JPH07502344A - 小容積サンプルセルのための無反射の偏光解析システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 小容積サンプルセルのための無反射の偏光解析測定装置およ本発明は小さいセル 内に収められているサンプルの偏光解析に関し、特に、窓の表面からの反射があ るにもかかわらず正確に偏光解析のｎｊ定ができるような、セルの窓構造に関す る。

従来技術の説明 偏光解析法は、フィルムの厚さ、屈折率、表面酸化、表面反応動力学、触媒作用 、電気化学、腐食、パッシベーション、そして陽極酸化等の、表面や表面フィル ムの特性を特徴づける非破壊性の光学技術として確立されたものである。例えば 、１９７５年９月発行のＩｎｄｕｓｔｒｉａｌ　Ｒｅ５ｅａｒｃｈ記載の５ｐａ ｎｉｅｒによるＥｌｌｉｐｓｏｍｓｌｔｙ−Ａ　Ｃｅｎｊｕｒｙ　Ｏｌｄ　Ｎｅ ｗ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ″の７３乃至７６ページに説明されている。この技術に は偏光解析法で偏光された先ビームを分析されるサンプルの表面上に向け、表面 から反射されたビームの偏光状態における変化を決定するためにそのビームを検 出することが含まれ、そのような変化はサンプルの表面の特性に対応する。反射 における光波の垂直成分に対する平行成分の振幅比における変化を表わすｔａｎ Ｖと、反射における光波の平行成分と垂直成分の間の位相差における変化を表わ すΔによって測定することができる。

ｔｖとΔは、表面の光窓数と、使用された光の波長と、入射の角度と、周囲媒体 の光窓数と、表面を覆うフィルムの厚さと光窓数の関数である。ＷとΔは両方と も度で表わされ、これら２つの量のそれぞれ異なった組合せは表面の状態の特有 な組合せと一致する。

従来の偏光解析性測定システムは図１に簡単化された形式で示されている。レー ザ２は偏光子６によって線形に偏光されたビーム４を発生させ、図中では線形の 偏光は偏光ベクトル８で示されている。ビームは垂線に対して基準的に約７０″ に方向が定められ、偏光楕円１２によって示されているように、ビームを楕円偏 光に変換するコンペンセータｌＯを通過する。

楕円偏光されたビームは、この図において水平であると仮定され、表面フィルム １６を有しているサンプル１４の表面で反射され、アパーチャ１８を通ってアナ ライザ２０に伝送される。

アナライザは反射された線形偏光された光の偏光平面を決める高品質の水晶の偏 光子である。反射の過程はフィルムの厚さとフィルムとサンプルの光学的特徴と にしたがってビームの偏光を変化させる。測定するために、偏光子６は、線形偏 光ベクトル２２によって示されているように、偏光子とコンベンセータとサンプ ルとフィルムの結合した効果によってアナライザに進入したビームが線形に偏光 されるように調整される。フィルタ２４はアナライザ２０を通して伝送されたビ ームから不所望な背景光を取り除き、その結果、測定は通常の室内状態で行われ 、フィルタ処理されたビームは光検出器２６によって探知される。光検出器２６ はビームの強度に対応する電気信号を吸光メータ２８に伝送する。

試料から反射されたビームが完全に線形に偏光されるには、偏光子をある一定の 状態に配置しなければならない。そのような配置においては、はとんど光が光検 出器に届かず、吸光メータ２８が最低測定値を示す位置へアナライザ２０を回転 させることができる。測定はそのような２つの配置において行われ、そこから、 グラフや表や計算器を使用してフィルムの厚さと屈折率とその他の特徴が測定さ れる。

ある応用例においては、偏光解析法による測定は制御された環境で行われるのが 望ましい。そのような事例では、分析器具が設置されている環境にさらされずに サンプルを分析することを可能にする幾つかの技術が使用されてきた。そのよう な３つの配置が図２．３．４に示されている。図２において、分析される試料３ ０は密封されたチャンバ３２内に設置されている。チャンバ内へのビーム入口ポ ート３４とビーム出口ポート３６はチャンバ内の密閉された環境を損なわずに分 析ビームをチャンバ内に送″す、チャンバ外に反射するような透明な入口窓３８ と出口窓４０をそれぞれ有する。入口窓３８を通って試料３０上に向けられた楕 円偏光された進入ビーム４２を生じさせ、また、試料３０で反射される退出ビー ム４４を分析するために、図１に示されているものに類似した装置が使用される 。ビーム４２と４４はほぼ直角の角度でそれぞれの窓３８と４０の表面に入射さ れる。

