JP3429329B2 - プリズム結合装置 - Google Patents
プリズム結合装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光集積回路、
光情報処理回路等に用いるプリズム結合装置に関する。
光情報処理回路等に用いるプリズム結合装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、導波路に光ビームを結合させる方
法としては、端面結合法、グレーティング結合法、ホロ
グラム結合法、テーパ結合法、プリズム結合法等があ
る。この中でも特に、近年、プリズム結合法は注目され
てきており、基板に形成された導波路層上にプリズムを
圧着するだけで容易に結合させることができ、これによ
り高い結合効率を得ることができる。しかし、このよう
なプリズム結合法は、プリズムと導波路層との間隔を一
定に保つ必要があり、機械的な振動やショックにより光
結合効率が変化するという欠点がある。そこで、このよ
うな問題点を解決した従来におけるプリズム結合装置の
例として、光導波路層上に屈折率の低い低屈折率ギャッ
プ層を積層し、この低屈折率ギャップ層上に前記光導波
路層よりも高い屈折率をもつプリズムをこのプリズムと
同程度の屈折率をもつ高屈折率接着剤により接着するよ
うな構造としたものがある。これにより、ギャップ層は
厚みが一定に保たれるようになり、機械的振動やショッ
クなどの外乱の影響を受けずに、光結合効率を常に一定
に保つことができる。また、その他のプリズム結合装置
の例として、プリズム結合部でのギャップ層の厚みをそ
の周囲でのギャップ層の厚みよりも薄くなるように、エ
ッチングにより所定の厚みまでエッチングして最適な厚
みに形成したものがあり、これにより高結合効率を得る
ことができる。さらに、プリズム結合部でのギャップ層
を、第１ギャップ層とその上側の第２ギャップ層との２
つの層を用いて形成し、第２ギャップ層を一部除去する
ことにより容易に高結合効率を与える最適な厚みを得る
ことができる。
法としては、端面結合法、グレーティング結合法、ホロ
グラム結合法、テーパ結合法、プリズム結合法等があ
る。この中でも特に、近年、プリズム結合法は注目され
てきており、基板に形成された導波路層上にプリズムを
圧着するだけで容易に結合させることができ、これによ
り高い結合効率を得ることができる。しかし、このよう
なプリズム結合法は、プリズムと導波路層との間隔を一
定に保つ必要があり、機械的な振動やショックにより光
結合効率が変化するという欠点がある。そこで、このよ
うな問題点を解決した従来におけるプリズム結合装置の
例として、光導波路層上に屈折率の低い低屈折率ギャッ
プ層を積層し、この低屈折率ギャップ層上に前記光導波
路層よりも高い屈折率をもつプリズムをこのプリズムと
同程度の屈折率をもつ高屈折率接着剤により接着するよ
うな構造としたものがある。これにより、ギャップ層は
厚みが一定に保たれるようになり、機械的振動やショッ
クなどの外乱の影響を受けずに、光結合効率を常に一定
に保つことができる。また、その他のプリズム結合装置
の例として、プリズム結合部でのギャップ層の厚みをそ
の周囲でのギャップ層の厚みよりも薄くなるように、エ
ッチングにより所定の厚みまでエッチングして最適な厚
みに形成したものがあり、これにより高結合効率を得る
ことができる。さらに、プリズム結合部でのギャップ層
を、第１ギャップ層とその上側の第２ギャップ層との２
つの層を用いて形成し、第２ギャップ層を一部除去する
ことにより容易に高結合効率を与える最適な厚みを得る
ことができる。
【０００３】ここで、プリズム結合装置の具体例を図１
２に基づいて説明する。Ｓｉ基板１上にはＳｉＯ2 から
なるバッファ層２（屈折率ｎ＝１．４６、厚さｄ＝１．
００μｍ）が積層され、このバッファ層２上にはＳｉＯ
Ｎからなるクラッド層３（ｎ＝１．７０，１．００μ
ｍ）が積層され、このクラッド層３の上部にはＳｉＯ2
からなる第１ギャップ層４（ｎ＝１．４６、ｄ＝０．２
８μｍ）が積層され、この第１ギャップ層４上にはＳｉ
Ｏ2 からなる第２ギャップ層５ａ，５ｂ（ｎ＝１．４
６、ｄ＝０．５０μｍ）が積層され、この第２ギャップ
層５ａ，５ｂ上には高屈折率光硬化性接着剤６（ｎ＝
１．６３）を介して、高屈折率ガラスプリズム７（ｎ＝
１．６３、フリントガラス）が設けられている。この場
合、Ｓｉ基板１から第２ギャップ層５ａ，５ｂまでで導
波路を形成している。バッファ層２は、熱酸化（Ｓｉ基
板と隣接するときのみ）、スパッタ、ＯＣＤ（ＳｉＯ2
系の塗布膜）等を用いて作製され、クラッド層３はプラ
ズマＣＶＤにより作製される。
２に基づいて説明する。Ｓｉ基板１上にはＳｉＯ2 から
なるバッファ層２（屈折率ｎ＝１．４６、厚さｄ＝１．
００μｍ）が積層され、このバッファ層２上にはＳｉＯ
Ｎからなるクラッド層３（ｎ＝１．７０，１．００μ
ｍ）が積層され、このクラッド層３の上部にはＳｉＯ2
からなる第１ギャップ層４（ｎ＝１．４６、ｄ＝０．２
８μｍ）が積層され、この第１ギャップ層４上にはＳｉ
Ｏ2 からなる第２ギャップ層５ａ，５ｂ（ｎ＝１．４
６、ｄ＝０．５０μｍ）が積層され、この第２ギャップ
層５ａ，５ｂ上には高屈折率光硬化性接着剤６（ｎ＝
１．６３）を介して、高屈折率ガラスプリズム７（ｎ＝
１．６３、フリントガラス）が設けられている。この場
合、Ｓｉ基板１から第２ギャップ層５ａ，５ｂまでで導
波路を形成している。バッファ層２は、熱酸化（Ｓｉ基
板と隣接するときのみ）、スパッタ、ＯＣＤ（ＳｉＯ2
系の塗布膜）等を用いて作製され、クラッド層３はプラ
ズマＣＶＤにより作製される。
【０００４】このような構成において、図示しない半導
体レーザ（ＬＤ）からの光ビーム８はその光強度分布が
ガウス分布９に近似され、このような光ビーム８は高屈
折率ガラスプリズム７の底面部でかつ導波路層の上面に
位置する照射領域１０に入射し、その光の一部が導波路
に結合し、導波光Ａとなって導波路内を右方向に進行し
ていく。この場合、照射領域１０に相当する部分をエッ
チング又はマスキングにより除去してあり、これにより
入射して入力結合した光ビーム８が導波路から出力結合
して外部に出射するのを防止している。また、光ビーム
８の強度分布はガウス分布なので、ビーム半径として光
強度がピーク強度の１／ｅ以上になる部分を照射領域１
０として図示しているが、実際にはその照射領域１０以
外の周辺領域でもビームが照射されている。
体レーザ（ＬＤ）からの光ビーム８はその光強度分布が
ガウス分布９に近似され、このような光ビーム８は高屈
折率ガラスプリズム７の底面部でかつ導波路層の上面に
位置する照射領域１０に入射し、その光の一部が導波路
に結合し、導波光Ａとなって導波路内を右方向に進行し
ていく。この場合、照射領域１０に相当する部分をエッ
チング又はマスキングにより除去してあり、これにより
入射して入力結合した光ビーム８が導波路から出力結合
して外部に出射するのを防止している。また、光ビーム
８の強度分布はガウス分布なので、ビーム半径として光
強度がピーク強度の１／ｅ以上になる部分を照射領域１
０として図示しているが、実際にはその照射領域１０以
外の周辺領域でもビームが照射されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】プリズム結合装置にＬ
Ｄからのコリメートされた光ビームを入射させ導波光を
励起する場合を考慮すると、使用以前にＬＤとコリメー
トレンズとからなる部分（ＬＤ部分）と、プリズムとこ
れに接着された導波路をもつ基板とからなる部分（プリ
ズム−基板部分）との位置関係を正確に調整する必要が
ある。しかし、図１２に示すようなプリズム結合装置に
おいては、基板の表面上に照射される光ビーム８の入射
位置を検出する機構がないため、ＬＤ部分と基板−プリ
ズム部分との間の組立て調整が難しい。このため、高機
能な組立て装置を用いて高精度な組立てが必要となり、
しかも、短時間で高精度に組立てなければならず困難を
極めることになる。
Ｄからのコリメートされた光ビームを入射させ導波光を
励起する場合を考慮すると、使用以前にＬＤとコリメー
トレンズとからなる部分（ＬＤ部分）と、プリズムとこ
れに接着された導波路をもつ基板とからなる部分（プリ
ズム−基板部分）との位置関係を正確に調整する必要が
ある。しかし、図１２に示すようなプリズム結合装置に
おいては、基板の表面上に照射される光ビーム８の入射
位置を検出する機構がないため、ＬＤ部分と基板−プリ
ズム部分との間の組立て調整が難しい。このため、高機
能な組立て装置を用いて高精度な組立てが必要となり、
しかも、短時間で高精度に組立てなければならず困難を
極めることになる。
【０００６】また、最適な高結合効率を得るためには、
入射させる光ビームをプリズムによって決まる最適な入
射角度と入射位置を正確に調整することが必要である。
しかし、装置の設計にもよるが、入射角度は一般に５分
以内の高精度が必要であり、入射位置は光ビーム半径に
もよるが光ディスク用のコリメートされたＬＤの光ビー
ムであれば０．２ｍｍ以内の高精度が必要となりその製
造が難しい。
入射させる光ビームをプリズムによって決まる最適な入
射角度と入射位置を正確に調整することが必要である。
しかし、装置の設計にもよるが、入射角度は一般に５分
以内の高精度が必要であり、入射位置は光ビーム半径に
もよるが光ディスク用のコリメートされたＬＤの光ビー
ムであれば０．２ｍｍ以内の高精度が必要となりその製
造が難しい。
【０００７】さらに、使用中にも機械的な振動等により
調整した位置からも微小に位置ずれが生じ、光結合効率
が変化することがあるが、使用中の位置ずれの許容値も
小さいため、ＬＤ部分とプリズム−基板部分とを一体化
するハウジングが高精度でかつ強度も必要になるため、
小型化軽量化することが難しい。
調整した位置からも微小に位置ずれが生じ、光結合効率
