JPH0954228A - 光受信モジュール - Google Patents
光受信モジュールInfo
- Publication number
- JPH0954228A JPH0954228A JP20859895A JP20859895A JPH0954228A JP H0954228 A JPH0954228 A JP H0954228A JP 20859895 A JP20859895 A JP 20859895A JP 20859895 A JP20859895 A JP 20859895A JP H0954228 A JPH0954228 A JP H0954228A
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- Japan
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- optical fiber
- groove
- optical
- light receiving
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の光受信モジュールでは、半導体受光素
子の下に光ファイバの先端が入り込むので、光ファイバ
の実装時に先端の位置が確認できなかった。 【解決手段】 光ファイバ3を固定するためにSi基板
2に形成されるV溝4を形状の異なる2つの部分から構
成し、V溝4の幅の広い部分は光ファイバ3の固定部9
とし、V溝4の形状の異なる境界部分を光ファイバ3先
端の固定面11とするとともに、この固定面11の位置
が半導体受光素子5の下に入り込まない位置とし、かつ
固定部9の深さを光ファイバ3の全体がV溝4に入り込
まない深さとする。
子の下に光ファイバの先端が入り込むので、光ファイバ
の実装時に先端の位置が確認できなかった。 【解決手段】 光ファイバ3を固定するためにSi基板
2に形成されるV溝4を形状の異なる2つの部分から構
成し、V溝4の幅の広い部分は光ファイバ3の固定部9
とし、V溝4の形状の異なる境界部分を光ファイバ3先
端の固定面11とするとともに、この固定面11の位置
が半導体受光素子5の下に入り込まない位置とし、かつ
固定部9の深さを光ファイバ3の全体がV溝4に入り込
まない深さとする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速光通信用の平
面実装光受信モジュールの構造に関するものである。
面実装光受信モジュールの構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の光受信モジュー
ルの技術としては、「AT&T“131−Type w
ith Integrated Pre−Amp”」の
技術資料に開示されるものがある。図3は上記文献に開
示された従来の光受信モジュールの構成例を示す説明図
で、図3(a)は分解斜視図、図3(b)は受光部分の
側断面図、図3(c)は光ファイバを固定する部分の正
面断面図である。
ルの技術としては、「AT&T“131−Type w
ith Integrated Pre−Amp”」の
技術資料に開示されるものがある。図3は上記文献に開
示された従来の光受信モジュールの構成例を示す説明図
で、図3(a)は分解斜視図、図3(b)は受光部分の
側断面図、図3(c)は光ファイバを固定する部分の正
面断面図である。
【0003】図において、51は光受信モジュールで、
この光受信モジュール51は半導体受光素子52、光フ
ァイバ53を搭載するV溝54が形成されたSi基板5
5、このSi基板55と前置増幅器56を収納するパッ
ケージ57および電気信号を出力する出力端子と前記半
導体受光素子52と前置増幅器56に電源を供給する電
源供給端子とを備えた端子58より構成される。
この光受信モジュール51は半導体受光素子52、光フ
ァイバ53を搭載するV溝54が形成されたSi基板5
5、このSi基板55と前置増幅器56を収納するパッ
ケージ57および電気信号を出力する出力端子と前記半
導体受光素子52と前置増幅器56に電源を供給する電
源供給端子とを備えた端子58より構成される。
【0004】前記V溝54は、図3(c)に示すように
前記光ファイバ53全体が入り込む深さがあり、このV
溝の先端の斜面に光ファイバ53の先端を付き当てて位
置決めが行えるようになっている。また、この斜面を反
射面として、光ファイバ53から放射した光を反射し、
その光をSi基板55上に実装した半導体受光素子52
に入光するようになっている。ここで、光ファイバ53
の先端から半導体受光素子52までの距離を短くするた
め、該光ファイバ53の先端は半導体受光素子52の下
に入り込む位置で固定される。
前記光ファイバ53全体が入り込む深さがあり、このV
溝の先端の斜面に光ファイバ53の先端を付き当てて位
置決めが行えるようになっている。また、この斜面を反
射面として、光ファイバ53から放射した光を反射し、
その光をSi基板55上に実装した半導体受光素子52
に入光するようになっている。ここで、光ファイバ53
の先端から半導体受光素子52までの距離を短くするた
め、該光ファイバ53の先端は半導体受光素子52の下
に入り込む位置で固定される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の光受信モジュールでは、光ファイバの先端が半
導体受光素子の下に入り込む構造のため、半導体受光素
子をSi基板に実装した後に光ファイバを実装しようと
すると、光ファイバの先端の位置を確認できないため、
光ファイバの先端で半導体受光素子を破損したり、光フ
ァイバの先端を破損したりするという問題がある。
た従来の光受信モジュールでは、光ファイバの先端が半
導体受光素子の下に入り込む構造のため、半導体受光素
子をSi基板に実装した後に光ファイバを実装しようと
すると、光ファイバの先端の位置を確認できないため、
光ファイバの先端で半導体受光素子を破損したり、光フ
ァイバの先端を破損したりするという問題がある。
【0006】また、光ファイバの先端の位置が確認でき
ないので、正規の位置に光ファイバが固定されず、結合
効率が低下するという問題がある。さらに、光ファイバ
を先に実装すると、半導体受光素子実装時に加えられる
熱で光ファイバの固定の信頼性が劣化するという問題が
ある。
ないので、正規の位置に光ファイバが固定されず、結合
効率が低下するという問題がある。さらに、光ファイバ
を先に実装すると、半導体受光素子実装時に加えられる
熱で光ファイバの固定の信頼性が劣化するという問題が
ある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明は、基板に形成されたV溝に光ファイバを
固定し、V溝の先端に反射面を形成して光ファイバの光
軸を変換し、前記基板に実装される半導体受光素子に光
を入力する光受信モジュールにおいて、前記V溝を形状
の異なる2つの部分から構成し、形状の異なる境界部分
に前記光ファイバ先端の固定面を形成し、V溝のこの固
定面より先端側の部分に光ファイバの光軸を変換する反
射面を設けたもので、前記固定面の位置が半導体受光素
子の下に入り込まない位置とし、かつ、前記V溝の光フ
ァイバの固定される部分の深さは、光ファイバ全体がV
溝に入り込まない深さとしたものである。
ため、本発明は、基板に形成されたV溝に光ファイバを
固定し、V溝の先端に反射面を形成して光ファイバの光
軸を変換し、前記基板に実装される半導体受光素子に光
を入力する光受信モジュールにおいて、前記V溝を形状
の異なる2つの部分から構成し、形状の異なる境界部分
に前記光ファイバ先端の固定面を形成し、V溝のこの固
定面より先端側の部分に光ファイバの光軸を変換する反
射面を設けたもので、前記固定面の位置が半導体受光素
子の下に入り込まない位置とし、かつ、前記V溝の光フ
ァイバの固定される部分の深さは、光ファイバ全体がV
溝に入り込まない深さとしたものである。
【0008】
【発明の実施の形態】図1は本発明の光受信モジュール
の第1の発明の形態を示す説明図で、図1(a)は分解
斜視図、図1(c)は受光部分の側断面図である。図に
おいて、1は光受信モジュールで、光受信モジュール1
は以下に示す構成よりなる。
の第1の発明の形態を示す説明図で、図1(a)は分解
斜視図、図1(c)は受光部分の側断面図である。図に
おいて、1は光受信モジュールで、光受信モジュール1
は以下に示す構成よりなる。
【0009】2はSi基板で、このSi基板2には光フ
ァイバ3を固定するためのV溝4が設けられている。5
は半導体受光素子で、裏面には光の入射面が設けられ、
この入射面が前記V溝4上の所定の位置ににくるように
前記Si基板2上に実装される。6は前置増幅器で、こ
の前置増幅器6と前記Si基板2はパッケージ7に収納
される。このパッケージ7には、電気信号を出力する出
力端子と前記半導体受光素子5と前置増幅器6に電源を
供給する電源供給端子とよりなる端子8が備えられてい
る。
ァイバ3を固定するためのV溝4が設けられている。5
は半導体受光素子で、裏面には光の入射面が設けられ、
この入射面が前記V溝4上の所定の位置ににくるように
前記Si基板2上に実装される。6は前置増幅器で、こ
の前置増幅器6と前記Si基板2はパッケージ7に収納
される。このパッケージ7には、電気信号を出力する出
力端子と前記半導体受光素子5と前置増幅器6に電源を
供給する電源供給端子とよりなる端子8が備えられてい
る。
【0010】次に、前記V溝4の形状について説明す
る。図2はV溝の第1の実施の形態を示す説明図で、図
2(a)は平面図、図2(b)は側断面図、図2(c)
は正面断面図である。図2に示すように、V溝4は幅お
よび深さの異なる2つの部分から構成される。
る。図2はV溝の第1の実施の形態を示す説明図で、図
2(a)は平面図、図2(b)は側断面図、図2(c)
は正面断面図である。図2に示すように、V溝4は幅お
よび深さの異なる2つの部分から構成される。
【0011】すなわち、V溝4の幅が広く深さの深い部
分は光ファイバ3の固定部9となり、V溝4のこの固定
部9より先端側は幅を狭く深さを浅くした光軸変換部1
0となり、固定部9と光軸変換部10との境界部分に光
ファイバ3の先端の位置を決める固定面11が形成され
る。この固定面11の位置は、半導体受光素子5の下に
入り込まない位置とする。
分は光ファイバ3の固定部9となり、V溝4のこの固定
部9より先端側は幅を狭く深さを浅くした光軸変換部1
0となり、固定部9と光軸変換部10との境界部分に光
ファイバ3の先端の位置を決める固定面11が形成され
る。この固定面11の位置は、半導体受光素子5の下に
入り込まない位置とする。
【0012】ここで、V溝4の固定部9の幅は、光ファ
イバ3全体がV溝4の中に入り込む深さでなく、光ファ