図３において、密封されたチャンバ４６は１つの入口／出口ポート４８だけ有し ており、透明な窓５０はポートを密封している。楕円偏光された進入ビーム５２ は窓５０を通って伝送され、チャンバ内の試料３０で反射される。反射されたビ ームは反射鏡５４によって再び試料上に導かれるが、角度が変わっているため試 料の別の部分で反射され、チャンバから退出ビーム５６として退出する。進入ビ ーム５２と退出ビーム５６は空間的にも角度的にも互いからずれており、退出ビ ームの分析は試料での二重の反射を考慮して変更される。

図４において、別のチャンバ５８はそれぞれ窓のない入口ポート６０と出口ポー ト６２を有している。この配列は、図２の透明な窓３８と４０が省略され、チャ ンバ５８にガス注入ポート６４が設けられている点を除いて、図２のものと同種 のものである。

窒素等の不活性ガス（矢印６６で示されている）はガス注入ポート６４を通って 圧力がかけられているチャンバ中へ注入され、ビームポート６０と６２の両方か ら流れ出る。この不活性ガスの外部への流動によって偏光解析法による分析が行 われ、一方、外部環境からチャンバの内部と試料３０が事実上密封される。

偏光解析法による測定に関するより最近の応用は小さい容積のセル内に含まれて いるサンプルの表面状態を監視することに関するものである。この応用の目的は 、マイクロ電子回路の製造において使用される湿式化学試薬の容積を最小限度に 抑えることである。これは図５において示され、また、マイクロ電子回路の製造 に先立つ半導体ウェーハ７０上における化学処理過程のために、半導体ウェーッ ＼７０もしくはウェーッ１の一部分を収容する小さい容積のセル６８の提供が含 まれている。そのような処理には通常、清掃、エツチング、その他の湿式化学試 薬の処理過程が含まれている。

図５の特別に設計されたセル６８は化学処理の過程で必要とされる湿式化学試薬 の容積を実質的に減少させ、また、このことは、本発明の共同発明者であるＧｅ ｒａｌｄ　Ａ、Ｇａｔｗｏｏｄ、Ｊｒ、。

による１９９２年６月１９日に出願された出願番号８９９．７９２の出願中の特 許の主題である。この出願はＳｘｎ＋ｉ　Ｂｘｒｂａｒｘ　Ｒ１５ｃａｒｃｈＣ ｕ＋ｊｕ、すなわち本発明の出願人に譲渡されている。半導体ウェーハ７０は、 セルの基体７２によって直接支持されているが、ウェーハ７０の両表面に湿式化 学試薬処理を施すのが望ましい場合には、代りに基体から隔離されて支持される こともできる。セル６８は平らな透明な蓋７４で覆われており、透明な蓋７４は ガラスであるのが望ましいが、基板の処理において使用される化学物質と反応し ない透明なプラスティックから形成されることもできる。蓋７４は、その端の周 囲のボルト７６によって基体７２に固定されており、０型リング７８はセルの内 部を密封するために蓋と基体の間にはさまれている。ウェーハを処理するために 使用される湿式化学物質は、セルの外部から基体を通ってＯ型すング７８の内部 位置へ延在する人力ポート８０と排出ポート８２によってセルを通って循環する 。蓋７４とつニーハフ０の間の隙間は非常に狭（なっており、ウェーハ７０とＯ 型すング７８の間の周辺の間隔も同様であり、それによって、ウェーハを処理す るのに必要な湿式化学物質の容積が大幅に減少する。

化学処理されるセル６８は、処理の様々な段階におけるウェーハの表面を監視す るために、少なくとも理論上では偏光解析法による測定を適用することができる 。主に、この分析は、楕円偏光されたビーム８４を蓋７４を通してウェーハ７０ の上部表面上に向け、そのビームがウェーハで反射され蓋を通って分析のために 進行するようにすることによって成される。実際の偏光解析法による測定器具は 図５には示されていないが、それは図１に示されているものと類似している。ビ ーム８４は蓋７４を通って入る際と、出る際に屈折されるが、これらの光の角度 の変化は相殺され、退出ビームは垂線に対して進入ビームと同じ角度で蓋から出 る（蓋の表面とウェーハは平行であると仮定する）。これは、標準的な偏光解析 法の設定においてセル６８を使用する際に重要で、この設定においてはビームの 進入角度と退出角度は概して固定されている。

