JPH0967669A - Sputtering device - Google Patents
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- JPH0967669A JPH0967669A JP22176895A JP22176895A JPH0967669A JP H0967669 A JPH0967669 A JP H0967669A JP 22176895 A JP22176895 A JP 22176895A JP 22176895 A JP22176895 A JP 22176895A JP H0967669 A JPH0967669 A JP H0967669A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明が属する技術分野】本発明は、例えば非磁性支持
体上に設けられた磁性層上に保護膜を成膜する際に用い
て好適なスパッタリング装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a sputtering apparatus suitable for use in forming a protective film on a magnetic layer provided on a non-magnetic support, for example.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末或いは合金磁性粉末等の磁
性粉末材料と有機バインダーを主体とする磁性層が形成
されてなる、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く使用
されているが、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｏ等の金
属磁性材料を、メッキ法や真空薄膜形成手段（真空蒸着
法やスパッタリング法、イオンプレーティング法等）に
よってポリエステルフィルムやポリアミド、ポリイミド
フィルム等の非磁性支持体上に直接被着した、いわゆる
金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され注目を集めて
いる。2. Description of the Related Art Conventionally, as a magnetic recording medium, a so-called coating is formed by forming a magnetic powder material such as an oxide magnetic powder or an alloy magnetic powder and a magnetic layer mainly containing an organic binder on a non-magnetic support. Type magnetic recording media are widely used, but with increasing demands for high-density magnetic recording, metal magnetic materials such as Co-Ni alloys, Co-Cr alloys, and Co-O are plated and vacuum thin films are formed. A magnetic recording medium of the so-called metal magnetic thin film type, which is directly coated on a non-magnetic support such as a polyester film, polyamide, or a polyimide film by means (vacuum deposition method, sputtering method, ion plating method, etc.), has been proposed. I am collecting.
【０００３】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、抗
磁力や角形比等に優れ、磁性層の厚みを極めて薄くでき
る為、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく短波
長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層中に
非磁性材であるバインダーを混入する必要がないため磁
性材料の充填密度を高めることができる等、数々の利点
を有している。即ち、この金属磁性薄膜型の磁気記録媒
体は、磁気特性的な優位さ故に高密度磁気記録の主流に
なると考えられる。This metal magnetic thin film type magnetic recording medium is excellent in coercive force, squareness ratio and the like, and the thickness of the magnetic layer can be made extremely thin, so that the thickness loss during recording demagnetization and reproduction is extremely small and electromagnetic waves at short wavelengths are reduced. Not only is it excellent in conversion characteristics, but since it is not necessary to mix a binder, which is a non-magnetic material, in the magnetic layer, it has various advantages such that the packing density of the magnetic material can be increased. That is, this metal magnetic thin film type magnetic recording medium is considered to be the mainstream of high density magnetic recording because of its superior magnetic characteristics.
【０００４】この種の磁気記録媒体において、例えばハ
イバンド８ミリビデオテープ（いわゆるＨｉ８用ビデオ
テープ）等に代表される金属磁性薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層上に防錆剤や潤滑剤を塗布し、低摩擦性を
確保することにより、実用上問題のない耐久性が得られ
ている。In this type of magnetic recording medium, for example, a metal magnetic thin film type magnetic recording medium represented by, for example, a high band 8 mm video tape (so-called Hi8 video tape), a rust preventive agent or a lubricant is provided on the magnetic layer. Is applied to secure a low friction property, the durability which is practically no problem is obtained.
【０００５】これに対して、デジタルビデオテープレコ
ーダ（ＶＴＲ）や業務用ＶＴＲ、データストリーマー等
の磁気記録媒体では、高記録密度化とともにデータの転
送レートも高速となるため、ヘッドと媒体の相対スピー
ドはアナログ記録の場合の２倍以上が必要となる。On the other hand, in magnetic recording media such as digital video tape recorders (VTRs), VTRs for business use, and data streamers, the recording speed increases and the data transfer rate also increases, so the relative speed between the head and the medium. Is more than twice as much as in the case of analog recording.
