JPH0924487A - ロウ材及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
ロウ材及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH0924487A JPH0924487A JP7174762A JP17476295A JPH0924487A JP H0924487 A JPH0924487 A JP H0924487A JP 7174762 A JP7174762 A JP 7174762A JP 17476295 A JP17476295 A JP 17476295A JP H0924487 A JPH0924487 A JP H0924487A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】
【目的】加熱溶融によっても表面を平滑となすロウ材を
提供するとともに外観不良の発生がない半導体素子収納
用パッケージを提供する。 【構成】ロウ材を銀が５０重量％乃至９５重量％、銅が
５重量％乃至５０重量％、リンが１×１０-5重量％乃至
１重量％、ホウ素が１×１０-5重量％乃至１重量％、テ
ルルが５×１０-6重量％乃至１重量％で形成するととも
に該ロウ材を使用して外部リード端子７を所定のメタラ
イズ配線層５にロウ付け取着した半導体素子収納用パッ
ケージとなす。
提供するとともに外観不良の発生がない半導体素子収納
用パッケージを提供する。 【構成】ロウ材を銀が５０重量％乃至９５重量％、銅が
５重量％乃至５０重量％、リンが１×１０-5重量％乃至
１重量％、ホウ素が１×１０-5重量％乃至１重量％、テ
ルルが５×１０-6重量％乃至１重量％で形成するととも
に該ロウ材を使用して外部リード端子７を所定のメタラ
イズ配線層５にロウ付け取着した半導体素子収納用パッ
ケージとなす。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はロウ材及び該ロウ材を使
用した半導体素子収納用パッケージに関するものであ
る。
用した半導体素子収納用パッケージに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、銀７０重量％乃至９０重量％、銅
１０重量％乃至３０重量％の合金から成る銀ロウ材は接
合部材にあまり制約を受けないこと及び使用温度範囲
（溶融温度範囲）が低いことから電子部品、例えば半導
体集積回路素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
のおける外部リード端子のロウ付けに多用されている。
１０重量％乃至３０重量％の合金から成る銀ロウ材は接
合部材にあまり制約を受けないこと及び使用温度範囲
（溶融温度範囲）が低いことから電子部品、例えば半導
体集積回路素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
のおける外部リード端子のロウ付けに多用されている。
【０００３】かかる銀ロウ材を使用した半導体素子収納
用パッケージは一般にアルミナセラミックス等の電気絶
縁材料から成り、その上面中央部に半導体集積回路素子
を収容するための凹部及び該凹部周辺から外周端にかけ
て導出されたタングステン、モリブデン等の高融点金属
粉末から成る複数個のメタライズ配線層を有する絶縁基
体と、半導体集積回路素子を外部電気回路に電気的に接
続するために前記メタライズ配線層に銀ロウ材を介し取
着された外部リード端子と、蓋体とから構成されてお
り、絶縁基体の凹部底面に半導体集積回路素子をガラ
ス、樹脂等から成る接着剤を介して接着固定させ、半導
体集積回路素子の各電極とメタライズ配線層とをボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続させるとともに絶縁
基体上面に蓋体をガラス、樹脂等の封止材を介して接合
させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体集積
回路素子を気密に収容することによって製品としての半
導体装置となる。
用パッケージは一般にアルミナセラミックス等の電気絶
縁材料から成り、その上面中央部に半導体集積回路素子
を収容するための凹部及び該凹部周辺から外周端にかけ
て導出されたタングステン、モリブデン等の高融点金属
粉末から成る複数個のメタライズ配線層を有する絶縁基
体と、半導体集積回路素子を外部電気回路に電気的に接
続するために前記メタライズ配線層に銀ロウ材を介し取
着された外部リード端子と、蓋体とから構成されてお
り、絶縁基体の凹部底面に半導体集積回路素子をガラ
