JPH0959776A - スパッタリング方法、及び基板保持装置 - Google Patents
スパッタリング方法、及び基板保持装置Info
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- JPH0959776A JPH0959776A JP23617895A JP23617895A JPH0959776A JP H0959776 A JPH0959776 A JP H0959776A JP 23617895 A JP23617895 A JP 23617895A JP 23617895 A JP23617895 A JP 23617895A JP H0959776 A JPH0959776 A JP H0959776A
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Abstract
ッタリング方法と、そのスパッタリング方法に適した基
板保持装置を提供する。 【解決手段】 成膜室42内にターゲットをほぼ鉛直に
配置し、基板をそれに対向させてスパッタリングする
際、基板搬送ロボット31で搬送されてきた基板を基板
保持板3上に乗せてクランプし、前記基板を前記基板保
持板3と一緒に起立させて前記ターゲットと対向させ
る。基板を垂直にして成膜するので、基板表面へのダス
トの落下がない。その場合、前記基板保持板3に基板仮
置機構を設けて成膜が終了した基板と未成膜の基板とを
交換するようにすれば、前記基板搬送ロボット31の動
きに無駄がなくなる。また、前記基板保持板にヒーター
を設けておけばスパッタリングの際に基板を加熱するこ
とができるので、そりや歪みを生じさせずに結晶性のよ
い薄膜を成膜することができる。
Description
を鉛直にして薄膜を成膜するスパッタリング技術にかか
り、特に、基板を水平移動させる基板搬送ロボットに対
応したスパッタリング方法と、そのスパッタリング方法
に適した基板保持装置に関する。
法は、半導体素子や液晶素子を製造するために欠かせな
い技術となっており、特に、装置の組合せが柔軟であ
り、ダストの発生が少ないことから、基板搬送ロボット
を使用した枚葉式スパッタリング方法が主流となってい
る。
パッタリング装置101を示すと、該スパッタリング装
置101は、基板の搬出入を行うL/UL室102と、基板
搬送ロボット107が設けられた搬送室108と、ター
ゲット111が天井に設けられたスパッタ室106とが
この順で配置され構成されている。前記L/UL室102と
前記搬送室108との間と、前記搬送室108と前記ス
パッタ室106との間は、それぞれ仕切バルブ105、
109によって仕切られており、個別に真空排気できる
ように構成されている。
14が設けられており、前記スパッタ室106に基板を
搬入するためには、先ず、前記L/UL室102と大気との
間に設けられた扉103を開け、成膜対象の基板が満載
されたカセット120を前記L/UL室102内に装着す
る。そして、前記扉103を閉じ、図示しない真空ポン
プを起動して前記L/UL室102を真空排気した後、前記
仕切バルブ105を開け、前記基板搬送ロボット107
と前記カセット昇降機構114とを用いて、前記カセッ
ト120から基板を1枚ずつ取り出す。次いで、前記仕
切バルブ109を開け、前記基板搬送ロボット107の
ハンド上に乗せた基板を前記スパッタ室106内に搬入
する。
支持棒104が立設されており、前記ハンド上に乗せた
基板を前記ターゲット111と前記各支持棒104の間
に位置させ、前記各支持棒104の下端に設けられた基
板昇降機構112を動作させて前記各支持棒104を持
ち上げると前記基板は前記各支持棒104の上端部分に
乗せられる。
基板搬送ロボット107のハンドを抜き出すと、基板と
前記ターゲット111とが対向配置されるので、前記仕
切バルブ109を閉じてスパッタリングガスを導入して
スパッタリングを開始できる状態になる。図8の符号1
13は前記各支持棒104に乗せられた状態の基板であ
る。
スパッタ室106の底面に平板状のヒーター110が配
置されており、前記基板昇降機構112を動作させ、前
記各支持棒104を下げると前記基板113は前記ヒー
ター110上に置かれるので、加熱しながら薄膜を成長
させることができるものである。