【０００６】このように、ヘッドが高速回転するような
ＶＴＲでは、媒体が受けるダメージも大きくなるため、
上述のように防錆剤や潤滑剤を形成するのみでは十分な
耐久性を確保することができず、媒体自身の耐久性を更
に向上させることが要求される。As described above, in a VTR in which the head rotates at a high speed, the damage to the medium becomes large,
As described above, sufficient durability cannot be secured only by forming the rust preventive agent and the lubricant, and it is required to further improve the durability of the medium itself.
【０００７】このため、これら磁気記録媒体において
は、苛酷な仕様条件下においても良好な耐久性を得るこ
とができるようにするために、例えば上記磁性層の表面
にＳｉＯ2 膜やカーボン膜、ＳｉＮx 膜等からなる保護
膜を形成する技術が検討されており、特にスチルモード
での耐久性を向上させるには非常に大きな効果が得られ
ている。Therefore, in these magnetic recording media, in order to obtain good durability even under severe specification conditions, for example, a SiO 2 film, a carbon film, or a SiN film is formed on the surface of the magnetic layer. A technique for forming a protective film made of an x film or the like has been studied, and a particularly great effect has been obtained for improving durability particularly in still mode.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】かかる保護膜の成膜方
法としては、例えばスパッタリング法等が使用されてい
る。このスパッタリング法とは、先ず電場や磁場を利用
してＡｒガス等の不活性ガスの電離（プラズマ化）を行
う。そして、電離されたＡｒイオンを加速することによ
ってその運動エネルギーによりターゲット原子をはじき
出す。続いて、そのはじき出された原子が上記ターゲッ
トと対向配設される基板上に堆積し、目的とする膜を形
成する物理的プロセスである。As a method for forming such a protective film, for example, a sputtering method or the like is used. In this sputtering method, first, an electric field or a magnetic field is used to ionize an inert gas such as Ar gas (plasma). Then, by accelerating the ionized Ar ions, the target atoms are repelled by the kinetic energy. Subsequently, the ejected atoms are deposited on the substrate facing the target to form a target film, which is a physical process.
【０００９】ところが、このプロセスにより上記保護膜
を形成するに際し、ターゲットとしてＳｉＯ2 やカーボ
ン、ＳｉＮx 、ＳｉＣ等の耐摩耗性材料を用いる場合、
被処理体である基板以外の部分に付着したスパッタ材料
が脱落し、異常放電（アーク放電）の原因となることが
ある。However, when a wear resistant material such as SiO 2 , carbon, SiN x , or SiC is used as a target when forming the protective film by this process,
The sputtered material adhered to parts other than the substrate, which is the object to be processed, may fall off and cause abnormal discharge (arc discharge).
【００１０】特に、Ａｒガスを導入するためにターゲッ
トの近傍に設置されたガス導入管に付着したスパッタ材
料が脱落する場合が多く、これによるアーク放電が頻繁
に起こっている。In particular, in many cases, the sputtered material adhered to the gas introduction pipe installed near the target for introducing the Ar gas falls off, and arc discharge frequently occurs.
【００１１】そこで、本発明は、このような実情に鑑み
て提案されたものであって、スパッタリング法により膜
形成を行う場合に、基板以外の部分に付着したスパッタ
材料の脱落による異常放電を抑え、安定した膜形成を行
うことを可能とするスパッタリング装置を提供する事を
目的とする。Therefore, the present invention has been proposed in view of such circumstances, and suppresses an abnormal discharge due to the falling of the sputter material adhered to a portion other than the substrate when the film is formed by the sputtering method. An object of the present invention is to provide a sputtering device that enables stable film formation.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、スパッタリング法
により成膜する際に、Ａｒガスをガス導入管よりターゲ
ットの両サイドから導入することにより、上記導入管に
付着したスパッタ材料の脱落による異常放電を少なくす
ることができることを見いだし、本発明を完成するに至
ったものである。Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have earnestly studied to achieve the above-mentioned object, and as a result, when forming a film by a sputtering method, Ar gas was introduced from both sides of a target through a gas introduction tube. By doing so, it was found that abnormal discharge due to the spattering material adhering to the introduction pipe can be reduced, and the present invention has been completed.
