JPH09503577A

JPH09503577A - バーンイン用再利用可能ダイ・キャリヤ及びバーンイン処理

Info

Publication number: JPH09503577A
Application number: JP7504177A
Authority: JP
Inventors: リーアポゼデル; ラリーラープ; ジェームズレン
Original assignee: イーアテストシステムズ
Priority date: 1993-07-09
Filing date: 1994-07-07
Publication date: 1997-04-08
Also published as: EP0746772B1; EP0746772A1; EP0746772A4; KR960704236A; WO1995002196A1; SG52417A1; DE69432436D1; KR100385014B1; US5517125A; DE69432436T2

Abstract

(57)【要約】バーンイン及び電気検査の間中に集積回路（１２）を一時的に保持する再利用可能キャリヤ（１０）は、ベース（１４）と蝶番（１８）により該ベース（１４）に取り付けられた蓋（１６）とを含む。可撓性基板（１９）は、適切な接着剤でベース（１４）に取り付けられる。アライメント・ポスト（２０）は、集積回路（１２）のコーナー（２４）を連結するテーパ表面（２２）を有する。バーンインに対して、集積回路ダイ（１２）を包含している仮設パッケージ（１０）は、さもなくば標準バーンインが実行される、次にバーンイン・システムの中に装填される、バーンイン基盤（５０）上のソケット（４８）にここで装填される。

Description

【発明の詳細な説明】バーンイン用再利用可能ダイ・キャリヤ及びバーンイン処理発明の分野本発明は、一般に集積回路及び他の半導体デバイスの評価時に用いる装置及び方法に関する。より特定的には、本発明は、半導体デバイスが検査されかつ／またはバーンインされると同時にばら積みのダイ(unpacked die)として半導体デバイスを一時的に保持する再利用可能キャリヤに関しかつ再利用可能キャリヤを用いたバーンイン及び／又は電気的検査処理に関する。発明の背景離散型パワートランジスタのような、集積回路及び他の半導体デバイスの製造が完了したときに、半導体デバイスは、顧客への出荷の前に欠陥半導体デバイスを識別しかつ除去するためにバーンイン及び電気的検査を受けさせられる。用語 “バーンイン”は、半導体デバイスが制御された温度、一般的にオーブンの高い温度で実行される手順に関し、ある一定の稼動電気バイアス及び／又は信号は、それらが高い温度である間に半導体デバイスに供給される。高い温度の使用は、バーンインの間中にデバイスがさらされる応力を加速し、使用された後すぐにさもなくば故障するであろう限界デバイスがバーンインの間中に故障しかつ出荷の前に除去される。電気的検査において、稼動電気バイアス及び信号のより完全なるセットは、その機能の総評価を提供すべくデバイスに供給される。現在実施されているように、バーンイン及び完全な電気的検査の両方は、それらが回路基盤に挿入されるときに半導体デバイスがパッケージに組み立てられるまで行われない。バーンインに対して、実装されたデバイスは、バーンインの間中に用いられる稼動電気バイアス及び／又は信号を供給すべくパッケージ上の十分な数の接触ピンまたはパッドに接触する回路トレースを含む特殊バーンイン基盤のソケットに一時的に挿入される。あるバーンイン・アプリケーションでは、接触は、実装された集積回路の限定された数のピンまたはパッドに対してだけ行われることが必要である。性能を確認する電気的検査に対して、集積回路は、バーンイン基盤から取り除かれかつ実装された集積回路のピンまたはパッドの全てへの電気的接触を許容する試験装置に配置される。バーンインまたは電気的検査の間中に実装された集積回路が欠陥であると分かったときには、それは、廃棄されなければならない。欠陥ダイに加えて、集積回路パッケージそれ自体が廃棄処分されなけらばならない。多年の間、実装される前に、ダイ・レベルで集積回路の検査及びバーンインを行うことが従って望ましかった。また、マルチチップモジュール（ＭＣＭｓ）の出現は、ＭＣＭへの複数のダイのアセンブリのためのダイ形式でデバイスを実際に出荷する新しい要求を導いた。ＭＣＭｓは、修理することが困難でかつ高価なので、ダイは、ＭＣＭへのアセンブリの前に検査されかつバーンインされなければならない。