JPH0963977A - 半導体熱処理装置 - Google Patents
半導体熱処理装置Info
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- JPH0963977A JPH0963977A JP24373895A JP24373895A JPH0963977A JP H0963977 A JPH0963977 A JP H0963977A JP 24373895 A JP24373895 A JP 24373895A JP 24373895 A JP24373895 A JP 24373895A JP H0963977 A JPH0963977 A JP H0963977A
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Abstract
し、その長寿命化を図ると共に、稼働率を向上し得る半
導体熱処理装置を提供する。 【解決手段】 熱処理領域と非熱処理領域との間に、微
小気泡を内包した複数の高純度石英ガラス板8,10
が、間隔をあけて並置9,11され、かつ少なくとも2
群に分離可能に結合12,13されている。
Description
デバイス用シリコンウエハに酸化,拡散,アニール等の
熱処理を施す半導体熱処理装置に関する。
は、シリコンウエハ群が納置される熱処理領域の保温,
均熱化と非熱処理領域の焼損防止を図ると共に、シリコ
ンウエハ表面への処理ガスの均等供給を図るため、熱処
理領域と非熱処理領域との間に、微小気泡を内包した1
枚若しくは2枚の高純度石英ガラス板を間隔をあけて並
置してなる遮熱体を介装した横型熱処理炉が知られてい
る(実公平6−14480号公報参照)。この横型熱処
理炉においては、微小気泡を内包する高純度石英ガラス
板により、熱処理領域から非熱処理領域へ向う熱流束を
反射散乱させ、かつガス流分布を均等化させ、熱処理領
域の均熱化や非熱処理領域の焼損防止等を図るものであ
る。
半導体熱処理装置では、遮熱体が一体構造であるので、
以下に述べる不具合がある。すなわち、CVD処理に伴
って付着する付着物に対するメンテナンスとして行われ
るエッチング処理は、付着が最も激しい熱処理領域側を
基準にして行われるため、本来は不必要な非熱処理領域
側までエッチングされることとなり、一体構造の遮熱体
全体としての劣化が進む。又、エッチングによる再生処
理を行うために装置を停止することにより、装置の稼働
率が低下する。特に、シリコンウエハが大口径化し、I
Cの高集積化が進むと、装置の稼働率の向上は、生産性
向上にとって重要な課題となる。更に、従来の半導体熱
処理装置では、遮熱体の各高純度石英ガラス板の密度が
同一であるので、微小気泡の量を多くして遮熱効率を高
めようとすると、強度が低下し、かつダスト発生が増加
する。一方、強度を高めて長寿命化しようとすると、微
小気泡の量を少なくする必要があり、遮熱効率が低下す
る不具合がある。そこで、本発明は、遮熱体全体として
過剰なエッチングを防止し、その長寿命化を図ると共
に、稼働率を向上し得る半導体熱処理装置を提供するこ
とを目的とする。又、本発明の他の目的は、遮熱体が十
分な強度を有し、かつダスト発生を低減しつつ遮熱効率
を高め得る半導体熱処理装置を提供することにある。
め、本発明の第1の半導体熱処理装置は、熱処理領域と
非熱処理領域との間に、微小気泡を内包した複数の高純
度石英ガラス板が、間隔をあけて並置され、かつ少なく
とも2群に分離可能に結合されていることを特徴とす
る。前記複数の高純度石英ガラス板は、微小気泡の平均
径が200μm以下、散乱係数が200〜1200
m-1、密度ρが1.7≦ρ≦2.2g/cm3 であること
