JPH0953180A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0953180A JPH0953180A JP23342995A JP23342995A JPH0953180A JP H0953180 A JPH0953180 A JP H0953180A JP 23342995 A JP23342995 A JP 23342995A JP 23342995 A JP23342995 A JP 23342995A JP H0953180 A JPH0953180 A JP H0953180A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- reaction chamber
- purge
- reaction
- gas concentration
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 無駄のないパージ時間の設定を可能にすると
ともに、安全レベルの確認を可能にする。 【解決手段】 反応室１のパージ処理時に、排気通路１
１を流れるガスの濃度をガス濃度センサ１７により監視
され、ガス濃度センサ１７により検出されるガス濃度値
が予め設定した設定値以下になったことがパージ終了判
定部２９で判定されると、パージ処理が終了する。これ
により、ウェハに悪影響を及ぼす残ガスが反応室１内か
ら確実に排気され、反応室１の反応ガスの安全レベルも
確認でき、さらに無駄のないパージ時間を自動的に設定
できる。
ともに、安全レベルの確認を可能にする。 【解決手段】 反応室１のパージ処理時に、排気通路１
１を流れるガスの濃度をガス濃度センサ１７により監視
され、ガス濃度センサ１７により検出されるガス濃度値
が予め設定した設定値以下になったことがパージ終了判
定部２９で判定されると、パージ処理が終了する。これ
により、ウェハに悪影響を及ぼす残ガスが反応室１内か
ら確実に排気され、反応室１の反応ガスの安全レベルも
確認でき、さらに無駄のないパージ時間を自動的に設定
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造に用
されるＣＶＤ装置に関し、特に減圧ＣＶＤ装置における
パージ時間を最適に制御できるようにしたＣＶＤ装置に
関する。
されるＣＶＤ装置に関し、特に減圧ＣＶＤ装置における
パージ時間を最適に制御できるようにしたＣＶＤ装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】減圧ＣＶＤ装置では、所要の反応ガスを
反応室に供給して反応室内のウェハに多結晶シリコン膜
など薄膜を形成し、この成膜工程が終了すると、反応室
内に反応ガスに代えて窒素ガスなどの不活性ガスを供給
し、不活性ガスにより掃気式に反応室より反応ガスを排
除するパージ工程がシーケンシャルに行われる。従来、
このパージ時間の制御はタイマにより行われ、そのパー
ジ時間は、実験結果や経験則から得られる値に設定する
ようにしていた。
反応室に供給して反応室内のウェハに多結晶シリコン膜
など薄膜を形成し、この成膜工程が終了すると、反応室
内に反応ガスに代えて窒素ガスなどの不活性ガスを供給
し、不活性ガスにより掃気式に反応室より反応ガスを排
除するパージ工程がシーケンシャルに行われる。従来、
このパージ時間の制御はタイマにより行われ、そのパー
ジ時間は、実験結果や経験則から得られる値に設定する
ようにしていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、反応室のパ
ージ処理ジに、排気速度の低下などにより、反応室内の
反応ガスが十分に排除されていないと、パージ工程完了
後に反応室を大気開放した時に、反応室内の残留反応ガ
スが大気に放出され、大気汚染の問題となるほか、成膜
後も残ガスが反応室に存在した場合には、ウェハ表面や
反応室内壁に不完全成膜の要因となり、ダストの発生や
ウェハ表面の異常発生の原因とになる。従って、従来で
は、十分な余裕時間をもってパージ時間を設定すること
になるが、これでは、パージ処理時間にかなりの無駄が
発生し、パージ工程がＣＶＤ装置の稼動率を著しく低下
させる原因となる。本発明は、上述の如き問題点に着目
してなされたものであり、無駄のないパージ時間の設定
を可能にするとともに、安全レベルの確認を可能にした
ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
ージ処理ジに、排気速度の低下などにより、反応室内の
反応ガスが十分に排除されていないと、パージ工程完了
後に反応室を大気開放した時に、反応室内の残留反応ガ
スが大気に放出され、大気汚染の問題となるほか、成膜
後も残ガスが反応室に存在した場合には、ウェハ表面や
反応室内壁に不完全成膜の要因となり、ダストの発生や
ウェハ表面の異常発生の原因とになる。従って、従来で
は、十分な余裕時間をもってパージ時間を設定すること
になるが、これでは、パージ処理時間にかなりの無駄が
