JPH09143678A - Film formation with vacuum vapor deposition apparatus and vacuum vapor deposition apparatus - Google Patents
Film formation with vacuum vapor deposition apparatus and vacuum vapor deposition apparatusInfo
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- JPH09143678A JPH09143678A JP31041695A JP31041695A JPH09143678A JP H09143678 A JPH09143678 A JP H09143678A JP 31041695 A JP31041695 A JP 31041695A JP 31041695 A JP31041695 A JP 31041695A JP H09143678 A JPH09143678 A JP H09143678A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、連続して走行する
基板に蒸発材料を蒸着して被膜を成形する真空蒸着装置
の成膜方法および真空蒸着装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming method of a vacuum evaporation apparatus and a vacuum evaporation apparatus for forming a coating film by evaporating an evaporation material on a substrate which continuously runs.
【０００２】[0002]
【従来の技術】真空蒸着（vacuum vapor deposition)
は、真空中で金属を加熱して蒸発させ、蒸発金属を基板
（被処理材）の表面に凝固させて被膜を作る成膜プロセ
スである。かかる成膜プロセスにおいて、蒸着用金属
（蒸発材料）を加熱するために電子ビームを用い、帯状
の連続して走行する基板に金属を蒸着させる連続真空蒸
着装置が従来から知られている。この連続真空蒸着装置
は、通常の湿式メッキでは扱えない窒化物、炭化物、酸
化物などの蒸着が可能であり、かつ付着速度が大きいな
どの長所を有している。2. Description of the Related Art Vacuum vapor deposition
Is a film forming process in which a metal is heated and evaporated in a vacuum, and the evaporated metal is solidified on the surface of a substrate (material to be processed) to form a film. In such a film forming process, a continuous vacuum vapor deposition apparatus has been conventionally known in which an electron beam is used to heat a metal for vapor deposition (evaporation material) and vapor deposits the metal on a strip-shaped substrate that continuously runs. This continuous vacuum vapor deposition apparatus has the advantages that it can vapor deposit nitrides, carbides, oxides, etc., which cannot be handled by ordinary wet plating, and has a high deposition rate.
【０００３】図６は従来の真空蒸着装置の全体構成図で
ある。図に示す真空蒸着装置は、入側と出側に設けられ
る真空シール装置、予備加熱室、成膜室などからなり、
大気圧でアンコイラーから巻き戻された鋼板などからな
るストリップ（基板１）を入側真空シール装置を通して
真空状態とし、予備加熱室で予備加熱した後、成膜室で
成膜し、成膜後に出側真空シール装置を通し真空状態を
解除して大気圧中に取り出し、リコイラーで巻き取るよ
うになっている。FIG. 6 is an overall configuration diagram of a conventional vacuum vapor deposition apparatus. The vacuum vapor deposition apparatus shown in the figure consists of a vacuum sealing device provided on the inlet and outlet sides, a preheating chamber, a film forming chamber, etc.
A strip (substrate 1) made of steel sheet or the like unwound from an uncoiler at atmospheric pressure is put into a vacuum state through an inlet-side vacuum seal device, preheated in a preheating chamber, then film-formed in the film-forming chamber, and then discharged after film-forming. The vacuum state is released through the side vacuum seal device, the vacuum state is taken out, and it is taken up by the recoiler.
【０００４】成膜室は、電子ビーム２を放射する電子銃
３と、蒸発材料２１を収容し、基板１の進行方向に並列
して設けられた複数（図では２つ）のルツボ２０と、そ
れらのルツボ２０を内蔵し真空排気された真空チャンバ
ー７とからなり、その蒸発材料２１の湯面に電子ビーム
２を照射して加熱、蒸発させて、真空チャンバー７内を
連続して走行する帯状の基板１に、蒸発材料２１を蒸着
して被膜（以下、蒸着膜という）を成形している。な
お、電子ビーム２は、図示しない偏向磁極装置により発
生する磁界により、偏向されて蒸発材料２１の湯面に照
射されている。The film forming chamber contains an electron gun 3 which emits an electron beam 2, a plurality of crucibles 20 (two in the figure) which are arranged in parallel in the traveling direction of the substrate 1 and contain an evaporation material 21. The crucible 20 is built in and a vacuum chamber 7 is evacuated, and the molten metal surface of the evaporation material 21 is irradiated with an electron beam 2 to heat and evaporate the evaporating material 21 to continuously run in the vacuum chamber 7. The evaporation material 21 is vapor-deposited on the substrate 1 to form a coating film (hereinafter referred to as vapor deposition film). The electron beam 2 is deflected by a magnetic field generated by a deflection magnetic pole device (not shown) and is applied to the molten metal surface of the evaporation material 21.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述した真空蒸着装置
以外にも基板に膜を成形する手段として、電気めっき、
浸漬めっきなどがあるが、これらの手段は、基板を溶融
液に浸して基板に膜を成形しているため、基板の幅方向
に２種類以上の性質の異なる膜を成形することができな
い。また、上述の真空蒸着装置においては、多層膜や合
金膜を成形するために、基板の進行方向に並列して複数
のルツボを設けているが、基板の幅方向に２種類以上の
性質の異なる膜を成形することはできない。このよう
に、基板に膜を成形するいずれの手段においても、基板
の幅方向に２種類以上の性質の異なる膜を成形するとい
う目的を有してらず、基板の幅方向で異なる性質を要求
される場合には対処することができなかった。Other than the above-mentioned vacuum vapor deposition apparatus, electroplating, as means for forming a film on a substrate,
Although there is dip plating or the like, these means form a film on the substrate by immersing the substrate in a molten liquid, so that it is impossible to form two or more types of films having different properties in the width direction of the substrate. Further, in the above-described vacuum vapor deposition apparatus, in order to form a multilayer film or an alloy film, a plurality of crucibles are provided in parallel in the traveling direction of the substrate, but two or more types of properties differ in the width direction of the substrate. The membrane cannot be molded. As described above, any means for forming a film on the substrate does not have the purpose of forming two or more types of films having different properties in the width direction of the substrate, and requires different properties in the width direction of the substrate. I could not deal with it.
