JPH0982612A - 重ね合せずれの検査方法 - Google Patents
重ね合せずれの検査方法Info
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- JPH0982612A JPH0982612A JP7238365A JP23836595A JPH0982612A JP H0982612 A JPH0982612 A JP H0982612A JP 7238365 A JP7238365 A JP 7238365A JP 23836595 A JP23836595 A JP 23836595A JP H0982612 A JPH0982612 A JP H0982612A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来に比べてより正確な重ね合せずれの検査
方法を提供する。 【解決手段】 ウェハ面内で指定された最外周以外の単
位パターンのずれ量を測定した後、その測定したずれ量
に基づいて最外周パターンのずれ量を算出して、その最
外周パターンのずれ量を考慮して誤差データを算出す
る。それに基づいて重ね合せずれ量を検査する。
方法を提供する。 【解決手段】 ウェハ面内で指定された最外周以外の単
位パターンのずれ量を測定した後、その測定したずれ量
に基づいて最外周パターンのずれ量を算出して、その最
外周パターンのずれ量を考慮して誤差データを算出す
る。それに基づいて重ね合せずれ量を検査する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、重ね合せずれの
検査方法に関し、より特定的には、半導体ウェハ検査工
程におけるパターンの重ね合せずれの検査方法に関す
る。
検査方法に関し、より特定的には、半導体ウェハ検査工
程におけるパターンの重ね合せずれの検査方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置は
急速に微細化が進んでいる。特に、マスクやレチクルの
回路パターンを半導体ウェハに形成された回路パターン
の上に重ね合せて転写する露光装置にも益々高精度なも
のが要求されてきている。重ね合せ精度に対する要求
は、デバイスの集積度の増加に伴い０．２０μｍから
０．１０μｍの精度が要求されており、さらに最近では
０．１０μｍ以下の精度が要求されるようになってきて
いる。
急速に微細化が進んでいる。特に、マスクやレチクルの
回路パターンを半導体ウェハに形成された回路パターン
の上に重ね合せて転写する露光装置にも益々高精度なも
のが要求されてきている。重ね合せ精度に対する要求
は、デバイスの集積度の増加に伴い０．２０μｍから
０．１０μｍの精度が要求されており、さらに最近では
０．１０μｍ以下の精度が要求されるようになってきて
いる。
【０００３】図６〜図９は、従来の重ね合せずれの検査
に用いるずれ検出マークの製造プロセスを説明するため
の平面図である。図６および図８は、それぞれ第１およ
び第２のパターニング工程で用いるレチクルマスク１０
０および１１０を示した平面図である。
に用いるずれ検出マークの製造プロセスを説明するため
の平面図である。図６および図８は、それぞれ第１およ
び第２のパターニング工程で用いるレチクルマスク１０
０および１１０を示した平面図である。
【０００４】図６に示した第１のレチクルマスク１００
は、第１のマスクパターン１０１と、第１のずれ検出マ
ーク用パターン１０２と、位置合せマーク用パターン１
０３とを含んでいる。このような第１のレチクルマスク
１００を用いて転写を行なうことによって、ウェハ５０
の表面に、図７に示すように第１の形成パターン１、第
１のずれ検出マーク２および位置合せマーク３を形成す
る。
は、第１のマスクパターン１０１と、第１のずれ検出マ
ーク用パターン１０２と、位置合せマーク用パターン１
０３とを含んでいる。このような第１のレチクルマスク
１００を用いて転写を行なうことによって、ウェハ５０
の表面に、図７に示すように第１の形成パターン１、第
１のずれ検出マーク２および位置合せマーク３を形成す
る。
【０００５】図７に示した工程の後、所定の層の堆積な
どを経て、図８に示す第２のレチクルマスク１１０を用
いて再度転写を行なう。第２のレチクルマスク１１０
は、第２のマスクパターン１１１と、第２のずれ検出マ
ーク用パターン１１２とを含んでいる。このような第２
のレチクルマスク１１０を用いて転写を行なえば、図９
に示すような第２の形成パターン１１および第２のずれ
検出マーク１２が形成される。
どを経て、図８に示す第２のレチクルマスク１１０を用
いて再度転写を行なう。第２のレチクルマスク１１０
は、第２のマスクパターン１１１と、第２のずれ検出マ
ーク用パターン１１２とを含んでいる。このような第２
のレチクルマスク１１０を用いて転写を行なえば、図９
に示すような第２の形成パターン１１および第２のずれ
検出マーク１２が形成される。
【０００６】ここで、第１の形成パターン１と第２の形
成パターン１１との重ね合せずれの検出は、第１のずれ
検出マーク２と第２のずれ検出マーク１２とのずれ量を
求めることによって行なう。このような第１のずれ検出
マーク２と第２のずれ検出マーク１２とをＢｏｘ−ｉｎ
−Ｂｏｘマーク２０と呼んでいる。
成パターン１１との重ね合せずれの検出は、第１のずれ
検出マーク２と第２のずれ検出マーク１２とのずれ量を
求めることによって行なう。このような第１のずれ検出
マーク２と第２のずれ検出マーク１２とをＢｏｘ−ｉｎ
−Ｂｏｘマーク２０と呼んでいる。
【０００７】図１０は図９に示したＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏ
ｘマーク２０の部分を拡大した平面図であり、図１１は
図１０の７０−７０線に沿って取った断面図である。図
１１を参照して、ウェハ５０の主表面上には第１のずれ
検出マーク２に対応する第１の層２ａが形成されてお
り、その第１の層２ａを覆うように堆積膜３０が形成さ
れている。堆積膜３０上には第２のずれ検出マーク１２
に対応する第２の層１２ａが形成されている。第１のず
れ検出マーク２と第２のずれ検出マーク１２とのずれ量
の測定は、一般的には画像認識を用いる。光源として
は、キセノンランプのようなブロードバンド光を用い
る。そして、第１のずれ検出マーク２および第２のずれ
検出マーク１２のエッジ付近から反射してくる光強度を
検出することによって、第１のずれ検出マーク２と第２
のずれ検出マーク１２とのエッジ位置を認識する。そし
て、図１０に示す間隔ａと間隔ｂとを以下の式（１）に
