JP4083971B2 - 積層セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
積層セラミック電子部品及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4083971B2 JP4083971B2 JP2000355511A JP2000355511A JP4083971B2 JP 4083971 B2 JP4083971 B2 JP 4083971B2 JP 2000355511 A JP2000355511 A JP 2000355511A JP 2000355511 A JP2000355511 A JP 2000355511A JP 4083971 B2 JP4083971 B2 JP 4083971B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- multilayer ceramic
- alloy
- layer
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば積層セラミックコンデンサ、積層バリスタ、積層誘電体共振器、積層圧電素子等の積層セラミック電子部品及びその製造方法に係り、特に鉛(Pb)フリーはんだでの回路基板に電気的通電固着する際に生じる亜硫酸ガスによる影響を防止できる耐ヒートサイクル性の高い外部接続端子電極を形成した積層セラミック電子部品及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子機器等の小型化が進み、ディスクリート部品は表面実装タイプの極小チップ部品になっており、高電圧又は低電圧の集積回路に用いられる、例えば積層セラミックコンデンサ等も極小化への要請が強くなっている。このため、電気回路との接合性も良好で、電気的特性、信頼性、機械的特性に優れる上に、焼結体の積層セラミック素体との接合強度が高く、且つ撓み強度及び耐ヒートサイクル性の高い外部接続端子電極の要請が一段と強くなっている。
【0003】
例えば、図2に示す如く、従来の積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ1は、Ni等の卑金属を用いた内部電極3を印刷した誘電体2のセラミックグリーンシートを、順次積層し焼成し、複数に切断して形成された積層セラミック素体4の両端に、外部接続端子電極5として前記内部電極3とのなじみを良くして、その接続部分に接続不良が生じないようにAg−Pd又はCu等の金属粉末にガラスフリットを加えた導電ペーストを塗布し、700〜800℃で焼き付けて下地電極層の第1電極層5aを形成して前記内部電極3の貴金属又は卑金属と融合させて前記第1電極層5aと前記内部電極3とを良好な結合状態にしている。
【0004】
そして、前記外部接続端子電極5は、前記第1電極層5a上に、搭載される基板上の電気回路との接続にあたり、濡れ性及び耐はんだ性の向上、特にはんだ耐熱性を保持するためにNi等のメッキ皮膜でなる第2電極層5bと外部電気接続として用いるはんだとの整合性を良くするためにSn又はSn−Pbを材料とした皮膜の第3電極層5cを更に重被覆して形成している。そして前記第2電極層5bの形成は、一般に厚さ1.0〜3.0μmのNiメッキ層の皮膜であり、皮膜部分が極めて小さいため、電流効率を確保するために基本組成のワット浴を用いたバレルメッキで処理されている。
【0005】
本来電着応力の少ない、即ち大きい残留応力を残す浴組成物のNiCl2・6H2O(塩化ニッケル)の少ないスルファミン酸浴で処理されるのが理想とされるが、Niイオン補充に臭化ニッケル(NiBr2)を使用するので、安全衛生上及び経済コストを考慮してワット浴を使用しているのが一般的であるとされている。
【0006】
処が、この様にして形成した前記外部接続端子電極5にはんだ量を多くしたはんだ着けをする場合、−55〜125℃の耐ヒートサイクル性に対して劣化する傾向があるので、Niメッキ層の膜厚を上げることにより対処してきた。その反面、膜厚が厚くなるほどにメッキ膜の引っ張り応力や圧縮応力が発生し、耐ヒートサイクル性が劣化するという悪循環が生じていた。
【0007】
しかしながら、近年、鉛フリー実装を目的とした導電性接着材対応の電子部品の要請が高まり、上述のように、外部接続端子電極の最外電極層であるSn又はSn−Pbの電極層を形成したものは、接触抵抗が高温多湿環境下で大幅に上昇し信頼性が劣り、更にヒートサイクルで固着強度の劣化が見られるために最外電極層がAg若しくはAg−Pd合金で構成されるものが用いられてきた。
【0008】
しかし、内部電極を低廉化で卑金属のNi又はNi合金層で構成すると、この内部電極が、酸化性の高いメッキ浴雰囲気に相当する亜硫酸ガス(H2SO3)試験で酸化腐食をし、ここで生じた硫化ニッケル(NiS)又は硫酸ニッケルが電子部品表面に析出生成し、このために絶縁不良(IR不良)や容量低下を招く欠点を有している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の欠点を解消し、鉛(Pb)フリーはんだによって回路基板に電気的通電固着する際に生じる特性影響を防止できる耐ヒートサイクル性の高い外部接続端子電極を形成した極小積層セラミックコンデンサ等にも適用できる積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供することを目的としている。
【0010】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る積層セラミック電子部品は、Ni又はNi合金層の内部電極を内設した積層セラミック素体の両端に外部接続端子電極を形成する積層セラミック電子部品において、外部接続端子電極はCu又はCu合金を主成分とする下地電極層と、Ag−Pd合金を主成分とする最外部電極層との2層で形成され、下地電極層は、Cu又はCu合金を主成分とする導電金属材とガラスフリットとを含む導電塗料による焼付層で形成され、最外部電極層は、Ag−Pd合金を主成分とする導電金属材とガラスフリットとを含む導電塗料による焼付層で下地電極層と同時に形成され、積層セラミック素体の両端に露出されている内部電極のNi又はNi合金層と下地電極層との界面にCu−Ni合金が形成されており、下地電極層は、その厚さが1μm以上である。
【0012】
好ましくは、下地電極層は、その厚さが1μm以上である。