これを行うための多くの提案がなされたけれども、それらは、一般的使用を達成していない。ダイ・レベルでのバーンイン及び／又は電気的検査を妨げている重要な要因は、そのようなキャリヤに対する厳しい要求を満たすバーンイン及び／又は電気的検査の間中、ダイを担持しかつ保護する装置の欠如であった。発明の目的および概要従って、本発明の目的は、半導体ダイを一時的に保持する新規な再利用可能キャリヤを提供することである。本発明の別の目的は、半導体ダイの電気的検査における使用にも適するバーンインのために半導体ダイを一時的に保持するような再利用可能キャリヤを提供することである。本発明の別の目的は、半導体ダイのバーンイン評価のために再利用可能キャリヤを使用する処理を提供することである。本発明の別の目的は、再利用可能キャリヤが半導体ダイの電気的検査のために更に用いられるような処理を提供することである。本発明の更に別の目的は、処理におけるバーンイン基盤及び通常のバーンイン・システムに用いることができる半導体ダイを一時的に保持するような再利用可能キャリヤを提供することである。本発明の別の目的は、異なる大きさのダイ及び異なる数のピンに対して異なる大きさで容易に供給されうる半導体ダイを一時的に保持するような再利用可能キャリヤを提供することである。本発明の別の目的は、半導体ダイが環境的に保護されうる半導体ダイを一時的に保持するような再利用可能キャリヤを提供することである。これら及び関連する目的の達成は、ここに開示された新規な再利用可能ダイ・キャリヤ及びバーンイン処理の使用を通して達成されうる。本発明による再利用可能キャリヤは、再利用可能キャリヤの外側で半導体ダイの電気的接続のための複数のキャリヤ・コンタクトを有しているベースを有する。ベース上の複数の導電性トレースは、周辺コンタクトに接続された第１の端を有しかつ半導体ダイ上のダイ・コンタクに連結すべく位置決めされた第２の端を有する。ベース上の手段は、複数の導電性トレースの第２の端を連結しているダイ・コンタクトで半導体ダイを位置決めする。蓋は、半導体ダイを覆うべくベース上で移動可能に位置決めされるように構成されている。手段は、ベース上の位置に蓋を固定する。ばら積みの半導体ダイのバーンインのための本発明による処理は、キャリヤ上に複数のコンタクトを有している半導体ダイに対する再利用可能キャリヤを供給することを含む。半導体ダイは、再利用可能キャリヤに挿入される。半導体ダイは、高い温度に加熱される。バーンイン入力電気バイアス及び、任意に信号は、再利用可能キャリヤの外部の発生源から少なくともコンタクトのあるものへかつ再利用可能キャリヤを通して半導体ダイへ供給される。バーンイン入力電気信号に対応するバーンイン出力電気信号は、もし供給されたならば、半導体ダイからかつ再利用可能キャリヤを通して少なくとも複数のコントクトのあるものから受信される。バーンイン出力電気信号は、良好または欠陥として半導体ダイを分類すべく評価される。本発明の上記及び関連する目的の達成、利点及び特徴は、添付した図面を参照して、以下の本発明の詳細な説明の再検討の後で、当業者に容易に明らかであろう。実施例ここで図面、特に図１から図４を参照すると、バーンイン及び／又は電気的検査（試験）の間中に集積回路１２を一時的に保持する再利用可能キャリヤ１０が示されている。再利用可能キャリヤ１０は、ベース１４、蝶番１８でベース１４に取り付けられた蓋１６を含む。例えばポリイミドのような、適切な高分子材料から作られた可撓性基板１９は、適切な接着剤でベース１４に取り付けられている。４つのアライメント・ポスト２０は、基板１９の上部表面２６上に正確に集積回路１２を位置決めすべく集積回路１２のコーナー２４を連結する（噛み合わせる）テーパ表面２２を有する。ばねラッチ２８は、集積回路１２上で閉められた蓋１６を保持すべくベース１４の開口３２に突起３０を連結する。表面２６上の電導性トレース３４は、集積回路１２を基板１９のエッジ４０の回りの周辺接触パッド３８に接続すべく回路１２上の接触パッド（図示省略）を連結する接触バンプ（***）（図示省略）を有する。バンプは、トレース３４上ではなく、回路１２上に代替的に供給されうる。ばね４２は、信頼できる電気的接続を保証すべく十分な力で導電性トレース３４に対して接触パッドを付勢するためのバイアス力を供給すべく、蓋１６が集積回路１２上のその閉じた位置であるときに回路１２の上部表面４３（集積回路１２の裏側を含む）を連結する。ゴムまたは他の適切なコンプライアント材料の薄い層は、導電性トレース３４上の接触パッドとバンプの間の力を均等にするために可撓性基板１９とベース１４の間に供給されうる。