当て嵌めて、第１の形成パターン１と第２の形成パター
ン１１とのずれ量を算出する。
ｘマーク２０の部分を拡大した平面図であり、図１１は
図１０の７０−７０線に沿って取った断面図である。図
１１を参照して、ウェハ５０の主表面上には第１のずれ
検出マーク２に対応する第１の層２ａが形成されてお
り、その第１の層２ａを覆うように堆積膜３０が形成さ
れている。堆積膜３０上には第２のずれ検出マーク１２
に対応する第２の層１２ａが形成されている。第１のず
れ検出マーク２と第２のずれ検出マーク１２とのずれ量
の測定は、一般的には画像認識を用いる。光源として
は、キセノンランプのようなブロードバンド光を用い
る。そして、第１のずれ検出マーク２および第２のずれ
検出マーク１２のエッジ付近から反射してくる光強度を
検出することによって、第１のずれ検出マーク２と第２
のずれ検出マーク１２とのエッジ位置を認識する。そし
て、図１０に示す間隔ａと間隔ｂとを以下の式（１）に
当て嵌めて、第１の形成パターン１と第２の形成パター
ン１１とのずれ量を算出する。
【０００８】ずれ量＝（ａ−ｂ）／２ … （１） このようにして、従来では、図９に示す第１の形成パタ
ーン１と第２の形成パターン１１との重ね合せずれ量が
検出されていた。
ーン１と第２の形成パターン１１との重ね合せずれ量が
検出されていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図９に示すような第１
の形成パターン１および第２の形成パターン１１からな
るパターンは、ウェハ５０上の各単位パターンごとに形
成される。したがって、各単位パターンごとに、Ｂｏｘ
−ｉｎ−Ｂｏｘマーク２０も形成される。具体的には、
図１２に示すように、ウェハ５０の表面には複数の単位
パターン５１ａおよび５１ｂが形成されており、各単位
パターン５１ａ，５１ｂにはＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマー
ク２０が形成されている。
の形成パターン１および第２の形成パターン１１からな
るパターンは、ウェハ５０上の各単位パターンごとに形
成される。したがって、各単位パターンごとに、Ｂｏｘ
−ｉｎ−Ｂｏｘマーク２０も形成される。具体的には、
図１２に示すように、ウェハ５０の表面には複数の単位
パターン５１ａおよび５１ｂが形成されており、各単位
パターン５１ａ，５１ｂにはＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマー
ク２０が形成されている。
【００１０】ところで、ウェハ５０の最外周に位置する
単位パターン５１ａのＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマーク２０
近傍では、外側（ウェハ５０の外周側）と内側（ウェハ
５０の中心側）とでパターン密度が異なる。すなわち、
最外周のＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマーク２０の内側では、
単位パターン５１ｂが存在するのでパターン密度は高い
が、最外周のＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマーク２０の外側で
は単位パターンが存在しないのでパターン密度が小さ
い。このように最外周のＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマーク２
０の内側の外側とではパターン密度に差があるため、Ｂ
ｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマーク２０部分に層を形成した場合
にその層の被覆特性（カバレッジ）が非対称になる場合
があるという不都合が生じる。
単位パターン５１ａのＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマーク２０
近傍では、外側（ウェハ５０の外周側）と内側（ウェハ
５０の中心側）とでパターン密度が異なる。すなわち、
最外周のＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマーク２０の内側では、
単位パターン５１ｂが存在するのでパターン密度は高い
が、最外周のＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマーク２０の外側で
は単位パターンが存在しないのでパターン密度が小さ
い。このように最外周のＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマーク２
０の内側の外側とではパターン密度に差があるため、Ｂ
ｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマーク２０部分に層を形成した場合
にその層の被覆特性（カバレッジ）が非対称になる場合
があるという不都合が生じる。
【００１１】図１３および図１４はこの状態を説明する
ための平面図および断面図であり、図１４は図１３の８
０−８０線に沿って取った断面図である。図１４を参照
して、第１の層２ａと第２の層１２ａとの位置は中心線
（点線）に対して対称である。しかし、中間層３０は中
心線に対して対称には形成されていないため、第１のず
れ検出マーク２と第２のずれ検出マーク１２とは図１３
に示されるような配置として認識されてしまう。したが
って、最外周に位置する単位パターンのＢｏｘ−ｉｎ−
Ｂｏｘマーク２０では、第１の層２ａと第２の層１２ａ
とが中心線に対して対称であるにもかかわらず、重ね合
せずれがあるような誤った測定が行なわれてしまう。こ
のため、従来では、重ね合せずれを測定する際には、ウ
ェハ５０の最外周に位置する単位パターン５１ａの重ね
合せずれは測定せずに、内側の単位パターン５１ｂのう
ちの所定の単位パターン５１ｂについて重ね合せずれを
測定していた。
ための平面図および断面図であり、図１４は図１３の８
０−８０線に沿って取った断面図である。図１４を参照
して、第１の層２ａと第２の層１２ａとの位置は中心線
（点線）に対して対称である。しかし、中間層３０は中
心線に対して対称には形成されていないため、第１のず
れ検出マーク２と第２のずれ検出マーク１２とは図１３
に示されるような配置として認識されてしまう。したが
って、最外周に位置する単位パターンのＢｏｘ−ｉｎ−
Ｂｏｘマーク２０では、第１の層２ａと第２の層１２ａ
とが中心線に対して対称であるにもかかわらず、重ね合
せずれがあるような誤った測定が行なわれてしまう。こ