が変化することがあるが、使用中の位置ずれの許容値も
小さいため、ＬＤ部分とプリズム−基板部分とを一体化
するハウジングが高精度でかつ強度も必要になるため、
小型化軽量化することが難しい。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明で
は、導波路の形成された基板上に光結合プリズムを載置
し、この光結合プリズムに外部から光ビームを入射させ
ることにより前記導波路内に前記光ビームを導き光結合
させるプリズム結合装置において、前記導波路内におけ
る前記光ビームの照射領域近傍にビーム入射位置検出用
の複数の受光素子を設け、これらの受光素子により検出
された複数の出力信号を比較することにより前記光ビー
ムの前記基板への入射位置を求める手段を設けた。
は、導波路の形成された基板上に光結合プリズムを載置
し、この光結合プリズムに外部から光ビームを入射させ
ることにより前記導波路内に前記光ビームを導き光結合
させるプリズム結合装置において、前記導波路内におけ
る前記光ビームの照射領域近傍にビーム入射位置検出用
の複数の受光素子を設け、これらの受光素子により検出
された複数の出力信号を比較することにより前記光ビー
ムの前記基板への入射位置を求める手段を設けた。
【０００９】請求項２記載の発明では、請求項１記載の
プリズム結合装置において、前記導波路内における前記
光ビームの照射領域にビーム入射強度検出用の受光素子
を少なくとも１つ設け、前記ビーム入射位置検出用の受
光素子により検出された複数の出力信号を比較すること
により求めた前記光ビームの前記基板への入射位置情報
をもとにして前記ビーム入射強度検出用の受光素子の出
力信号を補正し前記光ビームの前記基板への入射強度を
求める手段を設けた。
プリズム結合装置において、前記導波路内における前記
光ビームの照射領域にビーム入射強度検出用の受光素子
を少なくとも１つ設け、前記ビーム入射位置検出用の受
光素子により検出された複数の出力信号を比較すること
により求めた前記光ビームの前記基板への入射位置情報
をもとにして前記ビーム入射強度検出用の受光素子の出
力信号を補正し前記光ビームの前記基板への入射強度を
求める手段を設けた。
【００１０】請求項３記載の発明では、請求項１記載の
プリズム結合装置において、前記導波路内に導かれた前
記光ビームにより励起された導波光の光強度を検出する
導波光強度検出用の受光素子を少なくとも１つ設け、前
記ビーム入射位置検出用の受光素子により検出された複
数の出力信号を比較することにより求めた前記光ビーム
の前記基板への入射位置情報をもとにして前記導波光強
度検出用の受光素子の出力信号を補正し前記光ビームの
前記基板への入射強度を求める手段を設けた。
プリズム結合装置において、前記導波路内に導かれた前
記光ビームにより励起された導波光の光強度を検出する
導波光強度検出用の受光素子を少なくとも１つ設け、前
記ビーム入射位置検出用の受光素子により検出された複
数の出力信号を比較することにより求めた前記光ビーム
の前記基板への入射位置情報をもとにして前記導波光強
度検出用の受光素子の出力信号を補正し前記光ビームの
前記基板への入射強度を求める手段を設けた。
【００１１】請求項４記載の発明では、導波路の形成さ
れた基板上に光結合プリズムを載置し、この光結合プリ
ズムに外部から光ビームを入射させることにより前記導
波路内に前記光ビームを導き光結合させるプリズム結合
装置において、前記導波路内における前記光ビームの照
射領域にビーム入射強度検出用の受光素子を少なくとも
１つ設け、前記導波路内に導かれた前記光ビームにより
励起された導波光の光強度を検出する導波光強度検出用
の受光素子を少なくとも１つ設け、前記ビーム入射強度
検出用の受光素子により検出された出力信号によるビー
ム入射強度と前記導波光強度検出用の受光素子により検
出された出力信号による前記導波光強度との比の変化を
もとにして前記光ビームの前記導波路への光結合効率の
変化を求める手段を設けた。
れた基板上に光結合プリズムを載置し、この光結合プリ
ズムに外部から光ビームを入射させることにより前記導
波路内に前記光ビームを導き光結合させるプリズム結合
装置において、前記導波路内における前記光ビームの照
射領域にビーム入射強度検出用の受光素子を少なくとも
１つ設け、前記導波路内に導かれた前記光ビームにより
励起された導波光の光強度を検出する導波光強度検出用
の受光素子を少なくとも１つ設け、前記ビーム入射強度
検出用の受光素子により検出された出力信号によるビー
ム入射強度と前記導波光強度検出用の受光素子により検
出された出力信号による前記導波光強度との比の変化を
もとにして前記光ビームの前記導波路への光結合効率の
変化を求める手段を設けた。
【００１２】請求項５記載の発明では、導波路の形成さ
れた基板上に光結合プリズムを載置し、この光結合プリ
ズムに外部から光ビームを入射させることにより前記導
波路内に前記光ビームを導き光結合させるプリズム結合
装置において、前記導波路内における前記光ビームの照
射領域近傍にビーム入射位置検出用の複数の受光素子を
設け、前記導波路内における前記光ビームの照射領域に
ビーム入射強度検出用の受光素子を少なくとも１つ設
け、前記導波路内に導かれた前記光ビームにより励起さ
れた導波光の光強度を検出する導波光強度検出用の受光
素子を少なくとも１つ設け、前記ビーム入射位置検出用
の受光素子により検出された複数の出力信号を比較する
ことにより求めた前記光ビームの前記基板への入射位置
情報をもとにして前記ビーム入射強度検出用の受光素子
の出力信号を補正して求めたビーム入射強度と前記導波
光強度検出用の受光素子により検出された出力信号によ
る前記導波光強度との比の変化をもとにして前記光ビー
ムの前記導波路への光結合効率の変化を求める手段を設
けた。
れた基板上に光結合プリズムを載置し、この光結合プリ
ズムに外部から光ビームを入射させることにより前記導
波路内に前記光ビームを導き光結合させるプリズム結合
装置において、前記導波路内における前記光ビームの照
射領域近傍にビーム入射位置検出用の複数の受光素子を
設け、前記導波路内における前記光ビームの照射領域に
ビーム入射強度検出用の受光素子を少なくとも１つ設
け、前記導波路内に導かれた前記光ビームにより励起さ
れた導波光の光強度を検出する導波光強度検出用の受光
素子を少なくとも１つ設け、前記ビーム入射位置検出用
の受光素子により検出された複数の出力信号を比較する
ことにより求めた前記光ビームの前記基板への入射位置
情報をもとにして前記ビーム入射強度検出用の受光素子
の出力信号を補正して求めたビーム入射強度と前記導波
光強度検出用の受光素子により検出された出力信号によ
る前記導波光強度との比の変化をもとにして前記光ビー
ムの前記導波路への光結合効率の変化を求める手段を設
けた。
【００１３】
【作用】請求項１記載の発明では、ビーム入射位置検出
用の受光素子からの入射位置情報を情報検知しているた
め、プリズム結合部での光ビームの入射位置を知りその
位置調整を行うことが可能となる。
用の受光素子からの入射位置情報を情報検知しているた
め、プリズム結合部での光ビームの入射位置を知りその
位置調整を行うことが可能となる。
【００１４】請求項２記載の発明では、ビーム入射位置
検出用の受光素子からの入射位置情 報をもとに光ビーム
の入射強度情報を補正することができ、これによりプリ
ズム結合部での入射位置が変化しても高精度に入射強度
を知りその強度の調整を行うことが可能となる。
検出用の受光素子からの入射位置情 報をもとに光ビーム
の入射強度情報を補正することができ、これによりプリ
ズム結合部での入射位置が変化しても高精度に入射強度
を知りその強度の調整を行うことが可能となる。
【００１５】請求項３記載の発明では、導波光強度検出
用の受光素子からの導波光情報とビーム入射位置検出用
の受光素子からの入射位置情報とをもとに光ビームの入
射強度を補正することができ、これによりプリズム結合
部での光ビームの入射強度を知りその強度の調整を行う
ことが可能となる。
用の受光素子からの導波光情報とビーム入射位置検出用
の受光素子からの入射位置情報とをもとに光ビームの入
射強度を補正することができ、これによりプリズム結合
部での光ビームの入射強度を知りその強度の調整を行う
ことが可能となる。
【００１６】請求項４記載の発明では、ビーム入射強度
検出用の受光素子からの入射強度情報と導波光強度検出
用の受光素子からの導波光情報とをもとに光ビームの光
結合効率の変化を求めることができる。
検出用の受光素子からの入射強度情報と導波光強度検出
用の受光素子からの導波光情報とをもとに光ビームの光
結合効率の変化を求めることができる。
【００１７】請求項５記載の発明では、ビーム入射強度
検出用の受光素子からの補正された入射強度情報と導波
光強度検出用の受光素子からの導波光情報とをもとに光
ビームの光結合効率の変化を求めることができる。
検出用の受光素子からの補正された入射強度情報と導波
光強度検出用の受光素子からの導波光情報とをもとに光
ビームの光結合効率の変化を求めることができる。
【００１８】
【実施例】請求項１記載の発明の一実施例を図１〜図５
に基づいて説明する。なお、従来例（図１２参照）と同
一部分についての説明は省略し、その同一部分について
は同一符号を用いる。
に基づいて説明する。なお、従来例（図１２参照）と同
一部分についての説明は省略し、その同一部分について
は同一符号を用いる。
【００１９】図１はプリズム結合装置の一例を示すもの
である。本装置には、Ｓｉ基板１と、このＳｉ基板１上
に形成されたＳｉＯ2 からなるバッファ層２と、このバ
ッファ層２上に形成されたＳｉＯＮからなるコア層（従
来例のクラッド層と同一）３と、このコア層３上に形成
されたＳｉＯＮからなる第１ギャップ層４と、この第１