【００１３】即ち、本発明のスパッタリング装置は、真
空チャンバと、基体の走行系と、前記基体と対応する幅
を有するターゲットとを備え、先端からアルゴンガスを
吹き出す一対のガス導入管が前記ターゲットの幅方向両
端位置に前記先端が相対向するように配置されているこ
とを特徴とするものである。That is, the sputtering apparatus of the present invention comprises a vacuum chamber, a traveling system of a substrate, and a target having a width corresponding to the substrate, and a pair of gas introduction pipes for blowing out argon gas from the tip end of the target. It is characterized in that the tips are arranged so as to face each other at both ends in the width direction.
【００１４】本発明のスパッタリング装置は、磁気記録
媒体における非磁性支持体上に設けられた磁性層上に耐
摩耗性材料を形成する際に用いて好適とされるが、この
場合上記磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に真空
薄膜形成技術により金属磁性薄膜が磁性層として形成さ
れる、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が挙げら
れる。The sputtering apparatus of the present invention is suitable for use in forming a wear resistant material on a magnetic layer provided on a non-magnetic support in a magnetic recording medium. In this case, the above magnetic recording medium is used. Examples thereof include a so-called metal magnetic thin film type magnetic recording medium in which a metal magnetic thin film is formed as a magnetic layer on a non-magnetic support by a vacuum thin film forming technique.
【００１５】上記金属磁性薄膜型の磁気記録媒体におい
て、上記非磁性支持体や金属磁性薄膜を構成する金属磁
性材料等は従来よりこの種の磁気記録媒体において使用
されているものがいずれも使用可能であり、特に限定さ
れるものではない。In the above-mentioned metal magnetic thin film type magnetic recording medium, the nonmagnetic support and the metal magnetic material forming the metal magnetic thin film may be any of those conventionally used in this type of magnetic recording medium. And is not particularly limited.
【００１６】具体的に例示するならば、金属磁性材料と
してはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ，
Ｃｏ−Ｏ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃ
ｕ，Ｃｏ−Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａ
ｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等
の強磁性合金等が挙げられる。To give a concrete example, the magnetic metal material is a ferromagnetic metal such as Fe, Co, or Ni, Fe--Co,
Co-O, Fe-Co-Ni, Fe-Cu, Co-C
u, Co-Au, Co-Pt, Mn-Bi, Mn-A
1, Fe-Cr, Co-Cr, Ni-Cr, Fe-Co
Examples include ferromagnetic alloys such as —Cr, Co—Ni—Cr, and Fe—Co—Ni—Cr.
【００１７】これらの単層膜であっても良いし、多層膜
であっても良い。These single-layer films may be used, or multilayer films may be used.
【００１８】また、上記非磁性支持体と上記金属磁性薄
膜間、或いは多層膜の場合には、各層間の付着力の向
上、並びに抗磁力の制御等のために、下地層、又は中間
層を設けても良い。更に、例えば磁性層表面近傍が耐食
性の改善等のために酸化物となっていても良い。Further, between the non-magnetic support and the metal magnetic thin film, or in the case of a multilayer film, an underlayer or an intermediate layer is formed in order to improve the adhesive force between the layers and control the coercive force. It may be provided. Further, for example, the vicinity of the surface of the magnetic layer may be an oxide in order to improve the corrosion resistance.
