JP2022122616A - 排ガス処理設備 - Google Patents
排ガス処理設備 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022122616A JP2022122616A JP2021019965A JP2021019965A JP2022122616A JP 2022122616 A JP2022122616 A JP 2022122616A JP 2021019965 A JP2021019965 A JP 2021019965A JP 2021019965 A JP2021019965 A JP 2021019965A JP 2022122616 A JP2022122616 A JP 2022122616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- water
- scrubber
- ammonia
- choline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229960001231 choline Drugs 0.000 claims abstract description 22
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 20
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 claims description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 4
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- HJJPJSXJAXAIPN-UHFFFAOYSA-N arecoline Chemical compound COC(=O)C1=CCCN(C)C1 HJJPJSXJAXAIPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- -1 perfluoro compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
Landscapes
- Chimneys And Flues (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Abstract
【課題】排ガス処理設備の、除害装置及びスクラバーにおける堆積物の生成を抑制する。【解決手段】排ガス処理設備は、燃焼式、プラズマ式、電熱式等の除害装置１と、該除害装置１で除害処理されたガスが通過するスクラバー４と、除害装置１及びスクラバー４の用水にコリン及び／又はアンモニアを添加する薬剤添加装置とを有する。薬剤溶液としては、半導体製造プロセスから排出されるアンモニア及び過酸化水素を含む溶液を用いてもよい。【選択図】図１
Description
本発明は、半導体製造プロセス等からの排ガスを除害燃焼等により処理するための排ガス処理設備（除害装置）に関する。
半導体、液晶、ＬＥＤ、太陽電池等の製造プロセスからは、ペルフルオロ化合物などを含んだ排ガスが排出される。なお、この排ガス中にはＣＨ２Ｆ２、ＷＦ６、ＢＣｌ３、Ｃｌ２、Ｆ２、ＨＦ、ＳｉＨ４、ＮＨ３、ＰＨ３、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＴＲＩＳ（トリエトキシシラン）、ＴｉＣｌ４などが含まれることもある。このような排ガスを処理する排ガス処理設備（除害装置）では、燃焼、電気加熱、プラズマなどを用いて、ペルフルオロ化合物等を燃焼（酸化）又は熱分解反応させた後、スクラバーで排ガスを洗浄し、ガス中の水可溶成分や微粒子等を除去する。
この排ガスの燃焼処理装置として、燃焼室の下流側においてスプレーノズルによって水をスプレーしてガスを冷却するよう構成したものがある（特許文献１）。また、燃焼室の内壁面に沿って水を流下させ、燃焼生成物の内壁面への付着を防止すると共に、内壁面を燃焼熱から防護するよう構成した水冷式燃焼方式の除害装置がある（特許文献２）。
従来の除害装置にあっては、除害装置内部やスクラバー、配管等において堆積物が生成し易く、除害装置を停止して堆積物を除去する作業が必要となる。なお、堆積物としてはシリカ系やタングステン系の酸化物等の固形物などが挙げられるが、これ以外の固形物も生成する。
本発明は、排ガス処理設備における堆積物の生成を抑制することを課題とする。
本発明の排ガス処理設備は、排ガスを除害処理する除害装置と、該除害装置に水を供給する給水手段とを有する排ガス処理設備において、該給水手段に供給される水にコリン及び／又はアンモニアを添加する薬剤添加手段を設けたことを特徴とする。
本発明の一態様では、前記薬剤添加手段は、前記水に、コリン及び／又はアンモニアと、過酸化水素とを添加する。
本発明の一態様では、前記除害装置の下流側にスクラバーが設けられており、該スクラバーの用水にコリン及び／又はアンモニアを添加する薬剤添加手段を備える。
本発明の一態様では、前記スクラバーの用水に、コリン及び／又はアンモニアと、過酸化水素とを添加する。
本発明の一態様では、前記薬剤添加手段は、薬剤として、半導体製造プロセスで使用される溶液又は半導体製造プロセス排水を添加する。
本発明の一態様では、前記排ガスは、半導体製造プロセスからの排ガスである。
本発明によると、除害装置やスクラバーに供給する用水にコリン及び／又はアンモニアあるいはさらに過酸化水素を添加することにより、排ガス処理設備における堆積物の生成が抑制される。これにより、排ガス処理設備のメンテナンス回数を減らすことができる。また、半導体等の製造プロセスマシンの停止を防ぐことができ、半導体等の生産性が向上する。