ギャップ層４上に形成されたＳｉＯＮからなる第２ギャ
ップ層５ａ，５ｂとからなる光導波路が設けられてい
る。この光導波路の第２ギャップ層５ａ，５ｂにはコン
タクトホールが形成され、このコンタクトホールには高
屈折率光硬化性接着剤６が充填されており、この高屈折
率光硬化性接着剤６を用いて前記導波路上には光結合プ
リズムとしての高屈折率ガラスプリズム７（以下、プリ
ズム７と呼ぶ）が接着されている。
である。本装置には、Ｓｉ基板１と、このＳｉ基板１上
に形成されたＳｉＯ2 からなるバッファ層２と、このバ
ッファ層２上に形成されたＳｉＯＮからなるコア層（従
来例のクラッド層と同一）３と、このコア層３上に形成
されたＳｉＯＮからなる第１ギャップ層４と、この第１
ギャップ層４上に形成されたＳｉＯＮからなる第２ギャ
ップ層５ａ，５ｂとからなる光導波路が設けられてい
る。この光導波路の第２ギャップ層５ａ，５ｂにはコン
タクトホールが形成され、このコンタクトホールには高
屈折率光硬化性接着剤６が充填されており、この高屈折
率光硬化性接着剤６を用いて前記導波路上には光結合プ
リズムとしての高屈折率ガラスプリズム７（以下、プリ
ズム７と呼ぶ）が接着されている。
【００２０】このようなプリズム結合装置において、こ
こでは、図１（ｂ）に示すように、導波路の基板上にビ
ーム入射位置検出素子としての受光素子１１ａ，１１
ｂ，１１ｃを３つ設け、また、これら受光素子１１ａ，
１１ｂ，１１ｃにより検出された出力信号から光ビーム
８の基板への入射位置を求めるビーム入射位置検知手段
としての位置情報検知部１２を設けたものである。この
場合、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、ＰＩＮフォ
トダイオードからなっている。位置情報検知部１２は、
導波光Ａの強度、偏光成分、波形等を検出したり、その
導波光Ａを変調したりする。
こでは、図１（ｂ）に示すように、導波路の基板上にビ
ーム入射位置検出素子としての受光素子１１ａ，１１
ｂ，１１ｃを３つ設け、また、これら受光素子１１ａ，
１１ｂ，１１ｃにより検出された出力信号から光ビーム
８の基板への入射位置を求めるビーム入射位置検知手段
としての位置情報検知部１２を設けたものである。この
場合、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、ＰＩＮフォ
トダイオードからなっている。位置情報検知部１２は、
導波光Ａの強度、偏光成分、波形等を検出したり、その
導波光Ａを変調したりする。
【００２１】図２は、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ
の領域の断面形状を示したものである。Ｓｉ基板１は、
ｎ＋層１ａと、ｉ層１ｂと、ｐ＋層１ｃとからなってお
り、裏面側には電極１３が形成されている。ｐ＋層１ｃ
はその上部でバッファ層２とオーミック接触され、一部
に形成されたコンタクトホールを介してＡｌからなるコ
ンタクト電極１４と接続されている。この場合、光ビー
ム８の受光部となるＳｉＯ２ からなるバッファ層２の
ｐ＋層は、５００Åの厚さだけ形成されている。この場
合、図１（ｂ）に示される受光素子１１ａ，１１ｂ，１
１ｃの位置を導波光Ａの導波部分に設けると、その設け
た位置から先の導波部分は分断させるため、図１に示し
たように受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃを導波光Ａの
進行方向と反対方向の側に設けるようにする。実際の光
ビーム８が図３に示すようなガウス分布９であれば、１
／ｅで決まるビーム半径よりも外側の領域Ｐにおいても
小さいながらも受光することは可能である。従来の多く
の導波路においては、その導波路に結合するときに結合
効率１００％でないことから光強度が低下し、このため
強度の大きいビーム径の範囲内の光ビーム８を利用する
が、本実施例における受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ
では、光ビーム８を直接受光しているため、ビーム半径
の外側領域を用いても十分な感度と精度を得ることがで
きる。また、領域Ｑのように領域Ｐと同じ長さであれ
ば、中心軸に近いほど受光する光ビーム８の強度が大き
くなり、検出感度が向上するため、必要に応じてビーム
半径の内側の領域に受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃを
設けるようにしてもよい。
の領域の断面形状を示したものである。Ｓｉ基板１は、
ｎ＋層１ａと、ｉ層１ｂと、ｐ＋層１ｃとからなってお
り、裏面側には電極１３が形成されている。ｐ＋層１ｃ
はその上部でバッファ層２とオーミック接触され、一部
に形成されたコンタクトホールを介してＡｌからなるコ
ンタクト電極１４と接続されている。この場合、光ビー
ム８の受光部となるＳｉＯ２ からなるバッファ層２の
ｐ＋層は、５００Åの厚さだけ形成されている。この場
合、図１（ｂ）に示される受光素子１１ａ，１１ｂ，１
１ｃの位置を導波光Ａの導波部分に設けると、その設け
た位置から先の導波部分は分断させるため、図１に示し
たように受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃを導波光Ａの
進行方向と反対方向の側に設けるようにする。実際の光
ビーム８が図３に示すようなガウス分布９であれば、１
／ｅで決まるビーム半径よりも外側の領域Ｐにおいても
小さいながらも受光することは可能である。従来の多く
の導波路においては、その導波路に結合するときに結合
効率１００％でないことから光強度が低下し、このため
強度の大きいビーム径の範囲内の光ビーム８を利用する
が、本実施例における受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ
では、光ビーム８を直接受光しているため、ビーム半径
の外側領域を用いても十分な感度と精度を得ることがで
きる。また、領域Ｑのように領域Ｐと同じ長さであれ
ば、中心軸に近いほど受光する光ビーム８の強度が大き
くなり、検出感度が向上するため、必要に応じてビーム
半径の内側の領域に受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃを
設けるようにしてもよい。
【００２２】特に、図１においては、導波光Ａの進行方
向と反対方向の照射部分の光ビーム８は、第２ギャップ
層５ａ，５ｂとの距離が大きいため、その第２ギャップ
層５ａ，５ｂの硬化による導波路への光結合効率が比較
的低く、照射領域１０の中では比較的導波光Ａの光強度
に影響しないため、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃを
照射領域１０の内側に設けるようにしてもよい。すなわ
ち、受光素子１１ｂを、照射領域１０の少し内側の領域
に設けてもビーム半径の領域の光ビーム８を結合させる
導波光Ａの強度はあまり低下することはない。
向と反対方向の照射部分の光ビーム８は、第２ギャップ
層５ａ，５ｂとの距離が大きいため、その第２ギャップ
層５ａ，５ｂの硬化による導波路への光結合効率が比較
的低く、照射領域１０の中では比較的導波光Ａの光強度
に影響しないため、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃを
照射領域１０の内側に設けるようにしてもよい。すなわ
ち、受光素子１１ｂを、照射領域１０の少し内側の領域
に設けてもビーム半径の領域の光ビーム８を結合させる
導波光Ａの強度はあまり低下することはない。
【００２３】図４は、ガウス分布９の光ビーム８を図示
したものである。縦軸は相対強度であり、横軸は中心軸
から半径方向の相対距離である。ガウス分布９のいわゆ
るガウスビーム波Ｉ（ｒ）は、 Ｉ（ｒ）＝Ｉ（０）ｅｘｐ〔−ｒ2／ｗｏ2〕 …（１） で示される。ｗｏはスポットサイズ（ここでは、ビーム
半径）と呼ばれ、光ビーム８の強度が中心の１／ｅにな
る。これはｒ1，ｒ2の点で示され、斜線部が図１の照射
領域１０に相当する。
したものである。縦軸は相対強度であり、横軸は中心軸
から半径方向の相対距離である。ガウス分布９のいわゆ
るガウスビーム波Ｉ（ｒ）は、 Ｉ（ｒ）＝Ｉ（０）ｅｘｐ〔−ｒ2／ｗｏ2〕 …（１） で示される。ｗｏはスポットサイズ（ここでは、ビーム
半径）と呼ばれ、光ビーム８の強度が中心の１／ｅにな
る。これはｒ1，ｒ2の点で示され、斜線部が図１の照射
領域１０に相当する。
【００２４】このような構成において、受光素子１１
ａ，１１ｂ，１１ｃによって光ビーム８の照射領域１０
を検知する原理について説明する。図４及び図５は、光
ビーム８の照射位置を変化させた場合におけるプリズム
７の底面との位置関係及び受光素子１１ａ，１１ｂ，１
１ｃの出力値を示したものである。図１，２に示すよう
に、光ビーム８は左側から進行して導波路と結合し、こ
れにより得られた導波光Ａは右側に進行していく。この
時、光ビーム８の入射強度は一定である。まず、光ビー
ム８は、図４（ａ）に示すように望ましい位置に照射さ
れているものとすると、この時の受光素子１１ａ，１１
ｂ，１１ｃの値は、図５（ａ）に示すように受光された
光ビーム８による出力値がどれも同じ値になるように、
照射位置や増幅値が予め調整されている。受光素子１１
ａ，１１ｂ，１１ｃは、便宜上、どれもビーム半径に相
当する照射領域１０の領域内にあるものとし、１１ａ，
１１ｃは光ビーム８の中心軸より少し左側に寄せてあ
る。受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃの出力された値
は、図５（ａ）の出力値１５ａ，１５ｂ，１５ｃにそれ
ぞれ対応する。次に、図４（ｂ）は、照射領域１０が左
側（導波光Ａの進行方向Ｙとは逆方向）にシフトした場
