JPH098376A - 圧電トランス及びその製造方法 - Google Patents
圧電トランス及びその製造方法Info
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- JPH098376A JPH098376A JP15582395A JP15582395A JPH098376A JP H098376 A JPH098376 A JP H098376A JP 15582395 A JP15582395 A JP 15582395A JP 15582395 A JP15582395 A JP 15582395A JP H098376 A JPH098376 A JP H098376A
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- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
- H10N30/057—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by stacking bulk piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＰＺＴ系圧電性セラミックからなる圧電体表面
に、駆動用電極および発電用電極を設けた単板構造の圧
電トランスにおいて、圧電トランスの効率、昇圧比を維
持しつつ、電極間の耐シルバー・マイグレーション性を
向上させる。 【構成】ＰＺＴ系圧電性セラミックからなる圧電体表面
に設ける電極２２を形成するための導電性ペーストとし
て、銀・パラジウム合金粉末含有のペーストを用いる。
焼成を６８０〜７２５℃の温度範囲で行うと、特に効果
が顕著である。更に、銀とパラジウムとの比率を、銀７
０Ｗｔ％：パラジウム３０Ｗｔ％から銀８０Ｗｔ％：パ
ラジウム２０Ｗｔ％の範囲にすると、はんだ付け性が良
好で界面抵抗も適当な電極が得られる。
に、駆動用電極および発電用電極を設けた単板構造の圧
電トランスにおいて、圧電トランスの効率、昇圧比を維
持しつつ、電極間の耐シルバー・マイグレーション性を
向上させる。 【構成】ＰＺＴ系圧電性セラミックからなる圧電体表面
に設ける電極２２を形成するための導電性ペーストとし
て、銀・パラジウム合金粉末含有のペーストを用いる。
焼成を６８０〜７２５℃の温度範囲で行うと、特に効果
が顕著である。更に、銀とパラジウムとの比率を、銀７
０Ｗｔ％：パラジウム３０Ｗｔ％から銀８０Ｗｔ％：パ
ラジウム２０Ｗｔ％の範囲にすると、はんだ付け性が良
好で界面抵抗も適当な電極が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、圧電トランス及びその
製造方法に関し、特に、ＰＺＴ系圧電性セラミックから
なる圧電体表面に駆動用電極と発電用電極とを設けた単
板構造の圧電トランス及びその製造方法に関する。
製造方法に関し、特に、ＰＺＴ系圧電性セラミックから
なる圧電体表面に駆動用電極と発電用電極とを設けた単
板構造の圧電トランス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の圧電トランスの製造にあたって
は、セラミック圧電体表面に駆動用電極および発電用電
極を形成する工程が必らず必要である。従来、その電極
形成の際には、銀１００％含有の導電性ペーストを用い
て圧電体表面に電極パターンを形成した後、焼成するこ
とによって電極を形成することが、一般的に行われてい
る。
は、セラミック圧電体表面に駆動用電極および発電用電
極を形成する工程が必らず必要である。従来、その電極
形成の際には、銀１００％含有の導電性ペーストを用い
て圧電体表面に電極パターンを形成した後、焼成するこ
とによって電極を形成することが、一般的に行われてい
る。
【０００３】ところで、圧電トランスのみならず、例え
ば圧電アクチュエータのようなセラミックを材料とする
他の電子部品においても当然上記のような電極形成の必
要があるが、それら他の電子部品では導電性ペーストと
して、銀１００％含有の導電性ペーストではなく、銀と
他の金属との合金を含有する導電性ペーストが用いられ
ている。例えば、特開昭６２ー１９９００１号公報に
は、正特性磁器半導体に設けられた一対の電極に、銀お
よびパラジウムの割合が銀４０〜９０Ｗｔ％，パラジウ
ム６０〜１０Ｗｔ％の導電性ペーストを使用している。
この磁器半導体では、チタン酸バリウム系のリング状の