のため、従来では、重ね合せずれを測定する際には、ウ
ェハ５０の最外周に位置する単位パターン５１ａの重ね
合せずれは測定せずに、内側の単位パターン５１ｂのう
ちの所定の単位パターン５１ｂについて重ね合せずれを
測定していた。
【００１２】しかしながら、通常重ね合せずれは、ウェ
ハ５０の最外周に行くほど大きくなるので、その最外周
の重ね合せずれデータを考慮しない場合には、正確な重
ね合せずれの検出ができないという問題点があった。ま
た、従来では、測定パターン５１ｂの数が少ない場合に
は、データの信頼性に欠け、その結果、正確なずれ量を
計測することが困難であるという問題点もあった。
ハ５０の最外周に行くほど大きくなるので、その最外周
の重ね合せずれデータを考慮しない場合には、正確な重
ね合せずれの検出ができないという問題点があった。ま
た、従来では、測定パターン５１ｂの数が少ない場合に
は、データの信頼性に欠け、その結果、正確なずれ量を
計測することが困難であるという問題点もあった。
【００１３】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたものであり、この発明の１つの目的は、
被処理基板の最外周の重ね合せずれデータを測定しない
場合でも、正確なずれ量の検出が可能な重ね合せずれの
検査方法を提供することである。
ためになされたものであり、この発明の１つの目的は、
被処理基板の最外周の重ね合せずれデータを測定しない
場合でも、正確なずれ量の検出が可能な重ね合せずれの
検査方法を提供することである。
【００１４】この発明のもう１つの目的は、測定データ
の数が少ない場合でも正確な重ね合せずれ量を算出する
ことが可能な重ね合せずれの検査方法を提供することで
ある。
の数が少ない場合でも正確な重ね合せずれ量を算出する
ことが可能な重ね合せずれの検査方法を提供することで
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明の１の局面によ
る重ね合せずれの検査方法では、その主表面に複数の単
位パターンが配列された被処理基板の重ね合せずれの検
査方法である。その重ね合せずれの検査方法では、被処
理基板の単位パターンのうち、被処理基板の最外周に位
置する単位パターン以外の所定の複数の単位パターンに
おける重ね合せずれデータを測定する。その測定した重
ね合せずれデータに基づいて所定の誤差パラメータを算
出する。その誤差パラメータに基づいて、重ね合せずれ
データが測定された単位パターンの線形誤差としての第
１の線形誤差成分を算出する。測定された重ね合せずれ
データのそれぞれから、対応する算出された第１の線形
誤差成分を引くことによって、重ね合せずれデータが測
定された単位パターンのランダム誤差としての第１のラ
ンダム誤差成分を算出する。上記した誤差パラメータに
基づいて、被処理基板の最外周に位置する単位パターン
の線形誤差としての第２の線形誤差成分を算出する。１
のランダム誤差成分に基づいて、上記した第２の線形誤
差成分に対応する第２のランダム誤差成分を算出する。
第２の線形誤差成分のそれぞれと、対応する第２のラン
ダム誤差成分とを足すことによって、誤差データを算出
する。本発明ではこのように、被処理基板の最外周に位
置する単位パターン以外の単位パターンにおける重ね合
せデータを測定した後、その測定データに基づいて被処
理基板の最外周に位置する単位パターンの第２の線形誤
差成分が算出され、その第２線形誤差成分とそれに対応
する第２のランダム誤差成分とを足すことによって誤差
データが算出されるので、最外周の誤差データを考慮し
た重ね合せずれ量の検査が行なわれる。これにより、従
来に比べてより正確な重ね合せずれの検査を行なうこと
ができる。
る重ね合せずれの検査方法では、その主表面に複数の単
位パターンが配列された被処理基板の重ね合せずれの検
査方法である。その重ね合せずれの検査方法では、被処
理基板の単位パターンのうち、被処理基板の最外周に位
置する単位パターン以外の所定の複数の単位パターンに
おける重ね合せずれデータを測定する。その測定した重
ね合せずれデータに基づいて所定の誤差パラメータを算
出する。その誤差パラメータに基づいて、重ね合せずれ
データが測定された単位パターンの線形誤差としての第
１の線形誤差成分を算出する。測定された重ね合せずれ
データのそれぞれから、対応する算出された第１の線形
誤差成分を引くことによって、重ね合せずれデータが測
定された単位パターンのランダム誤差としての第１のラ
ンダム誤差成分を算出する。上記した誤差パラメータに
基づいて、被処理基板の最外周に位置する単位パターン
の線形誤差としての第２の線形誤差成分を算出する。１
のランダム誤差成分に基づいて、上記した第２の線形誤
差成分に対応する第２のランダム誤差成分を算出する。
第２の線形誤差成分のそれぞれと、対応する第２のラン
ダム誤差成分とを足すことによって、誤差データを算出
する。本発明ではこのように、被処理基板の最外周に位
置する単位パターン以外の単位パターンにおける重ね合
せデータを測定した後、その測定データに基づいて被処
理基板の最外周に位置する単位パターンの第２の線形誤
差成分が算出され、その第２線形誤差成分とそれに対応
する第２のランダム誤差成分とを足すことによって誤差
データが算出されるので、最外周の誤差データを考慮し
た重ね合せずれ量の検査が行なわれる。これにより、従
来に比べてより正確な重ね合せずれの検査を行なうこと
ができる。
【００１６】この発明の他の局面による重ね合せずれの
検査方法では、被処理基板の単位パターンのうち被処理
基板の最外周に位置する単位パターン以外の所定の複数
の単位パターンにおける重ね合せずれデータを測定す
る。その測定した重ね合せずれデータに基づいて所定の
誤差パラメータを算出する。その誤差パラメータに基づ
いて、重ね合せずれデータが測定された単位パターンの
線形誤差としての第１の線形誤差成分を算出する。測定
された重ね合せずれデータのそれぞれから、対応する上
記算出された第１の線形誤差成分を引くことによって、
重ね合せずれデータが測定された単位パターンのランダ
ム誤差としての第１のランダム誤差成分を算出する。上
記誤差パラメータに基づいて、被処理基板のすべての単
位パターンの線形誤差としての第２の線形誤差成分を算
出する。重ね合せずれデータが測定された単位パターン
の第１のランダム誤差成分に基づいて、上記第２の線形
誤差成分に対応する第２のランダム誤差成分を算出す
る。すべての単位パターンの第２の線形誤差成分のそれ
ぞれと、それに対応する第２のランダム誤差成分とを足
すことによって、すべての単位パターンの誤差データを
