JPH09306026A - 光ディスク及び光ディスクの光透過層形成方法 - Google Patents
光ディスク及び光ディスクの光透過層形成方法Info
- Publication number
- JPH09306026A JPH09306026A JP8140835A JP14083596A JPH09306026A JP H09306026 A JPH09306026 A JP H09306026A JP 8140835 A JP8140835 A JP 8140835A JP 14083596 A JP14083596 A JP 14083596A JP H09306026 A JPH09306026 A JP H09306026A
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- JP
- Japan
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- layer
- optical disk
- pit
- silicon
- light
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ピットが二層に形成された構造を有する光デ
ィスクにおいて、反射層と光透過層との密着性を向上さ
せる。 【解決手段】 光透過層４を第１の反射層３との密着性
が良好な特性を有する樹脂９ａによって形成した。
ィスクにおいて、反射層と光透過層との密着性を向上さ
せる。 【解決手段】 光透過層４を第１の反射層３との密着性
が良好な特性を有する樹脂９ａによって形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はピットが二層に形成
された構造を有する光ディスク及びその光透過膜の形成
方法に関する。
された構造を有する光ディスク及びその光透過膜の形成
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、光ディスクには記憶容量をより高
密度化することが要求されており、記憶容量を倍にする
ために、情報を記憶するピットを二層構造とした光ディ
スクが提案されている。
密度化することが要求されており、記憶容量を倍にする
ために、情報を記憶するピットを二層構造とした光ディ
スクが提案されている。
【０００３】この様な高密度化された光ディスク、例え
ば、読み取り専用型（ＲＯＭ）光ディスクにおいては、
両方のピットにそれぞれ光ディスクの片側からレーザー
ビームを照射して情報の読み取り（再生）を行うもので
ある。即ち、上記光ディスクは、基板の片側の面上に、
半透明膜（低反射膜）、光透過層、金属膜（高反射膜）
及び保護膜が順次積層されたものである。そして、基板
と低反射膜との間及び光透過層と金属膜との間にはそれ
ぞれ第１及び第２のピットが形成されている。
ば、読み取り専用型（ＲＯＭ）光ディスクにおいては、
両方のピットにそれぞれ光ディスクの片側からレーザー
ビームを照射して情報の読み取り（再生）を行うもので
ある。即ち、上記光ディスクは、基板の片側の面上に、
半透明膜（低反射膜）、光透過層、金属膜（高反射膜）
及び保護膜が順次積層されたものである。そして、基板
と低反射膜との間及び光透過層と金属膜との間にはそれ
ぞれ第１及び第２のピットが形成されている。
【０００４】そして、上記光ディスクへの情報の読み取
り動作は、具体的には、基板側から、光学ピックアップ
によってレーザービームを照射し、まず、光学ピックア
ップのレンズの焦点を第１のピットに合わせて半透明膜
によって反射されたレーザービームを読み取り、また、
光学ピックアップの焦点を第２のピットに合わせて半透
明膜を透過して金属膜によって反射されたレーザービー
ムを読み取ることによって為される。
り動作は、具体的には、基板側から、光学ピックアップ
によってレーザービームを照射し、まず、光学ピックア
ップのレンズの焦点を第１のピットに合わせて半透明膜
によって反射されたレーザービームを読み取り、また、
光学ピックアップの焦点を第２のピットに合わせて半透
明膜を透過して金属膜によって反射されたレーザービー
ムを読み取ることによって為される。
【０００５】そして、上記した光ディスクにあっては、
一般的に、半透明膜（低反射膜）を形成する材料として
シリコン又はシリコン化合物（以下、「シリコン等」と
いう。）が用いられ、又、光透過層を形成する材料とし
て紫外線硬化型樹脂が用いられる。
一般的に、半透明膜（低反射膜）を形成する材料として
シリコン又はシリコン化合物（以下、「シリコン等」と
いう。）が用いられ、又、光透過層を形成する材料とし
て紫外線硬化型樹脂が用いられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した光
ディスクの製造においては、基板の第１のピットが形成
された側の面にシリコン又はシリコン化合物から成る半
