JPH0938463A - 半導体製造排ガスの処理方法 - Google Patents
半導体製造排ガスの処理方法Info
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- JPH0938463A JPH0938463A JP7213962A JP21396295A JPH0938463A JP H0938463 A JPH0938463 A JP H0938463A JP 7213962 A JP7213962 A JP 7213962A JP 21396295 A JP21396295 A JP 21396295A JP H0938463 A JPH0938463 A JP H0938463A
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- gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルカリ金属による半導体製造環境の汚染を
起こすことなく、排ガス中の有害成分の除去率を高く保
つことができ、また、ランニングコストが安価な半導体
製造排ガスの処理方法を提供する。 【解決手段】 半導体製造排ガスから有害成分を除去す
る処理方法において、前記排ガス１を、アンモニア及び
／又は水酸化第四アンモニウム２でｐＨ８から１０に調
整した洗浄液５と接触させた後、水９と接触８せしめ、
さらに残存成分を除去する薬剤を充填した吸着塔１１に
導入して処理することとしたものであり、前記吸着塔に
充填する薬剤は、アルカリ添着活性炭、金属酸化物又は
イオン交換樹脂の一種以上から選ばれることができる。
起こすことなく、排ガス中の有害成分の除去率を高く保
つことができ、また、ランニングコストが安価な半導体
製造排ガスの処理方法を提供する。 【解決手段】 半導体製造排ガスから有害成分を除去す
る処理方法において、前記排ガス１を、アンモニア及び
／又は水酸化第四アンモニウム２でｐＨ８から１０に調
整した洗浄液５と接触させた後、水９と接触８せしめ、
さらに残存成分を除去する薬剤を充填した吸着塔１１に
導入して処理することとしたものであり、前記吸着塔に
充填する薬剤は、アルカリ添着活性炭、金属酸化物又は
イオン交換樹脂の一種以上から選ばれることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造排ガス
の処理方法に係り、特に、湿式と乾式の処理方式を組合
せた半導体製造排ガスの処理方法に関する。
の処理方法に係り、特に、湿式と乾式の処理方式を組合
せた半導体製造排ガスの処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在の半導体製造産業では、シリコンウ
ェハのドライエッチング及びチャンバークリーニングな
どの工程でエッチャントとしてＣＦ4 ，ＣＨＦ3 ，Ｃ2
Ｆ6 ，Ｃｌ2 ，ＨＢｒ，ＨＣｌ，ＢＣｌ3 ，ＣｌＦ3 な
どが使用されている。これらの工程の排ガスには、上記
の未反応のエッチャットの他、Ｆ2 ，ＨＦ，ＨＣｌ，Ｓ
ｉＦ4 ，ＳｉＣｌ4 などの分解生成物も含まれており、
そのまま排出することができないものなので、除害装置
により有害成分を除去した後に排出されている。除害装
置には大きく分けて、固体吸着剤を用いる乾式のもの
と、薬液を用いる湿式のものとがあるが、これらの従来
の半導体製造排ガスの除害装置には次のような問題点が
ある。
ェハのドライエッチング及びチャンバークリーニングな
どの工程でエッチャントとしてＣＦ4 ，ＣＨＦ3 ，Ｃ2
Ｆ6 ，Ｃｌ2 ，ＨＢｒ，ＨＣｌ，ＢＣｌ3 ，ＣｌＦ3 な
どが使用されている。これらの工程の排ガスには、上記
の未反応のエッチャットの他、Ｆ2 ，ＨＦ，ＨＣｌ，Ｓ
ｉＦ4 ，ＳｉＣｌ4 などの分解生成物も含まれており、
そのまま排出することができないものなので、除害装置
により有害成分を除去した後に排出されている。除害装
置には大きく分けて、固体吸着剤を用いる乾式のもの
と、薬液を用いる湿式のものとがあるが、これらの従来
の半導体製造排ガスの除害装置には次のような問題点が
ある。
【０００３】即ち、乾式では一般に処理性能が高く、除
害出口の有害成分濃度を作業環境許容濃度以下にするこ
とができるが、以下に示すような問題点がある。 （１）固体吸着剤が消耗する毎に交換する必要があり、
