JPH0982935A - 固体撮像素子の構造 - Google Patents
固体撮像素子の構造Info
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- JPH0982935A JPH0982935A JP7258236A JP25823695A JPH0982935A JP H0982935 A JPH0982935 A JP H0982935A JP 7258236 A JP7258236 A JP 7258236A JP 25823695 A JP25823695 A JP 25823695A JP H0982935 A JPH0982935 A JP H0982935A
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- Japan
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- gate
- charge transfer
- barrier
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- hccd
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Abstract
る。 【解決手段】 垂直電荷転送領域VCCDと水平電荷転
送領域HCCDとのインタフェース部に外部のDCバイ
アスにより制御されるバリヤゲート(Barrier Gate)を
設けてポテンシャルステップが形成されるようにした。
Description
に係り、特に垂直電荷転送領域VCCDと水平電荷転送
領域HCCDとのインタフェース部にポテンシャルステ
ップ(PotentialStep)が形成されるようにして、電荷
転送効率を高めた固体撮像素子の構造に関する。
されて光の信号を電気的な映像信号として出力する複数
個のフォトダイオード領域PDと、前記マトリックス状
に配列されたフォトダイオード領域PDの間に垂直方向
に形成され、各フォトダイオードPDから生成された映
像信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送領
域VCCDと、前記垂直電荷転送領域VCCDの一方の
端部側に形成され、垂直電荷転送領域に転送された映像
信号電荷を水平方向に転送する水平電荷転送領域HCC
Dと、前記水平電荷転送領域HCCDの出力端に形成さ
れ、転送された映像信号電荷を検出して電気的な信号と
して出力するセンス増幅器と、を有している。
素子についてさらに詳しく説明する。図1(a)は従来
のCCDのレイアウト図、図1(b)は従来のCCDの
断面構造及びポテンシャルプロファイルである。まず、
図1(a)に示すように、複数個のフォトダイオード領
域PDと、各フォトダイオード領域PDから生成された
映像信号電荷を垂直方向に転送する複数個の垂直電荷転
送領域VCCDと、前記垂直電荷転送領域VCCDの一
端側に設けらた水平電荷転送領域HCCDとを含む基板
上にそれぞれのゲートが次のように構成される。
ド領域から生成された映像信号電荷を順次垂直方向に転
送するための複数個のゲート1、ゲート2が繰り返し形
成される。この際、ポリゲート1は一側がフォトダイオ
ード領域に重なるように構成されてトランスファゲート
として用いられる。
ト電極1、2は、最初のゲート1にはVΦ1 、最初のポ
リゲート2にはVΦ2 、第2のゲート1にはVΦ3 、第
2ゲート2にはVΦ4 のクロックが印加されて、順次映
像信号電荷を垂直方向に転送する。つまり、4相クロッ
クで映像信号電荷のトランスファ動作が行われる。
ックで垂直電荷転送領域から転送される映像信号電荷を
電気的な映像信号に変換して出力するセンス増幅器へ転
送するためのゲート3、4が構成される。即ち、水平電
荷転送領域上に形成された複数個のゲート3、4にはH
Φ1、HΦ2のクロックが交互に印加されて順次映像信号
電荷を転送することになる。
子は、図1(b)に示すように、それぞれの画素領域で
生成された映像信号電荷がVΦ1、VΦ2、VΦ3、VΦ4
のクロックによりポテンシャルレベルが変わって垂直方
向に転送され、前記の映像信号電荷はさらにHΦ1、H
Φ2のクロックによりフローティングゲート領域に転送
されてセンス増幅器を経てアナログ信号に変換されて出
力される。
体撮像素子では、垂直電荷転送領域と水平電荷転送領域
とのインタフェース部のオーバーラップするウェルで発
生するポテンシャルバリヤ、ポテンシャルポケット等に
より電荷転送効率が低下するという問題点があった。
尚、H−Vインタフェース部のチャンネルストップ層C
STによる狭チャンネル効果により映像信号電荷が効率
的に転送されずに画面上にブラックライン等の欠陥が現
れるという問題があった。
題を解決するためのものであって、その目的は電荷転送
効率(CTE)を高めた固体撮像素子を提供することに
ある。
の本発明の固体撮像素子の構造は、垂直電荷転送領域V
CCDと水平電荷転送領域HCCDとのインタフェース
部に外部のDCバイアスにより制御されるバリヤゲート
を配置して、インタフェース部にポテンシャルステップ
を形成されるようにしたことを特徴とする。
体撮像素子の構造について詳しく説明する。図2(a)
は本発明のCCDのレイアウト図、図2(b)は本発明
のCCDの断面構造及びポテンシャルプロファイルであ
る。
板にマトリックス状に配列されて光の信号を電気的な映
像信号に変換して出力する複数個のフォトダイオード領
域PDと、前記フォトダイオード領域の間に垂直方向に
形成され、上側に繰り返し形成されている複数のゲート
電極21、20に印加される4相クロックVΦ1 、VΦ
2、VΦ3、VΦ4 によりフォトダイオード領域から生成
された電荷を垂直方向に転送する複数の垂直電荷転送領
域VCCDと、前記垂直電荷転送領域の一方の端部に形
成され、垂直に方向に転送されてきた映像信号電荷をゲ
ート電極24、25に印加される2相クロックHΦ1、
HΦ2により水平方向に転送する水平電荷転送領域HC
CDと、前記垂直電荷転送領域VCCDと水平電荷転送
領域HCCDとのインタフェース部にHΦ1 が印加され
るゲート電極(本発明の実施の形態では垂直電荷転送領