算出する。本発明では、このように、最外周に位置する
単位パターン以外の所定の単位パターンにおける重ね合
せずれデータを測定した後、その測定データに基づいて
すべての単位パターンの第２の線形誤差成分と第２のラ
ンダム誤差成分とが算出され、その算出結果に基づいて
すべての単位パターンの誤差データが求められるので、
最外周の単位パターンを含むすべての単位パターンのず
れ量が考慮されてずれ量が求められる。これにより、従
来に比べてより正確に重ね合せずれ量を検査することが
可能となる。また、測定精度が向上するので、測定工程
における歩留りも向上する。
検査方法では、被処理基板の単位パターンのうち被処理
基板の最外周に位置する単位パターン以外の所定の複数
の単位パターンにおける重ね合せずれデータを測定す
る。その測定した重ね合せずれデータに基づいて所定の
誤差パラメータを算出する。その誤差パラメータに基づ
いて、重ね合せずれデータが測定された単位パターンの
線形誤差としての第１の線形誤差成分を算出する。測定
された重ね合せずれデータのそれぞれから、対応する上
記算出された第１の線形誤差成分を引くことによって、
重ね合せずれデータが測定された単位パターンのランダ
ム誤差としての第１のランダム誤差成分を算出する。上
記誤差パラメータに基づいて、被処理基板のすべての単
位パターンの線形誤差としての第２の線形誤差成分を算
出する。重ね合せずれデータが測定された単位パターン
の第１のランダム誤差成分に基づいて、上記第２の線形
誤差成分に対応する第２のランダム誤差成分を算出す
る。すべての単位パターンの第２の線形誤差成分のそれ
ぞれと、それに対応する第２のランダム誤差成分とを足
すことによって、すべての単位パターンの誤差データを
算出する。本発明では、このように、最外周に位置する
単位パターン以外の所定の単位パターンにおける重ね合
せずれデータを測定した後、その測定データに基づいて
すべての単位パターンの第２の線形誤差成分と第２のラ
ンダム誤差成分とが算出され、その算出結果に基づいて
すべての単位パターンの誤差データが求められるので、
最外周の単位パターンを含むすべての単位パターンのず
れ量が考慮されてずれ量が求められる。これにより、従
来に比べてより正確に重ね合せずれ量を検査することが
可能となる。また、測定精度が向上するので、測定工程
における歩留りも向上する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００１８】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１の重ね合せずれの検査方法を説明するためのフロ
ーチャート図である。図２は、実際に測定するパターン
と、本来測定すべきパターンとを説明するための平面図
である。図１および図２を参照して、以下に実施の形態
１による重ね合せずれの検査フローについて説明する。
まず、図２に示されたような最外周に位置しない９つの
単位パターン５１ｂ（測定パターン）について重ね合せ
ずれ量を測定する（ステップ１）。この測定した９ショ
ットのずれ量のショット位置座標と測定ずれ量とが以下
の表１に示される。
形態１の重ね合せずれの検査方法を説明するためのフロ
ーチャート図である。図２は、実際に測定するパターン
と、本来測定すべきパターンとを説明するための平面図
である。図１および図２を参照して、以下に実施の形態
１による重ね合せずれの検査フローについて説明する。
まず、図２に示されたような最外周に位置しない９つの
単位パターン５１ｂ（測定パターン）について重ね合せ
ずれ量を測定する（ステップ１）。この測定した９ショ
ットのずれ量のショット位置座標と測定ずれ量とが以下
の表１に示される。
【００１９】
【表１】
【００２０】上記表１を参照して、ショット位置座標の
Ｘ座標およびＹ座標は、それぞれ、図２に示された−３
〜３のＸ座標と−２〜２のＹ座標とに対応する。表１に
示した測定ずれ量Ｍ１〜Ｍ９に基づいて、６つの誤差パ
ラメータ（Ｘオフセット，Ｙオフセット，Ｘスケーリン
グ，Ｙスケーリング，Ｘローテーション，Ｙローテーシ
ョン）を導出する。ここで、Ｘオフセットとは、ウェハ
５０全体のＸ軸方向へのずれ量を意味し、Ｙオフセット
は、ウェハ５０全体のＹ軸方向へのずれ量を意味する。
また、Ｘスケーリングは、ウェハ５０のＸ軸方向の伸縮
によるずれ量を意味し、Ｙスケーリングは、ウェハ５０
のＹ軸方向の伸縮によるずれ量を意味する。さらに、Ｘ
ローテーションは、ウェハ５０のＸ軸の回転によるずれ
量を意味し、Ｙローテーションはウェハ５０のＹ軸の回
転によるずれ量を意味する。測定ずれ量Ｍ１〜Ｍ９に基
づく計算の結果、上記した６つの誤差パラメータは以下
の値になる。
Ｘ座標およびＹ座標は、それぞれ、図２に示された−３
〜３のＸ座標と−２〜２のＹ座標とに対応する。表１に
示した測定ずれ量Ｍ１〜Ｍ９に基づいて、６つの誤差パ
ラメータ（Ｘオフセット，Ｙオフセット，Ｘスケーリン
グ，Ｙスケーリング，Ｘローテーション，Ｙローテーシ
ョン）を導出する。ここで、Ｘオフセットとは、ウェハ
５０全体のＸ軸方向へのずれ量を意味し、Ｙオフセット
は、ウェハ５０全体のＹ軸方向へのずれ量を意味する。
また、Ｘスケーリングは、ウェハ５０のＸ軸方向の伸縮
によるずれ量を意味し、Ｙスケーリングは、ウェハ５０
のＹ軸方向の伸縮によるずれ量を意味する。さらに、Ｘ
ローテーションは、ウェハ５０のＸ軸の回転によるずれ
量を意味し、Ｙローテーションはウェハ５０のＹ軸の回
転によるずれ量を意味する。測定ずれ量Ｍ１〜Ｍ９に基
づく計算の結果、上記した６つの誤差パラメータは以下
の値になる。
【００２１】Ｘオフセット＝−０．０３８７８μｍ Ｙオフセット＝−０．０４１２２μｍ Ｘスケーリング＝０．１１０１７ｐｐｍ Ｙスケーリング＝−０．１４７４９ｐｐｍ Ｘローテーション＝０．５０１４７μｒａｄ Ｙローテーション＝０．１２５９１μｒａｄ これら６つの誤差パラメータは、最小二乗法を用いるこ
とによって上記した測定ずれ量Ｍ１〜Ｍ９から容易に求
めることができる。測定したずれデータから最小二乗法
を用いて誤差パラメータを用いる方法は、既に知られて
おり、たとえば、特開平６−３４９７０５に詳しく開示
されている。
とによって上記した測定ずれ量Ｍ１〜Ｍ９から容易に求
めることができる。測定したずれデータから最小二乗法
を用いて誤差パラメータを用いる方法は、既に知られて
おり、たとえば、特開平６−３４９７０５に詳しく開示
されている。
【００２２】上記導出した６つの誤差パラメータを、以
下の式（２），（３）に当て嵌めることによって、測定
データの線形誤差成分ΔＸおよびΔＹを計算する。