【0015】
本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、Ni又はNi合金層の内部電極を内設した積層セラミック素体の両端に外部接続端子電極を形成する積層セラミック電子部品の製造方法において、外部接続端子電極の製造工程が、Cu又はCu合金を主成分とする導電金属材とガラスフリットとを含む下地電極材の導電ペーストを積層セラミック素体の両端に設ける第1の導電ペースト塗布工程と、Ag−Pd合金を主成分とする導電金属材とガラスフリットとを含む最外部電極層の導電ペーストを第1の導電ペーストの上に重ねて設ける第2の導電ペースト塗布工程と、第1及び第2の導電ペーストを同時焼付処理して、下地電極層及び最外部電極層を形成する焼付工程と、を備え、下地電極層の厚さを1μm以上とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る積層セラミック電子部品及びその製造方法の実施の形態を図面に従って説明する。
【0017】
図1で本発明に係る積層セラミック電子部品及びその製造方法の実施の形態を説明する。
【0018】
図1は本発明に係る積層セラミック電子部品の1例としての積層セラミックコンデンサ11の断面図であり、Ni又はNi合金を主成分とした卑金属を用いた内部電極13を印刷した誘電体12のセラミックグリーンシートを、順次積層し焼成し、複数に切断して形成された積層セラミック素体14の両端に、外部接続端子電極15を形成する。ここで、外部接続端子電極15として、前記内部電極13とのなじみを良くして、その接続部分に接続不良が生じないようにCu又はCu合金を主成分とする金属粉末にガラスフリットを加えた第1導電ペースト層を塗布し、更にその層上にAg又はAg−Pd合金を主成分とする金属粉末にガラスフリットを加えた第2導電ペースト層を塗布重層形成し、その後、前記第1導電ペースト層及び第2導電ペースト層を同時に700℃で焼付けて下地電極層15aと最外部電極層15bを重層して形成している。すなわち、下地電極層15aはCu又はCu合金を主成分とする導電金属材とガラスフリットとを含む導電塗料による厚さ1μm以上の焼付層で形成され、また最外部電極層15bはAg又はAg合金を主成分とする導電金属材とガラスフリットとを含む導電塗料による焼付層で形成される。なお、下地電極層15aは必要以上に厚くないことが好ましく、3μm以下であることが望ましい。
【0019】
焼き付けられた前記下地電極層15aは前記積層セラミック素体14の両端に露出されている前記内部電極13の卑金属と融合してNi−Cu合金層16を界面に形成し、前記下地電極層15aと前記内部電極13とを良好な結合状態にしている。
【0020】
以上のように、本実施の形態は、Ni又はNi合金層の内部電極を内設した積層セラミック素体の両端に外部接続端子電極を形成する積層セラミック電子部品において、前記外部接続端子電極はCu又はCu合金を主成分とする下地電極層とAg又はAg−Pdを主成分とする最外部電極層との2層構造で形成され、前記下地電極層はCu又はCu合金を主成分とする導電金属材とガラスフリットからなる導電塗料による厚さ1μm以上の焼付層で形成され、前記最外部電極層はAg又はAg−Pdを主成分とする導電金属材とガラスフリットからなる導電塗料による焼付層で形成され、更に、前記積層セラミック素体の両端に露出している前記内部電極のNi又はNi合金層と前記下地電極層との界面にCu−Ni合金を形成させ、且つ、前記外部接続端子電極は前記下地電極層と最外部電極層とを同時焼付処理で形成してなる積層セラミック電子部品であるから、鉛(Pb)フリーはんだで回路基板に電気的通電固着する際に生じる特性影響を防止でき耐ヒートサイクル性の高い外部接続端子電極を形成した極小積層セラミックコンデンサ等にも適用できる積層セラミック電子部品を従来品と同等な電気的特性を維持すると共に廉価に実現することが可能となる。
【0021】
以下、本発明を実施例にて詳述する。
【0022】
【実施例】
本発明の内部電極のNiと下地電極層のCuによるイオン化傾向の差に基づく、環境雰囲気での外観不良及びこれに伴う電気特性不良を検証するために以下の実験を行った。
【0023】
(実験1)
本発明の実施例に係る積層セラミックコンデンサと従来品(図2のように外部接続端子電極が3層構造のもの)の積層セラミックコンデンサを夫々20個選び、内部電極のNiと下地電極層のCuによるイオン化傾向の差に基づく、環境雰囲気での外観不良及びこれに伴う電気特性不良を、Cu焼付層厚0.90μm(実施例1)、1.00μm(実施例2)、1.10μm(実施例3)として従来の腐食ガス試験(SO2:5ppm×240時間)で検証し、その結果を以下の表1に示した。
【0024】
【表1】
表1中、Cp:静電容量、Tanδ:損失係数、IR:絶縁抵抗である。
【0025】
上記表1から下地電極層であるCu焼付層厚1.00μm以上であれば、Cp,Tanδ,IR共に良好でNi硫化物等の析出物も無く、従来品と同等であることが判る。特に実施例1の如く、層厚が薄いと内部電極のNiがイオン化し、Ni硫化物として内部電極層及び外部に析出し電気的特性を悪化させる要因になっている。これに対して実施例2、実施例3の如く、層厚が1.00μm以上になると、焼成温度で更にそのNi硫化物と反応して、即ち、層上に形成されているAg−Pdが媒体となって内部電極の露出するNi層とCuの下地電極層の界面にCu−Ni合金接合部を形成して交互の接触を強固にすると共に、導電を良好にしていると推察できる。
【0026】
従って、従来の場合は外部接続端子電極を形成するのにメッキ等の形成工程が必要であったのが、メッキ等の形成工程を省力化でき、煩雑な工程となるのを防ぐことができコスト的にも安価に製造することが可能となる。
【0027】
(実験2)
次に、実施例1、実施例2及び実施例3の積層セラミックコンデンサを各100個選び、ヒートサイクル試験後のクラック発生数及びPbフリーはんだ処理に対する耐熱性良否を検証し、その結果を以下の表2に示す。
【0028】
【表2】
上記表2に示した如く、下地電極層であるCu層厚が1.00μm以上の範囲でクラック発生が無く、耐熱性も良く、同様に良好な結果が得られた。厚さ1.00μm未満であると薄すぎて耐熱性が劣り、即ち、硫化物の析出で、空洞化が生じ、冷却(室温25℃)時に収縮が起きヒートサイクル試験でクラックが発生する。このクラック発生数は少なく判断され易いが、大量生産においては大きな不良率を誘起し生産歩留の低下に繋がる。
【0029】
従って、耐熱性から下地電極層であるCu層膜を厚くすることは必要であるが、高張力や圧縮力を考慮すると、耐熱性が維持できる最低限の厚さに確保すればよく、その厚さの範囲は少なくとも1.00μmで充分であることが理解できる。なお、下地電極層は必要以上に厚くないことが好ましく、3μm以下であることが望ましい。
【0030】
以上本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、Ni又はNi合金層の内部電極を内設した積層セラミック素体の両端に外部接続端子電極を形成する場合において、前記外部接続端子電極はCu又はCu合金を主成分とする下地電極層と、Ag又はAg合金を主成分とする最外部電極層との重層で形成されているので、鉛(Pb)フリーはんだで回路基板に電気的通電固着する際に生じる特性影響を防止でき、耐ヒートサイクル性の高い外部接続端子電極を形成できる。また、メッキ等の形成工程も省力化でき、煩雑な工程を防ぐことができコスト的にも安価に製造することが可能である。この結果、極小積層セラミックコンデンサ等にも適用できる積層セラミック電子部品を従来品と同等な電気的特性を維持すると共に廉価に実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る積層セラミック電子部品の実施の形態を示す正断面図である。
【図2】従来の積層セラミック電子部品の正断面図である。
【符号の説明】
1,11 積層セラミックコンデンサ
2,12 誘電体
3,13 内部電極
4,14 積層セラミック素体
5,15 外部接続端子電極
5a 第1電極層
5b 第2電極層
5c 第3電極層
15a 下地電極層
15b 最外部電極層
16 合金層
Claims (2)
- Ni又はNi合金層の内部電極を内設した積層セラミック素体の両端に外部接続端子電極を形成する積層セラミック電子部品において、
前記外部接続端子電極はCu又はCu合金を主成分とする下地電極層と、Ag−Pd合金を主成分とする最外部電極層との2層で形成され、
前記下地電極層は、Cu又はCu合金を主成分とする導電金属材とガラスフリットとを含む導電塗料による焼付層で形成され、
前記最外部電極層は、Ag−Pd合金を主成分とする導電金属材とガラスフリットとを含む導電塗料による焼付層で前記下地電極層と同時に形成され、
前記積層セラミック素体の両端に露出されている前記内部電極のNi又はNi合金層と前記下地電極層との界面にCu−Ni合金が形成されており、
前記下地電極層は、その厚さが1μm以上であることを特徴とする積層セラミック電子部品。 - Ni又はNi合金層の内部電極を内設した積層セラミック素体の両端に外部接続端子電極を形成する積層セラミック電子部品の製造方法において、
前記外部接続端子電極の製造工程が、
Cu又はCu合金を主成分とする導電金属材とガラスフリットとを含む下地電極材の導電ペーストを前記積層セラミック素体の両端に設ける第1の導電ペースト塗布工程と、
Ag−Pd合金を主成分とする導電金属材とガラスフリットとを含む最外部電極層の導電ペーストを前記第1の導電ペーストの上に重ねて設ける第2の導電ペースト塗布工程と、
前記第1及び第2の導電ペーストを同時焼付処理して、下地電極層及び最外部電極層を形成する焼付工程と、を備え、
前記下地電極層の厚さを1μm以上とすることを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000355511A JP4083971B2 (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000355511A JP4083971B2 (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002158137A JP2002158137A (ja) | 2002-05-31 |
JP4083971B2 true JP4083971B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=18827912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000355511A Expired - Lifetime JP4083971B2 (ja) | 2000-11-22 | 2000-11-22 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4083971B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7558047B2 (en) | 2004-04-23 | 2009-07-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and method for producing the same |
JP4962536B2 (ja) * | 2009-07-01 | 2012-06-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
JP5332025B2 (ja) * | 2010-06-09 | 2013-11-06 | アルプス・グリーンデバイス株式会社 | コイル封入圧粉コア及び前記コイル封入圧粉コアを有するデバイス、ならびに、前記コイル封入圧粉コアの製造方法、及び、前記デバイスの製造方法 |
WO2013132966A1 (ja) * | 2012-03-05 | 2013-09-12 | 株式会社村田製作所 | 電子部品および電子部品と接合対象物との接合構造体の形成方法 |
CN104145317B (zh) | 2012-03-05 | 2016-12-21 | 株式会社村田制作所 | 电子部件 |
KR20140046301A (ko) * | 2012-10-10 | 2014-04-18 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
JP5971236B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2016-08-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びガラスペースト |