前述の小さい容積のセルで偏光解析法で測定する際に起こる問題が図６に示され ており、楕円偏光されたビーム８４は平らな透明な蓋７４の上部表面上に入射す る。この進入ビームは蓋の上部（外部）と下部（内部）表面における部分的な反 射のために、セルから出る平行な光線を生じさせる。主要な反射は、蓋の上部表 面からの進入ビームの最初の反射（光線８６）と、蓋の上部表面と空気との境界 において下方に屈折した後に蓋の下部表面から進入する進入ビームの反射（光線 ８８）と、蓋の下部表面と空気との境界における反射の後に蓋の上部表面と下部 表面から出る退出ビームの二重の反射（光線９０）である。ウェーハ７０からの 反射の後に出る退出ビームは光線９２によって示されている。多重反射により蓋 から出る付加的な平行な光線も存在するが、強度は弱いものである。使用する化 学薬品の容積を小さくするための蓋７４とウェーハ７０の間の狭い垂直な間隔の ために、主要な光線８６．８８．９０と退出ビーム９２とは一緒に集められ、そ のうちの２つもしくはそれ以上のビームがアナライザのアパーチャに入ることが できる。しかしながら、ウェーハ７０の特徴を表わすのに望ましい情報を運ぶの はビーム９２だけである。他の光線はセル内でサンプルを正確に測定するのを妨 害する矛盾する不所望な情報を運ぶ。

蓋の上部表面と下部表面は望ましくない反射を減少もしくは排除するために反射 防止の塗料で被覆することができる。

しかしながら、反射防止被覆は蓋を通りぬける光の偏光状態にさらに変化を生じ 、蓋の底部表面の被覆は、ウェーハを処理するためにセルを通って流れるすべて の化学薬品にさらされてしまう。従って、反射防止被覆を追加することは実行可 能な解決方法ではない。代わりの解決方法は、ウェーハとセルの蓋の間の距離を 実質的に増加させることによって、反射された光線と主要な光線９２の間の間隔 を増加させ、反射された光線をアナライザのアパーチャから遠ざけるようにする ことである。しかしながら、これによってセルの容積が増加し、そのために小さ いセルを有する目的が無効になってしまう。

発明の概要 本発明は、偏光解析の過程において、反射された光線を主要なビームから効果的 に区別する偏光解析のサンプルセルを提供し、さらに、セルの蓋とセル内に収容 されたサンプルの間に狭い間隔を有する小さい容積のセルを提供するものである 。

これらの目的は、主要なビームとその反射を異なった角度で導くように構成され た偏光解析ビームのための入口窓と出口窓をセルハウジングが含むことによって 達成され、その結果、反射でないビームが偏光解析アナライザに入る。窓は、平 らな内部表面と、平らな入口窓と出口窓を形成するためにリッジから両側に傾斜 している外部表面とを有する一体の蓋か設けられるのが好ましい。２つの窓の外 部表面は平らで、また、実質的に蓋の内部表面と等しい約１°乃至５°の角度を 有し、リッジの両側に対称的に配置されていることが好ましい。人口窓の内部表 面でのビームの反射が同じ人口窓の外部表面を通ってハウジングから出るように 、ハウジングはビームに関して位置される。

新しい蓋のデザインによって小さい容積のセルの偏光解析は容易になり、それに よって清掃およびウェーハの化学処理の効果を監視する目的に適し、操作者に依 存しない信頼できる手段が提供される。