イバ3のコア3aまでがV溝4に入り込む深さとなるよ
うな幅としている。例えば、光ファイバ3がコア径10
μm、クラッド径125μmのシングルモード光ファイ
バの場合、V溝4の固定部9の幅を180μmとする
と、光ファイバ3がV溝4に入り込む深さは81μmと
なって、光ファイバ3全体がV溝4に入り込まない。
イバ3全体がV溝4の中に入り込む深さでなく、光ファ
イバ3のコア3aまでがV溝4に入り込む深さとなるよ
うな幅としている。例えば、光ファイバ3がコア径10
μm、クラッド径125μmのシングルモード光ファイ
バの場合、V溝4の固定部9の幅を180μmとする
と、光ファイバ3がV溝4に入り込む深さは81μmと
なって、光ファイバ3全体がV溝4に入り込まない。
【0013】また、光軸変換部10の幅は、前記固定部
9の半分程度とすることで、光軸変換部10と固定部9
の境界の斜面に光ファイバ3が突き当たり、これにより
光ファイバ3の固定面11が形成できるとともに、光フ
ァイバ3から放射される光は光軸変換部10を通過する
ことができる。そして、光軸変換部10の先端には斜面
を形成し、この斜面を反射面12として、光ファイバ3
から放射される光の光軸をSi基板2の表面方向に変換
する。前記半導体受光素子5は、その裏面に設けられた
図示しない光の入射面がV溝4の反射面12の上にくる
ようにSi基板2に実装される。
9の半分程度とすることで、光軸変換部10と固定部9
の境界の斜面に光ファイバ3が突き当たり、これにより
光ファイバ3の固定面11が形成できるとともに、光フ
ァイバ3から放射される光は光軸変換部10を通過する
ことができる。そして、光軸変換部10の先端には斜面
を形成し、この斜面を反射面12として、光ファイバ3
から放射される光の光軸をSi基板2の表面方向に変換
する。前記半導体受光素子5は、その裏面に設けられた
図示しない光の入射面がV溝4の反射面12の上にくる
ようにSi基板2に実装される。
【0014】以下に、上述した第1の実施の形態の光受
信モジュールの動作を説明する。光ファイバ3の端面か
ら放射される光はV溝4の先端に設けられた反射面12
で反射し、その光をSi基板2のV溝4の光軸変換部1
0上に設けた半導体受光素子5で受光する。そして、半
導体受光素子5にて光電変換を行って光信号を電気信号
に変換し、この電気信号を前置増幅器6で増幅して、端
子8から出力する。
信モジュールの動作を説明する。光ファイバ3の端面か
ら放射される光はV溝4の先端に設けられた反射面12
で反射し、その光をSi基板2のV溝4の光軸変換部1
0上に設けた半導体受光素子5で受光する。そして、半
導体受光素子5にて光電変換を行って光信号を電気信号
に変換し、この電気信号を前置増幅器6で増幅して、端
子8から出力する。
【0015】以上の構成によると、光ファイバ3はV溝
4の固定部9で固定され、さらに光ファイバ3の先端は
V溝4の固定部9と光軸変換部10の境界部分に形成し
た固定面11に付き当てて固定されるので、無調整で光
ファイバ3と半導体受光素子5との結合ができる。ま
た、レンズを用いずV溝4の先端の斜面を反射面12と
して光軸変換する平面実装とし、光ファイバ3の端面か
ら放射した光を前記反射面12で反射し、その光をV溝
4が設けられているSi基板2上の半導体受光素子5で
受光する構造であるため、光受信モジュールは小型で薄
型にすることができる。
4の固定部9で固定され、さらに光ファイバ3の先端は
V溝4の固定部9と光軸変換部10の境界部分に形成し
た固定面11に付き当てて固定されるので、無調整で光
ファイバ3と半導体受光素子5との結合ができる。ま
た、レンズを用いずV溝4の先端の斜面を反射面12と
して光軸変換する平面実装とし、光ファイバ3の端面か
ら放射した光を前記反射面12で反射し、その光をV溝
4が設けられているSi基板2上の半導体受光素子5で
受光する構造であるため、光受信モジュールは小型で薄
型にすることができる。
【0016】ここで、本発明第1の実施の形態の光受信
モジュールにおいては、光ファイバ3の全体がV溝4に
入り込まないように該V溝4の固定部9の幅を決めてお
り、このとき、光ファイバ3のコア3a全体が半導体受
光素子5の底面の入射表面よりも低い位置にあって、光
ファイバ3からの放射パターンが反射面12に当たるよ
うにすればよいので、反射面12から半導体受光素子5
の入射面までの距離が短くなり、このため、光ファイバ
3の先端を半導体受光素子5の下に入り込ませない位置
まで後退させても光ファイバ3の先端から半導体受光素
子5の入射面までの距離が延びることはなく、光ファイ
バ3がコア径10μm、クラッド径125μmのシング
ルモードの光ファイバの場合、光ファイバ3の端面から
半導体受光素子5の入射面までの距離は140〜170
μmとなり、この距離は、光ファイバの先端を半導体受
光素子5の下に入り込ませていた従来のものと変わらな
い。
モジュールにおいては、光ファイバ3の全体がV溝4に
入り込まないように該V溝4の固定部9の幅を決めてお
り、このとき、光ファイバ3のコア3a全体が半導体受
光素子5の底面の入射表面よりも低い位置にあって、光
ファイバ3からの放射パターンが反射面12に当たるよ
うにすればよいので、反射面12から半導体受光素子5
の入射面までの距離が短くなり、このため、光ファイバ
3の先端を半導体受光素子5の下に入り込ませない位置
まで後退させても光ファイバ3の先端から半導体受光素
子5の入射面までの距離が延びることはなく、光ファイ
