JP3157520B2 - 窒化アルミニウム基板の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム基板の製造方法Info
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- copper plate
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子回路基板として使用される窒化アルミ
ニウム基板の製造方法に関するものである。
ニウム基板の製造方法に関するものである。
［従来技術及び発明が解決しようとする課題］ 一般に、窒化アルミニウムは優れた熱伝導性を有する
ことが知られており、従来から、発熱量の大きなチップ
を搭載するための電子回路基板等に使用されている。し
かしながら、窒化アルミニウム基板は金属に対する濡れ
性に劣るため、例えば銅でその表面を直接メタライズす
ることにより、回路パターンを形成することが困難であ
った。
ことが知られており、従来から、発熱量の大きなチップ
を搭載するための電子回路基板等に使用されている。し
かしながら、窒化アルミニウム基板は金属に対する濡れ
性に劣るため、例えば銅でその表面を直接メタライズす
ることにより、回路パターンを形成することが困難であ
った。
この問題を解消するため、特開昭59−40404号公報に
は、窒化アルミニウムを空気中で加熱して、その表面に
酸化層を形成した後、タフピッチ電解銅板を重ね合わせ
て、加熱処理することにより、窒化アルミニウム基板に
銅板を接合するようにした窒化アルミニウム基板の製造
方法が開示されている。
は、窒化アルミニウムを空気中で加熱して、その表面に
酸化層を形成した後、タフピッチ電解銅板を重ね合わせ
て、加熱処理することにより、窒化アルミニウム基板に
銅板を接合するようにした窒化アルミニウム基板の製造
方法が開示されている。
しかし、前記方法は空気中で加熱することにより窒化
アルミニウム表面を強制的に酸化するものであるため、
銅板との接合面、即ち酸化層表面の平滑性が低下する。
それゆえ加熱接合の際に、窒化アルミニウム上の酸化層
と銅板とを確実に接触した状態で重ね合わせることが困
難になり、銅と酸化銅からなる共晶を、接合部に形成し
て、濡れ性を改善した状態で両者を接合させたとして
も、得られる結合強度は納得のいくものではなかった。
アルミニウム表面を強制的に酸化するものであるため、
銅板との接合面、即ち酸化層表面の平滑性が低下する。
それゆえ加熱接合の際に、窒化アルミニウム上の酸化層
と銅板とを確実に接触した状態で重ね合わせることが困
難になり、銅と酸化銅からなる共晶を、接合部に形成し
て、濡れ性を改善した状態で両者を接合させたとして
も、得られる結合強度は納得のいくものではなかった。
また、前記の加熱接合処理は、酸化銅と銅との共晶形
成に必要とされる酸素を、概ね窒化アルミニウム上の酸
化層から供給しようとするものである。そのため、必然
的に熱い酸化層を窒化アルミニウム上に形成する必要が
あり、熱伝導性等に優れるという窒化アルミニウム本来
の性質が損なわれる虞があった。
成に必要とされる酸素を、概ね窒化アルミニウム上の酸
化層から供給しようとするものである。そのため、必然
的に熱い酸化層を窒化アルミニウム上に形成する必要が
あり、熱伝導性等に優れるという窒化アルミニウム本来
の性質が損なわれる虞があった。
更に、特開昭59−40404号公報では、窒化アルミニウ
ム中に銅板と窒化アルミニウムとの、結合剤を酸化物の
形で添加したものに、タフピッチ電解銅板を重ね合わせ
て、加熱処理する窒化アルミニウム基板の製造方法も開
示されている。しかし、共晶形成に関与する酸素を十分
に供給するためには、結合剤である酸化物をより多く窒
化アルミニウムに添加する必要があり、前記の場合と同
様に熱伝導性等に優れるという窒化アルミニウム本来の
性質が損なわれ易いという問題があった。
ム中に銅板と窒化アルミニウムとの、結合剤を酸化物の
形で添加したものに、タフピッチ電解銅板を重ね合わせ
て、加熱処理する窒化アルミニウム基板の製造方法も開
示されている。しかし、共晶形成に関与する酸素を十分
に供給するためには、結合剤である酸化物をより多く窒
化アルミニウムに添加する必要があり、前記の場合と同
様に熱伝導性等に優れるという窒化アルミニウム本来の
性質が損なわれ易いという問題があった。
本発明者らは上記の点に鑑み、種々、検討を重ねた結
果、窒化アルミニウム基材の表面にAl2O3、Y2O3及びSiO
2から選ばれた一つの酸化物の薄膜を形成し、酸化物の
薄膜に銅板を重ね合わせ、銅と酸化銅の共晶温度以上、
銅の融点未満の温度まで加熱することにより、前記薄膜
を介して窒化アルミニウム基板に銅板を接合すれば、熱
伝導性等に優れるという窒化アルミニウム基材本来の性
質を損なうことなく、銅板を強固に結合することが可能
であることを見出した。
果、窒化アルミニウム基材の表面にAl2O3、Y2O3及びSiO
2から選ばれた一つの酸化物の薄膜を形成し、酸化物の
薄膜に銅板を重ね合わせ、銅と酸化銅の共晶温度以上、
銅の融点未満の温度まで加熱することにより、前記薄膜
を介して窒化アルミニウム基板に銅板を接合すれば、熱
伝導性等に優れるという窒化アルミニウム基材本来の性
質を損なうことなく、銅板を強固に結合することが可能
であることを見出した。
本発明は上記の知見に基づいてなされたものであっ
て、その目的は、窒化アルミニウム基材が有する高熱伝
導性を損なうことなく銅に対する濡れ性を改善すること
により、銅板を簡単かつ確実に結合させることができる
と共に、両者間に十分な結合強度を確保することが可能
な窒化アルミニウム基板の製造方法を提供することにあ
る。
て、その目的は、窒化アルミニウム基材が有する高熱伝
導性を損なうことなく銅に対する濡れ性を改善すること
により、銅板を簡単かつ確実に結合させることができる
と共に、両者間に十分な結合強度を確保することが可能
な窒化アルミニウム基板の製造方法を提供することにあ
る。
［課題を解決するための手段及び作用］ 上記の目的を達成するため、本発明は窒化アルミニウ
ム基材の表面にAl2O3、Y2O3及びSiO2から選ばれた一つ
の酸化物の薄膜をプラズマ溶射により形成する工程と、
酸化物の薄膜に銅板を重ね合わせる工程と、銅と酸化銅
の共晶温度以上、銅の融点未満の温度まで加熱すること
により、前記薄膜を介して窒化アルミニウム基材に銅板
を接合する工程とからなる。
ム基材の表面にAl2O3、Y2O3及びSiO2から選ばれた一つ
の酸化物の薄膜をプラズマ溶射により形成する工程と、
酸化物の薄膜に銅板を重ね合わせる工程と、銅と酸化銅
の共晶温度以上、銅の融点未満の温度まで加熱すること
により、前記薄膜を介して窒化アルミニウム基材に銅板
を接合する工程とからなる。
窒化アルミニウム基材の表面にAl2O3、Y2O3及びSiO2
から選ばれた一つの酸化物の薄膜を形成した後に、銅板
を重ね合わせることにより、酸化銅と銅との共晶形成に
必要とされる酸素を、確実に両者の接合面に供給するこ
とができる。そして、銅と酸化銅の共晶温度以上、銅の
融点未満の温度まで両者を加熱すると、窒化アルミニウ
ム基材と銅板との接合部分に銅、酸化銅、酸化物、及び
窒化アルミニウムを含む共晶が形成される。この場合、
共晶形成に必要とされる酸素は、主として前記酸化物の
薄膜から供給されるため、従来よりも効率よく共晶が形
成され、従って両者間に強固な結合が確保される。
から選ばれた一つの酸化物の薄膜を形成した後に、銅板
を重ね合わせることにより、酸化銅と銅との共晶形成に
必要とされる酸素を、確実に両者の接合面に供給するこ
とができる。そして、銅と酸化銅の共晶温度以上、銅の
融点未満の温度まで両者を加熱すると、窒化アルミニウ
ム基材と銅板との接合部分に銅、酸化銅、酸化物、及び
窒化アルミニウムを含む共晶が形成される。この場合、
共晶形成に必要とされる酸素は、主として前記酸化物の
薄膜から供給されるため、従来よりも効率よく共晶が形
成され、従って両者間に強固な結合が確保される。
窒化アルミニウム基材の表面に形成される酸素物の薄
膜は、Al2O3、Y2O3及びSiO2から選ばれた一つの酸化物
であることが望ましく、これらは一般に窒化アルミニウ
ム基材を焼成する際に添加される焼結助剤として知られ
ているものである。
膜は、Al2O3、Y2O3及びSiO2から選ばれた一つの酸化物