ス、樹脂等から成る接着剤を介して接着固定させ、半導
体集積回路素子の各電極とメタライズ配線層とをボンデ
ィングワイヤを介して電気的に接続させるとともに絶縁
基体上面に蓋体をガラス、樹脂等の封止材を介して接合
させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体集積
回路素子を気密に収容することによって製品としての半
導体装置となる。
【０００４】尚、前記半導体素子収納用パッケージにお
いては外部リード端子を銀ロウ材を介してメタライズ配
線層にロウ付けする際、そのロウ付け強度を強くするた
めに通常、メタライズ配線層の表面にはロウ材と濡れ性
の良いニッケルがメッキ法により被着されている。
いては外部リード端子を銀ロウ材を介してメタライズ配
線層にロウ付けする際、そのロウ付け強度を強くするた
めに通常、メタライズ配線層の表面にはロウ材と濡れ性
の良いニッケルがメッキ法により被着されている。
【０００５】また前記半導体素子収納用パッケージにお
いてはメタライズ配線層に外部リード端子を銀ロウ材を
介してロウ付け取着した後、外部リード端子、メタライ
ズ配線層及び銀ロウ材の酸化腐食を有効に防止するため
各々の露出表面にニッケル、金等から成る耐蝕性に優れ
た金属がメッキ法により被着されている。
いてはメタライズ配線層に外部リード端子を銀ロウ材を
介してロウ付け取着した後、外部リード端子、メタライ
ズ配線層及び銀ロウ材の酸化腐食を有効に防止するため
各々の露出表面にニッケル、金等から成る耐蝕性に優れ
た金属がメッキ法により被着されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の銀ロウ材は加熱溶融させた際、内部に含有される銅
が偏析して表面に多数の凹凸やピンホール（貫通孔）が
発生し易い。そのためこの銀ロウ材を使用した半導体素
子収納用パッケージはメタライズ配線層に外部リード端
子を銀ロウ材を介してロウ付け取着した後、外部リード
端子、メタライズ配線層及び銀ロウ材の露出表面に耐蝕
性に優れる金属をメッキ法により被着させると銀ロウ材
の表面に形成されている凹凸やピンホール内にメッキ液
が侵入して残留し、これが銀ロウ材や外部リード端子に
錆を発生させたり、銀ロウ材表面のメッキ金属層に膨れ
を発生させて外観不良が生じるという欠点を有してい
た。
来の銀ロウ材は加熱溶融させた際、内部に含有される銅
が偏析して表面に多数の凹凸やピンホール（貫通孔）が
発生し易い。そのためこの銀ロウ材を使用した半導体素
子収納用パッケージはメタライズ配線層に外部リード端
子を銀ロウ材を介してロウ付け取着した後、外部リード
端子、メタライズ配線層及び銀ロウ材の露出表面に耐蝕
性に優れる金属をメッキ法により被着させると銀ロウ材
の表面に形成されている凹凸やピンホール内にメッキ液
が侵入して残留し、これが銀ロウ材や外部リード端子に
錆を発生させたり、銀ロウ材表面のメッキ金属層に膨れ
を発生させて外観不良が生じるという欠点を有してい
た。
【０００７】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は加熱溶融によっても表面を平滑となすロ
ウ材を提供するとともに外観不良の発生がない半導体素
子収納用パッケージを提供することにある。
で、その目的は加熱溶融によっても表面を平滑となすロ
ウ材を提供するとともに外観不良の発生がない半導体素
子収納用パッケージを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のロウ材は銀が５
０重量％乃至９５重量％、銅が５重量％乃至５０重量
％、リンが１×１０-5重量％乃至１重量％、ホウ素が１
×１０-5重量％乃至１重量％、テルルが５×１０-6重量
％乃至１重量％から成ることを特徴とするものである。
０重量％乃至９５重量％、銅が５重量％乃至５０重量
％、リンが１×１０-5重量％乃至１重量％、ホウ素が１
×１０-5重量％乃至１重量％、テルルが５×１０-6重量
％乃至１重量％から成ることを特徴とするものである。
【０００９】また本発明はセラミックス焼結体から成
り、複数個のメタライズ配線層を有する絶縁基体と、前
記メタライズ配線層にロウ材を介し取着される外部リー
ド端子と、蓋体とから構成され、絶縁基体と蓋体とから
成る容器内部に半導体素子を気密に収容する半導体素子
収納用パッケージであって、前記外部リード端子をメタ
ライズ配線層に取着するロウ材が、銀５０重量％乃至９
５重量％、銅５重量％乃至５０重量％、リン１×１０-5
重量％乃至１重量％、ホウ素１×１０-5重量％乃至１重
量％、テルル５×１０-6重量％乃至１重量％から成るこ
とを特徴とするものである。