バ3がコア径10μm、クラッド径125μmのシング
ルモードの光ファイバの場合、光ファイバ3の端面から
半導体受光素子5の入射面までの距離は140〜170
μmとなり、この距離は、光ファイバの先端を半導体受
光素子5の下に入り込ませていた従来のものと変わらな
い。
【0017】また、光ファイバ3の先端を半導体受光素
子5の下に入り込ませずに露出した位置で固定するの
で、組み立てが容易となる。すなわち、半導体受光素子
5をSi基板2に実装した後、光ファイバ3の先端の位
置を確認して該光ファイバを固定するため、光ファイバ
3の先端で半導体受光素子5を破損したり、正規の位置
に光ファイバ3が固定されず結合効率が低下するという
ことはない。さらに、光ファイバ3の先端の位置を確認
してから該光ファイバ3を固定するので、組み立て精度
が向上し、組み立て許容範囲が向上する。
子5の下に入り込ませずに露出した位置で固定するの
で、組み立てが容易となる。すなわち、半導体受光素子
5をSi基板2に実装した後、光ファイバ3の先端の位
置を確認して該光ファイバを固定するため、光ファイバ
3の先端で半導体受光素子5を破損したり、正規の位置
に光ファイバ3が固定されず結合効率が低下するという
ことはない。さらに、光ファイバ3の先端の位置を確認
してから該光ファイバ3を固定するので、組み立て精度
が向上し、組み立て許容範囲が向上する。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、光ファ
イバを固定するために基板に形成されるV溝を形状の異
なる2つの部分から構成し、形状の異なる境界部分に前
記光ファイバ先端の固定面を形成し、V溝のこの固定面
より先端側の部分に光ファイバの光軸を変換する反射面
を設けるとともに、前記固定面の位置が半導体受光素子
の下に入り込まない位置としたので、半導体受光素子を
基板に実装した後、光ファイバの先端の位置を確認して
該光ファイバを固定することができるため、光ファイバ
の先端で半導体受光素子を破損したり、正規の位置に光
ファイバが固定されず結合効率が低下するということは
ない。さらに、光ファイバの先端の位置を確認してから
該光ファイバを固定するので、組み立て精度が向上し、
組み立て許容範囲が向上して、これにより、組み立て工
数、組み立て歩留りの向上が期待できる。
イバを固定するために基板に形成されるV溝を形状の異
なる2つの部分から構成し、形状の異なる境界部分に前
記光ファイバ先端の固定面を形成し、V溝のこの固定面
より先端側の部分に光ファイバの光軸を変換する反射面
を設けるとともに、前記固定面の位置が半導体受光素子
の下に入り込まない位置としたので、半導体受光素子を
基板に実装した後、光ファイバの先端の位置を確認して
該光ファイバを固定することができるため、光ファイバ
の先端で半導体受光素子を破損したり、正規の位置に光
ファイバが固定されず結合効率が低下するということは
ない。さらに、光ファイバの先端の位置を確認してから
該光ファイバを固定するので、組み立て精度が向上し、
組み立て許容範囲が向上して、これにより、組み立て工
数、組み立て歩留りの向上が期待できる。
【0019】また、V溝の深さを光ファイバ全体が入り
込まない深さとしたので、V溝先端の反射面から半導体
受光素子までの距離を短くでき、これにより、光ファイ
バの先端を半導体受光素子の下に入り込ませない位置ま
で後退させても、光ファイバの端面から半導体受光素子
までの距離は短くでき、結合効率が低下することはな
い。
込まない深さとしたので、V溝先端の反射面から半導体
受光素子までの距離を短くでき、これにより、光ファイ
バの先端を半導体受光素子の下に入り込ませない位置ま
で後退させても、光ファイバの端面から半導体受光素子
までの距離は短くでき、結合効率が低下することはな
い。
【図1】本発明の光受信モジュールの第1の発明の形態
を示す説明図
を示す説明図
【図2】V溝の第1の実施の形態を示す説明図
【図3】従来の光受信モジュールの説明図
1 光受信モジュール 2 Si基板 3 光ファイバ 4 V溝 5 半導体受光素子 9 固定部 10 光軸変換部 11 固定面 12 反射面
Claims (2)
- 【請求項1】 基板に形成されたV溝に光ファイバを固
定し、V溝の先端に反射面を形成して光ファイバの光軸
を変換し、前記基板に実装される半導体受光素子に光を
入力する光受信モジュールにおいて、 前記V溝を形状の異なる2つの部分から構成し、形状の
異なる境界部分に前記光ファイバ先端の固定面を形成
し、V溝のこの固定面より先端側の部分に光ファイバの
光軸を変換する反射面を設けるとともに、前記固定面の
位置が半導体受光素子の下に入り込まない位置とするこ
とを特徴とする光受信モジュール。 - 【請求項2】 請求項1記載の光受信モジュールにおい
て、 前記V溝の光ファイバの固定される部分の深さは、光フ
ァイバ全体がV溝に入り込まない深さとすることを特徴
とする光受信モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20859895A JPH0954228A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 光受信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20859895A JPH0954228A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 光受信モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0954228A true JPH0954228A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16558863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20859895A Pending JPH0954228A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 光受信モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0954228A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0987769A2 (en) * | 1998-09-18 | 2000-03-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode module |
US6333392B1 (en) | 1998-11-12 | 2001-12-25 | Sumitomo Bakelite And Co. Ltd. | Thermosetting amic acid microfine particles, thermosetting imide microfine particles, crosslinked imide microfine particles, and processes for their production |
US6335418B1 (en) | 1999-02-26 | 2002-01-01 | Osaka Prefectural Government | Functional polyamic acid microfine particles, functional polyimide microfine particles, and processes for their production |
EP1180705A2 (en) * | 2000-08-18 | 2002-02-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light receiving module |
US6360041B1 (en) | 1999-03-30 | 2002-03-19 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Optical demultiplexer and method of assembling optical demultiplexer in optical axis alignment |
WO2002065172A3 (en) * | 2001-02-10 | 2003-04-24 | Bookham Technology Plc | Alignment of an optical component |
JP2003177287A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信モジュール |
US6824313B2 (en) | 2002-02-07 | 2004-11-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical receiver module |
WO2011105078A1 (ja) | 2010-02-23 | 2011-09-01 | パナソニック電工株式会社 | 光モジュール |
CN102890317A (zh) * | 2011-07-21 | 2013-01-23 | 西铁城控股株式会社 | 光模块 |
CN103401136A (zh) * | 2013-07-29 | 2013-11-20 | 武汉锐科光纤激光器技术有限责任公司 | 一种大功率半导体激光器耦合的光纤固定装置 |
CN103620893A (zh) * | 2011-06-22 | 2014-03-05 | 松下电器产业株式会社 | 光模块 |
-
1995
- 1995-08-16 JP JP20859895A patent/JPH0954228A/ja active Pending
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0987769A2 (en) * | 1998-09-18 | 2000-03-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode module |
EP0987769A3 (en) * | 1998-09-18 | 2001-03-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode module |
US6257772B1 (en) | 1998-09-18 | 2001-07-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode module |
