JPH0945927A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 222
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 62
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 62
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 22
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
- H01L29/66757—Lateral single gate single channel transistors with non-inverted structure, i.e. the channel layer is formed before the gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
いて、配線の接触不良や信頼性の問題を解決する。 【構成】 薄膜トランジスタのドレイン110と画素電
極であるITO電極114との接続を119で示される
チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層膜で構成
する。この場合、半導体とチタン膜、ITOとチタン膜
とが接触することになるので、接触不良や信頼性の低下
を抑制することができる。またアルミニウム配線の特徴
である低抵抗性を得ることができる。
Description
ティブマトリクス型の表示装置、例えばアクティブマト
リクス型の液晶表示装置の構成に関する。
においては、薄膜トランジスタが石英基板またはガラス
基板上に集積化された構成を有している。この集積度は
近年ますます高めることが要求されている。一方で液晶
表示装置は、大画面を表示することが要求されるので、
ますます大面積化することが要求されている。このこと
は、集積化を増し、同時に小型化が計られるLSI回路
と大きく異なる部分である。
口率を高くする目的から配線の幅を極力細くすることが
求められている。しかし、大面積を有する画素領域に幅
の細い配線を配置した場合、その抵抗分の影響が問題と
なってしまう。
装置においては、各画素に配置される薄膜トランジスタ
を遮蔽する手段や、各画素電極の縁を覆うブラックマト
リクスと称される遮蔽手段が必要とされている。一般に
この薄膜トランジスタの遮蔽手段やブラックマトリクス
は、配線とは別に配置されている。このような構成は、
作製工程の煩雑化を招くことで好ましいことではない。
線材料にアルミニウムを利用することが考えられてい
る。しかし、アルミニウムは半導体や透明導電膜(一般
にITO等の酸化物導電膜が利用される)との電気的な
接触が不安定になりやすく、信頼性が低いという問題が
ある。
る発明は、開口率を高くする構成を作製工程の少ない方
法で得ることを課題とする。また、配線材料によって生
じる接触の不安定性を除去した構成を提供することを課
題とする。
の一つは、半導体と酸化物導電膜とを接続する配線を有
し、前記配線はチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜と
の積層構造を有し、前記チタン膜の一方と半導体とが接
触しており、前記チタン膜の他方と酸化物導電膜とが接
触していることを特徴とする。
2(C)には、薄膜トランジスタのドレイン領域110
とITOでなる画素電極114とをチタン膜とアルミニ
ウム膜とチタン膜との積層膜でなる配線119で接続し
た構成が示されている。
レイン領域110とチタン膜とが接触し、また酸化物で
あるITO電極114とチタン膜とが接触することにな
る。半導体とチタン膜とは電気的に良好な接触を行わす
ことができる。アルミニウムと半導体との接触は不安定
になりやすいという問題がある。しかし上記のような構
成とすることによって、その問題を解決することができ
る。
ものとすることができる。一般にアルミニウムとITO
(一般に酸化物導電膜)との接触も不安定になってしま
うが、このような構成とすることによって、この問題も
解決することができる。また上記ような効果に加えて、
低抵抗のアルミニウムを用いることによる効果も同時に
得ることができる。
化物導電膜と、前記酸化物導電膜と薄膜トランジスタの
ドレイン領域とを接続する配線と、前記配線と同一の材
料で構成される前記薄膜トランジスタを遮蔽するための
遮光膜と、前記配線と同一の材料で構成される前記画素
電極の縁を覆って形成された遮光膜と、を有し、前記配
線はチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積層構造
を有していることを特徴とする。
す。図2(C)には、ITOでなる画素電極114と、
画素電極114と薄膜トランジスタのドレイン領域11
0とを接続するチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜と
の積層膜でなる配線119と、この配線119を構成す
る材料でもって構成された薄膜トランジスタを遮蔽する
遮蔽膜118が示されている。
に、配線119を構成する材料でもってITO電極11
4の縁を覆って形成された遮蔽膜(ブラックマトリク
ス)301が形成されている。
膜118とブラックマトリクス301とは同一の多層膜
をパターニングすることによって得られたものであるこ
とである。即ち、このような構成とすることによって作
製工程を簡略化することができ、作製歩留りの向上や作
製コストの削減することができる。
な特性を考えた場合には、チタン膜を用いることが最も
好ましい。しかし、遮蔽膜やブラックマトリクスといっ
