JPH0970856A - 半導体チップのモ−ルド方法 - Google Patents
半導体チップのモ−ルド方法Info
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- JPH0970856A JPH0970856A JP23102795A JP23102795A JPH0970856A JP H0970856 A JPH0970856 A JP H0970856A JP 23102795 A JP23102795 A JP 23102795A JP 23102795 A JP23102795 A JP 23102795A JP H0970856 A JPH0970856 A JP H0970856A
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- Japan
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- mold
- cleaning
- molding
- semiconductor chip
- resin
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/1753—Cleaning or purging, e.g. of the injection unit
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】樹脂封止型半導体集積回路装置の製造コストを
下げることができる半導体チップのモ−ルド方法の提
供。 【解決手段】耐熱性及び柔軟性を有する材質によって形
成されクリ−ニング作用のある成分が含浸されているキ
ャビティ−部以上の厚さのクリ−ニング用シ−トを用意
し、このシ−トを第一の金型3と第二の金型4とからな
る成形金型の合わせ面のほぼ全域に接触するようにクラ
ンプし、その後第一の金型3と第二の金型4とを型開き
してクリ−ニング用シ−トを取りだして成形金型内部を
クリ−ニングする工程と、第一の金型と第二の金型とか
らなる成形金型との間に半導体チップがボンディングさ
れたリ−ドフレ−ムをクランプし、上記成形金型内に封
止用樹脂を充填して、上記半導体チップ及びこの半導体
チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムの内部リ−
ド等を封止する工程とを有することを特徴とする半導体
チップのモ−ルド方法。
下げることができる半導体チップのモ−ルド方法の提
供。 【解決手段】耐熱性及び柔軟性を有する材質によって形
成されクリ−ニング作用のある成分が含浸されているキ
ャビティ−部以上の厚さのクリ−ニング用シ−トを用意
し、このシ−トを第一の金型3と第二の金型4とからな
る成形金型の合わせ面のほぼ全域に接触するようにクラ
ンプし、その後第一の金型3と第二の金型4とを型開き
してクリ−ニング用シ−トを取りだして成形金型内部を
クリ−ニングする工程と、第一の金型と第二の金型とか
らなる成形金型との間に半導体チップがボンディングさ
れたリ−ドフレ−ムをクランプし、上記成形金型内に封
止用樹脂を充填して、上記半導体チップ及びこの半導体
チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムの内部リ−
ド等を封止する工程とを有することを特徴とする半導体
チップのモ−ルド方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップのモ−ル
ド方法に関し、特に、成形金型のキャビティ−やランナ
−及びエアベント等に付着した樹脂バリ及び油分や塵埃
などの汚れを除去するクリ−ニング工程と、半導体チッ
プ及びこの半導体チップがボンディングされたリ−ドフ
レ−ムの内部リ−ド等を封止する工程とを有することを
特徴とする半導体チップのモ−ルド方法に適用して有効
な技術に関する発明である。
ド方法に関し、特に、成形金型のキャビティ−やランナ
−及びエアベント等に付着した樹脂バリ及び油分や塵埃
などの汚れを除去するクリ−ニング工程と、半導体チッ
プ及びこの半導体チップがボンディングされたリ−ドフ
レ−ムの内部リ−ド等を封止する工程とを有することを
特徴とする半導体チップのモ−ルド方法に適用して有効
な技術に関する発明である。
【0002】
【従来の技術】一般に、所定の集積回路(IC)が形成
された半導体チップは、リ−ドフレ−ムと電気的に接続
された上で、塵埃や湿度などの外的雰囲気や機械的衝撃
からこれを保護するために、成形金型を用いたモ−ルド
工程で樹脂により樹脂封止される。半導体装置のモ−ル
ド工程を詳細に記載している例としては、たとえば、日
経BP発行、「実践講座 VLSIパッケ−ジング技術
(下)」(1993年5月31日発行)、P31〜P4
0がある。
された半導体チップは、リ−ドフレ−ムと電気的に接続
された上で、塵埃や湿度などの外的雰囲気や機械的衝撃
からこれを保護するために、成形金型を用いたモ−ルド
工程で樹脂により樹脂封止される。半導体装置のモ−ル
ド工程を詳細に記載している例としては、たとえば、日
経BP発行、「実践講座 VLSIパッケ−ジング技術
(下)」(1993年5月31日発行)、P31〜P4
0がある。
【0003】半導体チップのモ−ルド工程で用いられる
成形金型のキャビティ−やランナ−及びエアベント等に
は樹脂バリ及び油分や塵埃など汚れが蓄積される。
成形金型のキャビティ−やランナ−及びエアベント等に
は樹脂バリ及び油分や塵埃など汚れが蓄積される。
【0004】このような汚れは、成形品質に悪影響を与
える現象が発生することになるので、一定のショット数
おきに作業者が成形金型をクリ−ニングする必要があ
る。
える現象が発生することになるので、一定のショット数
おきに作業者が成形金型をクリ−ニングする必要があ
る。
【0005】しかし、作業者による成形金型のクリ−ニ
ングは、それが手作業であるためかなりの時間を要する
ことになるので、短時間で成形金型をクリ−ニングでき
る技術が要請されている。
ングは、それが手作業であるためかなりの時間を要する
ことになるので、短時間で成形金型をクリ−ニングでき
る技術が要請されている。
【0006】そこで、このような要請に応えるものとし
て、半導体チップの搭載されていないリ−ドフレ−ム
(以下ダミ−リ−ドフレ−ムと称する)を成形金型にク
ランプし、アンモニアやホルマリンなどのような汚れ落
しの成分が混入されたクリ−ニング用樹脂を成形金型内
に充填して成形金型をクリ−ニングする方法が一般的に
行なわれている。
て、半導体チップの搭載されていないリ−ドフレ−ム
(以下ダミ−リ−ドフレ−ムと称する)を成形金型にク
ランプし、アンモニアやホルマリンなどのような汚れ落
しの成分が混入されたクリ−ニング用樹脂を成形金型内
に充填して成形金型をクリ−ニングする方法が一般的に
行なわれている。
【0007】しかし、この技術によれば、クリ−ニング
用として高価なダミ−リ−ドフレ−ムを使用することに
なるので不経済であるのみならず、成形金型にはそれに
適合した特定形状のダミ−リ−ドフレ−ムを所定の位置
にセットしてクランプすることになるので、成形金型と
ダミ−リ−ドフレ−ムとの位置決めのための精度が必要
となり作業性が悪い。
用として高価なダミ−リ−ドフレ−ムを使用することに
なるので不経済であるのみならず、成形金型にはそれに
適合した特定形状のダミ−リ−ドフレ−ムを所定の位置
にセットしてクランプすることになるので、成形金型と
ダミ−リ−ドフレ−ムとの位置決めのための精度が必要
となり作業性が悪い。
【0008】そこで、このような問題を解決する技術と
して、次のような技術が考えられた。第一の技術として
特開平6−254866号公報に記載されているよう
に、型開きした金型間に、溶融状態のクリ−ニング用樹
脂が含浸及び透過可能な綿布からなるシ−ト状部材をク
ランプし、型閉じした金型内に溶融状態のクリ−ニング
用樹脂を充填する工程からなるものである。
して、次のような技術が考えられた。第一の技術として
特開平6−254866号公報に記載されているよう
に、型開きした金型間に、溶融状態のクリ−ニング用樹
脂が含浸及び透過可能な綿布からなるシ−ト状部材をク
ランプし、型閉じした金型内に溶融状態のクリ−ニング
用樹脂を充填する工程からなるものである。
【0009】次に、第二の技術として特開平1−950
10号公報に記載されているように、成形金型間に難燃
性の紙又は樹脂からなる基板を配置し、この状態で金型
内にクリ−ニング用樹脂を充填固化して上記基板とクリ
−ニング用樹脂とを離型する方法である。
10号公報に記載されているように、成形金型間に難燃
性の紙又は樹脂からなる基板を配置し、この状態で金型
内にクリ−ニング用樹脂を充填固化して上記基板とクリ
−ニング用樹脂とを離型する方法である。
【0010】さらに、第三の技術として特開平3−24
3310号公報に記載されているように、成形金型面間
に所要厚みを有するネット状の固化樹脂剥離用部材をク
ランプし、次に金型面間にクリ−ニング用樹脂を加圧充
填してこれを金型面に残存付着する異物に接着させると
ともに樹脂を剥離用部材に一体化させる。
3310号公報に記載されているように、成形金型面間
に所要厚みを有するネット状の固化樹脂剥離用部材をク
ランプし、次に金型面間にクリ−ニング用樹脂を加圧充
填してこれを金型面に残存付着する異物に接着させると
ともに樹脂を剥離用部材に一体化させる。
【0011】つぎに、金型を型開きして金型面から剥離
用部材を取りだし、剥離用部材に一体化された固化樹脂
及びに接着一体化された異物を金型面から除去するもの
である。
用部材を取りだし、剥離用部材に一体化された固化樹脂
及びに接着一体化された異物を金型面から除去するもの
である。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら第一の
技術、第二の技術、第三の技術でも、金型クリ−ニング
の際、クリ−ニング用樹脂を金型内に充填する必要があ
り、その結果封止用樹脂からクリ−ニング用樹脂への交
換作業及びそれに伴うクリ−ニング用樹脂の保存、在庫
管理などの工程管理など樹脂封止時とは異なる作業や工
程管理を行なう必要がある。
技術、第二の技術、第三の技術でも、金型クリ−ニング
の際、クリ−ニング用樹脂を金型内に充填する必要があ
り、その結果封止用樹脂からクリ−ニング用樹脂への交
換作業及びそれに伴うクリ−ニング用樹脂の保存、在庫
管理などの工程管理など樹脂封止時とは異なる作業や工
程管理を行なう必要がある。
【0013】本発明は上記従来技術の課題に着目してな
されたものであり、本発明の第一のの目的は、作業数が
少なく短時間でクリ−ニングを行なうことのできるクリ
−ニング工程を有する半導体チップのモ−ルド方法を提
供するものである。
されたものであり、本発明の第一のの目的は、作業数が
少なく短時間でクリ−ニングを行なうことのできるクリ
−ニング工程を有する半導体チップのモ−ルド方法を提
供するものである。
【0014】また、本発明の第二の目的は、工程管理が
容易なクリ−ニング工程を有する半導体チップのモ−ル
ド方法を提供するものである。
容易なクリ−ニング工程を有する半導体チップのモ−ル
ド方法を提供するものである。
【0015】さらに、本発明の第三の目的は、樹脂封止
型半導体集積回路装置の製造コストを下げることができ
る半導体チップのモ−ルド方法を提供するものである。
型半導体集積回路装置の製造コストを下げることができ
る半導体チップのモ−ルド方法を提供するものである。
【0016】なお、本発明の上記並びにその他の目的
と、新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明
らかになるであろう。
と、新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明
らかになるであろう。
【0017】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。
【0018】すなわち、本発明による第一の半導体チッ
プのモ−ルド方法は、予めクリ−ニング作用のある成分
の含浸したキャビティ−の厚さ以上の耐熱性及び柔軟性
を有するクリ−ニング用シ−トを用意し、このクリ−ニ
ング用シ−トを成形金型を形成する第一の金型と第二の
金型との間に、これらの第一の金型及び第二の金型の合
わせ面のほぼ全域に接触するようにクリ−ニング用シ−
トをクランプし、その後上記第一の金型と第二の金型と
を型開きしてクリ−ニング用シ−トを取りだすことによ
り成形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一の
金型と第二の金型とからなる成形金型との間に半導体チ
ップがボンディングされたリ−ドフレ−ムをクランプ
し、上記成形金型内に封止用樹脂を充填して、上記半導
体チップ及びこの半導体チップがボンディングされたリ
−ドフレ−ムの内部リ−ド等を樹脂で封止する工程とを
有することを特徴とする半導体チップのモ−ルド方法で
ある。 また、本発明の第二の半導体チップのモ−ルド
方法は、クリ−ニング用シ−トにクリ−ニング作用のあ
る成分を含浸し、このシ−トを成形金型を形成する第一
の金型と第二の金型との間に、これら第一の金型及び第
二の金型の合わせ面全面を覆うようにクランプし、この
成形金型内に封止用樹脂をクリ−ニング用シ−トに浸透
させながら成形金型の内部(キャビティ−など)に充填
する。その後第一の金型と第二の金型を型開きして封止
用樹脂が一体化したクリ−ニング用シ−トを取りだすこ
とにより、成形金型内部をクリ−ニングする工程と、第
一の金型と第二の金型とからなる成形金型との間に半導
体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムをクラン
プし、上記成形金型内に封止用樹脂を充填して、上記半
導体チップ及びこの半導体チップがボンディングされた
リ−ドフレ−ムの内部リ−ド等を封止する工程とを有す
ることを特徴とする半導体チップのモ−ルド方法であ
る。
プのモ−ルド方法は、予めクリ−ニング作用のある成分
の含浸したキャビティ−の厚さ以上の耐熱性及び柔軟性
を有するクリ−ニング用シ−トを用意し、このクリ−ニ
ング用シ−トを成形金型を形成する第一の金型と第二の
金型との間に、これらの第一の金型及び第二の金型の合
わせ面のほぼ全域に接触するようにクリ−ニング用シ−
トをクランプし、その後上記第一の金型と第二の金型と
を型開きしてクリ−ニング用シ−トを取りだすことによ
り成形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一の
金型と第二の金型とからなる成形金型との間に半導体チ
ップがボンディングされたリ−ドフレ−ムをクランプ
し、上記成形金型内に封止用樹脂を充填して、上記半導
体チップ及びこの半導体チップがボンディングされたリ
−ドフレ−ムの内部リ−ド等を樹脂で封止する工程とを
有することを特徴とする半導体チップのモ−ルド方法で
ある。 また、本発明の第二の半導体チップのモ−ルド
方法は、クリ−ニング用シ−トにクリ−ニング作用のあ
る成分を含浸し、このシ−トを成形金型を形成する第一
の金型と第二の金型との間に、これら第一の金型及び第
二の金型の合わせ面全面を覆うようにクランプし、この
成形金型内に封止用樹脂をクリ−ニング用シ−トに浸透
させながら成形金型の内部(キャビティ−など)に充填
する。その後第一の金型と第二の金型を型開きして封止
用樹脂が一体化したクリ−ニング用シ−トを取りだすこ
とにより、成形金型内部をクリ−ニングする工程と、第
一の金型と第二の金型とからなる成形金型との間に半導
体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムをクラン
プし、上記成形金型内に封止用樹脂を充填して、上記半
導体チップ及びこの半導体チップがボンディングされた
リ−ドフレ−ムの内部リ−ド等を封止する工程とを有す
ることを特徴とする半導体チップのモ−ルド方法であ
る。
【0019】
【作用】上記第一の半導体チップのモ−ルド方法では、
クリ−ニング用樹脂及び封止用樹脂やダミ−リ−ドフレ
−ムを使用しない、クリ−ニング用シ−トのみによるク
リ−ニング工程であることから、例えば、樹脂の所定の
位置へのセット、その樹脂を成形金型を形成する第一の
金型と第二の金型との間に充填する作業などの従来のク
リ−ニング工程で必要とされていた作業、またその作業
に伴う樹脂の管理などの工程管理をなくすことができ
る。それによって作業数が低減される。
クリ−ニング用樹脂及び封止用樹脂やダミ−リ−ドフレ
−ムを使用しない、クリ−ニング用シ−トのみによるク
リ−ニング工程であることから、例えば、樹脂の所定の
位置へのセット、その樹脂を成形金型を形成する第一の
金型と第二の金型との間に充填する作業などの従来のク
リ−ニング工程で必要とされていた作業、またその作業
に伴う樹脂の管理などの工程管理をなくすことができ
る。それによって作業数が低減される。
【0020】上記第二の半導体チップのモ−ルド方法
は、封止用樹脂とクリ−ニング用シ−トによるクリ−ニ
ング工程であることから、従来のクリ−ニング工程で必
要とされる作業のうち、例えば、封止用樹脂に換えて、
クリ−ニング用樹脂を成形金型を形成する第一の金型と
第二の金型との間に充填する作業、またその作業に伴う
クリ−ニング用樹脂の管理などの工程管理をなくすこと
ができる。それによって作業数が低減される。
は、封止用樹脂とクリ−ニング用シ−トによるクリ−ニ
ング工程であることから、従来のクリ−ニング工程で必
要とされる作業のうち、例えば、封止用樹脂に換えて、
クリ−ニング用樹脂を成形金型を形成する第一の金型と
第二の金型との間に充填する作業、またその作業に伴う
クリ−ニング用樹脂の管理などの工程管理をなくすこと
ができる。それによって作業数が低減される。
【0021】さらに、短時間で行なえるクリ−ニング工
程を用いる第一及び第二の半導体チップのモ−ルド方法
を行なうことで、樹脂封止型半導体集積回路装置の製造
コストを低減することができる。
程を用いる第一及び第二の半導体チップのモ−ルド方法
を行なうことで、樹脂封止型半導体集積回路装置の製造
コストを低減することができる。
【0022】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
【0023】(実施例1)図1は本発明に使用されるト
ランスファ−モ−ルド装置の全体を示す外観斜視図であ
る。
ランスファ−モ−ルド装置の全体を示す外観斜視図であ
る。
【0024】このトランスファ−モ−ルド装置は、例え
ば、半導体チップ及びこの半導体チップがボンディング
されたリ−ドフレ−ムの内部リ−ド等を樹脂で封止する
ために使用されるものである。
ば、半導体チップ及びこの半導体チップがボンディング
されたリ−ドフレ−ムの内部リ−ド等を樹脂で封止する
ために使用されるものである。
【0025】この装置の、1はロ−ダ、2はアンロ−
ダ、3は第一の金型、4は第二の金型、5はこれら第一
及び第二の金型を含んでいる樹脂成形部である。この装
置では、半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ
−ムは、図1に示すロ−ダ1から樹脂成形部5に搬入さ
れ、この樹脂成形部5で半導体チップなどが樹脂封止さ
れる。成形が終了した樹脂封止型半導体集積回路装置は
アンロ−ダ2に搬出されてここに収容される。
ダ、3は第一の金型、4は第二の金型、5はこれら第一
及び第二の金型を含んでいる樹脂成形部である。この装
置では、半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ
−ムは、図1に示すロ−ダ1から樹脂成形部5に搬入さ
れ、この樹脂成形部5で半導体チップなどが樹脂封止さ
れる。成形が終了した樹脂封止型半導体集積回路装置は
アンロ−ダ2に搬出されてここに収容される。
【0026】前記樹脂成形部5の詳細を図2に示す。こ
の図2の6はキャビティ−、7はカル、8はランナ−、
9はポット、10はプランジャ−、11・15はエジェ
クタプレ−ト、12・16はエジェクタピン、13はゲ
−ト、14はエアベントである。その成形金型の平面図
が図3である。図4は成形金型キャビティ−の拡大平面
図である。第一の金型3と第二の金型4との合わせ面に
は、半導体チップが位置する所定形状のキャビティ−6
が複数箇所に形成されている。第二の金型4の所定の位
置には、樹脂がセットされるシリンダ状のポット9が複
数貫通して形成され、ポット9に対応する第一の金型3
のそれぞれの部分には、カル7が設けられている。
の図2の6はキャビティ−、7はカル、8はランナ−、
9はポット、10はプランジャ−、11・15はエジェ
クタプレ−ト、12・16はエジェクタピン、13はゲ
−ト、14はエアベントである。その成形金型の平面図
が図3である。図4は成形金型キャビティ−の拡大平面
図である。第一の金型3と第二の金型4との合わせ面に
は、半導体チップが位置する所定形状のキャビティ−6
が複数箇所に形成されている。第二の金型4の所定の位
置には、樹脂がセットされるシリンダ状のポット9が複
数貫通して形成され、ポット9に対応する第一の金型3
のそれぞれの部分には、カル7が設けられている。
【0027】さらに、このカル7からは、前記した複数
のキャビティ−6が連通された複数のランナ−8が分岐
して形成されており、第一の金型3と第二の金型4が密
着された状態において、ポット9の上辺がカル7によっ
て閉止されるとともにカル7及びランナ8を介してポッ