であることが望ましく、これらは一般に窒化アルミニウ
ム基材を焼成する際に添加される焼結助剤として知られ
ているものである。
前記薄膜の形成は、プラズマ溶射により形成すること
が必要である。この方法は、低温にて簡単かつ確実に薄
膜を形成することができる。また、窒化アルミニウム基
板自体も高温にさらされることはないため、分解される
ことがない。他にスパッタリング、化学メッキ及びペー
スト塗布等の方法によっても、最終的には所望する銅板
及び窒化アルミニウムの結合を得ることは可能である
が、より均一かつ平滑な酸化物の薄膜が得られる点、形
成時に高温を要しない点からプラズマ溶射が好ましい。
が必要である。この方法は、低温にて簡単かつ確実に薄
膜を形成することができる。また、窒化アルミニウム基
板自体も高温にさらされることはないため、分解される
ことがない。他にスパッタリング、化学メッキ及びペー
スト塗布等の方法によっても、最終的には所望する銅板
及び窒化アルミニウムの結合を得ることは可能である
が、より均一かつ平滑な酸化物の薄膜が得られる点、形
成時に高温を要しない点からプラズマ溶射が好ましい。
前記酸化物の薄膜の厚さは0.3〜3.0μｍであることが
望ましい。
望ましい。
前記酸化物の薄膜の厚さが0.3μｍ以下の場合には、
接合に必要な酸素を薄膜から供給することができない。
一方、3.0μｍを越える場合、形成した薄膜が剥離をお
こし易い。
接合に必要な酸素を薄膜から供給することができない。
一方、3.0μｍを越える場合、形成した薄膜が剥離をお
こし易い。
前記銅板は予め酸化処理が施されたものであることが
望ましい。この酸化処理は、空気中にて約300℃で10分
間行われることが望ましく、この条件により銅板を処理
すれば、窒化アルミニウムに対する濡れ性に優れた酸化
銅層が銅板表面に形成される。
望ましい。この酸化処理は、空気中にて約300℃で10分
間行われることが望ましく、この条件により銅板を処理
すれば、窒化アルミニウムに対する濡れ性に優れた酸化
銅層が銅板表面に形成される。
前記処理温度が300℃より低い場合、及び前記処理時
間が10分より短い場合には、銅板の酸化が十分でないた
め、接合のための酸素を供給することができない。一
方、前記処理温度を300℃より高く、及び前記処理時間
を10分より長くしたとしても、濡れに対する効果は顕著
でないばかりか、反って良電導性という銅本来の特性が
失われる。
間が10分より短い場合には、銅板の酸化が十分でないた
め、接合のための酸素を供給することができない。一
方、前記処理温度を300℃より高く、及び前記処理時間
を10分より長くしたとしても、濡れに対する効果は顕著
でないばかりか、反って良電導性という銅本来の特性が
失われる。
前記銅板として、或いは100〜2000ppmの酸素を含有す
るものであることが望ましい。前記条件を満たすものと
して、例えば酸素を含有するタフピッチ電解銅などが好
ましい。
るものであることが望ましい。前記条件を満たすものと
して、例えば酸素を含有するタフピッチ電解銅などが好
ましい。
この場合、酸素濃度が100ppm未満であると、強固な結
合にし得るだけの酸素が供給されない。また、2000ppm
を越える酸素を含有していても、結合強度に大差がない
ばかりでなく、良電導性である銅を使用する意義が失わ
れるため好ましくない。
合にし得るだけの酸素が供給されない。また、2000ppm
を越える酸素を含有していても、結合強度に大差がない
ばかりでなく、良電導性である銅を使用する意義が失わ
れるため好ましくない。
前記共晶温度以上、銅の融点未満の温度は1068℃〜10
75℃の範囲であることが望ましい。即ち、最も高い温度
下でも銅板の大部分を固体状態に制御することが必要と
される。
75℃の範囲であることが望ましい。即ち、最も高い温度
下でも銅板の大部分を固体状態に制御することが必要と
される。
1068℃未満の場合には、窒化アルミニウム基材と銅板
との接合部分における銅、酸化銅、酸化物及び窒化アル
ミニウムを含む共晶形成が十分でないため、両者の結合
は弱くなる。1075℃を越える場合、即ち、銅の融点に近
づき、銅板が溶融しはじめて界面に銅、酸化銅、酸化物
及び窒化アルミニウムを含む共晶が形成されない。
