JPH09191154A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH09191154A JPH09191154A JP256796A JP256796A JPH09191154A JP H09191154 A JPH09191154 A JP H09191154A JP 256796 A JP256796 A JP 256796A JP 256796 A JP256796 A JP 256796A JP H09191154 A JPH09191154 A JP H09191154A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターン切れによるＬＤチップ用電極のメタ
ル切れの発生を防止することができる半導体レーザ装置
を提供する。 【解決手段】 平坦な一主面１１を有する基体部１と、
該基体部１の主面１１の一部の領域上に形成された、該
主面１１に対し４５°傾斜したミラー面５を有するミラ
ー部２とを有する基板３と、上記ミラー面５に向けレー
ザ光９を出射するよう配置された半導体レーザチップ４
と、基体部１の一主面１１のミラー部２以外の領域上に
形成され、その一部の面上に半導体レーザチップ４が載
置されたＬＤチップ用電極６と、基体部１の一主面１１
のミラー部２以外の領域に配設された、レーザ光９の反
射光を検出するための信号再生用受光素子７とを備えた
ものである。
ル切れの発生を防止することができる半導体レーザ装置
を提供する。 【解決手段】 平坦な一主面１１を有する基体部１と、
該基体部１の主面１１の一部の領域上に形成された、該
主面１１に対し４５°傾斜したミラー面５を有するミラ
ー部２とを有する基板３と、上記ミラー面５に向けレー
ザ光９を出射するよう配置された半導体レーザチップ４
と、基体部１の一主面１１のミラー部２以外の領域上に
形成され、その一部の面上に半導体レーザチップ４が載
置されたＬＤチップ用電極６と、基体部１の一主面１１
のミラー部２以外の領域に配設された、レーザ光９の反
射光を検出するための信号再生用受光素子７とを備えた
ものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置に
関し、特に光源としての半導体レーザに加えて信号再生
用受光素子を内蔵した光情報処理用の半導体レーザ装置
に関するものである。
関し、特に光源としての半導体レーザに加えて信号再生
用受光素子を内蔵した光情報処理用の半導体レーザ装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光情報処理用の半導体レーザ装置
は、コスト低減，及び加工精度向上のため集積化が進め
られており、現状では光源としての半導体レーザに加え
て信号再生用受光素子を内蔵したものが製品化されてい
る。
は、コスト低減，及び加工精度向上のため集積化が進め
られており、現状では光源としての半導体レーザに加え
て信号再生用受光素子を内蔵したものが製品化されてい
る。
【０００３】図３は、従来の光情報処理用の半導体レー
ザ装置の使用状態を示す斜視図、図４(a) は図３の半導
体レーザ装置の構造を示す平面図、図４(b) は図４(a)
のＣ−Ｃ′断面図である。図において、３はシリコンか
らなる直方体形状の基板であり、該基板３の上面１１の
中央部に該上面１１に対し４５°傾斜する側面を有する
矩形の溝１２が設けられ、該側面のうちの１つ側面５は
レーザ光を反射するようミラー面（鏡面）に形成されて
いる。上記溝１２の底面にはＬＤチップ用電極（電極
膜）６が配置されており、該ＬＤチップ用電極６の一部
６ｂは溝１２から基板３の長手方向に導出され、基板３
の端付近まで延びるように配置されている。ＬＤチップ
用電極６の溝１２の底面に位置する部分６ａの上には、
上記ミラー面５にレーザ光出射面が向くよう半導体レー
ザチップ４が載置されている。半導体レーザチップ４は
ＬＤチップ用電極６にハンダにより固着され、該ＬＤチ
ップ用電極６と電気的に接続されている。また、基板３
の上面１１の上記溝１２が形成された領域の両側に複数
（図示例では６つ）の信号再生用フォトダイオード（信
号再生用受光素子）７が配置され、該信号再生用フォト
ダイオード７の外側の端部に隣接してＰＤ用電極８がそ
れぞれ配置され、該端部に接続されている。上記ＬＤチ
ップ用電極６の上記一端６ｂは、該ＰＤ用電極８ととも
に基板３の端部に位置しており、このように配置するの
は、半導体レーザ装置と外部との配線を容易にするため
である。基板３の上方には光情報を記録した光ディスク
（図示せず）が配置されている。９は半導体レーザチッ
プ４から出射されたレーザ光、１３は光ディスクから反
射されて来た信号光である。上記ミラー面５は、例え
ば、シリコン基板３の上面を（１００）面に９度のオフ
アングルをもたせた面とし、該シリコン基板３をＫＯＨ
液等により異方性エッチングすることにより形成され
る。
ザ装置の使用状態を示す斜視図、図４(a) は図３の半導
体レーザ装置の構造を示す平面図、図４(b) は図４(a)
のＣ−Ｃ′断面図である。図において、３はシリコンか
らなる直方体形状の基板であり、該基板３の上面１１の
中央部に該上面１１に対し４５°傾斜する側面を有する
矩形の溝１２が設けられ、該側面のうちの１つ側面５は
レーザ光を反射するようミラー面（鏡面）に形成されて
いる。上記溝１２の底面にはＬＤチップ用電極（電極