透明膜を積層し、更に、該半透明膜の上に紫外線硬化型
樹脂を積層し、該紫外線硬化樹脂にスタンパーを圧着し
て第２のピットを形成すると同時に紫外線の照射を行っ
て紫外線硬化樹脂を硬化させて光透過層を形成すること
が行われる。
ディスクの製造においては、基板の第１のピットが形成
された側の面にシリコン又はシリコン化合物から成る半
透明膜を積層し、更に、該半透明膜の上に紫外線硬化型
樹脂を積層し、該紫外線硬化樹脂にスタンパーを圧着し
て第２のピットを形成すると同時に紫外線の照射を行っ
て紫外線硬化樹脂を硬化させて光透過層を形成すること
が行われる。
【０００７】そして、スタンパーから光ディスク、即
ち、基板を剥離することになるが、該剥離作業は基板と
スタンパーをそれぞれ保持しながら、光透過層とスタン
パーとの間の界面で引き離すことによって行われ、この
時、光透過層と半透明膜との密着性が弱い場合には、ス
タンパーと基板がうまく剥離できずに半透明膜と光透過
層との間の界面で剥離してしまうという問題があった。
ち、基板を剥離することになるが、該剥離作業は基板と
スタンパーをそれぞれ保持しながら、光透過層とスタン
パーとの間の界面で引き離すことによって行われ、この
時、光透過層と半透明膜との密着性が弱い場合には、ス
タンパーと基板がうまく剥離できずに半透明膜と光透過
層との間の界面で剥離してしまうという問題があった。
【０００８】そこで、半透明膜と紫外線硬化樹脂との密
着力を向上させるため揮発タイプのカップリング剤を半
透明膜上に塗布して乾燥させて、半透明膜と紫外線硬化
樹脂との間にカップリング剤を介在させることによって
両者の密着力の向上を図るようにしている。しかしなが
ら、上記カップリング剤を乾燥させるためには、真空乾
燥炉にて数分から数十分と長時間を要し、光ディスクの
製造効率が悪化してしまうという新たな問題が発生して
いる。
着力を向上させるため揮発タイプのカップリング剤を半
透明膜上に塗布して乾燥させて、半透明膜と紫外線硬化
樹脂との間にカップリング剤を介在させることによって
両者の密着力の向上を図るようにしている。しかしなが
ら、上記カップリング剤を乾燥させるためには、真空乾
燥炉にて数分から数十分と長時間を要し、光ディスクの
製造効率が悪化してしまうという新たな問題が発生して
いる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明光ディスクは、光透過層を第１の反射層と
の密着性が良好な特性を有する樹脂によって形成したも
のである。
めに、本発明光ディスクは、光透過層を第１の反射層と
の密着性が良好な特性を有する樹脂によって形成したも
のである。
【００１０】従って、本発明光ディスクは、光透過層を
第１の反射層との密着性が良好な特性を有する樹脂によ
って形成したので、光透過層と第１の反射層との密着度
が高まって光ディスクの耐久性が向上する。
第１の反射層との密着性が良好な特性を有する樹脂によ
って形成したので、光透過層と第１の反射層との密着度
が高まって光ディスクの耐久性が向上する。
【００１１】また、本発明光ディスクの光透過層形成方
法は、第１の反射層上に第１の反射層との密着性が良好
な特性を有する樹脂を供給してこれを硬化させて光透過
層を形成するようにしたものである。
法は、第１の反射層上に第１の反射層との密着性が良好
な特性を有する樹脂を供給してこれを硬化させて光透過
層を形成するようにしたものである。
【００１２】従って、光透過層と第１の反射層との密着
度が高まって、スタンパーから光ディスクを離型する際
に、光透過層と第１の反射層との界面で剥離して不良品
となってしまうことがなくなり、光ディスクの製造段階
における歩留まり率が向上し、更に、乾燥させるために
長時間を要する第１の反射膜と光透過層との密着力を向
上させる揮発タイプのカップリング剤を用いる必要がな
くなるため、光ディスクの製造工程に要する時間が短縮
でき、製造効率が向上する。
度が高まって、スタンパーから光ディスクを離型する際
に、光透過層と第１の反射層との界面で剥離して不良品
となってしまうことがなくなり、光ディスクの製造段階
における歩留まり率が向上し、更に、乾燥させるために
長時間を要する第１の反射膜と光透過層との密着力を向
上させる揮発タイプのカップリング剤を用いる必要がな
くなるため、光ディスクの製造工程に要する時間が短縮
でき、製造効率が向上する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明光ディスク及び光
ディスクにおける光透過層形成方法の実施の形態につい
て添付図面に示した実施の一例に従って説明する。
ディスクにおける光透過層形成方法の実施の形態につい
て添付図面に示した実施の一例に従って説明する。
【００１４】光ディスク１は、図１に示すように、基板
２上に、第１の反射層である低反射膜３、光透過層４、
第２の反射層である高反射膜５及び保護膜６を順次積層
させた構造を有するものである。そして、基板２と低反
射膜３との間及び光透過層４と高反射膜５との間にはそ
れぞれ、第１のピット７及び第２のピット８が設けられ
ている。
２上に、第１の反射層である低反射膜３、光透過層４、
第２の反射層である高反射膜５及び保護膜６を順次積層
させた構造を有するものである。そして、基板２と低反
射膜３との間及び光透過層４と高反射膜５との間にはそ
れぞれ、第１のピット７及び第２のピット８が設けられ
ている。
【００１５】尚、基板２はポリカーボネート樹脂、低反
射膜３はシリコン又はシリコン化合物、光透過層４は紫
外線硬化樹脂、高反射膜５はアルミニウム等の金属によ
って形成されている。また、基板２の厚みは約１．２ｍ
ｍ、低反射膜３の膜厚は約０．０５μｍ、光透過層４の
厚みは約４０μｍ、高反射膜５の膜厚は約０．０５μ
ｍ、保護膜６の膜厚は約１０μｍである。
射膜３はシリコン又はシリコン化合物、光透過層４は紫
外線硬化樹脂、高反射膜５はアルミニウム等の金属によ
って形成されている。また、基板２の厚みは約１．２ｍ
ｍ、低反射膜３の膜厚は約０．０５μｍ、光透過層４の
厚みは約４０μｍ、高反射膜５の膜厚は約０．０５μ
ｍ、保護膜６の膜厚は約１０μｍである。
【００１６】光透過層４はそれぞれ成分の異なる第１の
紫外線硬化樹脂から成る第１層９及び第２の紫外線硬化
樹脂から成る第２層１０から成る二層構造に形成されて
いる。
紫外線硬化樹脂から成る第１層９及び第２の紫外線硬化
樹脂から成る第２層１０から成る二層構造に形成されて
いる。
【００１７】尚、第１層９を構成する紫外線硬化樹脂９
ａの成分は、樹脂分として、エポキシアクリレートオリ
ゴマーを１０乃至３０重量％、脂肪族エステル系２官能
アクリレートモノマーを３０乃至４５重量％、ベンゼン
環含有１官能アクリレートモノマー３０乃至４５重量％
を含み、これに添加剤としてシランカップリング剤を１
乃至５重量％、開始剤として水素引き抜き型光重合開始
剤を５乃至１０重量％とアミン系光重合開始助剤を２乃
至５重量％添加したものである。
ａの成分は、樹脂分として、エポキシアクリレートオリ
ゴマーを１０乃至３０重量％、脂肪族エステル系２官能
アクリレートモノマーを３０乃至４５重量％、ベンゼン
環含有１官能アクリレートモノマー３０乃至４５重量％
を含み、これに添加剤としてシランカップリング剤を１
乃至５重量％、開始剤として水素引き抜き型光重合開始
剤を５乃至１０重量％とアミン系光重合開始助剤を２乃
至５重量％添加したものである。
【００１８】第１層９は上記したような成分を含有する
ことによって、低反射膜３を構成するシリコンまたはシ
リコン化合物との密着性が良好となる特性を有する。
ことによって、低反射膜３を構成するシリコンまたはシ
リコン化合物との密着性が良好となる特性を有する。
【００１９】以下に、上記光ディスク１の製造方法につ
いて、図２乃至図６を用いて概略的に説明する。
いて、図２乃至図６を用いて概略的に説明する。
【００２０】即ち、スタンパー１１を用いてプレス等に
よってポリカーボネート樹脂を成形して一方の面に第１
のピット７を転写しながら所定の厚み及び大きさを有す
る基板２を形成する（図２）。そして、基板２のピット
７が形成された面にスパッタリングによって低反射膜３
を付与し、該低反射膜３上に液状の紫外線硬化樹脂９ａ
を滴下し、例えば、スピンコート法によって基板２上に
均一な厚みとなるようにした後に、紫外線ランプ１２か
ら紫外線を照射して硬化させ光透過層４の第１層９を形
成する（図３）。
よってポリカーボネート樹脂を成形して一方の面に第１
のピット７を転写しながら所定の厚み及び大きさを有す
る基板２を形成する（図２）。そして、基板２のピット
７が形成された面にスパッタリングによって低反射膜３
を付与し、該低反射膜３上に液状の紫外線硬化樹脂９ａ
を滴下し、例えば、スピンコート法によって基板２上に
均一な厚みとなるようにした後に、紫外線ランプ１２か
ら紫外線を照射して硬化させ光透過層４の第１層９を形
成する（図３）。
【００２１】そして、上記第１層９の上に第２層１０を
積層する。即ち、スタンパー１３の上に液状の紫外線硬
化樹脂１０ａを滴下し、基板２の上記第１層９が形成さ
れた側の面をスタンパー１１の側に向けて重ねあわせ
（図４）、プレス等を行って紫外線硬化樹脂１０ａを押
し広げてピットを転写すると同時に所定の厚みとなるよ
うにし、基板２の側から紫外線ランプ１２によって紫外
線を照射して紫外線硬化樹脂１０ａを硬化させ第２層１
０を形成する（図５）。
積層する。即ち、スタンパー１３の上に液状の紫外線硬
化樹脂１０ａを滴下し、基板２の上記第１層９が形成さ
れた側の面をスタンパー１１の側に向けて重ねあわせ
（図４）、プレス等を行って紫外線硬化樹脂１０ａを押
し広げてピットを転写すると同時に所定の厚みとなるよ
うにし、基板２の側から紫外線ランプ１２によって紫外
線を照射して紫外線硬化樹脂１０ａを硬化させ第２層１
