JPH09312414A - 投光装置と受光装置及びそれらを備えた物体検出装置 - Google Patents

投光装置と受光装置及びそれらを備えた物体検出装置

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JPH09312414A
JPH09312414A JP15327496A JP15327496A JPH09312414A JP H09312414 A JPH09312414 A JP H09312414A JP 15327496 A JP15327496 A JP 15327496A JP 15327496 A JP15327496 A JP 15327496A JP H09312414 A JPH09312414 A JP H09312414A
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JP
Japan
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light
light emitting
emitting element
semiconductor chip
lens
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JP15327496A
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Hiroshi Okabe
浩史 岡部
Shiro Ogata
司郎 緒方
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 投光装置において、発光素子からの出射光を
効率良くレンズを通して斜め方向に出射できるようにす
る。また、この投光装置を用いた物体検出装置の薄型
化、小型化、及び省部品化を図る。 【解決手段】 発光素子2の半導体チップ4の中心軸5
と、集光レンズ3の光軸6とを所定のずれ量でずらして
発光素子2と集光レンズ3とを接着固定した構成によ
り、発光素子2の中心軸5に対して斜め方向に光ビーム
7を精度良く出射する。これにより、発光素子2を斜め
に配置する必要がなくなるので、この投光装置1を物体
検出装置に用いれば、薄型化、小型化、及び省部品化を
図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、物体の有無等を光
学的に検知する物体検出装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、特定の領域内を被検出物体が通過
したことを検知するセンサとして、限定反射型光電セン
サが知られている。このセンサの一例を図5に示す。こ
の限定反射型光電センサ30は、発光素子2と投光レン
ズ31により構成される投光部より光ビーム32を照射
し、光ビーム32が伝搬する領域のうち特定範囲33か
らの光34をフォトダイオード等の受光素子13と受光
レンズ35により構成される受光部により受光し、この
特定範囲33を検知領域として被検出物体がこの領域を
通過したときには、被検出物体からの反射光34を受光
部により受光して被検出物体の通過を判別するものであ
る。この投光部及び受光部は、投光レンズ31の光軸3
6又は受光レンズ35の光軸37が特定範囲33の中心
或いは中心近傍を通るようにセンサケース15の投受光
面に対して傾けられた状態で設置されている。
【0003】また、半導体チップ4、14はモールド樹
脂8に封入され、半導体チップ4、14からは外部回路
と電気的に接続するためのリードフレーム9が導出され
ている。発光素子2は、図11に示すように、中心に半
導体チップ4を直方体状のモールド樹脂8により封入し
た構成となっている。なお、半導体チップ14を備えた
フォトダイオード等の受光素子13も同様の構成となっ
ている。
【0004】従来の限定反射型光電センサの他の構成を
図6に示す。このセンサ38は、そのセンサケース15
の投受光面と投光レンズ31の光軸36が垂直になるよ
うに投光レンズ31を配置したものであり、この投光レ
ンズ31の光軸36と、発光素子2内の半導体チップ4
の発光面の中心を通りそれらの面に垂直な軸(以下、中
心軸という)5とは所定量だけずれた状態となってお
り、これにより、レンズ31の光軸36に対して斜め方
向に出射光を出射することができる。なお、受光レンズ
35も上述の投光レンズ31と同様に配置されている。
【0005】従来の限定反射型光電センサのさらに他の
構成を図7に示す。このセンサ39は、上述の図6の構
成に、集光レンズ40、41を加えたものであり、この
集光レンズ40はその光軸42が半導体チップ4の中心
軸と一致するように発光素子2に接着固定されている。
また、受光素子13、集光レンズ41も上述の発光素子
2、集光レンズ40と同様に配置されている。なお、1
9は発光素子2、集光レンズ40等を保持するための保
持部材を示している。
【0006】従来の限定反射型光電センサのさらに別の
構成を図8に示す。このセンサ44は、発光素子2と集
