JP3369247B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP3369247B2 JP3369247B2 JP12091493A JP12091493A JP3369247B2 JP 3369247 B2 JP3369247 B2 JP 3369247B2 JP 12091493 A JP12091493 A JP 12091493A JP 12091493 A JP12091493 A JP 12091493A JP 3369247 B2 JP3369247 B2 JP 3369247B2
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- Japan
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- gas
- reaction tube
- boat
- exhaust pipe
- exhaust
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は縦型炉を具備した半導体
製造装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】図２に従来の半導体製造装置の要部を示
す。 【０００３】図中１は反応管を示し、該反応管１の周囲
は図示しないヒータユニットによって囲まれている。前
記反応管１にはガス導入管２が設けられ、該ガス導入管
２は図示しない不活性ガス源、或は反応ガス源に接続さ
れ、又下流端は前記反応管１の上部に開口している。該
反応管１の下部にはガス排気管３が接続され、該ガス排
気管３は図示しない工場施設の排気処理システムに接続
されている。 【０００４】前記反応管１の内部にはウェーハ５が水平
姿勢で多段に装填されたボート４が装入される様になっ
ており、該ボート４はボートキャップ７を介してエレベ
ータキャップ６に載設される。該エレベータキャップ６
は図示しないボートエレベータによって支持され、昇降
可能となっている。 【０００５】前記ボート４を反応管１内に装入し、前記
エレベータキャップ６が前記反応管１の炉口部を閉塞
し、更に前記したヒータユニットにより反応管１内を所
定の温度に加熱した状態で、前記ガス導入管２より不活
性ガス、或は反応ガスを導入し、更に前記ガス排気管３
より導入したガスを排気することで、ウェーハ５に熱拡
散処理、或はウェーハ５表面に薄膜を生成する。 【０００６】前記した様に、ガス排気管３は排気処理シ
ステムに接続され、該排気処理システムは一般的には気
体を３０ｌ／min 〜２００ｌ／min 程度吸引する様にな
っており、前記反応管１の開放状態、閉塞状態に拘らず
該排気処理システムは前記ガス排気管３より常時吸引し
ている。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】エレベータキャップ６
により前記反応管１を閉塞し、ウェーハ５の処理を行っ
ている時には、不活性ガス、或は反応ガスは５ｌ／min
〜１５ｌ／min 程度導入され、従って前記ガス排気管３
からは導入されたガス流量と略同量のガスが前記ガス排
気管３より吸引排気されていた。 【０００８】ところが、図３で示される様に、前記ボー
ト４が降下すると反応管１の炉口部が開放され、この炉
口部から大気が入る。大気は工場施設の排気処理システ
ムの最大能力（３０ｌ／min 〜２００ｌ／min ）で吸引
され、前記ガス排気管３を通過する。従って、半導体製
造装置を長期間に稼働していると、前記ガス排気管３が
汚染されるという問題があった。又、ウェーハ５処理後
にエレベータキャップ６を下げると、下げている最中は
ウェーハ５、ボート４からの熱輻射で、特に炉口部周辺
の雰囲気温度が上昇する。この為吸引される外気温度も
上昇し、前記ガス排気管３が加熱され変形を生じやすい
という問題があった。 【０００９】本発明は斯かる実情に鑑み、ボートが降下
し、炉口部が開口された場合にもガス排気管が外気を吸
引しない様にし、排気管の汚染と変形の防止をするもの
である。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明は、ヒータユニッ
トに囲まれた反応管と、ウェーハを水平姿勢で多段に装
填するボートと、該ボートを昇降可能に保持し、前記反
応管内に前記ボートを挿入させ、前記反応管の炉口部を
閉塞するエレベータキャップと、前記反応管にガスを導
入する導入管と、ガスを排気するガス排気管と、該ガス
排気管に排気ガス遮蔽弁と、前記エレベータキャップの
前記炉口部開閉状態を検出する検出手段と、該検出手段
により前記炉口部の開放状態が検出された時に前記排気
ガス遮蔽弁に閉信号を発するコントローラとを具備した
半導体製造装置に係るものである。 【００１１】 【作用】前記検出手段がエレベータキャップの縦型炉炉
口部の開状態を検出した場合に、前記コントローラが前
記排気ガス遮断弁を閉塞し、前記ガス排気管からの排ガ
スの吸引を停止する。従って、縦型炉炉口部の閉塞時の
みガスが排気管を経て吸引排気される。 【００１２】 【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。 【００１３】図１中、図２中で示したものと同一のもの
には同符号を付し、その説明を省略する。 【００１４】ガス排気管３に排気ガス遮断弁８を設け、
該排気ガス遮断弁８にはコントローラ９が電気的に接続
され、前記排気ガス遮断弁８は前記コントローラ９から
の制御信号により開閉される様になっている。又、前記