が好ましい。又、前記複数の高純度石英ガラス板は、全
枚数が4〜12枚、1枚当りの厚さが4〜10mmである
ことが好ましい。又、第2の半導体熱処理装置は、熱処
理領域と非熱処理領域との間に、微小気泡を内包した複
数の高純度石英ガラス板が、間隔をあけて並置され、か
つこの密度を熱処理領域側から非熱処理領域側にかけて
小さくした少なくとも2段階に異ならせていることを特
徴とする。前記複数の高純度石英ガラス板は、密度ρが
熱処理領域側1.9<ρ≦2.2g/cm3 ,非熱処理領
域側1.7≦ρ≦2.1g/cm3 の範囲で2段階に異な
らせていることが好ましい。又、前記複数の高純度石英
ガラス板は、密度ρが1.7≦ρ≦2.2g/cm3の範
囲で熱処理領域側から非熱処理領域側にかけて小さくな
るように多段階に異ならせてもよい。
て図面を参照して説明する。図1,図2は本発明の半導
体熱処理装置に係る実施の一形態を示す縦型熱処理炉の
縦断面図、その要部の分解斜視図である。図中1は高純
度石英ガラスからなり、上端を閉塞しかつ下端を開口し
た円筒状の炉芯管で、この炉芯管1は、Oリング等のシ
ール部材(図示せず)により開口端を気密に封止して炉
床2上に垂直に立設されている。炉芯管1は、その下端
部を除くほぼ全長の外周を囲む円筒状の発熱体3と相俟
って熱処理領域を形成しており、この熱処理領域は、炉
体を形成する断熱材4によって覆われている。非熱処理
領域である炉芯管1の下端部内には、炉床2上に載置し
た遮熱体5が納置されており、この遮熱体5上には、高
純度石英ガラスからなり、シリコンウエハ6を適宜間隔
で積層して搭載したウエハボート7が熱処理領域に位置
して載置されている。遮熱体5は、熱処理領域から非熱
処理領域へ向う熱流束を反射散乱することにより、炉床
2に直接到達する熱量を低減するもので、微小気泡を内
包した円形の3枚の高純度石英ガラス板8を、複数の高
純度石英ガラス支柱9により所要間隔をあけて連結した
熱処理側部5aと、微小気泡を内包した円形の4枚の高
純度石英ガラス板10を、複数の高純度石英ガラス支柱
11により所要間隔をあけて連結した非熱処理側部5b
とから構成されている。そして、両部5a,5bは、熱
処理側部5aの最下部の高純度石英ガラス板8に設けた
複数のダボ穴12と、これと対応させて非熱処理側部5
bの最上部の高純度石英ガラス板8に突設した高純度石
英ガラス製のダボ13とにより、分離可能に直列に結合
されている。
は、微小気泡の平均径を200μm以下、散乱係数を2
00〜1200m-1、密度ρを1.7≦ρ≦2.2g/
cm3としている。微小気泡の平均径が200μmを超え
ると、機械的強度が小さくなり、散乱係数が200m-1
未満であると、遮熱効果が急激に小さくなる一方、12
00m-1を超えると、遮熱効果は大きくなるが機械的強
度が小さく、ダストの発生が大きくなり、又、密度ρが
1.7g/cm3 未満であると、強度が低下し、かつダス
トの発生が大きくなる一方、2.2g/cm3 を超える
と、遮熱効果が急激に小さくなる。より好ましくは、平
均径が20〜120μmである。又、複数の高純度石英
ガラス板8,10は、枚数を4〜12枚、1枚当りの厚
さを4〜10mmとしている。枚数が4枚未満であると、
熱流束を十分に遮蔽することができない一方、12枚を
超えると、熱流束の減少率はほぼ一定になり、効果が頭
打ちとなり、又、1枚当りの厚さが4mm未満であると、
遮熱効果が十分でない一方、10mmを超えると、厚さの
割には遮熱効果が余り期待できず、むしろ熱容量的に悪
影響を与える。より好ましくは、枚数が6〜9枚であ
る。
が激しい熱処理側部5aを取り外して新しいものと交換
することが可能となるので、装置の稼働中に遮熱体5の
熱処理側部5aをエッチング処理することができ、装置
の稼働率を向上させることができる。又、付着の激しい
部分のみを新しいものと交換可能となるので、それ以外
の部分について過剰エッチングすることがなく、長寿命
化を図ることができる。更に、高純度石英ガラス板の微
小気泡の平均径、散乱係数及び密度を特定することによ
り、遮熱効率を向上させることができる。なお、上述し
た実施の一形態では、遮熱体5を全高の1/3を占める
熱処理側部5aと、残る2/3を占める非熱処理側部5
bとの2群で構成する場合について述べたが、これに限
定されるものではなく、全高の1/2ずつを占める2群
又は全高の1/3ずつを占める3群あるいは適宜高さを
占める4群以上とし、かつ各群を分離可能に結合する構
成としてもよい。
施の他の形態を示す縦型熱処理炉の要部の斜視図であ
る。この縦型熱処理炉において、遮熱体14は、微小気
泡を内包した円形の6枚の高純度石英ガラス板15を、
微小気泡を内包した複数の高純度石英ガラス支柱16に
より所要間隔をあけて一体連結すると共に、密度ρが熱
処理領域側1.9<ρ≦2.2g/cm3 ,非熱処理領域
側1.7≦ρ≦2.1g/cm3 の範囲で2段階に異なら
せたり、あるいは密度ρが1.7≦ρ≦2.2g/cm3
の範囲で熱処理領域側から非熱処理領域側にかけて小さ
くなるように多段階に異ならせたりし、密度を熱処理領
域側から非熱処理領域側にかけて小さくした少なくとも
2段階に異ならせて構成されている。他の構成は、図1
のものとほぼ同様であるので、その説明を省略する。
び高純度石英ガラス支柱16の密度ρは、1.9g/cm
3 未満であると、強度が低下し、クリープや熱衝撃に耐
えることができず、2.2g/cm3 を超えると、遮熱効
率が低下する。好ましくは、2.0≦ρ≦2.1g/cm
3 である。又、非熱処理領域側の高純度石英ガラス板1
5及び高純度石英ガラス支柱16の密度は、2.1g/
cm3 を超えると、遮熱効果が著しく低下し、1.7g/
cm3 未満であると、強度が低下し、ダストの発生のおそ
れがある。好ましくは、1.8≦ρ≦2.0g/cm3 で
ある。なお、高純度石英ガラス板15の散乱係数、枚数
及び厚さ等は、実施の一形態の場合とほぼ同様であるの
で、その説明を省略する。
理領域側を強度的に優れ、かつ非熱処理領域側をダスト
発生が低く遮熱効果に優れた遮熱体14とすることがで
き、遮熱体14全体として遮熱効率を高めると共に、十
分な強度を有し、かつダスト発生の低いものとすること
ができる。
いては、半導体熱処理装置として縦型熱処理炉について
述べたが、これに限定されるものではなく、横型熱処理
炉にも適用できる。
例と共に説明する。先ず、炉内温度1200℃に保持し
た縦型熱処理炉に、微小気泡の平均径を30〜80μm
とし1枚の厚さが4mm、枚数が9枚(3枚+3枚+3
枚)、間隔が25mmの3分割構造で、散乱係数及び密度
を表1の通りにした高純度石英ガラス板等からなる遮熱
体を納置し、炉内温度が所定温度に到達してから60分
経過後の炉床部の温度を測定したところ、表1に示すよ
うになった。
が少なく、散乱係数が200m-1未満のものでは、遮熱
効果が急激に小さくなることがわかる。一方、微小気泡
の量が多く、散乱係数が1200m-1を超えるもので
は、遮熱効果は大きくなるが、機械的強度が小さく、か
つダストの発生が多くなるので、半導体熱処理用として
は不適当であった。したがって、散乱係数は、200〜
1200m-1であることが好ましく、より好ましくは、
300〜1000m-1であることがわかった。又、10
00℃以上の炉内温度に対して、微小気泡を内包した高
純度石英ガラス板(600m-1)の厚みについて検討
し、単位厚さ当りの遮熱量を測定した結果、10mm程度
までは遮熱に有効であるが、それ以上厚くしても厚さの
割には遮熱効果が余り期待できず、むしろ熱容量的に悪
影響を与えることがわかった。一方、厚さが4mm未満で
あると、強度が不十分となった。したがって、1枚当り
の厚さは、4〜10mmが好ましく、より好ましくは、4
〜7mmであることがわかった。更に、微小気泡を内包し
た高純度石英ガラス板(600m-1,4mm)の全枚数に
ついて測定を行った結果、4枚以上でなければ、熱流束
を十分に遮蔽することができず、かつ13枚以上として
も遮熱効果の向上を期待できず、熱容量的に悪影響があ
ることがわかった。したがって、枚数は、4〜12枚が
好ましく、より好ましくは、6〜9枚であることがわか
った。
使用する実施例の遮熱体として、表2記載の仕様で、全
高の熱処理領域側1/3部分と残り2/3部分とを分離
可能な構造のものとし、1/3部分を連続20回使用毎
に取り外して新しいものと交換する一方、表2記載の仕
様の一体構造の遮熱体を比較例として連続使用したとこ
ろ、炉床部の温度は、表3に示すようになった。
合、20回の使用で炉床部の温度は120℃となり、使
用初期(約80℃)と比べて約40℃高くなったが、付
着の激しかった1/3部分を交換することにより、炉床
部の温度は95℃となり、約25℃分だけ回復した。そ
の後、次の20回の使用で炉床部の温度は143℃とな
り、約48℃高くなった。ここで、再び付着の激しかっ
た1/3部分を交換することにより、炉床部の温度は1
05℃となり、約38℃分だけ回復した。そして、更に
次の20回の使用で炉床部の温度は155℃となった。
一方、比較例の場合、40回の連続使用で炉床部の温度
は150℃となり、更に次の20回の連続使用で炉床部
の温度は172℃となった。ちなみに、炉床部の上限温
度は、フランジのパッキン等の熱劣化を防止するため、
160℃である。したがって、本実施例によれば、比較
例よりも遮熱性能を維持できる使用回数を50%も増や
すことができる。
較例1〜3と共に説明する。先ず、6インチウエハ用縦
型熱処理炉に使用する遮熱体として、直径200mm,厚
さ5mmの微小気泡を内包した高純度石英ガラス板6枚
を、微小気泡を内包した高純度石英ガラス支柱各3本で
等間隔に積層して全体の高さを200mmとしたものであ
って、熱処理領域側の3枚の高純度石英ガラス板及びそ
の間の高純度石英ガラス支柱の密度を2.1g/cm3 、
非熱処理領域側の3枚の石英ガラス板及び残りの高純度
石英ガラス支柱の密度を1.9g/cm3 としたものを実
施例、全体の密度を1.9g/cm3 ,2.1g/cm3 及
び2.0g/cm3 としたものを比較例1,2及び3とし
た。次いで、実施例,比較例1〜3の遮熱体を縦型熱処
理炉に納置し、最高温度1200℃で熱処理した。この
際の加熱,冷却の速度は100℃/min、等温保持は5時
間とし、かつ遮熱体上には、6インチウエハ及びウエハ
ボートの重量に相当する38kgの透明石英ガラス製の円
筒状の重錘を載せた。50回の加熱,冷却使用を繰り返
した後の各遮熱体の評価結果を表4に示す。なお、変形
量は、上記高さが全体としてどの程度短くなったかを示
すものである。
視して全体を密度1.9g/cm3 とした比較例1の結果
は、炉床部の温度が95℃と最も低く、遮熱効率のよさ
が示された。しかし、変形量が1.2mmと非常に大き
く、このままでは実用に供することはできない。一方、
強度特性を重視して全体を密度2.1g/cm3 とした比
較例2の結果は、比較例1とは逆に変形量は0.4mmと
小さいが、炉床部の温度が160℃と高かった。このも
のは、実用的には遮熱効率が不十分である。比較例3
は、全体を比較例1と比較例2の中間の密度である2.
0g/cm3 としたもので、炉床部の温度が110℃、変
形量が0.8mmと比較的バランスのよい特性を示してい
る。これらの比較例1〜3に対して実施例の結果は、遮
熱効率はそれを重視した比較例1と、又、強度特性はそ
れを重視した比較例2とほぼ同等である。更に、比較例
3と比べると、遮熱効率はほぼ同等であるが、変形量が
60%少ない。したがって、実施例の遮熱体は、遮熱効
率と強度特性で総合的に優れていることがわかる。な
お、ダスト発生量は、強度の低下の程度とほぼ対応する
ものである。
導体熱処理装置によれば、付着が激しい部分を取り外し
て新しいものと交換することが可能となるので、装置の
稼働中に遮熱体の熱処理側部をエッチング処理すること
ができ、装置の稼働率を向上させることができる。又、
付着の激しい部分のみ新しいものと交換可能となるの
で、それ以外の部分について過剰エッチングをすること
がなく、長寿命化を図ることができる。更に、高純度石
英ガラス板の微小気泡の平均径、散乱係数及び密度を特
定することにより、遮熱効率を向上させることができ
る。又、第2の半導体熱処理装置によれば、遮熱体の熱
処理領域側で強度を担保する一方、非熱処理領域側でダ
スト発生を低減しつつ遮熱効率を担保するので、従来に
比べて十分な強度を有する遮熱体とすることができ、か
つダスト発生を低減しつつその遮熱効率を高めることが
できる。
を示す縦型熱処理炉の縦断面図である。
る。
態を示す縦型熱処理炉の要部の斜視図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 熱処理領域と非熱処理領域との間に、微
小気泡を内包した複数の高純度石英ガラス板が、間隔を
あけて並置され、かつ少なくとも2群に分離可能に結合
されていることを特徴とする半導体熱処理装置。 - 【請求項2】 前記複数の高純度石英ガラス板は、微小
気泡の平均径が200μm以下、散乱係数が200〜1
200m-1、密度ρが1.7≦ρ≦2.2g/cm3 であ
ることを特徴とする請求項1記載の半導体熱処理装置。 - 【請求項3】 前記複数の高純度石英ガラス板は、全枚
数が4〜12枚、1枚当りの厚さが4〜10mmであるこ
とを特徴とする請求項1又は2記載の半導体熱処理装
置。 - 【請求項4】 熱処理領域と非熱処理領域との間に、微
小気泡を内包した複数の高純度石英ガラス板が、間隔を
あけて並置され、かつこの密度を熱処理領域側から非熱
処理領域側にかけて小さくした少なくとも2段階に異な
らせていることを特徴とする半導体熱処理装置。 - 【請求項5】 前記複数の高純度石英ガラス板は、密度
ρが熱処理領域側1.9<ρ≦2.2g/cm3 、非熱処
理領域側1.7≦ρ≦2.1g/cm3 の範囲で2段階に
異ならせていることを特徴とする請求項4記載の半導体
熱処理装置。 - 【請求項6】 前記複数の高純度石英ガラス板は、密度
ρが1.7≦ρ≦2.2g/cm3 の範囲で熱処理領域側
から非熱処理領域側にかけて小さくなるように多段階に
異ならせていることを特徴とする請求項4記載の半導体
熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24373895A JP3865419B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 半導体熱処理装置に用いられる遮熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24373895A JP3865419B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 半導体熱処理装置に用いられる遮熱体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0963977A true JPH0963977A (ja) | 1997-03-07 |
JP3865419B2 JP3865419B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=17108257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24373895A Expired - Fee Related JP3865419B2 (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 半導体熱処理装置に用いられる遮熱体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3865419B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085349A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2002343789A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 補助保温治具、その製造方法、板状断熱材付きウエハボート、縦型熱処理装置、縦型熱処理装置の改造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2019502262A (ja) * | 2015-12-18 | 2019-01-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 非対称なチャンバ環境における均一なウエハ温度の実現 |
CN113957540A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-01-21 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种适用于碲镉汞材料的热处理装置 |
-
1995
- 1995-08-29 JP JP24373895A patent/JP3865419B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2001085349A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 縦型熱処理装置 |
JP2002343789A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 補助保温治具、その製造方法、板状断熱材付きウエハボート、縦型熱処理装置、縦型熱処理装置の改造方法および半導体装置の製造方法 |
JP2019502262A (ja) * | 2015-12-18 | 2019-01-24 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 非対称なチャンバ環境における均一なウエハ温度の実現 |
CN113957540A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-01-21 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种适用于碲镉汞材料的热处理装置 |
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