ト9が複数のキャビティ−6に連通されるようになって
いる。なお、キャビティ−6の外側には、キャビティ−
6のエア−を外部に逃して樹脂の充填を完全にするため
のエアベント14が形成されている。
のキャビティ−6が連通された複数のランナ−8が分岐
して形成されており、第一の金型3と第二の金型4が密
着された状態において、ポット9の上辺がカル7によっ
て閉止されるとともにカル7及びランナ8を介してポッ
ト9が複数のキャビティ−6に連通されるようになって
いる。なお、キャビティ−6の外側には、キャビティ−
6のエア−を外部に逃して樹脂の充填を完全にするため
のエアベント14が形成されている。
【0028】図5は実施例1で使用するクリ−ニング用
シ−トの一例を示す斜視図である。この第一のクリ−ニ
ング用シ−ト17は、耐熱性(例えば180℃以上まで
耐える)及び柔軟性を有する例えばパルプ100%の
紙、布、不織布などによって形成されており、この第一
のクリ−ニング用シ−ト17にはクリ−ニング作用のあ
る成分が含浸されている。この第一のクリ−ニング用シ
−ト17は、金型のキャビティ−以上の厚さとされてい
る。このシ−トの表面には多数の細孔をランダムに形成
してもよい。
シ−トの一例を示す斜視図である。この第一のクリ−ニ
ング用シ−ト17は、耐熱性(例えば180℃以上まで
耐える)及び柔軟性を有する例えばパルプ100%の
紙、布、不織布などによって形成されており、この第一
のクリ−ニング用シ−ト17にはクリ−ニング作用のあ
る成分が含浸されている。この第一のクリ−ニング用シ
−ト17は、金型のキャビティ−以上の厚さとされてい
る。このシ−トの表面には多数の細孔をランダムに形成
してもよい。
【0029】また、クリ−ニング作用のある成分にかえ
て、金型の離型性回復を目的とする離型回復作用のある
成分を含浸させた金型のキャビティ−以上の厚さのクリ
−ニング用シ−ト、あるいは余分な付着物(例えば離型
剤など)除去を目的とする何も含浸させていない金型の
キャビティ−以上の厚さのクリ−ニング用シ−トを上記
クリ−ニング作用のある成分が含浸されている第一のク
リ−ニング用シ−ト17にかえてクリ−ニングに使用す
ることもできる。
て、金型の離型性回復を目的とする離型回復作用のある
成分を含浸させた金型のキャビティ−以上の厚さのクリ
−ニング用シ−ト、あるいは余分な付着物(例えば離型
剤など)除去を目的とする何も含浸させていない金型の
キャビティ−以上の厚さのクリ−ニング用シ−トを上記
クリ−ニング作用のある成分が含浸されている第一のク
リ−ニング用シ−ト17にかえてクリ−ニングに使用す
ることもできる。
【0030】次に、実施例1における半導体チップのモ
−ルド方法を説明する。ワイヤ−ボンディング工程で半
導体チップとリ−ドフレ−ムがワイヤ−で接続された
後、モ−ルド工程で半導体チップ及びこの半導体チップ
がボンディングされたリ−ドフレ−ムの内部リ−ド等が
封止用樹脂で封止される。次に、切断工程でリ−ドフレ
−ムの切断が行われる。本発明のモ−ルド工程は、樹脂
封止工程とクリ−ニング工程を有する。図6にこれらの
工程のフロ−を示す。
−ルド方法を説明する。ワイヤ−ボンディング工程で半
導体チップとリ−ドフレ−ムがワイヤ−で接続された
後、モ−ルド工程で半導体チップ及びこの半導体チップ
がボンディングされたリ−ドフレ−ムの内部リ−ド等が
封止用樹脂で封止される。次に、切断工程でリ−ドフレ
−ムの切断が行われる。本発明のモ−ルド工程は、樹脂
封止工程とクリ−ニング工程を有する。図6にこれらの
工程のフロ−を示す。
【0031】次に、実施例1のモ−ルド工程の樹脂封止
工程について説明する。
工程について説明する。
【0032】プランジャ10の上にプレヒ−タにより加
熱された固体状の封止用樹脂をセットし、次いで、半導
体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムは、図1
に示すロ−ダ1から樹脂成形部5に搬送される。
熱された固体状の封止用樹脂をセットし、次いで、半導
体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムは、図1
に示すロ−ダ1から樹脂成形部5に搬送される。
【0033】この状態で、第二の金型4を第一の金型3
に向けて接近移動することにより、成形金型を形成する
第一の金型と第二の金型との間にキャビティ−6を含め
た空間が形成される。溶融状態となった封止用樹脂をプ
ランジャ−10によってカル7へ押し出すと、封止用樹
脂はランナ−8及びゲ−ト13を通ってキャビティ−6
内に流入する。
に向けて接近移動することにより、成形金型を形成する
第一の金型と第二の金型との間にキャビティ−6を含め
た空間が形成される。溶融状態となった封止用樹脂をプ
ランジャ−10によってカル7へ押し出すと、封止用樹
脂はランナ−8及びゲ−ト13を通ってキャビティ−6
内に流入する。
【0034】キャビティ−6に充填された樹脂が、熱と
キュアにより熱硬化した後に、第二の金型4を下降移動
すると型開きがなされる。次いで、エジェクタプレ−ト
a15を下降移動させるとともに、エジェクタプレ−ト
b11を上昇移動させる。これによりエジェクタピン1
2,16が突出して型開きが完了して、樹脂封止された
樹脂封止型半導体集積回路装置の取りだしがなされる この樹脂封止は一日に何百ショットと繰り返されるた
め、樹脂が充填される成形金型の内部、つまり成形金型
を形成する第一の金型3と第二の金型4の合わせ面(エ
アベントを含む)に樹脂バリ及び油分や塵埃などの汚れ
が蓄積することになる。
キュアにより熱硬化した後に、第二の金型4を下降移動
すると型開きがなされる。次いで、エジェクタプレ−ト
a15を下降移動させるとともに、エジェクタプレ−ト
b11を上昇移動させる。これによりエジェクタピン1
2,16が突出して型開きが完了して、樹脂封止された
樹脂封止型半導体集積回路装置の取りだしがなされる この樹脂封止は一日に何百ショットと繰り返されるた
め、樹脂が充填される成形金型の内部、つまり成形金型
を形成する第一の金型3と第二の金型4の合わせ面(エ
アベントを含む)に樹脂バリ及び油分や塵埃などの汚れ
が蓄積することになる。
【0035】したがって、これら汚れを取り除くための
クリ−ニング工程を施す必要がある。実施例1では、こ
のクリ−ニング工程をクリ−ニング工程Aと称する。こ
のクリ−ニング工程Aは、前記した第一のクリ−ニング
用シ−ト17を用意し、このシ−トを第一の金型3と第
二の金型4とからなる成形金型の前記第一の金型3及び
第二の金型4との間に、これら第一の金型3及び第二の
金型4の合わせ面のほぼ全域に接触するようにセット
し、この状態で、第二の金型4を第一の金型3にむけて
接近移動させる。この接近移動の際、金型と第一のクリ
−ニング用シ−ト17との摩擦による金型の合わせ面の
汚れの剥離、第一の金型3及び第二の金型4で、クリ−
ニング用シ−ト17をクランプした状態で、一定時間維
持することで第一のクリ−ニング用シ−ト17に予め含
浸してあるクリ−ニング作用のある成分が作用し金型の
合わせ面に付着した樹脂バリ及び油分や塵埃を落し、そ
の落ちた汚れを、金型の熱・圧力でクリ−ニング用シ−
トに付着一体化させる。図7は前記トランスファ−モ−
ルド装置にクリ−ニング用シ−トがクランプされている
状態の成形金型部分断面図である。
クリ−ニング工程を施す必要がある。実施例1では、こ
のクリ−ニング工程をクリ−ニング工程Aと称する。こ
のクリ−ニング工程Aは、前記した第一のクリ−ニング
用シ−ト17を用意し、このシ−トを第一の金型3と第
二の金型4とからなる成形金型の前記第一の金型3及び
第二の金型4との間に、これら第一の金型3及び第二の
金型4の合わせ面のほぼ全域に接触するようにセット
し、この状態で、第二の金型4を第一の金型3にむけて
接近移動させる。この接近移動の際、金型と第一のクリ
−ニング用シ−ト17との摩擦による金型の合わせ面の
汚れの剥離、第一の金型3及び第二の金型4で、クリ−
ニング用シ−ト17をクランプした状態で、一定時間維
持することで第一のクリ−ニング用シ−ト17に予め含
浸してあるクリ−ニング作用のある成分が作用し金型の
合わせ面に付着した樹脂バリ及び油分や塵埃を落し、そ
の落ちた汚れを、金型の熱・圧力でクリ−ニング用シ−
トに付着一体化させる。図7は前記トランスファ−モ−
ルド装置にクリ−ニング用シ−トがクランプされている
状態の成形金型部分断面図である。
【0036】その後、第二の金型4を下降移動すると型
開きがなされる。ついで、イジェクタプレ−トa15を
下降移動させるとともに、エジェクタプレ−トb11を
上昇移動させる、これにより、エジェクタピン12,1
6が突出して図8に示すように型開きが完了して、クリ
−ニング用シ−トとそのシ−トに接着一体化された汚れ
の取りだしがなされる。図8は前記トランスファ−モ−
ルド装置にクリ−ニング用シ−トがクランプし成形金型
クリ−ニング終了後、型開きした状態の成形金型部分断
面図である。この図8の18は、クリ−ニング終了後の
クリ−ニング用シ−トである。図9は、このシ−トの平
面図である。図10はこのシ−トの斜視図である。
開きがなされる。ついで、イジェクタプレ−トa15を
下降移動させるとともに、エジェクタプレ−トb11を
上昇移動させる、これにより、エジェクタピン12,1
6が突出して図8に示すように型開きが完了して、クリ
−ニング用シ−トとそのシ−トに接着一体化された汚れ
の取りだしがなされる。図8は前記トランスファ−モ−
ルド装置にクリ−ニング用シ−トがクランプし成形金型
クリ−ニング終了後、型開きした状態の成形金型部分断
面図である。この図8の18は、クリ−ニング終了後の
クリ−ニング用シ−トである。図9は、このシ−トの平
面図である。図10はこのシ−トの斜視図である。
【0037】なお、この作業で、使用する第一のクリ−
ニング用シ−ト17はシ−ト自体にクリ−ニング作用を
有することから、キャビティ−6、ランナ−8、ゲ−ト
13はもちろんのこと、従来のクリ−ニング工程で汚れ
が取りにくいとされていた、エアベント14、金型と金
型が接触する部分及び、金型とリ−ドフレ−ムが接触す
る部分などクリ−ニング用シ−トが対応している全ての
部分の汚れも除去することができる。よって、樹脂封止
時における樹脂の未充填及び気泡の発生を防止する。ま
たキャビティ−周囲の金型の合わせ面に付着した樹脂バ
リも除去することができるため、これによりリ−ド変
形、リ−ド打痕、リ−ドメッキ剥がれの発生を防止する
ことができる。上記のように樹脂の未充填及び気泡の発
生の防止、樹脂バリの除去により高品質の樹脂封止型半
導体集積回路装置を得ることができる。図11は本発明
によるモ−ルド方法で樹脂封止された樹脂封止型半導体
集積回路装置の一例である。
ニング用シ−ト17はシ−ト自体にクリ−ニング作用を
有することから、キャビティ−6、ランナ−8、ゲ−ト
13はもちろんのこと、従来のクリ−ニング工程で汚れ
が取りにくいとされていた、エアベント14、金型と金
型が接触する部分及び、金型とリ−ドフレ−ムが接触す
る部分などクリ−ニング用シ−トが対応している全ての
部分の汚れも除去することができる。よって、樹脂封止
時における樹脂の未充填及び気泡の発生を防止する。ま
たキャビティ−周囲の金型の合わせ面に付着した樹脂バ
リも除去することができるため、これによりリ−ド変
形、リ−ド打痕、リ−ドメッキ剥がれの発生を防止する
ことができる。上記のように樹脂の未充填及び気泡の発
生の防止、樹脂バリの除去により高品質の樹脂封止型半
導体集積回路装置を得ることができる。図11は本発明
によるモ−ルド方法で樹脂封止された樹脂封止型半導体
集積回路装置の一例である。
【0038】さらに、金型の離型性が劣化した場合は、
前記した離型回復作用のある成分を含浸させた金型のキ
ャビティ−以上の厚さを有するクリ−ニング用シ−トを
用意し、成形金型を形成する第一及び第二の金型との間
に、そのシ−トをクランプすることで金型の離型性を回
復できる。
前記した離型回復作用のある成分を含浸させた金型のキ
ャビティ−以上の厚さを有するクリ−ニング用シ−トを
用意し、成形金型を形成する第一及び第二の金型との間
に、そのシ−トをクランプすることで金型の離型性を回
復できる。
【0039】上記実施例が、クリ−ニング用樹脂及び封
止用樹脂やダミ−リ−ドフレ−ムを使用しないクリ−ニ
ング用シ−トのみによるクリ−ニング工程であることか
ら、従来のクリ−ニング工程で必要とされていた作業や
工程管理をなくすことができる。それによって作業数が
低減される。一例ではあるが、当社におけるクリ−ニン
グ工程での作業時間が約1/3に低減され、クリ−ニン
グコストも約1/2に低減された。
止用樹脂やダミ−リ−ドフレ−ムを使用しないクリ−ニ
ング用シ−トのみによるクリ−ニング工程であることか
ら、従来のクリ−ニング工程で必要とされていた作業や
工程管理をなくすことができる。それによって作業数が
低減される。一例ではあるが、当社におけるクリ−ニン
グ工程での作業時間が約1/3に低減され、クリ−ニン
グコストも約1/2に低減された。
【0040】よって、このクリ−ニング工程を用いるモ
−ルド方法を行なうことで樹脂封止型半導体集積回路装
置の製造コストが低減され、なおかつ高品質な樹脂封止
型半導体集積回路装置が得ることができる。
−ルド方法を行なうことで樹脂封止型半導体集積回路装
置の製造コストが低減され、なおかつ高品質な樹脂封止
型半導体集積回路装置が得ることができる。
【0041】実施例1のモ−ルド方法では、図12に示
したようにクリ−ニング用シ−トを製造するうえで、ク
リ−ニング作用のある成分を混合した耐熱性及び柔軟性
を有するキャビティ−の厚さ以上の第二のクリ−ニング
用シ−ト20、また、図13に示したような耐熱性及び
柔軟性を有する材質のシ−ト状部材の表面及び裏面にク
リ−ニング作用を有する薄い樹脂を有する、キャビティ
−の厚さ以上の第三のクリ−ニング用シ−ト21、なお
この薄い樹脂は、金型の熱により一度溶融し、その後、
金型の熱とキュアにより熱硬化し汚れと樹脂が一体化す
る。さらに、図14に示したように成形金型のキャビテ
ィ−に完全にクリ−ニング用シ−トが、接触するように
キャビティ−を加工した耐熱性及び柔軟性を有するキャ
ビティ−の厚さ以上の第四のクリ−ニング用シ−ト22
を上記クリ−ニング作用のある成分を含浸した金型のキ
ャビティ−以上の厚さを有するクリ−ニング用シ−ト1
7にかえてクリ−ニングに使用できる。
したようにクリ−ニング用シ−トを製造するうえで、ク
リ−ニング作用のある成分を混合した耐熱性及び柔軟性
を有するキャビティ−の厚さ以上の第二のクリ−ニング
用シ−ト20、また、図13に示したような耐熱性及び
柔軟性を有する材質のシ−ト状部材の表面及び裏面にク
リ−ニング作用を有する薄い樹脂を有する、キャビティ
−の厚さ以上の第三のクリ−ニング用シ−ト21、なお
この薄い樹脂は、金型の熱により一度溶融し、その後、
金型の熱とキュアにより熱硬化し汚れと樹脂が一体化す
る。さらに、図14に示したように成形金型のキャビテ
ィ−に完全にクリ−ニング用シ−トが、接触するように
キャビティ−を加工した耐熱性及び柔軟性を有するキャ
ビティ−の厚さ以上の第四のクリ−ニング用シ−ト22
を上記クリ−ニング作用のある成分を含浸した金型のキ
ャビティ−以上の厚さを有するクリ−ニング用シ−ト1
7にかえてクリ−ニングに使用できる。
【0042】(実施例2)実施例2におけるモ−ルド方
法は、始めに、モ−ルド工程の樹脂封止工程で実施例1
記載同様の方法により半導体チップ及びこの半導体チッ
プがボンディングされたリ−ドフレ−ムの内部リ−ドな
どを封止用樹脂で封止する。
法は、始めに、モ−ルド工程の樹脂封止工程で実施例1
記載同様の方法により半導体チップ及びこの半導体チッ
プがボンディングされたリ−ドフレ−ムの内部リ−ドな
どを封止用樹脂で封止する。
【0043】次に、金型の合わせ面の汚れを取り除くた
めのクリ−ニング工程を行なう。このクリ−ニング工程
をクリ−ニング工程Bと称する。
めのクリ−ニング工程を行なう。このクリ−ニング工程
をクリ−ニング工程Bと称する。
【0044】このクリ−ニング工程Bでは、耐熱性及び
柔軟性を有する例えばパルプ100%の紙、布、不織布
等によって形成されている予めクリ−ニング作用のある
成分が含浸されている金型のキャビティ−以上の厚さの
第五のクリ−ニング用シ−トを用意する。図15がこの
シ−トの一例の斜視図である。このシ−トを第一の金型
3と第二の金型4とからなる成形金型の前記第一及び第
二の金型との間に、これら第一及び第二の金型の合わせ
面のほぼ全域に接触するようにセットし、この状態で、
第二の金型4を第一の金型3にむけて接近移動させる。
この接近移動の際、金型とクリ−ニング用シ−トとの摩
擦による金型の合わせ面の汚れの剥離、さらに、第一の
金型3及び第二の金型4で第五のクリ−ニング用シ−ト
23をクランプし、この状態を一定時間維持することで
第五のクリ−ニング用シ−ト23に予め含浸してあるク
リ−ニング作用のある成分が作用し金型の合わせ面に付
着した樹脂バリ及び油分や塵埃を落し、その落ちた汚れ
を、金型の熱・圧力でクリ−ニング用シ−トに一体化さ
せる。その後、第二の金型4を下降移動すると型開きが
なされる。ついで、イジェクタプレ−トa15を下降移
動させるとともに、エジェクタプレ−トb11を上昇移
動させる、これにより、エジェクタピン12,16が突
出して型開きが完了して、第五のクリ−ニング用シ−ト
23とそのシ−トに接着一体化された汚れの取りだしが
なされる。
柔軟性を有する例えばパルプ100%の紙、布、不織布
等によって形成されている予めクリ−ニング作用のある
成分が含浸されている金型のキャビティ−以上の厚さの
第五のクリ−ニング用シ−トを用意する。図15がこの
シ−トの一例の斜視図である。このシ−トを第一の金型
3と第二の金型4とからなる成形金型の前記第一及び第
二の金型との間に、これら第一及び第二の金型の合わせ
面のほぼ全域に接触するようにセットし、この状態で、
第二の金型4を第一の金型3にむけて接近移動させる。
この接近移動の際、金型とクリ−ニング用シ−トとの摩
擦による金型の合わせ面の汚れの剥離、さらに、第一の
金型3及び第二の金型4で第五のクリ−ニング用シ−ト
23をクランプし、この状態を一定時間維持することで
第五のクリ−ニング用シ−ト23に予め含浸してあるク
リ−ニング作用のある成分が作用し金型の合わせ面に付
着した樹脂バリ及び油分や塵埃を落し、その落ちた汚れ
を、金型の熱・圧力でクリ−ニング用シ−トに一体化さ
せる。その後、第二の金型4を下降移動すると型開きが
なされる。ついで、イジェクタプレ−トa15を下降移
動させるとともに、エジェクタプレ−トb11を上昇移
動させる、これにより、エジェクタピン12,16が突
出して型開きが完了して、第五のクリ−ニング用シ−ト
23とそのシ−トに接着一体化された汚れの取りだしが
なされる。
【0045】次に、上記クリ−ニング工程Bとは違う他
のクリ−ニング工程を行なう。このクリ−ニング工程を
クリ−ニング工程Cと称する。このクリ−ニング工程C
では耐熱性及び柔軟性を有する例えばパルプ100%の
紙、布、不織布などによって形成されている予め離型回
復作用のある成分が含浸されている金型のキャビティ−
以上の厚さの第六のクリ−ニング用シ−トを用意する。
このシ−トの一例の斜視図を図16に示した。このシ−
トを第一の金型3と第二の金型4とからなる成形金型の
前記第一及び第二の金型との間に、これら第一及び第二
の金型の合わせ面のほぼ全域に接触するようにセット
し、この状態で、第二の金型4を第一の金型3にむけて
接近移動させる。第一の金型3及び第二の金型4とで第
六のクリ−ニング用シ−ト24をクランプし、この状態
を一定時間維持することで第六のクリ−ニング用シ−ト
24に予め含浸してある離型回復作用のある成分が作用
し金型内部の合わせ面でシ−ト対応する全ての部分の離
型性を回復させる。その後、第二の金型4を下降移動す
ると型開きがなされる。ついで、イジェクタプレ−トa
15を下降移動させるとともに、エジェクタプレ−トb
11を上昇移動させる、これにより、エジェクタピン1
2,16が突出して型開きが完了して、クリ−ニング用
シ−トとそのシ−トに接着一体化された汚れの取りだし
がなされる。
のクリ−ニング工程を行なう。このクリ−ニング工程を
クリ−ニング工程Cと称する。このクリ−ニング工程C
では耐熱性及び柔軟性を有する例えばパルプ100%の
紙、布、不織布などによって形成されている予め離型回
復作用のある成分が含浸されている金型のキャビティ−
以上の厚さの第六のクリ−ニング用シ−トを用意する。
このシ−トの一例の斜視図を図16に示した。このシ−
トを第一の金型3と第二の金型4とからなる成形金型の
前記第一及び第二の金型との間に、これら第一及び第二
の金型の合わせ面のほぼ全域に接触するようにセット
し、この状態で、第二の金型4を第一の金型3にむけて
接近移動させる。第一の金型3及び第二の金型4とで第
六のクリ−ニング用シ−ト24をクランプし、この状態
を一定時間維持することで第六のクリ−ニング用シ−ト
24に予め含浸してある離型回復作用のある成分が作用
し金型内部の合わせ面でシ−ト対応する全ての部分の離
型性を回復させる。その後、第二の金型4を下降移動す
ると型開きがなされる。ついで、イジェクタプレ−トa
15を下降移動させるとともに、エジェクタプレ−トb
11を上昇移動させる、これにより、エジェクタピン1
2,16が突出して型開きが完了して、クリ−ニング用
シ−トとそのシ−トに接着一体化された汚れの取りだし
がなされる。
【0046】上記のクリ−ニング工程B・クリ−ニング