エレベータキャップ６が反応管１の炉口部を閉塞した状
態の位置検出を行う炉口部開閉検出器１０が設けられ、
該炉口部開閉検出器１０からの信号は前記コントローラ
９に入力される。 【００１５】以下、作動について説明する。 【００１６】前記炉口部開閉検出器１０がエレベータキ
ャップ６により前記反応管１の炉口部を閉塞しているこ
とを検出し、この検出結果が前記コントローラ９に入力
されると該コントローラ９は前記排気ガス遮断弁８に開
信号を発して、該排気ガス遮断弁８を開く、前記反応管
１の内部は図示しない工場施設の排気処理システムによ
り吸引される。 【００１７】次に、エレベータキャップ６が降下し、ボ
ート４が反応管１から引出されると、前記炉口部開閉検
出器１０はエレベータキャップ６の位置から炉口部が開
放されたことを検出し、この検出結果は前記コントロー
ラ９に入力される。該コントローラ９は前記排気ガス遮
断弁８に閉信号を発して、該排気ガス遮断弁８を閉じ
る。排気ガス遮断弁８が閉じられることでガス排気管３
からの吸引はなくなる。 【００１８】而して、炉口部が開放されても該炉口部か
らの外気の吸引はなく、外気、或は昇温した外気が前記
ガス排気管３を流通しないので、該ガス排気管３が汚染
され、或は熱による変形が防止される。 【００１９】尚、上記実施例では炉口部開閉検出器１０
を設けて実際の炉口部の開閉を検出したが、エレベータ
キャップ６の昇降動作の終了開始と同期させ、前記排気
ガス遮断弁８の開閉を行わせる様なシーケンスプログラ
ムを組んでもよく、或は作業者がボタン操作で排気ガス
遮断弁８を開閉する様にしてもよい。 【００２０】 【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、排気管
の熱変形が防止され、排気管の寿命が延び、交換等の保
守作業が著しく減少し、装置の稼働率が向上し、又排気
管の外気による汚染が防止されるので排気管から反応管
内に汚染物質が浸入することが防止され、製品品質の向
上が図れるという優れた効果を発揮する。
製造装置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】図２に従来の半導体製造装置の要部を示
す。 【０００３】図中１は反応管を示し、該反応管１の周囲
は図示しないヒータユニットによって囲まれている。前
記反応管１にはガス導入管２が設けられ、該ガス導入管
２は図示しない不活性ガス源、或は反応ガス源に接続さ
れ、又下流端は前記反応管１の上部に開口している。該
反応管１の下部にはガス排気管３が接続され、該ガス排
気管３は図示しない工場施設の排気処理システムに接続
されている。 【０００４】前記反応管１の内部にはウェーハ５が水平
姿勢で多段に装填されたボート４が装入される様になっ
ており、該ボート４はボートキャップ７を介してエレベ
ータキャップ６に載設される。該エレベータキャップ６
は図示しないボートエレベータによって支持され、昇降
可能となっている。 【０００５】前記ボート４を反応管１内に装入し、前記
エレベータキャップ６が前記反応管１の炉口部を閉塞
し、更に前記したヒータユニットにより反応管１内を所
定の温度に加熱した状態で、前記ガス導入管２より不活
性ガス、或は反応ガスを導入し、更に前記ガス排気管３
より導入したガスを排気することで、ウェーハ５に熱拡
散処理、或はウェーハ５表面に薄膜を生成する。 【０００６】前記した様に、ガス排気管３は排気処理シ
ステムに接続され、該排気処理システムは一般的には気
体を３０ｌ／min 〜２００ｌ／min 程度吸引する様にな
っており、前記反応管１の開放状態、閉塞状態に拘らず
該排気処理システムは前記ガス排気管３より常時吸引し
ている。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】エレベータキャップ６
により前記反応管１を閉塞し、ウェーハ５の処理を行っ
ている時には、不活性ガス、或は反応ガスは５ｌ／min
〜１５ｌ／min 程度導入され、従って前記ガス排気管３
からは導入されたガス流量と略同量のガスが前記ガス排
気管３より吸引排気されていた。 【０００８】ところが、図３で示される様に、前記ボー
ト４が降下すると反応管１の炉口部が開放され、この炉
口部から大気が入る。大気は工場施設の排気処理システ
ムの最大能力（３０ｌ／min 〜２００ｌ／min ）で吸引
され、前記ガス排気管３を通過する。従って、半導体製
造装置を長期間に稼働していると、前記ガス排気管３が
汚染されるという問題があった。又、ウェーハ５処理後
にエレベータキャップ６を下げると、下げている最中は
ウェーハ５、ボート４からの熱輻射で、特に炉口部周辺
の雰囲気温度が上昇する。この為吸引される外気温度も
上昇し、前記ガス排気管３が加熱され変形を生じやすい
という問題があった。 【０００９】本発明は斯かる実情に鑑み、ボートが降下
し、炉口部が開口された場合にもガス排気管が外気を吸
引しない様にし、排気管の汚染と変形の防止をするもの
である。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明は、ヒータユニッ
トに囲まれた反応管と、ウェーハを水平姿勢で多段に装
填するボートと、該ボートを昇降可能に保持し、前記反
応管内に前記ボートを挿入させ、前記反応管の炉口部を
閉塞するエレベータキャップと、前記反応管にガスを導
入する導入管と、ガスを排気するガス排気管と、該ガス
排気管に排気ガス遮蔽弁と、前記エレベータキャップの
前記炉口部開閉状態を検出する検出手段と、該検出手段
により前記炉口部の開放状態が検出された時に前記排気
ガス遮蔽弁に閉信号を発するコントローラとを具備した
半導体製造装置に係るものである。 【００１１】 【作用】前記検出手段がエレベータキャップの縦型炉炉
口部の開状態を検出した場合に、前記コントローラが前
記排気ガス遮断弁を閉塞し、前記ガス排気管からの排ガ
スの吸引を停止する。従って、縦型炉炉口部の閉塞時の
みガスが排気管を経て吸引排気される。 【００１２】 【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。 【００１３】図１中、図２中で示したものと同一のもの
には同符号を付し、その説明を省略する。 【００１４】ガス排気管３に排気ガス遮断弁８を設け、
該排気ガス遮断弁８にはコントローラ９が電気的に接続
され、前記排気ガス遮断弁８は前記コントローラ９から
の制御信号により開閉される様になっている。又、前記
エレベータキャップ６が反応管１の炉口部を閉塞した状
態の位置検出を行う炉口部開閉検出器１０が設けられ、
該炉口部開閉検出器１０からの信号は前記コントローラ
９に入力される。 【００１５】以下、作動について説明する。 【００１６】前記炉口部開閉検出器１０がエレベータキ
ャップ６により前記反応管１の炉口部を閉塞しているこ
とを検出し、この検出結果が前記コントローラ９に入力
されると該コントローラ９は前記排気ガス遮断弁８に開
信号を発して、該排気ガス遮断弁８を開く、前記反応管
１の内部は図示しない工場施設の排気処理システムによ
り吸引される。 【００１７】次に、エレベータキャップ６が降下し、ボ
ート４が反応管１から引出されると、前記炉口部開閉検
出器１０はエレベータキャップ６の位置から炉口部が開
放されたことを検出し、この検出結果は前記コントロー
ラ９に入力される。該コントローラ９は前記排気ガス遮
断弁８に閉信号を発して、該排気ガス遮断弁８を閉じ
る。排気ガス遮断弁８が閉じられることでガス排気管３
からの吸引はなくなる。 【００１８】而して、炉口部が開放されても該炉口部か
らの外気の吸引はなく、外気、或は昇温した外気が前記
ガス排気管３を流通しないので、該ガス排気管３が汚染
され、或は熱による変形が防止される。 【００１９】尚、上記実施例では炉口部開閉検出器１０
を設けて実際の炉口部の開閉を検出したが、エレベータ
キャップ６の昇降動作の終了開始と同期させ、前記排気
ガス遮断弁８の開閉を行わせる様なシーケンスプログラ
ムを組んでもよく、或は作業者がボタン操作で排気ガス
遮断弁８を開閉する様にしてもよい。 【００２０】 【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、排気管
の熱変形が防止され、排気管の寿命が延び、交換等の保
守作業が著しく減少し、装置の稼働率が向上し、又排気
管の外気による汚染が防止されるので排気管から反応管
内に汚染物質が浸入することが防止され、製品品質の向
上が図れるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す基本構成図である。
【図２】従来例の説明図である。
【図３】該従来例の作動説明図である。
【符号の説明】
１ 反応管
２ ガス導入管
３ ガス排気管
４ ボート
５ ウェーハ
６ エレベータキャップ
７ ボートキャップ
８ 排気ガス遮断弁
９ コントローラ
１０ 炉口部開閉検出器
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 ヒータユニットに囲まれた反応管と、ウ
ェーハを水平姿勢で多段に装填するボートと、該ボート
を昇降可能に保持し、前記反応管内に前記ボートを挿入
させ、前記反応管の炉口部を閉塞するエレベータキャッ
プと、前記反応管にガスを導入する導入管と、ガスを排
気するガス排気管と、該ガス排気管に排気ガス遮蔽弁
と、前記エレベータキャップの前記炉口部開閉状態を検
出する検出手段と、該検出手段により前記炉口部の開放
状態が検出された時に前記排気ガス遮蔽弁に閉信号を発
するコントローラとを具備したことを特徴とする半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12091493A JP3369247B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12091493A JP3369247B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310453A JPH06310453A (ja) | 1994-11-04 |
| JP3369247B2 true JP3369247B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=14798122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12091493A Expired - Lifetime JP3369247B2 (ja) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3369247B2 (ja) |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP12091493A patent/JP3369247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06310453A (ja) | 1994-11-04 |
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