合の様子を示すものである。図５（ｂ）に示すように、
出力値１５ｂは大きく増加し、出力値１５ａ，１５ｃは
わずかに増加する。その出力値１５ｂが増加するのは、
照射領域１０が左側にシフトした場合でしかなく、これ
により、照射領域１０のシフトを容易に検知することが
できる。次に、図４（ｃ）は、照射領域１０が右側（導
波光Ａの進行方向Ｙ）にシフトした場合の様子を示すも
のである。この場合、図５（ｃ）に示すように、出力値
１５ｂは大きく減少し、出力値１５ａ，１５ｃはわずか
に減少する。次に、図４（ｄ）では、照射領域１０が上
側（Ｘ方向）にシフトした場合である。この時、図５
（ｄ）に示すように、出力値１５ａは大きく減少し、出
力値１５ｂはわずかに減少し、出力値１５ｃは大きく増
加する。シフト量が小さい時には、ガウス分布９の性質
から、出力値１５ｂの減少値よりも出力値１５ｃの増加
値の方が大きくなる。
ａ，１１ｂ，１１ｃによって光ビーム８の照射領域１０
を検知する原理について説明する。図４及び図５は、光
ビーム８の照射位置を変化させた場合におけるプリズム
７の底面との位置関係及び受光素子１１ａ，１１ｂ，１
１ｃの出力値を示したものである。図１，２に示すよう
に、光ビーム８は左側から進行して導波路と結合し、こ
れにより得られた導波光Ａは右側に進行していく。この
時、光ビーム８の入射強度は一定である。まず、光ビー
ム８は、図４（ａ）に示すように望ましい位置に照射さ
れているものとすると、この時の受光素子１１ａ，１１
ｂ，１１ｃの値は、図５（ａ）に示すように受光された
光ビーム８による出力値がどれも同じ値になるように、
照射位置や増幅値が予め調整されている。受光素子１１
ａ，１１ｂ，１１ｃは、便宜上、どれもビーム半径に相
当する照射領域１０の領域内にあるものとし、１１ａ，
１１ｃは光ビーム８の中心軸より少し左側に寄せてあ
る。受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃの出力された値
は、図５（ａ）の出力値１５ａ，１５ｂ，１５ｃにそれ
ぞれ対応する。次に、図４（ｂ）は、照射領域１０が左
側（導波光Ａの進行方向Ｙとは逆方向）にシフトした場
合の様子を示すものである。図５（ｂ）に示すように、
出力値１５ｂは大きく増加し、出力値１５ａ，１５ｃは
わずかに増加する。その出力値１５ｂが増加するのは、
照射領域１０が左側にシフトした場合でしかなく、これ
により、照射領域１０のシフトを容易に検知することが
できる。次に、図４（ｃ）は、照射領域１０が右側（導
波光Ａの進行方向Ｙ）にシフトした場合の様子を示すも
のである。この場合、図５（ｃ）に示すように、出力値
１５ｂは大きく減少し、出力値１５ａ，１５ｃはわずか
に減少する。次に、図４（ｄ）では、照射領域１０が上
側（Ｘ方向）にシフトした場合である。この時、図５
（ｄ）に示すように、出力値１５ａは大きく減少し、出
力値１５ｂはわずかに減少し、出力値１５ｃは大きく増
加する。シフト量が小さい時には、ガウス分布９の性質
から、出力値１５ｂの減少値よりも出力値１５ｃの増加
値の方が大きくなる。
【００２５】この場合、図４（ｃ）、（ｄ）共に出力値
１５ｂは減少するが、図４（ｃ）の場合には出力値１５
ａ，１５ｃの値が同一なので、左方向へのシフトとして
検知することができる。また、図４（ｄ）の場合には、
出力値１１ａと出力値１１ｃとの値が異なるため、出力
値の大きい受光素子の方へシフトしていると判断でき、
この出力値１５ａと出力値１５ｃの他に、出力値１５ｂ
をもとにして上方向へのシフト量を検知することができ
る。
１５ｂは減少するが、図４（ｃ）の場合には出力値１５
ａ，１５ｃの値が同一なので、左方向へのシフトとして
検知することができる。また、図４（ｄ）の場合には、
出力値１１ａと出力値１１ｃとの値が異なるため、出力
値の大きい受光素子の方へシフトしていると判断でき、
この出力値１５ａと出力値１５ｃの他に、出力値１５ｂ
をもとにして上方向へのシフト量を検知することができ
る。
【００２６】上述したように、受光素子１１ａ，１１
ｂ，１１ｃからの入射位置情報を情報検知しているた
め、プリズム７での光ビーム８の入射位置を知りその位
置調整を行うことができる。なお、このような方法は、
光ビーム８の入射強度を一定としたが、入射強度が変化
した場合にも、出力値１５ａ，１５ｂ，１５ｃの大きさ
を相対比較することにより、精度は少し低下するものの
光ビーム８の入射位置を検知することができる。受光素
子１１ａ，１１ｂ，１１ｃの数をさらに設けて、４つ又
は５つとすることにより、さらに高精度な位置検出をす
ることができる。また、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１
ｃの数を減少して、２つでも２方向の位置検出は可能で
あるし、１つでも１方向の位置検出は可能である。さら
に、動的に変化する場合は、その変化の仕方を学習する
ことにより、より高精度に素早く入射位置を検知するこ
とができる。光ビーム８の入射位置を検知することによ
り、ＬＤ部分と基板−プリズム部分との組付けを容易に
したり、使用中の動的な入射位置の変化を検知すること
ができる。
ｂ，１１ｃからの入射位置情報を情報検知しているた
め、プリズム７での光ビーム８の入射位置を知りその位
置調整を行うことができる。なお、このような方法は、
光ビーム８の入射強度を一定としたが、入射強度が変化
した場合にも、出力値１５ａ，１５ｂ，１５ｃの大きさ
を相対比較することにより、精度は少し低下するものの
光ビーム８の入射位置を検知することができる。受光素
子１１ａ，１１ｂ，１１ｃの数をさらに設けて、４つ又
は５つとすることにより、さらに高精度な位置検出をす
ることができる。また、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１
ｃの数を減少して、２つでも２方向の位置検出は可能で
あるし、１つでも１方向の位置検出は可能である。さら
に、動的に変化する場合は、その変化の仕方を学習する
ことにより、より高精度に素早く入射位置を検知するこ
とができる。光ビーム８の入射位置を検知することによ
り、ＬＤ部分と基板−プリズム部分との組付けを容易に
したり、使用中の動的な入射位置の変化を検知すること
ができる。
【００２７】次に、請求項２記載の発明の前提となる構
成例を図６に基づいて説明する。なお、請求項１記載の
発明と同一部分についての説明は省略し、その同一部分
については同一符号を用いる。
成例を図６に基づいて説明する。なお、請求項１記載の
発明と同一部分についての説明は省略し、その同一部分
については同一符号を用いる。
【００２８】ここでは、図６に示すように、導波路の基
板上にビーム入射強度検出素子としての受光素子１６を
設け、この受光素子１６により検出された出力信号から
光ビーム８の基板への入射強度を求めるビーム入射強度
検知手段としての強度情報検知部１７を設けたものであ
る。この場合、受光素子１６の構造は、前述した図２と
同様である。
板上にビーム入射強度検出素子としての受光素子１６を
設け、この受光素子１６により検出された出力信号から
光ビーム８の基板への入射強度を求めるビーム入射強度
検知手段としての強度情報検知部１７を設けたものであ
る。この場合、受光素子１６の構造は、前述した図２と
同様である。
【００２９】このような構成において、光ビーム８の受
光素子１６に検出された入射強度情報を強度情報検知部
１７に送り情報検知することによって、プリズム結合部
での光ビーム８の入射強度を知ることができ、これによ
り光ビーム８の光強度の調整を行うことができる。
光素子１６に検出された入射強度情報を強度情報検知部
１７に送り情報検知することによって、プリズム結合部
での光ビーム８の入射強度を知ることができ、これによ
り光ビーム８の光強度の調整を行うことができる。
【００３０】なお、光ビーム８の入射位置がほとんど変
化しない場合には、上述したように受光素子１６が１個
でも十分に高精度で光ビーム８の入射光強度を検出する
ことができるが、入射位置が変化する場合にも、受光素
子１６を複数個設け、これにより検出された値を強度情
報検知部１７により検知することによって、精度を一段
と高めることができる。例えば、上下（Ｘ方向）対称に
受光素子１６を設け、この出力値の和を入射強度とすれ
ば、上下の入射位置の移動に対しての入射強度の誤差を
小さくすることができる。また、光ビーム８の入射強度
を特定の値にすることにより、組付けを容易にしたり、
ＬＤ光の放出パワーのバラツキにより光ビームの入射強
度の変動をモニタすることができる。
化しない場合には、上述したように受光素子１６が１個
でも十分に高精度で光ビーム８の入射光強度を検出する
ことができるが、入射位置が変化する場合にも、受光素
子１６を複数個設け、これにより検出された値を強度情
報検知部１７により検知することによって、精度を一段
と高めることができる。例えば、上下（Ｘ方向）対称に
受光素子１６を設け、この出力値の和を入射強度とすれ
ば、上下の入射位置の移動に対しての入射強度の誤差を
小さくすることができる。また、光ビーム８の入射強度
を特定の値にすることにより、組付けを容易にしたり、
ＬＤ光の放出パワーのバラツキにより光ビームの入射強
度の変動をモニタすることができる。
【００３１】次に、請求項２記載の発明の一実施例を図
７及び図８に基づいて説明する。なお、請求項１記載の
発明及び請求項２記載の発明の前提となる構成例と同一
部分についての説明は省略し、その同一部分については
同一符号を用いる。
７及び図８に基づいて説明する。なお、請求項１記載の
発明及び請求項２記載の発明の前提となる構成例と同一
部分についての説明は省略し、その同一部分については
同一符号を用いる。
【００３２】ここでは、導波路基板上にビーム入射位置
