JPH0982759A - 突起電極を有する基板の接続方法 - Google Patents
突起電極を有する基板の接続方法Info
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- JPH0982759A JPH0982759A JP7262072A JP26207295A JPH0982759A JP H0982759 A JPH0982759 A JP H0982759A JP 7262072 A JP7262072 A JP 7262072A JP 26207295 A JP26207295 A JP 26207295A JP H0982759 A JPH0982759 A JP H0982759A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 隣接する突起電極間でショートが発生しない
ようにすることができる上、回路基板の接続端子の部分
が凸凹している場合でも、接続不良が発生しないように
する。 【構成】 フレキシブル配線基板２１のフィルム基板２
２上に形成された接続パッド２４上にニッケルメッキか
らなる突起電極２７を形成し、突起電極２７の表面に半
田メッキからなる半田層２８を突起電極２７よりも厚く
形成する。次に、熱処理を行うと、半田層２８が一旦溶
融した後、表面張力により丸まるとともに突起電極２７
の表面に集まり、半田ボール２９が形成される。そし
て、フレキシブル配線基板２１の突起電極２７と回路基
板３１の接続端子３３とを半田ボール２９を介して接続
する。この場合、半田ボール２９が溶融しても横方向に
流れることがなく、また半田の量が多いので、接続不良
が発生しないようにすることができる。
ようにすることができる上、回路基板の接続端子の部分
が凸凹している場合でも、接続不良が発生しないように
する。 【構成】 フレキシブル配線基板２１のフィルム基板２
２上に形成された接続パッド２４上にニッケルメッキか
らなる突起電極２７を形成し、突起電極２７の表面に半
田メッキからなる半田層２８を突起電極２７よりも厚く
形成する。次に、熱処理を行うと、半田層２８が一旦溶
融した後、表面張力により丸まるとともに突起電極２７
の表面に集まり、半田ボール２９が形成される。そし
て、フレキシブル配線基板２１の突起電極２７と回路基
板３１の接続端子３３とを半田ボール２９を介して接続
する。この場合、半田ボール２９が溶融しても横方向に
流れることがなく、また半田の量が多いので、接続不良
が発生しないようにすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は突起電極を有する
基板の接続方法に関する。
基板の接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３はフレキシブル配線基板１とハード
な回路基板１１とを接続した場合の一例を示したもので
ある。フレキシブル配線基板１は、フィルム基板２上に
銅等からなる配線３が形成され、配線３のうち接続パツ
ド４となる部分を除く上面全体にソルダーレジストから
なる絶縁膜５が形成され、絶縁膜５に形成された開口部
６を介して露出された接続パツド４上にニッケルメッキ
からなる突起電極７が形成され、突起電極７の表面に半
田メッキからなる半田層８が形成された構造となってい
る。一方、回路基板１１は、ハード基板１２の下面に銅
等からなる接続端子１３を含む配線１４が形成された構
造となっている。そして、フレキシブル配線基板１の突
起電極７と回路基板１１の接続端子１３とは半田層８を
介して接続されている。
な回路基板１１とを接続した場合の一例を示したもので
ある。フレキシブル配線基板１は、フィルム基板２上に
銅等からなる配線３が形成され、配線３のうち接続パツ
ド４となる部分を除く上面全体にソルダーレジストから
なる絶縁膜５が形成され、絶縁膜５に形成された開口部
６を介して露出された接続パツド４上にニッケルメッキ
からなる突起電極７が形成され、突起電極７の表面に半
田メッキからなる半田層８が形成された構造となってい
る。一方、回路基板１１は、ハード基板１２の下面に銅
等からなる接続端子１３を含む配線１４が形成された構
造となっている。そして、フレキシブル配線基板１の突
起電極７と回路基板１１の接続端子１３とは半田層８を
介して接続されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、メッキは等
方的に成長するので、半田層８は、突起電極７の上方だ
けでなく、突起電極７の周囲における絶縁膜５上にも形
成されることになる。このため、半田層８の厚さを厚く
すると、突起電極７の周囲における絶縁膜５上に形成さ
れる半田層８の横方向の間隔も大きくなり、この結果突