ランニングコストが高い。 （２）有害物を固体吸着剤に高濃度に濃縮するので、発
熱などのトラブルが起こる場合がある。 （３）使用済み吸着剤は有害物を高濃度吸着しているの
で、処理に手間とコストがかかる。これもランニングコ
ストを高くする要因となる。
害出口の有害成分濃度を作業環境許容濃度以下にするこ
とができるが、以下に示すような問題点がある。 （１）固体吸着剤が消耗する毎に交換する必要があり、
ランニングコストが高い。 （２）有害物を固体吸着剤に高濃度に濃縮するので、発
熱などのトラブルが起こる場合がある。 （３）使用済み吸着剤は有害物を高濃度吸着しているの
で、処理に手間とコストがかかる。これもランニングコ
ストを高くする要因となる。
【０００４】また、湿式の場合は、一般にランニングコ
ストは安価であるが、次のような問題点がある。 （１）一般に処理性能が低い。除害出口の有害成分濃度
を作業環境許容濃度以下にすることが難しい場合があ
る。 （２）処理性能を高めるために、薬液としてＮａＯＨや
ＫＯＨの水溶液がよく用いられる。しかし、Ｎａ，Ｋな
どのアルカリ金属元素が極微量でもシリコンウェハに付
着すると、このシリコンウェハから作られた半導体デバ
イスの誤動作の原因となることがあり好ましくない。
ストは安価であるが、次のような問題点がある。 （１）一般に処理性能が低い。除害出口の有害成分濃度
を作業環境許容濃度以下にすることが難しい場合があ
る。 （２）処理性能を高めるために、薬液としてＮａＯＨや
ＫＯＨの水溶液がよく用いられる。しかし、Ｎａ，Ｋな
どのアルカリ金属元素が極微量でもシリコンウェハに付
着すると、このシリコンウェハから作られた半導体デバ
イスの誤動作の原因となることがあり好ましくない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点を解消し、アルカリ金属による半導体製造環
境の汚染を起こすことなく、排ガス中の有害成分の除去
率を高く保つことができ、また、ランニングコストが安
価な半導体製造排ガスの処理方法を提供することを課題
とする。
術の問題点を解消し、アルカリ金属による半導体製造環
境の汚染を起こすことなく、排ガス中の有害成分の除去
率を高く保つことができ、また、ランニングコストが安
価な半導体製造排ガスの処理方法を提供することを課題
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、半導体製造排ガスから有害成分を除去
する処理方法において、前記排ガスを、アンモニア及び
／又は水酸化第四アンモニウムでｐＨ８から１０に調整
した洗浄液と接触させた後、水と接触せしめ、さらに残
存成分を除去する薬剤を充填した吸着塔に導入して処理
することとしたものである。前記処理方法において、吸
着塔に充填する薬剤は、アルカリ添着活性炭、金属酸化
物又はイオン交換樹脂の一種以上から選ばれるのがよ
い。このように、本発明では、半導体製造排ガスを、
アンモニア又は水酸化第四アンモニウム又はアンモ
ニアと水酸化第四アンモニウムの混合物でｐＨ８から１
０望ましくはｐＨ８．５から９．５に調整した洗浄液と
接触せしめ有害成分を除去する方法において、洗浄液と
接触した後のガスを水と接触せしめ、さらに適当な薬剤
を充填した吸着塔に導いて残存成分の処理を行うことを
特徴とする半導体製造排ガスの処理方法としたものであ
る。
に、本発明では、半導体製造排ガスから有害成分を除去
する処理方法において、前記排ガスを、アンモニア及び
／又は水酸化第四アンモニウムでｐＨ８から１０に調整
した洗浄液と接触させた後、水と接触せしめ、さらに残
存成分を除去する薬剤を充填した吸着塔に導入して処理
することとしたものである。前記処理方法において、吸
着塔に充填する薬剤は、アルカリ添着活性炭、金属酸化
物又はイオン交換樹脂の一種以上から選ばれるのがよ
い。このように、本発明では、半導体製造排ガスを、
アンモニア又は水酸化第四アンモニウム又はアンモ
ニアと水酸化第四アンモニウムの混合物でｐＨ８から１
０望ましくはｐＨ８．５から９．５に調整した洗浄液と
接触せしめ有害成分を除去する方法において、洗浄液と
接触した後のガスを水と接触せしめ、さらに適当な薬剤
を充填した吸着塔に導いて残存成分の処理を行うことを
特徴とする半導体製造排ガスの処理方法としたものであ
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の処理方法を図１に