工程Cを行なうことで、キャビティ−6、ランナ−8、
ゲ−ト13はもちろんのこと、従来のクリ−ニング工程
で汚れが取りにくいとされていた、エアベント14、金
型と金型が接触する部分及び、金型とリ−ドフレ−ムが
接触する部分などクリ−ニング用シ−トが対応している
全ての部分の汚れも除去することができる。よって、樹
脂封止時における樹脂の未充填及び気泡の発生を防止す
る。またキャビティ−周囲の金型の合わせ面に付着した
樹脂バリも除去することができるため、これによりリ−
ド変形、リ−ド打痕、リ−ドメッキ剥がれの発生を防止
することができる。上記のように樹脂の未充填及び気泡
の発生の防止、樹脂バリの除去により高品質の樹脂封止
型半導体集積回路装置を得ることができる。
工程Cを行なうことで、キャビティ−6、ランナ−8、
ゲ−ト13はもちろんのこと、従来のクリ−ニング工程
で汚れが取りにくいとされていた、エアベント14、金
型と金型が接触する部分及び、金型とリ−ドフレ−ムが
接触する部分などクリ−ニング用シ−トが対応している
全ての部分の汚れも除去することができる。よって、樹
脂封止時における樹脂の未充填及び気泡の発生を防止す
る。またキャビティ−周囲の金型の合わせ面に付着した
樹脂バリも除去することができるため、これによりリ−
ド変形、リ−ド打痕、リ−ドメッキ剥がれの発生を防止
することができる。上記のように樹脂の未充填及び気泡
の発生の防止、樹脂バリの除去により高品質の樹脂封止
型半導体集積回路装置を得ることができる。
【0047】さらに、金型の合わせ面でシ−トが対応す
る全ての部分で離型性を回復することができるので、成
形金型から樹脂封止型半導体集積回路装置の取りだしの
際の樹脂封止型半導体集積回路装置クラック及び金型へ
の樹脂封止型半導体集積回路装置付着残存が確実に防止
できる。
る全ての部分で離型性を回復することができるので、成
形金型から樹脂封止型半導体集積回路装置の取りだしの
際の樹脂封止型半導体集積回路装置クラック及び金型へ
の樹脂封止型半導体集積回路装置付着残存が確実に防止
できる。
【0048】また、上記実施例が、クリ−ニング用樹脂
及び封止用樹脂やダミ−リ−ドフレ−ムを使用しないク
リ−ニング用シ−トのみによるクリ−ニング工程である
ことから、従来のクリ−ニング工程で必要とされていた
作業や工程管理をなくすことができる。それによって作
業数が低減される。
及び封止用樹脂やダミ−リ−ドフレ−ムを使用しないク
リ−ニング用シ−トのみによるクリ−ニング工程である
ことから、従来のクリ−ニング工程で必要とされていた
作業や工程管理をなくすことができる。それによって作
業数が低減される。
【0049】よって、このクリ−ニング工程を用いる半
導体チップのモ−ルド方法を行なうことで樹脂封止型半
導体集積回路装置の製造コストを下げることができ、尚
且つ歩留まりが良く、高品質な樹脂封止型半導体集積回
路装置が得ることができる。
導体チップのモ−ルド方法を行なうことで樹脂封止型半
導体集積回路装置の製造コストを下げることができ、尚
且つ歩留まりが良く、高品質な樹脂封止型半導体集積回
路装置が得ることができる。
【0050】(実施例3)本実施例3における半導体チ
ップのモ−ルド方法は,始めに、モ−ルド工程の樹脂封
止工程で実施例1記載同様の方法により半導体チップ及
びこの半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−
ムの内部リ−ドなどを封止用樹脂で封止する。
ップのモ−ルド方法は,始めに、モ−ルド工程の樹脂封
止工程で実施例1記載同様の方法により半導体チップ及
びこの半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−
ムの内部リ−ドなどを封止用樹脂で封止する。
【0051】次に、金型の合わせ面の汚れを取り除くた
めのクリ−ニング工程を行なう。このクリ−ニング工程
をクリ−ニング工程Dと称する。このクリ−ニング工程
Dでは、耐熱性及び柔軟性を有する例えばパルプ100
%の紙、布、不織布等によって形成されているクリ−ニ
ング作用のある成分が含浸された、樹脂が上記クリ−ニ
ング用シ−トを透過しやすいように細孔がランダムにシ
−トの表面に形成され、厚さがリ−ドフレ−ムと同等の
厚さ(例えば0.5ミリ)である第七のクリ−ニング用
シ−トを用意する。このシ−トの細孔は必ずしも形成さ
れている必要はない。図17がこのシ−トの一例の斜視
図である。この第七のクリ−ニング用シ−ト25を、第
一の金型と第二の金型からなる成形金型の前記第一の金
型及び第二の金型の合わせ面全面を覆うようにセット
し、この状態で、第二の金型4を第一の金型3にむけて
接近移動させる。図18は前記トランスファ−モ−ルド
装置に第七のクリ−ニング用シ−ト25がクランプされ
ている状態の成形金型部分断面図である。樹脂成形の場
合と同様に溶融状態となった封止用樹脂をプランジャ−
10によってカル7へ押し出すと、封止用樹脂は第七の
クリ−ニング用シ−ト25を浸透しながら、ランナ−
8、及びゲ−ト13を通ってキャビティ−6、エアベン
ト14へ充填される。図19は前記トランスファ−モ−
ルド装置にクリ−ニング用シ−ト25をクランプし、そ
の金型内に封止用樹脂を充填した状態の成形金型部分断
面図である。図20の26はクリ−ニング終了後のクリ
−ニング用シ−トである。図21はこのシ−トの平面図
である。図22はこのシ−トの斜視図である。
めのクリ−ニング工程を行なう。このクリ−ニング工程
をクリ−ニング工程Dと称する。このクリ−ニング工程
Dでは、耐熱性及び柔軟性を有する例えばパルプ100
%の紙、布、不織布等によって形成されているクリ−ニ
ング作用のある成分が含浸された、樹脂が上記クリ−ニ
ング用シ−トを透過しやすいように細孔がランダムにシ
−トの表面に形成され、厚さがリ−ドフレ−ムと同等の
厚さ(例えば0.5ミリ)である第七のクリ−ニング用
シ−トを用意する。このシ−トの細孔は必ずしも形成さ
れている必要はない。図17がこのシ−トの一例の斜視
図である。この第七のクリ−ニング用シ−ト25を、第
一の金型と第二の金型からなる成形金型の前記第一の金
型及び第二の金型の合わせ面全面を覆うようにセット
し、この状態で、第二の金型4を第一の金型3にむけて
接近移動させる。図18は前記トランスファ−モ−ルド
装置に第七のクリ−ニング用シ−ト25がクランプされ
ている状態の成形金型部分断面図である。樹脂成形の場
合と同様に溶融状態となった封止用樹脂をプランジャ−
10によってカル7へ押し出すと、封止用樹脂は第七の
クリ−ニング用シ−ト25を浸透しながら、ランナ−
8、及びゲ−ト13を通ってキャビティ−6、エアベン
ト14へ充填される。図19は前記トランスファ−モ−
ルド装置にクリ−ニング用シ−ト25をクランプし、そ
の金型内に封止用樹脂を充填した状態の成形金型部分断
面図である。図20の26はクリ−ニング終了後のクリ
−ニング用シ−トである。図21はこのシ−トの平面図
である。図22はこのシ−トの斜視図である。
【0052】第七クリ−ニング用シ−ト25を介して樹
脂を成形金型内部に充填した状態で一定時間維持する
と、予めクリ−ニング用シ−トに含浸してあったクリ−
ニング作用のある成分によって蓄積した樹脂バリ及び油
分や塵埃などの汚れが除去される。
脂を成形金型内部に充填した状態で一定時間維持する
と、予めクリ−ニング用シ−トに含浸してあったクリ−
ニング作用のある成分によって蓄積した樹脂バリ及び油
分や塵埃などの汚れが除去される。
【0053】その後、第二の金型4を下降移動すると型
開きがなされる。ついで、イジェクタプレ−トa15を
下降移動させるとともに、エジェクタプレ−トb11を
上昇移動させる、これにより、エジェクタピン12、1
6が突出して型開きが完了して、クリ−ニング用シ−ト
と一体化した樹脂と、その樹脂に接着一体化された汚れ
の取りだしがなされる。図20は前記トランスファ−モ
−ルド装置にクリ−ニング用シ−ト25をクランプし封
止用樹脂を充填した後、金型を型開きした状態の成形金
型部断面図である。
開きがなされる。ついで、イジェクタプレ−トa15を
下降移動させるとともに、エジェクタプレ−トb11を
上昇移動させる、これにより、エジェクタピン12、1
6が突出して型開きが完了して、クリ−ニング用シ−ト
と一体化した樹脂と、その樹脂に接着一体化された汚れ
の取りだしがなされる。図20は前記トランスファ−モ
−ルド装置にクリ−ニング用シ−ト25をクランプし封
止用樹脂を充填した後、金型を型開きした状態の成形金
型部断面図である。
【0054】なお、この作業で、使用する第七のクリ−
ニング用シ−ト25はシ−ト自体にクリ−ニング作用を
有することから、キャビティ−6、ランナ−8、ゲ−ト
13はもちろんのこと、従来のクリ−ニング工程で汚れ
が取りにくいとされていた、エアベント14、金型と金
型が接触する部分及び、金型とリ−ドフレ−ムが接触す
る部分などクリ−ニング用シ−トが対応している全ての
部分の汚れも除去することができる。よって、樹脂封止
時における樹脂の未充填及び気泡の発生を防止する。ま
たキャビティ−周囲の金型の合わせ面に付着した樹脂バ
リも除去することができるため、これによりリ−ド変
形、リ−ド打痕、リ−ドメッキ剥がれの発生を防止する
ことができる。上記のように樹脂の未充填及び気泡の発
生の防止、樹脂バリの除去により高品質の樹脂封止型半
導体集積回路装置を得ることができる。
ニング用シ−ト25はシ−ト自体にクリ−ニング作用を
有することから、キャビティ−6、ランナ−8、ゲ−ト
13はもちろんのこと、従来のクリ−ニング工程で汚れ
が取りにくいとされていた、エアベント14、金型と金
型が接触する部分及び、金型とリ−ドフレ−ムが接触す
る部分などクリ−ニング用シ−トが対応している全ての
部分の汚れも除去することができる。よって、樹脂封止
時における樹脂の未充填及び気泡の発生を防止する。ま
たキャビティ−周囲の金型の合わせ面に付着した樹脂バ
リも除去することができるため、これによりリ−ド変
形、リ−ド打痕、リ−ドメッキ剥がれの発生を防止する
ことができる。上記のように樹脂の未充填及び気泡の発
生の防止、樹脂バリの除去により高品質の樹脂封止型半
導体集積回路装置を得ることができる。
【0055】また、金型の離型性が劣化した場合は、前
記した離型回復作用のある成分を含浸させたクリ−ニン
グ用シ−トを用意し、成形金型を形成する第一及び第二
の金型との間に、そのシ−トをクランプし、封止用樹脂
を充填することで金型の離型性を回復できる。
記した離型回復作用のある成分を含浸させたクリ−ニン
グ用シ−トを用意し、成形金型を形成する第一及び第二
の金型との間に、そのシ−トをクランプし、封止用樹脂
を充填することで金型の離型性を回復できる。
【0056】上記実施例が、封止用樹脂とクリ−ニング
用シ−トを用いたクリ−ニング工程であることから、従