真空ポート４６は、基板１９上の場所に集積回路１２を保持するために真空のアプリケーションを許容すべくベース１４、基板１９及びコンプライアント材料を通して供給される。実際には、基板１９は、異なる技術を使っている多数の製造者から入手可能な、市販されている基板であるのが好ましい。例えば、基板は、ニット電工から入手可能な、ＡＳＭＡＴ基板でありうる。再利用可能キャリヤ１０は、適度に環境的に保護されて、ばら積みされた集積回路１２は、クリーン・ルーム環境において取り扱われることをもはや必要としない。再利用可能キャリヤ１０は、ここで標準バーンインまたは検査システムで用いることができる。バーンインに対して、集積回路ダイ１２を包含している仮設パッケージ１０は、さもなくば標準のバーンインが行われる、バーンイン・システムに次に装填される、バーンイン基盤５０上のソケット４８にここで装填される。ここで仮設パッケージ１０の部分である、基板１９のパッド３８は、バーンイン・ソケット４８のリード線５２に接触する。通常のもののように、集積回路１２を動かすために供給された稼動電位及び稼動信号の両方のアプリケーションでか、または稼動電位及び稼動信号の両方のアプリケーション及びバーンインの間中の集積回路１２からの出力信号の感知（検出）により、バーンインは、集積回路への稼動電位だけのアプリケーションで実行されうる。図５〜図６Ｂは、メモリ集積回路６２で使用する別の再利用可能キャリヤ６０を示す。テーパ・アライメント・ポスト６４は、その接触パッドが基板７０上の接触バンプを連結するような正確な位置で異なる形状の集積回路６２を受け取るべく位置決めされている。図１〜図４の実施例におけるように、可撓性ポリイミド基板７０上の電導性銅トレース７２は、集積回路６２を基板７０のエッジ７７の回りの周辺接触パッド６８に接続すべく回路６２上の接触パッドを連結する接触バンプ７４を有している。図示されかつ説明された以外は、本発明の図５〜図６Ｂの実施例の構造及び動作は、図１〜図４の実施例のそれと同じである。図７は、検査のために基板８４上に更なる接触パッド８２を有している再利用可能キャリヤ８０を示す。バーンインよりも多くのコンタクトをしばしば必要とする、検査に対して、再利用可能キャリヤ８０は、テスター（図示省略）のプローブ・カード８６（図８〜図９）に装填される。プローブ・カード８６は、それぞれが、検査のための追加のパッド８２に接触するためにプローブ先端９０にかつテスタ接続９２に接続された、エポキシーまたはポリイミド基盤８９上に複数の導電性トレース８８を有する。明瞭化のために、１２のトレース８８だけを示す。実際には、現実のプローブ・カードは、かなり多くの導電性トレース８８及びプローブ先端９０を包含しうる。追加のパッド８２は、基板８４上の導電性トレース９３により検査下の集積回路に接続されかつ検査のために必要な追加のコンタクトのために用いられる。一般的にプローブ・カードよりもかなり多くのバーンイン・ソケットが要求されるので、基板８４のこの構造は、バーンインに用いられたソケット４８（図１）にさもなくば検査のために必要であったものよりもかなり少ないピンを持たせて、バーンインのコストをセーブする。電気的検査は、バーンインの前または後のどちらかで行われる。図１０〜図１１は、固定されたポスト１０２とばね１０４の組合せがダイ・キャリヤのアライメント機構を供給するダイ・キャリヤ１００の部分を示す。ポスト１０２とばね１０４は、ベース１０６に取り付けられかつ可撓性基板１０８を通って伸張する。固定ポスト１０２は、ダイ１１４の二つの隣接する側面１１０及び１１２の位置を固定して、ダイが基板１０８上に適切に位置決めされることを確実にする。ポスト１０２のベースにおけるテーパ１１６は、ダイ１１４がポスト１０２に対して押し付けられたときに二つの隣接する側面１１０及び１１２を押し下げたままにする。ポスト１０２に対してダイ１１４を保持するための圧力は、ばね１０４に接触してダイの二つのエッジ１１８上に些少の下方向圧力を供給するようにも形づくられる二つのばね１０４によって供給される。ダイ１１４上のこの下方向圧力は、ダイ位置決め機構（図示省略）がそれを解放しかつダイ１１４から引っ張るときにそれを所定の位置に保持して、ダイと位置決め機構の間のあらゆる静電気力または分子間力に打ち勝つ。この圧力は、バーンインまたは検査の後でキャリヤ蓋（図示省略）が開かれたときに所定の位置にダイ１１４を保持するのと同じ機能を供給する。図示及び説明したもの以外に、本発明の図１０〜図１１の実施例の構造及び動作は、図１〜図６Ｂの実施例のものと同じである。