０を形成する（図５）。
【００２２】尚、上記したように、紫外線硬化樹脂９ａ
には、シリコン又はシリコン化合物から成る低反射膜３
との密着力が大きくなるような特性が与えられ、更に、
紫外線硬化樹脂１０ａには前記紫外線硬化樹脂９ａとの
密着力が大きくなるような特性と、スタンパー１１から
の離型性が良好となるような特性が与えられている。ま
た、上記紫外線硬化樹脂１０ａに紫外線硬化樹脂９ａと
の密着力が大きくなるような特性を与える変わりに、紫
外線硬化樹脂９ａに紫外線硬化樹脂１０ａとの密着力が
大きくなるような特性を与えてもよい。そして、上記２
つの紫外線硬化樹脂９ａ及び１０ａの屈折率は同じとす
る。このように、光ディスク１は、光透過層４が二層に
形成されているため、光透過層４は低反射膜３との密着
性が良く、スタンパーとの離型性が良いという相反する
２つの特性を併せ持っている。
には、シリコン又はシリコン化合物から成る低反射膜３
との密着力が大きくなるような特性が与えられ、更に、
紫外線硬化樹脂１０ａには前記紫外線硬化樹脂９ａとの
密着力が大きくなるような特性と、スタンパー１１から
の離型性が良好となるような特性が与えられている。ま
た、上記紫外線硬化樹脂１０ａに紫外線硬化樹脂９ａと
の密着力が大きくなるような特性を与える変わりに、紫
外線硬化樹脂９ａに紫外線硬化樹脂１０ａとの密着力が
大きくなるような特性を与えてもよい。そして、上記２
つの紫外線硬化樹脂９ａ及び１０ａの屈折率は同じとす
る。このように、光ディスク１は、光透過層４が二層に
形成されているため、光透過層４は低反射膜３との密着
性が良く、スタンパーとの離型性が良いという相反する
２つの特性を併せ持っている。
【００２３】従って、図６に示すように、光ディスク１
は、スタンパー１２からの剥離がスムーズに行われる。
は、スタンパー１２からの剥離がスムーズに行われる。
【００２４】尚、上記したような光透過層４をそれぞれ
成分が異なる２種類の紫外線硬化樹脂によって二層構造
として構成した光ディスクの製造方法は、例えば、原盤
製作工程において最終的にスタンパーに転写されたピッ
トの評価を行うための評価用のディスク、即ち、基板に
ガラス板を用い、該ガラス板の上に紫外線硬化樹脂を積
層してこれにピットを形成したディスクを作成する所謂
ガラス２Ｐ法に応用することができる。即ち、紫外線硬
化樹脂の層を二層構造とし、ガラス基板側にガラスとの
密着性が良好な特性を有する紫外線硬化樹脂を用い、該
ガラスとの密着性が良好な特性を有する紫外線硬化樹脂
の上にスタンパーからの離型性が良好な特性を有する紫
外線硬化樹脂を積層すれば良い。
成分が異なる２種類の紫外線硬化樹脂によって二層構造
として構成した光ディスクの製造方法は、例えば、原盤
製作工程において最終的にスタンパーに転写されたピッ
トの評価を行うための評価用のディスク、即ち、基板に
ガラス板を用い、該ガラス板の上に紫外線硬化樹脂を積
層してこれにピットを形成したディスクを作成する所謂
ガラス２Ｐ法に応用することができる。即ち、紫外線硬
化樹脂の層を二層構造とし、ガラス基板側にガラスとの
密着性が良好な特性を有する紫外線硬化樹脂を用い、該
ガラスとの密着性が良好な特性を有する紫外線硬化樹脂
の上にスタンパーからの離型性が良好な特性を有する紫
外線硬化樹脂を積層すれば良い。
【００２５】
【発明の効果】以上に記載したところから明らかなよう
に本発明光ディスクは、光透過層を第１の反射層との密
着性が良好な特性を有する樹脂によって形成したので、
光透過層と第１の反射層との密着度が高まって光ディス
クの耐久性が向上する。
に本発明光ディスクは、光透過層を第１の反射層との密
着性が良好な特性を有する樹脂によって形成したので、
光透過層と第１の反射層との密着度が高まって光ディス
クの耐久性が向上する。
【００２６】また、本発明光ディスクの光透過層形成方
法は、第１の反射層上に第１の反射層との密着性が良好
な特性を有する樹脂を供給してこれを硬化させて光透過
層を形成するようにしたので、光透過層と第１の反射層
との密着度が高まって、スタンパーから光ディスクを離
型する際に、光透過層と第１の反射層との界面で剥離し
て不良品となってしまうことがなくなり、光ディスクの
製造段階における歩留まり率が向上し、更に、乾燥させ
るために長時間を要する第１の反射膜と光透過層との密
着力を向上させる揮発タイプのカップリング剤を用いる
必要がなくなるため、光ディスクの製造工程に要する時
間が短縮でき、製造効率が上昇する。
法は、第１の反射層上に第１の反射層との密着性が良好
な特性を有する樹脂を供給してこれを硬化させて光透過
層を形成するようにしたので、光透過層と第１の反射層
との密着度が高まって、スタンパーから光ディスクを離
型する際に、光透過層と第１の反射層との界面で剥離し
て不良品となってしまうことがなくなり、光ディスクの
製造段階における歩留まり率が向上し、更に、乾燥させ