示す処理フロー図に従って説明する。図１において、半
導体製造排ガス１は、まずアンモニア及び／又は水酸化
第四アンモニウムの溶液２でｐＨ８から１０望ましくは
ｐＨ８．５から９．５に調整した洗浄液５と適当な気液
接触装置６で接触する。洗浄液５は循環ポンプ４によっ
て系内を循環している。ここで大部分の酸性成分は洗浄
液５に吸収除去される。気液接触装置６から出たガス７
には主に、（ａ）除去しきれなかったＳｉＦ4，Ｎ
Ｏ2 ，Ｃｌ2 などの酸性成分、（ｂ）洗浄液から気散す
るアンモニアあるいはアミン、（ｃ）排ガス中のハロゲ
ンガスとアンモニア又は第四アンモニウムが反応して生
ずるクロラミンなどが含まれている。
示す処理フロー図に従って説明する。図１において、半
導体製造排ガス１は、まずアンモニア及び／又は水酸化
第四アンモニウムの溶液２でｐＨ８から１０望ましくは
ｐＨ８．５から９．５に調整した洗浄液５と適当な気液
接触装置６で接触する。洗浄液５は循環ポンプ４によっ
て系内を循環している。ここで大部分の酸性成分は洗浄
液５に吸収除去される。気液接触装置６から出たガス７
には主に、（ａ）除去しきれなかったＳｉＦ4，Ｎ
Ｏ2 ，Ｃｌ2 などの酸性成分、（ｂ）洗浄液から気散す
るアンモニアあるいはアミン、（ｃ）排ガス中のハロゲ
ンガスとアンモニア又は第四アンモニウムが反応して生
ずるクロラミンなどが含まれている。
【０００８】そこで、適当な気液接触装置８で水９と接
触し、続いてデミスタ１０で液滴が除去される。気液接
触後の水は気液分離部１７でガスと分離され排水管１５
から排出される。ここで（ｂ）アンモニア又はアミンは
ほとんど吸収され作業環境許容濃度以下になるが、
（ａ）除去しきれなかったＳｉＦ4 ，ＮＯ2 ，Ｃｌ2 な
どの酸性成分、及び（ｃ）クロラミンなどの一部はなお
残留する。これを適当な薬剤を充填した吸着塔１１で吸
着処理したのち、処理ガス１２として装置から排出す
る。
触し、続いてデミスタ１０で液滴が除去される。気液接
触後の水は気液分離部１７でガスと分離され排水管１５
から排出される。ここで（ｂ）アンモニア又はアミンは
ほとんど吸収され作業環境許容濃度以下になるが、
（ａ）除去しきれなかったＳｉＦ4 ，ＮＯ2 ，Ｃｌ2 な
どの酸性成分、及び（ｃ）クロラミンなどの一部はなお
残留する。これを適当な薬剤を充填した吸着塔１１で吸
着処理したのち、処理ガス１２として装置から排出す
る。
【０００９】洗浄液５は循環使用されるので、処理によ
り消費され除去効率が低下する。そこでｐＨ電極１３で
常時ｐＨを測定し、規定のｐＨ（ｐＨ８望ましくは８．
５）を下回った場合には薬液注入ポンプ３により、アン
モニア及び／又は水酸化第四アンモニウムの溶液２を洗
浄液に注入する。また、排ガス中の酸性成分とアンモニ
ア又は水酸化第四アンモニウムの反応生成物が洗浄液中
に蓄積し、除去率の低下や生成物の析出を起こすので、
一定量の水１６を添加しながら同量の洗浄液をオーバー
フロー管１４から排出して、生成物の蓄積を防ぐ。ここ
で添加する水には、気液分離部１７で分離した水を用い
ても良い。気液接触装置６及び８は、充分な気液接触効
率を得ることができるものならば、いかなる形式のもの
でもかまわない。
り消費され除去効率が低下する。そこでｐＨ電極１３で
常時ｐＨを測定し、規定のｐＨ（ｐＨ８望ましくは８．
５）を下回った場合には薬液注入ポンプ３により、アン
モニア及び／又は水酸化第四アンモニウムの溶液２を洗
浄液に注入する。また、排ガス中の酸性成分とアンモニ
ア又は水酸化第四アンモニウムの反応生成物が洗浄液中
に蓄積し、除去率の低下や生成物の析出を起こすので、
一定量の水１６を添加しながら同量の洗浄液をオーバー
フロー管１４から排出して、生成物の蓄積を防ぐ。ここ
で添加する水には、気液分離部１７で分離した水を用い
ても良い。気液接触装置６及び８は、充分な気液接触効
率を得ることができるものならば、いかなる形式のもの
でもかまわない。
【００１０】アンモニアは通常市販されている２５％の
水溶液を用いても良いし、これを適当に稀釈したもので
もかまわない。水酸化第四アンモニウムとしては、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキサイド（ＴＭＡＨ）やコ
リンの水酸化物などの強アルカリ性を有するものを用い