域VCCD上のVΦ4 が印加される最後端のゲート電極
がオーバーラップされるゲート電極なので、水平電荷転
送領域HCCD上のHΦ1 が印加されるゲート電極はオ
ーバーラップする電極でなければならない)に一部分が
オーバーラップされ、VΦ4 が印加される最後端のゲー
ト電極に水平に隣接して形成され、外部のDCバイアス
によりインタフェース部にポテンシャルステップを形成
するバリヤゲートとを有する。
2、第2のバリヤゲート23の二重ゲート構造である。
そして、前記第1、2のバリヤゲート22、23のう
ち、いずれか一つの下側領域にはイオン注入工程により
垂直電荷転送領域VCCDと水平電荷転送領域HCCD
との中間ポテンシャルレベルを有するバリヤ層が形成さ
れている。
は、各ゲートの下側のポテンシャルプロファイルが図2
(b)のように形成される。
直電荷転送領域VCCDとのインタフェース部の下側に
中間レベルのポテンシャルステップが外部DCバイアス
により形成され、H−Vインタフェース部に発生するポ
テンシャルバリヤ又はポテンシャルポケットを除去して
電荷転送効率を良くし、低照度で発生するブラックライ
ンの欠陥を無くす効果がある。
(b)は従来のCCDの断面構造及びポテンシャルプロ
ファイルである。
(b)は本発明のCCDの断面構造及びポテンシャルプ
ロファイルである。
2…第1のバリヤゲート、23…第2のバリヤゲート。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体基板にマトリックス状に配置され
て光の信号を電気的な映像信号に変換して出力する複数
個のフォトダイオード領域(PD)と、 前記フォトダイオード領域の間に垂直方向に形成され、
ゲート電極(20、21)に印加される4相クロック
(VΦ1、VΦ2、VΦ3、VΦ4)によりフォトダイオー
ド領域で生成された電荷を垂直方向に転送する複数の垂
直電荷転送領域と、 前記垂直電荷転送領域の一端側に形成され、ゲート電極
(24、25)に印加される2相クロック(HΦ1、H
Φ2)により垂直方向に転送された映像信号電荷を水平
方向に転送する水平電荷転送領域(HCCD)を備えた
固体撮像素子において、 前記垂直電荷転送領域(VCCD)と水平電荷転送領域
(HCCD)とのインタフェース部に、前記VCCD領
域の最後端のゲート電極とHCCD領域の最初のゲート
電極との間に、外部のDCバイアスにより前記インタフ
ェース部にポテンシャルステップを形成するバリヤゲー
トを設けたことを特徴とする固体撮像素子の構造。 - 【請求項2】 バリヤゲートは第1のバリヤゲート、第
2のバリヤゲートの二重ゲート構造であることを特徴と
する請求項1記載の固体撮像素子の構造。 - 【請求項3】 第1、2のバリヤゲートのうち、いずれ
か一つの下側領域にイオン注入工程によりVCCDとH
CCDとの中間ポテンシャルレベルを有するバリヤ層が
形成されることを特徴とする請求項1又は請求項2記載
の固体撮像素子の構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7258236A JP2866329B2 (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 固体撮像素子の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7258236A JP2866329B2 (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 固体撮像素子の構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0982935A true JPH0982935A (ja) | 1997-03-28 |
JP2866329B2 JP2866329B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=17317422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7258236A Expired - Lifetime JP2866329B2 (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 固体撮像素子の構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2866329B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60160658A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-22 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JPH04167470A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-15 | Nec Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法及び駆動方法 |
-
1995
- 1995-09-12 JP JP7258236A patent/JP2866329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60160658A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-22 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JPH04167470A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-15 | Nec Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法及び駆動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2866329B2 (ja) | 1999-03-08 |
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