JPH0729838A - 半導体製造装置の縦型炉 - Google Patents
半導体製造装置の縦型炉Info
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- JPH0729838A JPH0729838A JP19798993A JP19798993A JPH0729838A JP H0729838 A JPH0729838 A JP H0729838A JP 19798993 A JP19798993 A JP 19798993A JP 19798993 A JP19798993 A JP 19798993A JP H0729838 A JPH0729838 A JP H0729838A
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Abstract
時の反応室の温度の回復安定を短時間で達成し、ウェー
ハの処理時間の短縮を図る。 【構成】ウェーハ加熱用のヒータ1内部に反応管2が設
置され、ボート7に装填されたウェーハ8が前記反応管
内反応室に装入、引出しされる半導体製造装置の縦型炉
に於いて、前記反応室下部領域に温度センサ12を設
け、該温度センサが反応室下部の温度を検出し、従って
該温度センサの温度検出結果を基に迅速な温度回復、温
度の安定を行える。
Description
あり、ウェーハに薄膜を蒸着するCVD(Chemic
al Vapor Diposition)工程、酸化
膜を生成する酸化工程、或はウェーハの拡散、熱処理の
工程に供される半導体製造装置の縦型炉に関するもので
ある。
より説明する。
2が設置され、該外部反応管2内に内部反応管3が同心
に設けられている。前記外部反応管2と内部反応管3に
より下端が閉塞された円筒状の空間6が形成される。前
記内部反応管3の下方にガス導入管10が接続され、前
記空間6の下端には排気管11が接続される。図示しな
いボートエレベータに設けられたボート載置台4にはボ
ートキャップ5を介してボート7が乗置され、該ボート
7は図示しないボートエレベータにより前記内部反応管
3内に装入される。前記外部反応管2は反応室を画成す
る。前記空間6上端近傍(反応室上部)には温度センサ
12が挿入され、該温度センサ12よる検出結果は温度
制御器13に入力され、検出される温度が一定になる
様、前記ヒータ1が制御される。
た状態で、前記ボート7に装填されたウェーハ8が反応
室内に装入され、反応室が排気された後、前記ガス導入
管10より反応ガスが導入され、排気管11より排気さ
れて、ウェーハ8の処理が行われる。処理完了後不活性
ガスを供給して大気圧に復帰させ、前記ボート7を降下
させ引出す。
縦型炉では、処理の度に反応室へウェーハ8の装入、引
出しを行っており、装入、引出しの度に反応室下部(炉
口部近傍、図4中A部分)の温度が低下する。ところが
前記温度センサ12は反応室上部の而もヒータ1近傍の
温度検出を行っている。反応室上部の温度はボート7の
出入れに大きく影響されないと共に温度センサ12はヒ
ータ1の発熱状態に大きく影響されるので、一時的に該
温度センサ12は反応室下部の温度を正確には反映しな
い状態を生ずる。従って、温度センサ12の検出結果で
前記ヒータ1を制御して、反応室下部の温度を安定させ
るには多くの時間を要するという問題があった。
室の温度の回復安定を達成し、ウェーハの処理時間の短
縮を図ろうとするものである。
用のヒータ内部に反応管が設置され、ボートに装填され
たウェーハが前記反応管内反応室に装入、引出しされる
半導体製造装置の縦型炉に於いて、前記反応室下部領域
に温度センサを設けたことを特徴とするものである。
度が低下するが、温度センサが反応室下部の温度を検出
する。従って、該温度センサの温度検出結果を基に迅速
な温度回復、温度の安定を行える。
説明する。
ものには同符号を付してある。
2が設置され、該外部反応管2内に内部反応管3が同心
に設けられている。図示しないボートエレベータに設け
られたボート載置台4にはボートキャップ5を介してボ
ート7が乗置され、該ボート7は図示しないボートエレ
ベータにより前記内部反応管3内に装入される。温度セ
ンサ12を前記ボート7を貫通させ、ボートキャップ5
の上端近傍、即ち反応室下部に位置させて設ける。該温
度センサ12よる検出結果は温度制御器13に入力さ
れ、検出される温度が一定になる様、前記ヒータ1が制
御される。
同様であるので説明を省略する。
前記ヒータ1を制御し、反応室の温度の安定を図った場
合、前記温度センサ12がボート7の出入れに伴う反応
室下部の温度変化を検出し、而もヒータ1自体の発熱状
態の影響を余り受けない位置にあるので、反応室の温度
制御は効果的に行われ、反応室下部の迅速な昇温安定を
実現することができる。
ャップ5の上端位置に炉口ヒータ14を設ける。該炉口
ヒータ14を設けることで、前記ヒータ1下端開口部を
前記炉口ヒータ14で略閉塞した状態となり、前記ヒー
タ1、炉口ヒータ14により反応室が囲繞される。而し
て、ボート7の出入れに伴う反応室下部の温度が低下し
た場合に、温度の低下を前記温度センサ12が迅速に検
知し、更に前記炉口ヒータ14が反応室下部を加熱し、
所要の温度迄昇温させる。従って、より迅速な反応室の
温度の安定を実現することができる。
タ14を設け、前記温度センサ12を前記空間6の下部
に位置させたものであり、本実施例でも同様に反応室下
部の温度検出が行え、前記炉口ヒータ14により反応室
下部を加熱し、迅速に所要の温度に昇温安定化させるこ
とができる。
の出入れに伴う反応室下部の温度の低下を迅速に回復さ
せることができ、炉内温度の安定時間の短縮が図れ、ス
ループットが向上し、半導体製造コストの低減が可能に
なるという優れた効果を発揮する。
Claims (2)
- 【請求項1】 ウェーハ加熱用のヒータ内部に反応管が
設置され、ボートに装填されたウェーハが前記反応管内
反応室に装入、引出しされる半導体製造装置の縦型炉に
於いて、前記反応室下部領域に温度センサを設けたこと
を特徴とする半導体製造装置の縦型炉。 - 【請求項2】 ヒータの下端開口部に略位置する様炉口
ヒータを設けた請求項1の半導体製造装置の縦型炉。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19798993A JP3449630B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP19798993A JP3449630B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0729838A true JPH0729838A (ja) | 1995-01-31 |
JP3449630B2 JP3449630B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=16383664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP19798993A Expired - Lifetime JP3449630B2 (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP3449630B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (1)
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-
1993
- 1993-07-15 JP JP19798993A patent/JP3449630B2/ja not_active Expired - Lifetime
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