層
１５２の領域１０６に形成される線パターン１０９を孔
（スルーホール）１１３〜１１６によって連結して形成
したインダクタ１３４と，第１層１５１の領域１０４に
形成される線パターン１０８及び第２層１５２の領域１
０７に形成される線パターン１０９を孔（スルーホー
ル）１２３〜１２６によって連結して形成したインダク
タ１３５と，第１層１５１の内の領域１０３及び１０４
を除いた電気的中性面１０２と第２層１５２の内の領域
１０６及び１０７を除いた電気的中性面を連結する電気
的中性孔１１１，１１２，１１８〜１２１，１２７及び
１２８とを備えて構成されている。
【００２１】上述のように，インダクタ１３４に交流電
流ｉ１が流れた時，図中，Ｆ１の方向に磁束が発生す
る。この時，インダクタ１３５には，インダクタ１３４
による磁束を打ち消す磁束が発生するように，交流電流
ｉ２が誘導されるが，磁束を完全に共有している訳では
ないので，本実施例のように電気的中性面１０２及び電
気的中性孔１１１，１１２，１１８〜１２１，１２７及
び１２８を設けることにより，インダクタ１３４及び１
３５間の相互誘導成分による結合度の調整を行うことが
でき，また相互誘導成分による損失も少ない。更に，電
気的中性面１０２を設けることによってシールド効果も
得られる。
流ｉ１が流れた時，図中，Ｆ１の方向に磁束が発生す
る。この時，インダクタ１３５には，インダクタ１３４
による磁束を打ち消す磁束が発生するように，交流電流
ｉ２が誘導されるが，磁束を完全に共有している訳では
ないので，本実施例のように電気的中性面１０２及び電
気的中性孔１１１，１１２，１１８〜１２１，１２７及
び１２８を設けることにより，インダクタ１３４及び１
３５間の相互誘導成分による結合度の調整を行うことが
でき，また相互誘導成分による損失も少ない。更に，電
気的中性面１０２を設けることによってシールド効果も
得られる。
【００２２】また，本実施例の誘導結合フィルタは，立
体渦巻状インダクタを構成するインダクタ１３４の一方
の端を電源１３１を供給する入力端子に接続し，インダ
クタ１３５の一方の端を負荷１３９に接続される出力端
子に接続し，インダクタ１３４の他方の端及びインダク
タ１３５の他方の端を，それぞれ電気的中性面１０２に
接続して形成している。
体渦巻状インダクタを構成するインダクタ１３４の一方
の端を電源１３１を供給する入力端子に接続し，インダ
クタ１３５の一方の端を負荷１３９に接続される出力端
子に接続し，インダクタ１３４の他方の端及びインダク
タ１３５の他方の端を，それぞれ電気的中性面１０２に
接続して形成している。
【００２３】図２（ａ）は，本実施例の誘導結合フィル
タの等価回路を表す回路図である。図中，コンデンサ１
３２は，インダクタ１３４の一方の端と入力側（電源１
３１）間の結合容量（Ｃｉ１），コンデンサ１３８は，
インダクタ１３５の一方の端と出力側（負荷１３９）間
の結合容量（Ｃｏ１），コンデンサ１３３は，インダク
タ１３４の一方の端と電気的中性面１０２間の浮遊容量
（Ｃ１），コンデンサ１３７は，インダクタ１３５の一
方の端と電気的中性面１０２間の浮遊容量（Ｃ２）であ
る。またＭはインダクタ１３４及び１３５間の相互イン
ダクタンスである。
タの等価回路を表す回路図である。図中，コンデンサ１
３２は，インダクタ１３４の一方の端と入力側（電源１
３１）間の結合容量（Ｃｉ１），コンデンサ１３８は，
インダクタ１３５の一方の端と出力側（負荷１３９）間
の結合容量（Ｃｏ１），コンデンサ１３３は，インダク
タ１３４の一方の端と電気的中性面１０２間の浮遊容量
（Ｃ１），コンデンサ１３７は，インダクタ１３５の一
方の端と電気的中性面１０２間の浮遊容量（Ｃ２）であ
る。またＭはインダクタ１３４及び１３５間の相互イン
ダクタンスである。
【００２４】一般に，バンドパスフィルタは，挿入損失
を減らすため，容量Ｃ１及びインダクタンスＬ１による
共振回路と，容量Ｃ２及びインダクタンスＬ２による共
振回路とによる無負荷Ｑ値に対して微少なインピーダン
スによって結合し，負荷Ｑ値（外部Ｑ値）を下げないよ
うに設計する必要がある。従って，結合容量Ｃｉ１及び