【００１９】この金属磁性薄膜を形成する手段として
は、真空下で上述の金属磁性材料を加熱蒸発させ上記非
磁性支持体上に被着せしめる真空蒸着法や、上記金属磁
性材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、
アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし
生じたアルゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき
出すスパッタ法等、いわゆるＰＶＤ技術がいずれも使用
可能である。As means for forming this metal magnetic thin film, a vacuum evaporation method in which the above-mentioned metal magnetic material is heated and evaporated under vacuum to be deposited on the above non-magnetic support, or the evaporation of the above metal magnetic material is being discharged. Ion plating method,
Any so-called PVD technique such as a sputtering method in which atoms on the target surface are knocked out by argon ions generated by glow discharge in an atmosphere containing argon as a main component can be used.
【００２０】勿論、本発明が適用される磁気記録媒体の
構成としては、これに限定されるものではなく、本発明
の要旨を逸脱しない範囲での変更、例えば必要に応じて
バックコート層を形成したり、上記非磁性支持体上に下
塗り層を形成したり、潤滑剤層等の各種層を形成するこ
とはなんら差し支えない。この場合、上記バックコート
層に含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤、或いは上記潤滑
剤層に含まれる材料等としては、従来公知のものがいず
れも使用可能である。Of course, the structure of the magnetic recording medium to which the present invention is applied is not limited to this, and may be changed without departing from the scope of the present invention, for example, a back coat layer may be formed if necessary. There is no problem in forming the undercoat layer or forming various layers such as a lubricant layer on the non-magnetic support. In this case, as the non-magnetic pigment, the resin binder, the material contained in the lubricant layer, etc. contained in the back coat layer, any conventionally known materials can be used.
【００２１】以上のように、スパッタリング法により膜
形成を行う際に、先端からアルゴンガスを吹き出すガス
導入管が、ターゲットの幅方向両端位置に上記先端が相
対向するように配し、該ガス導入管を介してアルゴンガ
スを上記ターゲット上に導入するようにすることによ
り、スパッタ材料が上記ガス導入管に付着するのが抑え
られる。従って、該ガス導入管に付着したスパッタ材料
の脱離による異常放電が減少する。As described above, when the film is formed by the sputtering method, the gas introduction pipes for blowing out the argon gas from the tip are arranged at both ends of the target in the width direction so that the tips are opposed to each other. By introducing the argon gas onto the target through the tube, it is possible to prevent the sputter material from adhering to the gas introduction tube. Therefore, abnormal discharge due to desorption of the sputtered material adhering to the gas introduction pipe is reduced.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施の形
態により説明するが、本発明がこの実施の形態に限定さ
れるものでないことは言うまでもない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described with reference to specific embodiments, but it goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments.
【００２３】先ず、本実施の形態の磁気テープを作製す
る際に、保護膜の形成工程において使用したスパッタリ
ング装置の構成について説明する。First, the structure of the sputtering apparatus used in the step of forming the protective film when the magnetic tape of this embodiment is manufactured will be described.
【００２４】このスパッタリング装置は、図１に示すよ
うに、頭部及び底部にそれぞれ取り付けられた排気系
２，３により内部が所定の真空度に保たれた真空槽１内
において、被処理体であるテープ状の磁気記録媒体Ｘ
が、図１中の時計回り方向に定速回転する供給ロール５
から時計回り方向に定速回転する巻取ロール６に向かっ
て順次走行するようになされている。As shown in FIG. 1, this sputtering apparatus is designed so that an object to be processed is placed in a vacuum chamber 1 whose inside is kept at a predetermined degree of vacuum by exhaust systems 2 and 3 attached to the head and the bottom, respectively. A tape-shaped magnetic recording medium X
Is a supply roll 5 that rotates at a constant speed in the clockwise direction in FIG.
To the winding roll 6 which rotates in a clockwise direction at a constant speed.