た光学的な役割を考えた場合は、チタン膜の代わりにク
ロム膜を用いることが有用となる。
%以下の適当な不純物を含有させ、その光学特性や電気
特性を制御してもよい。
化物導電膜と、前記酸化物導電膜と薄膜トランジスタの
ドレイン領域とを接続する第1の配線と、前記第1の配
線と同一の材料で構成される前記薄膜トランジスタを遮
蔽するための遮光膜と、前記第1の配線と同一の材料で
構成される前記画素電極の縁を覆って形成された遮光膜
と、前記薄膜トランジスタのソース領域に接続された第
2の配線と、前記第2の配線に接続された前記第1の配
線と同一の材料で構成される引き出し配線と、を有し、
前記第1の配線はチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜
との積層構造を有していることを特徴とする。
す。図2(C)に示す構成においては、第1の配線とし
て119で示されるチタン膜とアルミニウム膜とチタン
膜との積層配線が示されている。また第2の配線として
112で示されるチタン膜とアルミニウム膜との積層配
線が示されている。
とアルミニウム膜とチタン膜との積層膜で構成すること
により、低抵抗であるというアルミニウム膜を用いる有
用性を得られると同時に、半導体とチタン膜の電気的な
接触性の良好さ、さらには酸化物透明導電膜とチタン膜
との電気的な接触性の良好さを利用することができ、信
頼性の高い構成とすることができる。
いて、薄膜トランジスタの遮光膜118と画素電極の縁
を覆うブラックマトリクスとソース配線112からの引
き出し配線を形成することができる。このような構成は
作製歩留りの向上や作製コストの低減を計る上有用なこ
ととなる。
マトリクス型の液晶表示装置の作製工程の概要を示す。
まず基板101であるガラス基板または石英基板上に下
地膜102として酸化珪素膜101を3000Åの厚さ
に成膜する。この下地膜の成膜方法は、プラズマCVD
法やスパッタ法を用いればよい。
拡散を抑えたり、基板と半導体膜との間に働く応力を緩
和する機能を有している。基板として石英基板を用いる
場合には、この下地膜となる陽極酸化膜の厚さを厚くし
た方が好ましい。これは、加熱に際して石英基板は珪素
薄膜に比較してほとんど縮まず、半導体膜との間で応力
が生じやすいからである。
ジスタの活性層を構成するための出発膜となる非晶質珪
素膜を成膜する。この非晶質珪素膜の厚さは例えば50
0Åとする。この非晶質珪素膜の成膜方法は、プラズマ
CVD法や減圧熱CVD法を用いればよい。
もよいのなら、このまま非晶質珪素膜を用いて薄膜トラ
ンジスタを構成する。また高画質な表示を得るのであれ
ば、この非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜に変成
する。以下において結晶性珪素膜に変成する工程の一例
を示す。
素を用いて高い結晶性を有する結晶性珪素膜を得る方法
を示す。まず得られた非晶質珪素膜の表面に所定の濃度
に調整されたニッケル酢酸塩溶液を塗布する。そしてス
ピナーを用いて余分の溶液を吹き飛ばして除去する。こ
うして非晶質珪素膜の表面にニッケル元素が接して保持
された状態とする。そして620℃、4時間の加熱処理
を行うことにより、結晶性珪素膜を得る。
射による方法、単なる加熱による方法、赤外光等の強光
の照射による方法、それらの方法を組み合わせた方法を
利用することができる。
グすることにより、図1(A)に示すように、ガラス基
板101上に下地膜102が形成され、さらに薄膜トラ
ンジスタの活性層103(島状の半導体層)が形成され
た状態を得る。ここでは、活性層103が結晶性珪素膜
で構成されたものとして以下の説明を行う。
縁膜104として機能する酸化珪素膜102をプラスマ
CVD法またはスパッタ法で1000Åの厚さに成膜す
る。さらにスカンジウムが0.2wt %含まれたアルミニウ
ム膜を6000Åの厚さに成膜する。さらにこれをパタ
ーニングしてゲイト電極105を形成する。このゲイト
電極105が1層目の配線となる。
ことは重要である。図3に示すようにゲイト電極105
はマトリクス状に配置されたゲイト線から延在して構成
されている。従って、その配線抵抗が無視できない場合
は、信号の遅延や動作不良が生じてしまう。特に大面積
化された液晶表示装置においてはこの問題が顕在化す
る。よって、本実施例に示すようにゲイト電極およびそ
れと同時に形成されるゲイト線を低抵抗材料であるアル
ミニウムで構成することは有用なこととなる。
3〜10%含まれたPH≒7のエチレングルコール溶液
を電解溶液とした陽極酸化を行う。この陽極酸化を行う
ことで緻密な膜質を有する陽極酸化膜106を2500
Åの厚さに形成する。この陽極酸化膜は、アルミニウム
の異常成長やクラックの発生を防ぐといった機能を有し
ている。またこの陽極酸化膜は、後の不純物イオンの注
入工程において、オフセットゲイト領域を形成するため
のマスクとして機能する。
びドレイン領域を形成するための不純物イオンの注入を
行う。ここではNチャネル型の薄膜トランジスタを形成
するためにP(リン)イオンの注入をプラズマドーピン
グ法でもって行う。
107とドレイン領域110とが自己整合的に形成され
る。また同時にチャネル形成領域109とオフセットゲ
イト領域108とがやはり自己整合的に形成される。
(図1(C))
了したら、レーザー光の照射を行い、ソース/ドレイン
領域のアニールを行う。即ち、注入されたPイオンの活
性化とPイオンの注入により損傷した領域の結晶性の回
復を行う。
化珪素膜を5000Åの厚さにプラズマCVD法でもっ
て成膜する。そしてソース領域107に達するコンタク
トホールの形成を行う。なお層間絶縁膜として酸化珪素
膜を用いると、後に形成される配線のチタン膜と酸化珪
素膜とが反応し、酸化チタンが形成されてしまうことが
ある。このような場合は、酸化珪素膜の代わりに窒化珪
