JPH0945581A - 積層型コンデンサ - Google Patents
積層型コンデンサInfo
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- JPH0945581A JPH0945581A JP7195214A JP19521495A JPH0945581A JP H0945581 A JPH0945581 A JP H0945581A JP 7195214 A JP7195214 A JP 7195214A JP 19521495 A JP19521495 A JP 19521495A JP H0945581 A JPH0945581 A JP H0945581A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高温，高電圧の環境では、誘電体磁器自体の電
気伝導性が高くなって誘電体としての機能を果たさなく
なり、高温，高電圧環境においては誘電体としての寿命
が短く、さらに、高温と低温が交互に生じるような環境
で使用される場合、内部電極層と誘電体層との接合強度
が低下して境界部分にクラック等が生じ易く、熱衝撃性
が低いという問題があった。 【解決手段】チタン酸バリウムを主成分とし、このチタ
ン酸バリウム１００モル部に対してマンガンを０．０４
〜０．５モル部含有する厚み３〜１０μｍの誘電体磁器
層と、卑金属からなる内部電極層とを交互に積層してな
る積層型コンデンサであって、前記誘電体磁器層の熱処
理前後の重量変化から求められる酸素空孔補償量ΔＶo
が０．００５〜０．５モル％である積層型コンデンサ。
気伝導性が高くなって誘電体としての機能を果たさなく
なり、高温，高電圧環境においては誘電体としての寿命
が短く、さらに、高温と低温が交互に生じるような環境
で使用される場合、内部電極層と誘電体層との接合強度
が低下して境界部分にクラック等が生じ易く、熱衝撃性
が低いという問題があった。 【解決手段】チタン酸バリウムを主成分とし、このチタ
ン酸バリウム１００モル部に対してマンガンを０．０４
〜０．５モル部含有する厚み３〜１０μｍの誘電体磁器
層と、卑金属からなる内部電極層とを交互に積層してな
る積層型コンデンサであって、前記誘電体磁器層の熱処
理前後の重量変化から求められる酸素空孔補償量ΔＶo
が０．００５〜０．５モル％である積層型コンデンサ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チタン酸バリウム
を主成分とし、マンガンを含有する誘電体磁器層と、ニ
ッケル等の卑金属からなる内部電極を有する積層型コン
デンサに関するものである。
を主成分とし、マンガンを含有する誘電体磁器層と、ニ
ッケル等の卑金属からなる内部電極を有する積層型コン
デンサに関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、積層型コンデンサ等の積層型電子部
品を得るにあたっては、内部電極を構成する電極材料と
誘電体セラミックスとを一体焼成して得られた焼結体が
用いられている。ところで積層コンデンサを製作する場
合、従来のＢａＴｉＯ3 を主成分とする誘電体材料で
は、１３００〜１５００℃で焼成するため、内部電極材
料としては、このような温度で溶融しないＰｔ，Ｐｄ等
の貴金属が使用されていた。
品を得るにあたっては、内部電極を構成する電極材料と
誘電体セラミックスとを一体焼成して得られた焼結体が
用いられている。ところで積層コンデンサを製作する場
合、従来のＢａＴｉＯ3 を主成分とする誘電体材料で
は、１３００〜１５００℃で焼成するため、内部電極材
料としては、このような温度で溶融しないＰｔ，Ｐｄ等
の貴金属が使用されていた。
【０００３】しかしながら、これらの貴金属は高価であ
るという問題があり、高容量化を図るために内部電極数
を増加させた場合にはコストが著しく高くなる。そこ
で、安価なニッケル等の卑金属を内部電極材料として用
いることが試みられている。
るという問題があり、高容量化を図るために内部電極数
を増加させた場合にはコストが著しく高くなる。そこ
で、安価なニッケル等の卑金属を内部電極材料として用
いることが試みられている。
【０００４】しかしながらニッケル等の卑金属からなる
内部電極を用いた場合には、内部電極材料が酸化しやす
いため還元雰囲気中で焼成しなければならず、そのよう
な雰囲気下で焼成すると、セラミックスが還元され絶縁
性を失ってしまうという問題があった。このような問題
を解決するものとして、例えばＢａＴｉＯ3 にＭｇＯや
ＭｎＯを添加したり（特開昭５７−７１８６６号公報参
照）、さらにこの系にＣａＺｒＯ3 を添加したり（特開
昭６２−１５７６０３号公報参照）することが提案され
ていた。
内部電極を用いた場合には、内部電極材料が酸化しやす
いため還元雰囲気中で焼成しなければならず、そのよう
な雰囲気下で焼成すると、セラミックスが還元され絶縁
性を失ってしまうという問題があった。このような問題
を解決するものとして、例えばＢａＴｉＯ3 にＭｇＯや
ＭｎＯを添加したり（特開昭５７−７１８６６号公報参
照）、さらにこの系にＣａＺｒＯ3 を添加したり（特開
昭６２−１５７６０３号公報参照）することが提案され
ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の組成を用いた積層型コンデンサでは、高
温，高電圧の環境で用いられる場合には製品寿命が短い
という問題があった。その原因は、高温，高電圧の環境
においては、誘電体磁器自体の電気伝導性が高くなって
誘電体としての機能を果たさなくなり、即ち、高温，高
電圧環境においては誘電体としての寿命が短くなり、そ
の実用化に際して障害となっていた。特に、高容量化の
ために誘電体層を薄層化する傾向にあるが、従来のグリ
ーンシートを用いた方法では薄層化に限界があった。ま
た、誘電体層が薄くなる程、高温，高電圧環境において
は電気伝導性が高くなり易いという問題があった。
ような従来の組成を用いた積層型コンデンサでは、高
温，高電圧の環境で用いられる場合には製品寿命が短い
という問題があった。その原因は、高温，高電圧の環境
においては、誘電体磁器自体の電気伝導性が高くなって
誘電体としての機能を果たさなくなり、即ち、高温，高
電圧環境においては誘電体としての寿命が短くなり、そ
の実用化に際して障害となっていた。特に、高容量化の
ために誘電体層を薄層化する傾向にあるが、従来のグリ
ーンシートを用いた方法では薄層化に限界があった。ま
た、誘電体層が薄くなる程、高温，高電圧環境において
は電気伝導性が高くなり易いという問題があった。
【０００６】また、上記のような従来の組成を用いた積
層型コンデンサでは、高温と低温が交互に生じるような
環境で使用される場合、内部電極層と誘電体層との接合
強度が低下して境界部分にクラック等が生じ易くなり、
熱衝撃性が低いという問題があった。
層型コンデンサでは、高温と低温が交互に生じるような
環境で使用される場合、内部電極層と誘電体層との接合
強度が低下して境界部分にクラック等が生じ易くなり、
熱衝撃性が低いという問題があった。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、誘電体磁器層の厚みが３〜１
０μｍと薄い場合でも、高温，高電圧の環境下における
寿命を向上することができるとともに、熱衝撃性を向上
することができる積層型コンデンサを提供することを目
的とする。
０μｍと薄い場合でも、高温，高電圧の環境下における
寿命を向上することができるとともに、熱衝撃性を向上
することができる積層型コンデンサを提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記問題
点に関して鋭意検討した結果、ＢａＴｉＯ3 １００モル
部に対してマンガンを０．０４〜０．５モル部含有する
厚み３〜１０μｍの誘電体磁器層と、卑金属からなる内
部電極層とを交互に積層してなり、誘電体磁器層の熱処
理前後の重量変化から求められる酸素空孔補償量ΔＶo
が０．００５〜０．５モル％である場合には、誘電体層
が薄層であっても高温，高電圧の環境下における寿命を
向上することができるとともに、熱衝撃性を向上するこ
とができることを見い出し、本発明に至った。
点に関して鋭意検討した結果、ＢａＴｉＯ3 １００モル
部に対してマンガンを０．０４〜０．５モル部含有する
厚み３〜１０μｍの誘電体磁器層と、卑金属からなる内
部電極層とを交互に積層してなり、誘電体磁器層の熱処
理前後の重量変化から求められる酸素空孔補償量ΔＶo
が０．００５〜０．５モル％である場合には、誘電体層
が薄層であっても高温，高電圧の環境下における寿命を
向上することができるとともに、熱衝撃性を向上するこ
とができることを見い出し、本発明に至った。
【０００９】即ち、本発明の積層型コンデンサは、チタ
ン酸バリウムを主成分とし、このチタン酸バリウム１０