るために長時間を要する第１の反射膜と光透過層との密
着力を向上させる揮発タイプのカップリング剤を用いる
必要がなくなるため、光ディスクの製造工程に要する時
間が短縮でき、製造効率が上昇する。
【００２７】尚、前記実施例において示した具体的な形
状及び構造は、本発明を実施するに当たっての具体化の
ほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発
明の技術的範囲が限定的に解釈されるものではない。
状及び構造は、本発明を実施するに当たっての具体化の
ほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発
明の技術的範囲が限定的に解釈されるものではない。
【図１】本発明光ディスクの概略断面図である。
【図２】図３乃至図６と共に、本発明光ディスクの光透
過層形成方法を概略的に示すものであり、本図は基板の
製造工程を示す図である。
過層形成方法を概略的に示すものであり、本図は基板の
製造工程を示す図である。
【図３】光透過層の第１層を形成する工程を示す図であ
る。
る。
【図４】光透過層の第２層を形成する工程における第１
段階を示す図である。
段階を示す図である。
【図５】光透過層の第２層を形成する工程における第２
段階を示す図である。
段階を示す図である。
【図６】光透過層とスタンパーとを剥離する工程を示す
図である。
図である。
１…光ディスク、２…基板、３…第１の反射層、４…光
透過層、５…第２の反射層、６…保護膜、７…第１のピ
ット、８…第２のピット、９ａ…紫外線硬化樹脂
透過層、５…第２の反射層、６…保護膜、７…第１のピ
ット、８…第２のピット、９ａ…紫外線硬化樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】 第１のピットが形成された基板と、第１
のピットの表面を覆う第１の反射層と、第２のピットが
形成された光透過層と、第２のピットの表面を覆う第２
の反射層と、保護膜とを順次積層して成る光ディスクに
おいて、 光透過層を第１の反射層との密着性が良好な特性を有す
る樹脂によって形成したことを特徴とする光ディスク。 - 【請求項２】 第１の反射層がシリコン又はシリコン化
合物によって形成されると共に、 第１層がシリコン又はシリコン化合物との密着性が良好
な特性を有する紫外線硬化樹脂によって形成されたこと
を特徴とする請求項１に記載の光ディスク。 - 【請求項３】 第１のピットが形成された基板と、第１
のピットの表面を覆う第１の反射層と、第２のピットが
形成された光透過層と、第２のピットの表面を覆う第２
の反射層とを順次積層して成る光ディスクの光透過層形
成方法において、 第１の反射層上に第１の反射層との密着性が良好な特性
を有する樹脂を供給してこれを硬化させて光透過層を形
成することを特徴とする光ディスクの光透過層形成方
法。 - 【請求項４】 第１の反射層としてシリコン又はシリコ
ン化合物を用いると共に、 光透過層にシリコン又はシリコン化合物との密着性が良
好な特性を有する紫外線硬化樹脂を用いたことを特徴と
する請求項３に記載の光ディスクの光透過層形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8140835A JPH09306026A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 光ディスク及び光ディスクの光透過層形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8140835A JPH09306026A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 光ディスク及び光ディスクの光透過層形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306026A true JPH09306026A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=15277829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8140835A Pending JPH09306026A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 光ディスク及び光ディスクの光透過層形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306026A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001008145A1 (fr) * | 1999-07-22 | 2001-02-01 | Sony Corporation | Support optique d'enregistrement, procede optique d'enregistrement, procede optique de reproduction, dispositif optique d'enregistrement, dispositif optique de reproduction, et dispositif optique d'enregistrement/reproduction |