素膜を用いることが好ましい。また酸化珪素膜と窒化珪
素膜を用いることが好ましい。(図1(D))
コンタクトするソース配線の形成を行う。この配線ソー
ス112は、チタン膜とアルミニウム膜との積層で構成
されている。ここではチタン膜の厚さを500Å、アル
ミニウム膜の厚さを4000Åとする。成膜方法はスパ
ッタ法を用いる。なおこのソース配線112が2層目の
配線となる。
素との接触を行わすと両者が反応してしまい接触不良が
生じたり、接触抵抗の経時変化が生じてしまうからであ
る。図3に示すようこの配線ソース112から延在して
各画素に配置された薄膜トランジスタのソース領域にコ
ンタクトが行われる。
絶縁膜113を4000Åの厚さに成膜する。この第2
の層間絶縁膜は、プラズマCVD法で成膜される酸化珪
素膜でもって構成される。また後にチタン膜が酸化チタ
ン膜に変成しないようにするために、酸化珪素膜の代わ
りに窒化珪素膜を用いるのでもよい。また酸化珪素膜と
窒化珪素膜との積層膜を用いるのでもよい。また窒化珪
素膜と酸化珪素膜と窒化珪素膜との積層膜を用いるので
もよい。
成する。ITO電極以外には、SnO2 を利用すること
ができる。ここで重要なのは、画素電極として透明導電
膜を用いる必要があるということである。
形成を行う。115は、ソース線の取り出し電極であ
り、周辺回路との接続が行われる配線を形成するための
開口である。また116はドレイン領域と画素電極との
コンタクトをとるための開口である。(図2(B))
する。この3層膜は、チタン膜とアルミニウム膜とチタ
ン膜とで構成される。成膜方法はスパッタ法、または蒸
着法を用いる。そしてこの3層目をパターニングして、 (1)周辺回路とのコンタクトや外部回路とのコンタク
トを取るための配線117 (2)薄膜トランジスタを遮光するための遮光膜118 (3)薄膜トランジスタの出力(ソース領域110)を
画素電極114に連結するための配線119 (4)図2には図示されないブラックマトリクス(図3
の301で図示)を形成する。
造とすることで、 ・ソース領域110とのコンタクトを良好なものとす
る。 ・2層目の配線112とのコンタクトを良好なものとす
る。 ・ITO電極114とのコンタクトを良好なものとす
る。 といった効果を得ることができる。
を示す。図3には、一つの画素を中心として示されてい
る。図3のA−A’で切った断面が図2(C)に示す構
成に相当する。図3には、画素電極114の縁を覆うよ
うに配置されているブラックマトリクス301が示され
ている。また図3を見れば明らかなように、本実施例に
おいては、ブラックマトリクス301と薄膜トランジス
タの遮光膜118とはつながった膜でもって構成されて
いる。しかしこのブラックマトリクス301と遮光膜1
18とを別々に分離する構成としてもよい。なお、遮光
膜118と配線119とをつなげることは、不要な容量
を形成してしまうことになるので好ましくない。
れる配線は示されていない。この117で示される配線
は、実際には画素領域の端においてソース線112の端
部にコンタクトする構成となる。
構成においてゲイト電極の構造を工夫した例に関する。
本実施例においては、ゲイト電極をチタン膜とアルミニ
ウム膜とチタン膜との積層で構成したことを特徴とす
る。
示す。図4(A)に示されているのは、酸化珪素膜でな
るゲイト電極401上にチタン膜を100Å程度の厚さ
に成膜し、さらにスカンジウムを微量に含有するアルミ
ニウム膜を5000Åの厚さに成膜し、さらにチタン膜
を100Å程度の厚さに成膜し、このチタン膜とアルミ
ニウム膜とチタン膜との積層膜をゲイト電極の形状にパ
ターニングした状態が示されている。
アルミニウム膜403とチタン膜404とで構成される
ゲイト電極が示されている。
を行い、ゲイト電極の周囲に緻密な陽極酸化膜405を
形成する。陽極酸化膜の厚さは200Åとする。ここで
は、チタンとアルミニウムの陽極酸化膜を形成すること
になるので、数百Å以上の厚さに陽極酸化膜を形成する
ことは困難である。(図4(B))
06をプラズマCVD法で4000Åの厚さに成膜す
る。(図4(C))
アルミニウム配線407を形成するためのコンタクトホ
ールの形成を行い、ゲイト電極を構成するチタン膜40
4にアルミニウム配線407を形成する。なお、このア
ルミニウム配線は、薄膜トランジスタが形成された部分
から離れた周辺回路部分に形成される。
アルミニウム膜が直接触れることがないので、アルミニ
ウムの以上成長部分がゲイト絶縁膜内に侵入したりする
ことがないものとすることができる。そして、ゲイト電
極とゲイト絶縁膜との間における界面特性を良好なもの
とすることができる。この結果、薄膜トランジスタの動
作を良好なものとすることができる。
クトホールの形成において、ゲイト電極上面の陽極酸化
膜へのエッチング工程が容易となる。即ち、アルミニウ
ム上に陽極酸化膜が形成されている状態においては、陽
極酸化膜のみを選択的に除去することが困難であるが、
本実施例に示すような構成とすることにより、この問題
を解決することができる。
に組み合わせることにより、得られる装置の作製歩留り
や作製コストの削減を実現することができる。また装置
の信頼性を高めることができる。
で、配線材料によって生じる接触の不安定性を除去した
構成を得ることができる。
とすることで以下に示すような効果を得ることができ
る。 (1)ソース線112をアルミニウム膜とチタン膜の積
層膜とすることで、ソース配線における電圧降下を抑制
することができる。この効果は特に大面積の液晶表示装
置において顕著に有用なものとなる。 (2)ソース線112をアルミ膜とチタン膜の積層膜と
することで、ソース配線112とソース領域107との
電気的な接続を確実なものとすることができる。 (3)119で示されるドレイン領域110と画素電極
114とを接続するための配線を構成するための多層膜
を用いて遮光膜118を形成することができる。特にこ
の遮光膜は新たな工程を付加せずに得ることができる。 (4)周辺回路との接続に利用される配線117を配線
119と同時に形成することができる。またこの配線1
17のソース配線112とのコンタクト及び周辺回路の
コンタクトを確実なものとすることができる。 (5)配線119において、ドレイン領域110とIT
O電極114とのコンタクトを確実なものとすることが
できる。 (6)配線119の形成と同時にブラックマトリクスを
形成することができる。
しに、多数の役割を有する構成を同時に形成することが
できる。そして、高い特性を有したアクティブマトリク
ス型の液晶表示装置を低コストで得ることができる。
す。
す。
膜との積層膜) 113 層間絶縁膜(2層目の層間絶縁膜) 114 画素電極(ITO電極) 115 ソース配線へのコンタクト開口 116 ドレイン領域へのコンタウト開口 117 周辺回路への配線 118 遮蔽膜 119 ドレイン領域と画素電極とを接続する
配線 301 ブラックマトリクス
Claims (6)
- 【請求項1】半導体と酸化物導電膜とを接続する配線を
有し、 前記配線はチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積
層構造を有し、 前記チタン膜の一方と半導体とが接触しており、 前記チタン膜の他方と酸化物導電膜とが接触しているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】画素電極を構成する酸化物導電膜と、 前記酸化物導電膜と薄膜トランジスタのドレイン領域と
を接続する配線と、 前記配線と同一の材料で構成される前記薄膜トランジス
タを遮蔽するための遮光膜と、 前記配線と同一の材料で構成される前記画素電極の縁を
覆って形成された遮光膜と、 を有し、 前記配線はチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜との積
層構造を有していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項3】画素電極を構成する酸化物導電膜と、 前記酸化物導電膜と薄膜トランジスタのドレイン領域と
を接続する第1の配線と、 前記第1の配線と同一の材料で構成される前記薄膜トラ
ンジスタを遮蔽するための遮光膜と、 前記第1の配線と同一の材料で構成される前記画素電極
の縁を覆って形成された遮光膜と、 前記薄膜トランジスタのソース領域に接続された第2の
配線と、 前記第2の配線に接続された前記第1の配線と同一の材
料で構成される引き出し配線と、 を有し、 前記第1の配線はチタン膜とアルミニウム膜とチタン膜
との積層構造を有していることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項4】請求項1乃至請求項3において、 酸化物導電膜としてITOまたはSn O2 膜が利用され
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項5】請求項1乃至請求項3において、チタン膜
の代わりにクロム膜が用いられることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項6】請求項3において、第2の配線はチタン膜
とアルミニウム膜との積層膜で構成されていることを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21119595A JP3744980B2 (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 半導体装置 |
US08/683,241 US6166396A (en) | 1995-07-27 | 1996-07-18 | Semiconductor devices |
KR1019960030782A KR100401654B1 (ko) | 1995-07-27 | 1996-07-27 | 반도체장치 |
US09/749,864 US6495857B2 (en) | 1995-07-27 | 2000-12-26 | Thin film transister semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21119595A JP3744980B2 (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 半導体装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0945927A true JPH0945927A (ja) | 1997-02-14 |
JP3744980B2 JP3744980B2 (ja) | 2006-02-15 |
Family
ID=16601956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21119595A Expired - Lifetime JP3744980B2 (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6166396A (ja) |
JP (1) | JP3744980B2 (ja) |
KR (1) | KR100401654B1 (ja) |
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US7420211B2 (en) | 1998-12-18 | 2008-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring line and manufacture process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof |
JP2015079265A (ja) * | 1999-10-29 | 2015-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子装置 |
JP2003043950A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
US7317206B2 (en) | 2003-03-12 | 2008-01-08 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Conductive elements for thin film transistors used in a flat panel display |
US7417249B2 (en) | 2004-08-20 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a wiring including an aluminum carbon alloy and titanium or molybdenum |
US8514341B2 (en) | 2004-09-15 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7859606B2 (en) | 2004-09-15 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device |
US8786794B2 (en) | 2004-09-15 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9252227B2 (en) | 2004-09-15 | 2016-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9716180B2 (en) | 2004-09-15 | 2017-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10109744B2 (en) | 2004-09-15 | 2018-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10573757B2 (en) | 2004-09-15 | 2020-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10903367B2 (en) | 2004-09-15 | 2021-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11482624B2 (en) | 2004-09-15 | 2022-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2005317983A (ja) * | 2005-05-16 | 2005-11-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2021073678A (ja) * | 2008-07-10 | 2021-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US11908976B2 (en) | 2008-07-10 | 2024-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
JP2011091352A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-05-06 | Kobe Steel Ltd | 薄膜トランジスタ基板およびその製造方法並びに表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3744980B2 (ja) | 2006-02-15 |
US6495857B2 (en) | 2002-12-17 |
KR100401654B1 (ko) | 2004-05-12 |
US20010001496A1 (en) | 2001-05-24 |
KR970005998A (ko) | 1997-02-19 |
US6166396A (en) | 2000-12-26 |
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Legal Events
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041116 |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091202 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101202 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101202 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111202 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111202 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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