Ｃｏ１，並びに，相互インダクタンスＭの値が微少とな
るような結合が望ましい。
を減らすため，容量Ｃ１及びインダクタンスＬ１による
共振回路と，容量Ｃ２及びインダクタンスＬ２による共
振回路とによる無負荷Ｑ値に対して微少なインピーダン
スによって結合し，負荷Ｑ値（外部Ｑ値）を下げないよ
うに設計する必要がある。従って，結合容量Ｃｉ１及び
Ｃｏ１，並びに，相互インダクタンスＭの値が微少とな
るような結合が望ましい。
【００２５】本実施例の誘導結合フィルタでは，電気的
中性面１０２及び電気的中性孔１１１，１１２，１１８
〜１２１，１２７及び１２８を設けることにより，イン
ダクタ１３４及び１３５間の結合，インダクタ１３４の
一方の端と入力側間の結合，及び，インダクタ１３５の
一方の端と出力側間の結合を調整するようにしているの
で，結合容量成分や相互誘導成分による結合度の微調整
を精度良く且つ容易に行うことができ，またこれら結合
容量成分や相互誘導成分による損失も少なくすることが
できる。
中性面１０２及び電気的中性孔１１１，１１２，１１８
〜１２１，１２７及び１２８を設けることにより，イン
ダクタ１３４及び１３５間の結合，インダクタ１３４の
一方の端と入力側間の結合，及び，インダクタ１３５の
一方の端と出力側間の結合を調整するようにしているの
で，結合容量成分や相互誘導成分による結合度の微調整
を精度良く且つ容易に行うことができ，またこれら結合
容量成分や相互誘導成分による損失も少なくすることが
できる。
【００２６】また図２（ｂ）は，本実施例の誘導結合フ
ィルタによる周波数特性を示している。
ィルタによる周波数特性を示している。
【００２７】〔実施例２〕次に図３は，本発明の実施例
２に係る立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結
合フィルタの斜視図である。尚，本実施例の誘導結合フ
ィルタはバンドパスフィルタＢＰＦ及びバンドエリミネ
ーションフィルタＢＥＦを構成している。
２に係る立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結
合フィルタの斜視図である。尚，本実施例の誘導結合フ
ィルタはバンドパスフィルタＢＰＦ及びバンドエリミネ
ーションフィルタＢＥＦを構成している。
【００２８】同図において，本実施例の立体渦巻状イン
ダクタは，第１層２６１，第２層２６２，第３層２６３
及び第４層２６４を備えた４層基板２５８，２５９及び
２６０上に形成されるものであって，第２層２６２の領
域２０３に形成される線パターン２１０及び第３層２６
３の領域２２１に形成される線パターン２１１を孔（ス
ルーホール）２２１〜２２６によって連結して形成した
インダクタ２４４と，第２層２６２の領域２０４に形成
される線パターン２１０及び第３層２６３の領域２０８
に形成される線パターン２１１を孔（スルーホール）２
２９〜２３４によって連結して形成したインダクタ２４
５と，第２層２６２の領域２０５に形成される線パター
ン２１０及び第３層２６３の領域２０９に形成される線
パターン２１１を孔（スルーホール）２３５〜２４０に
よって連結して形成したインダクタ２５０と，第２層２
６２の内の領域２０３，２０４及び２０５を除いた電気
的中性面２０２と第３層２６３の内の領域２０７，２０
８及び２０９を除いた電気的中性面を連結する電気的中
性孔２２７及び２２８とを備えて構成されている。
ダクタは，第１層２６１，第２層２６２，第３層２６３
及び第４層２６４を備えた４層基板２５８，２５９及び
２６０上に形成されるものであって，第２層２６２の領
域２０３に形成される線パターン２１０及び第３層２６
３の領域２２１に形成される線パターン２１１を孔（ス
ルーホール）２２１〜２２６によって連結して形成した
インダクタ２４４と，第２層２６２の領域２０４に形成
される線パターン２１０及び第３層２６３の領域２０８
に形成される線パターン２１１を孔（スルーホール）２
２９〜２３４によって連結して形成したインダクタ２４
５と，第２層２６２の領域２０５に形成される線パター