発生し、パージ工程がＣＶＤ装置の稼動率を著しく低下
させる原因となる。本発明は、上述の如き問題点に着目
してなされたものであり、無駄のないパージ時間の設定
を可能にするとともに、安全レベルの確認を可能にした
ＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、反応室内に反応ガスを供給し、気相ま
たはウエハ表面での化学反応により薄膜を形成するＣＶ
Ｄ装置において、前記反応室の排気通路に設けられ、該
排気通路を流れるガスの濃度を検出するガス濃度検出手
段と、パージ処理時に前記反応室から排気されるガスの
濃度を前記ガス濃度検出手段により検出し、この検出値
が予め設定した設定値以下になった時にパージ終了指令
を出力するパージ終了判定部とを備えてなるものであ
る。また、本発明は、前記ガス濃度検出手段が、成膜に
使用された後の反応ガスの残ガス濃度を検出できるよう
にしたものである。本発明においては、パージ処理時に
ガス濃度検出手段により検出されるガス濃度値が予め設
定した設定値以下になったことがパージ終了判定部で判
定されるとパージ処理が終了するから、無駄のないパー
ジ時間を自動的に設定することができる。また、本発明
においては、ガス濃度検出手段で成膜に使用された後の
反応ガスの残ガス濃度を検出することにより、反応ガス
濃度をコントロールすることができる。
めに、本発明は、反応室内に反応ガスを供給し、気相ま
たはウエハ表面での化学反応により薄膜を形成するＣＶ
Ｄ装置において、前記反応室の排気通路に設けられ、該
排気通路を流れるガスの濃度を検出するガス濃度検出手
段と、パージ処理時に前記反応室から排気されるガスの
濃度を前記ガス濃度検出手段により検出し、この検出値
が予め設定した設定値以下になった時にパージ終了指令
を出力するパージ終了判定部とを備えてなるものであ
る。また、本発明は、前記ガス濃度検出手段が、成膜に
使用された後の反応ガスの残ガス濃度を検出できるよう
にしたものである。本発明においては、パージ処理時に
ガス濃度検出手段により検出されるガス濃度値が予め設
定した設定値以下になったことがパージ終了判定部で判
定されるとパージ処理が終了するから、無駄のないパー
ジ時間を自動的に設定することができる。また、本発明
においては、ガス濃度検出手段で成膜に使用された後の
反応ガスの残ガス濃度を検出することにより、反応ガス
濃度をコントロールすることができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下に添付の図を参照して本発明
を実施形態例について詳細に説明する。図１は本発明に
よるＣＶＤ装置の一実施形態例を示している。この図１
において、ＣＶＤ装置は、密閉された反応室１と、反応
室１の周囲に配設された過熱用のヒータ３と、反応室１
内に配置され、複数のウェハがセットされるウェハボー
ト５と、反応室１内に配設され、反応室１内に供給され
る反応ガスがウェハボート５に沿って均一に流れるよう
に整流する整流部材７と、反応室１にシランガスなどの
反応ガスを供給するガス供給ノズル９と、反応室１に排
気通路１１を介して接続した真空ポンプ１３とを有し、
反応室１内に配置されたウェハボート５上のウェハ（図
示省略）に対してＣＶＤ処理を行う。排気通路１１には
真空計１５が設けられており、真空計１５により検出さ
れる排気通路圧力により真空ポンプ１３の運転を制御
し、各工程にて反応室内圧を所要の圧力に保つ。
を実施形態例について詳細に説明する。図１は本発明に
よるＣＶＤ装置の一実施形態例を示している。この図１
において、ＣＶＤ装置は、密閉された反応室１と、反応
室１の周囲に配設された過熱用のヒータ３と、反応室１
内に配置され、複数のウェハがセットされるウェハボー
ト５と、反応室１内に配設され、反応室１内に供給され
る反応ガスがウェハボート５に沿って均一に流れるよう
に整流する整流部材７と、反応室１にシランガスなどの
反応ガスを供給するガス供給ノズル９と、反応室１に排
気通路１１を介して接続した真空ポンプ１３とを有し、
反応室１内に配置されたウェハボート５上のウェハ（図
示省略）に対してＣＶＤ処理を行う。排気通路１１には
真空計１５が設けられており、真空計１５により検出さ
れる排気通路圧力により真空ポンプ１３の運転を制御
し、各工程にて反応室内圧を所要の圧力に保つ。
【０００６】排気通路１１の途中には、ガス濃度センサ
１７が気密に接続されている。このガス濃度センサ１７
は、図２、図３に示されているように、排気通路１１を
流れるガスの濃度を検出するセンサ測定子２１を有し、
センサ測定子２１で検出されたガス濃度信号は信号線２
３により外部に取出すようになっている。センサ測定子
２１には、ガス濃度を検出するガスの種類に応じて、吸
着法（光吸収法）、定電位電解法、半導体方式（熱線
型）など、適宜の方式、型式のものが使用される。セン
サ測定子２１のガス濃度信号は制御装置２５のパージ終
了判定部２９に出力される。
１７が気密に接続されている。このガス濃度センサ１７