本発明の上述した目的を達成できるバーンイン用新規再利用可能ダイ・キャリヤ及びバーンイン処理が提供されたということがここで容易に明らかであろう。再利用可能キャリヤは、半導体ダイを一時的に保持する。一つの形式では、再利用可能キャリヤは、バーンインのために半導体ダイを一時的に保持しかつ半導体ダイの電気的検査の使用にも適している。本発明のこの形式は、余分な接触パッドが検査に対してキャリヤの集積回路に接触するために再利用可能キャリヤに供給されうるので、限られた数のピンだけがバーンイン・ソケットに対して要求されるバーンイン・ソケットに対して実質的な節約を提供する。処理は、半導体ダイのバーンイン評価に対して、かつ任意に半導体ダイの電気的検査に対して、再利用可能キャリヤを用いる。再利用可能キャリヤは、処理において通常のバーンイン・システム及びバーンイン基盤で用いることができる。再利用可能キャリヤは、異なる大きさのダイ及び異なる数のピンに対して異なる大きさで容易に供給されうる。バーンイン基盤の一つのソケット・デザインは、基板の再デザインによりダイ・キャリヤにおいて種々の集積回路ダイで用いられうる。異なる集積回路ダイへの信号の適切な方向は、ダイ・キャリヤにおける異なる基板の使用により達成されうる。この機能は、万能なバーンイン基盤に向けて進展することが可能であるということを意味する。再利用可能キャリヤでは、半導体ダイは、環境的に保護される。図示されかつ記載されたような本発明の形式及び詳細における種々の変形がなされうるということは、当業者にとって更に明らかであろう。そのようは変形が添付した請求の範囲の精神及び範疇内に含まれるということを意図している。図面の簡単な説明図１は、半導体ダイを一時的に保持するための本発明による再利用可能キャリヤの分解斜視図である。図２は、すぐ利用できる、組立てられた形の図１の半導体ダイを一時的に保持する再利用可能キャリヤの断面図である。図３は、図１及び図２の半導体ダイを一時的に保持する再利用可能キャリヤの平面図である。図４は、図２に類似であるが、キャリヤが開いた位置における半導体ダイを一時的に保持する再利用可能キャリヤの断面図である。図５は、図２に類似であるが、半導体ダイを一時的に保持する本発明による再利用可能キャリヤの第２の実施例の断面図である。図６は、図３に類似であるが、半導体ダイを一時的に保持する再利用可能キャリヤの図５の実施例の平面図である。図６Ａは、図５及び図６の再利用可能キャリヤの一部分の平面図である。図６Ｂは、図６Ａにおける領域６Ｂの断面図である。図７は、半導体ダイを一時的に保持する本発明による再利用可能キャリヤの第３の実施例の平面図である。図８は、検査装置に使用される図７の再利用可能キャリヤの平面図である。図９は、図８の線分９−９に沿った、断面図である。図１０は、本発明による再利用可能キャリヤの別の実施例の一部分の平面図である。図１１は、図１０に示したダイキャリヤ部分の側面図である。

【手続補正書】特許法第１８４条の８【提出日】１９９５年７月１７日【補正内容】請求の範囲１．半導体ダイ用キャリヤであって、前記キャリヤの外の前記半導体ダイの電気的接続のための複数のキャリヤ・コンタクトを有しているベース；前記キャリヤ・コンタクトに接続された第１の端及び前記半導体ダイ上のダイ・コンタクトを連結すべく配置された第２の端を有している、前記ベース上の複数の電導性トレース；前記ダイ・コンタクトが前記複数の電導性トレースの前記第２の端を連結することができるように前記ベース上に前記ダイを自動的かつ正確に位置決めすべく前記半導体ダイの一部分を連結するためのアライメント表面を有している少なくとも一つのポジショナ；前記半導体ダイを覆うべく前記ベース上に脱着可能に位置決めするように構成された蓋；前記ベース上の位置に前記蓋を固定するファスナ；を備えていることを特徴とする半導体ダイ用キャリヤ。２．前記ベースは、上部表面を有している剛性部材と該上部表面上の前記半導体ダイに対する可撓性基板とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用キャリヤ。３．前記キャリヤは、前記可撓性基板と前記ベースの間に弾力性コンプライアント材料の層を更に備えていることを特徴とする請求項２に記載の半導体ダイ用キャリヤ。４．前記蓋は、前記ベースに中枢的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用キャリヤ。５．