光レンズ40とからなる投光部より、この投光部を保護
するためのプレートレンズ16aを介して光ビーム32
を出射し、この光ビーム32の特定範囲33からの反射
光34をプレートレンズ16b、集光レンズ41を通し
て受光素子13において受光するものである。投光部及
び受光部はセンサケース15内において傾けられて配置
されている。また、半導体チップ4の中心軸と集光レン
ズ40の光軸36とが一致するように集光レンズ40は
発光素子2上に配置されている。同様に、半導体チップ
14の中心軸と集光レンズ41の光軸37とが重なるよ
うに集光レンズ41は受光素子13上に配置されてい
る。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
図5に示した従来の限定反射型光電センサ30において
はレンズ31,35の光軸36,37に垂直な面をセン
サケース15の投受光面に対して傾けているため薄型化
できない。また、上述の図5及び図6に示した従来の光
電センサ30,38においては、発光素子の外形を基準
としてレンズ31の光軸と発光素子2内の半導体チップ
4の発光面との位置合わせを行ったとき、半導体チップ
4と発光素子2の外形との製造上の位置ばらつきによ
り、出射光の出射方向が設計値に対してばらつきが生じ
るという問題点がある。また、発光素子2は樹脂モール
ドされているため、樹脂と空気の屈折率差により図9に
示すように出射光7が発散し、効率良くレンズ31を通
して前方に出射できない。このため、光電センサ30,
38の受光パワーが減少し、検出距離が短くなるという
問題点がある。
【0008】また、図7に示した従来の光電センサ39
においては、発光素子2及び受光素子13上に直接にレ
ンズ40,41を装着固定するため、実装に画像処理技
術等を用いれば、正確に装着することが可能となるが、
発光素子2上に装着される集光レンズ40と、センサケ
ース15に設置されたレンズ31の2枚のレンズを必要
とし、部品点数が多くなるという問題点がある。
【0009】また、図8に示した従来の光電センサ44
においては、発光素子2及び受光素子13を斜めに取り
付ける必要があり、この発光素子2は、図10に示すよ
うに、樹脂モールド外形が半導体チップ4に比べてかな
り大きい直方体をしているため、斜めにするとセンサケ
ース15の投受光面と発光素子2の外部の底面との距離
Lが長くなり、その結果、光電センサの薄型化、小型
化、及び省部品化を図ることができないという問題点が
ある。また、レンズ40の保持部材19の構造が大きく
なるという問題点がある。
【0010】本発明は、上述した問題点を解決するため
になされたものであり、従来の限定反射型光電センサと
同様に物体検出の限定領域を有し、出射光の出射方向の
ばらつきをなくし、かつ発光素子からの出射光が効率良
くレンズを通して前方に出射し、さらに、薄型化、小型
化、及び省部品化を図ることのできる光電センサを提供
することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の発明は、発光面から光を投光する半導体
チップを備えた発光素子と、この発光素子上に装着され
た集光レンズからなる投光装置において、半導体チップ
の発光面の中心を通りこの半導体チップ発光面に垂直な
軸と、集光レンズの光軸とを所定のずれ量でずらして発
光素子と集光レンズとを接着固定したものである。この
構成においては、レンズの光軸と発光素子の中心をずら
すことにより、発光素子の発光面の法線に対して斜め方
向に光ビームを照射することができる。発光素子外形に
対する半導体チップの位置は製造上のばらつきがある
が、レンズを発光素子に直接装着固定するので、レンズ
の中心と半導体チップの中心位置関係を設計通りに配置
することが可能で、光軸のずれをなくすことができ、出
射光の出射方向のばらつきを無くすことができる。ま
た、この投光装置を物体検出装置の投光部に用いた場
合、発光素子を斜めに配置するようなことがないので、
物体検出装置の薄型化、小型化、及び省部品化を図るこ
とができる。
【0012】また、請求項2の発明は、受光面において
光を受光する半導体チップを備えた受光素子とこの受光
素子上に装着された集光レンズからなる受光装置におい
て、半導体チップの受光面の中心を通りこの半導体チッ
プ受光面に垂直な軸と、集光レンズの光軸とを所定のず
れ量でずらして受光素子と集光レンズとを接着固定した
ものである。この構成においては、レンズの光軸と受光
素子の中心とをずらすことにより、受光素子の受光面の
法線に対して斜め方向からの光ビームを受光することが
できる。この受光装置においても上述の投光装置の場合
と同様の理由により、光軸のずれを無くすことができ、
同様の作用が得られる。
【0013】また、請求項3の発明は、請求項1に記載
の投光装置と、この投光装置による投光の反射光を受光
する受光装置とを備え、この受光装置による受光量に基
づいて投光装置と受光装置とで設定される検知領域内に
物体が有るか否かを検知する物体検出装置である。この
構成においては、出射光の出射方向のばらつきが低減さ