０モル部に対してマンガンを０．０４〜０．５モル部含
有する厚み３〜１０μｍの誘電体磁器層と、卑金属から
なる内部電極層とを交互に積層してなる積層型コンデン
サであって、前記誘電体磁器層の熱処理前後の重量変化
から求められる酸素空孔補償量ΔＶo が０．００５〜
０．５モル％のものである。
ン酸バリウムを主成分とし、このチタン酸バリウム１０
０モル部に対してマンガンを０．０４〜０．５モル部含
有する厚み３〜１０μｍの誘電体磁器層と、卑金属から
なる内部電極層とを交互に積層してなる積層型コンデン
サであって、前記誘電体磁器層の熱処理前後の重量変化
から求められる酸素空孔補償量ΔＶo が０．００５〜
０．５モル％のものである。
【００１０】
【作用】本発明の積層型コンデンサでは、酸素空孔濃度
が雰囲気によって変化することが、製品寿命を長くする
ために必要であるが、還元焼成後に熱処理を行ったとし
ても、酸素空孔濃度の変化がなければ製品寿命は変化し
ない。本願発明では、熱処理を行うことと、マンガン添
加量を制御すること、および誘電磁器層用スリップを用
いて３〜１０μｍの誘電体磁器層を作製することによ
り、酸素空孔濃度を変化させ、酸素空孔補償量ΔＶo を
０．００５〜０．５モル％とすることができるのであ
る。
が雰囲気によって変化することが、製品寿命を長くする
ために必要であるが、還元焼成後に熱処理を行ったとし
ても、酸素空孔濃度の変化がなければ製品寿命は変化し
ない。本願発明では、熱処理を行うことと、マンガン添
加量を制御すること、および誘電磁器層用スリップを用
いて３〜１０μｍの誘電体磁器層を作製することによ
り、酸素空孔濃度を変化させ、酸素空孔補償量ΔＶo を
０．００５〜０．５モル％とすることができるのであ
る。
【００１１】高温，高電圧の環境下における寿命は電子
濃度の変化によって決まることから、電子濃度が添加物
の価数変化によって補償されるならば寿命を長くするこ
とができる。添加物の価数変化は、同時に酸素空孔濃度
を変化させることから、酸素空孔濃度の変化する磁器は
添加物が価数変化することを示しており、寿命を長くす
る傾向に一致する。即ち、酸素空孔補償量の大きい組成
及びプロセスは、高温、高電圧の環境下における製品寿
命を長くすることができる。
濃度の変化によって決まることから、電子濃度が添加物
の価数変化によって補償されるならば寿命を長くするこ
とができる。添加物の価数変化は、同時に酸素空孔濃度
を変化させることから、酸素空孔濃度の変化する磁器は
添加物が価数変化することを示しており、寿命を長くす
る傾向に一致する。即ち、酸素空孔補償量の大きい組成
及びプロセスは、高温、高電圧の環境下における製品寿
命を長くすることができる。
【００１２】また、本願発明の積層型コンデンサでは、
内部電極層と誘電体層との接合強度が向上し、高温と低
温が交互に生じるような環境での使用でも、熱衝撃性が
向上し、内部電極層と誘電体層との境界部分にクラック
等が生じることがない。
内部電極層と誘電体層との接合強度が向上し、高温と低
温が交互に生じるような環境での使用でも、熱衝撃性が
向上し、内部電極層と誘電体層との境界部分にクラック
等が生じることがない。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明における積層型コンデンサ
の誘電体磁器層は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）
を主成分とするもので、例えば、ＢａＴｉＯ3 １００モ
ル部に対して、ＭｇＯを０．２〜２．０モル部、Ｙ2 Ｏ
3 を０．５〜１．５モル部、ＭｎＣＯ3 を０．０４〜
０．５モル部からなる成分１００重量部に対して、Ｓｉ
Ｏ2 ２０〜７０モル％、Ｌｉ2 Ｏ０〜５０モル％、Ｂａ
Ｏ０〜４０モル％、ＣａＯ０〜４０モル％からなるガラ
ス成分を０〜３重量部添加して構成される。この場合
に、不純物としてＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｆｅ2 Ｏ3 が
混入する場合がある。
の誘電体磁器層は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）
を主成分とするもので、例えば、ＢａＴｉＯ3 １００モ
ル部に対して、ＭｇＯを０．２〜２．０モル部、Ｙ2 Ｏ
3 を０．５〜１．５モル部、ＭｎＣＯ3 を０．０４〜
０．５モル部からなる成分１００重量部に対して、Ｓｉ
Ｏ2 ２０〜７０モル％、Ｌｉ2 Ｏ０〜５０モル％、Ｂａ