下の式（２），（３）に当て嵌めることによって、測定
データの線形誤差成分ΔＸおよびΔＹを計算する。
【００２３】 ΔＸ＝Ｘオフセット＋Ｘ座標・Ｘスケーリング＋Ｘ座標・Ｘローテーション… （２） ΔＹ＝Ｙオフセット＋Ｙ座標・Ｙスケーリング＋Ｙ座標・Ｙローテーション… （３） 上記式（２）および（３）によって求めた測定ずれ量の
線形誤差成分ΔＸおよびΔＹを、表１に示した測定ずれ
量（Ｍ１〜Ｍ９）のＸ成分およびＹ成分からそれぞれ引
く。それにより、以上の表２に示される測定ずれ量のラ
ンダム誤差成分（Ｒ１〜Ｒ９）を算出する（ステップ
３）。
線形誤差成分ΔＸおよびΔＹを、表１に示した測定ずれ
量（Ｍ１〜Ｍ９）のＸ成分およびＹ成分からそれぞれ引
く。それにより、以上の表２に示される測定ずれ量のラ
ンダム誤差成分（Ｒ１〜Ｒ９）を算出する（ステップ
３）。
【００２４】
【表２】
【００２５】次に、本来測定すべきパターン（ショッ
ト）５１ａ（図２参照）における線形誤差成分（Ｂ１〜
Ｂ９）を、ステップ２で求めた誤差パラメータと式
（２）および式（３）を用いて導出する（ステップ
４）。この最外周ショットの線形誤差成分（Ｂ１〜Ｂ
９）は、以下の表３に表わされる。
ト）５１ａ（図２参照）における線形誤差成分（Ｂ１〜
Ｂ９）を、ステップ２で求めた誤差パラメータと式
（２）および式（３）を用いて導出する（ステップ
４）。この最外周ショットの線形誤差成分（Ｂ１〜Ｂ
９）は、以下の表３に表わされる。
【００２６】
【表３】
【００２７】次に、ステップ３によって求められた測定
ずれ量のランダム誤差成分（Ｒ１〜Ｒ９）のバラツキ幅
（レンジ）は９個のデータであるので正規分布であると
仮定すると統計学上約３σ（正確には２．９７０σ）に
なる。その測定ずれ量のランダム誤差成分（Ｒ１〜Ｒ
９）のレンジを２倍することによりレンジを６σにす
る。そして、その６σにしたレンジでのデータ分布に乱
数を対応させることによって、ステップ４で求めた線形
誤差成分のショット数（９）に対応するランダム誤差成
分（Ｓ１〜Ｓ９）を作成する（ステップ５）。そのラン
ダム誤差成分（Ｓ１〜Ｓ９）は以下の表４によって表わ
される。なお、本実施の形態では測定データが９個であ
り、統計学上そのレンジは約３σであるので、そのレン
ジを６σにするためにランダム誤差成分のレンジを２倍
したが、本発明にこれに限らず、測定データの数によっ
て統計学上のレンジは定められているので、そのレンジ
が６σになるような倍数をそのレンジに掛けてレンジを
広げるようにすればよい。たとえば、測定データが４個
の場合には、レンジが約２σになるのでそのレンジを３
倍して６σになるようにする。測定データ数（ｎ）と測
定データのバラツキ範囲（ｄ2 ・σ）との関係は、たと
えば、「ＳＱＣ論理と実際」（朝倉書店）（１９９２年
発行）のｐ２８の表３．２に示されている。
ずれ量のランダム誤差成分（Ｒ１〜Ｒ９）のバラツキ幅
（レンジ）は９個のデータであるので正規分布であると
仮定すると統計学上約３σ（正確には２．９７０σ）に
なる。その測定ずれ量のランダム誤差成分（Ｒ１〜Ｒ
９）のレンジを２倍することによりレンジを６σにす
る。そして、その６σにしたレンジでのデータ分布に乱
数を対応させることによって、ステップ４で求めた線形
誤差成分のショット数（９）に対応するランダム誤差成
分（Ｓ１〜Ｓ９）を作成する（ステップ５）。そのラン
ダム誤差成分（Ｓ１〜Ｓ９）は以下の表４によって表わ
される。なお、本実施の形態では測定データが９個であ
り、統計学上そのレンジは約３σであるので、そのレン
ジを６σにするためにランダム誤差成分のレンジを２倍
したが、本発明にこれに限らず、測定データの数によっ
て統計学上のレンジは定められているので、そのレンジ
が６σになるような倍数をそのレンジに掛けてレンジを
広げるようにすればよい。たとえば、測定データが４個
の場合には、レンジが約２σになるのでそのレンジを３
倍して６σになるようにする。測定データ数（ｎ）と測
定データのバラツキ範囲（ｄ2 ・σ）との関係は、たと
えば、「ＳＱＣ論理と実際」（朝倉書店）（１９９２年
発行）のｐ２８の表３．２に示されている。
【００２８】
【表４】
【００２９】次に、ステップ４で求めた線形誤差成分
（Ｂ１〜Ｂ９）と、ステップ５で求めたランダム誤差成
分（Ｓ１〜Ｓ９）とを足すことによって最終の誤差デー
タ（Ｎｅ１〜Ｎｅ９）を導出する（ステップ６）。この
導出した最終誤差データ（Ｎｅ１〜Ｎｅ９）が以下の表
５に示される。
（Ｂ１〜Ｂ９）と、ステップ５で求めたランダム誤差成
分（Ｓ１〜Ｓ９）とを足すことによって最終の誤差デー
タ（Ｎｅ１〜Ｎｅ９）を導出する（ステップ６）。この
導出した最終誤差データ（Ｎｅ１〜Ｎｅ９）が以下の表
５に示される。
【００３０】
【表５】
【００３１】この後、上記ステップ６により求められた
誤差データに基づいて、平均ずれ量およびずれ量の標準
偏差を求める。具体的には、平均ずれ量は、誤差データ
（Ｎｅ１〜Ｎｅ９）の平均によって求める。その一方、
ずれ量の標準偏差は以下のようにして求める。
誤差データに基づいて、平均ずれ量およびずれ量の標準
偏差を求める。具体的には、平均ずれ量は、誤差データ
（Ｎｅ１〜Ｎｅ９）の平均によって求める。その一方、
ずれ量の標準偏差は以下のようにして求める。
【００３２】図３はウェハの各単位パターン（ショッ
ト）に番号を付した状態を示した平面図であり、図４は
図３のショット番号と、そのショット番号におけるずれ
量との関係を示す相関図である。図３および図４を参照
して、ウェハ５０面内のずれ量の分布は、ウェハ５０の
外周に近いショットほどずれ量が大きくなる傾向にあ
る。したがって、ステップ４の最外周ショットの線形誤
差成分に基づいて導出されたステップ６の最終誤差デー
タ（Ｎｅ１〜Ｎｅ９）は、そのデータのレンジ（最大値
と最小値との差）は、６σとみることができる。このこ
とより、ずれ量の３σは、以下の式（４）により表わさ
れる。
ト）に番号を付した状態を示した平面図であり、図４は
図３のショット番号と、そのショット番号におけるずれ
量との関係を示す相関図である。図３および図４を参照
して、ウェハ５０面内のずれ量の分布は、ウェハ５０の
外周に近いショットほどずれ量が大きくなる傾向にあ
る。したがって、ステップ４の最外周ショットの線形誤
差成分に基づいて導出されたステップ６の最終誤差デー
タ（Ｎｅ１〜Ｎｅ９）は、そのデータのレンジ（最大値
と最小値との差）は、６σとみることができる。このこ
とより、ずれ量の３σは、以下の式（４）により表わさ
れる。
【００３３】 ３σ＝ステップ６のデータのレンジ／２ … （４） 上記の実施の形態１の重ね合せずれ量の算出方法によれ
ば、最外周ショットのずれデータを実際に測定しない場
合でも、計算上最外周ショットのずれデータを考慮する
ことができるので、従来に比べてより正確なずれ量を検
査することができる。また、測定データの数が少ない場
合であっても、真のデータに近いずれ量を算出すること
ができるので、ウェハの合否判定の精度を向上させるこ
とができ、その結果、歩留りが向上するという効果も得
られる。
ば、最外周ショットのずれデータを実際に測定しない場
合でも、計算上最外周ショットのずれデータを考慮する
ことができるので、従来に比べてより正確なずれ量を検
査することができる。また、測定データの数が少ない場
合であっても、真のデータに近いずれ量を算出すること
ができるので、ウェハの合否判定の精度を向上させるこ
とができ、その結果、歩留りが向上するという効果も得
られる。
【００３４】（実施の形態２）図５は、本発明の実施の
形態２による重ね合せずれの検査方法を説明するための
フローチャート図である。図５を参照して、この実施の
形態２では、ステップ１〜ステップ３は図１に示した実
施の形態２のステップ１〜ステップ３と同様の処理を行
なう。
形態２による重ね合せずれの検査方法を説明するための
フローチャート図である。図５を参照して、この実施の
形態２では、ステップ１〜ステップ３は図１に示した実
施の形態２のステップ１〜ステップ３と同様の処理を行
なう。
【００３５】この後、実施の形態２では、図５のステッ
プ４に示すように、ウェハ面内のすべてのショットに対
する線形誤差成分（Ｂ１〜Ｂ３１）をステップ２で求め
た誤差パラメータに基づいて導出する。
プ４に示すように、ウェハ面内のすべてのショットに対
する線形誤差成分（Ｂ１〜Ｂ３１）をステップ２で求め
た誤差パラメータに基づいて導出する。
【００３６】ステップ３により求めた測定ずれ量のラン
ダム誤差成分（Ｒ１〜Ｒ９）のレンジは、正規分布と仮
定すると、測定データ数が９個であることから統計学上
約３σであると考えられる。したがってそのレンジを６
σにするためにランダム誤差成分（Ｒ１〜Ｒ９）のレン
ジを２倍し、それらのデータ分布に乱数を対応させる。
そして、ステップ４で求められたショット数に対応する
ランダム誤差成分（Ｓ１〜Ｓ３１）を求める（ステップ
５）。
ダム誤差成分（Ｒ１〜Ｒ９）のレンジは、正規分布と仮
定すると、測定データ数が９個であることから統計学上
約３σであると考えられる。したがってそのレンジを６
σにするためにランダム誤差成分（Ｒ１〜Ｒ９）のレン
ジを２倍し、それらのデータ分布に乱数を対応させる。
そして、ステップ４で求められたショット数に対応する
ランダム誤差成分（Ｓ１〜Ｓ３１）を求める（ステップ
５）。
【００３７】次に、ステップ４の線形誤差成分（Ｂ１〜
Ｂ３１）と、ステップ５のランダム誤差成分（Ｓ１〜Ｓ
３１）とを足すことによって、最終誤差データ（Ｎｅ１
〜Ｎｅ３１）が求められる（ステップ６）。
Ｂ３１）と、ステップ５のランダム誤差成分（Ｓ１〜Ｓ
３１）とを足すことによって、最終誤差データ（Ｎｅ１
〜Ｎｅ３１）が求められる（ステップ６）。
【００３８】最後に、ステップ６により求められた誤差
データに基づいて平均ずれ量およびずれ量の標準偏差を
求める。
データに基づいて平均ずれ量およびずれ量の標準偏差を
求める。
【００３９】この実施の形態２では、９ショットのずれ
量を実際に測定した後、全ショットに対応する線形誤差
成分を導出して最終誤差データを求めるので、実施の形
態１に比べてより真のデータに近いずれ量を算出するこ
とができる。これにより、実施の形態１よりもさらに、
ウェハロットの合否の判定の精度を向上させることがで
き、その結果より優れた歩留り向上の効果を得ることが
できる。
量を実際に測定した後、全ショットに対応する線形誤差
成分を導出して最終誤差データを求めるので、実施の形
態１に比べてより真のデータに近いずれ量を算出するこ
とができる。これにより、実施の形態１よりもさらに、
ウェハロットの合否の判定の精度を向上させることがで
き、その結果より優れた歩留り向上の効果を得ることが
できる。
【００４０】今回開示された実施の形態はすべての点で
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の
範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味およ
び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
例示であって制限的なものではないと考えられるべきで
ある。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の
範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味およ
び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図され
る。
【図１】 本発明の実施の形態１による重ね合せずれの
検査方法を説明するためのフローチャート図である。
検査方法を説明するためのフローチャート図である。
【図２】 実際に測定するパターンと本来測定すべきパ
ターンとを示した平面図である。
ターンとを示した平面図である。
【図３】 ウェハの表面に位置する複数の単位パターン
の配列を示した平面図である。
の配列を示した平面図である。
【図４】 図３に示した単位パターンのショット番号と
ずれ量との関係を示した相関図である。
ずれ量との関係を示した相関図である。
【図５】 本発明の実施の形態２による重ね合せずれの
検査方法を説明するためのフローチャート図である。
検査方法を説明するためのフローチャート図である。
【図６】 従来の重ね合せパターンの製造方法に用いる
第１のレチクルマスクを示した平面図である。
第１のレチクルマスクを示した平面図である。
【図７】 図６に示した第１のレチクルマスクによって
形成された第１の形成パターンを示した平面図である。
形成された第１の形成パターンを示した平面図である。
【図８】 従来の重ね合せパターンの製造方法に用いる
第２のレチクルマスクを示した平面図である。
第２のレチクルマスクを示した平面図である。
【図９】 図７に示した第１の形成パターンの上に図８
に示した第２のレチクルマスクを用いて形成した第２の
形成パターンを示した平面図である。
に示した第２のレチクルマスクを用いて形成した第２の
形成パターンを示した平面図である。
【図１０】 図９に示した第１形成パターンと第２の形
成パターンとの重ね合せずれを検査するためのＢｏｘ−