正特性磁器半導体素の両表面にめっき処理を施した後、
平均粒径１μｍ以下の銀と平均粒径８００オングストロ
ームのパラジウムとを含むペーストをスクリーン印刷
し、６００℃，１５分間の焼付けにより、電極を形成す
る。
ば圧電アクチュエータのようなセラミックを材料とする
他の電子部品においても当然上記のような電極形成の必
要があるが、それら他の電子部品では導電性ペーストと
して、銀１００％含有の導電性ペーストではなく、銀と
他の金属との合金を含有する導電性ペーストが用いられ
ている。例えば、特開昭６２ー１９９００１号公報に
は、正特性磁器半導体に設けられた一対の電極に、銀お
よびパラジウムの割合が銀４０〜９０Ｗｔ％，パラジウ
ム６０〜１０Ｗｔ％の導電性ペーストを使用している。
この磁器半導体では、チタン酸バリウム系のリング状の
正特性磁器半導体素の両表面にめっき処理を施した後、
平均粒径１μｍ以下の銀と平均粒径８００オングストロ
ームのパラジウムとを含むペーストをスクリーン印刷
し、６００℃，１５分間の焼付けにより、電極を形成す
る。
【０００４】又、特開平４ー９６３８５号公報には、積
層セラミック圧電素子の内部電極として、銀７０Ｗｔ
％，パラジウム３０Ｗｔ％の混合電極を用いた圧電素子
が開示されている。
層セラミック圧電素子の内部電極として、銀７０Ｗｔ
％，パラジウム３０Ｗｔ％の混合電極を用いた圧電素子
が開示されている。
【０００５】更に、特開平２ー１１４６０１号公報に
は、アルミナ基板とその基板上に蒸着された白金抵抗膜
とからなる温度センサにおいて、取出し電極を、銀とパ
ラジウムとほう珪酸鉛系ガラスの割合が８３：１０：７
のペーストを６２０℃で焼成することにより形成して、
はんだ喰われが少なくしかもはんだ付け性が良好な電極
を得ている。
は、アルミナ基板とその基板上に蒸着された白金抵抗膜
とからなる温度センサにおいて、取出し電極を、銀とパ
ラジウムとほう珪酸鉛系ガラスの割合が８３：１０：７
のペーストを６２０℃で焼成することにより形成して、
はんだ喰われが少なくしかもはんだ付け性が良好な電極
を得ている。
【０００６】このように、銀１００％含有の導電性ペー
ストではなく、パラジウムを含む銀・パラジウム合金含
有の導電性ペーストを用いるのは、パラジウムを含まな
い銀１００％の導電性ペーストでは、一対の対向する電
極間に電位差を与えた場合、その一対の電極のうちの正
極から負極へ電極中の銀が素子表面を伝わって移動する
という、いわゆるシルバー・マイグレーション現象が生
じるからである。この現象は、高温，高湿の雰囲気中
で、特に著しく発生する。
ストではなく、パラジウムを含む銀・パラジウム合金含
有の導電性ペーストを用いるのは、パラジウムを含まな
い銀１００％の導電性ペーストでは、一対の対向する電
極間に電位差を与えた場合、その一対の電極のうちの正
極から負極へ電極中の銀が素子表面を伝わって移動する
という、いわゆるシルバー・マイグレーション現象が生
じるからである。この現象は、高温，高湿の雰囲気中
で、特に著しく発生する。
【０００７】又、パラジウムの含有は、はんだを使用す
る際の「はんだ喰われ」防止にも効果があることが認め
られている。
る際の「はんだ喰われ」防止にも効果があることが認め
られている。
【０００８】尚、一般に、銀・パラジウム合金含有のペ
ーストを用いる場合には、銀１００％含有のペーストを
用いる場合より高温域での焼成が必要である。
ーストを用いる場合には、銀１００％含有のペーストを
用いる場合より高温域での焼成が必要である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ＰＺ
Ｔ系圧電トランスの電極形成には、従来、銀１００％含
有の導電性ペーストが用いられていた。そしてこの導電
性ペーストに替えて、銀・パラジウム合金含有の導電性
ペーストを用いる場合には、導電性ペーストの焼成温度
を従来よりも高温にしなければならない。
Ｔ系圧電トランスの電極形成には、従来、銀１００％含
有の導電性ペーストが用いられていた。そしてこの導電
性ペーストに替えて、銀・パラジウム合金含有の導電性
ペーストを用いる場合には、導電性ペーストの焼成温度
を従来よりも高温にしなければならない。
【００１０】ところがＰＺＴ系の圧電性セラミックスを
用いた圧電トランスでは、電極形成の焼成を高温域で行
うと、トランスとしての性能がセラミック材料および寸
法などの構造から割り出された性能より低下する。特
に、トランスの効率および昇圧比が悪化してしまう。
用いた圧電トランスでは、電極形成の焼成を高温域で行