Ｏ０〜４０モル％、ＣａＯ０〜４０モル％からなるガラ
ス成分を０〜３重量部添加して構成される。この場合
に、不純物としてＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｆｅ2 Ｏ3 が
混入する場合がある。
【００１４】特には、静電容量温度特性の平坦化という
ためには、ＢａＴｉＯ3 １００モル部に対して、ＭｇＯ
を０．５〜１．５モル部、Ｙ2 Ｏ3 を０．７５〜１．２
５ル部、ＭｎＣＯ3 を０．１〜０．３モル部からなる成
分１００重量部に対して、ＳｉＯ2 ４０〜６０モル％、
Ｌｉ2 Ｏ１０〜２５モル％、ＢａＯ１５〜４０モル％、
ＣａＯ０〜２５モル％からなるガラス成分を１〜２重量
部添加して構成される。
ためには、ＢａＴｉＯ3 １００モル部に対して、ＭｇＯ
を０．５〜１．５モル部、Ｙ2 Ｏ3 を０．７５〜１．２
５ル部、ＭｎＣＯ3 を０．１〜０．３モル部からなる成
分１００重量部に対して、ＳｉＯ2 ４０〜６０モル％、
Ｌｉ2 Ｏ１０〜２５モル％、ＢａＯ１５〜４０モル％、
ＣａＯ０〜２５モル％からなるガラス成分を１〜２重量
部添加して構成される。
【００１５】誘電体磁器層の厚みを３〜１０μｍとした
のは、厚みを薄くし、高容量下を図るためである。厚み
が３μｍよりも薄い場合には、ドクターブレード法によ
る成形が困難となり、１０μｍよりも厚い場合には、静
電容量が低くなるからである。誘電体磁器層の厚みは耐
電圧という点から５〜１０μｍが望ましい。
のは、厚みを薄くし、高容量下を図るためである。厚み
が３μｍよりも薄い場合には、ドクターブレード法によ
る成形が困難となり、１０μｍよりも厚い場合には、静
電容量が低くなるからである。誘電体磁器層の厚みは耐
電圧という点から５〜１０μｍが望ましい。
【００１６】マンガンをＢａＴｉＯ3 １００モル部に対
して０．０４〜０．５モル部含有させたのは、マンガン
添加により酸素空孔補償量ΔＶo を増加することができ
るからであり、マンガンが０．０４モル部よりも少ない
場合には必要なΔＶo が得られなくなり、マンガンが
０．５モル部よりも多い場合には、エージング特性が悪
化し、高温，高電圧の環境下における寿命が短くなるか
らである。マンガンは０．１〜０．３モル部含有するこ
とが高温，高電圧の環境下における寿命の確保という点
から望ましい。
して０．０４〜０．５モル部含有させたのは、マンガン
添加により酸素空孔補償量ΔＶo を増加することができ
るからであり、マンガンが０．０４モル部よりも少ない
場合には必要なΔＶo が得られなくなり、マンガンが
０．５モル部よりも多い場合には、エージング特性が悪
化し、高温，高電圧の環境下における寿命が短くなるか
らである。マンガンは０．１〜０．３モル部含有するこ
とが高温，高電圧の環境下における寿命の確保という点
から望ましい。
【００１７】内部電極としてはＮｉ，Ｃｕ等の卑金属か
らなるものである。
らなるものである。
【００１８】酸素空孔補償量ΔＶo とは、雰囲気の変化
に対する酸素空孔濃度変化のうち、特に、添加物の価数
変化に基づく変化分を示すものであり、この量が大きい
ほど、高温，高電圧の環境下における寿命が長くなる。
酸素空孔補償量ΔＶo は、例えば温度１０００℃、酸素
分圧１０-4Ｐａの雰囲気中での熱処理前後の重量変化か
ら求められる。
に対する酸素空孔濃度変化のうち、特に、添加物の価数
変化に基づく変化分を示すものであり、この量が大きい
ほど、高温，高電圧の環境下における寿命が長くなる。
酸素空孔補償量ΔＶo は、例えば温度１０００℃、酸素
分圧１０-4Ｐａの雰囲気中での熱処理前後の重量変化か
ら求められる。
【００１９】酸素空孔補償量ΔＶo を０．００５〜０．
５モル％としたのは、この範囲内であれば高温，高電圧
下での寿命を十分に長くできるからである。即ち、酸素
空孔補償量ΔＶo が０．００５モル％よりも少ない場合
や、０．５モル％よりも多い場合には、高温，高電圧下
での寿命が短くなるからである。酸素空孔補償量ΔＶo
は寿命のバラツキを抑制するという点から０．０１〜
０．３モル％含有することが望ましい。
５モル％としたのは、この範囲内であれば高温，高電圧
下での寿命を十分に長くできるからである。即ち、酸素
空孔補償量ΔＶo が０．００５モル％よりも少ない場合
や、０．５モル％よりも多い場合には、高温，高電圧下
での寿命が短くなるからである。酸素空孔補償量ΔＶo
は寿命のバラツキを抑制するという点から０．０１〜