水平に支持するため、前記スパッタ室106内でダスト
が発生すると、前記基板113表面に落下してしまう。
このスパッタ室106の場合、前記ターゲット111が
前記スパッタ室の天井に配置されているので、ターゲッ
ト111の保持枠等に堆積したターゲット材が剥離する
と、前記成膜中の基板113の表面に落下し、薄膜に欠
陥が生じ、歩留まりが悪くなってしまう。
の不都合を解決するために創作されたもので、その目的
は、膜欠陥や基板のそり、歪みを生じさせずに大面積基
板に薄膜を成膜することができるスパッタリング方法
と、そのスパッタリング方法に適した基板保持装置を提
供することにある。
に請求項1記載の発明方法は、成膜室内にほぼ鉛直に配
置されたターゲットに基板を平行に対向させて保持し、
前記ターゲットをスパッタリングして前記基板表面に薄
膜を成膜するスパッタリング方法であって、基板搬送ロ
ボットのハンド上に乗せられて水平に搬入された基板
を、水平に配置された基板保持板上に乗せ、前記基板保
持板に設けられた基板クランプ機構によって前記基板を
クランプして前記基板保持板と密着させ、前記基板保持
板と共に前記基板を起立させることを特徴とし、
のスパッタリング方法であって、前記基板保持板に設け
られたヒーターによって前記基板を加熱しながら薄膜の
成膜を行うことを特徴とする。
内にほぼ鉛直に配置されたターゲットをスパッタリング
して基板表面に薄膜を成膜するスパッタリング方法に用
いられる基板保持装置であって、基板搬送ロボットのハ
ンド上に乗せられて水平に搬入された基板を水平に乗せ
る基板保持板と、前記基板保持板上に乗せられた基板を
クランプする基板クランプ機構と、前記基板保持板を起
立させる回転機構とを有することを特徴とし、
の基板保持装置であって、前記基板保持板が起立された
時に、前記クランプされた基板が前記ターゲットに平行
に対向するように構成されたことを特徴とし、
請求項4のいずれか1項記載の基板保持装置であって、
前記ハンド上に乗せられた基板が前記基板保持板上に位
置するときに、その基板を持ち上げて上下移動させる第
1の基板仮置機構と、前記基板保持板上に乗せられた基
板を持ち上げて上下移動させる第2の基板仮置機構とを
有し、前記ハンド上の基板と前記基板保持板上の基板と
を前記第1、第2の基板仮置機構上に仮に置いて交換で
きるように構成されたことを特徴とし、
請求項5記載のいずれか1項記載の基板保持装置であっ
て、前記基板保持板は基板を加熱できるヒーターを有す
ることを特徴とする。
板搬送ロボットを用いて基板を水平に移動させて搬入す
る際、基板を水平にしたままで基板保持板上に乗せてク
ランプし、次いで前記基板保持板を起立させるので、基
板を脱落することなく鉛直にすることができ、そして、
成膜室内にほぼ鉛直に配置されたターゲットと平行に対
向させてスパッタリングを行えば、成膜の際に基板表面
にダストが落下することはない。
直にされた基板を加熱しながら膜成長をさせることがで
きるので、結晶性のよい薄膜を成膜することが可能とな
る。また、前記基板は前記基板保持板に密着されている
ので、加熱しても基板にそりや歪みが生じることがな
い。
ロボットのハンド上に乗せられて水平に移動されて搬入
された基板を水平のまま乗せる基板保持板と、前記基板
保持板上に乗せられた基板をクランプする基板クランプ
機構と、前記基板保持板を起立させる回転機構とが設け
られた基板保持装置を使用すると基板を簡単に鉛直にで
きて都合がよい。
たときに、成膜室内にほぼ鉛直に配置されたターゲット
と基板とが直ちに平行に対向されるようにしておけば、
鉛直にした状態で基板を移動させなくて済み、装置の構
成が簡単になる。
用基板搬送ロボットでは、ハンド上に基板を乗せて水平
に移動させることはできるが、ハンドを上下に動かし
て、基板を上下に移動させることはできないのが普通で
ある。そこで、前記ハンド上に乗せられた基板が前記基
板保持板上に位置するときに、その基板を持ち上げて上
下移動させる第1の基板仮置機構と、前記基板保持板上
に乗せられた基板を持ち上げて上下移動させる第2の基
板仮置機構とをこの基板保持装置に設けておけば、前記
第1、第2の基板仮置機構の動作と前記ハンドの動作に
よって、前記ハンド上にある未成膜の基板と前記基板保
持板上にある成膜が終了した基板とを、それぞれ前記第
1、第2の基板仮置機構に置いて交換できるようになる
ので、基板搬送ロボットに無駄な動きがなくなって、基
板交換時間、ひいては成膜処理時間を短縮させることが
可能となる。
け、密着された基板を加熱しながらスパッタリングを行
えば、そりや歪みを生じさせずに結晶性のよい薄膜を得
ることができて好ましい。
方法に用いられる基板保持装置の発明の実施の形態と共
に図面を用いて説明する。
であり、外周が四辺形の保持板回転枠5とシャフト21
とを有している。前記シャフト21は水平に配置されて
おり、前記保持板回転枠5は前記シャフト21に取り付
けられ、この図1では水平にされている。
成膜室42内に配置されており、前記保持板回転枠5の
内側には矩形形状に形成された基板保持板3がはめ込ま
れ、前記成膜室42内であって前記基板保持板3の下方
にはベース17が水平に配置され、前記成膜室42の外
部であって前記ベース17の下方には、基板昇降板12
が水平に配置されている。
ーによって上下移動自在に構成されており、該基板昇降
板12と前記ベース17とは、4つの中空円筒の支柱1
9で連結されて一緒に上下移動できるようにされてい
る。前記各支柱19は、それぞれ伸縮自在な金属ベロー
ズ11で気密に覆われており、前記基板昇降板12と前
記ベース17の上下移動させたときでも、前記成膜室4
2内に大気が侵入しないようにされている。
れている部分には丸穴14が開けられており、前記各丸
穴14を通して前記各支柱19内に支持棒8が1本ずつ
挿入されている。前記各支持棒8の下端部分は前記基板
昇降板12に気密に挿通され、先端が前記基板昇降板1
2の裏面から突き出た部分には、それぞれプーリー25
が設けられている。他方、前記各支持棒8の上端部分の
上方には前記保持板回転枠5が位置するようにされてお
り、該保持板回転枠5の、前記各支持棒8の上方に位置
する部分には、孔13が開けられており、前記基板昇降
板12を下方から上昇させたときに、前記各支持棒8が
前記孔13に挿通され、前記各支持棒8の先端部分が前
記保持板回転枠5上に出られるようにされている。
揃えられて、それらの先端には爪部9がそれぞれ設けら
れており、また、前記孔13は前記基板保持板3の四隅
付近に位置するように配置されている。従って、前記各
保持棒8を前記孔13上に出し、前記各爪部9を前記基
板保持板3上に位置するように向けた場合には、前記各
爪部9上に前記基板保持板3とほぼ同じ大きさの基板を
一時的に乗せることができるので、前記保持棒8と前記
爪部9とで第1の基板仮置機構が構成されていることに
なる。
立設されており、前記各ピン7は、それらの上方に前記
基板保持板3の縁が位置するように配置されている。前
記基板保持板3の縁の、前記各ピン7の上方の位置する
部分には孔15が開けられており、前記ベース17を下
方から上昇させたときに、前記各ピン7が前記孔15に
挿通され、それらの先端部分が前記基板保持板3の縁上
に出られるようにされている。
えられ、それらの先端には爪部10がそれぞれ設けられ
ており、また、前記孔15は前記基板保持板3の相対す
る2つの縁上に3個ずつと、残りの2辺の縁上に1個ず
つ配置されており、前記各ピン7を前記基板保持板3上
に出せば、前記各爪部10上に前記基板保持板3とほぼ
同じ大きさの基板を一時的に乗せることができるので、
前記各ピン7と前記各爪部10とで第2の基板仮置機構
が構成されていることになる。
アクチュエーター24が設けられており、該基板昇降板
12は前記ロータリーアクチュエーター24の回転軸が
貫通され、その裏面に突き出た部分と前記プーリー25
にはベルト26が掛けられており、前記ロータリーアク
チュエーター24の回転力が前記各支持棒8に伝達さ
れ、前記各支持棒8が回動できるように構成されてい
る。
って、前記各支持棒8を回動させる際、前記支持棒8先
端の前記爪部9は、4つ全部が前記基板保持板3の縁に
沿う方向に向けられるか、前記基板保持板3の内側に向
けられるかのいずれか一方の状態となるようにされてお
り、前記各爪部9を縁に沿う方向に向ければ前記爪部9
は前記孔13に引っかからず、前記保持棒8を前記孔1
3から出し入れができ、他方、前記各爪部9を内側に向
けたときは、前記各爪部9は前記基板保持板3上に位置
するようにされており、前記ロータリーアクチュエータ
ー24を動作させて前記各支持棒8を回動させると、一
方の状態から他方の状態へ切り替えられるようにされて
いる。
0の位置が低く、前記爪部9の高さと前記爪部10の高
さとの間には、基板搬送ロボットのハンドを挿入できる
程度の差が設けられている。
該モーター23の回転方向を変換するウォームギア27
とで構成された回転機構が設けられており、該回転機構
を動作させ、前記シャフト21を回転させると前記保持
板回転枠5と前記基板保持板3とを水平にも鉛直にもで
きるようにされており、前記保持棒8と前記ピン7とを
前記孔13、15から抜き出して前記シャフト21を回
転させれば、前記基板保持板3が前記ピン7や前記支持
棒8とぶつかることがないようにされている。
プ機構4が設けられており、水平にされた前記基板保持
板3を起立させる際、その基板保持板3に基板を水平に
乗せ、前記基板クランプ機構4によって基板をクランプ
しておけば、前記基板保持板3が略鉛直な状態にされて
も基板が脱落しないようにされている。
板回転枠5よりもわずかに大きめに形成されたマスク回
転枠6が鉛直に配置されており、該マスク回転枠6は2
本の支持腕36に固定され、前記2本の支持腕36は、
前記シャフト21に回転可能に取り付けられ、また、ク
ランク機構38と成形ベローズ35とを介して前記成膜
室42外に配置された圧空シリンダ34にも気密に接続
されている。従って、前記マスク回転枠6は前記シャフ
ト21で支持されているが、前記クランク機構38を静
止させておけば、前記シャフト21が回転した場合で
も、前記保持板回転枠6は回転せず、鉛直状態を維持で
きるように構成されている。
板よりもやや小さめの矩形形状にくりぬかれ、それによ
って窓部16が形成されており、前記保持板回転枠5が
起立され、略鉛直にされて前記基板保持板3にクランプ
された基板が前記マスク回転枠6に重ねられる際、その
基板の無効領域である周辺部分は前記マスク回転枠6で
遮蔽され、一方、基板表面の成膜領域は前記窓部16で
露出されるようにされている。また、前記カソード電極
33に略鉛直に設けられた図示しないスパッタリングタ
ーゲット(例えばITO材)に対し、前記略鉛直にされた
基板は、直ちに所定間隔で平行に対向するようにされて
いる。
なマルチチャンバー型の成膜装置41に複数設けられて
おり、更に、該成膜装置41には、基板の搬出入を行う
L/UL室441、442と、基板の脱ガスを行う予備加熱室
43も設けられており、各室は、基板搬送ロボット31
が配置された基板搬送室45を中心としてその周囲に配
置されている。
た各室との間には開閉可能な仕切板が設けられており、
中心の前記基板搬送室45とその周囲の各室とは、それ
ぞれが独立に高真空状態を維持できるように構成されて
いる。
ガラス基板(例えば550×650mm2)であり、前記L
/UL室441、442と大気雰囲気との間に設けられた仕
切板を開け、未処理のガラス基板が満載されたカセット
を前記L/UL室441、442のどちらかに装着し、仕切板
を閉じた後真空排気し、前記基板搬送ロボット31を動
作させてそのハンド32の先端を前記カセットに挿入
し、前記L/UL室441、442に設けられたカセット昇降
機構を動作させ、前記カセットから前記ハンド32上に
基板を1枚だけ移す。
室442から前記ハンド32を抜き出し、前記予備加熱
室43に基板を搬入する。所定時間が経過し、前記予備
加熱室43での加熱・脱ガス処理が終了すると、その基
板を前記ハンド32で取り出し、前記成膜室42の正面
まで運ぶ。図3はその状態を示している。前記ハンド3
2上には加熱・脱ガスが終了した未成膜基板51が乗せ
られている。ここでは、前記成膜室42内の成膜作業は
終了しており、図3に鉛直状態で示された前記保持板回
転枠5内には所定膜厚の薄膜が成膜された成膜終了基板
52がクランプされているものとする。
段階であり、引き続き行われる前記未成膜基板51と前
記成膜終了基板52との交換作業を、図4(a)〜図6
(n)を用いて説明する。この図4(a)〜図6(n)では、
見やすいように前記未成膜基板51と前記成膜終了基板
52以外の符号を省略してある。
成膜室42と前記基板搬送室45との間の仕切板を開け
ると共に前記基板クランプ機構4によって成膜終了基板
52をクランプしながら前記基板保持板3を転倒させ、
前記成膜終了基板52を水平にする(図4(a):転倒動
作)。
降板12を上昇させると前記各支持棒8は前記孔13に
挿通される。このとき、前記各支持棒8先端の前記爪部
9を前記基板保持板3の縁に沿った方向に向けておけば
前記各爪部9は前記基板保持板3上に置かれた前記成膜
終了基板52には当たることはなく、前記各爪部9を前
記成膜終了基板52よりも高い位置まで上昇させること
ができる(同図(b):フックアップ動作(1))。
24を動作させ、前記各爪部9を前記基板保持板3の内
側に向けると前記各爪部9は前記基板保持板3上に位置
される(同図(b):フックイン動作)。
前記成膜室42内に入れ、その先端に乗せられた前記未
成膜基板51を前記各爪部9上まで移動させ(同図
(d):ハンドイン動作(1))、前記各支持棒8を更に持
ち上げると、前記ハンド32の先端に乗せられていた前
記未成膜基板51は前記各爪部9上に移しかえられる
(図5(e):フックアップ動作(2))。すると、前記ハン
ド32は空の状態となるので、そのハンド32を前記基
板保持板3上から抜き出す(同図(f):ハンドアウト動
作(1))。
ピン7を持ち上げると、前記各ピン7先端の爪部10に
前記成膜終了基板52が乗せられる(同図(g):ピンア
ップ動作)。このとき、前記成膜終了基板52を、前記
ハンド32の高さよりも高くなるまで持ち上げておき、
前記空のハンド32を前記成膜終了基板52の下に挿入
する(同図(h):ハンドイン動作(2))。
了基板52は前記爪部10上から前記ハンド32上に移
しかえられる(同図(i):ピンダウン動作)。前記ハンド
32を前記成膜室42外へ抜き出すと(同図(j):ハン
ドアウト動作(2))、前記成膜室42から前記成膜終了
基板52を搬出することができる。
けたままで収納できるように、前記基板保持板3に達す
る切り欠きが設けられているので、前記各支持棒8を下
げ、前記孔13の切り欠きに内側に向けたままの前記爪
部9を収納すると、前記爪部9上にあった前記未成膜基
板51は前記基板保持板3に移しかえられる(図6
(k):フックダウン動作)。
ま前記基板保持板3の縁に沿った方向に向け(同図
(l):フックアウト動作)、その後前記基板昇降板12
を下げると前記各支持棒8と前記各ピン7とが前記孔1
3、15から抜き出される(同図(m):分離動作)。
前記基板保持板3上に置かれた前記未成膜基板51をク
ランプしながら起立させ(同図(n):起立動作)、前記成
膜室42と前記基板搬送室45との間の仕切板を閉じた
状態にしてスパッタリングガスを導入し、前記カソード
電極33に電圧を印加すると前記ターゲットのスパッタ
リングが開始され、前記起立された未成膜基板51への
薄膜の成膜が行われる。
板51は前記基板クランプ機構4によって前記基板保持
板3に密着されており、また、前記基板保持板3はサン
ドイッチ構造に形成され、その中間の層がヒーターで構
成されているので、前記ターゲットのスパッタリングの
際、前記ヒーターに通電し、前記未成膜基板51を加熱
しながら薄膜を成長させると、基板にそりや歪みを生じ
ることなく、結晶性のよい薄膜を得ることができた。
膜終了基板52は、前記基板搬送室45と前記L/UL室4
41、又は前記L/UL室442との間の仕切板が開けられた
後、その中に装着されたカセットの空いているところに
納められる。そして、空になったハンド32先端には、
前記カセット昇降機構によって未処理の基板が乗せら
れ、その未処理の基板は前記予備加熱室43で加熱・脱
ガス処理が終了した未成膜基板と交換され、未成膜基板
として前記ハンド32上に乗せられて、まもなく成膜が
終了する成膜室42の前面で図3のように待機され、前
記成膜室42において、引き続き図4(a)から図6(n)
の一連の交換作業が行われる。このような一連の基板交
換動作は、成膜すべき基板がなくなるまで繰り返され
る。
と、通常では垂直に配置されている前記マスク回転枠1
6を水平にすることができ、水平にされた前記マスク回
転枠16を前記各支持棒8で持ち上げて前記ハンド32
上に乗せると、前記L/UL室441、442に移送すること
ができ、それによって前記マスク回転枠16を大気中に
取り出すことができる。また、それとは逆に、新しいマ
スク回転枠16を前記基板搬送ロボット31によって前
記L/UL室室441、442から前記成膜室42内に搬入
し、前記各支持棒8上に乗せた場合には、前記支持腕3
6に装着できるようにされている。従って、この基板保
持装置2では、前記成膜室42の高真空状態を維持した
まま、表面にターゲット材が付着したマスク回転枠を新
しいマスク回転枠と交換することができる。
流体でシールされて前記成膜室42の外部に取り出され
ており、前記成膜室42の高真空状態を維持しながら回
転できるようにされている。その両端部分に設けられた
カバー38を取れば、前記基板保持板3にヒーターを入
れたり、その温度を測定するための熱電対を挿入できる
ように構成されている。
スパッタリングを行うので、ターゲットやその周囲で発
生したダストが基板上に落下することがなく、また、基
板保持板で保持しながら大面積基板を加熱するので、基
板にそりや歪みを生じさせずに結晶性のよい薄膜を成長
させることができる。
基板との交換を行う結果、基板搬送ロボットに無駄な動
作がなくなり、基板の交換時間が短縮でき、全体の処理
時間も短くすることが可能となる。
構上に置いて交換するので、基板交換の際にも基板が擦
られることがなく、ダストが発生しない。なお、上記実
施の形態は、支持棒8を4本、ピンを8本設けたが、本
数はそれに限定されるものではなく、基板を安定に支持
できる本数であればよい。
板にそりや歪みを生じさせずに結晶性のよい薄膜を成膜
することができる。基板交換が効率的に行えるので、処
理時間が短縮する。装置が大型化しないのでコストアッ
プすることはない。
を示す図
を示す図
換準備段階にある状態を示す図
めの図 (a):転倒動作 (b):フックアップ動作 (c):
フックイン動作 (d):ハンドイン動作
図 (e):フックアップ動作 (f):ハンドアウト動作
(g):ピンアップ動作 (h):ハンドイン動作 (i):ピンダウン動作
(j):ハンドアウト動作
図 (k):フックダウン動作 (l):フックアウト動作
(m):分離動作 (n):起立動作
の一例を示す図
保持装置を説明するための図
板クランプ機構 7……ピン 8……支持棒 9、10……爪部 31……基板搬送ロボット 32……ハンド 42
……成膜室
Claims (6)
- 【請求項1】 成膜室内にほぼ鉛直に配置されたターゲ
ットに基板を平行に対向させて保持し、前記ターゲット
をスパッタリングして前記基板表面に薄膜を成膜するス
パッタリング方法であって、 基板搬送ロボットのハンド上に乗せられて水平に搬入さ
れた基板を、水平に配置された基板保持板上に乗せ、前
記基板保持板に設けられた基板クランプ機構によって前
記基板をクランプして前記基板保持板と密着させ、前記
基板保持板と共に前記基板を起立させることを特徴とす
るスパッタリング方法。 - 【請求項2】 前記基板保持板に設けられたヒーターに
よって前記基板を加熱しながら薄膜の成膜を行うことを
特徴とする請求項1記載のスパッタリング方法。 - 【請求項3】 成膜室内にほぼ鉛直に配置されたターゲ
ットをスパッタリングして基板表面に薄膜を成膜するス
パッタリング方法に用いられる基板保持装置であって、 基板搬送ロボットのハンド上に乗せられて水平に搬入さ
れた基板を水平に乗せる基板保持板と、前記基板保持板
上に乗せられた基板をクランプする基板クランプ機構
と、前記基板保持板を起立させる回転機構とを有するこ
とを特徴とする基板保持装置。 - 【請求項4】 前記基板保持板が起立された時に、前記
クランプされた基板が前記ターゲットに平行に対向する
ように構成されたことを特徴とする請求項3記載の基板
保持装置。 - 【請求項5】 前記ハンド上に乗せられた基板が前記
基板保持板上に位置するときに、その基板を持ち上げて
上下移動させる第1の基板仮置機構と、 前記基板保持板上に乗せられた基板を持ち上げて上下移
動させる第2の基板仮置機構とを有し、 前記ハンド上の基板と前記基板保持板上の基板とを前記
第1、第2の基板仮置機構上に仮に置いて交換できるよ
うに構成されたことを特徴とする請求項3又は請求項4
のいずれか1項記載の基板保持装置。 - 【請求項6】 前記基板保持板は基板を加熱できるヒー
ターを有することを特徴とする請求項3乃至請求項5記
載のいずれか1項記載の基板保持装置。
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