なお、排ガスが半導体製造プロセスからの排ガスである場合、除害装置での堆積物は、シリカや、タングステンおよびその酸化物が主成分であるが、特に、タングステンおよびその酸化物は、コリン及び／又はアンモニアを含むか、あるいはさらに過酸化水素を含む溶液に比較的よく溶解するので、堆積物が容易に除去される。
以下、図１を参照して実施の形態について説明する。除害装置１に対し、半導体製造プロセスからの排ガスが供給され、排ガスが燃焼又は分解処理される。なお、除害装置は、燃焼式、プラズマ式、電熱式等のいずれでもよく、これら以外でもよい。
除害装置１内には、水を噴霧したり、除害装置１の内壁面に沿って水を流したりするようにノズル（図示略）が設けられている。該ノズルに対して、タンク及び配管等を備えた給水ライン２によって水が供給され、ノズルから水が噴霧されるか、あるいはノズルから流出した水が除害装置１の内壁面を水膜状に流れる。この噴霧された水あるいは内壁面を流れる水が、ガス中の水可溶成分を吸収すると共に、微粒子を捕捉したり、ガス温度を低下させる。
除害装置１で処理されたガスがスクラバー４に送られ、洗煙処理された後、次工程に送られるか大気放出される。
スクラバー４内では、上部のノズルに対し、水が供給される。ガスは、該ノズルから散水された水と接触して水可溶成分と微粒子が水に吸収ないし捕捉された後、スクラバー４から流出する。スクラバー４に対しては、タンク及び配管等を備えた給水ライン５によって用水が供給される。
除害装置１及びスクラバー４の底部から取り出された水は、排水ライン３，６を介して取り出され、排水処理設備（図示略）に送水されて処理される。
本実施形態では、給水ライン２，５によって除害装置１及びスクラバー４に送水される水にコリン及び／又はアンモニア溶液を添加するように薬剤添加装置が設けられている。
薬剤添加装置としては、薬剤溶液のタンクと、薬注ポンプと、該薬注ポンプの制御器とを備えた一般的なものを用いることができるが、これに限定されない。薬剤添加装置は、給水ライン２，５の双方に薬剤を添加するものであってもよく、給水ライン２，５にそれぞれ薬剤添加装置を設置してもよい。
薬剤溶液としては、コリン溶液、アンモニア溶液、もしくは、これらと過酸化水素の混合溶液を利用する。この場合、アンモニアと過酸化水素の混合液として、半導体製造プロセスで洗浄液として使用されるＳＣ－１、およびその排水を利用してもよい。なお、除害装置１やスクラバー４およびその周辺部材への影響を考慮し、腐食防止剤を併用してもよい。
本発明では、上記薬剤溶液を常時除害装置やスクラバーの用水に添加してもよく、堆積物除去を目的として一時的に上記薬剤を用水に添加してもよい。いずれの場合も、堆積物の溶解および生成抑制の目的が十分に達成される。
なお、コリンの添加率は０．１～１０ｇ／Ｌ特に１～１０ｇ／Ｌ程度が好適であり、アンモニアの添加率は０．１～１０ｇ／Ｌ特に１～１０ｇ／Ｌ程度が好適であり、過酸化水素の添加率は０．１～１０ｇ／Ｌ特に１～１０ｇ／Ｌ程度が好適である。また堆積物の溶解を目的とする場合は、１～１０g／L程度の添加率、堆積物の生成抑制を目的とする場合は、０．１～１ｇ／Ｌ程度の添加率が好適である。
このように、薬剤を除害装置１及びスクラバー４の用水に添加することで、堆積物の主成分であるシリカ、タングステンおよびその酸化物を溶解させることができる。これにより、除害装置１やスクラバー４の内部、除害装置周辺配管等での詰まりを抑制ないし解消し、生産性の向上やメンテナンス頻度の低減を図ることができる。また、排ガス処理設備の停止に伴う半導体製造プロセスの稼動停止も防止され、製品の生産性が向上する。
［実験例］
コリン及び／又はアンモニアが十分な溶解特性を有することを実証するために、以下の実験を行った。半導体製造プロセスの除害装置後段に設置されたスクラバーから堆積物を採取し、成分を分析したところ、Ｗ含有率がドライベースで約５５ｗｔ％であった。
コリン及び／又はアンモニアが十分な溶解特性を有することを実証するために、以下の実験を行った。半導体製造プロセスの除害装置後段に設置されたスクラバーから堆積物を採取し、成分を分析したところ、Ｗ含有率がドライベースで約５５ｗｔ％であった。
採取直後の堆積物を純水に固形分濃度として０．１％となるように添加し分散させて試験液（検水）を調製した。
この試験液に対し、薬剤として、コリン、コリン＋Ｈ２Ｏ２、アンモニア又はアンモニア＋Ｈ２Ｏ２を、それぞれコリン０．１％（ｗｔ％。以下、同様）、コリン０．０５％＋Ｈ２Ｏ２０．０５％、アンモニア０．１％、アンモニア０．０５％＋Ｈ２Ｏ２０．０５％の添加率にて添加し、１０ｍｉｎ撹拌した後、溶け残った固形分量を測定して溶解率を測定したところ、溶解率はコリン、コリン＋Ｈ２Ｏ２、アンモニア＋Ｈ２Ｏ２の場合はいずれも約５０～６０％であった。アンモニア０．１％添加の場合の溶解率は約７０％であった。
また、上記試験液に対する上記各薬剤の添加率を１％とした場合、溶解率は大概７５～９０％であった。
これに対し、ＮａＯＨ０．１％を添加した場合の溶解率は約２０％、ＮａＯＨ１％を添加した場合でも約４５％と低い値であった。この結果より、コリン及び／又はアンモニアが十分な溶解特性を有することが認められた。
上記実施の形態は本発明の一例であり、本発明は上記以外の形態とされてもよい。
１ 除害装置
４ スクラバー
４ スクラバー
Claims (6)
- 排ガスを除害処理する除害装置と、該除害装置に水を供給する給水手段とを有する排ガス処理設備において、
該給水手段に供給される水にコリン及び／又はアンモニアを添加する薬剤添加手段を設けたことを特徴とする排ガス処理設備。 - 前記薬剤添加手段は、前記水に、コリン及び／又はアンモニアと、過酸化水素とを添加する請求項１の排ガス処理設備。
- 前記除害装置の下流側にスクラバーが設けられており、
該スクラバーの用水にコリン及び／又はアンモニアを添加する薬剤添加手段を備えた請求項１又は２の排ガス処理設備。 - 前記スクラバーの用水に、コリン及び／又はアンモニアと、過酸化水素とを添加する請求項３の排ガス処理設備。
- 前記薬剤添加手段は、薬剤として、半導体製造プロセスで使用される溶液又は半導体製造プロセス排水を添加する請求項１～４のいずれかの排ガス処理設備。
- 前記排ガスは、半導体製造プロセスからの排ガスである請求項１～５のいずれかの排ガス処理設備。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021019965A JP7230940B2 (ja) | 2021-02-10 | 2021-02-10 | 排ガス処理設備 |
| US18/034,061 US20230390694A1 (en) | 2020-10-30 | 2021-10-26 | Exhaust gas treatment facility |
| PCT/JP2021/039494 WO2022092086A1 (ja) | 2020-10-30 | 2021-10-26 | 排ガス処理設備 |
| KR1020237006947A KR20230096964A (ko) | 2020-10-30 | 2021-10-26 | 배기 가스 처리 설비 |
| CN202180062924.2A CN116324277A (zh) | 2020-10-30 | 2021-10-26 | 排气处理设备 |
| TW110140153A TW202218740A (zh) | 2020-10-30 | 2021-10-28 | 排氣處理設備 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021019965A JP7230940B2 (ja) | 2021-02-10 | 2021-02-10 | 排ガス処理設備 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022122616A true JP2022122616A (ja) | 2022-08-23 |
| JP7230940B2 JP7230940B2 (ja) | 2023-03-01 |
Family
ID=82939423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021019965A Active JP7230940B2 (ja) | 2020-10-30 | 2021-02-10 | 排ガス処理設備 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7230940B2 (ja) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6328430A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 高温排ガス脱硝装置 |
| JPH0938463A (ja) * | 1995-08-01 | 1997-02-10 | Ebara Corp | 半導体製造排ガスの処理方法 |
| JP2001502604A (ja) * | 1996-12-31 | 2001-02-27 | エーティーエムアイ エコシス コーポレーション | 半導体製造排気の酸化処理のための排気流処理システム |
| JP2002172384A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-18 | Kurita Water Ind Ltd | アンモニアと過酸化水素を含む排水の処理方法 |
| JP2010536549A (ja) * | 2007-08-23 | 2010-12-02 | カールスルーアー・インスティトゥート・フュア・テヒノロギー | 排ガスの浄化法 |
| WO2014109152A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | エドワーズ株式会社 | インレットノズル、及び除害装置 |
| JP2016057009A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 三浦工業株式会社 | ボイラ及びボイラの休缶処理方法 |
| JP2016190206A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | パンパシフィック・カッパー株式会社 | 排ガス中のアルシン除去方法 |
| US20170029343A1 (en) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | Terrell D. Ginn | Sulfur enhanced nitrogen production from emission scrubbing |
| JP2017219260A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス処理装置 |
-
2021
- 2021-02-10 JP JP2021019965A patent/JP7230940B2/ja active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6328430A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 高温排ガス脱硝装置 |
| JPH0938463A (ja) * | 1995-08-01 | 1997-02-10 | Ebara Corp | 半導体製造排ガスの処理方法 |
| JP2001502604A (ja) * | 1996-12-31 | 2001-02-27 | エーティーエムアイ エコシス コーポレーション | 半導体製造排気の酸化処理のための排気流処理システム |