は、図２、図３に示されているように、排気通路１１を
流れるガスの濃度を検出するセンサ測定子２１を有し、
センサ測定子２１で検出されたガス濃度信号は信号線２
３により外部に取出すようになっている。センサ測定子
２１には、ガス濃度を検出するガスの種類に応じて、吸
着法（光吸収法）、定電位電解法、半導体方式（熱線
型）など、適宜の方式、型式のものが使用される。セン
サ測定子２１のガス濃度信号は制御装置２５のパージ終
了判定部２９に出力される。
【０００７】制御装置２５は、真空引き準備工程、ＣＶ
Ｄ処理工程、パージ工程、大気開放工程などを順次行う
シーケンス制御部２７と、パージ終了判定部２９とを有
している。パージ終了判定部２９は、センサ測定子２１
により検出されたガス濃度信号値が予め設定した設定値
以下になったかを判定し、設定値以下になった時にパー
ジ終了指令信号をシーケンス制御部２７に出力する。シ
ーケンス制御部２７は、パージ終了判定部２９からのパ
ージ終了指令信号を受けることにより、反応室１のパー
ジ処理が終了したことを認識し、大気開放工程を開始す
る制御指令をポンプ駆動部や制御弁などを含む機械制御
部３１へ出力する。
Ｄ処理工程、パージ工程、大気開放工程などを順次行う
シーケンス制御部２７と、パージ終了判定部２９とを有
している。パージ終了判定部２９は、センサ測定子２１
により検出されたガス濃度信号値が予め設定した設定値
以下になったかを判定し、設定値以下になった時にパー
ジ終了指令信号をシーケンス制御部２７に出力する。シ
ーケンス制御部２７は、パージ終了判定部２９からのパ
ージ終了指令信号を受けることにより、反応室１のパー
ジ処理が終了したことを認識し、大気開放工程を開始す
る制御指令をポンプ駆動部や制御弁などを含む機械制御
部３１へ出力する。
【０００８】上述の構成によれば、パージ処理時に、排
気通路１１を流れるガスの濃度がガス濃度センサ１７に
より監視され、ガス濃度センサ１７により検出されるガ
ス濃度値が予め設定した設定値以下になった判定される
と、パージ処理が終了し、大気開放工程へ移行する。従
って、ウェハに悪影響を及ぼす残ガスを反応室内から確
実に排気でき、これに伴い反応室の反応ガスの安全レベ
ルも確認でき、さらに無駄のないパージ時間を自動的に
設定できるとともに、反応室内のパージ不足に起因する
ウェハ表面層や反応室壁に不完全な膜が形成されたり、
ダストが発生されたり、ウェハ表面に異常が生じたりす
るのを未然に防止でき、ウェハの歩留まり及びＣＶＤ装
置の稼動率を向上できる。
気通路１１を流れるガスの濃度がガス濃度センサ１７に
より監視され、ガス濃度センサ１７により検出されるガ
ス濃度値が予め設定した設定値以下になった判定される
と、パージ処理が終了し、大気開放工程へ移行する。従
って、ウェハに悪影響を及ぼす残ガスを反応室内から確
実に排気でき、これに伴い反応室の反応ガスの安全レベ
ルも確認でき、さらに無駄のないパージ時間を自動的に
設定できるとともに、反応室内のパージ不足に起因する
ウェハ表面層や反応室壁に不完全な膜が形成されたり、
ダストが発生されたり、ウェハ表面に異常が生じたりす
るのを未然に防止でき、ウェハの歩留まり及びＣＶＤ装
置の稼動率を向上できる。
【０００９】なお、ガス濃度センサ１７は、パージ時間
終了判定に利用する以外に、ＣＶＤ工程でのガス濃度の
制御にも利用することができる。
終了判定に利用する以外に、ＣＶＤ工程でのガス濃度の
制御にも利用することができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、パ
ージ処理時にガス濃度検出手段により検出されるガス濃
度値が予め設定した設定値以下になったことがパージ終
了判定部で判定されるとパージ処理が終了するから、無
駄のないパージ時間を自動的に設定することができると
ともに、ウェハに悪影響を及ぼす残ガスを反応室内から
確実に排気でき、これに伴い反応室の反応ガスの安全レ
ベルも確認でき、さらに、反応室内のパージ不足に起因
するウェハ表面層や反応室壁に不完全な膜が形成された
り、ダストが発生されたり、ウェハ表面に異常が生じた
りするのを未然に防止でき、ウェハの歩留まり及びＣＶ
Ｄ装置の稼動率を向上できる。また、本発明によれば、
ガス濃度検出手段で成膜に使用された後の反応ガスの残
ガス濃度を検出することにより、反応ガス濃度をコント
ロールすることができる。
ージ処理時にガス濃度検出手段により検出されるガス濃
度値が予め設定した設定値以下になったことがパージ終
了判定部で判定されるとパージ処理が終了するから、無
駄のないパージ時間を自動的に設定することができると
ともに、ウェハに悪影響を及ぼす残ガスを反応室内から
確実に排気でき、これに伴い反応室の反応ガスの安全レ
ベルも確認でき、さらに、反応室内のパージ不足に起因
するウェハ表面層や反応室壁に不完全な膜が形成された
り、ダストが発生されたり、ウェハ表面に異常が生じた
りするのを未然に防止でき、ウェハの歩留まり及びＣＶ
Ｄ装置の稼動率を向上できる。また、本発明によれば、