り、複数個のメタライズ配線層を有する絶縁基体と、前
記メタライズ配線層にロウ材を介し取着される外部リー
ド端子と、蓋体とから構成され、絶縁基体と蓋体とから
成る容器内部に半導体素子を気密に収容する半導体素子
収納用パッケージであって、前記外部リード端子をメタ
ライズ配線層に取着するロウ材が、銀５０重量％乃至９
５重量％、銅５重量％乃至５０重量％、リン１×１０-5
重量％乃至１重量％、ホウ素１×１０-5重量％乃至１重
量％、テルル５×１０-6重量％乃至１重量％から成るこ
とを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】本発明のロウ材によれば、主成分としての銀に
銅を所定量含有させることからロウ材の融点を低くおさ
えることができ、またリン及びホウ素を所定量含有させ
ることからロウ材の被ロウ付け物に対する濡れ性が良好
となり、更にテルルを所定量含有させることから前記銅
の偏析が有効に防止されて加熱溶融後の表面を平滑とな
すことができる。
銅を所定量含有させることからロウ材の融点を低くおさ
えることができ、またリン及びホウ素を所定量含有させ
ることからロウ材の被ロウ付け物に対する濡れ性が良好
となり、更にテルルを所定量含有させることから前記銅
の偏析が有効に防止されて加熱溶融後の表面を平滑とな
すことができる。
【００１１】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば前記ロウ材を使用することからロウ材表面にメ
ッキ法によりメッキ金属を被着させてもロウ材表面にメ
ッキ液が残留することはなく、その結果、残留メッキ液
に起因する錆の発生やメッキ金属層の膨れはなく、外観
を極めて良好なものとなすことができる。
によれば前記ロウ材を使用することからロウ材表面にメ
ッキ法によりメッキ金属を被着させてもロウ材表面にメ
ッキ液が残留することはなく、その結果、残留メッキ液
に起因する錆の発生やメッキ金属層の膨れはなく、外観
を極めて良好なものとなすことができる。
【００１２】
【実施例】次に本発明を添付図面に基づき詳細に説明す
る。図１は本発明のロウ材及び該ロウ材を使用した半導
体素子収納用パッケージの一実施例を示し、１は絶縁基
体、２は蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで半導
体集積回路素子３を収容するための容器４が構成され
る。
る。図１は本発明のロウ材及び該ロウ材を使用した半導
体素子収納用パッケージの一実施例を示し、１は絶縁基
体、２は蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで半導
体集積回路素子３を収容するための容器４が構成され
る。
【００１３】前記絶縁基体１はその上面中央部に半導体
集積回路素子３を収容するための空所を形成する凹部１
ａが設けてあり、該凹部１ａ底面には半導体集積回路素
子３がガラス、樹脂等の接着剤を介して取着される。
集積回路素子３を収容するための空所を形成する凹部１
ａが設けてあり、該凹部１ａ底面には半導体集積回路素
子３がガラス、樹脂等の接着剤を介して取着される。
【００１４】前記絶縁基体１は酸化アルミニウム質焼結
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶
縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体で形
成されている場合には、酸化アルミニウム、酸化珪素、
酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当
な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿物を作る
とともに該泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロ
ール法等によりシート状に成形してセラミックグリーン
シート（セラミック生シート）を得、しかる後、前記セ
ラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すと
ともにこれを複数枚積層し、約１６００℃の高温で焼成
することによって製作される。
体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭
化珪素質焼結体、ガラスセラミックス焼結体等の電気絶
縁材料から成り、例えば酸化アルミニウム質焼結体で形
成されている場合には、酸化アルミニウム、酸化珪素、
酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当