検出素子としての受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃを３
個設け、それら受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃにより
検出された出力信号から光ビーム８の基板への入射強度
を求めるビーム入射強度検知手段としての強度情報検知
部１８を設けたものである。また、その基板上には、ビ
ーム入射強度検出素子としての受光素子１６も設けられ
ている。これら受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１６
は、いずれもＰＩＮフォトダイオード（図２参照）から
構成されている。
検出素子としての受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃを３
個設け、それら受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃにより
検出された出力信号から光ビーム８の基板への入射強度
を求めるビーム入射強度検知手段としての強度情報検知
部１８を設けたものである。また、その基板上には、ビ
ーム入射強度検出素子としての受光素子１６も設けられ
ている。これら受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１６
は、いずれもＰＩＮフォトダイオード（図２参照）から
構成されている。
【００３３】このような構成において、受光素子１１
ａ，１１ｂ，１１ｃによって光ビーム８の照射領域１０
の入射位置と入射強度とを検知する原理を図８に基づい
て述べる。図８（ａ）は、光ビーム８の照射領域１０が
適切な位置に照射されているときの様子を示すものであ
る。この時、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃでは、受
光された出力値がどれも同じ値になるように、その位置
や増幅値が予め調整されているものとする。受光素子１
１ａ，１１ｂ，１１ｃは、便宜上、どれもビーム半径に
相当する照射領域１０にあるものとし、受光素子１１
ａ，１１ｃは光ビーム８の中心軸より少し左側に寄せて
あるものとする。また、受光素子１６は、受光素子１１
ｂよりも中心軸に近い部分に設けてあり、より大きな出
力値が得られるようにしている。
ａ，１１ｂ，１１ｃによって光ビーム８の照射領域１０
の入射位置と入射強度とを検知する原理を図８に基づい
て述べる。図８（ａ）は、光ビーム８の照射領域１０が
適切な位置に照射されているときの様子を示すものであ
る。この時、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃでは、受
光された出力値がどれも同じ値になるように、その位置
や増幅値が予め調整されているものとする。受光素子１
１ａ，１１ｂ，１１ｃは、便宜上、どれもビーム半径に
相当する照射領域１０にあるものとし、受光素子１１
ａ，１１ｃは光ビーム８の中心軸より少し左側に寄せて
あるものとする。また、受光素子１６は、受光素子１１
ｂよりも中心軸に近い部分に設けてあり、より大きな出
力値が得られるようにしている。
【００３４】今、光ビーム８の照射領域１０がこの図８
（ａ）のビームが動かない状態の位置にある時の受光素
子１６の出力値を基準にして、強度情報検知部１８によ
り算出することによって、入射強度の値を求めることが
できる。そして、図８（ｂ）に示すように、照射領域１
０が左側（Ｙ方向に対して逆方向）にシフトした場合を
考える。この時、入射ビーム強度は変化しないにもかか
わらず、受光素子１６は中心軸から離れた位置の光ビー
ム８を受光するため、その出力値は減少する。しかし、
入射位置検出用の受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃから
の出力情報を用いて強度情報検知部１８により、光ビー
ム８の入射位置が分かる。従って、光ビーム８の中心軸
の位置を算出し、さらに強度情報検知部１８によりその
中心軸の位置と受光素子１６との位置関係から決定され
る量を補正係数として受光素子１６の出力値に掛けるこ
とにより、入射位置が変化しても光ビーム８の入射強度
を求めることができる。
（ａ）のビームが動かない状態の位置にある時の受光素
子１６の出力値を基準にして、強度情報検知部１８によ
り算出することによって、入射強度の値を求めることが
できる。そして、図８（ｂ）に示すように、照射領域１
０が左側（Ｙ方向に対して逆方向）にシフトした場合を
考える。この時、入射ビーム強度は変化しないにもかか
わらず、受光素子１６は中心軸から離れた位置の光ビー
ム８を受光するため、その出力値は減少する。しかし、
入射位置検出用の受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃから
の出力情報を用いて強度情報検知部１８により、光ビー
ム８の入射位置が分かる。従って、光ビーム８の中心軸
の位置を算出し、さらに強度情報検知部１８によりその
中心軸の位置と受光素子１６との位置関係から決定され
る量を補正係数として受光素子１６の出力値に掛けるこ
とにより、入射位置が変化しても光ビーム８の入射強度
を求めることができる。
【００３５】上述したように、受光素子１１ａ，１１
ｂ，１１ｃにより検出された入射位置情報をもとにして
光ビーム８の入射強度情報を補正することにより、プリ
ズム結合部での入射位置が変化しても高精度に入射強度
を求めその強度の調整を行うことができる。
ｂ，１１ｃにより検出された入射位置情報をもとにして
光ビーム８の入射強度情報を補正することにより、プリ
ズム結合部での入射位置が変化しても高精度に入射強度
を求めその強度の調整を行うことができる。
【００３６】なお、光ビーム８の入射強度検知用の受光
素子１６を専用に設けなくても、受光素子１１ａ，１１
ｂ，１１ｃの少なくとも１つの出力値を入射検出用の基
準となる値とすることにより、受光素子数を減らすこと
ができる。また、これとは逆に、光ビーム８の入射強度
検出用の受光素子１６を専用に複数個設けることによ
り、一段と検出精度を高めることもできる。さらに、光
ビーム８の入射強度を特定することにより、組付けを容
易にしたり、ＬＤ光の放出パワーのバラツキにより光ビ
ーム８の入射強度の変動をモニタすることができる。こ
れは、入射位置が変化してもよいため、使用中にも容易
に検知することができる。
素子１６を専用に設けなくても、受光素子１１ａ，１１
ｂ，１１ｃの少なくとも１つの出力値を入射検出用の基
準となる値とすることにより、受光素子数を減らすこと
ができる。また、これとは逆に、光ビーム８の入射強度
検出用の受光素子１６を専用に複数個設けることによ
り、一段と検出精度を高めることもできる。さらに、光
ビーム８の入射強度を特定することにより、組付けを容
易にしたり、ＬＤ光の放出パワーのバラツキにより光ビ
ーム８の入射強度の変動をモニタすることができる。こ
れは、入射位置が変化してもよいため、使用中にも容易
に検知することができる。
【００３７】次に、請求項３記載の発明の一実施例を図
９及び図１０に基づいて説明する。なお、請求項１〜２
記載の発明及び請求項２記載の発明の前提となる構成例
と同一部分についての説明は省略し、その同一部分につ
いては同一符号を用いる。
９及び図１０に基づいて説明する。なお、請求項１〜２
記載の発明及び請求項２記載の発明の前提となる構成例
と同一部分についての説明は省略し、その同一部分につ
いては同一符号を用いる。
【００３８】ここでは、導波路基板上にビーム入射位置
検出素子としての受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、
この導波路内に導かれた光ビーム８により励起された導
波光Ａを検出する導波光検出素子としての受光素子１９
ａ，１９ｂとが設けられ、また、この受光素子１９ａ，
１９ｂにより検出された出力信号と受光素子１１ａ，１
１ｂ，１１ｃにより検出された出力信号とから光ビーム
８の基板への入射強度を求めるビーム入射強度検知手段
としての強度情報検知部２０を設けたものである。この
場合、それら受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１９
は、ＰＩＮフォトダイオード（図２参照）からなってい
る。また、受光素子１９ａ，１９ｂは、導波光Ａの中心
軸付近に設けてもよいが、このときは受光素子１９ａ，
１９ｂの進行方向に相当する右側は導波路が分断される
のに注意を要する。
検出素子としての受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、
この導波路内に導かれた光ビーム８により励起された導
波光Ａを検出する導波光検出素子としての受光素子１９
ａ，１９ｂとが設けられ、また、この受光素子１９ａ，
１９ｂにより検出された出力信号と受光素子１１ａ，１
１ｂ，１１ｃにより検出された出力信号とから光ビーム
８の基板への入射強度を求めるビーム入射強度検知手段
としての強度情報検知部２０を設けたものである。この
場合、それら受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１９
は、ＰＩＮフォトダイオード（図２参照）からなってい
る。また、受光素子１９ａ，１９ｂは、導波光Ａの中心
軸付近に設けてもよいが、このときは受光素子１９ａ，
１９ｂの進行方向に相当する右側は導波路が分断される
のに注意を要する。
【００３９】図１０は、受光素子１９ａ，１９ｂの構成
を示すものである。これは、図２と同様な構成なので、
ここでの詳細な説明は省略する。この場合、ｐ＋層１ｃ
に効率良く導波光Ａを入射させるために、第２ギャップ
層５ａにはテーパ部Ｔが形成されている。
を示すものである。これは、図２と同様な構成なので、