との接合部分における銅、酸化銅、酸化物及び窒化アル
ミニウムを含む共晶形成が十分でないため、両者の結合
は弱くなる。1075℃を越える場合、即ち、銅の融点に近
づき、銅板が溶融しはじめて界面に銅、酸化銅、酸化物
及び窒化アルミニウムを含む共晶が形成されない。
前記銅板の接合処理は、100ppm以下の酸素を含む不活
性ガス雰囲気で行われることが望ましく、不活性ガスと
しては、窒素、アルゴン、ヘリウム等を使用することが
好ましい。
性ガス雰囲気で行われることが望ましく、不活性ガスと
しては、窒素、アルゴン、ヘリウム等を使用することが
好ましい。
前記の接合処理が100ppmを越える酸素を含む不活性ガ
ス雰囲気中で行われる場合、銅板が過度に酸化されて膨
脹し、平滑な表面が形成されない。しかし、この条件に
従えば、接合処理後にも銅板全体が酸化されることはな
く、接合部分のみに酸化銅を形成でき、銅板表面の平滑
性が保持される。
ス雰囲気中で行われる場合、銅板が過度に酸化されて膨
脹し、平滑な表面が形成されない。しかし、この条件に
従えば、接合処理後にも銅板全体が酸化されることはな
く、接合部分のみに酸化銅を形成でき、銅板表面の平滑
性が保持される。
一方、前記の接合処理が反応性雰囲気中で行われた場
合、銅板表面に形成される酸化被膜を除去する工程が更
に必要になるため好ましくない。
合、銅板表面に形成される酸化被膜を除去する工程が更
に必要になるため好ましくない。
前記窒化アルミニウム基材は酸化物の薄膜の形成に先
立って、予め表面に煮沸処理や酸素プラズマ処理及び紫
外線オゾン処理等が施されていることが望ましい。これ
により、前記窒化アルミニウム基材の表層に付着した不
純物が除去され、前記薄膜がより確実に形成される。
立って、予め表面に煮沸処理や酸素プラズマ処理及び紫
外線オゾン処理等が施されていることが望ましい。これ
により、前記窒化アルミニウム基材の表層に付着した不
純物が除去され、前記薄膜がより確実に形成される。
［実施例１］ 次に、本発明を電子回路基板に具体化した実施例につ
いて、図面に基づいて説明する。
いて、図面に基づいて説明する。
まず、第１図（ａ）に示すように、プラズマ溶射によ
り窒化アルミニウム基材１の表面にAl2O3薄膜２を約１
μｍ程度形成する。
り窒化アルミニウム基材１の表面にAl2O3薄膜２を約１
μｍ程度形成する。
この場合、Al2O3薄膜２の形成に先立って予め窒化ア
ルミニウム基材１表面を煮沸洗浄しておく。次に、空気
中にて約300℃で10分間の条件で銅板３に酸化処理を行
い、一表面に酸化銅層４を形成する。続いて、窒化アル
ミニウム基材１上のAl2O3薄膜２と、銅板３の酸化銅層
４側とを接触させ、窒素ガス雰囲気中で1072℃に加熱す
る（第１図（ｂ））。
ルミニウム基材１表面を煮沸洗浄しておく。次に、空気
中にて約300℃で10分間の条件で銅板３に酸化処理を行
い、一表面に酸化銅層４を形成する。続いて、窒化アル
ミニウム基材１上のAl2O3薄膜２と、銅板３の酸化銅層
４側とを接触させ、窒素ガス雰囲気中で1072℃に加熱す
る（第１図（ｂ））。
これらの一連の処理の後、ほぼ室温まで冷却して接合
状態を調査した。
状態を調査した。
その結果、第１図（ｃ）に示すように、窒化アルミニ
ウム基材１と接合された銅板３との間には共晶層５が形
成され、この共晶層５が介在することで、両者が強固に
接合されていることが判明した。また、本実施例の窒化
アルミニウム基板の結合強度は10kgf/mm2、熱伝導係数
は180w/mkと大変優れたものであった。
ウム基材１と接合された銅板３との間には共晶層５が形
成され、この共晶層５が介在することで、両者が強固に
接合されていることが判明した。また、本実施例の窒化
アルミニウム基板の結合強度は10kgf/mm2、熱伝導係数
は180w/mkと大変優れたものであった。
［実施例２］ 次に、本発明を電子回路基板に具体化した別の実施例
について説明する。
について説明する。
本実施例では、プラズマ溶射により窒化アルミニウム
基材１の表面にAl2O3薄膜２を形成する工程については
実施例１と同様である。
基材１の表面にAl2O3薄膜２を形成する工程については
実施例１と同様である。