な有機バインダー、溶剤等を添加混合して泥漿物を作る
とともに該泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロ
ール法等によりシート状に成形してセラミックグリーン
シート（セラミック生シート）を得、しかる後、前記セ
ラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すと
ともにこれを複数枚積層し、約１６００℃の高温で焼成
することによって製作される。
【００１５】また前記絶縁基体１はその凹部１ａ周辺か
ら外周端にかけて複数個のメタライズ配線層５が被着形
成されており、該メタライズ配線層５のうち凹部１ａ周
辺部に位置する領域には半導体集積回路素子３の各電極
がボンディングワイヤ６を介して電気的に接続され、ま
た絶縁基体１の外周端に導出された部位には外部リード
端子７がロウ材８を介してロウ付け取着されている。
ら外周端にかけて複数個のメタライズ配線層５が被着形
成されており、該メタライズ配線層５のうち凹部１ａ周
辺部に位置する領域には半導体集積回路素子３の各電極
がボンディングワイヤ６を介して電気的に接続され、ま
た絶縁基体１の外周端に導出された部位には外部リード
端子７がロウ材８を介してロウ付け取着されている。
【００１６】前記メタライズ配線層５は外部電気回路に
接続される外部リード端子７に半導体集積回路素子３の
各電極を電気的に接続させる作用を為し、例えばタング
ステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から
成り、該タングステン等の高融点金属粉末に適当な有機
溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを従来周知
のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用し、絶縁基体１
となるセラミックグリーンシートに予め印刷塗布してお
くことによって絶縁基体１の凹部１ａ周辺から外周端に
かけて被着形成される。
接続される外部リード端子７に半導体集積回路素子３の
各電極を電気的に接続させる作用を為し、例えばタング
ステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から
成り、該タングステン等の高融点金属粉末に適当な有機
溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを従来周知
のスクリーン印刷法等の厚膜手法を採用し、絶縁基体１
となるセラミックグリーンシートに予め印刷塗布してお
くことによって絶縁基体１の凹部１ａ周辺から外周端に
かけて被着形成される。
【００１７】尚、前記メタライズ配線層５はその露出す
る表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と
濡れ性の良い金属をメッキ法により１μｍ乃至２０μｍ
の厚みに層着させておくと、メタライズ配線層５の酸化
腐食を有効に防止することができるとともにメタライズ
配線層５とボンディングワイヤ６及び外部リード端子７
とのロウ付け接合を強固なものとなすことができる。従
って、前記メタライズ配線層５はその露出する表面にニ
ッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性の良
い金属をメッキ法より１μｍ乃至２０μｍの厚みに層着
させておくことが好ましい。
る表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と
濡れ性の良い金属をメッキ法により１μｍ乃至２０μｍ
の厚みに層着させておくと、メタライズ配線層５の酸化
腐食を有効に防止することができるとともにメタライズ
配線層５とボンディングワイヤ６及び外部リード端子７
とのロウ付け接合を強固なものとなすことができる。従
って、前記メタライズ配線層５はその露出する表面にニ
ッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性の良
い金属をメッキ法より１μｍ乃至２０μｍの厚みに層着
させておくことが好ましい。
【００１８】また前記メタライズ配線層５にロウ付けさ
れる外部リード端子７は半導体集積回路素子３の各電極
を外部電気回路に電気的に接続する作用を為し、例えは
鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金
属材料から成り、鉄ーニッケルーコバルト合金等のイン
ゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周