JP6011574B2 (ja) | 2013-06-27 | 2016-10-19 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
KR101901708B1 (ko) | 2017-04-03 | 2018-09-28 | 삼성전기 주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그의 제조 방법 |
JP7136334B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2022-09-13 | 株式会社村田製作所 | チップ型セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP6904383B2 (ja) * | 2019-07-17 | 2021-07-14 | Tdk株式会社 | 積層電子部品およびその実装構造 |
JP7338554B2 (ja) * | 2020-05-20 | 2023-09-05 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
JP2023009629A (ja) * | 2021-07-07 | 2023-01-20 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
2000
- 2000-11-22 JP JP2000355511A patent/JP4083971B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002158137A (ja) | 2002-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100812077B1 (ko) | 전자부품 및 그 제조방법 | |
JP4423707B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
KR101645625B1 (ko) | 전자 부품, 전자 부품과 접합 대상물의 접합 구조체의 형성방법 | |
JP2001307947A (ja) | 積層チップ部品及びその製造方法 | |
JP4083971B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
US20060193103A1 (en) | Electronic component and electronic device | |
JP3760770B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JPH0837127A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
JP4720425B2 (ja) | 電子部品 | |
JP3115713B2 (ja) | セラミック電子部品 | |
JPH08107039A (ja) | セラミック電子部品 | |
JP2002164257A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
JPS6342879B2 (ja) | ||
JP3544569B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2004047671A (ja) | セラミックコンデンサおよびセラミックコンデンサの製造方法 | |
JP4556337B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JP4710204B2 (ja) | 電子部品の端面電極形成方法 | |
JP2000299243A (ja) | 積層チップ型電子部品 | |
JP2842711B2 (ja) | 回路基板 | |
JP2000260654A (ja) | 極小チップ型電子部品 | |
JPH09115772A (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
JP2000306763A (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
JP2001291604A (ja) | チップ形積層サーミスタ及びその製造方法 | |
JP2996015B2 (ja) | チップ型電子部品の外部電極 | |
JP3458701B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041019 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041001 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20041001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051025 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051222 |
|
RD15 | Notification of revocation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7435 Effective date: 20051111 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070123 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070326 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070530 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070605 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4083971 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140222 Year of fee payment: 6 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |