JPH0970856A - 半導体チップのモ−ルド方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】樹脂封止型半導体集積回路装置の製造コストを
下げることができる半導体チップのモ−ルド方法の提
供。 【解決手段】耐熱性及び柔軟性を有する材質によって形
成されクリ−ニング作用のある成分が含浸されているキ
ャビティ−部以上の厚さのクリ−ニング用シ−トを用意
し、このシ−トを第一の金型３と第二の金型４とからな
る成形金型の合わせ面のほぼ全域に接触するようにクラ
ンプし、その後第一の金型３と第二の金型４とを型開き
してクリ−ニング用シ−トを取りだして成形金型内部を
クリ−ニングする工程と、第一の金型と第二の金型とか
らなる成形金型との間に半導体チップがボンディングさ
れたリ−ドフレ−ムをクランプし、上記成形金型内に封
止用樹脂を充填して、上記半導体チップ及びこの半導体
チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムの内部リ−
ド等を封止する工程とを有することを特徴とする半導体
チップのモ−ルド方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップのモ−ル
ド方法に関し、特に、成形金型のキャビティ−やランナ
−及びエアベント等に付着した樹脂バリ及び油分や塵埃
などの汚れを除去するクリ−ニング工程と、半導体チッ
プ及びこの半導体チップがボンディングされたリ−ドフ
レ−ムの内部リ−ド等を封止する工程とを有することを
特徴とする半導体チップのモ−ルド方法に適用して有効
な技術に関する発明である。

【０００２】

【従来の技術】一般に、所定の集積回路（ＩＣ）が形成
された半導体チップは、リ−ドフレ−ムと電気的に接続
された上で、塵埃や湿度などの外的雰囲気や機械的衝撃
からこれを保護するために、成形金型を用いたモ−ルド
工程で樹脂により樹脂封止される。半導体装置のモ−ル
ド工程を詳細に記載している例としては、たとえば、日
経ＢＰ発行、「実践講座 ＶＬＳＩパッケ−ジング技術
（下）」（１９９３年５月３１日発行）、Ｐ３１〜Ｐ４
０がある。

【０００３】半導体チップのモ−ルド工程で用いられる
成形金型のキャビティ−やランナ−及びエアベント等に
は樹脂バリ及び油分や塵埃など汚れが蓄積される。

【０００４】このような汚れは、成形品質に悪影響を与
える現象が発生することになるので、一定のショット数
おきに作業者が成形金型をクリ−ニングする必要があ
る。

【０００５】しかし、作業者による成形金型のクリ−ニ
ングは、それが手作業であるためかなりの時間を要する
ことになるので、短時間で成形金型をクリ−ニングでき
る技術が要請されている。

【０００６】そこで、このような要請に応えるものとし
て、半導体チップの搭載されていないリ−ドフレ−ム
（以下ダミ−リ−ドフレ−ムと称する）を成形金型にク
ランプし、アンモニアやホルマリンなどのような汚れ落
しの成分が混入されたクリ−ニング用樹脂を成形金型内
に充填して成形金型をクリ−ニングする方法が一般的に
行なわれている。

【０００７】しかし、この技術によれば、クリ−ニング
用として高価なダミ−リ−ドフレ−ムを使用することに
なるので不経済であるのみならず、成形金型にはそれに
適合した特定形状のダミ−リ−ドフレ−ムを所定の位置
にセットしてクランプすることになるので、成形金型と
ダミ−リ−ドフレ−ムとの位置決めのための精度が必要
となり作業性が悪い。

【０００８】そこで、このような問題を解決する技術と
して、次のような技術が考えられた。第一の技術として
特開平６−２５４８６６号公報に記載されているよう
に、型開きした金型間に、溶融状態のクリ−ニング用樹
脂が含浸及び透過可能な綿布からなるシ−ト状部材をク
ランプし、型閉じした金型内に溶融状態のクリ−ニング
用樹脂を充填する工程からなるものである。

【０００９】次に、第二の技術として特開平１−９５０
１０号公報に記載されているように、成形金型間に難燃
性の紙又は樹脂からなる基板を配置し、この状態で金型
内にクリ−ニング用樹脂を充填固化して上記基板とクリ
−ニング用樹脂とを離型する方法である。

【００１０】さらに、第三の技術として特開平３−２４
３３１０号公報に記載されているように、成形金型面間
に所要厚みを有するネット状の固化樹脂剥離用部材をク
ランプし、次に金型面間にクリ−ニング用樹脂を加圧充
填してこれを金型面に残存付着する異物に接着させると
ともに樹脂を剥離用部材に一体化させる。

【００１１】つぎに、金型を型開きして金型面から剥離
用部材を取りだし、剥離用部材に一体化された固化樹脂
及びに接着一体化された異物を金型面から除去するもの
である。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかし、これら第一の
技術、第二の技術、第三の技術でも、金型クリ−ニング
の際、クリ−ニング用樹脂を金型内に充填する必要があ
り、その結果封止用樹脂からクリ−ニング用樹脂への交
換作業及びそれに伴うクリ−ニング用樹脂の保存、在庫
管理などの工程管理など樹脂封止時とは異なる作業や工
程管理を行なう必要がある。

【００１３】本発明は上記従来技術の課題に着目してな
されたものであり、本発明の第一のの目的は、作業数が
少なく短時間でクリ−ニングを行なうことのできるクリ
−ニング工程を有する半導体チップのモ−ルド方法を提
供するものである。

【００１４】また、本発明の第二の目的は、工程管理が
容易なクリ−ニング工程を有する半導体チップのモ−ル
ド方法を提供するものである。

【００１５】さらに、本発明の第三の目的は、樹脂封止
型半導体集積回路装置の製造コストを下げることができ
る半導体チップのモ−ルド方法を提供するものである。

【００１６】なお、本発明の上記並びにその他の目的
と、新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明
らかになるであろう。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。

【００１８】すなわち、本発明による第一の半導体チッ
プのモ−ルド方法は、予めクリ−ニング作用のある成分
の含浸したキャビティ−の厚さ以上の耐熱性及び柔軟性
を有するクリ−ニング用シ−トを用意し、このクリ−ニ
ング用シ−トを成形金型を形成する第一の金型と第二の
金型との間に、これらの第一の金型及び第二の金型の合
わせ面のほぼ全域に接触するようにクリ−ニング用シ−
トをクランプし、その後上記第一の金型と第二の金型と
を型開きしてクリ−ニング用シ−トを取りだすことによ
り成形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一の
金型と第二の金型とからなる成形金型との間に半導体チ
ップがボンディングされたリ−ドフレ−ムをクランプ
し、上記成形金型内に封止用樹脂を充填して、上記半導
体チップ及びこの半導体チップがボンディングされたリ
−ドフレ−ムの内部リ−ド等を樹脂で封止する工程とを
有することを特徴とする半導体チップのモ−ルド方法で
ある。 また、本発明の第二の半導体チップのモ−ルド
方法は、クリ−ニング用シ−トにクリ−ニング作用のあ
る成分を含浸し、このシ−トを成形金型を形成する第一
の金型と第二の金型との間に、これら第一の金型及び第
二の金型の合わせ面全面を覆うようにクランプし、この
成形金型内に封止用樹脂をクリ−ニング用シ−トに浸透
させながら成形金型の内部（キャビティ−など）に充填
する。その後第一の金型と第二の金型を型開きして封止
用樹脂が一体化したクリ−ニング用シ−トを取りだすこ
とにより、成形金型内部をクリ−ニングする工程と、第
一の金型と第二の金型とからなる成形金型との間に半導
体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムをクラン
プし、上記成形金型内に封止用樹脂を充填して、上記半
導体チップ及びこの半導体チップがボンディングされた
リ−ドフレ−ムの内部リ−ド等を封止する工程とを有す
ることを特徴とする半導体チップのモ−ルド方法であ
る。

【００１９】

【作用】上記第一の半導体チップのモ−ルド方法では、
クリ−ニング用樹脂及び封止用樹脂やダミ−リ−ドフレ
−ムを使用しない、クリ−ニング用シ−トのみによるク
リ−ニング工程であることから、例えば、樹脂の所定の
位置へのセット、その樹脂を成形金型を形成する第一の
金型と第二の金型との間に充填する作業などの従来のク
リ−ニング工程で必要とされていた作業、またその作業
に伴う樹脂の管理などの工程管理をなくすことができ
る。それによって作業数が低減される。

【００２０】上記第二の半導体チップのモ−ルド方法
は、封止用樹脂とクリ−ニング用シ−トによるクリ−ニ
ング工程であることから、従来のクリ−ニング工程で必
要とされる作業のうち、例えば、封止用樹脂に換えて、
クリ−ニング用樹脂を成形金型を形成する第一の金型と
第二の金型との間に充填する作業、またその作業に伴う
クリ−ニング用樹脂の管理などの工程管理をなくすこと
ができる。それによって作業数が低減される。

【００２１】さらに、短時間で行なえるクリ−ニング工
程を用いる第一及び第二の半導体チップのモ−ルド方法
を行なうことで、樹脂封止型半導体集積回路装置の製造
コストを低減することができる。

【００２２】

【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。

【００２３】（実施例１）図１は本発明に使用されるト
ランスファ−モ−ルド装置の全体を示す外観斜視図であ
る。

【００２４】このトランスファ−モ−ルド装置は、例え
ば、半導体チップ及びこの半導体チップがボンディング
されたリ−ドフレ−ムの内部リ−ド等を樹脂で封止する
ために使用されるものである。

【００２５】この装置の、１はロ−ダ、２はアンロ−
ダ、３は第一の金型、４は第二の金型、５はこれら第一
及び第二の金型を含んでいる樹脂成形部である。この装
置では、半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ
−ムは、図１に示すロ−ダ１から樹脂成形部５に搬入さ
れ、この樹脂成形部５で半導体チップなどが樹脂封止さ
れる。成形が終了した樹脂封止型半導体集積回路装置は
アンロ−ダ２に搬出されてここに収容される。

【００２６】前記樹脂成形部５の詳細を図２に示す。こ
の図２の６はキャビティ−、７はカル、８はランナ−、
９はポット、１０はプランジャ−、１１・１５はエジェ
クタプレ−ト、１２・１６はエジェクタピン、１３はゲ
−ト、１４はエアベントである。その成形金型の平面図
が図３である。図４は成形金型キャビティ−の拡大平面
図である。第一の金型３と第二の金型４との合わせ面に
は、半導体チップが位置する所定形状のキャビティ−６
が複数箇所に形成されている。第二の金型４の所定の位
置には、樹脂がセットされるシリンダ状のポット９が複
数貫通して形成され、ポット９に対応する第一の金型３
のそれぞれの部分には、カル７が設けられている。

【００２７】さらに、このカル７からは、前記した複数
のキャビティ−６が連通された複数のランナ−８が分岐
して形成されており、第一の金型３と第二の金型４が密
着された状態において、ポット９の上辺がカル７によっ
て閉止されるとともにカル７及びランナ８を介してポッ
ト９が複数のキャビティ−６に連通されるようになって
いる。なお、キャビティ−６の外側には、キャビティ−
６のエア−を外部に逃して樹脂の充填を完全にするため
のエアベント１４が形成されている。

【００２８】図５は実施例１で使用するクリ−ニング用
シ−トの一例を示す斜視図である。この第一のクリ−ニ
ング用シ−ト１７は、耐熱性（例えば１８０℃以上まで
耐える）及び柔軟性を有する例えばパルプ１００％の
紙、布、不織布などによって形成されており、この第一
のクリ−ニング用シ−ト１７にはクリ−ニング作用のあ
る成分が含浸されている。この第一のクリ−ニング用シ
−ト１７は、金型のキャビティ−以上の厚さとされてい
る。このシ−トの表面には多数の細孔をランダムに形成
してもよい。

【００２９】また、クリ−ニング作用のある成分にかえ
て、金型の離型性回復を目的とする離型回復作用のある
成分を含浸させた金型のキャビティ−以上の厚さのクリ
−ニング用シ−ト、あるいは余分な付着物（例えば離型
剤など）除去を目的とする何も含浸させていない金型の
キャビティ−以上の厚さのクリ−ニング用シ−トを上記
クリ−ニング作用のある成分が含浸されている第一のク
リ−ニング用シ−ト１７にかえてクリ−ニングに使用す
ることもできる。

【００３０】次に、実施例１における半導体チップのモ
−ルド方法を説明する。ワイヤ−ボンディング工程で半
導体チップとリ−ドフレ−ムがワイヤ−で接続された
後、モ−ルド工程で半導体チップ及びこの半導体チップ
がボンディングされたリ−ドフレ−ムの内部リ−ド等が
封止用樹脂で封止される。次に、切断工程でリ−ドフレ
−ムの切断が行われる。本発明のモ−ルド工程は、樹脂
封止工程とクリ−ニング工程を有する。図６にこれらの
工程のフロ−を示す。

【００３１】次に、実施例１のモ−ルド工程の樹脂封止
工程について説明する。

【００３２】プランジャ１０の上にプレヒ−タにより加
熱された固体状の封止用樹脂をセットし、次いで、半導
体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムは、図１
に示すロ−ダ１から樹脂成形部５に搬送される。

【００３３】この状態で、第二の金型４を第一の金型３
に向けて接近移動することにより、成形金型を形成する
第一の金型と第二の金型との間にキャビティ−６を含め
た空間が形成される。溶融状態となった封止用樹脂をプ
ランジャ−１０によってカル７へ押し出すと、封止用樹
脂はランナ−８及びゲ−ト１３を通ってキャビティ−６
内に流入する。

【００３４】キャビティ−６に充填された樹脂が、熱と
キュアにより熱硬化した後に、第二の金型４を下降移動
すると型開きがなされる。次いで、エジェクタプレ−ト
ａ１５を下降移動させるとともに、エジェクタプレ−ト
ｂ１１を上昇移動させる。これによりエジェクタピン１
２，１６が突出して型開きが完了して、樹脂封止された
樹脂封止型半導体集積回路装置の取りだしがなされる この樹脂封止は一日に何百ショットと繰り返されるた
め、樹脂が充填される成形金型の内部、つまり成形金型
を形成する第一の金型３と第二の金型４の合わせ面（エ
アベントを含む）に樹脂バリ及び油分や塵埃などの汚れ
が蓄積することになる。

【００３５】したがって、これら汚れを取り除くための
クリ−ニング工程を施す必要がある。実施例１では、こ
のクリ−ニング工程をクリ−ニング工程Ａと称する。こ
のクリ−ニング工程Ａは、前記した第一のクリ−ニング
用シ−ト１７を用意し、このシ−トを第一の金型３と第
二の金型４とからなる成形金型の前記第一の金型３及び
第二の金型４との間に、これら第一の金型３及び第二の
金型４の合わせ面のほぼ全域に接触するようにセット
し、この状態で、第二の金型４を第一の金型３にむけて
接近移動させる。この接近移動の際、金型と第一のクリ
−ニング用シ−ト１７との摩擦による金型の合わせ面の
汚れの剥離、第一の金型３及び第二の金型４で、クリ−
ニング用シ−ト１７をクランプした状態で、一定時間維
持することで第一のクリ−ニング用シ−ト１７に予め含
浸してあるクリ−ニング作用のある成分が作用し金型の
合わせ面に付着した樹脂バリ及び油分や塵埃を落し、そ
の落ちた汚れを、金型の熱・圧力でクリ−ニング用シ−
トに付着一体化させる。図７は前記トランスファ−モ−
ルド装置にクリ−ニング用シ−トがクランプされている
状態の成形金型部分断面図である。

【００３６】その後、第二の金型４を下降移動すると型
開きがなされる。ついで、イジェクタプレ−トａ１５を
下降移動させるとともに、エジェクタプレ−トｂ１１を
上昇移動させる、これにより、エジェクタピン１２，１
６が突出して図８に示すように型開きが完了して、クリ
−ニング用シ−トとそのシ−トに接着一体化された汚れ
の取りだしがなされる。図８は前記トランスファ−モ−
ルド装置にクリ−ニング用シ−トがクランプし成形金型
クリ−ニング終了後、型開きした状態の成形金型部分断
面図である。この図８の１８は、クリ−ニング終了後の
クリ−ニング用シ−トである。図９は、このシ−トの平
面図である。図１０はこのシ−トの斜視図である。

【００３７】なお、この作業で、使用する第一のクリ−
ニング用シ−ト１７はシ−ト自体にクリ−ニング作用を
有することから、キャビティ−６、ランナ−８、ゲ−ト
１３はもちろんのこと、従来のクリ−ニング工程で汚れ
が取りにくいとされていた、エアベント１４、金型と金
型が接触する部分及び、金型とリ−ドフレ−ムが接触す
る部分などクリ−ニング用シ−トが対応している全ての
部分の汚れも除去することができる。よって、樹脂封止
時における樹脂の未充填及び気泡の発生を防止する。ま
たキャビティ−周囲の金型の合わせ面に付着した樹脂バ
リも除去することができるため、これによりリ−ド変
形、リ−ド打痕、リ−ドメッキ剥がれの発生を防止する
ことができる。上記のように樹脂の未充填及び気泡の発
生の防止、樹脂バリの除去により高品質の樹脂封止型半
導体集積回路装置を得ることができる。図１１は本発明
によるモ−ルド方法で樹脂封止された樹脂封止型半導体
集積回路装置の一例である。

【００３８】さらに、金型の離型性が劣化した場合は、
前記した離型回復作用のある成分を含浸させた金型のキ
ャビティ−以上の厚さを有するクリ−ニング用シ−トを
用意し、成形金型を形成する第一及び第二の金型との間
に、そのシ−トをクランプすることで金型の離型性を回
復できる。

【００３９】上記実施例が、クリ−ニング用樹脂及び封
止用樹脂やダミ−リ−ドフレ−ムを使用しないクリ−ニ
ング用シ−トのみによるクリ−ニング工程であることか
ら、従来のクリ−ニング工程で必要とされていた作業や
工程管理をなくすことができる。それによって作業数が
低減される。一例ではあるが、当社におけるクリ−ニン
グ工程での作業時間が約１／３に低減され、クリ−ニン
グコストも約１／２に低減された。

【００４０】よって、このクリ−ニング工程を用いるモ
−ルド方法を行なうことで樹脂封止型半導体集積回路装
置の製造コストが低減され、なおかつ高品質な樹脂封止
型半導体集積回路装置が得ることができる。

【００４１】実施例１のモ−ルド方法では、図１２に示
したようにクリ−ニング用シ−トを製造するうえで、ク
リ−ニング作用のある成分を混合した耐熱性及び柔軟性
を有するキャビティ−の厚さ以上の第二のクリ−ニング
用シ−ト２０、また、図１３に示したような耐熱性及び
柔軟性を有する材質のシ−ト状部材の表面及び裏面にク
リ−ニング作用を有する薄い樹脂を有する、キャビティ
−の厚さ以上の第三のクリ−ニング用シ−ト２１、なお
この薄い樹脂は、金型の熱により一度溶融し、その後、
金型の熱とキュアにより熱硬化し汚れと樹脂が一体化す
る。さらに、図１４に示したように成形金型のキャビテ
ィ−に完全にクリ−ニング用シ−トが、接触するように
キャビティ−を加工した耐熱性及び柔軟性を有するキャ
ビティ−の厚さ以上の第四のクリ−ニング用シ−ト２２
を上記クリ−ニング作用のある成分を含浸した金型のキ
ャビティ−以上の厚さを有するクリ−ニング用シ−ト１
７にかえてクリ−ニングに使用できる。

【００４２】（実施例２）実施例２におけるモ−ルド方
法は、始めに、モ−ルド工程の樹脂封止工程で実施例１
記載同様の方法により半導体チップ及びこの半導体チッ
プがボンディングされたリ−ドフレ−ムの内部リ−ドな
どを封止用樹脂で封止する。

【００４３】次に、金型の合わせ面の汚れを取り除くた
めのクリ−ニング工程を行なう。このクリ−ニング工程
をクリ−ニング工程Ｂと称する。

【００４４】このクリ−ニング工程Ｂでは、耐熱性及び
柔軟性を有する例えばパルプ１００％の紙、布、不織布
等によって形成されている予めクリ−ニング作用のある
成分が含浸されている金型のキャビティ−以上の厚さの
第五のクリ−ニング用シ−トを用意する。図１５がこの
シ−トの一例の斜視図である。このシ−トを第一の金型
３と第二の金型４とからなる成形金型の前記第一及び第
二の金型との間に、これら第一及び第二の金型の合わせ
面のほぼ全域に接触するようにセットし、この状態で、
第二の金型４を第一の金型３にむけて接近移動させる。
この接近移動の際、金型とクリ−ニング用シ−トとの摩
擦による金型の合わせ面の汚れの剥離、さらに、第一の
金型３及び第二の金型４で第五のクリ−ニング用シ−ト
２３をクランプし、この状態を一定時間維持することで
第五のクリ−ニング用シ−ト２３に予め含浸してあるク
リ−ニング作用のある成分が作用し金型の合わせ面に付
着した樹脂バリ及び油分や塵埃を落し、その落ちた汚れ
を、金型の熱・圧力でクリ−ニング用シ−トに一体化さ
せる。その後、第二の金型４を下降移動すると型開きが
なされる。ついで、イジェクタプレ−トａ１５を下降移
動させるとともに、エジェクタプレ−トｂ１１を上昇移
動させる、これにより、エジェクタピン１２，１６が突
出して型開きが完了して、第五のクリ−ニング用シ−ト
２３とそのシ−トに接着一体化された汚れの取りだしが
なされる。

【００４５】次に、上記クリ−ニング工程Ｂとは違う他
のクリ−ニング工程を行なう。このクリ−ニング工程を
クリ−ニング工程Ｃと称する。このクリ−ニング工程Ｃ
では耐熱性及び柔軟性を有する例えばパルプ１００％の
紙、布、不織布などによって形成されている予め離型回
復作用のある成分が含浸されている金型のキャビティ−
以上の厚さの第六のクリ−ニング用シ−トを用意する。
このシ−トの一例の斜視図を図１６に示した。このシ−
トを第一の金型３と第二の金型４とからなる成形金型の
前記第一及び第二の金型との間に、これら第一及び第二
の金型の合わせ面のほぼ全域に接触するようにセット
し、この状態で、第二の金型４を第一の金型３にむけて
接近移動させる。第一の金型３及び第二の金型４とで第
六のクリ−ニング用シ−ト２４をクランプし、この状態
を一定時間維持することで第六のクリ−ニング用シ−ト
２４に予め含浸してある離型回復作用のある成分が作用
し金型内部の合わせ面でシ−ト対応する全ての部分の離
型性を回復させる。その後、第二の金型４を下降移動す
ると型開きがなされる。ついで、イジェクタプレ−トａ
１５を下降移動させるとともに、エジェクタプレ−トｂ
１１を上昇移動させる、これにより、エジェクタピン１
２，１６が突出して型開きが完了して、クリ−ニング用
シ−トとそのシ−トに接着一体化された汚れの取りだし
がなされる。

【００４６】上記のクリ−ニング工程Ｂ・クリ−ニング
工程Ｃを行なうことで、キャビティ−６、ランナ−８、
ゲ−ト１３はもちろんのこと、従来のクリ−ニング工程
で汚れが取りにくいとされていた、エアベント１４、金
型と金型が接触する部分及び、金型とリ−ドフレ−ムが
接触する部分などクリ−ニング用シ−トが対応している
全ての部分の汚れも除去することができる。よって、樹
脂封止時における樹脂の未充填及び気泡の発生を防止す
る。またキャビティ−周囲の金型の合わせ面に付着した
樹脂バリも除去することができるため、これによりリ−
ド変形、リ−ド打痕、リ−ドメッキ剥がれの発生を防止
することができる。上記のように樹脂の未充填及び気泡
の発生の防止、樹脂バリの除去により高品質の樹脂封止
型半導体集積回路装置を得ることができる。

【００４７】さらに、金型の合わせ面でシ−トが対応す
る全ての部分で離型性を回復することができるので、成
形金型から樹脂封止型半導体集積回路装置の取りだしの
際の樹脂封止型半導体集積回路装置クラック及び金型へ
の樹脂封止型半導体集積回路装置付着残存が確実に防止
できる。

【００４８】また、上記実施例が、クリ−ニング用樹脂
及び封止用樹脂やダミ−リ−ドフレ−ムを使用しないク
リ−ニング用シ−トのみによるクリ−ニング工程である
ことから、従来のクリ−ニング工程で必要とされていた
作業や工程管理をなくすことができる。それによって作
業数が低減される。

【００４９】よって、このクリ−ニング工程を用いる半
導体チップのモ−ルド方法を行なうことで樹脂封止型半
導体集積回路装置の製造コストを下げることができ、尚
且つ歩留まりが良く、高品質な樹脂封止型半導体集積回
路装置が得ることができる。

【００５０】（実施例３）本実施例３における半導体チ
ップのモ−ルド方法は，始めに、モ−ルド工程の樹脂封
止工程で実施例１記載同様の方法により半導体チップ及
びこの半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−
ムの内部リ−ドなどを封止用樹脂で封止する。

【００５１】次に、金型の合わせ面の汚れを取り除くた
めのクリ−ニング工程を行なう。このクリ−ニング工程
をクリ−ニング工程Ｄと称する。このクリ−ニング工程
Ｄでは、耐熱性及び柔軟性を有する例えばパルプ１００
％の紙、布、不織布等によって形成されているクリ−ニ
ング作用のある成分が含浸された、樹脂が上記クリ−ニ
ング用シ−トを透過しやすいように細孔がランダムにシ
−トの表面に形成され、厚さがリ−ドフレ−ムと同等の
厚さ（例えば０．５ミリ）である第七のクリ−ニング用
シ−トを用意する。このシ−トの細孔は必ずしも形成さ
れている必要はない。図１７がこのシ−トの一例の斜視
図である。この第七のクリ−ニング用シ−ト２５を、第
一の金型と第二の金型からなる成形金型の前記第一の金
型及び第二の金型の合わせ面全面を覆うようにセット
し、この状態で、第二の金型４を第一の金型３にむけて
接近移動させる。図１８は前記トランスファ−モ−ルド
装置に第七のクリ−ニング用シ−ト２５がクランプされ
ている状態の成形金型部分断面図である。樹脂成形の場
合と同様に溶融状態となった封止用樹脂をプランジャ−
１０によってカル７へ押し出すと、封止用樹脂は第七の
クリ−ニング用シ−ト２５を浸透しながら、ランナ−
８、及びゲ−ト１３を通ってキャビティ−６、エアベン
ト１４へ充填される。図１９は前記トランスファ−モ−
ルド装置にクリ−ニング用シ−ト２５をクランプし、そ
の金型内に封止用樹脂を充填した状態の成形金型部分断
面図である。図２０の２６はクリ−ニング終了後のクリ
−ニング用シ−トである。図２１はこのシ−トの平面図
である。図２２はこのシ−トの斜視図である。

【００５２】第七クリ−ニング用シ−ト２５を介して樹
脂を成形金型内部に充填した状態で一定時間維持する
と、予めクリ−ニング用シ−トに含浸してあったクリ−
ニング作用のある成分によって蓄積した樹脂バリ及び油
分や塵埃などの汚れが除去される。

【００５３】その後、第二の金型４を下降移動すると型
開きがなされる。ついで、イジェクタプレ−トａ１５を
下降移動させるとともに、エジェクタプレ−トｂ１１を
上昇移動させる、これにより、エジェクタピン１２、１
６が突出して型開きが完了して、クリ−ニング用シ−ト
と一体化した樹脂と、その樹脂に接着一体化された汚れ
の取りだしがなされる。図２０は前記トランスファ−モ
−ルド装置にクリ−ニング用シ−ト２５をクランプし封
止用樹脂を充填した後、金型を型開きした状態の成形金
型部断面図である。

【００５４】なお、この作業で、使用する第七のクリ−
ニング用シ−ト２５はシ−ト自体にクリ−ニング作用を
有することから、キャビティ−６、ランナ−８、ゲ−ト
１３はもちろんのこと、従来のクリ−ニング工程で汚れ
が取りにくいとされていた、エアベント１４、金型と金
型が接触する部分及び、金型とリ−ドフレ−ムが接触す
る部分などクリ−ニング用シ−トが対応している全ての
部分の汚れも除去することができる。よって、樹脂封止
時における樹脂の未充填及び気泡の発生を防止する。ま
たキャビティ−周囲の金型の合わせ面に付着した樹脂バ
リも除去することができるため、これによりリ−ド変
形、リ−ド打痕、リ−ドメッキ剥がれの発生を防止する
ことができる。上記のように樹脂の未充填及び気泡の発
生の防止、樹脂バリの除去により高品質の樹脂封止型半
導体集積回路装置を得ることができる。

【００５５】また、金型の離型性が劣化した場合は、前
記した離型回復作用のある成分を含浸させたクリ−ニン
グ用シ−トを用意し、成形金型を形成する第一及び第二
の金型との間に、そのシ−トをクランプし、封止用樹脂
を充填することで金型の離型性を回復できる。

【００５６】上記実施例が、封止用樹脂とクリ−ニング
用シ−トを用いたクリ−ニング工程であることから、従
来のクリ−ニング工程で必要とされていた作業や工程管
理をなくすことができる。

【００５７】よって、このクリ−ニング工程を用いる半
導体チップのモ−ルド方法を行なうことで樹脂封止型半
導体集積回路装置の製造コストが低減され、なおかつ高
品質な樹脂封止型半導体集積回路装置が得ることができ
る。

【００５８】（実施例４）実施例４における半導体チッ
プのモ−ルド方法は、始めに、モ−ルド工程の樹脂封止
工程で実施例１記載同様の方法により半導体チップ及び
この半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ム
の内部リ−ドなどを封止用樹脂で封止する。 次に、成
形金型を形成する第一の金型と第二の金型との合わせ面
の汚れを取り除くためにクリ−ニング工程を行う。この
クリ−ニング工程をクリ−ニング工程Ｅと称する。

【００５９】クリ−ニング工程Ｅでは、実施例３記載の
第七のクリ−ニング用シ−ト２５を、第一の金型と第二
の金型からなる成形金型の前記第一の金型及び第二の金
型の合わせ面のほぼ全面を覆うようにセットし、この状
態で、第二の金型４を第一の金型３にむけて接近移動さ
せる。その後、溶融状態となったクリ−ニング用樹脂を
プランジャ−１０によってカル７へ押し出すと、クリ−
ニング用樹脂はクリ−ニング用シ−ト２５を浸透しなが
ら、ランナ−８、及びゲ−ト１３を通ってキャビティ−
６、エアベント１４へ充填される。

【００６０】第七のクリ−ニング用シ−ト２５を介して
クリ−ニング用樹脂を金型内部に充填した状態で一定時
間維持しておくと、予めシ−トに含浸してあるクリ−ニ
ング作用のある成分とクリ−ニング用樹脂の作用によ
り、蓄積した樹脂バリ及び油分や塵埃等の汚れが取り除
かれる。その後、第二の金型４を下降移動すると型開き
がなされる。次いで、イジェクタプレ−トａ１５を下降
移動させるとともに、エジェクタプレ−トｂ１１を上昇
移動させる、これにより、エジェクタピン１２、１６が
突出して型開きが完了して、クリ−ニング用シ−トと一
体化した樹脂と、その樹脂に接着一体化された汚れの取
りだしがなされる。

【００６１】このクリ−ニングは例えば、１０００ショ
ットの樹脂封止ごとに行なうが、このクリ−ニングサイ
クルの間に本発明の実施例１記載の作業数の少なく容易
に行なえるクリ−ニング工程Ａを行なう。これにより、
汚れが積み重なりとれにくくなる前に除去することがで
きるので、実質的にクリ−ニグ工程Ｅを増やすと同等の
効果を得ることができる。しかも、クリ−ニング工程Ａ
は実施例１で述べたように作業数が少なく容易に行なえ
るためクリ−ニング工程が複雑にならない。（実施例
５）実施例５は、前記実施例１記載のクリ−ニング工程
Ａと従来技術で記載したダミ−リ−ドフレ−ムを成形金
型にクランプし、アンモニアやホルマリンなどのような
汚れ落しの成分が混入されたクリ−ニング用樹脂を充填
して成形金型をクリ−ニングする方法との組合せによる
クリ−ニング工程を有する半導体チップのモ−ルド方法
である。

【００６２】実施例５におけるモ−ルド方法は、始め
に、モ−ルド工程の樹脂封止工程で実施例１記載同様の
方法により半導体チップ及びこの半導体チップがボンデ
ィングされたリ−ドフレ−ムの内部リ−ドなどを封止用
樹脂で封止する。

【００６３】次に、成形金型を形成する第一金型と第二
の金型との合わせ面の汚れを取り除くためにクリ−ニン
グ工程を行う。このクリ−ニング工程をクリ−ニング工
程Ｆと称する。

【００６４】クリ−ニング工程Ｆでは、従来技術で記載
したようにダミ−リ−ドフレ−ムを第一の金型と第二の
金型からなる成形金型の前記第一の金型及び第二の金型
の合わせ面にクランプし、アンモニアやホルマリンなど
のような汚れ落しの成分が混入されたクリ−ニング用樹
脂を上記成形金型内に充填して成形金型をクリ−ニング
する方法で金型の合わせ面に付着した汚れを落す。この
クリ−ニングは例えば、１０００ショットの樹脂封止ご
とに行なうが、このクリ−ニングサイクルの間に本発明
の実施例１記載の作業数の少なく容易に行なえるクリ−
ニング工程Ａを行なう。これにより、汚れが積み重なり
とれにくくなる前に除去することができるので、実質的
にクリ−ニグ工程Ｆを増やすと同等の効果を得ることが
できる。しかも、クリ−ニング工程Ａは実施例１で述べ
たように作業数が少なく容易に行なえるためクリ−ニン
グ工程が複雑にならない。

【００６５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基き具体的に説明してきたが、本発明は前記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例え
ば、本実施例では、マルチポット型トランスファ−モ−
ルド装置を用いて説明してきたが、必ずしもマルチポッ
ト型に限定されるものではなくシングルポット型トラン
スファ−モ−ルド装置でも良い。また、ＬＥＤ、ＶＬＥ
Ｄ、ホトトランジスタ等のような頻繁に、離型性が劣化
するモ−ルド方法に適用しても良い。

【００６６】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。

【００６７】（１）ダミ−リ−ドフレ−ムではなく、比
較的安価なクリ−ニング用シ−トで成形金型内部のクリ
−ニングができるので、低コストでクリ−ニングが行な
える。

【００６８】（２）単に第一の金型と第二の金型とでク
リ−ニング用シ−トをクランプするクリ−ニング工程な
ので、リ−ドフレ−ムを用いた場合のように成形金型に
対する高精度な位置決めが必要なく作業性が向上する。

【００６９】（３）クリ−ニング用樹脂が必要なくクリ
−ニングが行なえるので、従来のクリ−ニング工程で必
要とされていた手間のかかる作業をなくすことができ、
作業時間が大幅に短縮できる。

【００７０】（４）その作業に伴う工程管理が低減でき
る。

【００７１】（５）クリ−ニング用シ−ト自体がクリ−
ニング作用を有するので、キャビティ−、ゲ−ト、カル
はもちろんのこと、従来のクリ−ニング工程で汚れが取
りにくいとされていたエアベント、金型と金型が接触す
る部分及び、金型とリ−ドフレ−ムが接触する部分など
クリ−ニング用シ−トが対応している全ての部分の汚れ
も除去することができる。よって、樹脂封止時における
樹脂の未充填及び気泡の発生を防止する。またキャビテ
ィ−周囲の金型の合わせ面に付着した樹脂バリも除去す
ることができるため、これによりリ−ド変形、リ−ド打
痕、リ−ドメッキ剥がれの発生を防止することができ
る。上記のように樹脂の未充填及び気泡の発生の防止、
樹脂バリの除去により高品質の樹脂封止型半導体集積回
路装置を得ることができる。

【００７２】（６）短時間且つ低コストで行なえるクリ
−ニング工程を有するモ−ルド方法を行なうことで、樹
脂封止型半導体集積回路装置の製造コストが低減され、
尚且つタ−ン・アラウンド・タイム良く高品質な樹脂封
止型半導体集積回路装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】トランスファ−モ−ルド装置の全体を示す斜視
図である。