０．３モル％含有することが望ましい。
【００２０】本発明の積層型コンデンサは、先ず、例え
ば、上記したような組成からなる誘電体磁器層用スリッ
プを作製するとともに、上記したような組成からなる内
部電極層用スリップを作製する。
ば、上記したような組成からなる誘電体磁器層用スリッ
プを作製するとともに、上記したような組成からなる内
部電極層用スリップを作製する。
【００２１】この後、台板に誘電体磁器層用スリップを
ドクターブレード法により複数回塗布し、厚みが５〜１
３μｍの厚みの誘電体成形膜を形成し、この誘電体成形
膜の表面に電極層用スリップをスクリーン印刷して所定
形状の電極膜を形成する。この工程を所望の容量が得ら
れるまで繰り返す。この積層体を酸素分圧が３×１０-5
〜３×１０-3Ｐａの非還元性雰囲気において１２００〜
１３００℃で１〜５時間一体焼成し、この後、誘電体磁
器中の酸素空孔補償量が増加する条件、即ち、酸素分圧
が１×１０-2〜2 ×１０4 Ｐａの雰囲気中において８０
０〜１１００℃で１〜５時間熱処理し、本発明の積層型
コンデンサを得る。
ドクターブレード法により複数回塗布し、厚みが５〜１
３μｍの厚みの誘電体成形膜を形成し、この誘電体成形
膜の表面に電極層用スリップをスクリーン印刷して所定
形状の電極膜を形成する。この工程を所望の容量が得ら
れるまで繰り返す。この積層体を酸素分圧が３×１０-5
〜３×１０-3Ｐａの非還元性雰囲気において１２００〜
１３００℃で１〜５時間一体焼成し、この後、誘電体磁
器中の酸素空孔補償量が増加する条件、即ち、酸素分圧
が１×１０-2〜2 ×１０4 Ｐａの雰囲気中において８０
０〜１１００℃で１〜５時間熱処理し、本発明の積層型
コンデンサを得る。
【００２２】
【実施例】出発原料としてＢａＣＯ3 粉末，ＴｉＯ2 粉
末を用い、混合後１１５０℃にて固相反応させＢａＴｉ
Ｏ3 を合成し、粒径０．５μｍに微粉砕した。次にＢａ
ＴｉＯ3 ，ＭｇＯ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＭｎＣＯ3 を、表１の組
成となるように調合し、さらに、この組成物１００重量
部に対して、ＳｉＯ2 ５０モル％、Ｌｉ2 Ｏ２０モル
％、ＢａＯ２０モル％、ＣａＯ１０モル％からなるガラ
ス成分を１．５重量部添加し、ＺｒＯ2 ボールにより混
合し、バインダー，可塑剤を加え、誘電体磁器層用スリ
ップを得た。また、Ｎｉとテルピネオールを添加し、Ａ
ｌ2 Ｏ3 ボールにより混合し、バインダー、可塑剤を加
え、電極層用スリップを得た。
末を用い、混合後１１５０℃にて固相反応させＢａＴｉ
Ｏ3 を合成し、粒径０．５μｍに微粉砕した。次にＢａ
ＴｉＯ3 ，ＭｇＯ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＭｎＣＯ3 を、表１の組
成となるように調合し、さらに、この組成物１００重量
部に対して、ＳｉＯ2 ５０モル％、Ｌｉ2 Ｏ２０モル
％、ＢａＯ２０モル％、ＣａＯ１０モル％からなるガラ
ス成分を１．５重量部添加し、ＺｒＯ2 ボールにより混
合し、バインダー，可塑剤を加え、誘電体磁器層用スリ
ップを得た。また、Ｎｉとテルピネオールを添加し、Ａ
ｌ2 Ｏ3 ボールにより混合し、バインダー、可塑剤を加
え、電極層用スリップを得た。
【００２３】そして、誘電体磁器層用スリップを台板に
ドクターブレード法により塗布し、この誘電体成形膜の
上面に、Ｎｉを主成分とする電極層用スリップをクシ型
構造となるようにスクリーン印刷し、誘電体成形膜と電
極膜の成形工程を５０回繰り返し、誘電体成形膜を５０
層有する積層成形体を作製した。この積層成形体を熱圧
着後、酸素分圧が３×１０-4Ｐａの非還元性雰囲気にお
いて１２５０℃で２時間焼成した後、表１のような熱処
理を行った。
ドクターブレード法により塗布し、この誘電体成形膜の
上面に、Ｎｉを主成分とする電極層用スリップをクシ型
構造となるようにスクリーン印刷し、誘電体成形膜と電
極膜の成形工程を５０回繰り返し、誘電体成形膜を５０
層有する積層成形体を作製した。この積層成形体を熱圧
着後、酸素分圧が３×１０-4Ｐａの非還元性雰囲気にお
いて１２５０℃で２時間焼成した後、表１のような熱処
理を行った。
【００２４】
【表１】
【００２５】このようにして得られた積層型コンデンサ
に対して、誘電体層厚みを測定するとともに、熱衝撃特
性，容量，誘電体磁器中の酸素空孔補償量ΔＶo を測定
し、さらに、信頼性試験を行った。