ｉｎ−Ｂｏｘマークを示した平面図である。
成パターンとの重ね合せずれを検査するためのＢｏｘ−
ｉｎ−Ｂｏｘマークを示した平面図である。
【図１１】 図１０に示したＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマー
クの７０−７０線に沿った断面図である。
クの７０−７０線に沿った断面図である。
【図１２】 従来の重ね合せずれを検査する測定パター
ンを示した平面図である。
ンを示した平面図である。
【図１３】 従来の重ね合せずれの検査方法の問題点を
説明するための平面図である。
説明するための平面図である。
【図１４】 図１３に示したＢｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマー
クの８０−８０線に沿った断面図である。
クの８０−８０線に沿った断面図である。
５０ ウェハ、５１ａ 最外周パターン、５１ｂ 最外
周以外のパターン。
周以外のパターン。
Claims (10)
- 【請求項１】 その主表面に複数の単位パターンが配列
された被処理基板の重ね合せずれの検査方法であって、 前記被処理基板の単位パターンのうち、前記被処理基板
の最外周に位置する単位パターン以外の所定の複数の単
位パターンにおける重ね合せずれデータを測定するステ
ップと、 前記測定した重ね合せずれデータに基づいて、所定の誤
差パラメータを算出するステップと、 前記誤差パラメータに基づいて、前記重ね合せずれデー
タが測定された単位パターンの線形誤差としての第１の
線形誤差成分を算出するステップと、 前記測定された重ね合せずれデータのそれぞれから、対
応する前記算出された第１の線形誤差成分を引くことに
よって、前記重ね合せずれデータが測定された単位パタ
ーンのランダム誤差としての第１のランダム誤差成分を
算出するステップと、 前記誤差パラメータに基づいて、前記被処理基板の最外
周に位置する単位パターンの線形誤差としての第２の線
形誤差成分を算出するステップと、 前記第１のランダム誤差成分に基づいて、前記第２の線
形誤差成分に対応する第２のランダム誤差成分を算出す
るステップと、 前記第２の線形誤差成分のそれぞれと、対応する前記第
２のランダム誤差成分とを足すことによって、誤差デー
タを算出するステップとを備えた、重ね合せずれの検査
方法。 - 【請求項２】 前記重ね合せずれデータが測定される複
数の単位パターンは、前記被処理基板の中心に対して対
称に配置されている、請求項１に記載の重ね合せずれの
検査方法。 - 【請求項３】 前記誤差パラメータは、 前記被処理基板の直交ＸＹ軸のうちのＸ軸方向へのずれ
であるＸオフセット誤差と、 前記被処理基板の直交ＸＹ軸のうちのＹ軸方向へのずれ
であるＹオフセット誤差と、 前記被処理基板のＸ軸方向の伸縮によるずれであるＸ伸
縮誤差と、 前記被処理基板のＹ軸方向の伸縮によるずれであるＹ伸
縮誤差と、 前記被処理基板のＸ軸の回転によるずれであるＸ回転誤
差と、 前記被処理基板のＹ軸の回転によるずれであるＹ回転誤
差とを含み、 前記６つの誤差パラメータは、前記測定した重ね合せず
れデータに基づいて最小二乗法によって算出する、請求
項１に記載の重ね合せずれの検査方法。 - 【請求項４】 前記第２のランダム誤差成分は、前記第
１のランダム誤差成分の最大値と最小値の差であるバラ
ツキ範囲が６×標準偏差になるように前記第１のランダ
ム誤差成分のバラツキ範囲を所定倍した後、そのバラツ
キ範囲での前記第１のランダム誤差成分のデータ分布に
乱数を対応させることによって算出する、請求項１に記
載の重ね合せずれの検査方法。 - 【請求項５】 さらに、前記誤差データの平均をとるこ
とにより平均ずれ量を求めるとともに、前記誤差データ
の最大値と最小値との差であるバラツキ範囲を２で除す
ることによってずれ量の３×標準偏差を求める、請求項
１に記載の重ね合せずれの検査方法。 - 【請求項６】 その主表面に複数の単位パターンが配列
された被処理基板の重ね合せずれの検査方法であって、 前記被処理基板の単位パターンのうち、前記被処理基板
の最外周に位置する単位パターン以外の所定の複数の単
位パターンにおける重ね合せずれデータを測定するステ
ップと、 前記測定した重ね合せずれデータに基づいて、所定の誤
差パラメータを算出するステップと、 前記誤差パラメータに基づいて、前記重ね合せずれデー
タが測定された単位パターンの線形誤差としての第１の
線形誤差成分を算出するステップと、 前記測定された重ね合せずれデータのそれぞれから、対
応する前記算出された第１の線形誤差成分を引くことに
よって、前記重ね合せずれデータが測定された単位パタ
ーンのランダム誤差としての第１のランダム誤差成分を
算出するステップと、 前記誤差パラメータに基づいて、前記被処理基板のすべ
ての単位パターンの線形誤差としての第２の線形誤差成
分を算出するステップと、 前記重ね合せずれデータが測定された単位パターンの第
１のランダム誤差成分に基づいて、前記第２の線形誤差
成分に対応する第２のランダム誤差成分を算出するステ
ップと、 前記すべての単位パターンの第２の線形誤差成分のそれ
ぞれと、対応する前記第２のランダム誤差成分とを足す
ことによって、前記すべての単位パターンの誤差データ
を算出するステップとを備えた、重ね合せずれの検査方
法。 - 【請求項７】 前記重ね合せずれデータが測定される複
数の単位パターンは、前記被処理基板の中心に対して対
称に配置されている、請求項６に記載の重ね合せずれの
検査方法。 - 【請求項８】 前記誤差パラメータは、 前記被処理基板の直交ＸＹ軸のうちのＸ軸方向へのずれ
であるＸオフセット誤差と、 前記被処理基板の直交ＸＹ軸のうちのＹ軸方向へのずれ
であるＹオフセット誤差と、 前記被処理基板のＸ軸方向の伸縮によるずれであるＸ伸
縮誤差と、 前記被処理基板のＹ軸方向の伸縮によるずれであるＹ伸
縮誤差と、 前記被処理基板のＸ軸の回転によるずれであるＸ回転誤
差と、 前記被処理基板のＹ軸の回転によるずれであるＹ回転誤
差とを含み、 前記６つの誤差パラメータは、前記測定した重ね合せず
れデータに基づいて最小二乗法によって算出される、請
求項６に記載の重ね合せずれの検査方法。 - 【請求項９】 前記第２のランダム誤差成分は、前記第
１のランダム誤差成分の最大値と最小値の差であるバラ
ツキ範囲が６×標準偏差になるように前記第１のランダ
ム誤差成分のバラツキ範囲を所定倍した後、そのバラツ
キ範囲での前記第１のランダム誤差成分のデータ分布に
乱数を対応させることによって算出する、請求項６に記
載の重ね合せずれの検査方法。 - 【請求項１０】 さらに、前記すべての単位パターンの