前記ポジショナは、それぞれが、前記半導体ダイの部分を連結するための勾配が付けられた部分を有している複数のアライメント・ポストを備えていることを特徴とする請求項４に記載の半導体ダイ用キャリヤ。６．前記複数の電導性トレースの前記第２の端に対して前記半導体ダイをバイアスする前記蓋上の手段を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用キャリヤ。７．前記ベース上の位置に前記蓋を固定する前記ファスナは、ラッチを備えていることを特徴とする請求項６に記載の半導体ダイ用キャリヤ。８．前記複数の電導性トレースは、前記半導体ダイとして集積回路の前記ダイ・コンタクトを連結すべく構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用キャリヤ。９．前記ベース上の追加の複数の電導性トレースを更に備え、該追加の複数の電導性トレースは、前記半導体ダイの電気検査のために複数の検査コンタクトに接続された第１の端と、前記半導体ダイ上の追加のダイ・コンタクトを連結すべく位置決めされた第２の端とを有し、前記検査コンタクトへの前記追加のトレースの接続は、前記キャリヤ・コンタクトへの前記第１の電導性トレースの接続とは異なる方法によることを特徴とする請求項８に記載の半導体ダイ用キャリヤ。 10．前記複数のキャリヤ・コンタクトは、複数のピンに接続され、かつ前記検査コンタクトは、複数の電気検査プローブによって連結のために前記ベース上に位置決めされることを特徴とする請求項９に記載の半導体ダイ用キャリヤ。 11．前記半導体ダイが前記ポジショナによって連結されている間に該半導体ダイを連結すべく前記ベースを通って延伸している真空ポートを更に備えていることを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載の半導体ダイ用キャリヤ。 12．半導体ダイ用キャリヤであって、その上に前記半導体ダイが取り付けられるベース；前記半導体ダイのバーンインのための前記キャリヤの外部の前記半導体ダイへの電気的接続を行う前記ベース上の第１の複数のバーンイン電気コンタクト；前記半導体ダイの電気検査のための前記半導体ダイへの電気的接続を行う前記ベース上の第２の複数の検査電気コンタクト；を備えていることを特徴とする半導体ダイ用キャリヤ。 13．前記ベースは、上部表面を有している剛性部材と前記上部表面上に取り付けられた前記半導体ダイに対する可撓性基板を備え、前記第１の複数のバーンイン電気コンタクト及び前記第２の複数の検査電気コンタクトが前記可撓性基板上にあることを特徴とする請求項１２に記載の半導体ダイ用キャリヤ。 14．前記第１の複数のバーンイン電気コンタクトと前記半導体ダイの間の接続は、前記第２の複数の検査電気コンタクトと前記半導体ダイの間の接続とはことなる方法であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体ダイ用キャリヤ。 15．ばら積みされた半導体ダイのバーンイン処理であって、前記キャリヤ上の複数のコンタクトを有している前記半導体ダイに対してキャリヤを供給し；前記キャリヤに前記半導体ダイを挿入し；所望の位置に前記半導体ダイを自動的に位置決めし；所望の温度に前記半導体ダイを設定し；前記キャリヤの外部の発生源から前記コンタクトの少なくともあるものにかつ該キャリヤを通して前記半導体ダイにバーンイン入力信号を供給し；バーンインの間中に前記所望の温度に前記半導体ダイを維持し；バーンインの後で前記キャリヤから前記半導体ダイを取り除く段階を具備することを特徴とするバーンイン処理。 16．前記キャリヤの外部の発生源から前記コンタクトの少なくともあるものにかつ該キャリヤを通して前記半導体ダイに電気検査入力信号を供給し；前記半導体ダイからかつ前記キャリヤを通して複数のコンタクトの追加のセットからの電気検査入力信号に応じて電気検査出力信号を受け取り；良好または欠陥として前記半導体ダイを分類するために前記電気検査出力信号を評価する段階を更に具備することを特徴とする請求項１５に記載のバーンイン処理。 17．