US6333392B1 (en) | 1998-11-12 | 2001-12-25 | Sumitomo Bakelite And Co. Ltd. | Thermosetting amic acid microfine particles, thermosetting imide microfine particles, crosslinked imide microfine particles, and processes for their production |
US6335418B1 (en) | 1999-02-26 | 2002-01-01 | Osaka Prefectural Government | Functional polyamic acid microfine particles, functional polyimide microfine particles, and processes for their production |
US6360041B1 (en) | 1999-03-30 | 2002-03-19 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Optical demultiplexer and method of assembling optical demultiplexer in optical axis alignment |
EP1180705A2 (en) * | 2000-08-18 | 2002-02-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light receiving module |
JP2002064212A (ja) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信モジュール |
EP1180705A3 (en) * | 2000-08-18 | 2004-04-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light receiving module |
WO2002065172A3 (en) * | 2001-02-10 | 2003-04-24 | Bookham Technology Plc | Alignment of an optical component |
JP2003177287A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光受信モジュール |
US6824313B2 (en) | 2002-02-07 | 2004-11-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical receiver module |
WO2011105078A1 (ja) | 2010-02-23 | 2011-09-01 | パナソニック電工株式会社 | 光モジュール |
CN102834754A (zh) * | 2010-02-23 | 2012-12-19 | 松下电器产业株式会社 | 光模块 |
US8768122B2 (en) | 2010-02-23 | 2014-07-01 | Panasonic Corporation | Optical module |
JP5690324B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2015-03-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光モジュール |
CN102834754B (zh) * | 2010-02-23 | 2015-11-25 | 松下知识产权经营株式会社 | 光模块 |
CN103620893A (zh) * | 2011-06-22 | 2014-03-05 | 松下电器产业株式会社 | 光模块 |
US20140119690A1 (en) * | 2011-06-22 | 2014-05-01 | Panasonic Corporation | Optical module |
US9046668B2 (en) | 2011-06-22 | 2015-06-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Optical module |
TWI491944B (zh) * | 2011-06-22 | 2015-07-11 | Panasonic Corp | Light module |
CN102890317A (zh) * | 2011-07-21 | 2013-01-23 | 西铁城控股株式会社 | 光模块 |
US8920047B2 (en) | 2011-07-21 | 2014-12-30 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Optical module |
CN102890317B (zh) * | 2011-07-21 | 2015-04-22 | 西铁城控股株式会社 | 光模块 |
CN103401136A (zh) * | 2013-07-29 | 2013-11-20 | 武汉锐科光纤激光器技术有限责任公司 | 一种大功率半导体激光器耦合的光纤固定装置 |
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