【図２】図１の樹脂成形部の部分断面図である。

【図３】成形金型の平面図である。

【図４】成形金型キャビティ−の拡大平面図である。

【図５】実施例１のクリ−ニング工程Ａで使用される第
一のクリ−ニング用シ−トを示す斜視図である。

【図６】工程フロ−。

【図７】実施例１のクリ−ニング工程Ａにおいてクリ−
ニング用シ−トがクランプされている状態の成形金型部
分断面図である。

【図８】実施例１のクリ−ニング工程Ａにおいてそのク
リ−ニング終了後成形金型を型開きした状態の成形金型
部分断面図である。

【図９】実施例１のクリ−ニング工程Ａに使用後のクリ
−ニング用シ−トの平面図である。

【図１０】実施例１のクリ−ニング工程Ａに使用後のク
リ−ニング用シ−トの斜視図である。

【図１１】本発明により樹脂封止された樹脂封止型半導
体集積回路装置の部分断面図である。

【図１２】実施例１記載の第二のクリ−ニング用シ−ト
を示す斜視図である。

【図１３】実施例１記載の第三のクリ−ニング用シ−ト
を示す斜視図である。

【図１４】実施例１記載の第四のクリ−ニング用シ−ト
を示す斜視図である。

【図１５】実施例２のクリ−ニング工程Ｂに使用される
第五のクリ−ニング用シ−トを示す斜視図である。

【図１６】実施例２のクリ−ニング工程Ｃに使用される
第六のクリ−ニング用シ−トを示す斜視図である。

【図１７】実施例３のクリ−ニング工程Ｄで使用される
第七のクリ−ニング用シ−トを示す斜視図である。

【図１８】実施例３のクリ−ニング工程Ｄにおいてクリ
−ニング用シ−トがクランプされている状態の成形金型
部分断面図である。

【図１９】実施例３のクリ−ニング工程Ｄにおいてクリ
−ニング用シ−トをクランプし金型間に樹脂を充填した
状態の成形金型部分断面図である。

【図２０】実施例３のクリ−ニング工程Ｄにおいてその
クリ−ニング終了後成形金型を型開きした状態の成形金
型部分断面図である。

【図２１】実施例３のクリ−ニング工程Ｄに使用後のク
リ−ニング用シ−トの平面図である。

【図２２】実施例３のクリ−ニング工程Ｄに使用後のク
リ−ニング用シ−トの斜視図である。

【符号の説明】

１ ロ−ダ ２ アンロ−ダ ３ 第一の金型 ４ 第二の金型 ５ 樹脂成形部 ６ キャビティ− ７ カル ８ ランナ− ９ ポット １０ プランジャ− １１ エジェクタプレ−トｂ １２ エジェクタピンａ １３ ゲ−ト １４ エアベント １５ エジェクタプレ−トａ １６ エジェクタピンｂ １７ 第一のクリ−ニング用シ−ト １８ 実施例１のクリ−ニング工程Ａに使用後のクリ−
ニング用シ−ト １９ 樹脂封止型半導体集積回路装置 ２０ 第二のクリ−ニング用シ−ト ２１ 第三のクリ−ニング用シ−ト ２２ 第四のクリ−ニング用シ−ト ２３ 第五のクリ−ニング用シ−ト ２４ 第六のクリ−ニング用シ−ト ２５ 第七のクリ−ニング用シ−ト ２６ 実施例３のクリ−ニング工程Ｄに使用後のクリ−
ニング用シ−ト ２７ 実施例３のクリ−ニング工程Ｄに使用後のクリ−
ニング用シ−トで封止用樹脂が充填された部分