れ、検知領域内での物体検出が正確に行え、また、発光
素子を斜めに設けたりしないので、装置の薄型化、小型
化、及び省部品化を図ることができる。
【0014】また、請求項4の発明は、光を投光する投
光装置と、この投光装置による投光の反射光を受光する
請求項2に記載の受光装置とを備え、この受光装置によ
る受光量に基づいて投光装置と受光装置とで設定される
検知領域内に物体が有るか否かを検知する物体検出装置
である。この構成においては、上記と同様の作用によ
り、装置の薄型化、小型化、及び省部品化を図ることが
できる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した実施の
形態を図面を参照して説明する。 (第1実施例)図1は本実施例による投光装置の構成を
示す断面図である。投光装置1は発光素子2と集光レン
ズ3とから構成され、これらは発光素子2に組み込まれ
た半導体チップ4の中心軸5と、集光レンズ3の光軸6
とが所定量だけずれた状態で配置されているものであ
る。
【0016】レンズ5の発光素子2への装着方法は、特
開平4−13989公報に記載されているような光軸調
整装置又は画像処理技術を用いれば、集光レンズ3の光
軸6と半導体チップ4の中心軸5とを所望のずれ量で組
み立てることができる。また、半導体チップ4の基盤へ
の実装は、例えば、ダイボンディングにより行えばよ
い。
【0017】上記のような構成にすることにより、発光
素子2を斜めにすることなく、発光素子2の中心軸5に
対して斜め方向に光ビーム7を出射することができるの
で、この投光装置1を光電センサに用いれば、光電セン
サの薄型化及び小型化を図ることができる。また、モー
ルド樹脂8と集光レンズ3との屈折率を等しくすること
により、図9に示したようなモールド樹脂8の端面での
屈折による光の拡散を防ぐことができ、発光素子2から
の出射光7をより効率良く集光レンズ3を通して前方に
出射することができる。さらに、発光素子2とレンズ3
との位置合わせにより生じるばらつきを防ぐことができ
るので、出射光を所望の出射角度に正確に出射すること
ができる。
【0018】図2は本発明の第1実施例の変形例による
投光装置の断面図である。投光装置10は、図1に示し
た投光装置1において、集光レンズ3の屈折率をモール
ド樹脂8の屈折率よりも大きなものとしたものである。
これにより、集光レンズ3とモールド樹脂8との境面
で、光7をレンズ3方向に屈折させることができるの
で、半導体チップ4からの出射光7をより効率良く集光
レンズ3を通して前方に出射することができる。
【0019】図3は本発明の第1実施例の他の変形例に
よる投光装置の断面図である。投光装置11は、図1に
示した投光装置において、集光レンズ3の光軸6を半導
体チップ4の中心軸5に対して傾きを持たせるものであ
る。これにより、レンズ収差を小さくし、任意の点で集
光させることが可能となる。
【0020】なお、上述の図1乃至図3には、発光素子
2に集光レンズ3を装着した投光装置を示したが、本発
明は、フォトダイオード等の受光素子とレンズとからな
る受光装置においても適用が可能である。この構成によ
れば、レンズにより光を受光し、この光を所定の角度に
屈折させて受光素子に伝搬させることができるので、受
光素子を斜めにする必要がなく、この受光装置を光電セ
ンサに用いれば、光電センサの薄型化,小型化、及び省
部品化を図ることができる。
【0021】(第2実施例)図4は限定反射型光電セン
サの内部構成を示す断面図である。本実施例は、上述の
図1乃至図3のいずれかに示した投光装置及び受光装置
を応用したものである。限定反射型光電センサ25は、
発光素子2とレンズ3aから構成される投光装置よりプ
レートレンズ16aを介して所望の方向に光ビームを照
射し、光ビームが伝搬する領域のうち特定範囲からの反
射光をプレートレンズ16bを介してレンズ3bと受光
素子13から構成される受光装置により受光するもので
ある。これら投光素子2の投光信号及び受光素子13の
受光信号はリードフレーム9、プリント基盤17、ケー
ブル18を介して外部回路に伝達される。
【0022】このように、投光装置及び受光装置を光電
センサ25内で斜め方向に配置する必要がないため、光
電センサ25の薄型化と小型化を図ることができる。ま
た、発光素子4から出射される出射光の方向づけ、また
は反射光の受光素子13への方向づけをそれぞれ1つの
レンズ3a,3bにより行うので図7に示した光電セン
サに比して省部品化を図ることができる。なお、図中に
おいて、20はケーブル18と光電センサ25との接続
部に設けられたケーブル固定樹脂、21は光電センサ2
5の外部装置等に取り付けるための取付穴を示してい
る。
【0023】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、発光素子
と集光レンズからなる投光装置において、発光素子の半
導体チップの中心軸と、集光レンズの光軸とを所定のず
れ量でずらして発光素子と集光レンズとを接着固定した
ので、半導体チップと発光素子の外形とに製造上の位置