膜）６が配置されており、該ＬＤチップ用電極６の一部
６ｂは溝１２から基板３の長手方向に導出され、基板３
の端付近まで延びるように配置されている。ＬＤチップ
用電極６の溝１２の底面に位置する部分６ａの上には、
上記ミラー面５にレーザ光出射面が向くよう半導体レー
ザチップ４が載置されている。半導体レーザチップ４は
ＬＤチップ用電極６にハンダにより固着され、該ＬＤチ
ップ用電極６と電気的に接続されている。また、基板３
の上面１１の上記溝１２が形成された領域の両側に複数
（図示例では６つ）の信号再生用フォトダイオード（信
号再生用受光素子）７が配置され、該信号再生用フォト
ダイオード７の外側の端部に隣接してＰＤ用電極８がそ
れぞれ配置され、該端部に接続されている。上記ＬＤチ
ップ用電極６の上記一端６ｂは、該ＰＤ用電極８ととも
に基板３の端部に位置しており、このように配置するの
は、半導体レーザ装置と外部との配線を容易にするため
である。基板３の上方には光情報を記録した光ディスク
（図示せず）が配置されている。９は半導体レーザチッ
プ４から出射されたレーザ光、１３は光ディスクから反
射されて来た信号光である。上記ミラー面５は、例え
ば、シリコン基板３の上面を（１００）面に９度のオフ
アングルをもたせた面とし、該シリコン基板３をＫＯＨ
液等により異方性エッチングすることにより形成され
る。
【０００４】次に、この従来の半導体レーザ装置の動作
を説明する。半導体レーザチップ４からレーザ光９が出
射されると、該レーザ光９はミラー面５で反射されて上
方の光ディスクへ向かう。レーザ光９は、光ディスクに
当たり、該光ディスクの光情報を載せて反射され、信号
光１３となる。信号光１３は、信号再生用フォトダイオ
ード７に入射し、該信号再生用フォトダイオード７で信
号が再生される。
を説明する。半導体レーザチップ４からレーザ光９が出
射されると、該レーザ光９はミラー面５で反射されて上
方の光ディスクへ向かう。レーザ光９は、光ディスクに
当たり、該光ディスクの光情報を載せて反射され、信号
光１３となる。信号光１３は、信号再生用フォトダイオ
ード７に入射し、該信号再生用フォトダイオード７で信
号が再生される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体レー
ザ装置では、半導体レーザチップ４から出射されるレー
ザ光９は、図４（ｂ）に示すように広がりを持ち、ミラ
ー面５はこのレーザ光の広がりに応じた大きさに形成す
る必要があるため、溝１２の深さを３０μｍ程度の深さ
にする必要がある。一方、ＬＤ用電極６は写真製版によ
り形成するが、ＬＤ用電極６，フォトダイオード７，及
びＰＤ用電極８の位置関係を確保するため、基板３の表
面と溝１２の底面を同時に写真製版する。この写真製版
の際、溝１２の深さが３０μｍもあると、基板３の上面
１１と溝１２の底面とでピントのずれが大きくなり、写
真製版の精度が低下し、その結果、パターン切れによる
ＬＤチップ用電極６のメタル切れを生じ易いという問題
があった。
ザ装置では、半導体レーザチップ４から出射されるレー
ザ光９は、図４（ｂ）に示すように広がりを持ち、ミラ
ー面５はこのレーザ光の広がりに応じた大きさに形成す
る必要があるため、溝１２の深さを３０μｍ程度の深さ
にする必要がある。一方、ＬＤ用電極６は写真製版によ
り形成するが、ＬＤ用電極６，フォトダイオード７，及
びＰＤ用電極８の位置関係を確保するため、基板３の表
面と溝１２の底面を同時に写真製版する。この写真製版
の際、溝１２の深さが３０μｍもあると、基板３の上面
１１と溝１２の底面とでピントのずれが大きくなり、写
真製版の精度が低下し、その結果、パターン切れによる
ＬＤチップ用電極６のメタル切れを生じ易いという問題
があった。
【０００６】また、上記従来の半導体レーザ装置では、
ＬＤ用電極６を、段差のある，溝１２の底面と基板３の
表面との間に形成するので、写真製版によりＬＤ用電極
６を形成する際、該ＬＤ用電極６の段部６ｃ，６ｄの厚
みが薄くなり、該段部６ｃ，６ｄにパターン切れによる
ＬＤチップ用電極６のメタル切れを生じ易いという問題
があり、また、写真製版により他の領域をエッチング除
去する際、ＬＤ用電極６の上記段部６ｃ，６ｄのレジス
トの厚みが薄くなり、該段部６ｃ，６ｄがエッチングさ
れ、該段部６ｃ，６ｄにパターン切れによるＬＤチップ
用電極６のメタル切れを生じ易いという問題があった。
ＬＤ用電極６を、段差のある，溝１２の底面と基板３の
表面との間に形成するので、写真製版によりＬＤ用電極
６を形成する際、該ＬＤ用電極６の段部６ｃ，６ｄの厚
みが薄くなり、該段部６ｃ，６ｄにパターン切れによる
ＬＤチップ用電極６のメタル切れを生じ易いという問題
があり、また、写真製版により他の領域をエッチング除
去する際、ＬＤ用電極６の上記段部６ｃ，６ｄのレジス
トの厚みが薄くなり、該段部６ｃ，６ｄがエッチングさ
れ、該段部６ｃ，６ｄにパターン切れによるＬＤチップ
用電極６のメタル切れを生じ易いという問題があった。
【０００７】本発明は、かかる問題点を解決するために
なされたもので、ＬＤチップ用電極を平坦な面に形成す
ることにより、パターン切れによるＬＤチップ用電極の
メタル切れの発生を防止することができる半導体レーザ
装置を提供することを目的としている。
なされたもので、ＬＤチップ用電極を平坦な面に形成す
ることにより、パターン切れによるＬＤチップ用電極の
メタル切れの発生を防止することができる半導体レーザ
