JPH0971871A - 無電解金めっき液 - Google Patents
無電解金めっき液Info
- Publication number
- JPH0971871A JPH0971871A JP25465295A JP25465295A JPH0971871A JP H0971871 A JPH0971871 A JP H0971871A JP 25465295 A JP25465295 A JP 25465295A JP 25465295 A JP25465295 A JP 25465295A JP H0971871 A JPH0971871 A JP H0971871A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- gold plating
- mol
- electroless
- salt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高品質の金めっき膜を高い成膜速度で形成す
ることができ、かつ、毒性が低く安定性に優れた無電解
金めっき液を提供する。 【解決手段】 シアンを含有しない水溶性金塩、チオシ
アン酸塩と亜硫酸塩の組み合わせからなる錯化剤および
還元剤を少なくとも含有した無電解金めっき液とする。
ることができ、かつ、毒性が低く安定性に優れた無電解
金めっき液を提供する。 【解決手段】 シアンを含有しない水溶性金塩、チオシ
アン酸塩と亜硫酸塩の組み合わせからなる錯化剤および
還元剤を少なくとも含有した無電解金めっき液とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は無電解金めっき液に
係り、特に毒性が低く安定性に優れた無電解金めっき液
に関する。
係り、特に毒性が低く安定性に優れた無電解金めっき液
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品の小型化と高性能化に伴
って配線の微細化、実装技術の改良、プリント配線板材
料の多様化が見られる。そして、例えば、電子機器のプ
リント配線板の回路と半導体のチップを接続するための
ボンディング用接点、電気的に独立した微細部分等に金
めっきを施す場合、通電するためのリードが必要な電気
金めっきに代わって、複雑な形状面にも均一な析出が可
能な無電解金めっきが用いられるようになっている。
って配線の微細化、実装技術の改良、プリント配線板材
料の多様化が見られる。そして、例えば、電子機器のプ
リント配線板の回路と半導体のチップを接続するための
ボンディング用接点、電気的に独立した微細部分等に金
めっきを施す場合、通電するためのリードが必要な電気
金めっきに代わって、複雑な形状面にも均一な析出が可
能な無電解金めっきが用いられるようになっている。
【０００３】従来の無電解金めっき液は、金イオンの錯
化剤としてシアン化合物を含み、ジメチルアミンボラン
（ＤＭＡＢ）等のホウ化物を還元剤として含有するもの
であった（特公昭５０−３７４３号等）。しかし、この
無電解金めっき液は、シアン化合物を含有するため毒性
が非常に高く、作業上、環境保全上の問題があった。ま
た、還元剤の安定性やめっき速度の向上のために、上記
の無電解金めっき液は高アルカリとする必要があった。
このため、アルカリ溶液中で不安定な窒化アルミニウム
等の被めっき材料が侵食されたり、被めっき材料に通常
のポジ型フォトレジストのようにアルカリ性で不安定な
物質が存在する場合には、剥離が生じる等の問題があっ
た。
化剤としてシアン化合物を含み、ジメチルアミンボラン
（ＤＭＡＢ）等のホウ化物を還元剤として含有するもの
であった（特公昭５０−３７４３号等）。しかし、この
無電解金めっき液は、シアン化合物を含有するため毒性
が非常に高く、作業上、環境保全上の問題があった。ま
た、還元剤の安定性やめっき速度の向上のために、上記
の無電解金めっき液は高アルカリとする必要があった。
このため、アルカリ溶液中で不安定な窒化アルミニウム
等の被めっき材料が侵食されたり、被めっき材料に通常
のポジ型フォトレジストのようにアルカリ性で不安定な
物質が存在する場合には、剥離が生じる等の問題があっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このため、シアン化合
物を含有しない無電解金めっき液（ノーシアン浴）の要
望が高まり、塩化金、塩化金酸またはチオ硫酸金を金塩
とし、錯化剤にチオシアン酸塩を用いた無電解金めっき
液（特開昭６２−１７４３８４号）や、錯化剤として亜