ここでの詳細な説明は省略する。この場合、ｐ＋層１ｃ
に効率良く導波光Ａを入射させるために、第２ギャップ
層５ａにはテーパ部Ｔが形成されている。
【００４０】このような構成において、入射強度を検出
する原理について述べる。ある一定の入射強度（この角
度は変化しない）の光ビーム８を適切な位置に照射し、
この光ビーム８が結合した導波光Ａを受光素子１９ａ，
１９ｂにより検出し、これら２つの出力値を強度情報検
知部２０で加算してその値を光ビーム８の入射強度の基
準値とする。今、光ビーム８の入射位置が変化しない場
合は、その基準値との比により、光ビーム８の入射強度
の変化を検知することができる。
する原理について述べる。ある一定の入射強度（この角
度は変化しない）の光ビーム８を適切な位置に照射し、
この光ビーム８が結合した導波光Ａを受光素子１９ａ，
１９ｂにより検出し、これら２つの出力値を強度情報検
知部２０で加算してその値を光ビーム８の入射強度の基
準値とする。今、光ビーム８の入射位置が変化しない場
合は、その基準値との比により、光ビーム８の入射強度
の変化を検知することができる。
【００４１】また、光ビーム８の入射位置が変化する
と、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃの出力値から入射
位置を検知でき、この入射位置から推測される光結合効
率から決定される補正値を受光素子１９ａ，１９ｂの出
力値の和に掛けた値と、前記基準値との比を求めること
により光ビーム８の入射強度を検出することができる。
また、導波光Ａの強度は、受光素子１９ａ，１９ｂを加
算した値を用いることにより、受光素子１１ａ，１１
ｂ，１１ｃから得られた光ビーム８の入射位置情報を考
慮して導波光Ａの光強度分布をもとに算出することによ
り精度を高めることができる。
と、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃの出力値から入射
位置を検知でき、この入射位置から推測される光結合効
率から決定される補正値を受光素子１９ａ，１９ｂの出
力値の和に掛けた値と、前記基準値との比を求めること
により光ビーム８の入射強度を検出することができる。
また、導波光Ａの強度は、受光素子１９ａ，１９ｂを加
算した値を用いることにより、受光素子１１ａ，１１
ｂ，１１ｃから得られた光ビーム８の入射位置情報を考
慮して導波光Ａの光強度分布をもとに算出することによ
り精度を高めることができる。
【００４２】上述したように、受光素子１９ａ，１９ｂ
からの導波光情報と受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃか
らの入射位置情報とをもとに光ビーム８の入射強度を補
正することにより、プリズム結合部での光ビーム８の入
射強度を求めその強度の調整を行うことができる。ま
た、これにより、光ビーム８の放出パワーのバラツキを
モニタすることができ、組付け調整も容易とすることが
できる。
からの導波光情報と受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃか
らの入射位置情報とをもとに光ビーム８の入射強度を補
正することにより、プリズム結合部での光ビーム８の入
射強度を求めその強度の調整を行うことができる。ま
た、これにより、光ビーム８の放出パワーのバラツキを
モニタすることができ、組付け調整も容易とすることが
できる。
【００４３】なお、受光素子１９ａ，１９ｂは、簡易的
にするため１個にしたり、３個以上用いて高精度にする
こともできる。また、光ビーム８の入射角度が変化する
と、光結合効率が大きく変化するため、振動などによっ
て入射角度が変化しないように光ビーム８の放出部（例
えば、ＬＤとコリメートレンズからなる部分）とプリズ
ム−基板部分とを固定する部品を設計する必要がある。
にするため１個にしたり、３個以上用いて高精度にする
こともできる。また、光ビーム８の入射角度が変化する
と、光結合効率が大きく変化するため、振動などによっ
て入射角度が変化しないように光ビーム８の放出部（例
えば、ＬＤとコリメートレンズからなる部分）とプリズ
ム−基板部分とを固定する部品を設計する必要がある。
【００４４】次に、請求項４，５記載の発明の一実施例
を図１１に基づいて説明する。なお、請求項１〜３記載
の発明及び請求項２記載の発明の前提となる構成例と同
一部分についての説明は省略し、その同一部分について
は同一符号を用いる。
を図１１に基づいて説明する。なお、請求項１〜３記載
の発明及び請求項２記載の発明の前提となる構成例と同
一部分についての説明は省略し、その同一部分について
は同一符号を用いる。
【００４５】導波路基板上には、ビーム入射位置検出素
子としての受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、ビーム
入射強度検出素子としての受光素子１６と、導波路内に
導かれた光ビーム８により励起された導波光Ａを検出す
る導波光検出素子としての受光素子１９ａ，１９ｂとが
設けられている。また、受光素子１９ａ，１９ｂにより
検出された出力信号と受光素子１６により検出された出
力信号とから光ビーム８の導波路への光結合効率を求め
るか、若しくは、受光素子１９ａ，１９ｂにより検出さ
れた出力信号と受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃにより
検出された出力信号と受光素子１６により検出された出
力信号とから光ビーム８の導波路への光結合効率を求め
る光結合効率検知手段としての光結合効率検知部２１が
設けられている。この光結合効率検知部２１は、受光素
子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１６，１９ａ，１９ｂの出
力情報から入射位置や入射角度で変化する光ビーム８の
導波路への光結合効率を動的に検出することができる。
子としての受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、ビーム
入射強度検出素子としての受光素子１６と、導波路内に
導かれた光ビーム８により励起された導波光Ａを検出す
る導波光検出素子としての受光素子１９ａ，１９ｂとが
設けられている。また、受光素子１９ａ，１９ｂにより
検出された出力信号と受光素子１６により検出された出
力信号とから光ビーム８の導波路への光結合効率を求め
るか、若しくは、受光素子１９ａ，１９ｂにより検出さ
れた出力信号と受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃにより
検出された出力信号と受光素子１６により検出された出
力信号とから光ビーム８の導波路への光結合効率を求め
る光結合効率検知手段としての光結合効率検知部２１が
設けられている。この光結合効率検知部２１は、受光素
子１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１６，１９ａ，１９ｂの出
力情報から入射位置や入射角度で変化する光ビーム８の
導波路への光結合効率を動的に検出することができる。
【００４６】このような構成において、光結合効率を検
知する原理について述べる。ある一定の入射角度の光ビ
ーム８を適切な位置（照射領域１０）に適切な入射角度
で照射し、光ビーム８が結合した導波光Ａを受光素子１
９ａ，１９ｂにより検出し、これら２つの出力値を光結
合効率検知部２１で加算又は平均化してこれを導波光Ａ
の光強度の基準値とする。また、このときの受光素子１
６の出力値を入射強度の基準値とする。今、光ビーム８
の入射位置が変化しない場合は、入射強度の基準値と導
波光Ａの光強度の基準値との比をもとにして、入射角度
の変化による光ビーム８の結合効率の変化を求めること
ができる。
知する原理について述べる。ある一定の入射角度の光ビ
ーム８を適切な位置（照射領域１０）に適切な入射角度
で照射し、光ビーム８が結合した導波光Ａを受光素子１
９ａ，１９ｂにより検出し、これら２つの出力値を光結
合効率検知部２１で加算又は平均化してこれを導波光Ａ
の光強度の基準値とする。また、このときの受光素子１
６の出力値を入射強度の基準値とする。今、光ビーム８
の入射位置が変化しない場合は、入射強度の基準値と導
波光Ａの光強度の基準値との比をもとにして、入射角度
の変化による光ビーム８の結合効率の変化を求めること
ができる。
【００４７】また、光ビーム８の入射位置が変化する場
合には、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃの出力値から
入射位置を検出することができ、この入射位置と受光素
子１６の出力値とから光結合効率検知部２１により入射
強度を算出しこれを新たな入射強度の値とし、また、受
光素子１９ａ，１９ｂの出力値の和又は平均値を新たな
導波路の光強度の値とする。これにより、新たな入射強
度の値と新たな導波光の光強度の基準値との比をもとに
して、入射角度の変化による光ビーム８の結合効率の変
化を検出することができる。
合には、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃの出力値から
入射位置を検出することができ、この入射位置と受光素
子１６の出力値とから光結合効率検知部２１により入射
強度を算出しこれを新たな入射強度の値とし、また、受
光素子１９ａ，１９ｂの出力値の和又は平均値を新たな
導波路の光強度の値とする。これにより、新たな入射強
度の値と新たな導波光の光強度の基準値との比をもとに
して、入射角度の変化による光ビーム８の結合効率の変
化を検出することができる。
【００４８】上述したように、受光素子１９ａ，１９ｂ
からの導波光情報と受光素子１６からの入射強度情報と
をもとに光ビーム８の結合効率を補正、若しくは、受光
素子１９ａ，１９ｂからの導波光情報と受光素子１６か
らの入射強度情報と受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃか
らの入射位置情報とをもとに光ビーム８の結合効率を補
正することにより、プリズム結合部での光ビーム８の結
合効率を求め、その結合効率の調整を行うことができる
ようになる。
からの導波光情報と受光素子１６からの入射強度情報と
をもとに光ビーム８の結合効率を補正、若しくは、受光
素子１９ａ，１９ｂからの導波光情報と受光素子１６か
らの入射強度情報と受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃか
らの入射位置情報とをもとに光ビーム８の結合効率を補
正することにより、プリズム結合部での光ビーム８の結
合効率を求め、その結合効率の調整を行うことができる
ようになる。
【００４９】なお、受光素子１１ａ，１１ｂ，１１ｃや
受光素子１９ａ，１９ｂは簡易的に１つにしてもよい
し、高精度にするために３つ以上設けるようにしてもよ
い。また、受光素子１６を受光素子１１ａ，１１ｂ，１
１ｃの少なくともどれか一つ以上の出力値を用いて算出
し、入射強度専用の受光素子を省略してもよい。さら
に、光ビーム８の入射位置が変化しない場合、又は、図
１１のＸ方向の入射位置の変化しかない場合には、光ビ
ーム８の入射位置検出用の受光素子１１ａ，１１ｂ，１
１ｃを省略することができる。特に、後者（Ｘ方向への
変化）の場合には、受光素子１９ａ，１９ｂの出力値の
比較からＸ方向の入射位置の変化を検出することができ
る。この場合、入射角度の変化に対応して使用中にその
角度の制御を行うことにより、一定値以上の導波光Ａを
得ることができ、また、組立て時の調整も容易となる。
受光素子１９ａ，１９ｂは簡易的に１つにしてもよい
し、高精度にするために３つ以上設けるようにしてもよ
い。また、受光素子１６を受光素子１１ａ，１１ｂ，１
１ｃの少なくともどれか一つ以上の出力値を用いて算出
し、入射強度専用の受光素子を省略してもよい。さら
に、光ビーム８の入射位置が変化しない場合、又は、図
１１のＸ方向の入射位置の変化しかない場合には、光ビ
ーム８の入射位置検出用の受光素子１１ａ，１１ｂ，１
１ｃを省略することができる。特に、後者（Ｘ方向への
変化）の場合には、受光素子１９ａ，１９ｂの出力値の
比較からＸ方向の入射位置の変化を検出することができ
る。この場合、入射角度の変化に対応して使用中にその
角度の制御を行うことにより、一定値以上の導波光Ａを
得ることができ、また、組立て時の調整も容易となる。
【００５０】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、導波路の形成さ
れた基板上に光結合プリズムを載置し、この光結合プリ
ズムに外部から光ビームを入射させることにより前記導
波路内に前記光ビームを導き光結合させるプリズム結合
装置において、前記導波路内における前記光ビームの照
射領域近傍にビーム入射位置検出用の複数の受光素子を
設け、これらの受光素子により検出された複数の出力信
号を比較することにより前記光ビームの前記基板への入
射位置を求める手段を設けたので、ビーム入射位置検出
素子からの入射位置情報を情報検知しプリズム結合部で
の光ビームの入射位置を算出することができ、これによ
り入射位置の最適な調整を行うことができると共に、プ
リズム組付け時の調整を容易に行うことができるもので
ある。
れた基板上に光結合プリズムを載置し、この光結合プリ
ズムに外部から光ビームを入射させることにより前記導
波路内に前記光ビームを導き光結合させるプリズム結合
装置において、前記導波路内における前記光ビームの照
射領域近傍にビーム入射位置検出用の複数の受光素子を
設け、これらの受光素子により検出された複数の出力信
号を比較することにより前記光ビームの前記基板への入
射位置を求める手段を設けたので、ビーム入射位置検出
素子からの入射位置情報を情報検知しプリズム結合部で
の光ビームの入射位置を算出することができ、これによ
り入射位置の最適な調整を行うことができると共に、プ
リズム組付け時の調整を容易に行うことができるもので
ある。
【００５１】請求項２記載の発明は、請求項１記載のプ
リズム結合装置において、前記導波路内における前記光
ビームの照射領域にビーム入射強度検出用の受光素子を
少なくとも１つ設け、前記ビーム入射位置検出用の受光
素子により検出された複数の出力信号を比較することに
より求めた前記光ビームの前記基板への入射位置情報を
もとにして前記ビーム入射強度検出用の受光素子の出力
信号を補正し前記光ビームの前記基板への入射強度を求
める手段を設けたので、ビーム入射位置検出用 の受光素
子からの入射位置情報をもとに光ビームの入射強度情報
を補正しプリズム結合部での入射位置が変化しても入射
強度を算出することができ、これにより光強度の最適な
調整を行うことができると共に、プリズム組付け時の調
整を容易に行うことができるものである。
リズム結合装置において、前記導波路内における前記光
ビームの照射領域にビーム入射強度検出用の受光素子を
少なくとも１つ設け、前記ビーム入射位置検出用の受光
素子により検出された複数の出力信号を比較することに
より求めた前記光ビームの前記基板への入射位置情報を
もとにして前記ビーム入射強度検出用の受光素子の出力
信号を補正し前記光ビームの前記基板への入射強度を求
める手段を設けたので、ビーム入射位置検出用 の受光素
子からの入射位置情報をもとに光ビームの入射強度情報
を補正しプリズム結合部での入射位置が変化しても入射
強度を算出することができ、これにより光強度の最適な
調整を行うことができると共に、プリズム組付け時の調
整を容易に行うことができるものである。
【００５２】請求項３記載の発明は、請求項１記載のプ
リズム結合装置において、前記導波路内に導かれた前記
光ビームにより励起された導波光の光強度を検出する導
波光強度検出用の受光素子を少なくとも１つ設け、前記
ビーム入射位置検出用の受光素子により検出された複数
の出力信号を比較することにより求めた前記光ビームの
前記基板への入射位置情報をもとにして前記導波光強度
検出用の受光素子の出力信号を補正し前記光ビームの前
記基板への入射強度を求める手段を設けたので、導波光
強度検出用の受光素子からの導波光情報とビーム入射位
置検出用の受光素子からの入射位置情報とをもとに光ビ
ームの入射強度を補正しプリズム結合部での光ビームの
入射強度を算出することにより、光強度の最適な調整を
行うことができると共に、プリズム組付け時の調整を容
易に行うことができるものである。
リズム結合装置において、前記導波路内に導かれた前記
光ビームにより励起された導波光の光強度を検出する導
波光強度検出用の受光素子を少なくとも１つ設け、前記
ビーム入射位置検出用の受光素子により検出された複数
の出力信号を比較することにより求めた前記光ビームの
前記基板への入射位置情報をもとにして前記導波光強度
検出用の受光素子の出力信号を補正し前記光ビームの前
記基板への入射強度を求める手段を設けたので、導波光
強度検出用の受光素子からの導波光情報とビーム入射位
置検出用の受光素子からの入射位置情報とをもとに光ビ
ームの入射強度を補正しプリズム結合部での光ビームの
入射強度を算出することにより、光強度の最適な調整を
行うことができると共に、プリズム組付け時の調整を容
易に行うことができるものである。
【００５３】請求項４記載の発明は、導波路の形成され
た基板上に光結合プリズムを載置し、この光結合プリズ
ムに外部から光ビームを入射させることにより前記導波
路内に前記光ビームを導き光結合させるプリズム結合装
置において、前記導波路内における前記光ビームの照射
領域にビーム入射強度検出用の受光素子を少なくとも１
つ設け、前記導波路内に導かれた前記光ビームにより励
起された導波光の光強度を検出する導波光強度検出用の
受光素子を少なくとも１つ設け、前記ビーム入射強度検
出用の受光素子により検出された出力信号によるビーム
入射強度と前記導波光強度検出用の受光素子により検出
された出力信号による前記導波光強度との比の変化をも
とにして前記光ビームの前記導波路への光結合効率の変
化を求める手段を設けたので、ビーム入射強度検出用の
受光素子からの入射強度情報と導波光強度検出用の受光
素子からの導波光情報との比の変化をもとに光ビームの
光結合効率の変化を求めることができ、これにより結合
効率の最適な調整を行うこ とができると共に、プリズム
組付け時の調整を容易に行うことができるものである。
た基板上に光結合プリズムを載置し、この光結合プリズ
ムに外部から光ビームを入射させることにより前記導波
路内に前記光ビームを導き光結合させるプリズム結合装
置において、前記導波路内における前記光ビームの照射
領域にビーム入射強度検出用の受光素子を少なくとも１
つ設け、前記導波路内に導かれた前記光ビームにより励
起された導波光の光強度を検出する導波光強度検出用の
受光素子を少なくとも１つ設け、前記ビーム入射強度検
出用の受光素子により検出された出力信号によるビーム
入射強度と前記導波光強度検出用の受光素子により検出
された出力信号による前記導波光強度との比の変化をも
とにして前記光ビームの前記導波路への光結合効率の変
化を求める手段を設けたので、ビーム入射強度検出用の
受光素子からの入射強度情報と導波光強度検出用の受光
素子からの導波光情報との比の変化をもとに光ビームの
光結合効率の変化を求めることができ、これにより結合
効率の最適な調整を行うこ とができると共に、プリズム
組付け時の調整を容易に行うことができるものである。
【００５４】請求項５記載の発明は、導波路の形成され
た基板上に光結合プリズムを載置し、この光結合プリズ
ムに外部から光ビームを入射させることにより前記導波
路内に前記光ビームを導き光結合させるプリズム結合装
置において、前記導波路内における前記光ビームの照射
領域近傍にビーム入射位置検出用の複数の受光素子を設
け、前記導波路内における前記光ビームの照射領域にビ
ーム入射強度検出用の受光素子を少なくとも１つ設け、
前記導波路内に導かれた前記光ビームにより励起された
導波光の光強度を検出する導波光強度検出用の受光素子
を少なくとも１つ設け、前記ビーム入射位置検出用の受
光素子により検出された複数の出力信号を比較すること
により求めた前記光ビームの前記基板への入射位置情報
をもとにして前記ビーム入射強度検出用の受光素子の出
力信号を補正して求めたビーム入射強度と前記導波光強
度検出用の受光素子により検出された出力信号による前
記導波光強度との比の変化をもとにして前記光ビームの
前記導波路への光結合効率の変化を求める手段を設けた
ので、ビーム入射強度検出用の受光素子からの補正され
た入射強度情報と導波光強度検出用の受光素子からの導
波光情報との比の変化をもとに光ビームの光結合効率の
変化を求めることができ、これにより結合効率の最適な
調整を行うことができると共に、プリズム組付け時の調
整を容易に行うことができるものである。
た基板上に光結合プリズムを載置し、この光結合プリズ
ムに外部から光ビームを入射させることにより前記導波
路内に前記光ビームを導き光結合させるプリズム結合装
置において、前記導波路内における前記光ビームの照射
領域近傍にビーム入射位置検出用の複数の受光素子を設
け、前記導波路内における前記光ビームの照射領域にビ
ーム入射強度検出用の受光素子を少なくとも１つ設け、
前記導波路内に導かれた前記光ビームにより励起された
導波光の光強度を検出する導波光強度検出用の受光素子
を少なくとも１つ設け、前記ビーム入射位置検出用の受
光素子により検出された複数の出力信号を比較すること
により求めた前記光ビームの前記基板への入射位置情報
をもとにして前記ビーム入射強度検出用の受光素子の出
力信号を補正して求めたビーム入射強度と前記導波光強
度検出用の受光素子により検出された出力信号による前
記導波光強度との比の変化をもとにして前記光ビームの
前記導波路への光結合効率の変化を求める手段を設けた
ので、ビーム入射強度検出用の受光素子からの補正され
た入射強度情報と導波光強度検出用の受光素子からの導
波光情報との比の変化をもとに光ビームの光結合効率の
変化を求めることができ、これにより結合効率の最適な
調整を行うことができると共に、プリズム組付け時の調
整を容易に行うことができるものである。
【図１】（ａ）は請求項１記載の発明の一実施例である
プリズム結合装置の構成を示す斜視図、（ｂ）はその導
波路部の平面図である。
プリズム結合装置の構成を示す斜視図、（ｂ）はその導
波路部の平面図である。
【図２】光結合部の形状を示す断面図である。
【図３】光ビームの強度分布を示す特性図である。
【図４】光ビームの照射位置を変化させた場合のプリズ
ム底面との位置関係を示す動作説明図である。
ム底面との位置関係を示す動作説明図である。
【図５】図４のビーム変化に対する受光素子の出力値の
変化の様子を示す動作説明図である。
変化の様子を示す動作説明図である。
【図６】請求項２記載の発明の前提となる構成例を示す
平面図である。
平面図である。
【図７】請求項２記載の発明の一実施例を示す平面図で
ある。
ある。
【図８】受光素子面上におけるビーム変化の様子を示す
正面図である。
正面図である。
【図９】請求項３記載の発明の一実施例を示す平面図で
ある。
ある。
【図１０】光結合部の形状を示す断面図である。
【図１１】請求項４，５記載の発明の一実施例を示す平
面図である。
面図である。
【図１２】従来のプリズム結合装置を示す斜視図であ
る。
る。
７ 光結合プリズム
８ 光ビーム
１１ａ〜１１ｃ ビーム入射位置検出素子
１２ ビーム入射位置検知手段
１６ ビーム入射強度検出素子
１８ ビーム入射強度検知手段
１９ａ，１９ｂ 導波光検出素子
２０ ビーム入射強度検知手段
２１ 光結合効率検知手段
Claims (5)
- 【請求項１】 導波路の形成された基板上に光結合プリ
ズムを載置し、この光結合プリズムに外部から光ビーム
を入射させることにより前記導波路内に前記光ビームを
導き光結合させるプリズム結合装置において、 前記導波路内における前記光ビームの照射領域近傍にビ
ーム入射位置検出用の複数の受光素子を設け、これらの
受光素子により検出された複数の出力信号を比較するこ
とにより前記光ビームの前記基板への入射位置を求める
手段を設けたことを特徴とするプリズム結合装置。 - 【請求項２】 前記導波路内における前記光ビームの照
射領域にビーム入射強度検出用の受光素子を少なくとも
１つ設け、前記ビーム入射位置検出用の受光素子により
検出された複数の出力信号を比較することにより求めた
前記光ビームの前記基板への入射位置情報をもとにして
前記ビーム入射強度検出用の受光素子の出力信号を補正
し前記光ビームの前記基板への入射強度を求める手段を
設けたことを特徴とする請求項１記載のプリズム結合装
置。 - 【請求項３】 前記導波路内に導かれた前記光ビームに
より励起された導波光の光強度を検出する導波光強度検
出用の受光素子を少なくとも１つ設け、前記ビーム入射
位置検出用の受光素子により検出された複数の出力信号
を比較することにより求めた前記光ビームの前記基板へ
の入射位置情報をもとにして前記導波光強度検出用の受
光素子の出力信号を補正し前記光ビームの前記基板への
入射強度を求める手段を設けたことを特徴とする請求項
１記載のプリズム結合装置。 - 【請求項４】 導波路の形成された基板上に光結合プリ
ズムを載置し、この光結合プリズムに外部から光ビーム
を入射させることにより前記導波路内に前記光ビームを
導き光結合させるプリズム結合装置において、 前記導波路内における前記光ビームの照射領域にビーム
入射強度検出用の受光 素子を少なくとも１つ設け、 前記導波路内に導かれた前記光ビームにより励起された
導波光の光強度を検出する導波光強度検出用の受光素子
を少なくとも１つ設け、 前記ビーム入射強度検出用の受光素子により検出された
出力信号によるビーム入射強度と前記導波光強度検出用
の受光素子により検出された出力信号による前記導波光
強度との比の変化をもとにして 前記光ビームの前記導波
路への光結合効率の変化を求める手段を設けたことを特
徴とするプリズム結合装置。 - 【請求項５】 導波路の形成された基板上に光結合プリ
ズムを載置し、この光結合プリズムに外部から光ビーム
を入射させることにより前記導波路内に前記光ビームを
導き光結合させるプリズム結合装置において、 前記導波路内における前記光ビームの照射領域近傍にビ
ーム入射位置検出用の複数の受光素子を設け、 前記導波路内における前記光ビームの照射領域にビーム
入射強度検出用の受光素子を少なくとも１つ設け、 前記導波路内に導かれた前記光ビームにより励起された
導波光の光強度を検出する導波光強度検出用の受光素子
を少なくとも１つ設け、前記ビーム入射位置検出用の受光素子により検出された
複数の出力信号を比較することにより求めた前記光ビー
ムの前記基板への入射位置情報をもとにして前記ビーム
入射強度検出用の受光素子の出力信号を補正して求めた
ビーム入射強度と前記導波光強度検出用の受光素子によ
り検出された出力信号による前記導波光強度との比の変
化をもとにして 前記光ビームの前記導波路への光結合効
率の変化を求める手段を設けたことを特徴とするプリズ
ム結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28202092A JP3429329B2 (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | プリズム結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28202092A JP3429329B2 (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | プリズム結合装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06130249A JPH06130249A (ja) | 1994-05-13 |
| JP3429329B2 true JP3429329B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=17647122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28202092A Expired - Fee Related JP3429329B2 (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | プリズム結合装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3429329B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3333101B2 (ja) * | 1996-11-27 | 2002-10-07 | シャープ株式会社 | 光結合器の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-20 JP JP28202092A patent/JP3429329B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH06130249A (ja) | 1994-05-13 |
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