知の金属加工法を施すことによって所定の板状に形成さ
れる。
れる外部リード端子７は半導体集積回路素子３の各電極
を外部電気回路に電気的に接続する作用を為し、例えは
鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の金
属材料から成り、鉄ーニッケルーコバルト合金等のイン
ゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周
知の金属加工法を施すことによって所定の板状に形成さ
れる。
【００１９】更に前記メタライズ配線層５に外部リード
端子７をロウ付け取着するロウ材８は５０重量％乃至９
５重量％の銀と、５重量％乃至５０重量％の銅と、１×
１０-5重量％乃至１重量％のリンと、１×１０-5重量％
乃至１重量％のホウ素と、５×１０-6重量％乃至１重量
％のテルルとから成り、メタライズ配線層５と外部リー
ド端子７との間に配置させるとともに約６００℃〜９０
０℃の温度で加熱溶融させることによって外部リード端
子７を所定のメタライズ配線層５にロウ付け取着され
る。この場合、ロウ材８は加熱溶融によっても表面を極
めて平滑なものになすことができる。
端子７をロウ付け取着するロウ材８は５０重量％乃至９
５重量％の銀と、５重量％乃至５０重量％の銅と、１×
１０-5重量％乃至１重量％のリンと、１×１０-5重量％
乃至１重量％のホウ素と、５×１０-6重量％乃至１重量
％のテルルとから成り、メタライズ配線層５と外部リー
ド端子７との間に配置させるとともに約６００℃〜９０
０℃の温度で加熱溶融させることによって外部リード端
子７を所定のメタライズ配線層５にロウ付け取着され
る。この場合、ロウ材８は加熱溶融によっても表面を極
めて平滑なものになすことができる。
【００２０】尚、前記ロウ材８は主成分としての銀に含
有される銅がロウ材８の融点を約６００℃〜９００℃に
低く抑えるとともにロウ材８に流動性を付与する作用を
為し、その含有量が５重量％未満であると上記性質は付
与されず、また５０重量％を越えるとロウ材８の融点が
高いものとなってしまう。従って、前記銅はその含有量
が５重量％乃至５０重量％の範囲に特定される。
有される銅がロウ材８の融点を約６００℃〜９００℃に
低く抑えるとともにロウ材８に流動性を付与する作用を
為し、その含有量が５重量％未満であると上記性質は付
与されず、また５０重量％を越えるとロウ材８の融点が
高いものとなってしまう。従って、前記銅はその含有量
が５重量％乃至５０重量％の範囲に特定される。
【００２１】また前記ロウ材８に含有されるリンは脱ガ
ス、脱酸素作用によってロウ材８の濡れ性を良好とする
作用を為し、その含有量が１×１０-5重量％未満では上
記性質は付与されず、また１重量％を越えるとロウ材８
が脆いものとなり、メタライズ配線層５に外部リード端
子７をロウ材８を介してロウ付け取着した後、外部リー
ド鱈７等に外力が印加されるとロウ材８で破断して外部
リード端子７が剥がれてしまう。従って、前記リンはそ
の含有量が１×１０-5重量％乃至１重量％の範囲に特定
される。
ス、脱酸素作用によってロウ材８の濡れ性を良好とする
作用を為し、その含有量が１×１０-5重量％未満では上
記性質は付与されず、また１重量％を越えるとロウ材８
が脆いものとなり、メタライズ配線層５に外部リード端
子７をロウ材８を介してロウ付け取着した後、外部リー
ド鱈７等に外力が印加されるとロウ材８で破断して外部
リード端子７が剥がれてしまう。従って、前記リンはそ
の含有量が１×１０-5重量％乃至１重量％の範囲に特定
される。
【００２２】更に前記ロウ材８に含有されるホウ素はロ
ウ材８の濡れ性を改善する作用を為し、その含有量が１
×１０-5重量％未満では上記性質は付与されず、また１
重量％を越えるとロウ材８の融点が高いものとなってし
まう。従って、前記ホウ素はその含有量が１×１０-5重
量％乃至１重量％の範囲に特定される。
ウ材８の濡れ性を改善する作用を為し、その含有量が１
×１０-5重量％未満では上記性質は付与されず、また１
重量％を越えるとロウ材８の融点が高いものとなってし
まう。従って、前記ホウ素はその含有量が１×１０-5重
量％乃至１重量％の範囲に特定される。
【００２３】また更に前記ロウ材８に含有されるテルル
は前記銅の偏析を防止するとともロウ材８に流動性を付
与する作用を為し、その含有量が５×１０-6重量％未満
では上記性質は付与されず、また１重量％を越えるとロ
ウ材８の表面にメッキ金属層を被着させる際、そのメッ
キ金属層の被着強度が弱いものとなる。従って、前記テ
ルルはその含有量が５×１０-6重量％乃至１重量％の範
囲に特定される。
は前記銅の偏析を防止するとともロウ材８に流動性を付
与する作用を為し、その含有量が５×１０-6重量％未満
では上記性質は付与されず、また１重量％を越えるとロ
ウ材８の表面にメッキ金属層を被着させる際、そのメッ
キ金属層の被着強度が弱いものとなる。従って、前記テ
ルルはその含有量が５×１０-6重量％乃至１重量％の範
囲に特定される。
【００２４】更にまた前記メタライズ配線層５に外部リ
ード端子７をロウ材８を介してロウ付け取着した後、メ
タライズ配線層５、外部リード端子７及びメタライズ配
線層５に外部リード端子７をロウ付けするロウ材８の各
々の露出表面にニッケル、金等から成る耐蝕性に優れ、
且つ良導電性の金属がメッキ法により厚さ１μｍ乃至２
０μｍに被着され、該メッキ金属層によってメタライズ
配線層５、外部リード端子７及びロウ材８の酸化腐食が
有効に防止されるようになっている。この場合ロウ材８
はその表面が平滑であることからロウ材８表面にメッキ
液が残留することはなく、その結果、残留メッキ液に起
因する錆の発生やメッキ金属層の膨れはなく、外観を極
めて良好なものとなすことができる。
ード端子７をロウ材８を介してロウ付け取着した後、メ
タライズ配線層５、外部リード端子７及びメタライズ配
線層５に外部リード端子７をロウ付けするロウ材８の各
々の露出表面にニッケル、金等から成る耐蝕性に優れ、
且つ良導電性の金属がメッキ法により厚さ１μｍ乃至２
０μｍに被着され、該メッキ金属層によってメタライズ
配線層５、外部リード端子７及びロウ材８の酸化腐食が
有効に防止されるようになっている。この場合ロウ材８
はその表面が平滑であることからロウ材８表面にメッキ
液が残留することはなく、その結果、残留メッキ液に起
因する錆の発生やメッキ金属層の膨れはなく、外観を極
めて良好なものとなすことができる。
【００２５】かくして上述の半導体素子収納用パッケー
ジによれば絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体集積回路
素子３を接着剤を介して接着固定するとともに半導体集
積回路素子３の各電極をメタライズ配線層５にボンディ
ングワイヤ６を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁
基体１の上面に蓋体２をガラス、樹脂等から成る封止材
により接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器３
内部に半導体集積回路素子３を気密に収容することによ
って製品としての半導体装置となる。
ジによれば絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体集積回路
素子３を接着剤を介して接着固定するとともに半導体集
積回路素子３の各電極をメタライズ配線層５にボンディ
ングワイヤ６を介して電気的に接続し、しかる後、絶縁
基体１の上面に蓋体２をガラス、樹脂等から成る封止材
により接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器３
内部に半導体集積回路素子３を気密に収容することによ
って製品としての半導体装置となる。
【００２６】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
【００２７】
【発明の効果】本発明のロウ材によれば、主成分として
の銀に銅を所定量含有させることからロウ材の融点を低
くおさえることができ、またリン及びホウ素を所定量含
有させることからロウ材の被ロウ付け物に対する濡れ性
が良好となり、更にテルルを所定量含有させることから
前記銅の偏析が有効に防止されて加熱溶融後の表面を平
滑となすことができる。
の銀に銅を所定量含有させることからロウ材の融点を低
くおさえることができ、またリン及びホウ素を所定量含
有させることからロウ材の被ロウ付け物に対する濡れ性
が良好となり、更にテルルを所定量含有させることから
前記銅の偏析が有効に防止されて加熱溶融後の表面を平
滑となすことができる。
【００２８】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば前記ロウ材を使用することからロウ材表面にメ
ッキ法によりメッキ金属を被着させてもロウ材表面にメ
ッキ液が残留することはなく、その結果、残留メッキ液
に起因する錆の発生やメッキ金属層の膨れはなく、外観
を極めて良好なものとなすことができる。
によれば前記ロウ材を使用することからロウ材表面にメ
ッキ法によりメッキ金属を被着させてもロウ材表面にメ
ッキ液が残留することはなく、その結果、残留メッキ液
に起因する錆の発生やメッキ金属層の膨れはなく、外観
を極めて良好なものとなすことができる。
【図１】本発明のロウ材を使用した半導体素子収納用パ
ッケージの一実施例を示す断面図である。
ッケージの一実施例を示す断面図である。
１・・・・・・絶縁基体 １ａ・・・・・凹部 ２・・・・・・蓋体 ３・・・・・・半導体集積回路素子 ４・・・・・・容器 ５・・・・・・メタライズ配線層 ７・・・・・・外部リード端子 ８・・・・・・ロウ材
Claims (2)
- 【請求項１】銀が５０重量％乃至９５重量％、銅が５重
量％乃至５０重量％、リンが１×１０-5重量％乃至１重
量％、ホウ素が１×１０-5重量％乃至１重量％、テルル
が５×１０-6重量％乃至１重量％から成るロウ材。 - 【請求項２】セラミックス焼結体から成り、複数個のメ
タライズ配線層を有する絶縁基体と、前記メタライズ配
線層にロウ材を介し取着される外部リード端子と、蓋体
とから構成され、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に
半導体素子を気密に収容する半導体素子収納用パッケー
ジであって、前記外部リード端子をメタライズ配線層に
取着するロウ材が、銀５０重量％乃至９５重量％、銅５
重量％乃至５０重量％、リン１×１０-5重量％乃至１重
量％、ホウ素１×１０-5重量％乃至１重量％、テルル５
×１０-6重量％乃至１重量％から成ることを特徴とする
半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7174762A JPH0924487A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | ロウ材及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7174762A JPH0924487A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | ロウ材及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0924487A true JPH0924487A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15984232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7174762A Pending JPH0924487A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | ロウ材及びこれを用いた半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0924487A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602430B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Methods for finishing microelectronic device packages |
| WO2011142262A1 (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | 日本発條株式会社 | 大気接合用ろう材、接合体、および、集電材料 |
-
1995
- 1995-07-11 JP JP7174762A patent/JPH0924487A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602430B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Methods for finishing microelectronic device packages |
| WO2011142262A1 (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-17 | 日本発條株式会社 | 大気接合用ろう材、接合体、および、集電材料 |
| JP2011235345A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-24 | Nhk Spring Co Ltd | 大気接合用ろう材、接合体、および、集電材料 |
| KR101454983B1 (ko) * | 2010-05-13 | 2014-10-27 | 니혼 하츠쵸 가부시키가이샤 | 대기 접합용 납재, 접합체, 및, 집전재료 |
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