うと、トランスとしての性能がセラミック材料および寸
法などの構造から割り出された性能より低下する。特
に、トランスの効率および昇圧比が悪化してしまう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の圧電トランス
は、ＰＺＴ系の圧電性セラミックからなる長板状の圧電
体を駆動部および発電部の二つの領域に区分し、それぞ
れの領域に対して圧電体表面に、駆動部に対しては外部
からの電圧を入力するための駆動用電極を設け、発電部
に対しては変圧した電圧を外部へ取り出すための発電用
電極を設けた構造の圧電トランスにおいて、前記駆動用
電極および前記発電用電極が、銀とパラジウムとの合金
を含む導電性膜から成ることを特徴とする。
は、ＰＺＴ系の圧電性セラミックからなる長板状の圧電
体を駆動部および発電部の二つの領域に区分し、それぞ
れの領域に対して圧電体表面に、駆動部に対しては外部
からの電圧を入力するための駆動用電極を設け、発電部
に対しては変圧した電圧を外部へ取り出すための発電用
電極を設けた構造の圧電トランスにおいて、前記駆動用
電極および前記発電用電極が、銀とパラジウムとの合金
を含む導電性膜から成ることを特徴とする。
【００１２】そして、前記銀とパラジウムとの合金にお
ける銀対パラジウムの比率が、重量比で、銀７０Ｗｔ
％：パラジウム３０Ｗｔ％から銀８０Ｗｔ％：パラジウ
ム２０Ｗｔ％であることを特徴とする。
ける銀対パラジウムの比率が、重量比で、銀７０Ｗｔ
％：パラジウム３０Ｗｔ％から銀８０Ｗｔ％：パラジウ
ム２０Ｗｔ％であることを特徴とする。
【００１３】上記の圧電トランスは、前記圧電体表面
に、銀とパラジウムとの合金粉末を含む導電性塗料を用
いて、前記駆動用電極および発電用電極のパターンを形
成したのち焼成して前記駆動用電極および発電用電極を
形成する工程を含む圧電トランスの製造方法において、
前記導電性塗料の焼成を、６８０℃以上７２５℃以下の
温度範囲で実施することを特徴とする圧電トランスの製
造方法によって製造される。
に、銀とパラジウムとの合金粉末を含む導電性塗料を用
いて、前記駆動用電極および発電用電極のパターンを形
成したのち焼成して前記駆動用電極および発電用電極を
形成する工程を含む圧電トランスの製造方法において、
前記導電性塗料の焼成を、６８０℃以上７２５℃以下の
温度範囲で実施することを特徴とする圧電トランスの製
造方法によって製造される。
【００１４】
【作用】本発明における圧電トランスを製造するとき
は、電極材料としての銀・パラジウム合金粉末含有の導
電性ペーストを、６８０〜７２５℃で焼成する。一般
に、パラジウムを含む導電性ペーストはパラジウムの還
元反応が４５０〜６８０℃付近で起ることから、高温域
の８５０℃程度で焼成することが行われている。しかし
本発明の適用対象である圧電トランスはその電気的特性
が電極焼成温度に依存する傾向があり、高い焼成温度は
電気的特性の劣化を招く。焼成温度が７２５℃以上では
目標性能であるトランス効率９４％以上、昇圧比１５倍
以上を満足できない。一方、マイグレーション性も電極
焼成温度に依存する傾向があり、焼成温度が低くなると
耐マイグレーション性も低くなる。６８０℃以下では耐
マイグレーション性は、銀電極並みとなってしまう。
又、パラジウムの還元反応温度６８０℃以下では電極中
に酸化パラジウムが混合するため、はんだ濡れ性が悪
い。よって、圧電トランスの電気的特性、耐マイグレー
ション性、はんだ付け性から、銀・パラジウム合金含有
の導電性ペーストを使用するＰＺＴ系圧電トランスの電
極形成には、６８０〜７２５℃の温度範囲での焼成が最
も適している。
は、電極材料としての銀・パラジウム合金粉末含有の導
電性ペーストを、６８０〜７２５℃で焼成する。一般
に、パラジウムを含む導電性ペーストはパラジウムの還
元反応が４５０〜６８０℃付近で起ることから、高温域
の８５０℃程度で焼成することが行われている。しかし
本発明の適用対象である圧電トランスはその電気的特性
が電極焼成温度に依存する傾向があり、高い焼成温度は
電気的特性の劣化を招く。焼成温度が７２５℃以上では
目標性能であるトランス効率９４％以上、昇圧比１５倍
以上を満足できない。一方、マイグレーション性も電極
焼成温度に依存する傾向があり、焼成温度が低くなると
耐マイグレーション性も低くなる。６８０℃以下では耐
マイグレーション性は、銀電極並みとなってしまう。
又、パラジウムの還元反応温度６８０℃以下では電極中
に酸化パラジウムが混合するため、はんだ濡れ性が悪