来のクリ−ニング工程で必要とされていた作業や工程管
理をなくすことができる。
用シ−トを用いたクリ−ニング工程であることから、従
来のクリ−ニング工程で必要とされていた作業や工程管
理をなくすことができる。
【0057】よって、このクリ−ニング工程を用いる半
導体チップのモ−ルド方法を行なうことで樹脂封止型半
導体集積回路装置の製造コストが低減され、なおかつ高
品質な樹脂封止型半導体集積回路装置が得ることができ
る。
導体チップのモ−ルド方法を行なうことで樹脂封止型半
導体集積回路装置の製造コストが低減され、なおかつ高
品質な樹脂封止型半導体集積回路装置が得ることができ
る。
【0058】(実施例4)実施例4における半導体チッ
プのモ−ルド方法は、始めに、モ−ルド工程の樹脂封止
工程で実施例1記載同様の方法により半導体チップ及び
この半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ム
の内部リ−ドなどを封止用樹脂で封止する。 次に、成
形金型を形成する第一の金型と第二の金型との合わせ面
の汚れを取り除くためにクリ−ニング工程を行う。この
クリ−ニング工程をクリ−ニング工程Eと称する。
プのモ−ルド方法は、始めに、モ−ルド工程の樹脂封止
工程で実施例1記載同様の方法により半導体チップ及び
この半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ム
の内部リ−ドなどを封止用樹脂で封止する。 次に、成
形金型を形成する第一の金型と第二の金型との合わせ面
の汚れを取り除くためにクリ−ニング工程を行う。この
クリ−ニング工程をクリ−ニング工程Eと称する。
【0059】クリ−ニング工程Eでは、実施例3記載の
第七のクリ−ニング用シ−ト25を、第一の金型と第二
の金型からなる成形金型の前記第一の金型及び第二の金
型の合わせ面のほぼ全面を覆うようにセットし、この状
態で、第二の金型4を第一の金型3にむけて接近移動さ
せる。その後、溶融状態となったクリ−ニング用樹脂を
プランジャ−10によってカル7へ押し出すと、クリ−
ニング用樹脂はクリ−ニング用シ−ト25を浸透しなが
ら、ランナ−8、及びゲ−ト13を通ってキャビティ−
6、エアベント14へ充填される。
第七のクリ−ニング用シ−ト25を、第一の金型と第二
の金型からなる成形金型の前記第一の金型及び第二の金
型の合わせ面のほぼ全面を覆うようにセットし、この状
態で、第二の金型4を第一の金型3にむけて接近移動さ
せる。その後、溶融状態となったクリ−ニング用樹脂を
プランジャ−10によってカル7へ押し出すと、クリ−
ニング用樹脂はクリ−ニング用シ−ト25を浸透しなが
ら、ランナ−8、及びゲ−ト13を通ってキャビティ−
6、エアベント14へ充填される。
【0060】第七のクリ−ニング用シ−ト25を介して
クリ−ニング用樹脂を金型内部に充填した状態で一定時
間維持しておくと、予めシ−トに含浸してあるクリ−ニ
ング作用のある成分とクリ−ニング用樹脂の作用によ
り、蓄積した樹脂バリ及び油分や塵埃等の汚れが取り除
かれる。その後、第二の金型4を下降移動すると型開き
がなされる。次いで、イジェクタプレ−トa15を下降
移動させるとともに、エジェクタプレ−トb11を上昇
移動させる、これにより、エジェクタピン12、16が
突出して型開きが完了して、クリ−ニング用シ−トと一
体化した樹脂と、その樹脂に接着一体化された汚れの取
りだしがなされる。
クリ−ニング用樹脂を金型内部に充填した状態で一定時
間維持しておくと、予めシ−トに含浸してあるクリ−ニ
ング作用のある成分とクリ−ニング用樹脂の作用によ
り、蓄積した樹脂バリ及び油分や塵埃等の汚れが取り除
かれる。その後、第二の金型4を下降移動すると型開き
がなされる。次いで、イジェクタプレ−トa15を下降
移動させるとともに、エジェクタプレ−トb11を上昇
移動させる、これにより、エジェクタピン12、16が
突出して型開きが完了して、クリ−ニング用シ−トと一
体化した樹脂と、その樹脂に接着一体化された汚れの取
りだしがなされる。
【0061】このクリ−ニングは例えば、1000ショ
ットの樹脂封止ごとに行なうが、このクリ−ニングサイ
クルの間に本発明の実施例1記載の作業数の少なく容易
に行なえるクリ−ニング工程Aを行なう。これにより、
汚れが積み重なりとれにくくなる前に除去することがで
きるので、実質的にクリ−ニグ工程Eを増やすと同等の
効果を得ることができる。しかも、クリ−ニング工程A
は実施例1で述べたように作業数が少なく容易に行なえ
るためクリ−ニング工程が複雑にならない。(実施例
5)実施例5は、前記実施例1記載のクリ−ニング工程
Aと従来技術で記載したダミ−リ−ドフレ−ムを成形金
型にクランプし、アンモニアやホルマリンなどのような
汚れ落しの成分が混入されたクリ−ニング用樹脂を充填
して成形金型をクリ−ニングする方法との組合せによる
クリ−ニング工程を有する半導体チップのモ−ルド方法
である。
ットの樹脂封止ごとに行なうが、このクリ−ニングサイ
クルの間に本発明の実施例1記載の作業数の少なく容易
に行なえるクリ−ニング工程Aを行なう。これにより、
汚れが積み重なりとれにくくなる前に除去することがで
きるので、実質的にクリ−ニグ工程Eを増やすと同等の
効果を得ることができる。しかも、クリ−ニング工程A
は実施例1で述べたように作業数が少なく容易に行なえ
るためクリ−ニング工程が複雑にならない。(実施例
5)実施例5は、前記実施例1記載のクリ−ニング工程
Aと従来技術で記載したダミ−リ−ドフレ−ムを成形金
型にクランプし、アンモニアやホルマリンなどのような
汚れ落しの成分が混入されたクリ−ニング用樹脂を充填
して成形金型をクリ−ニングする方法との組合せによる
クリ−ニング工程を有する半導体チップのモ−ルド方法
である。
【0062】実施例5におけるモ−ルド方法は、始め
に、モ−ルド工程の樹脂封止工程で実施例1記載同様の
方法により半導体チップ及びこの半導体チップがボンデ
ィングされたリ−ドフレ−ムの内部リ−ドなどを封止用
樹脂で封止する。
に、モ−ルド工程の樹脂封止工程で実施例1記載同様の
方法により半導体チップ及びこの半導体チップがボンデ
ィングされたリ−ドフレ−ムの内部リ−ドなどを封止用
樹脂で封止する。
【0063】次に、成形金型を形成する第一金型と第二
の金型との合わせ面の汚れを取り除くためにクリ−ニン
グ工程を行う。このクリ−ニング工程をクリ−ニング工
程Fと称する。
の金型との合わせ面の汚れを取り除くためにクリ−ニン
グ工程を行う。このクリ−ニング工程をクリ−ニング工
程Fと称する。
【0064】クリ−ニング工程Fでは、従来技術で記載
したようにダミ−リ−ドフレ−ムを第一の金型と第二の
金型からなる成形金型の前記第一の金型及び第二の金型
の合わせ面にクランプし、アンモニアやホルマリンなど
のような汚れ落しの成分が混入されたクリ−ニング用樹
脂を上記成形金型内に充填して成形金型をクリ−ニング
する方法で金型の合わせ面に付着した汚れを落す。この
クリ−ニングは例えば、1000ショットの樹脂封止ご
とに行なうが、このクリ−ニングサイクルの間に本発明
の実施例1記載の作業数の少なく容易に行なえるクリ−
ニング工程Aを行なう。これにより、汚れが積み重なり
とれにくくなる前に除去することができるので、実質的
にクリ−ニグ工程Fを増やすと同等の効果を得ることが
できる。しかも、クリ−ニング工程Aは実施例1で述べ
たように作業数が少なく容易に行なえるためクリ−ニン
グ工程が複雑にならない。
したようにダミ−リ−ドフレ−ムを第一の金型と第二の
金型からなる成形金型の前記第一の金型及び第二の金型
の合わせ面にクランプし、アンモニアやホルマリンなど
のような汚れ落しの成分が混入されたクリ−ニング用樹
脂を上記成形金型内に充填して成形金型をクリ−ニング
する方法で金型の合わせ面に付着した汚れを落す。この
クリ−ニングは例えば、1000ショットの樹脂封止ご
とに行なうが、このクリ−ニングサイクルの間に本発明
の実施例1記載の作業数の少なく容易に行なえるクリ−
ニング工程Aを行なう。これにより、汚れが積み重なり
とれにくくなる前に除去することができるので、実質的
にクリ−ニグ工程Fを増やすと同等の効果を得ることが
できる。しかも、クリ−ニング工程Aは実施例1で述べ
たように作業数が少なく容易に行なえるためクリ−ニン
グ工程が複雑にならない。
【0065】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基き具体的に説明してきたが、本発明は前記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例え
ば、本実施例では、マルチポット型トランスファ−モ−
ルド装置を用いて説明してきたが、必ずしもマルチポッ
ト型に限定されるものではなくシングルポット型トラン
スファ−モ−ルド装置でも良い。また、LED、VLE
D、ホトトランジスタ等のような頻繁に、離型性が劣化
するモ−ルド方法に適用しても良い。
施例に基き具体的に説明してきたが、本発明は前記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例え
ば、本実施例では、マルチポット型トランスファ−モ−
ルド装置を用いて説明してきたが、必ずしもマルチポッ
ト型に限定されるものではなくシングルポット型トラン
スファ−モ−ルド装置でも良い。また、LED、VLE
D、ホトトランジスタ等のような頻繁に、離型性が劣化
するモ−ルド方法に適用しても良い。
【0066】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0067】(1)ダミ−リ−ドフレ−ムではなく、比
較的安価なクリ−ニング用シ−トで成形金型内部のクリ
−ニングができるので、低コストでクリ−ニングが行な
える。
較的安価なクリ−ニング用シ−トで成形金型内部のクリ
−ニングができるので、低コストでクリ−ニングが行な
える。
【0068】(2)単に第一の金型と第二の金型とでク
リ−ニング用シ−トをクランプするクリ−ニング工程な
ので、リ−ドフレ−ムを用いた場合のように成形金型に
対する高精度な位置決めが必要なく作業性が向上する。
リ−ニング用シ−トをクランプするクリ−ニング工程な
ので、リ−ドフレ−ムを用いた場合のように成形金型に
対する高精度な位置決めが必要なく作業性が向上する。
【0069】(3)クリ−ニング用樹脂が必要なくクリ
−ニングが行なえるので、従来のクリ−ニング工程で必
要とされていた手間のかかる作業をなくすことができ、
作業時間が大幅に短縮できる。
−ニングが行なえるので、従来のクリ−ニング工程で必
要とされていた手間のかかる作業をなくすことができ、
作業時間が大幅に短縮できる。
【0070】(4)その作業に伴う工程管理が低減でき
る。
る。
【0071】(5)クリ−ニング用シ−ト自体がクリ−
ニング作用を有するので、キャビティ−、ゲ−ト、カル
はもちろんのこと、従来のクリ−ニング工程で汚れが取
りにくいとされていたエアベント、金型と金型が接触す
る部分及び、金型とリ−ドフレ−ムが接触する部分など
クリ−ニング用シ−トが対応している全ての部分の汚れ
も除去することができる。よって、樹脂封止時における
樹脂の未充填及び気泡の発生を防止する。またキャビテ
ィ−周囲の金型の合わせ面に付着した樹脂バリも除去す
ることができるため、これによりリ−ド変形、リ−ド打
痕、リ−ドメッキ剥がれの発生を防止することができ
る。上記のように樹脂の未充填及び気泡の発生の防止、
樹脂バリの除去により高品質の樹脂封止型半導体集積回
路装置を得ることができる。
ニング作用を有するので、キャビティ−、ゲ−ト、カル
はもちろんのこと、従来のクリ−ニング工程で汚れが取
りにくいとされていたエアベント、金型と金型が接触す
る部分及び、金型とリ−ドフレ−ムが接触する部分など
クリ−ニング用シ−トが対応している全ての部分の汚れ
も除去することができる。よって、樹脂封止時における
樹脂の未充填及び気泡の発生を防止する。またキャビテ
ィ−周囲の金型の合わせ面に付着した樹脂バリも除去す
ることができるため、これによりリ−ド変形、リ−ド打
痕、リ−ドメッキ剥がれの発生を防止することができ
る。上記のように樹脂の未充填及び気泡の発生の防止、
樹脂バリの除去により高品質の樹脂封止型半導体集積回
路装置を得ることができる。
【0072】(6)短時間且つ低コストで行なえるクリ
−ニング工程を有するモ−ルド方法を行なうことで、樹
脂封止型半導体集積回路装置の製造コストが低減され、
尚且つタ−ン・アラウンド・タイム良く高品質な樹脂封
止型半導体集積回路装置を得ることができる。
−ニング工程を有するモ−ルド方法を行なうことで、樹
脂封止型半導体集積回路装置の製造コストが低減され、
尚且つタ−ン・アラウンド・タイム良く高品質な樹脂封
止型半導体集積回路装置を得ることができる。
【図1】トランスファ−モ−ルド装置の全体を示す斜視
図である。
図である。
【図2】図1の樹脂成形部の部分断面図である。
【図3】成形金型の平面図である。
【図4】成形金型キャビティ−の拡大平面図である。
【図5】実施例1のクリ−ニング工程Aで使用される第
一のクリ−ニング用シ−トを示す斜視図である。
一のクリ−ニング用シ−トを示す斜視図である。
【図6】工程フロ−。
【図7】実施例1のクリ−ニング工程Aにおいてクリ−
ニング用シ−トがクランプされている状態の成形金型部
分断面図である。
ニング用シ−トがクランプされている状態の成形金型部
分断面図である。
【図8】実施例1のクリ−ニング工程Aにおいてそのク
リ−ニング終了後成形金型を型開きした状態の成形金型
部分断面図である。
リ−ニング終了後成形金型を型開きした状態の成形金型
部分断面図である。
【図9】実施例1のクリ−ニング工程Aに使用後のクリ
−ニング用シ−トの平面図である。
−ニング用シ−トの平面図である。
【図10】実施例1のクリ−ニング工程Aに使用後のク
リ−ニング用シ−トの斜視図である。
リ−ニング用シ−トの斜視図である。
【図11】本発明により樹脂封止された樹脂封止型半導
体集積回路装置の部分断面図である。
体集積回路装置の部分断面図である。
【図12】実施例1記載の第二のクリ−ニング用シ−ト
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図13】実施例1記載の第三のクリ−ニング用シ−ト
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図14】実施例1記載の第四のクリ−ニング用シ−ト
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図15】実施例2のクリ−ニング工程Bに使用される
第五のクリ−ニング用シ−トを示す斜視図である。
第五のクリ−ニング用シ−トを示す斜視図である。
【図16】実施例2のクリ−ニング工程Cに使用される
第六のクリ−ニング用シ−トを示す斜視図である。
第六のクリ−ニング用シ−トを示す斜視図である。
【図17】実施例3のクリ−ニング工程Dで使用される
第七のクリ−ニング用シ−トを示す斜視図である。
第七のクリ−ニング用シ−トを示す斜視図である。
【図18】実施例3のクリ−ニング工程Dにおいてクリ
−ニング用シ−トがクランプされている状態の成形金型
部分断面図である。
−ニング用シ−トがクランプされている状態の成形金型
部分断面図である。
【図19】実施例3のクリ−ニング工程Dにおいてクリ
−ニング用シ−トをクランプし金型間に樹脂を充填した
状態の成形金型部分断面図である。
−ニング用シ−トをクランプし金型間に樹脂を充填した
状態の成形金型部分断面図である。
【図20】実施例3のクリ−ニング工程Dにおいてその
クリ−ニング終了後成形金型を型開きした状態の成形金
型部分断面図である。
クリ−ニング終了後成形金型を型開きした状態の成形金
型部分断面図である。
【図21】実施例3のクリ−ニング工程Dに使用後のク
リ−ニング用シ−トの平面図である。
リ−ニング用シ−トの平面図である。
【図22】実施例3のクリ−ニング工程Dに使用後のク
リ−ニング用シ−トの斜視図である。
リ−ニング用シ−トの斜視図である。
1 ロ−ダ 2 アンロ−ダ 3 第一の金型 4 第二の金型 5 樹脂成形部 6 キャビティ− 7 カル 8 ランナ− 9 ポット 10 プランジャ− 11 エジェクタプレ−トb 12 エジェクタピンa 13 ゲ−ト 14 エアベント 15 エジェクタプレ−トa 16 エジェクタピンb 17 第一のクリ−ニング用シ−ト 18 実施例1のクリ−ニング工程Aに使用後のクリ−
ニング用シ−ト 19 樹脂封止型半導体集積回路装置 20 第二のクリ−ニング用シ−ト 21 第三のクリ−ニング用シ−ト 22 第四のクリ−ニング用シ−ト 23 第五のクリ−ニング用シ−ト 24 第六のクリ−ニング用シ−ト 25 第七のクリ−ニング用シ−ト 26 実施例3のクリ−ニング工程Dに使用後のクリ−
ニング用シ−ト 27 実施例3のクリ−ニング工程Dに使用後のクリ−
ニング用シ−トで封止用樹脂が充填された部分
ニング用シ−ト 19 樹脂封止型半導体集積回路装置 20 第二のクリ−ニング用シ−ト 21 第三のクリ−ニング用シ−ト 22 第四のクリ−ニング用シ−ト 23 第五のクリ−ニング用シ−ト 24 第六のクリ−ニング用シ−ト 25 第七のクリ−ニング用シ−ト 26 実施例3のクリ−ニング工程Dに使用後のクリ−
ニング用シ−ト 27 実施例3のクリ−ニング工程Dに使用後のクリ−
ニング用シ−トで封止用樹脂が充填された部分
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // B29L 31:34
Claims (25)
- 【請求項1】成形金型を形成する第一の金型と第二の金
型との間に、キャビティ−以上の厚さを有するクリ−ニ
ング用シ−トをクランプし、その後第一の金型と第二の
金型とを型開きしてクリ−ニング用シ−トを取りだして
上記成形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一
の金型と第二の金型との間に半導体チップがボンディン
グされたリ−ドフレ−ムをクランプし、上記成形金型内
に封止用樹脂を充填して、上記半導体チップ及びこの半
導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムの一部
を樹脂で封止する工程とを有することを特徴とする半導
体チップのモ−ルド方法。 - 【請求項2】請求項1記載のクリ−ニング用シ−トは、
耐熱性及び柔軟性を有する材質によって形成されている
ことを特徴とする半導体チップのモ−ルド方法。 - 【請求項3】請求項1記載のクリ−ニング用シ−トは、
シ−ト表面に細孔がランダムに多数形成されていること
を特徴とする半導体チップのモ−ルド方法。 - 【請求項4】請求項1記載のクリ−ニング用シ−トは、
クリ−ニング作用のある成分を含浸されていることを特
徴とする半導体チップのモ−ルド方法。 - 【請求項5】請求項1記載のクリ−ニング用シ−トは、
離型回復作用のある成分を含浸されていることを特徴と
する半導体チップのモ−ルド方法。 - 【請求項6】請求項1記載のクリ−ニング用シ−トは、
紙からなることを特徴とする半導体チップのモ−ルド方
法。 - 【請求項7】請求項1記載のクリ−ニング用シ−トは、
布からなることを特徴とする半導体チップのモ−ルド方
法。 - 【請求項8】請求項1記載のクリ−ニング用シ−トは、
不織布からなることを特徴とする半導体チップのモ−ル
ド方法。 - 【請求項9】請求項1記載のクリ−ニング用シ−トは、
クリ−ニング用シ−トを製造する際、クリ−ニング作用
のある成分を混合することによって作られたことを特徴
とする半導体チップのモ−ルド方法。 - 【請求項10】成形金型を形成する第一の金型と第二の
金型の間に、クリ−ニング作用のある成分が含浸されて
いるリ−ドフレ−ムとほぼ同等の厚さのクリ−ニング用
シ−トをクランプし、この成形金型内に封止用樹脂をク
リ−ニング用シ−トを浸透させながら充填し、その後第
一の金型と第二の金型とを型開きしてクリ−ニング用シ
−トを取りだし上記成形金型内部をクリ−ニングする工
程と、上記第一の金型と第二の金型との間に半導体チッ
プがボンディングされたリ−ドフレ−ムをクランプし、
上記成形金型内に封止用樹脂を充填して、上記半導体チ
ップ及びこの半導体チップがボンディングされたリ−ド
フレ−ムの一部を樹脂で封止する工程とを有することを
特徴とする半導体チップのモ−ルド方法。 - 【請求項11】請求項10記載のクリ−ニング用シ−ト
は、耐熱性及び柔軟性を有する材質によって形成されて
いることを特徴とする半導体チップのモ−ルド方法。 - 【請求項12】請求項10記載のクリ−ニング用シ−ト
は、シ−ト表面に樹脂の粒子が透過可能な細孔がランダ
ムに多数形成されていることを特徴とする半導体チップ
のモ−ルド方法。 - 【請求項13】請求項10記載のクリ−ニング用シ−ト
は、紙からなることを特徴とする半導体チップのモ−ル
ド方法。 - 【請求項14】請求項10記載のクリ−ニング用シ−ト
は、布からなることを特徴とする半導体チップのモ−ル
ド方法。 - 【請求項15】請求項10記載のクリ−ニング用シ−ト
は、不織布からなることを特徴とする半導体チップのモ
−ルド方法。 - 【請求項16】成形金型を形成する第一の金型と第二の
金型との間に、クリ−ニング作用のある成分を含浸して
あるキャビティ−より厚い第一のクリ−ニング用シ−ト
をクランプし、その後第一の金型と第二の金型とを型開
きして上記第一のクリ−ニング用シ−トを取りだし上記