硫酸塩とチオ硫酸塩を用いた無電解金めっき液（特開平
６−１４５９９６号）等が使用されている。
物を含有しない無電解金めっき液（ノーシアン浴）の要
望が高まり、塩化金、塩化金酸またはチオ硫酸金を金塩
とし、錯化剤にチオシアン酸塩を用いた無電解金めっき
液（特開昭６２−１７４３８４号）や、錯化剤として亜
硫酸塩とチオ硫酸塩を用いた無電解金めっき液（特開平
６−１４５９９６号）等が使用されている。
【０００５】しかしながら、上記の無電解金めっき液
は、いずれも浴安定性が悪く、安定剤を添加しても数十
時間しかめっき浴を連続稼働させることができないとい
う問題がある。
は、いずれも浴安定性が悪く、安定剤を添加しても数十
時間しかめっき浴を連続稼働させることができないとい
う問題がある。
【０００６】本発明は上述のような事情に鑑みてなされ
たものであり、高品質の金めっき膜を高い成膜速度で形
成することができ、かつ、毒性が低く安定性に優れた無
電解金めっき液を提供することを目的とする。
たものであり、高品質の金めっき膜を高い成膜速度で形
成することができ、かつ、毒性が低く安定性に優れた無
電解金めっき液を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明はシアンを含有しない水溶性金塩、錯
化剤および還元剤を少なくとも含有し、前記錯化剤はチ
オシアン酸塩および亜硫酸塩であるような構成とした。
るために、本発明はシアンを含有しない水溶性金塩、錯
化剤および還元剤を少なくとも含有し、前記錯化剤はチ
オシアン酸塩および亜硫酸塩であるような構成とした。
【０００８】また、前記チオシアン酸塩を０．０５ｍｏ
ｌ／ｌ以上含有し、前記亜硫酸塩を０．０５〜０．２ｍ
ｏｌ／ｌの範囲で含有するような構成、前記水溶性金塩
を０．００５〜０．０１５ｍｏｌ／ｌの範囲で含有する
ような構成、前記還元剤を０．０１ｍｏｌ／ｌ以上含有
するような構成、あるいは、前記還元剤はアスコルビン
酸またはその塩であるような構成とした。
ｌ／ｌ以上含有し、前記亜硫酸塩を０．０５〜０．２ｍ
ｏｌ／ｌの範囲で含有するような構成、前記水溶性金塩
を０．００５〜０．０１５ｍｏｌ／ｌの範囲で含有する
ような構成、前記還元剤を０．０１ｍｏｌ／ｌ以上含有
するような構成、あるいは、前記還元剤はアスコルビン
酸またはその塩であるような構成とした。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の無電解金めっき液を構成
する水溶性金塩は、塩化金、塩化金酸、亜硫酸金、チオ
シアン酸金およびこれらの塩を使用することができる。
無電解金めっき液中の水溶性金塩の濃度は０．００５〜
０．０１５ｍｏｌ／ｌ程度とすることができる。水溶性
金塩の濃度が０．００５ｍｏｌ／ｌ未満では析出速度が
不十分であり、また、０．０１５ｍｏｌ／ｌを超えると
浴安定性が損なわれることになる。
する水溶性金塩は、塩化金、塩化金酸、亜硫酸金、チオ
シアン酸金およびこれらの塩を使用することができる。
無電解金めっき液中の水溶性金塩の濃度は０．００５〜
０．０１５ｍｏｌ／ｌ程度とすることができる。水溶性
金塩の濃度が０．００５ｍｏｌ／ｌ未満では析出速度が
不十分であり、また、０．０１５ｍｏｌ／ｌを超えると
浴安定性が損なわれることになる。
【００１０】また、本発明の無電解金めっき液を構成す
る錯化剤は、チオシアン酸塩および亜硫酸塩である。本
発明は、錯化剤としてチオシアン酸塩と亜硫酸塩を組み
合わせることにより、従来のチオ硫酸塩や亜硫酸塩、そ
れらの組み合わせからなる錯化剤を使用した場合に比べ
て、安定剤を添加しないベース浴の安定性が著しく向上
することに着目してなされたものである。
る錯化剤は、チオシアン酸塩および亜硫酸塩である。本
発明は、錯化剤としてチオシアン酸塩と亜硫酸塩を組み
合わせることにより、従来のチオ硫酸塩や亜硫酸塩、そ
れらの組み合わせからなる錯化剤を使用した場合に比べ
て、安定剤を添加しないベース浴の安定性が著しく向上
することに着目してなされたものである。
【００１１】無電解金めっき液中のチオシアン酸塩の濃
度は０．０５ｍｏｌ／ｌ以上、好ましくは０．０５〜
０．２ｍｏｌ／ｌ程度とすることができる。チオシアン
酸塩の濃度が０．０５ｍｏｌ／ｌ未満では金の析出速度
が不十分である。また、無電解めっき液中の亜硫酸塩の
濃度は０．０５〜０．２ｍｏｌ／ｌ程度とすることがで
きる。亜硫酸塩の濃度が０．０５ｍｏｌ／ｌ未満では浴
安定性が損なわれ、０．２ｍｏｌ／ｌを超えると金の析
出速度が不十分なものとなり好ましくない。
度は０．０５ｍｏｌ／ｌ以上、好ましくは０．０５〜
０．２ｍｏｌ／ｌ程度とすることができる。チオシアン
酸塩の濃度が０．０５ｍｏｌ／ｌ未満では金の析出速度
が不十分である。また、無電解めっき液中の亜硫酸塩の
濃度は０．０５〜０．２ｍｏｌ／ｌ程度とすることがで
きる。亜硫酸塩の濃度が０．０５ｍｏｌ／ｌ未満では浴
安定性が損なわれ、０．２ｍｏｌ／ｌを超えると金の析
出速度が不十分なものとなり好ましくない。
【００１２】本発明の無電解金めっき液を構成する還元
剤としては、アスコルビン酸またはその塩；水素化ホウ
素化合物、ジメチルアミンボラン、ジエチルアミンボラ
ン、トリエチルアミンボラン等のボロン系化合物；ヒド
ラジンとその塩、メチルヒドラジンとその誘導体、エチ
ルヒドラジンとその誘導体等のヒドラジン化合物；チオ
尿素、Ｎ−メチルチオ尿素、Ｎ，Ｎ’−ジメチルチオ尿
素等のチオ尿素とその塩；ヒドロキノン、カテコール、
ピロガロール等のフェノール化合物とその誘導体；ｏ−
フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン等の芳香
族アミン化合物とその誘導体等の還元剤を使用すること
ができる。無電解金めっき液中の還元剤の濃度は０．０
１ｍｏｌ／ｌ以上、好ましくは０．０５〜０．２ｍｏｌ
／ｌ程度とすることができる。還元剤の濃度が０．０１
ｍｏｌ／ｌ未満の場合、金の析出速度が不十分なものと
なり好ましくない。
剤としては、アスコルビン酸またはその塩；水素化ホウ
素化合物、ジメチルアミンボラン、ジエチルアミンボラ
ン、トリエチルアミンボラン等のボロン系化合物；ヒド
ラジンとその塩、メチルヒドラジンとその誘導体、エチ
ルヒドラジンとその誘導体等のヒドラジン化合物；チオ
尿素、Ｎ−メチルチオ尿素、Ｎ，Ｎ’−ジメチルチオ尿
素等のチオ尿素とその塩；ヒドロキノン、カテコール、
ピロガロール等のフェノール化合物とその誘導体；ｏ−
フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン等の芳香
族アミン化合物とその誘導体等の還元剤を使用すること
ができる。無電解金めっき液中の還元剤の濃度は０．０
１ｍｏｌ／ｌ以上、好ましくは０．０５〜０．２ｍｏｌ
／ｌ程度とすることができる。還元剤の濃度が０．０１
ｍｏｌ／ｌ未満の場合、金の析出速度が不十分なものと
なり好ましくない。
【００１３】さらに、本発明の無電解金めっき液には、
Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｌ等の重金属水溶塩（添加濃度：１〜１
００ｍｇ／ｌ）、２−メルカプトベンゾチアゾール、２
−メルカプトベンズイミダゾール等の含硫黄有機化合物
（添加濃度：１〜１００ｍｇ／ｌ）、ベンゾトリアゾー
ル等の含窒素有機化合物（添加濃度：１〜１００ｍｇ／
ｌ）、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン等のアミノアルコール化合物とその
誘導体（添加濃度：１〜１００ｍｌ／ｌ）、ニトリロ三
酢酸、エチレンジアミン四酢酸等のイミノカルボン酸
（添加濃度：１〜１００ｇ／ｌ）、ポリエチレングリコ
ール、ポリプロピレングリコール等の非イオン界面活性
剤（添加濃度：０．１〜１００ｍｇ／ｌ）等を添加する
ことができる。
Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｌ等の重金属水溶塩（添加濃度：１〜１
００ｍｇ／ｌ）、２−メルカプトベンゾチアゾール、２
−メルカプトベンズイミダゾール等の含硫黄有機化合物
（添加濃度：１〜１００ｍｇ／ｌ）、ベンゾトリアゾー
ル等の含窒素有機化合物（添加濃度：１〜１００ｍｇ／
ｌ）、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ト
リエタノールアミン等のアミノアルコール化合物とその
誘導体（添加濃度：１〜１００ｍｌ／ｌ）、ニトリロ三
酢酸、エチレンジアミン四酢酸等のイミノカルボン酸
（添加濃度：１〜１００ｇ／ｌ）、ポリエチレングリコ
ール、ポリプロピレングリコール等の非イオン界面活性
剤（添加濃度：０．１〜１００ｍｇ／ｌ）等を添加する
ことができる。
【００１４】本発明の無電解金めっき液を用いた無電解
金めっきは、例えば、浴温度４０〜７０℃、浴ｐＨ４〜
１０の条件で行うことができる。浴温度が４０℃未満で
は金の析出速度が不十分であり、また、７０℃を超える
と浴安定性が損なわれ、成膜された金めっき膜の外観が
悪化してしまう。また、浴ｐＨが上記の範囲をはずれる
と、浴安定性が損なわれ、成膜された金めっき膜の外観
が悪化してしまう。
金めっきは、例えば、浴温度４０〜７０℃、浴ｐＨ４〜
１０の条件で行うことができる。浴温度が４０℃未満で
は金の析出速度が不十分であり、また、７０℃を超える
と浴安定性が損なわれ、成膜された金めっき膜の外観が
悪化してしまう。また、浴ｐＨが上記の範囲をはずれる
と、浴安定性が損なわれ、成膜された金めっき膜の外観
が悪化してしまう。
【００１５】
【実施例】次に、本発明の実施例を示して本発明を更に
詳細に説明する。実施例１ 水溶性金塩の濃度を下記の表１に示されるように変化さ
せた下記の組成の無電解金めっき液（試料１〜３、比較
試料１〜２）を調製した。
詳細に説明する。実施例１ 水溶性金塩の濃度を下記の表１に示されるように変化さ
せた下記の組成の無電解金めっき液（試料１〜３、比較
試料１〜２）を調製した。
【００１６】 （無電解金めっき液の組成） ・水溶性金塩（塩化金酸） … 表１に示される濃度 ・チオシアン酸カリウム（ＫＳＣＮ） … ０．１ｍｏｌ／ｌ ・亜硫酸ナトリウム（Ｎａ2 ＳＯ3 ） … ０．１ｍｏｌ／ｌ ・アスコルビン酸 … ０．１ｍｏｌ／ｌ 次に、無電解ニッケル−置換金めっき（厚み０．０５μ
ｍ）を施した真ちゅう板を被めっき材料とし、上記の無
電解金めっき液を用いて無電解めっきにより金めっき膜
の形成を行った。めっき条件は下記のとおりとした。
ｍ）を施した真ちゅう板を被めっき材料とし、上記の無
電解金めっき液を用いて無電解めっきにより金めっき膜
の形成を行った。めっき条件は下記のとおりとした。
【００１７】（めっき条件） ・浴温度 ： ６０℃ ・ｐＨ ： ６．０ ・めっき時間： ３０分 上述のような無電解金めっきにおける金の析出速度、浴
安定性および形成した金めっき膜の外観の評価結果を下
記の表１に示した。
安定性および形成した金めっき膜の外観の評価結果を下
記の表１に示した。
【００１８】
【表１】 表１に示されるように、水溶性金塩の濃度が０．００５
〜０．０１５ｍｏｌ／ｌの範囲内にある場合（試料１〜
３）、金の析出速度が高く、浴安定性が良好で金めっき
膜の外観は光沢金色（一部無光沢金色）を呈するもので
あった。しかし、水溶性金塩の濃度が０．００５ｍｏｌ
／ｌ未満の場合（比較試料１）には、析出速度が実用レ
ベル（０．３μｍ／時）に達せず、また、水溶性金塩の
濃度が０．０１５ｍｏｌ／ｌを超える場合（比較試料
２）、めっき浴が加温分解を生じた。実施例２ 還元剤であるアスコルビン酸の濃度を下記の表２に示さ
れるように変化させた下記の組成の無電解金めっき液
（試料４〜１１、比較試料３）を調製した。
〜０．０１５ｍｏｌ／ｌの範囲内にある場合（試料１〜
３）、金の析出速度が高く、浴安定性が良好で金めっき
膜の外観は光沢金色（一部無光沢金色）を呈するもので
あった。しかし、水溶性金塩の濃度が０．００５ｍｏｌ
／ｌ未満の場合（比較試料１）には、析出速度が実用レ
ベル（０．３μｍ／時）に達せず、また、水溶性金塩の
濃度が０．０１５ｍｏｌ／ｌを超える場合（比較試料
２）、めっき浴が加温分解を生じた。実施例２ 還元剤であるアスコルビン酸の濃度を下記の表２に示さ
れるように変化させた下記の組成の無電解金めっき液
（試料４〜１１、比較試料３）を調製した。
【００１９】 （無電解金めっき液の組成） ・水溶性金塩（塩化金酸） … ０．０１ｍｏｌ／ｌ ・チオシアン酸カリウム（ＫＳＣＮ） … ０．１ｍｏｌ／ｌ ・亜硫酸ナトリウム（Ｎａ2 ＳＯ3 ） … ０．１ｍｏｌ／ｌ ・アスコルビン酸 … 表２に示される濃度 次に、実施例１と同様の条件により、上記の無電解金め
っき液を用いて無電解めっきにより金めっき膜の形成を
行い、金の析出速度、浴安定性および形成した金めっき
膜の外観の評価結果を下記の表２に示した。
っき液を用いて無電解めっきにより金めっき膜の形成を
行い、金の析出速度、浴安定性および形成した金めっき
膜の外観の評価結果を下記の表２に示した。
【００２０】
【表２】 表２に示されるように、還元剤であるアスコルビン酸の
濃度が０．０１ｍｏｌ／ｌ以上である場合（試料４〜１
１）、金の析出速度が高く、浴安定性が良好で金めっき
膜の外観は光沢金色を呈するものであった。しかし、ア
スコルビン酸の濃度が０．０１ｍｏｌ／ｌ未満の場合
（比較試料３）には、金の析出速度が実用レベル（０．
３μｍ／時）に達しないものであった。実施例３ 錯化剤である亜硫酸ナトリウムの濃度を下記の表３に示
されるように変化させた下記の組成の無電解金めっき液
（試料１２〜１４、比較試料４〜５）を調製した。
濃度が０．０１ｍｏｌ／ｌ以上である場合（試料４〜１
１）、金の析出速度が高く、浴安定性が良好で金めっき