い。よって、圧電トランスの電気的特性、耐マイグレー
ション性、はんだ付け性から、銀・パラジウム合金含有
の導電性ペーストを使用するＰＺＴ系圧電トランスの電
極形成には、６８０〜７２５℃の温度範囲での焼成が最
も適している。
【００１５】更に、合金中のパラジウムの含有量が２０
Ｗｔ％以上になると耐マイグレーション性は向上するも
のの、界面抵抗はパラジウムの量が約４０Ｗｔ％を超え
ると徐々に増加することが知られている。又、パラジウ
ム含有量の増加によりはんだ濡れ性は劣化する。よっ
て、本発明では、銀とパラジウムとの重量混合比率が銀
７０〜８０Ｗｔ％，パラジウム３０〜２０Ｗｔ％の導電
性ペーストを用いる。
Ｗｔ％以上になると耐マイグレーション性は向上するも
のの、界面抵抗はパラジウムの量が約４０Ｗｔ％を超え
ると徐々に増加することが知られている。又、パラジウ
ム含有量の増加によりはんだ濡れ性は劣化する。よっ
て、本発明では、銀とパラジウムとの重量混合比率が銀
７０〜８０Ｗｔ％，パラジウム３０〜２０Ｗｔ％の導電
性ペーストを用いる。
【００１６】
【実施例】次に、本発明の好適な実施例について、図面
を参照して説明する。先ず、第１の実施例として、ＰＺ
Ｔ系圧電性セラミックを用いて、下記の製造工程によ
り、図２に示す構造の圧電トランスを作製した。
を参照して説明する。先ず、第１の実施例として、ＰＺ
Ｔ系圧電性セラミックを用いて、下記の製造工程によ
り、図２に示す構造の圧電トランスを作製した。
【００１７】マンガン，アンチモンを第３成分とするＰ
ＺＴ系の圧電性セラミック板２１に、無機含有率７７Ｗ
ｔ％（このうち、銀およびパラジウムの重量混合比率
は、銀７３Ｗｔ％，パラジウム２７Ｗｔ％である）でビ
ヒクルとしてエチルセルロースを使用した銀・パラジウ
ム合金含有の導電性ペーストを厚膜スクリーン印刷法で
印刷した。その後、６００〜８５０℃で焼成した電極２
２を形成した圧電トランスを作製した。電極形状は、図
２に示すとおりである。電極厚は、１５μｍである。
ＺＴ系の圧電性セラミック板２１に、無機含有率７７Ｗ
ｔ％（このうち、銀およびパラジウムの重量混合比率
は、銀７３Ｗｔ％，パラジウム２７Ｗｔ％である）でビ
ヒクルとしてエチルセルロースを使用した銀・パラジウ
ム合金含有の導電性ペーストを厚膜スクリーン印刷法で
印刷した。その後、６００〜８５０℃で焼成した電極２
２を形成した圧電トランスを作製した。電極形状は、図
２に示すとおりである。電極厚は、１５μｍである。
【００１８】図２に示すトランスは、ローゼン型圧電ト
ランスの一つである。図２において、２１はトランスの
セラミック部である。２２はトランスの電極部で、この
部分を本実施例の製造方法で作製した。この圧電トラン
スは、低インピーダンスの２つの駆動部と、高インピー
ダンスの発電部とを有し、図中に太い矢印で示す方向に
分極処理されている。駆動部に圧電トランスの共振周波
数の交流電圧を印加すると、圧電横効果３１モードおよ
び圧電縦効果３３モードにより発電部から昇圧された高
い電圧が出力される。
ランスの一つである。図２において、２１はトランスの
セラミック部である。２２はトランスの電極部で、この
部分を本実施例の製造方法で作製した。この圧電トラン
スは、低インピーダンスの２つの駆動部と、高インピー
ダンスの発電部とを有し、図中に太い矢印で示す方向に
分極処理されている。駆動部に圧電トランスの共振周波
数の交流電圧を印加すると、圧電横効果３１モードおよ
び圧電縦効果３３モードにより発電部から昇圧された高
い電圧が出力される。
【００１９】本実施例の圧電トランスを分極後、負荷に
接続し、電極焼成温度と電気的特性との関係を測定し
た。図３はその測定回路の配線図である。負荷として
は、抵抗とコンデンサとから成る疑似負荷３２を用い
た。
接続し、電極焼成温度と電気的特性との関係を測定し
た。図３はその測定回路の配線図である。負荷として
は、抵抗とコンデンサとから成る疑似負荷３２を用い
た。
【００２０】更に、対向電極に純水を滴下して行うウォ
タードロップ試験により、電極焼成温度と耐マイグレー
ション性の関係調査を併せて行った。試験片は上記と同
じセラミックと銀・パラジウム合金含有ペーストを使用
して作製した。焼成温度も上記と同じである。
タードロップ試験により、電極焼成温度と耐マイグレー
ション性の関係調査を併せて行った。試験片は上記と同
じセラミックと銀・パラジウム合金含有ペーストを使用
して作製した。焼成温度も上記と同じである。
【００２１】上述の圧電トランスの焼成温度依存性およ