| WO2001013359A1 (fr) * | 1999-08-18 | 2001-02-22 | Sony Corporation | Support pour enregistrer un signal audio, enregistreur et lecteur |
| EP1288932A2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-05 | Pioneer Corporation | Method of making multi-layer optical recording medium |
| US6800224B2 (en) | 2001-08-24 | 2004-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Production process of optical disc and optical disc produced thereby |
-
1996
- 1996-05-10 JP JP8140835A patent/JPH09306026A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001008145A1 (fr) * | 1999-07-22 | 2001-02-01 | Sony Corporation | Support optique d'enregistrement, procede optique d'enregistrement, procede optique de reproduction, dispositif optique d'enregistrement, dispositif optique de reproduction, et dispositif optique d'enregistrement/reproduction |
| US6788635B1 (en) | 1999-07-22 | 2004-09-07 | Sony Corporation | Optical recording medium, optical recording method, optical reproducing method, optical recording device, optical reproducing device, and optical recording/reproducing device |
| WO2001013359A1 (fr) * | 1999-08-18 | 2001-02-22 | Sony Corporation | Support pour enregistrer un signal audio, enregistreur et lecteur |
| US6800224B2 (en) | 2001-08-24 | 2004-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Production process of optical disc and optical disc produced thereby |
| EP1288932A2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-05 | Pioneer Corporation | Method of making multi-layer optical recording medium |
| EP1288932A3 (en) * | 2001-08-31 | 2005-05-18 | Pioneer Corporation | Method of making multi-layer optical recording medium |
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Legal Events
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| A977 | Report on retrieval |
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| A02 | Decision of refusal |
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