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】成形金型を形成する第一の金型と第二の金
   型との間に、キャビティ−以上の厚さを有するクリ−ニ
   ング用シ−トをクランプし、その後第一の金型と第二の
   金型とを型開きしてクリ−ニング用シ−トを取りだして
   上記成形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一
   の金型と第二の金型との間に半導体チップがボンディン
   グされたリ−ドフレ−ムをクランプし、上記成形金型内
   に封止用樹脂を充填して、上記半導体チップ及びこの半
   導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムの一部
   を樹脂で封止する工程とを有することを特徴とする半導
   体チップのモ−ルド方法。
2. 【請求項２】請求項１記載のクリ−ニング用シ−トは、
   耐熱性及び柔軟性を有する材質によって形成されている
   ことを特徴とする半導体チップのモ−ルド方法。
3. 【請求項３】請求項１記載のクリ−ニング用シ−トは、
   シ−ト表面に細孔がランダムに多数形成されていること
   を特徴とする半導体チップのモ−ルド方法。
4. 【請求項４】請求項１記載のクリ−ニング用シ−トは、
   クリ−ニング作用のある成分を含浸されていることを特
   徴とする半導体チップのモ−ルド方法。
5. 【請求項５】請求項１記載のクリ−ニング用シ−トは、
   離型回復作用のある成分を含浸されていることを特徴と
   する半導体チップのモ−ルド方法。
6. 【請求項６】請求項１記載のクリ−ニング用シ−トは、
   紙からなることを特徴とする半導体チップのモ−ルド方
   法。
7. 【請求項７】請求項１記載のクリ−ニング用シ−トは、
   布からなることを特徴とする半導体チップのモ−ルド方
   法。
8. 【請求項８】請求項１記載のクリ−ニング用シ−トは、
   不織布からなることを特徴とする半導体チップのモ−ル
   ド方法。
9. 【請求項９】請求項１記載のクリ−ニング用シ−トは、
   クリ−ニング用シ−トを製造する際、クリ−ニング作用
   のある成分を混合することによって作られたことを特徴
   とする半導体チップのモ−ルド方法。
10. 【請求項１０】成形金型を形成する第一の金型と第二の
    金型の間に、クリ−ニング作用のある成分が含浸されて
    いるリ−ドフレ−ムとほぼ同等の厚さのクリ−ニング用
    シ−トをクランプし、この成形金型内に封止用樹脂をク
    リ−ニング用シ−トを浸透させながら充填し、その後第
    一の金型と第二の金型とを型開きしてクリ−ニング用シ
    −トを取りだし上記成形金型内部をクリ−ニングする工
    程と、上記第一の金型と第二の金型との間に半導体チッ
    プがボンディングされたリ−ドフレ−ムをクランプし、
    上記成形金型内に封止用樹脂を充填して、上記半導体チ
    ップ及びこの半導体チップがボンディングされたリ−ド
    フレ−ムの一部を樹脂で封止する工程とを有することを
    特徴とする半導体チップのモ−ルド方法。
11. 【請求項１１】請求項１０記載のクリ−ニング用シ−ト
    は、耐熱性及び柔軟性を有する材質によって形成されて
    いることを特徴とする半導体チップのモ−ルド方法。
12. 【請求項１２】請求項１０記載のクリ−ニング用シ−ト
    は、シ−ト表面に樹脂の粒子が透過可能な細孔がランダ
    ムに多数形成されていることを特徴とする半導体チップ
    のモ−ルド方法。
13. 【請求項１３】請求項１０記載のクリ−ニング用シ−ト
    は、紙からなることを特徴とする半導体チップのモ−ル
    ド方法。
14. 【請求項１４】請求項１０記載のクリ−ニング用シ−ト
    は、布からなることを特徴とする半導体チップのモ−ル
    ド方法。
15. 【請求項１５】請求項１０記載のクリ−ニング用シ−ト
    は、不織布からなることを特徴とする半導体チップのモ
    −ルド方法。
16. 【請求項１６】成形金型を形成する第一の金型と第二の
    金型との間に、クリ−ニング作用のある成分を含浸して
    あるキャビティ−より厚い第一のクリ−ニング用シ−ト
    をクランプし、その後第一の金型と第二の金型とを型開
    きして上記第一のクリ−ニング用シ−トを取りだし上記
    成形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一の金
    型と第二の金型との間に、離型回復作用のある成分を含
    浸してあるキャビティ−より厚い第二のクリ−ニング用
    シ−トをクランプし、その後第一の金型と第二の金型と
    を型開きして上記第二のクリ−ニング用シ−トを取りだ
    し上記成形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第
    一の金型と第二の金型との間に半導体チップがボンディ
    ングされたリ−ドフレ−ムをクランプし、上記成形金型
    内に封止用樹脂を充填して、上記半導体チップ及びこの
    半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ムの一
    部を樹脂で封止する工程とを有することを特徴とする半
    導体チップのモ−ルド方法。
17. 【請求項１７】請求項１６記載の第一及び第二のクリ−
    ニング用シ−トは、耐熱性及び柔軟性を有する材質によ
    って形成されていることをを特徴とする半導体チップの
    モ−ルド方法。
18. 【請求項１８】請求項１６記載の第一及び第二のクリ−
    ニング用シ−トは、シ−ト表面に細孔がランダムに多数
    形成されていることを特徴とする半導体チップのモ−ル
    ド方法。
19. 【請求項１９】請求項１６記載の第一及び第二のクリ−
    ニング用シ−トは、紙からなることを特徴とする半導体
    チップのモ−ルド方法。
20. 【請求項２０】請求項１６記載の第一及び第二のクリ−
    ニング用シ−トは、布からなることを特徴とする半導体
    チップのモ−ルド方法。
21. 【請求項２１】請求項１６記載の第一及び第二のクリ−
    ニング用シ−トは、不織布からなることを特徴とする半
    導体チップのモ−ルド方法。
22. 【請求項２２】成形金型を形成する第一の金型と第二の
    金型との間に、耐熱性及び柔軟性を有する材質によって
    形成され、クリ−ニング作用のある成分が含浸されてい
    るリ−ドフレ−ムと同等の厚さを有するシ−ト表面に、
    樹脂の粒子が透過可能な細孔が多数形成されているクリ
    −ニング用シ−トをクランプし、この成形金型内にクリ
    −ニング用樹脂を上記クリ−ニング用シ−トを浸透させ
    ながら充填し、その後第一の金型と第二の金型とを型開
    きして上記クリ−ニング用シ−トを取りだし上記成形金
    型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一の金型と第
    二の金型とからなる成形金型との間に、キャビティ−以
    上の厚さを有するクリ−ニング用シ−トをクランプし、
    その後上記第一の金型と第二の金型とを型開きして上記
    クリ−ニング用シ−トを取りだし上記成形金型内部をク
    リ−ニングする工程と、上記第一の金型と第二の金型と
    の間に半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−
    ムをクランプし、上記成形金型内に封止用樹脂を充填し
    て、上記半導体チップ及びこの半導体チップがボンディ
    ングされたリ−ドフレ−ムの一部を樹脂で封止する工程
    とを有することを特徴とする半導体チップのモ−ルド方
    法。
23. 【請求項２３】半導体チップの搭載されていないリ−ド
    フレ−ムを、成形金型を形成する第一の金型と第二の金
    型との間にクランプし、この金型内にクリ−ニング用樹
    脂を充填し、その後第一の金型と第二の金型とを型開き
    して樹脂と一体化したリ−ドフレ−ムを取りだし上記成
    形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一の金型
    と第二の金型との間に、キャビティ−以上の厚さを有す
    るクリ−ニング用シ−トをクランプし、その後上記第一
    の金型と第二の金型とを型開きしてクリ−ニング用シ−
    トを取りだし上記成形金型内部をクリ−ニングする工程
    と、上記第一の金型と第二の金型との間に半導体チップ
    がボンディングされたリ−ドフレ−ムをクランプし、上
    記成形金型内に封止用樹脂を充填して、上記半導体チッ
    プ及びこの半導体チップがボンディングされたリ−ドフ
    レ−ムの一部を樹脂で封止する工程とを有することを特
    徴とする半導体チップのモ−ルド方法。
24. 【請求項２４】成形金型を形成する第一の金型と第二の
    金型との間に、耐熱性及び柔軟性を有する材質のシ−ト
    状部材の表面及び裏面にクリ−ニング作用を有する薄い
    樹脂を有する、キャビティ−の厚さ以上のクリ−ニング
    用シ−トをクランプし、その後第一の金型と第二の金型
    とを型開きしてクリ−ニング用シ−トを取りだし上記成
    形金型内部をクリ−ニングする工程と、上記第一の金型
    と第二の金型との間に半導体チップがボンディングされ
    たリ−ドフレ−ムをクランプし、上記成形金型内に封止
    用樹脂を充填して、上記半導体チップ及びこの半導体チ
    ップがボンディングされたリ−ドフレ−ムの一部を樹脂
    で封止する工程とを有することを特徴とする半導体チッ
    プのモ−ルド方法。
25. 【請求項２５】成形金型を形成する第一の金型と第二の
    金型との間に、成形金型のキャビティ−にクリ−ニング
    用シ−トが完全に接触するようにシ−トのキャビティ−
    にあたる部分を加工した、耐熱性及び柔軟性を有するキ
    ャビティ−の厚さ以上のクリ−ニング用シ−トをクラン
    プし、その後第一の金型と第二の金型とを型開きしてク
    リ−ニング用シ−トを取りだし上記成形金型内部をクリ
    −ニングする工程と、上記第一の金型と第二の金型との
    間に半導体チップがボンディングされたリ−ドフレ−ム
    をクランプし、上記成形金型内に封止用樹脂を充填し
    て、上記半導体チップ及びこの半導体チップがボンディ
    ングされたリ−ドフレ−ムの一部を樹脂で封止する工程
    とを有することを特徴とする半導体チップのモ−ルド方
    法。