本発明のより詳細な特徴と利点は以下の説明と添付された図面から当業者に明ら かなものである。

図面の簡単な説明 図１は上記の従来技術による偏光解析法システムの模式図を示す。

図２乃至４はビーム窓の異なる型式を用いている上記の従来技術による偏光解析 法システムの試料ハウジングの簡単化された正面図を示す。

図５は半導体ウェーハの清掃と処理に使用される上記の小さい容積のセルの断面 図を示す。

図６は偏光解析中の図５のセルによって生じる反射の問題を図解している部分断 面図を示す。

図７は本発明による新しい偏光解析法システムのセルの蓋の簡単化された部分断 面図を示しているが、これは正確な縮尺率で描かれていない。

図８は本発明によって提供された新しいセルの蓋の部分断面図を示し、図７より も正確な縮尺率で描かれている。

図９は新しい蓋からの光ビームの退出角度を蓋の上部表面の角度と屈折率の関数 として示しているグラフであり、このグラフから本発明によって得られた測定用 の較正補正が行わ本発明によって、主要な偏光解析ビームを蓋の外部および内部 表面における反射から分離するために、入口と出口の窓が異なった角度で形成さ れている新しい蓋を有する偏光解析セルが提供される。蓋の好ましい形式の実施 例は図７において、蓋９４と、半導体ウェーハ９６等の、下方に位置する偏光解 析サンプルと、偏光解析アナライザ２０と、それに関連するアパーチャ１８のみ が示されている。蓋９４は図５に示されているようなセルで用いられることがで き、事実上、図５に示されている平らな蓋７４に置換されることができ、同じ方 法でセルに取り付けられている。蓋９４の上部表面（外部表面）は、入口窓９８ と出口窓１００に分けられ、２つの窓は中央リッジ１０２で出会い、そこから８ 窓は蓋の反対側へ向かって傾斜している。入口窓と出口窓は平らであるのが好ま しいが、入口窓と出口窓は、本発明によって得られる主要な偏光解析ビームと反 射された偏光解析ビームの間の光の分離を達成するために、より複雑な幾何学的 構造に設計されることもできる。

入口窓９８と出口窓１００は水平線に対して同一の角度θ、約１°乃至５°の範 囲内で作られるのが好ましい。角度が大きいと主要な偏光解析ビームと反射され た偏光解析ビームの間に分散が生じるが、結果として偏光解析法による測定を大 きく歪ませる。角度が小さいと分散は小さくなるが偏光解析法による測定に対す る影響も少なくなってしまう。上記の通り、偏光解析法による測定における歪み はビームの屈折によるものであり、最終的な測定において較正されることができ る。

蓋の内部（底部）表面１０４は平らで、また、セルの基体７２の内部（最上部） 支持表面に平行であることが好ましい。これは小さい内部セルの容積を考慮した ものであるが、出口窓から放射された偏光解析ビームが垂線に対して進入ビーム と同じ角度を有する原因にもなり、これは標準的な偏光解析器へセルを適応する のに重要である。従来の研削技術や研磨技術が、蓋を望ましい幾何学的な形状に するために適用され、蓋は従来技術による蓋と同じ透明な材料から形成される。

入口窓の外部表面上に向けられた進入偏光解析ビーム１０６について考えてみる と、ビームは入口窓の外部表面と内部表面において屈折され、サンプル９６で蓋 に向けて反射され、その後出口窓の内部表面と外部表面において屈折され、退出 ビーム１０８として放射され、アパーチャ１８を通ってアナライザ２０へ進む。

入口窓と出口窓が対称であるために、退出ビーム１０８は垂線に対して進入ビー ム１０６と同じ角度で放射される。

蓋の外部表面と内部表面からのビームの部分的な反射も図６に示しであるものと 同様に生じる。とりわけ、第１の光線１１０は入口窓の外部表面から反射され、 第２の光線１１２は入口窓の内部表面から反射され、第３の光線１１４は出口窓 の外部表面と内部表面から反射される。しかしながら、反射された光線１１０と １１２と１１４は主要な退出ビーム１０８にもはや平行ではない。角度のある蓋 の外部表面によって光線１１０と１１２と１１４は退出ビーム１０８とは異なっ た角度で導かれる。システムの寸法を適切に選択すれば、アナライザのアパーチ ャ１８を通り抜けないように、反射された光線は退出ビームから十分に分離され る。

特定の例として、進入ビーム１０６と退出ビーム１０８は両方とも垂線に対して ７０°であり（垂直軸は図中にＶで示しである）、蓋の材料の屈折率は１．５５ であり（ガラスの屈折率に一致する）、また、入口窓と出口窓の外部表面のピッ チ角は水平線に対して１°であると仮定する。このような仮定の下では、光線１ １０は垂直線に対して６８．０’の角度で、光線１１２は７６．４７５°、光線 １１４は６３．８５１’の角度で放射される。