起電極７と接続端子１３とを半田層８を介して接続する
際、突起電極７の周囲における絶縁膜５上において溶融
した半田が横方向に流れて大きく広がり、ひいてはファ
インピッチ化を図った場合、隣接する突起電極７間でシ
ョートが発生するおそれがある。そこで、半田層８の厚
さを例えば０．０３ｍｍ程度と薄くしているが、回路基
板１１の接続端子１３の部分が凸凹している場合には、
半田の量が少ないことにより、回路基板１１の凸凹に対
応することができず、接続不良が発生することがあると
いう問題があった。この発明の課題は、隣接する突起電
極間でショートが発生しないようにすることができる
上、回路基板の接続端子の部分が凸凹している場合で
も、接続不良が発生しないようにすることである。
方的に成長するので、半田層８は、突起電極７の上方だ
けでなく、突起電極７の周囲における絶縁膜５上にも形
成されることになる。このため、半田層８の厚さを厚く
すると、突起電極７の周囲における絶縁膜５上に形成さ
れる半田層８の横方向の間隔も大きくなり、この結果突
起電極７と接続端子１３とを半田層８を介して接続する
際、突起電極７の周囲における絶縁膜５上において溶融
した半田が横方向に流れて大きく広がり、ひいてはファ
インピッチ化を図った場合、隣接する突起電極７間でシ
ョートが発生するおそれがある。そこで、半田層８の厚
さを例えば０．０３ｍｍ程度と薄くしているが、回路基
板１１の接続端子１３の部分が凸凹している場合には、
半田の量が少ないことにより、回路基板１１の凸凹に対
応することができず、接続不良が発生することがあると
いう問題があった。この発明の課題は、隣接する突起電
極間でショートが発生しないようにすることができる
上、回路基板の接続端子の部分が凸凹している場合で
も、接続不良が発生しないようにすることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板上に形成されかつ該基板上に形成された絶縁膜に形
成された開口部を介して露出された接続パッド上に金属
メッキからなる突起電極を形成し、この突起電極の表面
に半田メッキからなる半田層を前記突起電極よりも厚く
形成し、熱処理を行って前記半田層を一旦溶融させた後
固化させることにより、前記突起電極の表面に半田ボー
ルを形成し、この半田ボールを介して前記突起電極を別
の基板の接続端子に接続するようにしたものである。請
求項３記載の発明は、基板上に形成されかつ該基板上に
形成された絶縁膜に形成された開口部を介して露出され
た接続パッド上に金属メッキからなる突起電極を形成
し、この突起電極の表面に半田メッキからなる半田層を
前記突起電極よりも厚く形成し、この半田層の周囲にお
ける前記絶縁膜上に前記突起電極と前記半田層の合計高
さよりも小さい厚さのスペーサを設け、この状態で前記
半田層を介して前記突起電極を別の基板の接続端子に接
続するようにしたものである。
基板上に形成されかつ該基板上に形成された絶縁膜に形
成された開口部を介して露出された接続パッド上に金属
メッキからなる突起電極を形成し、この突起電極の表面
に半田メッキからなる半田層を前記突起電極よりも厚く
形成し、熱処理を行って前記半田層を一旦溶融させた後
固化させることにより、前記突起電極の表面に半田ボー
ルを形成し、この半田ボールを介して前記突起電極を別
の基板の接続端子に接続するようにしたものである。請
求項３記載の発明は、基板上に形成されかつ該基板上に
形成された絶縁膜に形成された開口部を介して露出され
た接続パッド上に金属メッキからなる突起電極を形成
し、この突起電極の表面に半田メッキからなる半田層を
前記突起電極よりも厚く形成し、この半田層の周囲にお
ける前記絶縁膜上に前記突起電極と前記半田層の合計高
さよりも小さい厚さのスペーサを設け、この状態で前記
半田層を介して前記突起電極を別の基板の接続端子に接
続するようにしたものである。
【０００５】請求項１記載の発明によれば、半田層の厚
さを厚くしても、この半田層を熱処理により半田ボール
としているので、半田ボールが溶融しても横方向に流れ
ることがなく、したがって隣接する突起電極間でショー
トが発生しないようにすることができる上、回路基板の
接続端子の部分が凸凹している場合でも、半田の量が多
いので、接続不良が発生しないようにすることができ
る。請求項３記載の発明によれば、半田層の厚さを厚く
しても、スペーサによって半田の流れを堰き止めること
ができるので、隣接する突起電極間でショートが発生し
ないようにすることができる上、回路基板の接続端子の
部分が凸凹している場合でも、半田の量が多いので、接
続不良が発生しないようにすることができる。
さを厚くしても、この半田層を熱処理により半田ボール
としているので、半田ボールが溶融しても横方向に流れ
ることがなく、したがって隣接する突起電極間でショー