【００２５】これら供給ロール５側から巻取ロール６側
に亘って上記磁気記録媒体Ｘが走行する中途部には、該
磁気記録媒体Ｘを図１中下方に引き出すように設けられ
るとともに、上記各ロール５，６の径よりも大径となさ
れたクーリングキャン４が図１中時計回り方向に定速回
転するように設けられている。The magnetic recording medium X is provided so as to be pulled out downward in FIG. 1 at a midpoint where the magnetic recording medium X runs from the supply roll 5 side to the take-up roll 6 side, and the above-mentioned respective A cooling can 4 having a diameter larger than the diameter of the rolls 5 and 6 is provided so as to rotate at a constant speed in the clockwise direction in FIG.
【００２６】なお、上記供給ロール５、巻取ロール６及
びクーリングキャン４は、それぞれ上記磁気記録媒体Ｘ
の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものである。The supply roll 5, the take-up roll 6 and the cooling can 4 are respectively provided in the magnetic recording medium X.
It has a cylindrical shape having a length substantially the same as the width.
【００２７】従って、このスパッタリング装置において
は、上記磁気記録媒体Ｘが、上記供給ロール５から順次
送り出され、上記クーリングキャン４の外周面に沿って
通過し、更に上記巻取ロール６に巻き取られていくよう
になされている。Therefore, in this sputtering apparatus, the magnetic recording medium X is sequentially sent out from the supply roll 5, passes along the outer peripheral surface of the cooling can 4, and is further taken up by the take-up roll 6. It is designed to keep going.
【００２８】一方、上記真空槽１内には、上記クーリン
グキャン４の下方に複数（ここでは３個）のカソード９
ａ，９ｂ，９ｃがそれぞれ所定の間隔を空けて上記クー
リングキャン４の周面に対向して配設される。On the other hand, in the vacuum chamber 1, a plurality of (here, three) cathodes 9 are provided below the cooling can 4.
a, 9b and 9c are arranged at predetermined intervals so as to face the peripheral surface of the cooling can 4.
【００２９】上記カソード９ａ，９ｂ，９ｃ上には、各
々角型のターゲット１０ａ，１０ｂ，１０ｃが載置され
る。該ターゲット１０ａ，１０ｂ，１０ｃとしては、例
えばＳｉＯ2 やカーボン、ＳｉＮx 、ＳｉＣ等の耐摩耗
性材料が挙げられるが、これらに限定されるものではな
く、従来より公知材料がいずれも使用可能である。Rectangular targets 10a, 10b, 10c are placed on the cathodes 9a, 9b, 9c, respectively. Examples of the targets 10a, 10b, 10c include wear-resistant materials such as SiO 2 , carbon, SiN x , and SiC. However, the targets are not limited thereto, and any conventionally known material can be used. is there.
【００３０】これらターゲット１０ａ，１０ｂ，１０ｃ
の近傍には、図２に示すように（但し、図２中では上記
ターゲット１０ａ近傍の部材の構成についてのみ示し、
上記ターゲット１０ｂ，１０ｃにおいては同様の構成と
されるので図示及び説明を省略した。）、Ａｒガスを導
入するガス導入管１２が配設される。These targets 10a, 10b, 10c
As shown in FIG. 2 (however, in FIG. 2, only the configuration of members near the target 10a is shown,
Since the targets 10b and 10c have the same configuration, illustration and description thereof are omitted. ), And a gas introduction pipe 12 for introducing Ar gas is provided.
【００３１】従って、このスパッタリング装置において
は、上記カソード９ａ，９ｂ，９ｃに所定の電力が投入
され上記ガス導入管１２の先端より吹き出されたＡｒガ
スが電離（プラズマ化）される。そして、電離されたＡ
ｒイオンが加速されその運動エネルギーにより上記ター
ゲット１０ａから原子がはじき出され、続いて該はじき
出された原子が上記ターゲット１０ａと対向する上記磁
気記録媒体Ｘ上に堆積することによって膜形成が行われ
る。Therefore, in this sputtering apparatus, a predetermined electric power is applied to the cathodes 9a, 9b and 9c to ionize (plasma) the Ar gas blown from the tip of the gas introducing pipe 12. And ionized A
A film is formed by accelerating the r ions and ejecting atoms from the target 10a by the kinetic energy thereof, and then depositing the ejected atoms on the magnetic recording medium X facing the target 10a.