装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明（請求項１）に係
る半導体レーザ装置は、平坦な一主面を有する基体部
と、該基体部の主面の一部の領域上に形成された、該主
面に対し４５°傾斜したミラー面を有するミラー部とを
有する基板と、上記ミラー面に向け、上記基体部の主面
に平行にレーザ光を出射するよう配置された半導体レー
ザチップと、上記基体部の一主面の上記ミラー部以外の
領域上に形成され、その一部の面上に上記半導体レーザ
チップが載置され、該半導体レーザチップの電極として
作用する電極膜と、上記基体部の一主面の上記ミラー部
以外の領域に配設された、上記レーザ光の反射光を検出
するための信号再生用受光素子とを備えたものである。
る半導体レーザ装置は、平坦な一主面を有する基体部
と、該基体部の主面の一部の領域上に形成された、該主
面に対し４５°傾斜したミラー面を有するミラー部とを
有する基板と、上記ミラー面に向け、上記基体部の主面
に平行にレーザ光を出射するよう配置された半導体レー
ザチップと、上記基体部の一主面の上記ミラー部以外の
領域上に形成され、その一部の面上に上記半導体レーザ
チップが載置され、該半導体レーザチップの電極として
作用する電極膜と、上記基体部の一主面の上記ミラー部
以外の領域に配設された、上記レーザ光の反射光を検出
するための信号再生用受光素子とを備えたものである。
【０００９】本発明（請求項２）に係る半導体レーザ装
置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）において、
上記基板は、平坦な一主面を有する基体部材の該主面の
一部の領域上に、該基体部材とは別個に作製され、その
一部に劈開により上記基体部材の主面に対し４５°傾斜
したミラー面が形成されたミラー部材が固定されてなる
ものである。
置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）において、
上記基板は、平坦な一主面を有する基体部材の該主面の
一部の領域上に、該基体部材とは別個に作製され、その
一部に劈開により上記基体部材の主面に対し４５°傾斜
したミラー面が形成されたミラー部材が固定されてなる
ものである。
【００１０】本発明（請求項３）に係る半導体レーザ装
置は、上記の半導体レーザ装置（請求項２）において、
上記ミラー部材が、ＧａＡｓ，又はＩｎＰからなるもの
としたものである。
置は、上記の半導体レーザ装置（請求項２）において、
上記ミラー部材が、ＧａＡｓ，又はＩｎＰからなるもの
としたものである。
【００１１】本発明（請求項４）に係る半導体レーザ装
置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）において、
上記基板は、半導体材料からなり、上記基体部と上記ミ
ラー部とが一体的に形成されたものであるとしたもので
ある。
置は、上記の半導体レーザ装置（請求項１）において、
上記基板は、半導体材料からなり、上記基体部と上記ミ
ラー部とが一体的に形成されたものであるとしたもので
ある。
【００１２】
実施の形態１． 構成１．本発明の実施の形態１における半導体レーザ装
置は、図１，２に示されるように、平坦な一主面（１
１）を有する基体部（１，２１）と、該基体部（１，２
１）の主面（１１）の一部の領域上に形成された、該主
面（１１）に対し４５°傾斜したミラー面（５）を有す
るミラー部（２，２２）とを有する基板（３）と、上記
ミラー面（５）に向け、上記基体部（１，２１）の主面
（１１）に平行にレーザ光（９）を出射するよう配置さ
れた半導体レーザチップ（４）と、上記基体部（１，２
１）の一主面（１１）の上記ミラー部（２，２２）以外
の領域上に形成され、その一部の面上に上記半導体レー
ザチップ（４）が載置され、該半導体レーザチップ
（４）の電極として作用する電極膜（６）と、上記基体
部（１，２１）の一主面（１１）の上記ミラー部（２，
２２）以外の領域に配設された、上記レーザ光（９）の
反射光を検出するための信号再生用受光素子（７）とを
備えたものである。これにより、電極膜（６）が平坦な
面（１１）に形成されることとなり、写真製版精度が高
くなるとともに電極膜６に段部が存在しなくなるので、
パターン切れによる電極膜（６）のメタル切れが発生す
るのを防止することができる。
置は、図１，２に示されるように、平坦な一主面（１
１）を有する基体部（１，２１）と、該基体部（１，２
１）の主面（１１）の一部の領域上に形成された、該主
面（１１）に対し４５°傾斜したミラー面（５）を有す
るミラー部（２，２２）とを有する基板（３）と、上記
ミラー面（５）に向け、上記基体部（１，２１）の主面
（１１）に平行にレーザ光（９）を出射するよう配置さ
れた半導体レーザチップ（４）と、上記基体部（１，２
１）の一主面（１１）の上記ミラー部（２，２２）以外
の領域上に形成され、その一部の面上に上記半導体レー
ザチップ（４）が載置され、該半導体レーザチップ
（４）の電極として作用する電極膜（６）と、上記基体
部（１，２１）の一主面（１１）の上記ミラー部（２，
２２）以外の領域に配設された、上記レーザ光（９）の
反射光を検出するための信号再生用受光素子（７）とを
備えたものである。これにより、電極膜（６）が平坦な
面（１１）に形成されることとなり、写真製版精度が高
くなるとともに電極膜６に段部が存在しなくなるので、