| JP2002172384A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-06-18 | Kurita Water Ind Ltd | アンモニアと過酸化水素を含む排水の処理方法 |
| JP2010536549A (ja) * | 2007-08-23 | 2010-12-02 | カールスルーアー・インスティトゥート・フュア・テヒノロギー | 排ガスの浄化法 |
| WO2014109152A1 (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-17 | エドワーズ株式会社 | インレットノズル、及び除害装置 |
| JP2016057009A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 三浦工業株式会社 | ボイラ及びボイラの休缶処理方法 |
| JP2016190206A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | パンパシフィック・カッパー株式会社 | 排ガス中のアルシン除去方法 |
| US20170029343A1 (en) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | Terrell D. Ginn | Sulfur enhanced nitrogen production from emission scrubbing |
| JP2017219260A (ja) * | 2016-06-08 | 2017-12-14 | 株式会社荏原製作所 | 排ガス処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7230940B2 (ja) | 2023-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20180033181A (ko) | 처리 챔버로부터 나오는 부식성 배출 가스 스트림을 배기하기 위한 장치 | |
| CN111578295B (zh) | 一种燃烧水洗式半导体废气处理装置 | |
| JP2010063951A (ja) | 排ガス処理方法および処理装置 | |
| TW201947685A (zh) | 用於氣體副產品消除和前級管線清潔的設備 | |
| JP3722846B2 (ja) | 湿式排ガス処理装置内のスケール生成防止方法 | |
| WO2022092086A1 (ja) | 排ガス処理設備 | |
| TW201906657A (zh) | 排氣系設備系統 | |
| JP7230940B2 (ja) | 排ガス処理設備 | |
| JP4772223B2 (ja) | 排ガス除害装置及び方法 | |
| KR20090011467A (ko) | 반도체 배기 가스 처리 장치 | |
| TW201802871A (zh) | 利用氧電漿清潔循環之電漿除污固體顆粒迴避法 | |
| JP5004453B2 (ja) | 排ガスの処理方法及び処理装置 | |
| KR101006384B1 (ko) | 폐가스 처리장치 | |
| JP2022072981A (ja) | 排ガス処理設備 | |
| JP7435660B2 (ja) | 排ガス処理設備の運転方法 | |
| WO2023189307A1 (ja) | 排ガス処理設備の洗浄方法 | |
| WO2023189306A1 (ja) | 排ガス処理設備の洗浄方法、洗浄液及び洗浄剤 | |
| TW200904511A (en) | Semiconductor exhaust gas treating device | |
| JP3109480U (ja) | 高効率パーフルオロ化合物廃ガスプラズマ処理装置 | |
| KR102621792B1 (ko) | 배가스 처리장치 | |
| JP6020626B2 (ja) | デバイス用Ｇｅ基板の洗浄方法、洗浄水供給装置及び洗浄装置 | |
| KR101576212B1 (ko) | 사전 수처리 기능을 가지는 스크러버 | |
| JP2013044479A (ja) | 塩化珪素化合物を含む排ガスの浄化方法 | |
| KR200267601Y1 (ko) | 플라즈마 폐가스 세정장치 | |
| KR20090132145A (ko) | 폐가스 처리장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211027 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211214 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220204 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220331 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220809 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221005 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230117 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230130 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7230940 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |