JPH10214877A - アライメント精度向上法 - Google Patents

アライメント精度向上法

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JPH10214877A
JPH10214877A JP1629297A JP1629297A JPH10214877A JP H10214877 A JPH10214877 A JP H10214877A JP 1629297 A JP1629297 A JP 1629297A JP 1629297 A JP1629297 A JP 1629297A JP H10214877 A JPH10214877 A JP H10214877A
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Yoshikatsu Tomimatsu
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アライメント精度を向上させることができる
ように改良されたアライメント精度向上法を提供するこ
と。 【解決手段】 アライメントマークのずれ量より補正値
を導出し、そのデータを保存する(ステップ1)。ウェ
ハを処理し、補正値を導出する(ステップ2)。ホスト
のデータとステップ2で導出されたデータを比較する
(ステップ3)。ステップ3で得られた補正値の差につ
いて判定する(ステップ4)。補正値の差が判定値を超
える場合には、サンプリングショットを変更し、再度補
正値を導出する(ステップ5)。ステップ1、ステップ
2、ステップ5のデータに対する処理区分分けをする。
NGデータを除去する。NGデータの数を確認する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般にアライメ
ント精度向上法に関するものであり、より特定的には、
LSI製造プロセスにおける光リソグラフィ工程で使用
する露光装置を用いた露光における、アライメント精度
向上法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、半導体装置に用いられる露光
装置として、ステッパと呼ばれる装置が知られている。
このステッパは、ウェハを、投影レンズ下で、ステップ
移動させながら、レチクル状に形成されているパターン
像を投影レンズで縮小して、1枚のウェハ上の各ショッ
ト領域に順次露光していくものである。
【0003】このステッパには、アライメント精度を向
上させるために、従来から、さまざまな工夫がなされて
きた。このアライメント精度を向上させるための従来の
方法の一例が、特開昭61−44429号公報に開示さ
れている。図2は、特開昭61−44429号公報に開
示されている従来のエンハンスグローバルアライメント
(EGA)法の露光シーケンスを概略的に示すステップ
図である。
【0004】図2を参照して、まず、ウェハのオリエン
テーションフラットを用いて、ウェハのプリアライメン
トを行なう(ステップD10)。
【0005】その後、各ショット領域に形成されたウェ
ハグローバルアライメント(WGA)マークを用いて、
ウェハの回転補正を行なう(ステップD11)。
【0006】次に、ウェハステージをチップ配列の設計
値に基づいて移動させ、誤差検出用として設定された複
数のショット領域について、レーザステップアライメン
ト(LSA)光学系により、その焼付パターンのLSA
アライメントマーク位置を検出する。それと同時に、レ
ーザ干渉計によって、ウェハステージの位置を検出す
る。これらの検出値によって、ウェハ上の焼付パターン
とレチクルパターン像との重ね合わせ誤差を検出する
(ステップD12)。
【0007】次に、各ショットにおける重ね合わせ誤差
と上記のウェハステージの位置座標(焼付パターン座
標)からの偏差を求める。この偏差の平均値を補正値
(誤差パラメータ)として算出する(ステップD1
3)。
【0008】誤差パラメータと設計値とから、各々の回
転、直交、ベースライン、スケーリング補正されチップ
配列マップを作成する(ステップD14)。
【0009】チップ配列マップに従って、ステップアン
ドリピート方式によりウェハステージの位置決めをする
(ステップD15)。
【0010】その後、各ショットを露光する(ステップ
D16)。以上のような場合の補正値(誤差パラメー
タ)としては、上述のように、ベースライン補正、回転
補正、直交度補正、スケーリング補正の4つがある。こ
の4つの補正値を用いて、より精度よく重ね合わされた
パターンを得ることが可能となる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】上記手法をより高精度
化する目的として異常測定値の除去アルゴリズムが追加
されている。その方法とは、測定値の平均とその差があ
る一定より大きいとき、その値は異常であるとするもで
ある。このような異常値の判定では、以下に示す不具合