パターン切れによる電極膜（６）のメタル切れが発生す
るのを防止することができる。
【００１３】構成２．本発明の実施の形態１における半
導体レーザ装置は、図１に示されるように、上記の構成
１の半導体レーザ装置において、上記基板（３）は、平
坦な一主面（１１）を有する基体部材（１）の該主面
（１１）の一部の領域上に、該基体部材（１）とは別個
に作製され、その一部に劈開により上記基体部材（１）
の主面（１）に対し４５°傾斜したミラー面（５）が形
成されたミラー部材（２）が固定されてなるものであ
る。これにより、平滑度が良好なミラー面（５）を得る
ことができる。
導体レーザ装置は、図１に示されるように、上記の構成
１の半導体レーザ装置において、上記基板（３）は、平
坦な一主面（１１）を有する基体部材（１）の該主面
（１１）の一部の領域上に、該基体部材（１）とは別個
に作製され、その一部に劈開により上記基体部材（１）
の主面（１）に対し４５°傾斜したミラー面（５）が形
成されたミラー部材（２）が固定されてなるものであ
る。これにより、平滑度が良好なミラー面（５）を得る
ことができる。
【００１４】構成３．本発明の実施の形態１における半
導体レーザ装置は、図１に示されるように、上記の構成
２の半導体レーザ装置において、上記ミラー部材（５）
が、ＧａＡｓ，又はＩｎＰからなるものとしたものであ
る。これにより、ミラー部材（５）の材料を容易に入手
することができる。
導体レーザ装置は、図１に示されるように、上記の構成
２の半導体レーザ装置において、上記ミラー部材（５）
が、ＧａＡｓ，又はＩｎＰからなるものとしたものであ
る。これにより、ミラー部材（５）の材料を容易に入手
することができる。
【００１５】構成４．本発明の実施の形態１における半
導体レーザ装置は、図２に示されるように、上記の構成
１の半導体レーザ装置において、上記基板（３）が、半
導体材料からなり、上記基体部（２１）と上記ミラー部
（２２）とが一体的に形成されたものであるとしたもの
である。これにより、半導体材料からなる一体物をエッ
チングすることにより、基板（３）を容易に作製するこ
とができる。
導体レーザ装置は、図２に示されるように、上記の構成
１の半導体レーザ装置において、上記基板（３）が、半
導体材料からなり、上記基体部（２１）と上記ミラー部
（２２）とが一体的に形成されたものであるとしたもの
である。これにより、半導体材料からなる一体物をエッ
チングすることにより、基板（３）を容易に作製するこ
とができる。
【００１６】
実施例１．本発明の一実施例について説明する。図１
(a) は本実施例１による半導体レーザ装置の構造を示す
平面図、図１(b)は図１(a) のＡ−Ａ′断面図である。
図において、１は平坦な主面１１を有する直方体形状の
シリコン基体部材であり、該シリコン基体部材１の主面
１１の中央の幅方向の端部に矩形のミラー部材固定メタ
ル１０が配置され、該ミラー部材固定メタル１０上にミ
ラー部材２が載置され、ハンダにより該ミラー部材固定
メタル１０に固着されている。ミラー部材２は、形状が
６面体であり、その長手方向がシリコン基体部材１の長
手方向を向くよう配置され、かつ該ミラー部材２の，シ
リコン基体部材１の幅方向における内側の側面５は該シ
リコン基体部材１の主面１１に対し４５°傾斜したミラ
ー面に形成されている。また、シリコン基体部材１の主
面１１上には、上記ミラー面５に対向する位置に、ＬＤ
チップ用電極６が配置され、該ＬＤチップ用電極６の一
部６ｂはシリコン基体部材１の長手方向に沿って該シリ
コン基体部材１の端部付近まで延びるように配置されて
いる。ＬＤチップ用電極６の上記ミラー面５に対向する
部分６ａの上には、該ミラー面５にレーザ光出射面が向
くよう半導体レーザチップ４が載置されている。半導体
レーザチップ４はＬＤチップ用電極６にハンダにより固
着され該ＬＤチップ用電極６と電気的に接続されてい
る。また、シリコン基体部材１の主面１１のミラー部材
２，及び半導体レーザチップ４が設置された領域の両側
に複数（図示例では６つ）の信号再生用フォトダイオー
ド７が配置され、該信号再生用フォトダイオード７の外
側の端部に隣接してＰＤ用電極８がそれぞれ配置され該
端部に接続されている。信号再生用フォトダイオード７
はシリコン基体部材１の表面下に直接形成されている。
また、半導体レーザ装置と外部との配線を容易にするた
め、上記ＬＤチップ用電極６の上記一端６ｂは、該ＰＤ
用電極８とともに基板３の端部に位置するよう配置され
ている。シリコン基体部材１の上方には光情報を記録し
た光ディスク（図示せず）が配置されている。
(a) は本実施例１による半導体レーザ装置の構造を示す
平面図、図１(b)は図１(a) のＡ−Ａ′断面図である。
図において、１は平坦な主面１１を有する直方体形状の
シリコン基体部材であり、該シリコン基体部材１の主面
１１の中央の幅方向の端部に矩形のミラー部材固定メタ
ル１０が配置され、該ミラー部材固定メタル１０上にミ
ラー部材２が載置され、ハンダにより該ミラー部材固定
メタル１０に固着されている。ミラー部材２は、形状が
６面体であり、その長手方向がシリコン基体部材１の長
手方向を向くよう配置され、かつ該ミラー部材２の，シ
リコン基体部材１の幅方向における内側の側面５は該シ
リコン基体部材１の主面１１に対し４５°傾斜したミラ
ー面に形成されている。また、シリコン基体部材１の主
面１１上には、上記ミラー面５に対向する位置に、ＬＤ
チップ用電極６が配置され、該ＬＤチップ用電極６の一