トが発生しないようにすることができる上、回路基板の
接続端子の部分が凸凹している場合でも、半田の量が多
いので、接続不良が発生しないようにすることができ
る。請求項３記載の発明によれば、半田層の厚さを厚く
しても、スペーサによって半田の流れを堰き止めること
ができるので、隣接する突起電極間でショートが発生し
ないようにすることができる上、回路基板の接続端子の
部分が凸凹している場合でも、半田の量が多いので、接
続不良が発生しないようにすることができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれこ
の発明の一実施形態における突起電極を有する基板の接
続方法の各工程を示したものである。そこで、これらの
図を順に参照しながら、この実施形態の接続方法につい
て説明する。
の発明の一実施形態における突起電極を有する基板の接
続方法の各工程を示したものである。そこで、これらの
図を順に参照しながら、この実施形態の接続方法につい
て説明する。
【０００７】まず、図１（Ａ）に示すようなフレキシブ
ル配線基板２１を用意する。このフレキシブル配線基板
２１は、フィルム基板２２上に銅等からなる配線２３が
形成され、配線２３のうち接続パツド２４となる部分を
除く上面全体にソルダーレジストからなる絶縁膜２５が
形成され、絶縁膜２５に形成された開口部２６を介して
露出された接続パッド２４上にニッケルメッキからなる
突起電極２７が形成され、突起電極２７の表面に半田メ
ッキからなる半田層２８が形成された構造となってい
る。この場合、各部の寸法は、一例として、フィルム基
板２２の厚さが２５μｍ、接続パッド２４を含む配線２
３の厚さが３５μｍ、絶縁膜２５の厚さが１０μｍ、開
口部２６の大きさが０．２ｍｍ、突起電極２７の高さが
０．１ｍｍ、半田層２８の厚さが０．１５ｍｍとなって
いる。したがって、突起電極２７と半田層２８の合計高
さは０．２５ｍｍとなっている。
ル配線基板２１を用意する。このフレキシブル配線基板
２１は、フィルム基板２２上に銅等からなる配線２３が
形成され、配線２３のうち接続パツド２４となる部分を
除く上面全体にソルダーレジストからなる絶縁膜２５が
形成され、絶縁膜２５に形成された開口部２６を介して
露出された接続パッド２４上にニッケルメッキからなる
突起電極２７が形成され、突起電極２７の表面に半田メ
ッキからなる半田層２８が形成された構造となってい
る。この場合、各部の寸法は、一例として、フィルム基
板２２の厚さが２５μｍ、接続パッド２４を含む配線２
３の厚さが３５μｍ、絶縁膜２５の厚さが１０μｍ、開
口部２６の大きさが０．２ｍｍ、突起電極２７の高さが
０．１ｍｍ、半田層２８の厚さが０．１５ｍｍとなって
いる。したがって、突起電極２７と半田層２８の合計高
さは０．２５ｍｍとなっている。
【０００８】次に、図１（Ｂ）に示すように、熱処理を
行うことにより、半田層２８が一旦溶融した後、表面張
力により丸まるとともに突起電極２７の表面に集まり、
この状態で固化することにより、突起電極２７の表面に
半田ボール２９を形成する。この場合、半田ボール２９
の絶縁膜２５上における高さは０．３ｍｍ程度となる。
なお、熱処理の方法としては、絶縁膜２５の開口部２６
をフォトリソグラフィにより形成する際のフォトマスク
を用いてレーザを照射することにより行うようにしても
よい。次に、図１（Ｃ）に示すような回路基板３１を用
意する。この回路基板３１は、ハードな基板３２の下面
に銅等からなる接続端子３３を含む配線３４が形成され
た構造となっている。そして、フレキシブル配線基板２
１の突起電極２７と回路基板３１の接続端子３３とを半
田ボール２９を介して接続する。
行うことにより、半田層２８が一旦溶融した後、表面張
力により丸まるとともに突起電極２７の表面に集まり、
この状態で固化することにより、突起電極２７の表面に
半田ボール２９を形成する。この場合、半田ボール２９
の絶縁膜２５上における高さは０．３ｍｍ程度となる。
なお、熱処理の方法としては、絶縁膜２５の開口部２６
をフォトリソグラフィにより形成する際のフォトマスク
を用いてレーザを照射することにより行うようにしても
よい。次に、図１（Ｃ）に示すような回路基板３１を用
意する。この回路基板３１は、ハードな基板３２の下面
に銅等からなる接続端子３３を含む配線３４が形成され
た構造となっている。そして、フレキシブル配線基板２
１の突起電極２７と回路基板３１の接続端子３３とを半
田ボール２９を介して接続する。
【０００９】ところで、半田層２８の厚さを０．１５ｍ
ｍと厚くしても、この半田層２８を熱処理により半田ボ
ール２９としているので、突起電極２７と接続端子３３
を半田ボール２９を介して接続するとき、半田ボール２
９が一旦溶融しても、この溶融した半田が突起電極２７
の表面から流れ去ることがなく、つまり半田ボール２９
が溶融しても横方向に流れることがなく、したがって隣
接する突起電極間でショートが発生しないようにするこ
とができる。また、回路基板３１の接続端子３３の部分
が凸凹している場合でも、半田の量が多いので、接続不
良が発生しないようにすることができる。
ｍと厚くしても、この半田層２８を熱処理により半田ボ
ール２９としているので、突起電極２７と接続端子３３
を半田ボール２９を介して接続するとき、半田ボール２
９が一旦溶融しても、この溶融した半田が突起電極２７
の表面から流れ去ることがなく、つまり半田ボール２９
が溶融しても横方向に流れることがなく、したがって隣
接する突起電極間でショートが発生しないようにするこ
とができる。また、回路基板３１の接続端子３３の部分
が凸凹している場合でも、半田の量が多いので、接続不
良が発生しないようにすることができる。
【００１０】なお、上記実施形態では、半田層２８を熱
処理により半田ボール２９とし、この半田ボール２９を
介して突起電極２７と接続端子３３とを接続する場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではない。例
えば、図１（Ａ）に示すフレキシブル配線基板２１を用
意し、次いで図２（Ａ）に示すように、半田層２８に対
応する部分に開口部４２を有するポリイミド等の樹脂シ
ートからなるスペーサ４１を絶縁膜２５上に貼り付け
る。この場合、スペーサ４１の厚さは、突起電極２７と
半田層２８の合計高さ０．２５ｍｍよりも小さく、例え
ば０．２ｍｍとなっている。したがって、図２（Ａ）に
示す状態では、半田層２８はスペーサ４１の表面側に
０．０５ｍｍ突出されることになる。なお、スペーサ４
１は、半田層２８を含む絶縁膜２５の上面全体にポリイ
ミド等からなる膜を塗布して形成し、次いでこの膜の半
田層２８と対応する部分にフォトリソグラフィにより開
口部を形成することにより、形成するようにしてもよ
い。
処理により半田ボール２９とし、この半田ボール２９を
介して突起電極２７と接続端子３３とを接続する場合に
ついて説明したが、これに限定されるものではない。例
えば、図１（Ａ）に示すフレキシブル配線基板２１を用
意し、次いで図２（Ａ）に示すように、半田層２８に対
応する部分に開口部４２を有するポリイミド等の樹脂シ
ートからなるスペーサ４１を絶縁膜２５上に貼り付け
る。この場合、スペーサ４１の厚さは、突起電極２７と
半田層２８の合計高さ０．２５ｍｍよりも小さく、例え
ば０．２ｍｍとなっている。したがって、図２（Ａ）に
示す状態では、半田層２８はスペーサ４１の表面側に
０．０５ｍｍ突出されることになる。なお、スペーサ４
１は、半田層２８を含む絶縁膜２５の上面全体にポリイ
ミド等からなる膜を塗布して形成し、次いでこの膜の半
田層２８と対応する部分にフォトリソグラフィにより開
口部を形成することにより、形成するようにしてもよ
い。
【００１１】次に、図２（Ｂ）に示すように、フレキシ
ブル配線基板２１の突起電極２７と回路基板３１の接続
端子３３とを半田層２８を介して接続する。この場合、
半田層２８の厚さを０．１５ｍｍと厚くしても、スペー
サ４１によって半田の流れを堰き止めることができるの
で、隣接する突起電極２７間でショートが発生しないよ
うにすることができる。また、回路基板３１の接続端子
３３の部分が凸凹している場合でも、図２（Ａ）に示す
状態においてスペーサ４１の表面側に突出している半田
の量を多くすることにより、接続不良が発生しないよう
にすることができる。
ブル配線基板２１の突起電極２７と回路基板３１の接続
端子３３とを半田層２８を介して接続する。この場合、
半田層２８の厚さを０．１５ｍｍと厚くしても、スペー
サ４１によって半田の流れを堰き止めることができるの
で、隣接する突起電極２７間でショートが発生しないよ
うにすることができる。また、回路基板３１の接続端子
３３の部分が凸凹している場合でも、図２（Ａ）に示す
状態においてスペーサ４１の表面側に突出している半田
の量を多くすることにより、接続不良が発生しないよう
にすることができる。
【００１２】なお、上記実施形態では、フレキシブル配
線基板２１の突起電極２７とハードな回路基板３１の接
続端子３３とを接続する場合について説明したが、これ
に限定されるものではない。例えば、シリコン基板等か
らなる半導体基板に形成された突起電極とフレキシブル
配線基板またはハードな回路基板に形成された接続端子
とを接続する場合にも、この発明を適用することができ
る。
線基板２１の突起電極２７とハードな回路基板３１の接
続端子３３とを接続する場合について説明したが、これ
に限定されるものではない。例えば、シリコン基板等か
らなる半導体基板に形成された突起電極とフレキシブル
配線基板またはハードな回路基板に形成された接続端子
とを接続する場合にも、この発明を適用することができ
る。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、半田層の厚さを厚くしても、この半田層を
熱処理により半田ボールとしているので、半田ボールが
溶融しても横方向に流れることがなく、したがって隣接
する突起電極間でショートが発生しないようにすること
ができる上、回路基板の接続端子の部分が凸凹している
場合でも、半田の量が多いので、接続不良が発生しない
ようにすることができる。また、請求項３記載の発明に
よれば、半田層の厚さを厚くしても、スペーサによって
半田の流れを堰き止めることができるので、隣接する突
起電極間でショートが発生しないようにすることができ
る上、回路基板の接続端子の部分が凸凹している場合で
も、半田の量が多いので、接続不良が発生しないように
することができる。
明によれば、半田層の厚さを厚くしても、この半田層を
熱処理により半田ボールとしているので、半田ボールが
溶融しても横方向に流れることがなく、したがって隣接
する突起電極間でショートが発生しないようにすること
ができる上、回路基板の接続端子の部分が凸凹している
場合でも、半田の量が多いので、接続不良が発生しない
ようにすることができる。また、請求項３記載の発明に
よれば、半田層の厚さを厚くしても、スペーサによって
半田の流れを堰き止めることができるので、隣接する突
起電極間でショートが発生しないようにすることができ
る上、回路基板の接続端子の部分が凸凹している場合で
も、半田の量が多いので、接続不良が発生しないように
することができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれこの発明の一実施形
態における突起電極を有する基板の接続方法の各工程を
示す断面図。
態における突起電極を有する基板の接続方法の各工程を
示す断面図。
【図２】（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれこの発明の一実
施形態における突起電極を有する基板の接続方法の各工
程を示す断面図。
施形態における突起電極を有する基板の接続方法の各工
程を示す断面図。
【図３】従来の突起電極を有する基板の接続方法を説明
するために示す断面図。
するために示す断面図。
２１ フレキシブル配線基板 ２４ 接続パツド ２５ 絶縁膜 ２６ 開口部 ２７ 突起電極 ２８ 半田層 ２９ 半田ボール ３１ 回路基板 ３３ 接続端子 ４１ スペーサ
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に形成されかつ該基板上に形成さ
れた絶縁膜に形成された開口部を介して露出された接続
パッド上に金属メッキからなる突起電極を形成し、この
突起電極の表面に半田メッキからなる半田層を前記突起
電極よりも厚く形成し、熱処理を行って前記半田層を一
旦溶融させた後固化させることにより、前記突起電極の
表面に半田ボールを形成し、この半田ボールを介して前
記突起電極を別の基板の接続端子に接続することを特徴
とする突起電極を有する基板の接続方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記熱処
理は、前記絶縁膜の開口部をフォトリソグラフィにより
形成する際のフォトマスクを用いてレーザを照射するこ
とにより行うことを特徴とする突起電極を有する基板の
接続方法。 - 【請求項３】 基板上に形成されかつ該基板上に形成さ
れた絶縁膜に形成された開口部を介して露出された接続
パッド上に金属メッキからなる突起電極を形成し、この
突起電極の表面に半田メッキからなる半田層を前記突起
電極よりも厚く形成し、この半田層の周囲における前記
絶縁膜上に前記突起電極と前記半田層の合計高さよりも
小さい厚さのスペーサを設け、この状態で前記半田層を
介して前記突起電極を別の基板の接続端子に接続するこ
とを特徴とする突起電極を有する基板の接続方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の発明において、前記スペ
ーサは前記絶縁膜上に貼り付けられた樹脂シートからな