従って、主要な退出ビーム１０８は望ましい７０°の角度で放射され、一方、反 射された光線は退出ビーム１０８から分離される。サンプル位置からアナライザ のアパーチャ１８へ基準的な９０ｍｍの間隔を置くと、退出ビーム１０８と任意 の反射された光線の間の最小角度差（７０，０−６８，０＝　２．０°）によっ て、主要ビームと反射された光線の間の変位がアパーチャ位置において３．１ｍ ｍという最小のものになる。これは典型的なアパーチャの直径１．８ｍｍより大 きく、また、典型的なビームの直径１ｍｍよりも大きい。反射に妨害されること なく、望ましく小さい容積のセル内に含まれているサンプル上で偏光解析法によ る測定が可能となる。

入口窓の内部表面から反射された光線１１２がリッジ１０２の入口窓側の蓋から 放射され、主要な退出ビーム１０８がリッジ１０２の出口窓側から放射されるた めに、セルに関して進入ビーム１０６を非常に慎重に整列する必要がある。もし 、光線１０６と１０８が同じ窓を通って放射されたら、それらは平行になる。図 ８は、図７の修正図で、それは小さいセルの適用を考慮した寸法とより正確に示 し、ビームを正確に整列する必要を示している。蓋９４と半導体ウニ”９６との 間の間隔が狭いため、反射された光線１１２は主要な退出ビーム１０８に近接し ている。人口窓と出口窓とを分離しているリッジ１０２は、光線１１２を退出ビ ーム１０８から分離するためにはっきりと輪郭が示され、また、過度に丸くない のが望ましい。ビームの直径が１ｍ１ｌＩｌでθ＝１’とすると、光線１１２と 退出ビーム１０８が確実にリッジの反対側にくるようにするには、蓋の内部表面 と基板上部表面の間の最小の間隙の大きさは０．３１ｍｍであり、θ＝２°であ るとすると、最小の間隙の大きさは０．２５ｍｍである。

蓋の外部表面の角度は、主要なビーム１０６がサンプルの表面に入射する角度を 変化させ、これによってビームの偏光に対するサンプルの効果を変化させる。大 きい角度θは、蓋に関するビームの位置決めにおいて要求される正確度を減少さ せるが、ビームがサンプルに入射する角度の変移が増加し、従っ°Ｃ１偏光解析 法による測定において大きな変化が生じる。

この効果は図９に示されており、進入ビームがサンプルに入射する（垂線に対す る）角度が、屈折率ｎの異なった値についてθに対して曲線で示されている。偏 光解析値におけるこの変化は、セルの内側と外側両方の既知のサンプルを測定す ることによって補償されることができ、２つの測定の間で較正チャートを作るこ とができる。後にセル内の未知のサンプルを測定する際、較正チャートは、角度 のある蓋によって誘発されたビーム角度の変化に対する影響を排除することによ って測定された結果を調整するのに使用することができる。

同種の方法で、ビームがサンプルに入射する角度におけるいかなる変化にも関係 なく、蓋を通してビームを送ることによって偏光解析パラメター値に適度な変化 が起こる。内部表面と外部表面が平行で厚さが大きい蓋を使用し、放射された光 線を分けるために蓋とサンプルの間に広い間隔を与えて既知のサンプルを測定す ることによって、再び較正チャートを作成することができる。

蓋の厚さは一般的に約４ｍｍ程度である。理論的には、より薄くすることができ るが、これによって蓋を縁部でベースにねじで取り付けるために必要な強度と剛 性が損なわれてしまう。厚い蓋は大きいセルに使用され、典型的に４乃至８　ｃ ｍの幅を有する。

本発明に関する特定の実施例が示されているが、多数の変更や代りの実施例が当 業者によって行われ得る。例えば、入口窓と出口窓を分離するために、蓋の外部 表面が鋭いリッジの形よりも丸いドーム形である場合、偏光解析ビームに関して 蓋の整列の正確度は増加するが、結果的に退出ビームは進入ビームとは異なった 角度を有することになる。従って、本発明では添付された請求の範囲によっての み限定される。