成形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一の金
型と第二の金型との間に、離型回復作用のある成分を含
浸してあるキャビティ−より厚い第二のクリ−ニング用
シ−トをクランプし、その後第一の金型と第二の金型と
を型開きして上記第二のクリ−ニング用シ−トを取りだ
し上記成形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第
一の金型と第二の金型との間に半導体チップがボンディ
ングされたリ−ドフレ−ムをクランプし、上記成形金型
内に封止用樹脂を充填して、上記半導体チップ及びこの
半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムの一
部を樹脂で封止する工程とを有することを特徴とする半
導体チップのモ−ルド方法。 - 【請求項17】請求項16記載の第一及び第二のクリ−
ニング用シ−トは、耐熱性及び柔軟性を有する材質によ
って形成されていることをを特徴とする半導体チップの
モ−ルド方法。 - 【請求項18】請求項16記載の第一及び第二のクリ−
ニング用シ−トは、シ−ト表面に細孔がランダムに多数
形成されていることを特徴とする半導体チップのモ−ル
ド方法。 - 【請求項19】請求項16記載の第一及び第二のクリ−
ニング用シ−トは、紙からなることを特徴とする半導体
チップのモ−ルド方法。 - 【請求項20】請求項16記載の第一及び第二のクリ−
ニング用シ−トは、布からなることを特徴とする半導体
チップのモ−ルド方法。 - 【請求項21】請求項16記載の第一及び第二のクリ−
ニング用シ−トは、不織布からなることを特徴とする半
導体チップのモ−ルド方法。 - 【請求項22】成形金型を形成する第一の金型と第二の
金型との間に、耐熱性及び柔軟性を有する材質によって
形成され、クリ−ニング作用のある成分が含浸されてい
るリ−ドフレ−ムと同等の厚さを有するシ−ト表面に、
樹脂の粒子が透過可能な細孔が多数形成されているクリ
−ニング用シ−トをクランプし、この成形金型内にクリ
−ニング用樹脂を上記クリ−ニング用シ−トを浸透させ
ながら充填し、その後第一の金型と第二の金型とを型開
きして上記クリ−ニング用シ−トを取りだし上記成形金
型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一の金型と第
二の金型とからなる成形金型との間に、キャビティ−以
上の厚さを有するクリ−ニング用シ−トをクランプし、
その後上記第一の金型と第二の金型とを型開きして上記
クリ−ニング用シ−トを取りだし上記成形金型内部をク
リ−ニングする工程と、上記第一の金型と第二の金型と
の間に半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−
ムをクランプし、上記成形金型内に封止用樹脂を充填し
て、上記半導体チップ及びこの半導体チップがボンディ
ングされたリ−ドフレ−ムの一部を樹脂で封止する工程
とを有することを特徴とする半導体チップのモ−ルド方
法。 - 【請求項23】半導体チップの搭載されていないリ−ド
フレ−ムを、成形金型を形成する第一の金型と第二の金
型との間にクランプし、この金型内にクリ−ニング用樹
脂を充填し、その後第一の金型と第二の金型とを型開き
して樹脂と一体化したリ−ドフレ−ムを取りだし上記成
形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一の金型
と第二の金型との間に、キャビティ−以上の厚さを有す
るクリ−ニング用シ−トをクランプし、その後上記第一
の金型と第二の金型とを型開きしてクリ−ニング用シ−
トを取りだし上記成形金型内部をクリ−ニングする工程
と、上記第一の金型と第二の金型との間に半導体チップ
がボンディングされたリ−ドフレ−ムをクランプし、上
記成形金型内に封止用樹脂を充填して、上記半導体チッ
プ及びこの半導体チップがボンディングされたリ−ドフ
レ−ムの一部を樹脂で封止する工程とを有することを特
徴とする半導体チップのモ−ルド方法。 - 【請求項24】成形金型を形成する第一の金型と第二の
金型との間に、耐熱性及び柔軟性を有する材質のシ−ト
状部材の表面及び裏面にクリ−ニング作用を有する薄い
樹脂を有する、キャビティ−の厚さ以上のクリ−ニング
用シ−トをクランプし、その後第一の金型と第二の金型
とを型開きしてクリ−ニング用シ−トを取りだし上記成
形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一の金型
と第二の金型との間に半導体チップがボンディングされ
たリ−ドフレ−ムをクランプし、上記成形金型内に封止
用樹脂を充填して、上記半導体チップ及びこの半導体チ
ップがボンディングされたリ−ドフレ−ムの一部を樹脂
で封止する工程とを有することを特徴とする半導体チッ
プのモ−ルド方法。 - 【請求項25】成形金型を形成する第一の金型と第二の
金型との間に、成形金型のキャビティ−にクリ−ニング
用シ−トが完全に接触するようにシ−トのキャビティ−
にあたる部分を加工した、耐熱性及び柔軟性を有するキ
ャビティ−の厚さ以上のクリ−ニング用シ−トをクラン
プし、その後第一の金型と第二の金型とを型開きしてク
リ−ニング用シ−トを取りだし上記成形金型内部をクリ
−ニングする工程と、上記第一の金型と第二の金型との
間に半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ム
をクランプし、上記成形金型内に封止用樹脂を充填し
て、上記半導体チップ及びこの半導体チップがボンディ
ングされたリ−ドフレ−ムの一部を樹脂で封止する工程
とを有することを特徴とする半導体チップのモ−ルド方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23102795A JPH0970856A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 半導体チップのモ−ルド方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23102795A JPH0970856A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 半導体チップのモ−ルド方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0970856A true JPH0970856A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16917125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23102795A Pending JPH0970856A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 半導体チップのモ−ルド方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0970856A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11207752A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-08-03 | Hitachi Ltd | 成形金型酸化防止用シートおよびそれを用いた成形金型の酸化防止方法 |
US7384582B2 (en) * | 2000-08-04 | 2008-06-10 | Renesas Technology Corp. | Mold cleaning sheet and method for producing semiconductor devices using the same |
US7537967B2 (en) * | 2001-05-18 | 2009-05-26 | Renesas Technology Corp. | Mold cleaning sheet and manufacturing method of a semiconductor device using the same |
-
1995
- 1995-09-08 JP JP23102795A patent/JPH0970856A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11207752A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-08-03 | Hitachi Ltd | 成形金型酸化防止用シートおよびそれを用いた成形金型の酸化防止方法 |
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US7572398B2 (en) | 2000-08-04 | 2009-08-11 | Renesas Technology Corp. | Mold cleaning sheet and method of producing semiconductor devices using the same |
US7837908B2 (en) | 2000-08-04 | 2010-11-23 | Renesas Electronics Corporation | Mold cleaning sheet and method of producing semiconductor devices using the same |
US8070992B2 (en) | 2000-08-04 | 2011-12-06 | Renesas Electronics Corporation | Mold cleaning sheet and method of producing semiconductor devices using the same |
US7537967B2 (en) * | 2001-05-18 | 2009-05-26 | Renesas Technology Corp. | Mold cleaning sheet and manufacturing method of a semiconductor device using the same |
US7943432B2 (en) | 2001-05-18 | 2011-05-17 | Renesas Electronics Corporation | Mold cleaning sheet and manufacturing method of a semiconductor device using the same |
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