誤差データの平均をとることによって平均ずれ量を求め
るとともに、前記すべての単位パターンの誤差データに
基づいてずれ量の標準偏差を算出する、請求項６に記載
の重ね合せずれの検査方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7238365A JPH0982612A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 重ね合せずれの検査方法 |
| US08/615,764 US5671165A (en) | 1995-09-18 | 1996-03-14 | Method of determining position offset of a pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7238365A JPH0982612A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 重ね合せずれの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982612A true JPH0982612A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17029113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7238365A Pending JPH0982612A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 重ね合せずれの検査方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5671165A (ja) |
| JP (1) | JPH0982612A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003124110A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-04-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 工程装置の制御方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195914A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Mitsubishi Electric Corp | ロット判定装置、方法および記録媒体 |
| US6498863B1 (en) | 2000-09-20 | 2002-12-24 | Media Cybernetics Inc. | Method, system, and product for analyzing a digitized image of an array to create an image of a grid overlay |
| US6774620B2 (en) * | 2000-11-13 | 2004-08-10 | Advantest Corp | Wafer map display apparatus and method for semiconductor test system for displaying an image of wafer and IC chips with optimum display size |
| KR100486410B1 (ko) * | 2002-04-29 | 2005-04-29 | 주식회사 미르기술 | 회로기판 검사장치용 자동티칭방법 |
| EP1564792A3 (en) * | 2004-02-13 | 2006-11-02 | Assembléon N.V. | Method and device for estimating a component placement position on a substrate |
| US7085673B2 (en) * | 2004-08-31 | 2006-08-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Displacement estimation system and method |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4342090A (en) * | 1980-06-27 | 1982-07-27 | International Business Machines Corp. | Batch chip placement system |
| JPH01243419A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | 位置合わせ方法 |
| JPH06144429A (ja) * | 1992-11-10 | 1994-05-24 | Murata Mach Ltd | ボックスの蓋開閉装置 |
| JP3289264B2 (ja) * | 1993-06-08 | 2002-06-04 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
| JPH06302496A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Nikon Corp | 位置合わせ方法 |
-
1995
- 1995-09-18 JP JP7238365A patent/JPH0982612A/ja active Pending
-
1996
- 1996-03-14 US US08/615,764 patent/US5671165A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003124110A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-04-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 工程装置の制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5671165A (en) | 1997-09-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040427 |