が発生する。
【0012】まず、ウェハで測定のために使用されるサ
ンプリングショットは、ウェハ上、点対称である必要が
ある(SPIE Vol.2196/389)。
【0013】その測定値は、以下に示す式により、説明
される。 ΔX(測定値)=ベースラインX+X座標*Xスケーリ
ング+Y座標*Xローテーション+ランダム誤差 よって、スケーリングや、ローテーションが大きい場
合、上記に示した測定値の平均の差によるリジェクト機
能を持たすと、図3に示すa1やb1のショットは、他
の測定ショットに比べて原理的にリジェクトされやすい
という問題点があった。
【0014】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、アライメント精度を向上させ
ることができ、かつ露光するべきウェハが正常かどうか
の判断を、新たな検査工程を発生することなく、実施で
き、さらに早期のプロセス異常の発見が可能となるよう
に改良された、アライメント精度向上法を提供すること
を目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】この発明に係るアライメ
ント精度向上法においては、まず、ウェハに形成された
アライメントマークを測定し、そのずれ量を導出し、そ
れより補正値を導出し、そのデータを保存する(ステッ
プ1)。ウェハ処理を行ない、上記と同様の補正値を導
出する(ステップ2)。上記ステップ1およびステップ
2で求められた補正値を比較する(ステップ3)。上記
ステップ3で得られた補正値の差が判定値を超えるか、
超えないかを判定する(ステップ4)。上記補正値の差
が上記判定値を超える場合には、予め設定している変更
サンプリングを新たに行ない、再度、補正値を導出する
(ステップ5)。上記ステップ1、ステップ2およびス
テップ5のデータに対して、次に行なう処理の区分分け
をする(ステップ6)。上記ステップ6において、異常
測定データがある場合には、該異常測定データをNGデ
ータとして除去する(ステップ7)。上記NGデータの
数を確認する(ステップ8)。
【0016】上記ステップを踏むことにより、アライメ
ント精度を向上させることができ、しかも露光するべき
ウェハが正常かどうの判断を、新たな検査工程を発生す
ることなく、実施でき、さらに、早期のプロセス異常の
発見が可能となる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
について説明する。図1は、この発明の実施の形態に係
る、重ね合わせデータ除去およびプロセス異常の発見の
シーケンスを示すステップ図である。
【0018】ステップ1 まず、ウェハの上にアライメントマークを形成する。こ
れが、最初に行なう工程である。次に、アライメント形
成工程で形成されたアライメントマークを測定し、ずれ
量を得、それらのデータより、下記に示す6つの補正値
(ベースラインX、ベースラインY、Xスケーリング、
Yスケーリング、Xローテーション、Yローテーショ
ン)を導出する(詳細は既述の特開昭61−44429
号公報参照)。
【0019】ΔX=ベースラインXx +X座標*Xスケ
ーリング+X座標*Xローテーション ΔY=ベースラインYy +Y座標*Yスケーリング+Y
座標*Yローテーション このように、アライメントマークのずれ量の解析を行な
って、そのデータ(数ロットの平均)をホストに登録す
る。
【0020】その時のデータ:Xスケーリング−−As
Yスケーリング−−Bs 直交−Cステップ2 次に、通常のウェハ処理を行なう。上記と同様に6つの
補正値を導出する。
【0021】その時のデータ:Xスケーリング−−A1
s Yスケーリング−−B1s 直交−C1 各サンプリングショットの生データ(M1〜M10)も
求めておく。
【0022】ステップ3 ステップ1とステップ2の補正値を比較する。(差の判
定値:0.5urad、0.5ppm、ただし形成デバ
イスにより値は変更される、64M試作相当規格)。
【0023】ステップ4 判定は各補正値の差が判定値を超えるか、超えないかで
判定する。OKの場合(測定値、プロセス、装置のすべ
てがOKと判断された場合)は、そのまま次のステップ
へ進む。NGの場合は、次の3タイプに分類され、次の
ステップへ進む。
【0024】 Aタイプ−−−−スケーリングNG、直交がOK Bタイプ−−−−スケーリングOK、直交がNG Cタイプ−−−−スケーリングNG、直交がNGステップ5 A、Bタイプのとき、予め設定している変更(場所)サ
ンプリングを新たに行ない、新たな補正値を導出する。
【0025】変更サンプリング時のデータ:Xスケーリ
ング−−A2s Yスケーリング−−B2s 直交−C
ステップ6 ステップ1、ステップ2、ステップ5で導出されたデー
タの比較をする。判定区分は、次のXタイプ、Yタイ
プ、Zタイプとする。
【0026】As−A2sの値が差の判定値より大き
く、A1s−A2sの値が差の判定値の2分の1より小
さい場合−−Xタイプ As−A2sの値が差の判定値より大きく、A1s−A
2sの値が差の判定値の2分の1より大きい場合−−Y
タイプ As−A2sの値が差の判定値より小さい−−−Zタイ
プ Xタイプでは、ウェハレベルでのプロセス変動と判断
し、プロセスフローの各ロット処理をストップする。Y
タイプの場合は、測定異常と判断し、次の測定値除去ス
テップに進む。Zタイプの場合は、そのまま、その補正
値を用い、次の処理に進む。
【0027】ステップ7 Yタイプの区分に対しては、次のステップをとる。ステ
ップ2で求められた測定値(M1〜M10)をステップ
1で求められている補正値(スケーリング、回転、直
交)を用いて残渣解析し、データの変換を行なう。それ
により導出されたデータを(MN1−MN10)とす
る。次に、そのデータを小さいもの順に並べる。
【0028】そのデータ群をC1〜C10とする。次
に、それらのデータに対して、平均をとる。とり方とし
ては、C1とC2の平均をD1、C1とC2とC3の平
均をD2とする。そのような解析により求められたデー
タをD1〜D9とする。
【0029】次に、以下に示すように、これらの平均値
間の比を求める。ただしEの値が1以下のときは逆数を
とる。
【0030】D1/D2=E1 D2/D3=E2 D
3/D4=E3 D4/D5=E4 D5/D6=E5 D6/D7=E6 D7/D8=E
7 D8/D9=E8 これらのE1〜E8の値が設定値(判定値を0.5にし
た場合5)と比較し、検討する。
【0031】Enが設定値を超えているときは、そのn
+1より大きいデータをNGデータとして除去処理を行
なう。
【0032】ステップ8 次に、NGのデータの数に関して、その数が5以上のと
きは、測定マークの形状異常として、ウェハ、およびプ
ロセス、装置の確認を行なう。
【0033】Cタイプのとき、装置異常の可能性がある
ので、ステップ5に進む前に装置チェックを行ない、異
常のないことが確認された後、ステップ5に進む。
【0034】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明によれ
ば、上記ステップ1〜ステップ8を経由することによ
り、アライメント精度を向上させることができ、しか
も、従来管理していない、露光するべきウェハが正常か
どうかの判断を、新たな検査工程を発生させることなく
実施でき、早期のプロセス異常の発見が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態における、重ね合わせデ
ータ除去およびプロセス異常の発見のシーケンスを説明
したステップ図である。
【図2】 従来法におけるアライメントシステムを説明
するためのステップ図である。
【図3】 従来法におけるアライメントシステムでの測
定サンプリングを説明するための図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェハに形成されたアライメントマーク
    を測定し、そのずれ量を導出し、それより補正値を導出
    し、そのデータを保存するステップ1と、 ウェハ処理を行ない、上記と同様の補正値を導出するス
    テップ2と、 前記ステップ1およびステップ2で得られた補正値を比
    較するステップ3と、 前記ステップ3で得られた補正値の差が、判定値を超え
    るか、超えないかを判定するステップ4と、 前記補正値の差が前記判定値を超える場合には、予め設
    定している変更サンプリングを新たに行ない、再度、補
    正値を導出するステップ5と、 前記ステップ1、前記ステップ2および前記ステップ5
    のデータに対して、次に行なう処理の区分分けをするス
    テップ6と、 前記ステップ6において、異常測定データがある場合に
    は、該異常測定データをNGデータとして除去するステ
    ップ7と、 前記NGデータの数を確認するステップ8と、を備えた
    アライメント精度向上法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030053665A (ko) * 2001-12-22 2003-07-02 동부전자 주식회사 씨엠피 어택 모니터링 방법
KR100586032B1 (ko) 2004-07-26 2006-06-01 삼성전자주식회사 기판 정렬 방법 및 장치, 이를 이용한 기판의 패턴 검사방법 및 장치
KR100588911B1 (ko) 2004-12-22 2006-06-09 동부일렉트로닉스 주식회사 오버레이 타겟 간의 측정치 보정 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20030053665A (ko) * 2001-12-22 2003-07-02 동부전자 주식회사 씨엠피 어택 모니터링 방법
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