ばら積みされた半導体ダイのバーンイン処理であって、前記キャリヤ上の複数のコンタクトの第１及び第２のセットを有している前記半導体ダイに対してキャリヤを供給し；前記キャリヤに前記半導体ダイを挿入し；前記第１のセットの前記コンタクトの少なくともあるものを第１の方法で前記半導体ダイに接続し；所望の温度に前記半導体ダイを設定し；前記キャリヤの外部の発生源から前記第１の方法で接続された前記コンタクトに、かつ該キャリヤを通して前記半導体ダイにバーンイン入力信号を供給し；バーンインの間中に前記所望の温度に前記半導体ダイを維持し；バーンインの後でテスタに前記半導体ダイを配置し；前記第２のセットの前記コンタクトの少なくともあるものを前記第１の方法とは異なる第２の方法で前記半導体ダイに接続し；前記キャリヤの外部の発生源から前記第２の方法で接続された前記コンタクトに、かつ該キャリヤを通して前記半導体ダイに電気検査入力信号を供給する段階を具備することを特徴とするバーンイン処理。 18．前記半導体ダイからかつ前記キャリヤを通して前記第２の方法で接続された複数のコンタクトの少なくともあるものからの電気検査入力信号に応じて電気検査出力信号を受け取り；良好または欠陥として前記半導体ダイを分類するために前記電気検査出力信号を評価する段階を更に具備することを特徴とする請求項１７に記載のバーンイン処理。 19．前記バーンイン入力信号は、前記半導体ダイ用稼動入力信号を含むことを特徴とする請求項１５または１７のいずれか一項に記載のバーンイン処理。 20．前記半導体ダイからかつ前記キャリヤを通して前記複数のコンタクトの少なくともあるものからのバーンイン入力信号に応じてバーンイン出力信号を受け取り；良好または欠陥として前記半導体ダイを分類するために前記バーンイン出力信号を評価する段階を更に具備することを特徴とする請求項１９に記載のバーンイン処理。 21．前記キャリヤから良好として分類された前記半導体ダイを取り除き；半導体ダイ・パッケージに前記半導体ダイを実装する段階を更に具備することを特徴とする請求項１６、１８または２０のいずれか一項に記載のバーンイン処理。 22．前記電気検査入力信号を供給し、電気検査出力信号を受け取りかつ前記電気検査電気信号を評価する段階は、前記キャリヤに前記半導体ダイを挿入した後でかつバーンインの前に行われることを特徴とする請求項１６または１８のいずれか一項に記載のバーンイン処理。 23．前記電気検査入力信号を供給し、電気検査出力信号を受け取りかつ前記電気検査電気信号を評価する段階は、バーンインの後で繰り返されることを特徴とする請求項１６、１８または２２のいずれか一項に記載のバーンイン処理。 24．前記半導体ダイは、集積回路であることを特徴とする請求項１５から２３のいずれか一項に記載のバーンイン処理。 25．半導体ダイ上のダイ・コンタクトへの電気接続を供給する相互接続システムであって、各コンダクタがコンタクト部分を含んでいる複数のコンダクタを有しているソケット；半導体ダイを担持するために前記ソケットに取り付けられており、コンプライアント膜を有している基板を含んでいるキャリヤ；前記半導体ダイ上のダイ・コンタクトに接触するための前記コンプライアント膜の表面上の複数の接触バンプを備え、前記基板は、前記接触バンプに電気的に接続された複数の接触パッドも含んでおり；前記接触パッドは、前記ダイ・コンタクトと前記コンダクタを電気的に接続するために前記接触パッドに接触することができることを特徴とする相互接続システム。 26．前記ベースに接触するコンプライアント膜；前記ダイ・コンタクトに接触するように構成されており、前記電導性トレースの前記第２の端で前記コンプライアント膜の表面上に配置された複数の接触バンプ；各コンダクタがコンタクト部分を含んでおり、前記ダイ・コンタクトと前記コンダクタを電気的に接続するために前記キャリヤ・コンタクトに接触することが可能である複数のコンダクタを含んでおり、前記キャリヤを受け入れるように構成されたソケット；を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用キャリヤ。 27．前記ベースに接触するコンプライアント膜；（ｉ）前記コンプライアント膜の表面上に配置され、（ｉｉ）前記ダイ・コンタクトに接触するように構成され、（ｉｉｉ）前記二つの複数の電気コンタクトの一つに接続された複数の接触バンプ；各コンダクタがコンタクト部分を含んでおり、該コンタクト部分が前記複数の電気的コンタクトと前記ダイ・コンタクトを電気的に接続するために、該複数の電気的コンタクトの一つに接触することが可能である、複数のコンダクタを含んでおり、前記キャリヤを受け入れるように構成されたソケット；を更に備えていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体ダイ用キャリヤ。 28．