のばらつきがあっても、レンズの中心と半導体チップの
中心位置関係を高精度とすることができ、光軸のずれを
なくして、発光素子の中心軸に対して斜め方向に光ビー
ムを精度良く出射することができる。このため、発光素
子を斜めに配置するといった必要がなくなり、投光装
置、さらにはそれを用いた物体検出装置の薄型化、小型
化、及び省部品化を図ることができる。また、発光素子
からの出射光を効率良く前方に出射することができる。
また、本発明によれば、受光素子と集光レンズからなる
受光装置において、半導体チップの中心軸と、集光レン
ズの光軸とを所定のずれ量でずらして受光素子と集光レ
ンズとを接着固定したので、上記と同様の理由により、
受光素子の中心軸に対して、斜め方向からの光ビームを
精度良く受光することができる。このため、受光装置、
さらにはそれを用いた物体検出装置の薄型化、小型化、
及び省部品化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施例による投光装置の構成図である。
【図2】第1実施例の変形例による投光装置の構成図で
ある。
【図3】第1実施例のさらに他の変形例による投光装置
の構成図である。
【図4】第2実施例による限定反射型光電センサの構成
図である。
【図5】従来の限定反射型光電センサの構成図である。
【図6】従来の限定反射型光電センサの構成図である。
【図7】従来の限定反射型光電センサの構成図である。
【図8】従来の限定反射型光電センサの構成図である。
【図9】従来の限定反射型光電センサのモールド樹脂端
面での屈折状態を示す図である。
【図10】従来の限定反射型光電センサのセンサケース
面と発光素子外形部の底面との距離を考察するための図
である。
【図11】(a),(b)は中心に半導体チップが封入
された直方体状の発光素子の構成を示す正面図及び側面
図である。
【符号の説明】
1 投光装置 2 発光素子 3,3a,3b 集光レンズ 4 半導体チップ 5 中心軸(半導体チップ発光面に垂直な軸) 6 集光レンズの光軸 7 光 10 投光装置 11 投光装置 13 受光素子 14 半導体チップ 25 限定反射型光電センサ(物体検出装置) 34 反射光 35 検知領域

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光面から光を投光する半導体チップを
    備えた発光素子と該発光素子上に装着された集光レンズ
    からなる投光装置において、 前記半導体チップの発光面の中心を通り該半導体チップ
    発光面に垂直な軸と、前記集光レンズの光軸とを所定の
    ずれ量でずらして前記発光素子と前記集光レンズとを接
    着固定したことを特徴とする投光装置。
  2. 【請求項2】 受光面において光を受光する半導体チッ
    プを備えた受光素子と該受光素子上に装着された集光レ
    ンズからなる受光装置において、 前記半導体チップの受光面の中心を通り該半導体チップ
    受光面に垂直な軸と、前記集光レンズの光軸とを所定の
    ずれ量でずらして前記受光素子と前記集光レンズとを接
    着固定したことを特徴とする受光装置。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の投光装置と、この投光
    装置による投光の反射光を受光する受光装置とを備え、
    この受光装置による受光量に基づいて前記投光装置と受
    光装置とで設定される検知領域内に物体が有るか否かを
    検知することを特徴とする物体検出装置。
  4. 【請求項4】 光を投光する投光装置と、この投光装置
    による投光の反射光を受光する請求項2に記載の受光装
    置とを備え、この受光装置による受光量に基づいて前記
    投光装置と受光装置とで設定される検知領域内に物体が
    有るか否かを検知することを特徴とする物体検出装置。
JP15327496A 1996-05-23 1996-05-23 投光装置と受光装置及びそれらを備えた物体検出装置 Pending JPH09312414A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009210422A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Sony Corp プローブ装置及びテラヘルツ分光装置
JP2011107019A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Yamatake Corp 光電センサ
JP2015509184A (ja) * 2011-12-20 2015-03-26 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドHeptagon Micro Optics Pte. Ltd. 光電子モジュールおよびそれを備える装置

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