膜の外観は光沢金色を呈するものであった。しかし、ア
スコルビン酸の濃度が０．０１ｍｏｌ／ｌ未満の場合
（比較試料３）には、金の析出速度が実用レベル（０．
３μｍ／時）に達しないものであった。実施例３ 錯化剤である亜硫酸ナトリウムの濃度を下記の表３に示
されるように変化させた下記の組成の無電解金めっき液
（試料１２〜１４、比較試料４〜５）を調製した。
【００２１】 （無電解金めっき液の組成） ・水溶性金塩（塩化金酸） … ０．０１ｍｏｌ／ｌ ・チオシアン酸カリウム（ＫＳＣＮ） … ０．１ｍｏｌ／ｌ ・亜硫酸ナトリウム（Ｎａ2 ＳＯ3 ） … 表３に示される濃度 ・アスコルビン酸 … ０．１ｍｏｌ／ｌ 次に、実施例１と同様の条件により、上記の無電解金め
っき液を用いて無電解めっきにより金めっき膜の形成を
行い、金の析出速度、浴安定性および形成した金めっき
膜の外観の評価結果を下記の表３に示した。
っき液を用いて無電解めっきにより金めっき膜の形成を
行い、金の析出速度、浴安定性および形成した金めっき
膜の外観の評価結果を下記の表３に示した。
【００２２】
【表３】 表３に示されるように、錯化剤である亜硫酸ナトリウム
の濃度が０．０５〜０．２ｍｏｌ／ｌの範囲内にある場
合（試料１２〜１４）、金の析出速度が高く、浴安定性
が良好で金めっき膜の外観は光沢（一部無光沢）金色を
呈するものであった。しかし、亜硫酸ナトリウムの濃度
が０．０５ｍｏｌ／ｌ未満の場合（比較試料４）にはめ
っき浴の分解が生じ、また、亜硫酸ナトリウムの濃度が
０．２ｍｏｌ／ｌを超える場合（比較試料５）、金の析
出速度が実用レベル（０．３μｍ／時）に達しないもの
であった。実施例４ 錯化剤であるチオシアン酸カリウムの濃度を下記の表４
に示されるように変化させた下記の組成の無電解金めっ
き液（試料１５〜１９、比較試料６）を調製した。
の濃度が０．０５〜０．２ｍｏｌ／ｌの範囲内にある場
合（試料１２〜１４）、金の析出速度が高く、浴安定性
が良好で金めっき膜の外観は光沢（一部無光沢）金色を
呈するものであった。しかし、亜硫酸ナトリウムの濃度
が０．０５ｍｏｌ／ｌ未満の場合（比較試料４）にはめ
っき浴の分解が生じ、また、亜硫酸ナトリウムの濃度が
０．２ｍｏｌ／ｌを超える場合（比較試料５）、金の析
出速度が実用レベル（０．３μｍ／時）に達しないもの
であった。実施例４ 錯化剤であるチオシアン酸カリウムの濃度を下記の表４
に示されるように変化させた下記の組成の無電解金めっ
き液（試料１５〜１９、比較試料６）を調製した。
【００２３】 （無電解金めっき液の組成） ・水溶性金塩（塩化金酸） … ０．０１ｍｏｌ／ｌ ・チオシアン酸カリウム（ＫＳＣＮ） … 表４に示される濃度 ・亜硫酸ナトリウム（Ｎａ2 ＳＯ3 ） … ０．１ｍｏｌ／ｌ ・アスコルビン酸 … ０．１ｍｏｌ／ｌ 次に、実施例１と同様の条件により、上記の無電解金め
っき液を用いて無電解めっきにより金めっき膜の形成を
行い、金の析出速度、浴安定性および形成した金めっき
膜の外観の評価結果を下記の表４に示した。
っき液を用いて無電解めっきにより金めっき膜の形成を
行い、金の析出速度、浴安定性および形成した金めっき
膜の外観の評価結果を下記の表４に示した。
【００２４】
【表４】 表４に示されるように、錯化剤であるチオシアン酸カリ
ウムの濃度が０．０５以上である場合（試料１５〜１
９）、金の析出速度が高く、浴安定性が良好で金めっき
膜の外観は光沢金色を呈するものであった。しかし、チ
オシアン酸カリウムの濃度が０．０５ｍｏｌ／ｌ未満の
場合（比較試料６）には、金の析出速度が実用レベル
（０．３μｍ／時）に達しないものであった。実施例５ 下記の組成の無電解金めっき液（上記の試料２，７，１
３，１６に相当）を調製した。
ウムの濃度が０．０５以上である場合（試料１５〜１
９）、金の析出速度が高く、浴安定性が良好で金めっき
膜の外観は光沢金色を呈するものであった。しかし、チ
オシアン酸カリウムの濃度が０．０５ｍｏｌ／ｌ未満の
場合（比較試料６）には、金の析出速度が実用レベル
（０．３μｍ／時）に達しないものであった。実施例５ 下記の組成の無電解金めっき液（上記の試料２，７，１
３，１６に相当）を調製した。
【００２５】 （無電解金めっき液の組成） ・水溶性金塩（塩化金酸） … ０．０１ｍｏｌ／ｌ ・チオシアン酸カリウム（ＫＳＣＮ） … ０．１ｍｏｌ／ｌ ・亜硫酸ナトリウム（Ｎａ2 ＳＯ3 ） … ０．１ｍｏｌ／ｌ ・アスコルビン酸 … ０．１ｍｏｌ／ｌ 次に、無電解ニッケル−置換金めっき（厚み０．０５μ
ｍ）を施した真ちゅう板を被めっき材料とし、上記の無
電解金めっき液を用いて無電解めっきにより金めっき膜
の形成を行った。めっき条件は、浴温度を３０〜８０
℃、ｐＨを３．０〜１１．０の範囲で変化させ、めっき
時間は３０分とした。そして、各めっき条件における金
の析出速度、浴安定性および形成した金めっき膜の外観
の評価結果をそれぞれ下記の表５〜表７に示した。
ｍ）を施した真ちゅう板を被めっき材料とし、上記の無
電解金めっき液を用いて無電解めっきにより金めっき膜
の形成を行った。めっき条件は、浴温度を３０〜８０
℃、ｐＨを３．０〜１１．０の範囲で変化させ、めっき
時間は３０分とした。そして、各めっき条件における金
の析出速度、浴安定性および形成した金めっき膜の外観
の評価結果をそれぞれ下記の表５〜表７に示した。
【００２６】
【表５】
【００２７】
【表６】
【００２８】
【表７】 表５〜表７に示されるように、浴温度４０〜７０℃、ｐ
Ｈ４．０〜１０．０の範囲において金の析出速度が高
く、浴安定性が良好で金めっき膜の外観は光沢金色乃至
暗金色を呈するものであった。比較例 下記の組成の無電解金めっき液（比較試料７〜８）を調
製した。
Ｈ４．０〜１０．０の範囲において金の析出速度が高
く、浴安定性が良好で金めっき膜の外観は光沢金色乃至
暗金色を呈するものであった。比較例 下記の組成の無電解金めっき液（比較試料７〜８）を調
製した。
【００２９】 （無電解金めっき液（比較試料７）の組成） ・水溶性金塩（塩化金酸） … ０．０１ｍｏｌ／ｌ ・チオシアン酸カリウム（ＫＳＣＮ） … ０．１ｍｏｌ／ｌ ・チオ硫酸ナトリウム（Ｎａ2 Ｓ2 Ｏ3 ） … ０．１ｍｏｌ／ｌ ・アスコルビン酸 … ０．１ｍｏｌ／ｌ （無電解金めっき液（比較試料８）の組成） ・水溶性金塩（塩化金酸） … ０．０１ｍｏｌ／ｌ ・チオ硫酸ナトリウム（Ｎａ2 Ｓ2 Ｏ3 ） … ０．１ｍｏｌ／ｌ ・亜硫酸ナトリウム（Ｎａ2 ＳＯ3 ） … ０．１ｍｏｌ／ｌ ・アスコルビン酸 … ０．１ｍｏｌ／ｌ 次に、実施例１と同様の条件により、上記の無電解金め
っき液を用いて無電解めっきにより金めっき膜の形成を
行い、金の析出速度、浴安定性および形成した金めっき
膜の外観の評価結果を下記の表８に示した。
っき液を用いて無電解めっきにより金めっき膜の形成を
行い、金の析出速度、浴安定性および形成した金めっき
膜の外観の評価結果を下記の表８に示した。
【００３０】
【表８】 表８に示されるように、比較試料７の無電解めっき液は
水溶性金塩が溶解せず、また、比較試料８の無電解めっ
き液は加温により分解を生じ、浴安定性に欠けるもので
あった。
水溶性金塩が溶解せず、また、比較試料８の無電解めっ
き液は加温により分解を生じ、浴安定性に欠けるもので
あった。
【００３１】
【発明の作用および効果】以上詳述したように、本発明
によれば水溶性金塩、錯化剤および還元剤を少なくとも
含有し、水溶性金塩はシアンを含有せず、かつ、錯化剤
はチオシアン酸塩と亜硫酸塩の組み合わせであるため、
無電解金めっき液は毒性が極めて低いものであり、ま
た、上記の錯化剤を使用したことにより、従来のノーシ
アン無電解金めっき液に比べて、安定剤を添加しないベ
ース浴の安定性が著しく向上し、さらに、高品質の金め
っき膜を高い成膜速度で形成することが可能である。
によれば水溶性金塩、錯化剤および還元剤を少なくとも
含有し、水溶性金塩はシアンを含有せず、かつ、錯化剤
はチオシアン酸塩と亜硫酸塩の組み合わせであるため、
無電解金めっき液は毒性が極めて低いものであり、ま
た、上記の錯化剤を使用したことにより、従来のノーシ
アン無電解金めっき液に比べて、安定剤を添加しないベ
ース浴の安定性が著しく向上し、さらに、高品質の金め
っき膜を高い成膜速度で形成することが可能である。
Claims (5)
- 【請求項１】 シアンを含有しない水溶性金塩、錯化剤
および還元剤を少なくとも含有し、前記錯化剤はチオシ
アン酸塩および亜硫酸塩であることを特徴とする無電解
金めっき液。 - 【請求項２】 前記チオシアン酸塩を０．０５ｍｏｌ／
ｌ以上含有し、前記亜硫酸塩を０．０５〜０．２ｍｏｌ
／ｌの範囲で含有することを特徴とする請求項１に記載
の無電解金めっき液。 - 【請求項３】 前記水溶性金塩を０．００５〜０．０１
５ｍｏｌ／ｌの範囲で含有することを特徴とする請求項
１または請求項２に記載の無電解金めっき液。 - 【請求項４】 前記還元剤を０．０１ｍｏｌ／ｌ以上含
有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
かに記載の無電解金めっき液。 - 【請求項５】 前記還元剤は、アスコルビン酸またはそ
の塩であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のい
ずれかに記載の無電解金めっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25465295A JPH0971871A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 無電解金めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25465295A JPH0971871A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 無電解金めっき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0971871A true JPH0971871A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=17267993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25465295A Pending JPH0971871A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 無電解金めっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0971871A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002022909A1 (fr) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Solution pour dorure autocatalytique et procede correspondant |
| JP2005146410A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-06-09 | Kanto Chem Co Inc | 無電解金めっき液 |
| JP2005256140A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | C Uyemura & Co Ltd | 金めっき浴 |
| JP2007308796A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
| WO2014072969A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Ben Gurion University Of The Negev Research And Development Authority | Gold nanostructures and processes for their preparation |
-
1995
- 1995-09-06 JP JP25465295A patent/JPH0971871A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002022909A1 (fr) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Solution pour dorure autocatalytique et procede correspondant |
| US6811828B2 (en) | 2000-09-18 | 2004-11-02 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Electroless gold plating solution and method for electroless plating |
| JP2009235577A (ja) * | 2000-09-18 | 2009-10-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解金めっき液および無電解金めっき方法 |
| JP2005146410A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-06-09 | Kanto Chem Co Inc | 無電解金めっき液 |
| JP4603320B2 (ja) * | 2003-10-22 | 2010-12-22 | 関東化学株式会社 | 無電解金めっき液 |
| JP2005256140A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | C Uyemura & Co Ltd | 金めっき浴 |
| JP2007308796A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解金めっき液及び無電解金めっき方法 |
| WO2014072969A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Ben Gurion University Of The Negev Research And Development Authority | Gold nanostructures and processes for their preparation |
| US10895013B2 (en) | 2012-11-09 | 2021-01-19 | Ben Gurion University Of The Negev Research And Development Authority | Gold nanostructures and processes for their preparation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5364460A (en) | Electroless gold plating bath | |
| CN101319318B (zh) | 无电镀金浴、无电镀金方法及电子部件 | |
| US5803957A (en) | Electroless gold plating bath | |
| US6991675B2 (en) | Electroless displacement gold plating solution and additive for use in preparing plating solution | |
| JPH0681161A (ja) | 銅及び銅合金の表面処理剤 | |
| KR100529984B1 (ko) | 무전해 금 도금액 및 무전해 금 도금 방법 | |
| JP2927142B2 (ja) | 無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法 | |
| KR20040050887A (ko) | 무전해 금도금 용액 | |
| JPH0971871A (ja) | 無電解金めっき液 | |
| CA2076088C (en) | Method for enhancing the uniform electroless deposition of gold onto a palladium substrate | |
| JP2002180259A (ja) | めっき液における金属析出促進化合物および該化合物を含むめっき液 | |
| JP2004143589A (ja) | メッキ方法 | |
| JP2874088B2 (ja) | 無電解金めっき浴 | |
| JPS609116B2 (ja) | パラジウム及びパラジウム合金の電着方法 | |
| JP3677617B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| KR20090069231A (ko) | 구리 소지용 치환 금도금액 및 이를 이용한 금도금 방법 | |
| JP3148428B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| JP3565302B2 (ja) | 無電解金めっき方法 | |
| JP4129363B2 (ja) | 電解金めっき液及び金めっき方法 | |
| JP4000101B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| EP0661388B1 (en) | Chemical etchant for palladium | |
| JP3058178B2 (ja) | 無電解金めつき液 | |
| JP3148427B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| JPH05295558A (ja) | 高速置換型無電解金めっき液 | |
| JP2003147542A (ja) | 無電解置換型金メッキ液 |