ることを特徴とする突起電極を有する基板の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7262072A JPH0982759A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 突起電極を有する基板の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7262072A JPH0982759A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 突起電極を有する基板の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982759A true JPH0982759A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17370646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7262072A Pending JPH0982759A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 突起電極を有する基板の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982759A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3045697U (ja) * | 1997-07-28 | 1998-02-13 | 株式会社サトーセン | チップ搭載用パッケージ基板 |
| WO2006035548A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Rohm Co., Ltd. | 配線基板および半導体装置 |
| US7214887B2 (en) | 2003-05-19 | 2007-05-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic circuit connecting structure, and its connecting method |
| JP2010283404A (ja) * | 2010-09-27 | 2010-12-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013175775A (ja) * | 2013-05-02 | 2013-09-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US20160225730A1 (en) * | 2013-10-09 | 2016-08-04 | Waseda University | Electrode connection structure and electrode connection method |
-
1995
- 1995-09-18 JP JP7262072A patent/JPH0982759A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3045697U (ja) * | 1997-07-28 | 1998-02-13 | 株式会社サトーセン | チップ搭載用パッケージ基板 |
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| US7456502B2 (en) | 2004-09-29 | 2008-11-25 | Rohm Co., Ltd. | Wiring board with connection electrode formed in opening and semiconductor device using the same |
| KR101140518B1 (ko) * | 2004-09-29 | 2012-04-30 | 로무 가부시키가이샤 | 배선 기판 및 반도체 장치 |
| JP2010283404A (ja) * | 2010-09-27 | 2010-12-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013175775A (ja) * | 2013-05-02 | 2013-09-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US20160225730A1 (en) * | 2013-10-09 | 2016-08-04 | Waseda University | Electrode connection structure and electrode connection method |
| US9601448B2 (en) * | 2013-10-09 | 2017-03-21 | Waseda University | Electrode connection structure and electrode connection method |
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