部６ｂはシリコン基体部材１の長手方向に沿って該シリ
コン基体部材１の端部付近まで延びるように配置されて
いる。ＬＤチップ用電極６の上記ミラー面５に対向する
部分６ａの上には、該ミラー面５にレーザ光出射面が向
くよう半導体レーザチップ４が載置されている。半導体
レーザチップ４はＬＤチップ用電極６にハンダにより固
着され該ＬＤチップ用電極６と電気的に接続されてい
る。また、シリコン基体部材１の主面１１のミラー部材
２，及び半導体レーザチップ４が設置された領域の両側
に複数（図示例では６つ）の信号再生用フォトダイオー
ド７が配置され、該信号再生用フォトダイオード７の外
側の端部に隣接してＰＤ用電極８がそれぞれ配置され該
端部に接続されている。信号再生用フォトダイオード７
はシリコン基体部材１の表面下に直接形成されている。
また、半導体レーザ装置と外部との配線を容易にするた
め、上記ＬＤチップ用電極６の上記一端６ｂは、該ＰＤ
用電極８とともに基板３の端部に位置するよう配置され
ている。シリコン基体部材１の上方には光情報を記録し
た光ディスク（図示せず）が配置されている。
【００１７】上記ミラー部材２は、劈開可能な半導体材
料で構成されており、このような半導体材料としては、
例えばＧａＡｓ，又はＩｎＰを用いることができる。Ｇ
ａＡｓ，ＩｎＰはレーザダイオードの材料として一般的
に使用されているので容易に入手することができる。ま
た、ミラー部材固定メタル１０，及び電極６の材料とし
ては、その上にそれぞれ載置されるミラー部材２，及び
半導体レーザチップ４とハンダ付けする必要があるため
Ａｕ系の材料を用いるのが望ましく、例えばＴｉＷ／Ａ
ｕを用いることができる。
料で構成されており、このような半導体材料としては、
例えばＧａＡｓ，又はＩｎＰを用いることができる。Ｇ
ａＡｓ，ＩｎＰはレーザダイオードの材料として一般的
に使用されているので容易に入手することができる。ま
た、ミラー部材固定メタル１０，及び電極６の材料とし
ては、その上にそれぞれ載置されるミラー部材２，及び
半導体レーザチップ４とハンダ付けする必要があるため
Ａｕ系の材料を用いるのが望ましく、例えばＴｉＷ／Ａ
ｕを用いることができる。
【００１８】次に、本実施例による半導体レーザ装置の
製造方法を説明する。まず、ＧａＡｓ，又はＩｎＰの材
料を用いて、その底面が（１００）面である直方体形状
の化合物半導体結晶を作製する。次いで、該化合物半導
体結晶にメス等の鋭利な刃を押し当てて力を加え、（０
１１）面を得るよう劈開して底面に対し４５°傾斜した
ミラー面５を形成し、ミラー部材２を得る。ここで、ミ
ラー面５は、劈開により形成されるので平滑度が良好な
ミラー面が得られる。
製造方法を説明する。まず、ＧａＡｓ，又はＩｎＰの材
料を用いて、その底面が（１００）面である直方体形状
の化合物半導体結晶を作製する。次いで、該化合物半導
体結晶にメス等の鋭利な刃を押し当てて力を加え、（０
１１）面を得るよう劈開して底面に対し４５°傾斜した
ミラー面５を形成し、ミラー部材２を得る。ここで、ミ
ラー面５は、劈開により形成されるので平滑度が良好な
ミラー面が得られる。
【００１９】また、底面にＬＤチップ用電極６へのコン
タクト層が形成された半導体レーザチップ４を、エピタ
キシャル成長等により別途作製する。
タクト層が形成された半導体レーザチップ４を、エピタ
キシャル成長等により別途作製する。
【００２０】次いで、直方体形状のｎ型のシリコン基体
部材１を作製し、まず、該シリコン基体部材１の一つの
主面１１の所定の領域に、例えば、ボロン等の不純物を
該シリコン基体部材１の表面から熱拡散させてｐ型領域
を形成し、該ｐ型領域の表面の周囲をＳｉＯ2 膜で覆っ
て信号再生用フォトダイオード７を形成する。
部材１を作製し、まず、該シリコン基体部材１の一つの
主面１１の所定の領域に、例えば、ボロン等の不純物を
該シリコン基体部材１の表面から熱拡散させてｐ型領域
を形成し、該ｐ型領域の表面の周囲をＳｉＯ2 膜で覆っ
て信号再生用フォトダイオード７を形成する。
【００２１】次いで、スパッタ，又は蒸着によりシリコ
ン基体部材１の全面にＡｌ膜を形成し、その後、写真製
版を用いて該Ａｌ膜の所定領域以外の領域をエッチング
除去することにより、ＰＤ用電極８を、信号再生用フォ
トダイオード７のｐ型領域にコンタクトするよう形成す
る。
ン基体部材１の全面にＡｌ膜を形成し、その後、写真製
版を用いて該Ａｌ膜の所定領域以外の領域をエッチング
除去することにより、ＰＤ用電極８を、信号再生用フォ
トダイオード７のｐ型領域にコンタクトするよう形成す
る。
【００２２】次いで、ＴｉＷ，及びＡｕを順次スパッ
タ，又は蒸着によりシリコン基体部材１の全面に積層
し、その後、写真製版を用いて所定領域以外の領域をエ
ッチング除去することにより、ＬＤチップ用電極６，及
びミラー部材固定メタル１０をそれぞれ形成する。ここ
で、ＬＤチップ用電極６は、従来と異なり、平坦な面１
１上に形成されるので、写真製版の際、従来のように段
差によるピントのズレが生じることはなく、写真製版の
精度が高くなる。また、ＬＤチップ用電極６に段部が存
在しなくなる。その結果、パターン切れによるＬＤチッ
プ用電極６のメタル切れが発生するのが防止される。
タ，又は蒸着によりシリコン基体部材１の全面に積層
し、その後、写真製版を用いて所定領域以外の領域をエ
ッチング除去することにより、ＬＤチップ用電極６，及
びミラー部材固定メタル１０をそれぞれ形成する。ここ
で、ＬＤチップ用電極６は、従来と異なり、平坦な面１
１上に形成されるので、写真製版の際、従来のように段
差によるピントのズレが生じることはなく、写真製版の
精度が高くなる。また、ＬＤチップ用電極６に段部が存
在しなくなる。その結果、パターン切れによるＬＤチッ
プ用電極６のメタル切れが発生するのが防止される。
【００２３】次いで、ＬＤチップ用電極６，及びミラー
部材固定メタル１０上の所定の領域にハンダ層をそれぞ
れ形成し、ＬＤチップ用電極６の該ハンダ層が形成され
た領域に半導体レーザチップ４を、ミラー部材固定メタ
ル１０の上記ハンダ層が形成された領域にミラー部材２
をそれぞれ載置し、その後、半導体レーザチップ４、及
びミラー部材２を加熱してＬＤチップ用電極６，及びミ
ラー部材固定メタル１０にそれぞれ融着させ、半導体レ
ーザ装置を完成する。
部材固定メタル１０上の所定の領域にハンダ層をそれぞ
れ形成し、ＬＤチップ用電極６の該ハンダ層が形成され
た領域に半導体レーザチップ４を、ミラー部材固定メタ
ル１０の上記ハンダ層が形成された領域にミラー部材２
をそれぞれ載置し、その後、半導体レーザチップ４、及
びミラー部材２を加熱してＬＤチップ用電極６，及びミ
ラー部材固定メタル１０にそれぞれ融着させ、半導体レ
ーザ装置を完成する。
【００２４】次に、本実施例１による半導体レーザ装置
の動作を説明する。半導体レーザチップ４からレーザ光
９が出射されると、該レーザ光９はミラー部材２のミラ
ー面５で反射されて上方の光ディスクへ向かう。レーザ
光９は、光ディスクに当たり、該光ディスクの光情報を
載せて反射され、信号光となる。該信号光は、信号再生
用フォトダイオード７に入射し、該信号再生用フォトダ
イオード７で信号が再生される。
の動作を説明する。半導体レーザチップ４からレーザ光
９が出射されると、該レーザ光９はミラー部材２のミラ
ー面５で反射されて上方の光ディスクへ向かう。レーザ
光９は、光ディスクに当たり、該光ディスクの光情報を
載せて反射され、信号光となる。該信号光は、信号再生
用フォトダイオード７に入射し、該信号再生用フォトダ
イオード７で信号が再生される。
【００２５】以上のように、本実施例１においては、基
板３を平坦な一主面１１を有するシリコン基体部材１と
該主面１１の一部の領域に固設されたミラー部材２とで
構成し、上記主面１１の残りの領域に、ＬＤチップ用電
極６及び該ＬＤチップ用電極６上に載置された半導体レ
ーザチップ４と、ＰＤ用電極８及び該ＰＤ用電極８上に
載置された信号再生用フォトダイオード７とを配置する
から、ＬＤチップ用電極６が平坦な面に形成されること
となり、写真製版精度が高くなるとともに該ＬＤチップ
用電極６に段部が存在しなくなり、これにより、パター
ン切れによるＬＤチップ用電極６のメタル切れが発生す
るのを防止することができる。
板３を平坦な一主面１１を有するシリコン基体部材１と
該主面１１の一部の領域に固設されたミラー部材２とで
構成し、上記主面１１の残りの領域に、ＬＤチップ用電
極６及び該ＬＤチップ用電極６上に載置された半導体レ
ーザチップ４と、ＰＤ用電極８及び該ＰＤ用電極８上に
載置された信号再生用フォトダイオード７とを配置する
から、ＬＤチップ用電極６が平坦な面に形成されること
となり、写真製版精度が高くなるとともに該ＬＤチップ
用電極６に段部が存在しなくなり、これにより、パター
ン切れによるＬＤチップ用電極６のメタル切れが発生す
るのを防止することができる。
【００２６】また、本実施例１においては、ミラー部材
２を劈開可能な半導体材料で構成し、ミラー面５を劈開
により形成するようにしたから、平滑度が良好なミラー
面５を得ることができる。
２を劈開可能な半導体材料で構成し、ミラー面５を劈開
により形成するようにしたから、平滑度が良好なミラー
面５を得ることができる。
【００２７】また、本実施例１においては、ミラー部材
５の材料としてＧａＡｓ，又はＩｎＰを用いるから、ミ
ラー部材５の材料を容易に入手することができる。
５の材料としてＧａＡｓ，又はＩｎＰを用いるから、ミ
ラー部材５の材料を容易に入手することができる。
【００２８】実施例２．本発明の他の実施例について説
明する。図２(a) は本実施例２による半導体レーザ装置
の構造を示す平面図、図２(b)は図２(a) のＢ−Ｂ′断
面図である。図において、図１と同一符号は同一又は相
当する部分を示しており、２１は基板３の基体部、２２
は基板３のミラー部である。基板３は直方体形状でシリ
コンからなり、基体部２１の主面１１は平坦に形成さ
れ、該主面１１の中央の幅方向の端部にミラー部２２が
形成されている。ミラー部２２は、６面体形状であり、
その長手方向が基体部２１の長手方向を向くよう配置さ
れ、かつ該ミラー部２２の，基体部２１の幅方向におけ
る内側の側面５は該基体部２１の主面１１に対し４５°
傾斜したミラー面に形成されている。その他の構造は実
施例１と同様である。
明する。図２(a) は本実施例２による半導体レーザ装置
の構造を示す平面図、図２(b)は図２(a) のＢ−Ｂ′断
面図である。図において、図１と同一符号は同一又は相
当する部分を示しており、２１は基板３の基体部、２２
は基板３のミラー部である。基板３は直方体形状でシリ
コンからなり、基体部２１の主面１１は平坦に形成さ
れ、該主面１１の中央の幅方向の端部にミラー部２２が
形成されている。ミラー部２２は、６面体形状であり、
その長手方向が基体部２１の長手方向を向くよう配置さ