【００３２】ここで、上記ガス導入管１２は、上記ター
ゲット１０ａの幅方向両端位置ｅ1，ｅ2 に先端が相対
向するように配され、該ガス導入管１２から吹き出され
るＡｒガスが上記ターゲット１０ａの外側から内側に向
かって供給されるようになされている。このように、上
記ガス導入管１２が上記ターゲット１０ａ上から外れた
位置に配置されることにより、上記ターゲット１０ａか
らはじき出された原子が該ガス導入管１２の側面に付着
するのが抑えられ、該ガス導入管１２に付着したスパッ
タ材料の脱離による異常放電を少なくすることができ
る。Here, the gas introducing pipe 12 is arranged such that the tips thereof face the both ends e 1 and e 2 in the width direction of the target 10a, and the Ar gas blown out from the gas introducing pipe 12 is the above-mentioned. The target 10a is supplied from the outside to the inside. As described above, by disposing the gas introduction pipe 12 at a position deviated from the target 10a, it is possible to prevent the atoms ejected from the target 10a from adhering to the side surface of the gas introduction pipe 12, It is possible to reduce abnormal discharge due to desorption of the sputtering material attached to the gas introduction pipe 12.
【００３３】また、上記真空槽１内は、内部の空間を上
下に分断するべく仕切り板１１が配設される。これによ
り、該仕切り板１１の上方側の空間が遮蔽され、上記タ
ーゲット１０ａ，１０ｂ，１０ｃよりたたき出された原
子は該仕切り板１１の下方側を上記クーリングキャン４
の外周面に沿って走行する磁気記録媒体Ｘ上にのみ被着
されるようになされるので、効率良く膜形成を行うこと
ができる。A partition plate 11 is arranged in the vacuum chamber 1 so as to divide the internal space into upper and lower parts. As a result, the space above the partition plate 11 is shielded, and the atoms knocked out from the targets 10a, 10b, and 10c move below the partition plate 11 into the cooling can 4.
Since it is adapted to be deposited only on the magnetic recording medium X running along the outer peripheral surface of, the film can be formed efficiently.
【００３４】そこで、このような構成を有するスパッタ
リング装置を使用して、以下のようにして蒸着テープを
作製した。Therefore, a vapor deposition tape was produced as follows using the sputtering apparatus having such a configuration.
【００３５】先ず、厚さ１０μｍのポリエチレンテレフ
タレートからなるベースフィルム上に斜め蒸着（入射角
は４５°とした。）によりＣｏ80Ｎｉ20（数値は組成比
を表す。）合金からなる金属磁性薄膜を膜厚が０．２μ
ｍとなるように形成して単層膜からなる磁性層を設け
た。First, a metal magnetic thin film made of a Co 80 Ni 20 (numerical value represents a composition ratio) alloy was obliquely deposited (incident angle was 45 °) on a base film made of polyethylene terephthalate having a thickness of 10 μm. Film thickness is 0.2μ
A magnetic layer formed of a single-layer film was provided so as to have a thickness of m.
【００３６】続いて、上記図１に示すスパッタリング装
置にてＤＣマグネトロンスパッタリングを行い、上記金
属磁性薄膜上に膜厚１０ｎｍのカーボン膜を形成した。
このスパッタリングを行うに際し、成膜条件は下記に示
す通りとした。Subsequently, DC magnetron sputtering was performed with the sputtering apparatus shown in FIG. 1 to form a carbon film having a thickness of 10 nm on the metal magnetic thin film.
When performing this sputtering, the film forming conditions were as shown below.