ガス濃度検出手段で成膜に使用された後の反応ガスの残
ガス濃度を検出することにより、反応ガス濃度をコント
ロールすることができる。
【００１１】
【図１】本発明によるＣＶＤ装置の一実施形態例を示す
全体構成図である。
全体構成図である。
【図２】本発明によるＣＶＤ装置にて使用されるガス濃
度センサの正面図である。
度センサの正面図である。
【図３】本発明によるＣＶＤ装置にて使用されるガス濃
度センサの側面図である。
度センサの側面図である。
１ 反応室 ３ ヒータ ５ ウェハボート ９ ガス供給ノズル １１ 排気通路 １３ 真空ポンプ １５ 真空計 １７ ガス濃度センサ ２１ センサ測定子 ２３ 信号線 ２５ 制御装置 ２７ シーケンス制御部 ２９ パージ終了判定部
Claims (2)
- 【請求項１】 反応室内に反応ガスを供給し、気相また
はウエハ表面での化学反応により薄膜を形成するＣＶＤ
装置において、 前記反応室の排気通路に設けられ、該排気通路を流れる
ガスの濃度を検出するガス濃度検出手段と、 パージ処理時に前記反応室から排気されるガスの濃度を
前記ガス濃度検出手段により検出し、この検出値が予め
設定した設定値以下になった時にパージ終了指令を出力
するパージ終了判定部と、 を備えてなるＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記ガス濃度検出手段は、成膜に使用さ
れた後の反応ガスの残ガス濃度を検出するようになって
いる請求項１記載のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23342995A JPH0953180A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23342995A JPH0953180A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0953180A true JPH0953180A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16954910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23342995A Pending JPH0953180A (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0953180A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002280310A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
| KR100652296B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2006-11-29 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조장비의 배기상태 표시장치 |
| JP2007048848A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US7604010B2 (en) | 2004-08-25 | 2009-10-20 | Tokyo Electron Limited | Film formation apparatus and method of using the same |
-
1995
- 1995-08-18 JP JP23342995A patent/JPH0953180A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100652296B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2006-11-29 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조장비의 배기상태 표시장치 |
| JP2002280310A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
| JP4593814B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| US7604010B2 (en) | 2004-08-25 | 2009-10-20 | Tokyo Electron Limited | Film formation apparatus and method of using the same |
| JP2007048848A (ja) * | 2005-08-08 | 2007-02-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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