れ、かつ該ミラー部２２の，基体部２１の幅方向におけ
る内側の側面５は該基体部２１の主面１１に対し４５°
傾斜したミラー面に形成されている。その他の構造は実
施例１と同様である。
【００２９】次に、本実施例２による半導体レーザ装置
の製造方法を説明する。まず、その上面が（１００）面
に９度のオフアングルを有するよう直方体形状のｎ型の
シリコン基板を作製する。
の製造方法を説明する。まず、その上面が（１００）面
に９度のオフアングルを有するよう直方体形状のｎ型の
シリコン基板を作製する。
【００３０】次いで、上記シリコン基板の上面の所定の
領域に、図示するような４５°傾斜したミラー面５を有
する６面体形状のミラー部２２を形成し、かつ残りの領
域に平坦な主面１１を形成するよう、該シリコン基板に
ＫＯＨ液等を用いて異方性エッチングを行い、これによ
り基板３を得る。その後、実施例１と同様に、基体部２
１の主面１１に、ＬＤチップ用電極６，半導体レーザチ
ップ４，ＰＤ用電極８，及び信号再生用フォトダイオー
ド７を配置して半導体レーザ装置を完成する。
領域に、図示するような４５°傾斜したミラー面５を有
する６面体形状のミラー部２２を形成し、かつ残りの領
域に平坦な主面１１を形成するよう、該シリコン基板に
ＫＯＨ液等を用いて異方性エッチングを行い、これによ
り基板３を得る。その後、実施例１と同様に、基体部２
１の主面１１に、ＬＤチップ用電極６，半導体レーザチ
ップ４，ＰＤ用電極８，及び信号再生用フォトダイオー
ド７を配置して半導体レーザ装置を完成する。
【００３１】本実施例２による半導体レーザ装置の動作
は、実施例１による半導体レーザ装置と全く同様であ
る。
は、実施例１による半導体レーザ装置と全く同様であ
る。
【００３２】以上のように、本実施例２においては、基
板３を平坦な一主面１１を有する基体部２１と該主面１
１の一部の領域に凸状に形成されたミラー部２２とで構
成し、上記主面１１の残りの領域に、ＬＤチップ用電極
６及び該ＬＤチップ用電極６上に載置された半導体レー
ザチップ４と、ＰＤ用電極８及び該ＰＤ用電極８上に載
置された信号再生用フォトダイオード７とを配置するか
ら、ＬＤチップ用電極６が平坦な面に形成されることと
なり、写真製版精度が高くなるとともに該ＬＤチップ用
電極６に段部が存在しなくなるので、パターン切れによ
るＬＤチップ用電極６のメタル切れが発生するのを防止
することができる。
板３を平坦な一主面１１を有する基体部２１と該主面１
１の一部の領域に凸状に形成されたミラー部２２とで構
成し、上記主面１１の残りの領域に、ＬＤチップ用電極
６及び該ＬＤチップ用電極６上に載置された半導体レー
ザチップ４と、ＰＤ用電極８及び該ＰＤ用電極８上に載
置された信号再生用フォトダイオード７とを配置するか
ら、ＬＤチップ用電極６が平坦な面に形成されることと
なり、写真製版精度が高くなるとともに該ＬＤチップ用
電極６に段部が存在しなくなるので、パターン切れによ
るＬＤチップ用電極６のメタル切れが発生するのを防止
することができる。
【００３３】また、本実施例２においては、基板３の基
体部２１とミラー部２２とが一体的に形成されているか
ら、シリコン基板を異方性エッチングすることにより容
易に基板３を作製することができる。
体部２１とミラー部２２とが一体的に形成されているか
ら、シリコン基板を異方性エッチングすることにより容
易に基板３を作製することができる。
【００３４】なお、上記実施例では、図１の基体部材
１，及び図２の基板３の材料として、シリコンを用いた
が、ＧａＡｓ等の他の半導体材料を用いても構わない。
１，及び図２の基板３の材料として、シリコンを用いた
が、ＧａＡｓ等の他の半導体材料を用いても構わない。
【図１】 本発明の実施例１による半導体レーザ装置の
構造を示す平面図(a) ，及び図１(a) のＡ−Ａ′断面図
(b) である。
構造を示す平面図(a) ，及び図１(a) のＡ−Ａ′断面図
(b) である。
【図２】 本発明の実施例２による半導体レーザ装置の
構造を示す平面図(a) ，及び図２(a) のＢ−Ｂ′断面図
(b) である。
構造を示す平面図(a) ，及び図２(a) のＢ−Ｂ′断面図
(b) である。
【図３】 従来の半導体レーザ装置の使用状態を示す斜
視図である。
視図である。
【図４】 従来の半導体レーザ装置の構造を示す平面図
(a) ，及び図４(a)のＣ−Ｃ′断面図(b) である。
(a) ，及び図４(a)のＣ−Ｃ′断面図(b) である。
１ シリコン基体部材、２ ミラー部材、３ 基板、４
半導体レーザチップ、５ ミラー面、６ ＬＤチップ
用電極、７ 信号再生用フォトダイオード、８ＰＤ用電
極、９ レーザ光、１０ ミラー部材固定メタル、１１
主面、１３信号光、２１ 基体部、２２ ミラー部。
半導体レーザチップ、５ ミラー面、６ ＬＤチップ
用電極、７ 信号再生用フォトダイオード、８ＰＤ用電
極、９ レーザ光、１０ ミラー部材固定メタル、１１
主面、１３信号光、２１ 基体部、２２ ミラー部。
Claims (4)
- 【請求項１】 平坦な一主面を有する基体部と、該基体
部の主面の一部の領域上に形成された、該主面に対し４
５°傾斜したミラー面を有するミラー部とを有する基板
と、 上記ミラー面に向け、上記基体部の主面に平行にレーザ
光を出射するよう配置された半導体レーザチップと、 上記基体部の一主面の上記ミラー部以外の領域上に形成
され、その一部の面上に上記半導体レーザチップが載置
され、該半導体レーザチップの電極として作用する電極