【００３７】ガス圧 ： ０．６Ｐａ 基板間距離 ： ８０ｍｍ 投入パワー ： １０Ｗ／ｃｍ2 更に、通常のＨｉ８用メタルテープにおいて使用される
方法により表面潤滑剤層を塗布形成した後、バックコー
トを施してサンプルテープを得た。Gas pressure: 0.6 Pa Substrate distance: 80 mm Input power: 10 W / cm 2 Furthermore, a surface lubricant layer was formed by coating by a method used in a usual Hi8 metal tape, and then a back coat was applied. A sample tape was obtained.
【００３８】以上のように、一対のガス導入管の先端が
ターゲットの幅方向両端位置に相対向するように配置さ
れたスパッタリング装置を使用して保護膜形成を行った
場合（実施の形態とする。）、及び比較用として、図３
に示すようにＡｒガスを導入するガス導入管１３がカソ
ード１４上に載置されたターゲット１５の長さ方向と平
行して該ターゲット１５の上部に配設されてなる従来の
スパッタリング装置（このスパッタリング装置におい
て、Ａｒガスは、上記ガス導入管１３の先端部１３ａよ
り上記ターゲット１５の外方に向かって供給されるかた
ちとなる。）を使用した場合（比較例とする。）につい
て、保護膜成膜時における異常放電の発生状況及び得ら
れた磁気テープのドロップアウト特性をそれぞれ調べ
た。As described above, the case where the protective film is formed by using the sputtering apparatus in which the tips of the pair of gas introduction pipes are arranged so as to face each other at both ends of the target in the width direction (referred to as an embodiment). .) And FIG. 3 for comparison.
As shown in FIG. 1, a conventional sputtering apparatus in which a gas introduction tube 13 for introducing Ar gas is disposed above the target 15 in parallel with the length direction of the target 15 placed on the cathode 14 In the apparatus, a case where Ar gas is supplied from the tip portion 13a of the gas introduction pipe 13 toward the outside of the target 15) (comparative example) is used to form a protective film. The occurrence of abnormal discharge during film formation and the dropout characteristics of the obtained magnetic tape were investigated.
【００３９】異常放電は、保護膜成膜時の電圧又は電流
が２０％変動した回数により評価した。The abnormal discharge was evaluated by the number of times the voltage or current during the formation of the protective film changed by 20%.
【００４０】ドロップアウト特性は、ソニー社製のビデ
オデッキＥＶ−Ｓ９００（商品名）にて白５０％の信号
を記録し、ＲＦ再生出力において−１６ｄＢ、１０μ秒
以上のドロップアウトをカウントした値とした。The dropout characteristic is a value obtained by recording a 50% white signal on a Sony VCR EV-S900 (trade name) and counting dropouts of -16 dB and 10 μs or more in RF reproduction output. did.
【００４１】この結果を下記表１に示す。The results are shown in Table 1 below.
【００４２】[0042]
【表１】 [Table 1]
【００４３】表１に示すように、比較例では、保護膜を
形成する際に、スパッタリングされた材料が磁気記録媒
体上のみならず、ガス導入管の側面にも付着するので、
長時間スパッタリングを行った場合には、該ガス導入管
への付着物の落下により異常放電が頻繁に起こり、得ら
れた媒体においてもドロップアウトの発生が非常に多か
った。As shown in Table 1, in the comparative example, when the protective film is formed, the sputtered material adheres not only to the magnetic recording medium but also to the side surface of the gas introducing pipe.
When sputtering was performed for a long period of time, abnormal discharge frequently occurred due to the deposits falling on the gas introduction tube, and the resulting medium also had a very large number of dropouts.
【００４４】これに対して、本実施の形態では、ターゲ
ットの両サイドからＡｒガスを導入することにより、ガ
ス導入管がターゲットの上部に配されていない構成とさ
れるので、該ガス導入管に付着した付着物の脱落による
異常放電が著しく減少され、良好なドロップアウト特性
が得られることが判った。On the other hand, in the present embodiment, by introducing Ar gas from both sides of the target, the gas introducing pipe is not arranged above the target. It was found that the abnormal discharge due to the falling of the adhered substances was remarkably reduced, and good dropout characteristics were obtained.