本実施例２では、第２図に示すように、タフピッチ電
解銅板６を窒化アルミニウム基材１上のAl2O3薄膜２に
接触させ、窒素ガス雰囲気中で1072℃に加熱する。これ
らの一連の処理の後、ほぼ室温まで冷却して接合状態を
調査した。
解銅板６を窒化アルミニウム基材１上のAl2O3薄膜２に
接触させ、窒素ガス雰囲気中で1072℃に加熱する。これ
らの一連の処理の後、ほぼ室温まで冷却して接合状態を
調査した。
その結果、窒化アルミニウム基材１とタフピッチ電解
銅板６との間には、実施例１と同様に共晶層が形成さ
れ、この共晶層の介在により、両者が強固に接合されて
いることが判明した。また、本実施例の窒化アルミニウ
ム基板の結合強度は10kgf/mm2、熱伝導係数は180w/mkと
大変優れたものであった。
銅板６との間には、実施例１と同様に共晶層が形成さ
れ、この共晶層の介在により、両者が強固に接合されて
いることが判明した。また、本実施例の窒化アルミニウ
ム基板の結合強度は10kgf/mm2、熱伝導係数は180w/mkと
大変優れたものであった。
尚、本発明は前記実施例に限定されるものでなく、発
明の趣旨を逸脱しない範囲内で以下のような態様にする
ことも可能である。
明の趣旨を逸脱しない範囲内で以下のような態様にする
ことも可能である。
（ａ）前記実施例１にて行った、空気中での加熱による
銅板３の酸化処理に代え、酸素以外の酸化性化合物を使
用し化学的に酸化銅層４を形成させてもよい。
銅板３の酸化処理に代え、酸素以外の酸化性化合物を使
用し化学的に酸化銅層４を形成させてもよい。
（ｂ）前記実施例１では、窒化アルミニウム基材１との
接触面のみ酸化処理を施しているが、もし両面を酸化す
るほうがより簡便であれば、その方法にて酸化処理を行
っても差し支えない。
接触面のみ酸化処理を施しているが、もし両面を酸化す
るほうがより簡便であれば、その方法にて酸化処理を行
っても差し支えない。
（ｃ）前記実施例１及び２では、酸化物の薄膜としてAl
2O3を用いているが、他に例えば、バリウム、ストロン
チウム、イットリウム、カルシウム、ケイ素等の酸化物
を使用してもよい。また、これらの酸化物を２種以上併
用してもよい。
2O3を用いているが、他に例えば、バリウム、ストロン
チウム、イットリウム、カルシウム、ケイ素等の酸化物
を使用してもよい。また、これらの酸化物を２種以上併
用してもよい。
（ｄ）前記実施例１及び２では、窒化アルミニウム基材
１の表面にAl2O3薄膜２を形成しているが、可能であれ
ば銅板３側、或いはタフピッチ電解銅板６側に形成して
もよい。
１の表面にAl2O3薄膜２を形成しているが、可能であれ
ば銅板３側、或いはタフピッチ電解銅板６側に形成して
もよい。
［発明の効果］ 以上詳述したように、本発明における窒化アルミニウ
ム基板の製造方法によれば、窒化アルミニウム基材が有
する高熱伝導性等を損なうことなく銅に対する濡れ性を
改善することにより、銅板を簡単かつ確実に結合させる
ことができると共に、両者間に十分な結合強度を確保す
ることが可能な窒化アルミニウム基板の製造方法を提供
することができる。
ム基板の製造方法によれば、窒化アルミニウム基材が有
する高熱伝導性等を損なうことなく銅に対する濡れ性を
改善することにより、銅板を簡単かつ確実に結合させる
ことができると共に、両者間に十分な結合強度を確保す
ることが可能な窒化アルミニウム基板の製造方法を提供
することができる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は実施例１における窒化アルミニ
ウム基板の製造工程を示す概略図、第２図は実施例２に
おける窒化アルミニウム基板の一製造工程を示す概略図
である。 １……窒化アルミニウム基材、２……Al2O3薄膜、３…
…銅板、４……酸化銅層、６……タフピッチ電解銅板。
ウム基板の製造工程を示す概略図、第２図は実施例２に
おける窒化アルミニウム基板の一製造工程を示す概略図
である。 １……窒化アルミニウム基材、２……Al2O3薄膜、３…
…銅板、４……酸化銅層、６……タフピッチ電解銅板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｃ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 37/02 C04B 41/90