ることができる。吸着塔に充填する薬剤としては、
（Ａ）アルカリ添着活性炭、（Ｂ）Ｃｕ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｚｎなどの金属元素の酸化物から選ばれた１種以上の金
属酸化物、（Ｃ）第四アンモニウム基を有する陰イオン
交換樹脂が使用できる。（Ａ）アルカリ添着活性炭はＳ
ｉＦ4 ，ＮＯ2 ，Ｃｌ2 ，ＮＨ2 Ｃｌなどの除去に効果
があり、（Ｂ）金属酸化物はＳｉＦ4 ，ＮＯ2 ，ＮＨ2
Ｃｌなどの除去に効果があり、また、（Ｃ）第四アンモ
ニウム基を有する陰イオン交換樹脂はＳｉＦ4 ，Ｃ
ｌ2，ＮＨ2 Ｃｌなどの除去に効果がある。
水溶液を用いても良いし、これを適当に稀釈したもので
もかまわない。水酸化第四アンモニウムとしては、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキサイド（ＴＭＡＨ）やコ
リンの水酸化物などの強アルカリ性を有するものを用い
ることができる。吸着塔に充填する薬剤としては、
（Ａ）アルカリ添着活性炭、（Ｂ）Ｃｕ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｚｎなどの金属元素の酸化物から選ばれた１種以上の金
属酸化物、（Ｃ）第四アンモニウム基を有する陰イオン
交換樹脂が使用できる。（Ａ）アルカリ添着活性炭はＳ
ｉＦ4 ，ＮＯ2 ，Ｃｌ2 ，ＮＨ2 Ｃｌなどの除去に効果
があり、（Ｂ）金属酸化物はＳｉＦ4 ，ＮＯ2 ，ＮＨ2
Ｃｌなどの除去に効果があり、また、（Ｃ）第四アンモ
ニウム基を有する陰イオン交換樹脂はＳｉＦ4 ，Ｃ
ｌ2，ＮＨ2 Ｃｌなどの除去に効果がある。
【００１１】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ 図２に本発明を実施するための実験装置の全体構成図を
示す。この図２で、半導体製造用ドライエッチング装置
の半導体製造排ガス１を導入し、処理を行った。排ガス
の流量は１０リットル／ｍｉｎである。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ 図２に本発明を実施するための実験装置の全体構成図を
示す。この図２で、半導体製造用ドライエッチング装置
の半導体製造排ガス１を導入し、処理を行った。排ガス
の流量は１０リットル／ｍｉｎである。
【００１２】半導体製造排ガス１は、まずアンモニアで
ｐＨ８．５〜９．５に調整された洗浄液５とジェットス
クラバー６において接触させられる。ここで噴霧される
洗浄液の流量は５０リットル／ｍｉｎとした。ジェット
スクラバー６から出たガス７は、充填塔スクラバー８で
水９と向流接触させられる。水９の流量は１０リットル
／ｍｉｎ、充填塔の内径は３００ｍｍφ、塔高２５０ｍ
ｍとし、充填物には径１０ｍｍの磁製ラシヒリング８′
を用いた。充填塔から出たガスをデミスター１０に通し
ミスト除去した後に活性炭吸着塔１１で吸着処理し、処
理ガス１２として装置から排出する。活性炭吸着塔１１
の内径は３００ｍｍφ、塔高２００ｍｍとし、８〜２４
ｍｅｓｈのアルカリ添着活性炭を充填した。
ｐＨ８．５〜９．５に調整された洗浄液５とジェットス
クラバー６において接触させられる。ここで噴霧される
洗浄液の流量は５０リットル／ｍｉｎとした。ジェット
スクラバー６から出たガス７は、充填塔スクラバー８で
水９と向流接触させられる。水９の流量は１０リットル
／ｍｉｎ、充填塔の内径は３００ｍｍφ、塔高２５０ｍ
ｍとし、充填物には径１０ｍｍの磁製ラシヒリング８′
を用いた。充填塔から出たガスをデミスター１０に通し
ミスト除去した後に活性炭吸着塔１１で吸着処理し、処
理ガス１２として装置から排出する。活性炭吸着塔１１
の内径は３００ｍｍφ、塔高２００ｍｍとし、８〜２４
ｍｅｓｈのアルカリ添着活性炭を充填した。
【００１３】洗浄液５のｐＨをｐＨ電極１３で常時測定
し、ｐＨが９．００を下回った場合には薬液注入ポンプ
３により、２５ｖ／ｖ％濃度のアンモニア水２を洗浄液
に注入する。洗浄液中の生成物の蓄積を防ぐために、気
液分離部１７の計量升から０．５リットル／ｍｉｎの水
１６を循環液５に流下させながら同量の洗浄液をオーバ
ーフロー管１４より排出した。以上のような条件で排ガ
ス処理を行い、（１）除害入口、（２）ジェットスクラ
バー出口、（３）水スクラバー出口、（４）活性炭塔出
口の４ヶ所のガスを採取しその組成を分析した。この結
果を表１に示す。
し、ｐＨが９．００を下回った場合には薬液注入ポンプ
３により、２５ｖ／ｖ％濃度のアンモニア水２を洗浄液
に注入する。洗浄液中の生成物の蓄積を防ぐために、気
液分離部１７の計量升から０．５リットル／ｍｉｎの水
１６を循環液５に流下させながら同量の洗浄液をオーバ
ーフロー管１４より排出した。以上のような条件で排ガ
ス処理を行い、（１）除害入口、（２）ジェットスクラ
バー出口、（３）水スクラバー出口、（４）活性炭塔出
口の４ヶ所のガスを採取しその組成を分析した。この結
果を表１に示す。
【００１４】
【表１】 濃度の単位はいずれもｐｐｍ 排ガスに含まれていたＣｌ2 ，Ｆ2 ，ＮＯ2 ，ＳｉＦ4
は、各処理を経て次第に処理され、活性炭出口で検出限
界以下の濃度になっている。また処理過程で発生するＮ
Ｈ3 ，ＮＨ2 Ｃｌのような成分も、活性炭出口で検出限
界以下の濃度になっている。
は、各処理を経て次第に処理され、活性炭出口で検出限
界以下の濃度になっている。また処理過程で発生するＮ
Ｈ3 ，ＮＨ2 Ｃｌのような成分も、活性炭出口で検出限
界以下の濃度になっている。
【００１５】実施例２ 実施例１と同一条件で処理を行い、一定時間毎に活性炭
塔出口の成分を分析すると共に、５時間処理を行う毎に
２５ｗｔ％アンモニア水の消費量を測定した。この時の
除害入口ガス成分を表２に示す。処理を通算３０００時
間行ったが、その間活性炭塔出口のＣｌ2 ，Ｆ2 ，ＮＯ
2 ，ＳｉＦ4 ，ＮＨ3 及びＮＨ2 Ｃｌ濃度はいずれも検
出限界以下であった。この間の２５％ＮＨ3 水の累計使
用量を図３に示す。
塔出口の成分を分析すると共に、５時間処理を行う毎に
２５ｗｔ％アンモニア水の消費量を測定した。この時の
除害入口ガス成分を表２に示す。処理を通算３０００時
間行ったが、その間活性炭塔出口のＣｌ2 ，Ｆ2 ，ＮＯ
2 ，ＳｉＦ4 ，ＮＨ3 及びＮＨ2 Ｃｌ濃度はいずれも検
出限界以下であった。この間の２５％ＮＨ3 水の累計使
用量を図３に示す。
【表２】
【００１６】実施例３ 実施例１で使用したアルカリ添着活性炭に代えて、Ｃ
ｕ，Ｍｎを主体とする金属酸化物と第四アンモニウム基
を有する陰イオン交換樹脂を使用した。これらの薬剤を
充填した吸着塔を図４に示す。吸着塔２１の内径は３０
０ｍｍφ、塔高は２５０ｍｍである。ここにＣｕ，Ｍｎ
を主体とする粒径８〜２４ｍｅｓｈに破砕した金属酸化
物２３と粒径１６〜３２ｍｅｓｈに破砕した第四アンモ
ニウム基を有する陰イオン交換樹脂２２を充填した。こ
れらの薬剤の充填量は金属酸化物１０．６リットルと陰
イオン交換樹脂７．１リットルとし、充填層高はそれぞ
れ１５０ｍｍ，１００ｍｍとした。この充填塔の金属酸
化物２３側からデミスタからのガス２４を導入し、陰イ
オン交換樹脂２２側から処理ガス２５を取り出す構造と
なっている。吸着塔以外の諸条件は実施例１と同一であ
る。以上のような条件で排ガス処理を行い、４ヶ所のガ
スを採取しその組成を分析した。その結果を表３に示
す。
ｕ，Ｍｎを主体とする金属酸化物と第四アンモニウム基
を有する陰イオン交換樹脂を使用した。これらの薬剤を
充填した吸着塔を図４に示す。吸着塔２１の内径は３０
０ｍｍφ、塔高は２５０ｍｍである。ここにＣｕ，Ｍｎ
を主体とする粒径８〜２４ｍｅｓｈに破砕した金属酸化
物２３と粒径１６〜３２ｍｅｓｈに破砕した第四アンモ
ニウム基を有する陰イオン交換樹脂２２を充填した。こ
れらの薬剤の充填量は金属酸化物１０．６リットルと陰
イオン交換樹脂７．１リットルとし、充填層高はそれぞ
れ１５０ｍｍ，１００ｍｍとした。この充填塔の金属酸
化物２３側からデミスタからのガス２４を導入し、陰イ
オン交換樹脂２２側から処理ガス２５を取り出す構造と
なっている。吸着塔以外の諸条件は実施例１と同一であ
る。以上のような条件で排ガス処理を行い、４ヶ所のガ
スを採取しその組成を分析した。その結果を表３に示
す。
【００１７】
【表３】 濃度の単位はいずれもｐｐｍ 排ガスに含まれていたＣｌ2 ，Ｆ2 ，ＮＯ2 ，ＳｉＦ4
は、各処理を経て次第に処理され、活性炭出口で検出限
界以下の濃度になっている。また処理過程で発生するＮ
Ｈ3 ，ＮＨ2 Ｃｌのような成分も、活性炭出口で検出限
界以下の濃度になっている。
は、各処理を経て次第に処理され、活性炭出口で検出限
界以下の濃度になっている。また処理過程で発生するＮ
Ｈ3 ，ＮＨ2 Ｃｌのような成分も、活性炭出口で検出限
界以下の濃度になっている。
【００１８】
【発明の効果】上記のように本発明方法では、３種類の
処理を組み合わせることにより、除害出口の有害成分濃
度を作業環境許容濃度以下にすることができる。また排
ガスは、前段の２回の気液接触によって大部分の酸性成
分を除去した上で、最終段の薬剤吸着塔に導かれるの
で、吸着塔にかかる負荷が軽い。このため、次の効果を
奏することができる。 （１）薬剤の量は乾式の場合に比べて少量でよく、交換
頻度も少なくて済み、ランニングコストが低廉となる。 （２）薬剤に濃縮される有害物は少量であるので、発熱
などのトラブルが起こりにくく、使用済み薬剤の安定化
も容易である。
処理を組み合わせることにより、除害出口の有害成分濃
度を作業環境許容濃度以下にすることができる。また排
ガスは、前段の２回の気液接触によって大部分の酸性成
分を除去した上で、最終段の薬剤吸着塔に導かれるの
で、吸着塔にかかる負荷が軽い。このため、次の効果を
奏することができる。 （１）薬剤の量は乾式の場合に比べて少量でよく、交換
頻度も少なくて済み、ランニングコストが低廉となる。 （２）薬剤に濃縮される有害物は少量であるので、発熱
などのトラブルが起こりにくく、使用済み薬剤の安定化
も容易である。
【００１９】加えて、ＫＯＨやＮａＯＨを洗浄液中に含
まないので、Ｎａ，Ｋなどのアルカリ金属元素がシリコ
ンウェハを汚染する可能性が無い。このため本方式を用
いた除害装置は、半導体製造の現場に置くことができ、
次のようなメリットが生じる。 （１）有害ガス発生源の直近で除害が行えるため、有害
ガスを遠方に送る必要がなく、他の有害ガスとの混触を
防ぐことができる。これにより、作業環境の安全性を向
上することができる。 （２）作業者が除害装置の状態チェックやメンテナンス
を行うことが容易となる。
まないので、Ｎａ，Ｋなどのアルカリ金属元素がシリコ
ンウェハを汚染する可能性が無い。このため本方式を用
いた除害装置は、半導体製造の現場に置くことができ、
次のようなメリットが生じる。 （１）有害ガス発生源の直近で除害が行えるため、有害
ガスを遠方に送る必要がなく、他の有害ガスとの混触を
防ぐことができる。これにより、作業環境の安全性を向
上することができる。 （２）作業者が除害装置の状態チェックやメンテナンス
を行うことが容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の処理方法に用いる処理フローの全体構
成図。
成図。
【図２】実施例に用いた装置の処理フローの全体構成
図。
図。
【図３】実施例２で用いたＮＨ3 水の累計使用量を示す
グラフ。
グラフ。
【図４】実施例３で用いた吸着塔の構成図。
【符号の説明】 １：半導体製造排ガス、２：アンモニア溶液及び／又は
水酸化第四アンモニウム溶液、３、４：ポンプ、５：洗
浄液、６、８：気液接触装置、７：ガス流れ、９：水、
１０：デミスタ、１１：吸着塔、１２：処理ガス、１
３：ｐＨ電極、１４：オーバーフロー管、１５：排水
管、１６：水導入管、１７：気液分離部、２１：吸着
塔、２２：陰イオン交換樹脂、２３：金属酸化物、２
４：ガス導入口、２５：処理ガス排出口
水酸化第四アンモニウム溶液、３、４：ポンプ、５：洗
浄液、６、８：気液接触装置、７：ガス流れ、９：水、
１０：デミスタ、１１：吸着塔、１２：処理ガス、１
３：ｐＨ電極、１４：オーバーフロー管、１５：排水
管、１６：水導入管、１７：気液分離部、２１：吸着
塔、２２：陰イオン交換樹脂、２３：金属酸化物、２
４：ガス導入口、２５：処理ガス排出口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 忠男 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 飯尾 泰洋 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体製造排ガスから有害成分を除去す
る処理方法において、前記排ガスを、アンモニア及び／
又は水酸化第四アンモニウムでｐＨ８から１０に調整し
た洗浄液と接触させた後、水と接触せしめ、さらに残存
成分を除去する薬剤を充填した吸着塔に導入して処理す
ることを特徴とする半導体製造排ガスの処理方法。 - 【請求項２】 前記吸着塔に充填する薬剤は、アルカリ
添着活性炭、金属酸化物又はイオン交換樹脂の一種以上
から選ばれることを特徴とする請求項１記載の半導体製
造排ガスの処理方法。 - 【請求項３】 前記金属酸化物は、Ｃｕ，Ｍｎ，Ｆｅ又
はＺｎの酸化物の一種以上から選ばれ、イオン交換樹脂
は第四アンモニウム基を有する陰イオン交換樹脂である
ことを特徴とする請求項２記載の半導体製造排ガスの処
理方法。
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|---|---|---|---|
| JP07213962A JP3129945B2 (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 半導体製造排ガスの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP07213962A JP3129945B2 (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 半導体製造排ガスの処理方法 |
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|---|---|
| JPH0938463A true JPH0938463A (ja) | 1997-02-10 |
| JP3129945B2 JP3129945B2 (ja) | 2001-01-31 |
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|---|---|---|---|
| JP07213962A Expired - Fee Related JP3129945B2 (ja) | 1995-08-01 | 1995-08-01 | 半導体製造排ガスの処理方法 |
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| JP (1) | JP3129945B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030010207A (ko) * | 2001-07-26 | 2003-02-05 | 김영택 | 폐 가스의 유해성분 제거장치 |
| US6953557B1 (en) | 1997-10-17 | 2005-10-11 | Ebara Corporation | Process and apparatus for treating semiconductor production exhaust gases |
| US10016724B2 (en) | 2014-01-24 | 2018-07-10 | Hanwha Chemical Corporation | Purification method and purification apparatus for off-gas |
| CN108579388A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-09-28 | 深圳市华海智联科技有限公司 | 一种废气处理装置及其远程监控方法 |
| CN113634093A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-12 | 上海协微环境科技有限公司 | 一种用于对半导体废气进行处理的净气器 |
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| JP2022122616A (ja) * | 2021-02-10 | 2022-08-23 | 栗田工業株式会社 | 排ガス処理設備 |
| WO2023189306A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 栗田工業株式会社 | 排ガス処理設備の洗浄方法、洗浄液及び洗浄剤 |
-
1995
- 1995-08-01 JP JP07213962A patent/JP3129945B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3129945B2 (ja) | 2001-01-31 |
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