半導体ダイ用キャリヤであって、前記キャリヤの外部の前記半導体ダイの電気的接続のための複数のキャリヤ・コンタクトを有しているベース；前記キャリヤ・コンタクトに接続された第１の端及び前記半導体ダイ上のダイ・コンタクトを連結すべく位置決めされた第２の端を有している、前記べース上の複数の電導性トレース；ダイ・コンタクトが前記複数の電導性トレースの前記第２の端を連結することができるように前記ベース上の前記ダイを位置決めする少なくとも一つのポジショナ；前記ベースに接触するコンプライアント膜；前記ダイ・コンタクトに接触するように構成されており、前記電導性トレースの前記第２の端で前記コンプライアント膜の表面上に配置された複数の接触バンプ；各コンダクタがコンタクト部分を含んでおり、該コンタクト部分が前記ダイ・コンタクトを選択的に検査するために、前記ダイ・コンタクトと前記コンダクタを電気的に接続するために前記キャリヤ・コンタクトに接触することが可能である、複数のコンダクタを含んでおり、前記キャリヤを受け入れるように構成されたソケット；前記半導体ダイを覆うべく前記ベース上に脱着可能に位置決めするように構成された蓋；前記ベース上の位置に前記蓋を固定するファスナ；を備えていることを特徴とする半導体ダイ用キャリヤ。 29．前記半導体ダイは、ばら積みされていることを特徴とする請求項１〜１４または請求項２５〜２８のいずれか一項に記載された半導体ダイ用キャリヤ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者レンジェームズアメリカ合衆国カリフォルニア州 94301 パロアルトサンタリタアベニュー 239

Claims

【特許請求の範囲】１．再利用可能キャリヤの外部で半導体ダイの電気的接続のための複数のキャリヤ・コンタクトを有しているベースと、前記周辺コンタクトに接続された第１の端及び前記半導体ダイ上のダイ・コンタクトを連結するべく位置決めされた第２の端を有している、前記ベース上の複数の導電性トレースと、前記複数の導電性トレースの前記第２の端を連結している前記ダイ・コンタクトで前記半導体ダイを位置決めする前記ベース上の手段と、前記半導体ダイを覆うべく前記ベース上を移動可能に位置決めするように構成された蓋と、前記ベース上の位置に前記蓋を固定する手段とを備えていることを特徴とする半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。２．前記ベースは、上部表面を有している剛性部材と、前記上部表面上に取り付けられた前記半導体ダイ用可撓性基板とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。３．前記再利用可能キャリヤは、前記可撓性基板と前記ベースの間に弾力性コンプライアント材料の層を更に備えていることを特徴とする請求項２に記載の半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。４．前記蓋は、少なくとも一つの蝶番によって前記ベースに取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。５．前記ベース上の位置に前記蓋を固定する手段は、前記ベースの連結を保持するように構成されたラッチを備えていることを特徴とする請求項４に記載の半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。６．前記半導体ダイを位置決めする手段は、それぞれが前記半導体ダイの部分を連結するための勾配が付いている部分を有している複数のアライメント・ポストを備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。７．前記半導体ダイが当該半導体ダイを位置決めする手段にあるときに該半導体ダイを連結すべく前記ベースを通って延伸している真空ポートを更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。８．前記複数の導電性トレースの前記第２の端に対して前記半導体ダイをバイアスする前記蓋上の手段を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。９．前記蓋は、内側表面を有し、かつ前記複数の導電性トレースの前記第２の端に対して前記半導体ダイをバイアスする前記手段は、該蓋の該内側表面に取り付けられたばねを備えていることを特徴とする請求項８に記載の半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。 10．前記複数の導電性トレースは、前記半導体ダイとして集積回路の前記ダイ・コンタクトを連結すべく構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。 11．前記ベース上に追加の複数の導電性トレースを更に備え、該追加の複数の導電性トレースは、前記複数の検査コンタクトに接続された第１の端と前記半導体ダイ上の追加のダイ・コンタクトを連結すべく位置決めされた第２の端とを有していることを特徴とする請求項１０に記載の半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。 12．半導体ダイ用再利用可能キャリヤにおいて、前記再利用可能キャリヤは、該半導体ダイが取り付けられたベースと、該半導体ダイのバーンインに対して該キャリヤの外部で該半導体ダイへの電気接続を行うための該ベース上の第１の複数のバーンイン電気コンタクトとを有し、改良は、前記半導体ダイの電気的検査に対する該半導体ダイへの電気的接続を行うための前記ベース上の第２の複数の検査電気コンタクトを備えていることを特徴とする半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。 13．前記ベースは、上部表面を有している剛性部材と、前記上部表面上に取り付けられた前記半導体ダイ用可撓性基板とを備え、前記第１の複数のバーンイン電気コンタクトと前記第２の複数の検査電気コンタクトが前記可撓性基板上に設けられていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体ダイ用再利用可能キャリヤ。 14．キャリヤ上に複数のコンタクを有している前記半導体ダイ用再利用可能キャリヤを供給し、前記再利用可能キャリヤに前記半導体ダイを挿入し、所望の温度に前記半導体ダイを設定し、前記再利用可能キャリヤの外部の発生源から前記コンタクトの少なくともあるものにかつ該再利用可能キャリヤを通して該半導体ダイにバーンイン電気信号を供給し、バーンインの間中に前記所望の温度に前記半導体ダイを維持し、バーンインの後に前記再利用可能キャリヤから前記半導体ダイを取り除く段階を具備することを特徴とするばら積みされた半導体ダイのバーンイン処理。 15．前記バーンイン電気信号は、前記半導体ダイ用稼動入力信号を含むことを特徴とする請求項１４に記載のバーンイン処理。 16．前記半導体ダイから及び前記再利用可能キャリヤを通して前記複数のコンタクトの少なくともあるものからの前記バーンイン入力電気信号に応じてバーンイン出力電気信号を受け取り、良好または欠陥として前記半導体ダイを分類するために前記バーンイン出力電気信号を評価する段階を更に具備することを特徴とする請求項１５に記載のバーンイン処理。 17．前記再利用可能キャリヤから良好と分類された前記半導体ダイを取り除き、該半導体ダイを半導体ダイ・パッケージに実装する段階を更に具備することを特徴とする請求項１６に記載のバーンイン処理。 18．前記再利用可能キャリヤの外部の発生源から前記コンタクトの少なくともあるものにかつ該再利用可能キャリヤを通して前記半導体ダイに電気検査入力電気信号を供給し、前記半導体ダイ及び前記再利用可能キャリヤを通して前記複数のコンタクトの少なくともあるものからの前記電気検査入力電気信号に応じて電気検査出力電気信号を受け取り、良好または欠陥として前記半導体ダイを分類するために前記電気検査出力電気信号を評価する段階を更に具備することを特徴とする請求項１４に記載のバーンイン処理。 19．前記再利用可能キャリヤから良好と分類された前記半導体ダイを取り除き、半導体ダイ・パッケージに前記半導体ダイを実装する段階を更に具備することを特徴とする請求項１８に記載のバーンイン処理。 20．前記電気検査入力信号を供給し、電気検査出力信号を受け取りかつ前記電気検査電気信号を評価する段階は、前記再利用可能キャリヤに前記半導体ダイを挿入した後でかつバーンインの前に行われることを特徴とする請求項１８に記載のバーンイン処理。 21．前記電気検査入力信号を供給し、電気検査出力信号を受け取りかつ前記電気検査電気信号を評価する段階は、バーンインの後で繰り返されることを特徴とする請求項２０に記載のバーンイン処理。 22．前記電気検査入力信号を供給し、電気検査出力信号を受け取りかつ前記電気検査電気信号を評価する段階は、バーンインの後で繰り返されることを特徴とする請求項１８に記載のバーンイン処理。 23．前記半導体ダイは、集積回路であることを特徴とする請求項１４から請求項２２のいずれか一項に記載バーンイン処理。