【００４５】[0045]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
においては、基体上に膜を形成する際に、ターゲットの
両サイドからガス導入管を介してＡｒガスを導入してい
るので、前記ガス導入管の側面に付着した付着物が落下
することによって発生する異常放電を抑えることができ
る。従って、本発明のスパッタリング装置を用いて、非
磁性支持体上に形成された磁性層上に保護膜を形成すれ
ば、ドロップアウトが減少し、製品の品質の向上を図る
ことができる。As is clear from the above description, in the present invention, when the film is formed on the substrate, Ar gas is introduced from both sides of the target through the gas introduction pipes. It is possible to suppress abnormal discharge that occurs when the adhered matter that has adhered to the side surface of the gas introduction pipe falls. Therefore, if the sputtering apparatus of the present invention is used to form the protective film on the magnetic layer formed on the non-magnetic support, the dropout can be reduced and the quality of the product can be improved.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明を適用して磁気テープを製造するに際
し、保護膜の成膜時に使用したスパッタリング装置の一
構成例を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of the configuration of a sputtering apparatus used for forming a protective film when a magnetic tape is manufactured by applying the present invention.
【図２】ターゲット上に供給される不活性ガスのガス導
入管の一構成例を示す要部拡大斜視図である。FIG. 2 is an enlarged perspective view of an essential part showing a configuration example of a gas introduction pipe of an inert gas supplied onto a target.
【図３】従来のスパッタリング装置におけるガス導入管
の一構成例を示す要部拡大斜視図である。FIG. 3 is an enlarged perspective view of an essential part showing a configuration example of a gas introduction pipe in a conventional sputtering apparatus.
【符号の説明】 Ｘ 磁気記録媒体 １ 真空槽 ２，３ 排気口 ４ クーリングキャン ５ 供給ロール ６ 巻取ロール ９ａ，９ｂ，９ｃ カソード １０ａ，１０ｂ，１０ｃ ターゲット[Explanation of reference numerals] X magnetic recording medium 1 vacuum chamber 2,3 exhaust port 4 cooling can 5 supply roll 6 winding roll 9a, 9b, 9c cathode 10a, 10b, 10c target
Claims (3)
基体と対応する幅を有するターゲットとを備え、 先端からアルゴンガスを吹き出す一対のガス導入管が前
記ターゲットの幅方向両端位置に前記先端が相対向する
ように配置されていることを特徴とするスパッタリング
装置。1. A vacuum chamber, a substrate traveling system, and a target having a width corresponding to that of the substrate. A pair of gas introduction pipes for blowing argon gas from the tips are provided at both ends of the target in the width direction. The sputtering apparatus is characterized in that the two are arranged so as to face each other.
た磁気記録媒体であり、ターゲットが耐摩耗性材料であ
ることを特徴とする請求項１記載のスパッタリング装
置。2. The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the substrate is a magnetic recording medium in which a metal thin film is formed as a magnetic layer, and the target is a wear resistant material.
れた位置となるように配置されていることを特徴とする
請求項１記載のスパッタリング装置。3. The sputtering apparatus according to claim 1, wherein the tip of the gas introducing pipe is arranged so as to be off the target.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22176895A JPH0967669A (en) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | Sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22176895A JPH0967669A (en) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | Sputtering device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0967669A true JPH0967669A (en) | 1997-03-11 |
Family
ID=16771902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22176895A Pending JPH0967669A (en) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | Sputtering device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0967669A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102115870A (en) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | Sputtering coating device |
-
1995
- 1995-08-30 JP JP22176895A patent/JPH0967669A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102115870A (en) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | Sputtering coating device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040331 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20041019 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |