JPH09326534A - Iii 族窒化物半導体装置 - Google Patents
Iii 族窒化物半導体装置Info
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- JPH09326534A JPH09326534A JP16387296A JP16387296A JPH09326534A JP H09326534 A JPH09326534 A JP H09326534A JP 16387296 A JP16387296 A JP 16387296A JP 16387296 A JP16387296 A JP 16387296A JP H09326534 A JPH09326534 A JP H09326534A
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Abstract
ないAlx Gay In1-x-y N 結晶からなるIII 族窒化物半導
体装置を提供する。 【解決手段】Alx Gay In1-x-y N(0 ≦x 、y かつ 0≦x+
y ≦1)結晶の熱膨張係数より小さな熱膨張係数を持つ結
晶からなる基板1上に形成されたAlx Gay In1-x-y N 層
Ntを含むIII 族窒化物半導体装置において、前記基板と
前記Alx GayIn1-x-y N 層との間に基板材料およびAlx G
ay In1-x-y N 結晶の熱膨張係数より大きな熱膨張係数
を持つ材料からなる応力緩和層S を介在させる。さら
に、応力緩和層と基板との間に、Alx Gay In1-x-y N か
らなる酸化防止層T を介在さると良い。基板材料はシリ
コン (Si) 結晶または炭素化シリコン (SiC)結晶である
と良い。
Description
y In1-x-y N (0 ≦x 、y かつは0 ≦x+y ≦1)を用いた
レーザダイオードまたは発光ダイオードなどのIII 族窒
化物半導体装置に関する。
9 〜6.2 eVの範囲で制御可能なIII 族窒化物 (Alx Gay
In1-x-y N (0≦x 、y かつは0 ≦x+y ≦1)) を用いたレ
ーザダイオードや発光ダイオードなどのIII 族窒化物半
導体装置が試作されている。以下、III 族窒化物をAlx
Gay In1-x-y N またはAlGaInN と略記する。III 族窒化
物半導体装置は、結晶格子や熱膨張係数の整合性の良さ
から、主として、サファイア基板上に形成されてきた。
そして、Alx Gay In1-x-y N の組成( x 、y ) を変える
ことによる光学ギャップの制御、Siやマグネシウム (M
g) を添加することによるn型やp型への価電子制御に
より、ダブルヘテロ構造 (M.C.Yoo,K.H.Shim,et al.: P
roceedings of International Symposium on Blue Lase
r and LightEmitting Diodes, Chiba Univ.,Japan,Marc
h 5-7, 1996,p554-557 ) あるいは量子井戸構造 (S.Nak
amura,et al,J.Japanese Journal of Applied Physics,
vol35,part2,No 2B(1996),L217 〜L220) などのIII 族
窒化物半導体装置が報告されている。
例であるレーザダイオードの断面図である。サファイア
(c面) からなる基板1 上に、AlN のバッファ層2 、GaN
のコンタクト層3 が成膜されている。さらにn 型AlGaN
のクラッド層4 、GaN の活性層5 およびp 型のAlGaN の
クラッド層6 からなるダブルヘテロ構造が形成されてい
る。その上にはp 型のGaN のキャップ層7 が形成されて
おり、ダブルヘテロ構造とキャップ層7 は一括してフォ
トエッチされ側面は基板面に垂直にされている。サファ
イアの導電性が低いために、コンタクト層3 が基板側の
電気リードのためにダブルヘテロ構造の外側に延びてお
り、その表面にはAu/Cr からなる第1の電極層8 が形成
されている。キャップ層7 の上にはAl/Tiからなる第2
の電極層9 が形成されている。
(以下MOCVD と記す) においては、基板の温度を1000℃
程度まで上昇させるため、基板の選択には格子定数の整
合性の他に熱膨張係数の整合性も考慮する必要がある。
格子定数の整合が良い基板であっても、熱膨張係数がAl
x Gay In1-x-y N よりも小さな基板材料を用いると、成
膜後の冷却中に Al x Gay In1-x-y N 膜に引っ張り応力
が生じ、状況によっては膜に亀裂が入ることが知られて
いる (A. Kuramata,K.Horino,et al.; Proceedings of
International Symposium on Blue Laser and Light Em
itting Diodes,Chiba Univ., Japan,March 5-7, 1996,
p80-85)。
てはサファイアが用いられてきた。サファイア基板はAl
x Gay In1-x-y N 結晶と格子整合性も良く、しかも、サ
ファイアの熱膨張係数、α(サファイア)は7.5 ×10-6
/Kであり(以下、α( 物質名)はその物質の熱膨張係数
を表す)、Alx Gay In1-x-y N のα(Al x Gay In1-x-y
N)=5.6 ×10-6/Kよりも大きいため、亀裂は発生しな
い。
点がある。1.へき開性がないため、レーザーダイオード
における光共振器を簡便な劈開により形成できない。2.
導電性が小さく、基板面から電極を取ることができな
い。
-SiC結晶の基板を用いれば、上に挙げた2つの欠点は解
決されるが、熱膨張係数がα(Si)=3.59×10-6/K、α(6
H-SiC)=4.2 ×10-6/KとAlx Gay In1-x-y N 系の熱膨張
係数( 例えばα(GaN)=5.6 ×10-6/K) より小さいため、
成膜後の成膜温度 (約1000℃) から室温までの冷却時
に、基板より膜の方が多く収縮することになるが、基板
の方が膜より厚いため、膜側には引っ張り応力が生じ
る。その結果、膜に亀裂が生じることがある。そのた
め、半導体装置が製造できない。図9はSi結晶基板に直
接形成されたAlx Gay In1-x-y N 膜の表面の走査型電子
顕微鏡観察による結晶の状態を示す図である。亀裂が生
じていることが判る。
結晶または6H-SiC結晶の基板上に亀裂の生じないAlx Ga
y In1-x-y N 結晶からなるIII 族窒化物半導体装置を提
供することにある。
めに、Alx Gay In1-x-y N(0 ≦x 、y かつ 0≦x+y ≦1)
結晶の熱膨張係数より小さな熱膨張係数を持つ結晶から
なる基板上に形成されたAlx Gay In1-x-y N 層を含むII
I 族窒化物半導体装置において、前記基板と前記Alx Ga
y In1-x-y N 層との間に基板材料およびAlx Gay In
1-x-y N 結晶の熱膨張係数より大きな熱膨張係数を持つ
材料からなる応力緩和層を介在させて、AlxGay In
1-x-y N に生ずる応力を緩和することとする。
炭素化シリコン (SiC)結晶であると良い。前記応力緩和
層は酸化亜鉛 (ZnO)、酸化マグネシウム (MgO)、サファ
イア (α−Al2O3)、スピネル (MgAl2O4)またはネオジウ
ムガレイト (NdGaO3) の内の少なくとも1 種類からなる
と良い。
In1-x-y N (0≦x 、y かつ 0≦x+y≦1)からなる酸化防
止層を介在させ、応力緩和層およびその上に形成される
AlxGay In1-x-y N 膜の結晶性の悪化を防止すると良
い。前記III 族窒化物半導体装置は発光ダイオードまた
はレーザダイオードであると良い。
半導体装置の層構成の断面図である。基板 1上に酸化防
止層T 、応力緩和層S 、次いでAlx Gay In1-x-y N 層Nt
が積層されている。基板 1の表面はSi結晶の(1,1,1) 面
またはSiC 結晶の(0,0,0,1) 面である。Alx Gay In
1-x-y N 層Ntは組成(x、y)やドーピングの異なる複数の
層からなっている。例えばダブルヘテロ構造のダイオー
ドの場合は図 8のバッファ層2 〜キャップ層7 と同じで
ある。用途に応じて他の半導体層または電極層がさらに
積層される。
板材料の熱膨張係数はAlGaInN 結晶の熱膨張係数よりも
小さいので、AlGaInN の成膜後の成膜温度 (約1000℃)
から室温までの冷却時に、基板よりAlGaInN膜の方が多
く収縮することになるが、基板の方がAlGaInN 膜より厚
いため、AlGaInN 膜側には引っ張り応力が生じる。その
結果、AlGaInN 膜に亀裂が生じることがある。しかし、
基板とAlGaInN 膜との間に、これら2種の材料の熱膨張
係数より大きな熱膨張係数を持つ材料の層を挿入した場
合、この挿入層は基板をより収縮させようとする、即ち
基板のみかけ上の熱膨張係数を大きくしAlGaInN 膜のそ
れに近づけるので、AlGaInN 膜に対する引っ張り力は緩
和され、AlGaInN 膜に亀裂が入ることが防止される。従
って、この挿入層を応力緩和層と呼称する。
の小さいことも必要である。表1 にこのような材料を挙
げる。表1 に応力緩和層に適した材料のの熱膨張係数と
GaN結晶に対する格子不整合率を示す。
め、成膜時におけるSiやSiC 表面の酸化が懸念される。
仮に、基板表面が酸化したときには、多くの場合、基板
と酸化物材料との界面に非晶質層が形成され、その上に
形成された膜の結晶性が悪化する。このため、基板上に
酸化抑制のための酸化防止層T として、Alx Gay In
1-x-y N を極薄く(10nm 程度) 形成し、その上に応力緩
和層S を形成する。そして最後に、Alx Gay In1-x-y N
からなるダブルヘテロ構造や量子井戸構造など、目的の
半導体装置用の多層AlGaInN 層Ntを形成する。成膜方法
として分子線エピタキシャル(MBE)または有機金属気相
成長法などが適用できる。 実施例1 先ず、Si単結晶の (1,1,1)面の基板上に直接、厚さ100n
m のZnO 層を形成した。スパッタ条件としては、基板温
度を250 ℃とし、スパッタガスはArとしその圧力を1Pa
とした。ターゲットにはAlを2wt%添加したZnO 焼結体を
用いた。Alの添加は応力緩和層に導電性を持たせるため
である。
c軸配向していることが確認できた。図2はSi基板上に