ＦＩＧ、　６゜ θ０ 手続補正書 平成　６年　９月２日

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. １．偏光解析法で分析されるサンプルを保持する手段と、楕円偏光されたビーム を前記サンプル上に導く手段と、サンプルから反射されたビームを分析する手段 とを有する偏光解析システムにおいて、前記サンプル保持手段は、前記サンプル を収容するハウジングと、実質的に前記ビームを通過させ、部分的に前記ビーム を反射する前記ハウジング用の入口窓と出口窓とを具備し、前記窓は、窓の反射 ではないビームが前記分析手段に入るように、前記ビームと窓の反射を異なった 角度に向けるように構成されている前記サンプル偏光解析法システム。
2. ２．前記人口窓と出口窓は前記ハウジング用の１個の蓋の各部分を具備し、前記 窓の各部分は前記ビームに対してそれぞれ異なった角度で設けられている請求項 １記載の偏光解析システム。
3. ３．前記蓋の内部表面は実質的に平らであり、外部表面はリッジの両側で傾斜し ており、前記リッジの反対側は入口窓と出口窓をそれぞれ具備している請求項２ 記載の偏光解析システム。
4. ４．前記蓋の内部表面は、前記楕円偏光されたビームを前記サンプル上に導く手 段の軸とビームを分析する手段の軸に実質的に等しい角度で配置され、前記リッ ジの両側の外部表面は実質的に平坦である請求項３記載の偏光解析システム。
5. ５．前記入口窓と出口窓の外部表面は蓋の内部表面に対して実質的に等しい角度 で配置されている請求項３記載の偏光解析システム。
6. ６．前記入口窓と出口窓は前記リッジの両側において実質的に対称である請求項 ５記載の偏光解析システム。
7. ７．前記入口窓と出口窓の外部表面は蓋の内部表面に対してほぼ１°乃至５°の 範囲内の角度でそれぞれ配置されている請求項３記載の偏光解析システム。
8. ８．前記入口窓の内部表面での前記ビームの反射が前記入口窓の外部液面を通っ てハウジングから出るように、前記ビームを前記サンプル上に導く手段に関して 前記ハウジングが位置されている請求項３記載の偏光解析システム。
9. ９．基体と、 前記基体に関してサンプルを支持する手段と、内部表面と外部表面を有する実質 上透明な蓋と、前記基体に密閉状態で前記蓋を保持する手段とを具備している偏 光解析法による分析のためのサンプルを保持するセルにおいて、 蓋を通って伝送され、セル内でサンプルから反射されて蓋を通って外へ出る偏光 解析法による分析ビームに応答して、蓋の上部表面と下部表面からのビームの主 要な反射が分析ビームとは異なった角度でセルから出るように前記蓋が構成され ている偏光解析法による分析のためのサンプルを保持するセル。
10. １０．蓋の外部表面が、基体に関してそれぞれ異なった角度を有している複数の 部分を具備している請求項９記載のサンプル・セル。
11. １１．蓋の外部表面が、リッジの両側で傾斜している実質的に平坦な一対の部分 を具備している請求項１０記載のサンプル・セル。
12. １２．蓋の内部表面が実質的に平坦である請求項１１記載のサンプル・セル。
13. １３．前記蓋の外部表面の部分が蓋の内部表面に対して実質的に等しい角度で配 置されている請求項１２記載のサンプル・セル。
14. １４．前記蓋の外部表面のセクションが蓋の内部表面に対してほぼ１°乃至５° の範囲以内の角度でそれぞれ配置されている請求項１２記載のサンプル・セル。
15. １５．楕円偏光されたビームを実質的に透明な入口窓を通してサンプル上に導き 、前記ビームを前記サンプルで反射させて実質的に透明な出口窓に通して出力さ せ、前記入口窓と出口窓からの前記ビームの表面反射を反射されたビームと区別 するために、前記反射されたビームと異なった角度で前記入口窓と出口窓からの 前記ビームの表面反射を導き、 前記表面反射ではなく前記反射されたビームを検出し、分析するために偏光解析 アナライザを設置することを含む、偏光解析法でサンプルを分析する方法。
16. １６．前記偏光解析法による分析に先立って前記サンプルを化学的に処理する段 階を含み、その後に前記偏光解析を行う請求項１５記載の方法。
17. １７．前記入口窓と出口窓は前記サンプルに面している平坦な共通の表面を有し 、入口窓と出口窓の各外部表面は異なる角度で前記サンプルから離れて面してい る請求項１５記載の方法。
18. １８．前記ビームがサンプルに入射する角度を変化するために、前記人口窓が前 記ビームを屈折し、さらに、前記変化された角度を補償するために前記偏光解析 法による分析を較正する段階を含んでいる請求項１７記載の方法。
19. １９．前記入口窓と出口窓を通って前記ビームが送られることによって生じる偏 光解析法による測定結果の変化を補償するために前記偏光解析法による分析を較 正する段階を含んでいる請求項１５記載の方法。