Claims (4)
- 【請求項１】窒化アルミニウム基材の表面にAl2O3、Y2O
3及びSiO2から選ばれた一つの酸化物の薄膜をプラズマ
溶射により形成する工程と、 酸化物の薄膜に銅板を重ね合わせる工程と、 銅と酸化銅の共晶温度以上、銅の融点未満の温度まで加
熱することにより、前記薄膜を介して窒化アルミニウム
基材に銅板を接合する工程と からなる窒化アルミニウム基板の製造方法。 - 【請求項２】前記銅板は予め酸化処理が施されたもの、
或いは100〜2000ppmの酸素を含有するものである請求項
１に記載の窒化アルミニウム基板の製造方法。 - 【請求項３】前記共晶温度以上、銅の融点未満の温度は
1068℃〜1075℃の範囲である請求項１に記載の窒化アル
ミニウム基板の製造方法。 - 【請求項４】前記銅板の接合処理は、100ppm以下の酸素
を含む不活性ガス雰囲気で行われる請求項１に記載の窒
化アミニウム基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33778990A JP3157520B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33778990A JP3157520B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000022159A Division JP2000226270A (ja) | 2000-01-01 | 2000-01-31 | 窒化アルミニウム基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04209767A JPH04209767A (ja) | 1992-07-31 |
| JP3157520B2 true JP3157520B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=18311984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33778990A Expired - Lifetime JP3157520B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 窒化アルミニウム基板の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3157520B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4492257B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2010-06-30 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
| JP2012000947A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セラミック系絶縁層と金属層との積層体及び当該積層体の製造方法 |
| DE102012101057A1 (de) * | 2011-12-27 | 2013-06-27 | Curamik Electronics Gmbh | Verfahren zur Herstellung von DCB-Substraten |
| CN110937913B (zh) * | 2018-09-25 | 2021-11-12 | 比亚迪股份有限公司 | 一种氮化铝陶瓷覆铜基板及其制备方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33778990A patent/JP3157520B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04209767A (ja) | 1992-07-31 |
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