膜と、 上記基体部の一主面の上記ミラー部以外の領域に配設さ
れた、上記レーザ光の反射光を検出するための信号再生
用受光素子とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記基板は、平坦な一主面を有する基体部材の該主面の
一部の領域上に、 該基体部材とは別個に作製され、その一部に劈開により
上記基体部材の主面に対し４５°傾斜したミラー面が形
成されたミラー部材が固定されてなることを特徴とする
半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記ミラー部材は、ＧａＡｓ，又はＩｎＰからなること
を特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
いて、 上記基板は、半導体材料からなり、上記基体部と上記ミ
ラー部とが一体的に形成されたものであることを特徴と
する半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP256796A JPH09191154A (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP256796A JPH09191154A (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09191154A true JPH09191154A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=11532955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP256796A Pending JPH09191154A (ja) | 1996-01-10 | 1996-01-10 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09191154A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001011616A1 (fr) * | 1999-08-04 | 2001-02-15 | Hitachi, Ltd. | Module laser, tete optique comprenant ledit module, et dispositif d'enregistrement/reproduction d'informations optiques |
| US6459711B1 (en) | 1999-01-13 | 2002-10-01 | Matsushita Electronics Corporation | Optical semiconductor device |
| EP1555665A2 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro optical bench structure and method of manufacturing the same |
-
1996
- 1996-01-10 JP JP256796A patent/JPH09191154A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6459711B1 (en) | 1999-01-13 | 2002-10-01 | Matsushita Electronics Corporation | Optical semiconductor device |
| WO2001011616A1 (fr) * | 1999-08-04 | 2001-02-15 | Hitachi, Ltd. | Module laser, tete optique comprenant ledit module, et dispositif d'enregistrement/reproduction d'informations optiques |
| EP1555665A2 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro optical bench structure and method of manufacturing the same |
| EP1555665A3 (en) * | 2004-01-13 | 2006-12-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro optical bench structure and method of manufacturing the same |
| US7456434B2 (en) | 2004-01-13 | 2008-11-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro optical bench structure |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050118 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050329 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050802 |