ン２１０及び第３層２６３の領域２０９に形成される線
パターン２１１を孔（スルーホール）２３５〜２４０に
よって連結して形成したインダクタ２５０と，第２層２
６２の内の領域２０３，２０４及び２０５を除いた電気
的中性面２０２と第３層２６３の内の領域２０７，２０
８及び２０９を除いた電気的中性面を連結する電気的中
性孔２２７及び２２８とを備えて構成されている。
【００２９】インダクタ２４４に交流電流が流れた時，
図中，Ｆ２の方向に磁束が発生するが，電気的中性面２
０２及び電気的中性孔２２７及び２２８を設けることに
より，インダクタ２４４，２４５及び２５０間の相互誘
導成分による結合度の調整を行うことができ，また相互
誘導成分による損失も少ない。また電気的中性面１０２
を設けることによって，シールド効果も得られる。更
に，第１層２６１及び第４層２６４を電気的中性面とす
ることによって更にシールド効果を向上させることがで
きる。
図中，Ｆ２の方向に磁束が発生するが，電気的中性面２
０２及び電気的中性孔２２７及び２２８を設けることに
より，インダクタ２４４，２４５及び２５０間の相互誘
導成分による結合度の調整を行うことができ，また相互
誘導成分による損失も少ない。また電気的中性面１０２
を設けることによって，シールド効果も得られる。更
に，第１層２６１及び第４層２６４を電気的中性面とす
ることによって更にシールド効果を向上させることがで
きる。
【００３０】また，本実施例の誘導結合フィルタは，立
体渦巻状インダクタを構成するインダクタ２４４の一方
の端を電源２４１を供給する入力端子に接続し，インダ
クタ２４５の一方の端を負荷２４９に接続される出力端
子に接続し，インダクタ２４４の他方の端，インダクタ
２４５の他方の端及びインダクタ２５０の他方の端を，
それぞれ電気的中性面２０２に接続して形成している。
体渦巻状インダクタを構成するインダクタ２４４の一方
の端を電源２４１を供給する入力端子に接続し，インダ
クタ２４５の一方の端を負荷２４９に接続される出力端
子に接続し，インダクタ２４４の他方の端，インダクタ
２４５の他方の端及びインダクタ２５０の他方の端を，
それぞれ電気的中性面２０２に接続して形成している。
【００３１】図４（ａ）は，本実施例の誘導結合フィル
タの等価回路を表す回路図である。図中，コンデンサ２
４２は，インダクタ２４４の一方の端と入力側（電源２
４１）間の結合容量（Ｃｉ２），コンデンサ２４８は，
インダクタ２４５の一方の端と出力側（負荷２４９）間
の結合容量（Ｃｏ２），コンデンサ２４３は，インダク
タ２４４の一方の端と電気的中性面２０２間の浮遊容量
（Ｃ２１），コンデンサ２４７は，インダクタ２４５の
一方の端と電気的中性面２０２間の浮遊容量（Ｃ２
２），コンデンサ２５１は，インダクタ２５０の一方の
端と電気的中性面２０２間の浮遊容量（Ｃ２３）であ
る。またＭ１２はインダクタ２４４及び２４５間，Ｍ１
３はインダクタ２４４及び２５０間，Ｍ３２はインダク
タ２５０及び２４５間のそれぞれ相互インダクタンスで
ある。
タの等価回路を表す回路図である。図中，コンデンサ２
４２は，インダクタ２４４の一方の端と入力側（電源２
４１）間の結合容量（Ｃｉ２），コンデンサ２４８は，
インダクタ２４５の一方の端と出力側（負荷２４９）間
の結合容量（Ｃｏ２），コンデンサ２４３は，インダク
タ２４４の一方の端と電気的中性面２０２間の浮遊容量
（Ｃ２１），コンデンサ２４７は，インダクタ２４５の
一方の端と電気的中性面２０２間の浮遊容量（Ｃ２
２），コンデンサ２５１は，インダクタ２５０の一方の
端と電気的中性面２０２間の浮遊容量（Ｃ２３）であ
る。またＭ１２はインダクタ２４４及び２４５間，Ｍ１
３はインダクタ２４４及び２５０間，Ｍ３２はインダク
タ２５０及び２４５間のそれぞれ相互インダクタンスで
ある。
【００３２】実施例１と同様に，本実施例においても，
結合容量Ｃｉ２及びＣｏ２，並びに，相互インダクタン
スＭ１２の値が微少となるような結合が望ましい。電気
的中性面２０２及び電気的中性孔２２７及び２２８を設
けることにより，インダクタ２４４及び２４５間の結
合，インダクタ２４４の一方の端と入力側間の結合，及
び，インダクタ２４５の一方の端と出力側間の結合を調
整するようにしているので，結合容量成分や相互誘導成
分による結合度の微調整を精度良く且つ容易に行うこと
ができ，またこれら結合容量成分や相互誘導成分による
損失も少なくすることができる。
結合容量Ｃｉ２及びＣｏ２，並びに，相互インダクタン
スＭ１２の値が微少となるような結合が望ましい。電気
的中性面２０２及び電気的中性孔２２７及び２２８を設
けることにより，インダクタ２４４及び２４５間の結
合，インダクタ２４４の一方の端と入力側間の結合，及
び，インダクタ２４５の一方の端と出力側間の結合を調
整するようにしているので，結合容量成分や相互誘導成
分による結合度の微調整を精度良く且つ容易に行うこと
ができ，またこれら結合容量成分や相互誘導成分による
損失も少なくすることができる。
【００３３】また図４（ｂ）は，本実施例の誘導結合フ
ィルタによる周波数特性を示している。図中，帯域２７
１はバンドパスフィルタＢＰＦによる部分特性を，帯域
２７２はバンドエリミネーションフィルタＢＥＦによる
部分特性をそれぞれ示している。
ィルタによる周波数特性を示している。図中，帯域２７
１はバンドパスフィルタＢＰＦによる部分特性を，帯域
２７２はバンドエリミネーションフィルタＢＥＦによる
部分特性をそれぞれ示している。
【００３４】〔実施例３〕次に図５は，本発明の実施例
３に係る誘導結合フィルタの斜視図である。尚，本実施
例の誘導結合フィルタは，第１，第２及び第３の３つの
バンドパスフィルタＢＰＦを備え，入力信号を独立した
周波数帯を通過する３つの信号に分ける機能を具備した
マルチプレクサを構成している。
３に係る誘導結合フィルタの斜視図である。尚，本実施
例の誘導結合フィルタは，第１，第２及び第３の３つの
バンドパスフィルタＢＰＦを備え，入力信号を独立した
周波数帯を通過する３つの信号に分ける機能を具備した
マルチプレクサを構成している。
【００３５】同図において，本実施例の誘導結合フィル
タは，２層基板上に形成される４つのインダクタを具備
している。インダクタ５６４は，表層に形成される線パ
ターン５１１及び裏層に形成される線パターン５１２を
孔（スルーホール）５２１〜５２７によって連結して形
成され，インダクタ５６６は，表層に形成される線パタ
ーン５１１及び裏層に形成される線パターン５１２を孔
（スルーホール）５３１〜５３７によって連結して形成
され，インダクタ５７０は，表層に形成される線パター
ン５１１及び裏層に形成される線パターン５１２を孔
（スルーホール）５４１〜５４７によって連結して形成
され，インダクタ５７６は，表層に形成される線パター
ン５１１及び裏層に形成される線パターン５１２を孔
（スルーホール）５４１〜５４７によって連結して形成
されている。尚，表層の内のパターン５１１の領域を除
いた電気的中性面５０２と裏層の内のパターン５１２の
領域を除いた電気的中性面を連結する電気的中性孔につ
いては図示していないが，実施例１と同様に各インダク
タ間の位置等に形成される。
タは，２層基板上に形成される４つのインダクタを具備
している。インダクタ５６４は，表層に形成される線パ
ターン５１１及び裏層に形成される線パターン５１２を
孔（スルーホール）５２１〜５２７によって連結して形
成され，インダクタ５６６は，表層に形成される線パタ
ーン５１１及び裏層に形成される線パターン５１２を孔
（スルーホール）５３１〜５３７によって連結して形成
され，インダクタ５７０は，表層に形成される線パター
ン５１１及び裏層に形成される線パターン５１２を孔
（スルーホール）５４１〜５４７によって連結して形成
され，インダクタ５７６は，表層に形成される線パター
ン５１１及び裏層に形成される線パターン５１２を孔
（スルーホール）５４１〜５４７によって連結して形成
されている。尚，表層の内のパターン５１１の領域を除
いた電気的中性面５０２と裏層の内のパターン５１２の
領域を除いた電気的中性面を連結する電気的中性孔につ
いては図示していないが，実施例１と同様に各インダク
タ間の位置等に形成される。