に対して、誘電体層厚みを測定するとともに、熱衝撃特
性，容量，誘電体磁器中の酸素空孔補償量ΔＶo を測定
し、さらに、信頼性試験を行った。
【００２６】誘電体層厚みは金属顕微鏡により測定し
た。熱衝撃特性は室温に保持した２００個の試料を３４
０℃の半田槽中に浸漬し、表面にクラックが生じた個数
で判断した。容量はＬＣＲメータで測定し、誘電体一層
当たりの容量に換算した。
た。熱衝撃特性は室温に保持した２００個の試料を３４
０℃の半田槽中に浸漬し、表面にクラックが生じた個数
で判断した。容量はＬＣＲメータで測定し、誘電体一層
当たりの容量に換算した。
【００２７】また、誘電体磁器中の酸素空孔補償量ΔＶ
o は、上記表１の組成の誘電体磁器層用スリップをドク
ターブレード法により複数回塗布し、打ち抜き法により
直径２０ｍｍ厚み１ｍｍの誘電体成形体を作製し、上記
のような焼成条件で焼成した後、誘電体磁器の重量を測
定し、表１のような熱処理を行った後の誘電体磁器の重
量を測定し、熱処理前の重量に対する熱処理後の重量減
少分を酸素空孔量の変化によるものとみなし、酸素空孔
補償量を算出した。
o は、上記表１の組成の誘電体磁器層用スリップをドク
ターブレード法により複数回塗布し、打ち抜き法により
直径２０ｍｍ厚み１ｍｍの誘電体成形体を作製し、上記
のような焼成条件で焼成した後、誘電体磁器の重量を測
定し、表１のような熱処理を行った後の誘電体磁器の重
量を測定し、熱処理前の重量に対する熱処理後の重量減
少分を酸素空孔量の変化によるものとみなし、酸素空孔
補償量を算出した。
【００２８】信頼性試験は、上記のように作製した積層
コンデンサの両端面にスパッタ法により金電極を形成
し、これを３００℃の測定炉中で１０００Ｖの電圧を印
加し、ショート故障に至るまでの時間を測定した。これ
らの結果を表２に示す。
コンデンサの両端面にスパッタ法により金電極を形成
し、これを３００℃の測定炉中で１０００Ｖの電圧を印
加し、ショート故障に至るまでの時間を測定した。これ
らの結果を表２に示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】この表２より、本発明の積層型コンデンサ
では、高温，高電圧の環境下における寿命（信頼性）を
向上することができるとともに、熱衝撃性を向上するこ
とができる。
では、高温，高電圧の環境下における寿命（信頼性）を
向上することができるとともに、熱衝撃性を向上するこ
とができる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の積層型コンデンサでは、誘電体
磁器層の厚みが１〜１０μｍと薄い場合でも、高温，高
電圧の環境下における寿命を向上することができるとと
もに、熱衝撃性を向上することができる。
磁器層の厚みが１〜１０μｍと薄い場合でも、高温，高
電圧の環境下における寿命を向上することができるとと
もに、熱衝撃性を向上することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤川 信儀 鹿児島県国分市山下町１番１号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 藤岡 芳博 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】チタン酸バリウムを主成分とし、このチタ
ン酸バリウム１００モル部に対してマンガンを０．０４
〜０．５モル部含有する厚み３〜１０μｍの誘電体磁器
層と、卑金属からなる内部電極層とを交互に積層してな
る積層型コンデンサであって、前記誘電体磁器層の熱処
理前後の重量変化から求められる酸素空孔補償量ΔＶo
が０．００５〜０．５モル％であることを特徴とする積
層型コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19521495A JP3287980B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 積層型コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19521495A JP3287980B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 積層型コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945581A true JPH0945581A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3287980B2 JP3287980B2 (ja) | 2002-06-04 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19521495A Expired - Fee Related JP3287980B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 積層型コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3287980B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002265260A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-18 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
| US7099141B1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-08-29 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ceramic capacitor exhibiting graceful failure by self-clearing, method for fabricating self-clearing capacitor |
| JP2014165447A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| WO2023120173A1 (ja) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | 京セラ株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006137533A1 (ja) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Tdk Corporation | 電子部品およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP19521495A patent/JP3287980B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2002265260A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-18 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
| JP4663141B2 (ja) * | 2001-03-07 | 2011-03-30 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
| US7099141B1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-08-29 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ceramic capacitor exhibiting graceful failure by self-clearing, method for fabricating self-clearing capacitor |
| JP2014165447A (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-08 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| WO2023120173A1 (ja) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | 京セラ株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3287980B2 (ja) | 2002-06-04 |
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