び耐マイグレーション性の焼成温度依存性を、図１に示
す。図１を参照して、銀・パラジウム合金含有ペースト
の耐マイグレーション性が焼成温度に依存することが、
分る。焼成温度６８０℃以下では、耐マイグレーション
性は銀並みとなってしまう。このため、マイグレーショ
ン抑制を目的として銀・パラジウム合金含有ペーストを
使用する利点が見出せなくなってしまう。これより、耐
マイグレーション性における銀・パラジウム合金含有ペ
ーストの利点を追求するならば、銀・パラジウム合金含
有ペーストの焼成温度は、６８０℃以上でなければなら
ない。尚、焼成温度７００℃以下では耐マイグレーショ
ン性が格段に劣化するので、７００℃以上での焼成が望
ましい。
び耐マイグレーション性の焼成温度依存性を、図１に示
す。図１を参照して、銀・パラジウム合金含有ペースト
の耐マイグレーション性が焼成温度に依存することが、
分る。焼成温度６８０℃以下では、耐マイグレーション
性は銀並みとなってしまう。このため、マイグレーショ
ン抑制を目的として銀・パラジウム合金含有ペーストを
使用する利点が見出せなくなってしまう。これより、耐
マイグレーション性における銀・パラジウム合金含有ペ
ーストの利点を追求するならば、銀・パラジウム合金含
有ペーストの焼成温度は、６８０℃以上でなければなら
ない。尚、焼成温度７００℃以下では耐マイグレーショ
ン性が格段に劣化するので、７００℃以上での焼成が望
ましい。
【００２２】又、図１から、圧電トランスの最も重要な
電気的特性である効率および昇圧比は、電極焼成温度が
上昇するに従って劣化して行くことが分る。本実施例で
作製した圧電トランスの目標性能は、効率９４％以上、
昇圧比１５倍以上であるが、７２５℃以上で焼成すると
前述の２つを満足させることは出来なくなる。これよ
り、目標性能以上のトランスを得ようとするならば、銀
・パラジウム合金含有ペーストの焼成温度は７２５℃以
下にしなければならない。
電気的特性である効率および昇圧比は、電極焼成温度が
上昇するに従って劣化して行くことが分る。本実施例で
作製した圧電トランスの目標性能は、効率９４％以上、
昇圧比１５倍以上であるが、７２５℃以上で焼成すると
前述の２つを満足させることは出来なくなる。これよ
り、目標性能以上のトランスを得ようとするならば、銀
・パラジウム合金含有ペーストの焼成温度は７２５℃以
下にしなければならない。
【００２３】上述の耐マイグレーション性、圧電トラン
スとしての電気的特性の観点から、圧電トランスに銀・
パラジウム合金含有ペーストを使用して電極を形成する
際には、６８０〜７２５℃でペーストを焼成しなければ
ならない。
スとしての電気的特性の観点から、圧電トランスに銀・
パラジウム合金含有ペーストを使用して電極を形成する
際には、６８０〜７２５℃でペーストを焼成しなければ
ならない。
【００２４】尚、本実施例において、焼成温度６８０℃
で作製した圧電トランスの特性は、効率９４．８％、昇
圧比１６倍、耐マイグレーション性は銀１００％含有ペ
ーストの場合の約１．５倍であった。又、焼成温度７０
０℃の場合は、効率９４．５％、昇圧比１５．８倍、耐
マイグレーション性は銀の約６倍であった。更に、７２
５℃での特性は、効率９４．６％、昇圧比１５．５倍、
耐マイグレーション性は銀の約６倍であった。これらの
圧電トランスを高温高湿動作試験（温度８５℃，湿度９
５％ＲＨ）に供したところ、シルバー・マイグレーショ
ンによる絶縁破壊発生は皆無であった。
で作製した圧電トランスの特性は、効率９４．８％、昇
圧比１６倍、耐マイグレーション性は銀１００％含有ペ
ーストの場合の約１．５倍であった。又、焼成温度７０
０℃の場合は、効率９４．５％、昇圧比１５．８倍、耐
マイグレーション性は銀の約６倍であった。更に、７２
５℃での特性は、効率９４．６％、昇圧比１５．５倍、
耐マイグレーション性は銀の約６倍であった。これらの
圧電トランスを高温高湿動作試験（温度８５℃，湿度９
５％ＲＨ）に供したところ、シルバー・マイグレーショ
ンによる絶縁破壊発生は皆無であった。
【００２５】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。この実施例では、銀・パラジウム合金の重量混合
比率を変更した導電性ペーストを用いて、幾何学的構造
が第１の実施例と同一の圧電トランスを作製した。銀と
パラジウムとの比率は、銀７０Ｗｔ％：パラジウム３０
Ｗｔ％であり、焼成温度は、７２５℃である。図３の測
定回路に従い、電気的特性を測定したところ、トランス
効率は９４．４％，昇圧比は１５．３倍であった。
する。この実施例では、銀・パラジウム合金の重量混合
比率を変更した導電性ペーストを用いて、幾何学的構造
が第１の実施例と同一の圧電トランスを作製した。銀と
パラジウムとの比率は、銀７０Ｗｔ％：パラジウム３０
Ｗｔ％であり、焼成温度は、７２５℃である。図３の測
定回路に従い、電気的特性を測定したところ、トランス
効率は９４．４％，昇圧比は１５．３倍であった。
【００２６】耐マイグレーション性は、銀１００％含有
ペーストを用いた場合の約６．５倍であった。この実施
例の圧電トランスを高温高湿動作試験に供したところ、
絶縁破壊による不良は皆無であった。
ペーストを用いた場合の約６．５倍であった。この実施
例の圧電トランスを高温高湿動作試験に供したところ、
絶縁破壊による不良は皆無であった。
【００２７】更に、本発明の第３の実施例について、説
明する。この実施例では、銀とパラジウムとの比率が銀
８０Ｗｔ％：パラジウム２０Ｗｔ％の導電性ペーストを
７２５℃で焼成して電極を形成した圧電トランスの電気
的特性を測定した。トランスの効率は９４．４％，昇圧
比は１５．８倍であった。
明する。この実施例では、銀とパラジウムとの比率が銀
８０Ｗｔ％：パラジウム２０Ｗｔ％の導電性ペーストを
７２５℃で焼成して電極を形成した圧電トランスの電気
的特性を測定した。トランスの効率は９４．４％，昇圧
比は１５．８倍であった。
【００２８】耐マイグレーション性は、銀１００％含有
ペーストの場合の約１．５倍であった。本実施例は第１
の実施例，第２の実施例に比べて、耐マイグレーション
性では劣るが製造コストを比較すると、パラジウムの含
有率が低い分ペーストが安価である。本実施例の圧電ト
ランスを高温高湿動作試験に供したところ、絶縁破壊に
よる不良の発生は皆無であり、十分実用に耐えることが
確められた。
ペーストの場合の約１．５倍であった。本実施例は第１
の実施例，第２の実施例に比べて、耐マイグレーション
性では劣るが製造コストを比較すると、パラジウムの含
有率が低い分ペーストが安価である。本実施例の圧電ト
ランスを高温高湿動作試験に供したところ、絶縁破壊に
よる不良の発生は皆無であり、十分実用に耐えることが
確められた。
【００２９】尚、これまでの実施例で用いたローゼン型
圧電トランスはほんの一例であり、この型以外のトラン
スにおいても、実施例におけると同様の効果が得られる
ことを確認した。
圧電トランスはほんの一例であり、この型以外のトラン
スにおいても、実施例におけると同様の効果が得られる
ことを確認した。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、ＰＺＴ系圧電性セラミックを用いた圧電トランスの
電極を、銀・パラジウム合金粉末含有の導電性ペースト
の焼成により形成する。これにより、本発明によれば、
耐シルバー・マイグレーション性に優れ、しかも圧電ト
ランスとしての電気的特性、特に効率および昇圧比の高
い圧電トランスを提供できる。その効果は、導電性ペー
ストの焼成を６８０〜７２５℃の温度範囲で行うと、特
に顕著である。
は、ＰＺＴ系圧電性セラミックを用いた圧電トランスの
電極を、銀・パラジウム合金粉末含有の導電性ペースト
の焼成により形成する。これにより、本発明によれば、
耐シルバー・マイグレーション性に優れ、しかも圧電ト
ランスとしての電気的特性、特に効率および昇圧比の高
い圧電トランスを提供できる。その効果は、導電性ペー
ストの焼成を６８０〜７２５℃の温度範囲で行うと、特
に顕著である。
【００３１】又、上述の銀・パラジウム合金中の銀とパ
ラジウムとの比率を、銀７０％：パラジウム３０％から
銀８０％：パラジウム２０％の範囲にすると、はんだ付
け性が良好でしかも界面抵抗も適当な電極が得られる。
ラジウムとの比率を、銀７０％：パラジウム３０％から
銀８０％：パラジウム２０％の範囲にすると、はんだ付
け性が良好でしかも界面抵抗も適当な電極が得られる。
【図１】本発明の実施例における、耐マイグレーション
性、トランス効率および昇圧比の、電極焼成温度依存性
を示す図である。
性、トランス効率および昇圧比の、電極焼成温度依存性
を示す図である。
【図２】本発明の実施例による圧電トランスの斜視図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施例による圧電トランスの電気的特
性測定に用いた回路の回路図である。
性測定に用いた回路の回路図である。
２１ 圧電セラミック ２２ 銀・パラジウム合金含有電極 ３１ 駆動電源 ３２ 疑似負荷
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０２Ｍ 5/04 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ
Claims (3)
- 【請求項１】 ＰＺＴ系の圧電性セラミックからなる長
板状の圧電体を駆動部および発電部の二つの領域に区分
し、それぞれの領域に対して圧電体表面に、駆動部に対
しては外部からの電圧を入力するための駆動用電極を設
け、発電部に対しては変圧した電圧を外部へ取り出すた
めの発電用電極を設けた構造の圧電トランスにおいて、 前記駆動用電極および前記発電用電極が、銀とパラジウ
ムとの合金を含む導電性膜から成ることを特徴とする圧
電トランス。 - 【請求項２】 請求項１記載の圧電トランスにおいて、
前記銀とパラジウムとの合金における銀対パラジウムの
比率が、重量比で、銀７０Ｗｔ％：パラジウム３０Ｗｔ
％から銀８０Ｗｔ％：パラジウム２０Ｗｔ％であること
を特徴とする圧電トランス。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の圧電トラン
スを製造する方法であって、前記圧電体表面に、銀とパ
ラジウムとの合金粉末を含む導電性塗料を用いて、前記
駆動用電極および発電用電極のパターンを形成したのち
焼成して前記駆動用電極および発電用電極を形成する工
程を含む圧電トランスの製造方法において、 前記導電性塗料の焼成を、６８０℃以上７２５℃以下の
温度範囲で実施することを特徴とする圧電トランスの製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15582395A JPH098376A (ja) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | 圧電トランス及びその製造方法 |
| NL1003356A NL1003356C2 (nl) | 1995-06-22 | 1996-06-17 | Piëzo-electrische transformator en een werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
| KR1019960022760A KR970004105A (ko) | 1995-06-22 | 1996-06-21 | 압전 변환기 및 이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15582395A JPH098376A (ja) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | 圧電トランス及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098376A true JPH098376A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15614274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15582395A Pending JPH098376A (ja) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | 圧電トランス及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098376A (ja) |
| KR (1) | KR970004105A (ja) |
| NL (1) | NL1003356C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007035801A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 圧電素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2696595C1 (ru) | 2016-05-03 | 2019-08-05 | ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК. | Зарядное устройство |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51122458A (en) * | 1975-04-17 | 1976-10-26 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | Method of mounting electrode on transparent strong dielectric porcelai n |
| JPH06112542A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-04-22 | Daishinku Co | 圧電セラミックスおよび圧電セラミックスの製造方法およびセラミックス振動子ならびに圧電トランス |
| JPH06177451A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-06-24 | Nec Corp | 圧電トランス及びその駆動方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2570223B1 (fr) * | 1984-09-07 | 1986-12-05 | Labo Electronique Physique | Dispositif piezoelectrique et procede de realisation d'un tel dispositif |
| CA1264871A (en) * | 1986-02-27 | 1990-01-23 | Makoto Hori | Positive ceramic semiconductor device with silver/palladium alloy electrode |
| JP2555317B2 (ja) * | 1986-02-27 | 1996-11-20 | 日本電装株式会社 | 正特性磁器半導体の製造方法 |
| JP2641530B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1997-08-13 | 松下電器産業株式会社 | チップ状電子部品の製造方法 |
| JPH0496385A (ja) * | 1990-08-13 | 1992-03-27 | Nec Corp | 積層セラミック圧電素子 |
-
1995
- 1995-06-22 JP JP15582395A patent/JPH098376A/ja active Pending
-
1996
- 1996-06-17 NL NL1003356A patent/NL1003356C2/nl not_active IP Right Cessation
- 1996-06-21 KR KR1019960022760A patent/KR970004105A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51122458A (en) * | 1975-04-17 | 1976-10-26 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | Method of mounting electrode on transparent strong dielectric porcelai n |
| JPH06112542A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-04-22 | Daishinku Co | 圧電セラミックスおよび圧電セラミックスの製造方法およびセラミックス振動子ならびに圧電トランス |
| JPH06177451A (ja) * | 1992-12-08 | 1994-06-24 | Nec Corp | 圧電トランス及びその駆動方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2007035801A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 圧電素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL1003356A1 (nl) | 1997-01-08 |
| NL1003356C2 (nl) | 1999-11-11 |
| KR970004105A (ko) | 1997-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990302 |