【００３６】また，本実施例の誘導結合フィルタは，イ
ンダクタ５６４の一方の端を電源５６１を供給する入力
端子に接続し，インダクタ５６６の一方の端を負荷５６
９に接続される出力端子に接続し，インダクタ５７０の
一方の端を負荷５７３に接続される出力端子に接続し，
インダクタ５７６の一方の端を負荷５７９に接続される
出力端子に接続し，インダクタ５６４の他方の端，イン
ダクタ５６６の他方の端，インダクタ５７０の他方の
端，及びインダクタ５７６の他方の端を，それぞれ電気
的中性面５０２に接続して形成している。
ンダクタ５６４の一方の端を電源５６１を供給する入力
端子に接続し，インダクタ５６６の一方の端を負荷５６
９に接続される出力端子に接続し，インダクタ５７０の
一方の端を負荷５７３に接続される出力端子に接続し，
インダクタ５７６の一方の端を負荷５７９に接続される
出力端子に接続し，インダクタ５６４の他方の端，イン
ダクタ５６６の他方の端，インダクタ５７０の他方の
端，及びインダクタ５７６の他方の端を，それぞれ電気
的中性面５０２に接続して形成している。
【００３７】図６（ａ）は，本実施例の誘導結合フィル
タの等価回路を表す回路図である。図中，コンデンサ５
６２は，インダクタ５６４の一方の端と入力側（電源５
６１）間の結合容量（Ｃｉ３），コンデンサ５６８は，
インダクタ５６６の一方の端と出力側（負荷５６９）間
の結合容量（Ｃｏ３１），コンデンサ５７２は，インダ
クタ５７０の一方の端と出力側（負荷５７３）間の結合
容量（Ｃｏ３３），コンデンサ５７８は，インダクタ５
７６の一方の端と出力側（負荷５７９）間の結合容量
（Ｃｏ３４），コンデンサ５６３，５６７，５７１及び
５７７は，それぞれインダクタ５６４，５６６，５７０
及び５７６の一方の端と電気的中性面５０２間の浮遊容
量（Ｃ３１，Ｃ３２，Ｃ３３及びＣ３４）である。また
相互インダクタンスについては省略している。
タの等価回路を表す回路図である。図中，コンデンサ５
６２は，インダクタ５６４の一方の端と入力側（電源５
６１）間の結合容量（Ｃｉ３），コンデンサ５６８は，
インダクタ５６６の一方の端と出力側（負荷５６９）間
の結合容量（Ｃｏ３１），コンデンサ５７２は，インダ
クタ５７０の一方の端と出力側（負荷５７３）間の結合
容量（Ｃｏ３３），コンデンサ５７８は，インダクタ５
７６の一方の端と出力側（負荷５７９）間の結合容量
（Ｃｏ３４），コンデンサ５６３，５６７，５７１及び
５７７は，それぞれインダクタ５６４，５６６，５７０
及び５７６の一方の端と電気的中性面５０２間の浮遊容
量（Ｃ３１，Ｃ３２，Ｃ３３及びＣ３４）である。また
相互インダクタンスについては省略している。
【００３８】実施例１と同様に，本実施例においても，
結合容量Ｃｉ３，Ｃｏ３１，Ｃｏ３３及びＣｏ３４，並
びに，相互インダクタンスの値が微少となるような結合
が望ましい。電気的中性面５０２及び電気的中性孔を設
けることにより，インダクタ５６４，５６６，５７０及
び５７６間の結合，インダクタと入力側間の結合，及
び，インダクタと出力側間の結合を調整するようにして
いるので，結合容量成分や相互誘導成分による結合度の
微調整を精度良く且つ容易に行うことができ，またこれ
ら結合容量成分や相互誘導成分による損失も少なくする
ことができ，特性の優れたマルチプレクサを実現でき
る。
結合容量Ｃｉ３，Ｃｏ３１，Ｃｏ３３及びＣｏ３４，並
びに，相互インダクタンスの値が微少となるような結合
が望ましい。電気的中性面５０２及び電気的中性孔を設
けることにより，インダクタ５６４，５６６，５７０及
び５７６間の結合，インダクタと入力側間の結合，及
び，インダクタと出力側間の結合を調整するようにして
いるので，結合容量成分や相互誘導成分による結合度の
微調整を精度良く且つ容易に行うことができ，またこれ
ら結合容量成分や相互誘導成分による損失も少なくする
ことができ，特性の優れたマルチプレクサを実現でき
る。
【００３９】また図６（ｂ）は，本実施例の誘導結合フ
ィルタによる周波数特性を示している。図中，帯域６０
１は第１のバンドパスフィルタＢＰＦによる部分特性
を，帯域６０２は第２のバンドパスフィルタＢＰＦによ