直接形成されたZnO 膜の反射高速電子線回折(RHEED) 像
を示し、(a)は電子線入射が (1,-1,1) 方向の場合の
パターンの図、(b)は電子線入射が(1,0,0) 方向の場
合であり(a)に対してc面内で30°回転させた場合の
パターンの図である。図2から、単結晶のパターン
((b)における高輝度(大きい白点)のみ) と低輝度
(淡い白点)のみのパターン)がずれて重なっているこ
とから、ZnO 膜のc面内でa軸の向きが回転した多結晶
膜であることが判った。
オージェ電子分光による深さ方向の元素分析の結果を示
す図である。Si基板の領域にも大量の酸素が検出され、
Si基板表面が酸化されていることが判る。このため、Zn
O の多結晶化は、ZnO を形成するときにSi表面が酸化さ
れたことに起因していることが想定できる。このZnO 膜
上に、多層のAl x Ga y In1-x-y N 膜を窒素ラジカルを
使った分子線エピタキシャル(MBE)により形成した。層
構成はAlN の第 1のバッファ層、その上にGaN の第 2の
バッファ層、n 型AlGaN のクラッド層、GaN の活性層、
p 型AlGaN のクラッド層からなるダブルヘテロ構造とし
たが、亀裂は観測されず、ZnO の応力緩和層の効果が確
認できた。
止層としてSi基板上にn 型GaN 膜を10nm形成した。その
上にZnO 応力緩和層を100nm 形成した。図4はSi基板に
GaN膜を形成されたZnO 膜のオージェ電子分光による深
さ方向の元素分析の結果を示す図である。図3と比較し
て、図4からGaN 膜がSiの酸化を防止していることが確
認できる。
O 膜のRHEED 像を示し、(a)は電子線入射が (1,-1,
1) 方向の場合のパターンの図、(b)は電子線入射が
(1,0,0) 方向の((a)に対してc面内で30°回転させ
た)場合のパターンの図である。酸化防止層の形成され
ない場合(図2)と異なり、パターンは二重構造になっ
ていず、ZnO のc面内のa軸の回転は観測されない。こ
のことから、酸化抑制のための GaN層を導入することに
より、Si基板の酸化が抑制され、ZnO はエピタキシャル
成長(単結晶成長)することが判った。
のAl x Ga y In1-x-y N のダブルヘテロ構造を形成し、
さらにキャップ層を形成した。図6はSi基板上のGaN
膜、ZnO 膜の二重層上の Al x Gay In1-x-y N 膜の電子
顕微鏡観察による結晶の状態を示す図である。図から、
その表面は平滑であり、亀裂は生じていないことが判
る。この状態の AlGaInN膜を用いて、特に精細な構造を
必要としないフォトダイオード等のIII 族窒化物半導体
装置は成立する。
I 族窒化物半導体装置の1例としてレーザダイオードを
作製した。図7は本発明に係るレーザダイオードのへき
開面に垂直な面での断面図である。基板1 は(1,1,1) 面
Siであり、酸化防止層11、応力緩和層12が順次積層され
ている。厚さ50nmのAlN の第1 のバッファ層2を形成
し、その上に厚さ0.5 μm のGaN の第2のバッファ層、
厚さ150nm のn 型AlGaNのクラッド層4、厚さ50nmのGaN
の活性層5、厚さ150nm のp 型AlGaN のクラッド層6
からなるダブルヘテロ構造を形成し、さらに厚さ100nm
p 型GaN キャップ層7を形成してある。基板1 の電極8a
はAl、キャップ層7 の電極9 はAu/Cr である。
化物半導体層は(1,-1,0,0) 面がへき開面となり、光共
振器が形成できる。このレーザダイオードにパルス電流
を流し、電流密度約10kA/cm2以上でレーザ発振させるこ
とができた。また、酸化防止層として、Ga1-x Alx N
(0 <x ≦1)も実施したが、同様に酸化防止の効果があ
り、応力緩和層は単結晶であり、III 族窒化物半導体層
は良好に成膜できた。 実施例2 基板としてSi単結晶の (1,1,1)面を用い、応力緩和層に
マグネトロンスパッタにより形成したサファイア (α−
Al2O3)を用いた。なお、基板温度は500℃、ターゲッ
トにはAl2O3 の焼結体を用い、スパッタガスにはArを使
い、圧力は1Pa、膜厚は120nm とした。
緩和層の場合と同様、酸化防止層がない場合、Si(1,1,
1) 基板上でc軸配向に成長はするが、c面内でのa軸
方向の回転が見られた。ところが、酸化防止層を導入す
ることにより、サファイアおよびその上に形成したダブ
ルへテロ構造ともにエピタキシャル成長し、亀裂も観測
されなかった。 実施例3 基板としてSi単結晶の (1,1,1)面を用い、応力緩和層に
マグネトロンスパッタリングにより形成したマグネシア
(MgO)を用いた。なお、基板温度は400 ℃、ターゲット
にはMgO の焼結体を用い、スパッタガスはArを使い、圧
力は1Pa 、膜厚は100nm とした。MgO の場合も、酸化防
止層がない場合、Si(1,1,1) 基板上でc軸配向ではある
が、c面内でのa軸方向の回転が見られた。ところが、
酸化防止層を導入することにより、MgO およびその上に
形成したダブルへテロ構造ともにエピタキシャル成長
し、亀裂も観測されなかった。 実施例4 基板としてSi単結晶の (1,1,1)面を用い、応力緩和層に
マグネトロンスパッタリングにより形成したスピネル
(MgAl2 O4) を用いた。なお、基板温度は600 ℃、ター
ゲットにはMgAl2 O4焼結体を用い、スパッタガスにはAr
を使い、圧力は1Pa 、膜厚は120nm とした。スピネルの
場合も、酸化防止層がない場合、Si(1,1,1) 基板上でc
軸配向ではあるが、c面内でのa軸方向の回転が見られ
た。ところが、酸化防止層を導入することにより、スピ
ネルおよびその上に形成したダブルへテロ構造ともにエ
ピタキシャル成長し、亀裂も観測されなかった。 実施例5 基板としてSi単結晶の (1,1,1)面を用い、応力緩和層に
マグネトロンスパッタリングにより形成したネオジガレ
イト (NdGaO3) を用いた。なお、基板温度は700 ℃、タ
ーゲットにはNdGaO3焼結体を用い、スパッタガスにはAr
を使い、圧力は1Pa 、膜厚は120nm とした。ネオジガレ
イトの場合も、酸化防止層がない場合、Si(1,1,1) 基板
上でc軸配向ではあるが、c面内でのa軸方向の回転が
見られた。ところが、酸化防止層を導入することによ
り、ネオジガレイトおよびその上に形成したダブルへテ
ロ構造ともにエピタキシャル成長し、亀裂も観測されな
かった。 実施例6 また、6H-SiC基板を用いて、実施例1 と同様に、ZnO を
応力緩和層、GaN 酸化防止層とした実験を行ったが、実
施例1 と同様に応力緩和層、酸化防止層の効果が確認で
きた。
≦x 、y かつ 0≦x+y ≦1)結晶の熱膨張係数より小さな
熱膨張係数を持つ結晶からなる基板上に形成されたAlx
Gay In1-x-y N 層を含むIII 族窒化物半導体装置におい
て、前記基板と前記Alx Gay In1-x-y N 層との間に基板
材料およびAlx Gay In1-x-y N 結晶の熱膨張係数より大
きな熱膨張係数を持つ材料からなる応力緩和層を介在さ
せて、Alx Gay In1-x-yN に生ずる応力を緩和したた
め、熱膨張係数がAlx Gay In1-x-y N 膜より小さい基板
上のAlx Gay In1-x-y N からなる多層膜を有するIII 族
窒化物半導体装置には亀裂がなく、またへき開性を利用
して個別化が簡単にできる。
Gay In1-x-y N (0≦x 、y かつ 0≦x+y ≦1)からなる酸
化防止層を介在させ、応力緩和層およびその上に形成さ
れるAlx Gay In1-x-y N 膜の結晶性の悪化を防止するよ
うにしたので、精細な層構成の発光ダイオードやレーザ
ダイオードを形成できる。
の断面図
子線回折(RHEED) 像を示し、(a)は電子線入射が (1,
-1,1) 方向の場合のパターンの図、(b)は電子線入射
が(1,0,0) 方向の場合であり(a)に対してc面内で30
°回転させた場合のパターンの図
子分光による深さ方向の元素分析の結果を示す図
電子分光による深さ方向の元素分析の結果を示す図
D 像を示し、(a)は電子線入射が (1,-1,1) 方向の場
合のパターンの図、(b)は電子線入射が(1,0,0) 方向
の場合((a)に対してc面内で30°回転させた)のパ
ターンの図
Gay In1-x-y N 膜の電子顕微鏡観察による結晶の状態を
示す図
直な面での断面図
ーザダイオードの断面図
N 膜の表面の走査型電子顕微鏡観察による結晶の状態を
示す図
子線回折(RHEED) 像を示し、(a)は電子線入射が(1,-
1,1)方向の場合の結晶構造の写真、(b)は電子線入射
が(1, 0, 0) 方向の場合であり(a) に対してc 面内で30
°回転させた場合の結晶構造の写真
高速電子線回折(RHEED) 像を示し、(a)は電子線入射
が(1,-1,1)方向の場合の結晶構造の写真、(b)は電子
線入射が(1, 0, 0) 方向の((a) に対してc 面内で30°
回転させた)場合の結晶構造の写真
y In1-x-y N 膜の電子顕微鏡観察による結晶の状態を示
す顕微鏡写真
1-x-y N 膜の表面の走査型電子顕微鏡観察による結晶の
状態を示す顕微鏡写真
Claims (5)
- 【請求項1】Alx Gay In1-x-y N (0≦x 、y かつ 0≦x+
y ≦1)結晶の熱膨張係数より小さな熱膨張係数を持つ結
晶からなる基板上に形成されたAlx Gay In1-x-y N 層を
含むIII 族窒化物半導体装置において、前記基板と前記
Alx Gay In1-x-y N 層との間に基板材料およびAlx Gay
In1-x-y N 結晶の熱膨張係数より大きな熱膨張係数を持
つ材料からなる応力緩和層を介在させて、Alx Gay In
1-x-y Nに生ずる応力を緩和することを特徴とするIII
族窒化物半導体装置。 - 【請求項2】前記基板材料はシリコン (Si) 結晶または
炭素化シリコン (SiC)結晶であることを特徴とする請求
項1に記載のIII 族窒化物半導体装置。 - 【請求項3】前記応力緩和層は酸化亜鉛 (ZnO)、酸化マ
グネシウム (MgO)、サファイア (α-Al2O3) 、スピネル
(MgAl2O4)またはネオジウムガレイト (NdGaO3) の内の
少なくとも1 種類からなることを特徴とする請求項1ま
たは2に記載のIII 族窒化物半導体装置。 - 【請求項4】前記応力緩和層と基板との間に、Alx Gay
In1-x-y N (0≦x 、y かつ 0≦x+y ≦1)からなる酸化防
止層を介在させ、応力緩和層およびその上に形成される
Alx Gay In1-x-y N 膜の結晶性の悪化を防止することを
特徴とする請求項1ないし3に記載のIII 族窒化物半導
体装置。 - 【請求項5】発光ダイオードまたはレーザダイオードで
あることを特徴とする請求項1ないし4に記載のIII 族
窒化物半導体装置。
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JP16387296A JP3756575B2 (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | Iii 族窒化物半導体装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH09326534A true JPH09326534A (ja) | 1997-12-16 |
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6437363B1 (en) | 1998-09-25 | 2002-08-20 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Semiconductor photonic device |
JP2003031846A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材 |
WO2002069410A3 (en) * | 2001-02-23 | 2003-03-06 | Nitronex Corp | Gallium nitride material devices including backside vias and methods of fabrication |
US6940098B1 (en) * | 1999-03-17 | 2005-09-06 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
KR100680423B1 (ko) * | 1999-02-26 | 2007-02-08 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
US7233028B2 (en) | 2001-02-23 | 2007-06-19 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods of forming the same |
US7605012B2 (en) | 1999-07-26 | 2009-10-20 | National Institute of Advanced Industrial Science & Tech. | ZnO based compound semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2010212461A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Oki Data Corp | 半導体複合装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2011014938A (ja) * | 2000-04-26 | 2011-01-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光半導体素子並びに発光性半導体素子の製造方法 |
US10700023B2 (en) | 2016-05-18 | 2020-06-30 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High-power amplifier package |
US11367674B2 (en) | 2016-08-10 | 2022-06-21 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High power transistors |
-
1996
- 1996-06-04 JP JP16387296A patent/JP3756575B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6437363B1 (en) | 1998-09-25 | 2002-08-20 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Semiconductor photonic device |
KR100680423B1 (ko) * | 1999-02-26 | 2007-02-08 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
US7589001B2 (en) | 1999-03-17 | 2009-09-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
US7504324B2 (en) | 1999-03-17 | 2009-03-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
US6940098B1 (en) * | 1999-03-17 | 2005-09-06 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
US7115486B2 (en) | 1999-03-17 | 2006-10-03 | Mitsubishi Cable Industries Ltd. | Semiconductor base and its manufacturing method, and semiconductor crystal manufacturing method |
US7605012B2 (en) | 1999-07-26 | 2009-10-20 | National Institute of Advanced Industrial Science & Tech. | ZnO based compound semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2011014938A (ja) * | 2000-04-26 | 2011-01-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光半導体素子並びに発光性半導体素子の製造方法 |
US7233028B2 (en) | 2001-02-23 | 2007-06-19 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods of forming the same |
JP2004530289A (ja) * | 2001-02-23 | 2004-09-30 | ニトロネックス・コーポレーション | バックサイドビアを含む窒化ガリウム材料デバイスおよび方法 |
US6611002B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-08-26 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods including backside vias |
WO2002069410A3 (en) * | 2001-02-23 | 2003-03-06 | Nitronex Corp | Gallium nitride material devices including backside vias and methods of fabrication |
JP4792558B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2011-10-12 | インターナショナル・レクティファイアー・コーポレーション | バックサイドビアを含む窒化ガリウム材料デバイスおよび方法 |
JP2003031846A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-01-31 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材 |
JP2010212461A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Oki Data Corp | 半導体複合装置の製造方法及び半導体装置 |
US10700023B2 (en) | 2016-05-18 | 2020-06-30 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | High-power amplifier package |
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