る部分特性を，帯域６０３は第３のバンドパスフィルタ
ＢＰＦによる部分特性を，それぞれ示している。
ィルタによる周波数特性を示している。図中，帯域６０
１は第１のバンドパスフィルタＢＰＦによる部分特性
を，帯域６０２は第２のバンドパスフィルタＢＰＦによ
る部分特性を，帯域６０３は第３のバンドパスフィルタ
ＢＰＦによる部分特性を，それぞれ示している。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように，本発明の第１の特
徴の立体渦巻状インダクタによれば，複数のインダクタ
を，基板の異なる面にそれぞれ形成される線パターンを
孔によって連結して形成し，基板の異なる面上でそれぞ
れ線パターンを含まない領域に複数の電気的中性面を形
成し，更に，複数のインダクタ間の位置に，複数の電気
的中性面を連結する電気的中性孔を形成して，立体渦巻
状インダクタを構成して，電気的中性面を設けたり，イ
ンダクタ間の距離を変えることにより，インダクタ間の
相互誘導成分による結合度の微調整を容易に行うことが
でき，調整精度に優れ，また相互誘導成分による損失が
少なく，更に安価な立体渦巻状インダクタを提供するこ
とができる。
徴の立体渦巻状インダクタによれば，複数のインダクタ
を，基板の異なる面にそれぞれ形成される線パターンを
孔によって連結して形成し，基板の異なる面上でそれぞ
れ線パターンを含まない領域に複数の電気的中性面を形
成し，更に，複数のインダクタ間の位置に，複数の電気
的中性面を連結する電気的中性孔を形成して，立体渦巻
状インダクタを構成して，電気的中性面を設けたり，イ
ンダクタ間の距離を変えることにより，インダクタ間の
相互誘導成分による結合度の微調整を容易に行うことが
でき，調整精度に優れ，また相互誘導成分による損失が
少なく，更に安価な立体渦巻状インダクタを提供するこ
とができる。
【００４１】また，第２の特徴の立体渦巻状インダクタ
によれば，複数のインダクタの間隔，電気的中性孔の個
数，及びまたは，電気的中性孔の断面積を変化させるこ
とにより，複数のインダクタ間の結合を調整することと
したので，相互誘導成分による結合度の微調整を精度良
く且つ容易に行うことができ，設計自由度が大きく，種
々の実用上の制約にも容易に対応し得る立体渦巻状イン
ダクタを提供することができる。
によれば，複数のインダクタの間隔，電気的中性孔の個
数，及びまたは，電気的中性孔の断面積を変化させるこ
とにより，複数のインダクタ間の結合を調整することと
したので，相互誘導成分による結合度の微調整を精度良
く且つ容易に行うことができ，設計自由度が大きく，種
々の実用上の制約にも容易に対応し得る立体渦巻状イン
ダクタを提供することができる。
【００４２】また，第１の特徴の誘導結合フィルタによ
れば，請求項１記載の立体渦巻状インダクタを構成する
一のインダクタの一方の端を所定の電源を供給する入力
端子に接続し，立体渦巻状インダクタを構成する他のイ
ンダクタの一方の端を任意の負荷に接続される出力端子
に接続し，一のインダクタの他方の端及び他のインダク
タの他方の端を，それぞれ電気的中性面に接続して形成
しており，電気的中性面の設置，インダクタ間の距離変
化により，これら結合の微調整を容易に行うことがで
き，また結合容量成分や相互誘導成分による損失が少な
く，更に安価な誘導結合フィルタを提供することができ
る。
れば，請求項１記載の立体渦巻状インダクタを構成する
一のインダクタの一方の端を所定の電源を供給する入力
端子に接続し，立体渦巻状インダクタを構成する他のイ
ンダクタの一方の端を任意の負荷に接続される出力端子
に接続し，一のインダクタの他方の端及び他のインダク
タの他方の端を，それぞれ電気的中性面に接続して形成
しており，電気的中性面の設置，インダクタ間の距離変
化により，これら結合の微調整を容易に行うことがで
き，また結合容量成分や相互誘導成分による損失が少な
く，更に安価な誘導結合フィルタを提供することができ
る。
【００４３】また，第２の特徴の誘導結合フィルタによ
れば，複数のインダクタの間隔，電気的中性孔の個数，
及びまたは，電気的中性孔の断面積を変化させることに
より，複数のインダクタ間の結合，一のインダクタの一
方の端と入力端子間の結合，及び，他のインダクタの一
方の端と出力端子間の結合を調整することとしたので，
結合容量成分や相互誘導成分による結合度の微調整を精
度良く且つ容易に行うことができ，設計自由度が大き
く，種々の実用上の制約にも容易に対応し得る誘導結合
フィルタを提供することができる。
れば，複数のインダクタの間隔，電気的中性孔の個数，
及びまたは，電気的中性孔の断面積を変化させることに
より，複数のインダクタ間の結合，一のインダクタの一
方の端と入力端子間の結合，及び，他のインダクタの一
方の端と出力端子間の結合を調整することとしたので，
結合容量成分や相互誘導成分による結合度の微調整を精
度良く且つ容易に行うことができ，設計自由度が大き
く，種々の実用上の制約にも容易に対応し得る誘導結合
フィルタを提供することができる。
【図１】本発明の実施例１に係る立体渦巻状インダクタ
及びそれを用いた誘導結合フィルタの斜視図である。
及びそれを用いた誘導結合フィルタの斜視図である。
【図２】図２（ａ）は実施例１の誘導結合フィルタの等
価回路を表す回路図，図２（ｂ）は実施例１の誘導結合
フィルタによる周波数特性図である。
価回路を表す回路図，図２（ｂ）は実施例１の誘導結合
フィルタによる周波数特性図である。
【図３】本発明の実施例２に係る立体渦巻状インダクタ
及びそれを用いた誘導結合フィルタの斜視図である。
及びそれを用いた誘導結合フィルタの斜視図である。
【図４】図４（ａ）は実施例２の誘導結合フィルタの等
価回路を表す回路図，図４（ｂ）は実施例２の誘導結合
フィルタによる周波数特性図である。
価回路を表す回路図，図４（ｂ）は実施例２の誘導結合
フィルタによる周波数特性図である。
【図５】本発明の実施例１に係る誘導結合フィルタの斜
視図である。
視図である。
【図６】図６（ａ）は実施例３の誘導結合フィルタの等
価回路を表す回路図，図６（ｂ）は実施例３の誘導結合
フィルタによる周波数特性図である。
価回路を表す回路図，図６（ｂ）は実施例３の誘導結合
フィルタによる周波数特性図である。
【図７】図７（ａ）は従来技術によるインダクタの一構
成例を示す斜視図，図７（ｂ）は図７（ａ）のインダク
タにおける磁束及び誘起電流を説明するための模式図，
図７（ｃ）は第１の特徴の立体渦巻状インダクタにおけ
る磁束及び誘起電流を説明するための模式図である。
成例を示す斜視図，図７（ｂ）は図７（ａ）のインダク
タにおける磁束及び誘起電流を説明するための模式図，
図７（ｃ）は第１の特徴の立体渦巻状インダクタにおけ
る磁束及び誘起電流を説明するための模式図である。
１５０，２５８，２５９，２６０ 基板 １５１，２６１ 第１層 １５２，２６２ 第２層 ２６３ 第３層 ２６４ 第４層 １３４，１３５，２４４，２４５，２５０ インダクタ １０２，２０２，５０２ 電気的中性面 １０３，１０４，１０６，１０７ 領域 １０８，１０９，２１０，２１１ 線パターン １１３〜１１６，１２３〜１２６ 孔（スルーホール） １１１，１１２，１１８〜１２１，１２７及び１２８
電気的中性孔 ｉ１，ｉ２ 交流電流 Ｆ１，Ｆ２ 磁束 １３１，２４１，５６１ 電源 １３９，２４９，５６９，５７３，５７９ 負荷 １３２，１３３，１３７，１３８ コンデンサ Ｍ 相互インダクタンス ２０３〜２０９ 領域 ２２１〜２２６，２２９〜２３４，２３５〜２４０ 孔
（スルーホール） ２２７，２２８ 電気的中性孔 ２４２，２４３，２４７，２４８，２５１ コンデンサ Ｍ１２，Ｍ１３，Ｍ３２ 相互インダクタンス ５２１〜５２７，５３１〜５３７ 孔（スルーホール） ５４１〜５４７，５５１〜５５７ 孔（スルーホール） ５６４，５６６，５７０，５７６ インダクタ ５６２，５６３，５６７，５６８ コンデンサ ５７１，５７２，５７７，５７８ コンデンサ
電気的中性孔 ｉ１，ｉ２ 交流電流 Ｆ１，Ｆ２ 磁束 １３１，２４１，５６１ 電源 １３９，２４９，５６９，５７３，５７９ 負荷 １３２，１３３，１３７，１３８ コンデンサ Ｍ 相互インダクタンス ２０３〜２０９ 領域 ２２１〜２２６，２２９〜２３４，２３５〜２４０ 孔
（スルーホール） ２２７，２２８ 電気的中性孔 ２４２，２４３，２４７，２４８，２５１ コンデンサ Ｍ１２，Ｍ１３，Ｍ３２ 相互インダクタンス ５２１〜５２７，５３１〜５３７ 孔（スルーホール） ５４１〜５４７，５５１〜５５７ 孔（スルーホール） ５６４，５６６，５７０，５７６ インダクタ ５６２，５６３，５６７，５６８ コンデンサ ５７１，５７２，５７７，５７８ コンデンサ
Claims (4)
- 【請求項１】 基板の異なる面にそれぞれ形成される線
パターンを孔によって連結した複数のインダクタと，前
記基板の異なる面上でそれぞれ前記線パターンを含まな
い領域に形成される複数の電気的中性面と，前記複数の
インダクタ間に位置して，前記複数の電気的中性面を連
結する電気的中性孔と，を有することを特徴とする立体
渦巻状インダクタ。 - 【請求項２】 前記複数のインダクタの間隔，前記電気
的中性孔の個数，及びまたは，前記電気的中性孔の断面
積を変化させることにより，前記複数のインダクタ間の
結合を調整することを特徴とする請求項１記載の立体渦
巻状インダクタ。 - 【請求項３】 請求項１記載の立体渦巻状インダクタ
と，前記一のインダクタの一方の端に接続され，所定の
電源を供給する入力端子と，前記他のインダクタの一方
の端に接続され，任意の負荷に接続される出力端子と，
を有し，前記一のインダクタの他方の端及び前記他のイ
ンダクタの他方の端は，それぞれ前記電気的中性面に接
続されることを特徴とする誘導結合フィルタ。 - 【請求項４】 前記複数のインダクタの間隔，前記電気
的中性孔の個数，及びまたは，前記電気的中性孔の断面
積を変化させることにより，前記複数のインダクタ間の
結合，前記一のインダクタの一方の端と前記入力端子間
の結合，及び，前記他のインダクタの一方の端と前記出
力端子間の結合を調整することを特徴とする請求項３記
載の誘導結合フィルタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7244947A JPH0992539A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合フィルタ |
| US08/560,684 US5696471A (en) | 1995-09-22 | 1995-11-20 | Inductive coupled filter with electrically neutral holes between solid spiral inductors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7244947A JPH0992539A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992539A true JPH0992539A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17126336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7244947A Withdrawn JPH0992539A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 立体渦巻状インダクタ及びそれを用いた誘導結合フィルタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5696471A (ja) |
| JP (1) | JPH0992539A (ja) |
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|---|---|
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Legal Events
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