【０００６】本発明は、上記課題を解決するために創案
されたものである。すなわち、基板の幅方向に性質の異
なる蒸着膜を成形することができる真空蒸着装置の成膜
方法および真空蒸着装置を提供することを目的とする。The present invention was created to solve the above problems. That is, it is an object of the present invention to provide a film forming method of a vacuum evaporation apparatus and a vacuum evaporation apparatus capable of forming evaporation films having different properties in the width direction of a substrate.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、電子ビ
ームを放射する電子銃と、蒸発材料を収容する複数のル
ツボと、それらのルツボを内蔵し真空排気された真空チ
ャンバーとを備え、その蒸発材料の湯面に電子ビームを
照射して加熱、蒸発させて、真空チャンバー内を連続し
て走行する帯状の基板に、蒸発材料を蒸着して被膜を成
形する真空蒸着装置の成膜方法において、上記基板の幅
方向に異なる蒸発材料を蒸着させて、その基板の表面に
性質の異なる蒸着膜を成形する、ことを特徴とする真空
蒸着装置の成膜方法が提供される。According to the present invention, there are provided an electron gun for emitting an electron beam, a plurality of crucibles for containing an evaporation material, and a vacuum chamber containing the crucibles and being evacuated. A film forming method of a vacuum vapor deposition apparatus for forming a coating film by vaporizing the vaporization material on a strip-shaped substrate that continuously travels in a vacuum chamber by irradiating the surface of the vaporization material with an electron beam to heat and vaporize it. In the above, there is provided a film forming method for a vacuum evaporation apparatus, characterized in that different evaporation materials are vapor-deposited in the width direction of the substrate to form vapor-deposited films having different properties on the surface of the substrate.
【０００８】また、本発明によれば、電子ビームを放射
する電子銃と、蒸発材料を収容する複数のルツボと、そ
れらのルツボを内蔵し真空排気された真空チャンバーと
を備え、その蒸発材料の湯面に電子ビームを照射して加
熱、蒸発させて、真空チャンバー内を連続して走行する
帯状の基板に、蒸発材料を蒸着して被膜を成形する真空
蒸着装置において、上記基板の進行方向と平行となるよ
うに並置された複数のルツボと、それらのルツボ同志の
間に平行に設けられ蒸発材料の蒸気の広がりを規制する
規制板と、その規制板を上下方向および／または基板の
幅方向に移動させる規制板移動装置と、その規制板移動
装置を制御する制御装置と、を有し、上記ルツボに収容
されている蒸発材料を蒸発させて、上記基板の表面に性
質の異なる蒸着膜を成形する、ことを特徴とする真空蒸
着装置が提供される。Further, according to the present invention, an electron gun for emitting an electron beam, a plurality of crucibles for containing vaporized materials, and a vacuum chamber which contains these crucibles and is evacuated to vacuum are provided. In a vacuum vapor deposition device for irradiating an electron beam on a molten metal surface to heat and evaporate the vapor-deposited material to form a film on a belt-shaped substrate which continuously runs in a vacuum chamber, in a traveling direction of the substrate. A plurality of crucibles juxtaposed in parallel to each other, a regulation plate provided in parallel between the crucibles to regulate the spread of vapor of the evaporation material, and the regulation plate in the vertical direction and / or the width direction of the substrate. And a control device for controlling the regulating plate moving device. The evaporation material contained in the crucible is evaporated to form a vapor deposition film having different properties on the surface of the substrate. Molding, vacuum deposition apparatus is provided, characterized in that.
【０００９】上述の本発明の構成によれば、基板の幅方
向に異なる蒸発材料を蒸着させて、その基板の表面に性
質の異なる蒸着膜を成形することができ、さらに、その
蒸着膜の境界を調節することができる。According to the above-described structure of the present invention, different evaporation materials can be vapor-deposited in the width direction of the substrate to form vapor-deposited films having different properties on the surface of the substrate. Can be adjusted.
【００１０】さらに、本発明によれば、電子ビームを放
射する電子銃と、蒸発材料を収容する複数のルツボと、
それらのルツボを内蔵し真空排気された真空チャンバー
とを備え、その蒸発材料の湯面に電子ビームを照射して
加熱、蒸発させて、真空チャンバー内を連続して走行す
る帯状の基板に、蒸発材料を蒸着して被膜を成形する真
空蒸着装置において、上記基板の進行方向と平行となる
ように並置された複数のルツボと、それらのルツボのそ
れぞれを基板に接近または離反させるアクチュエータ
と、を有する、ことを特徴とする真空蒸着装置が提供さ
れる。Further, according to the present invention, an electron gun for emitting an electron beam, a plurality of crucibles for containing an evaporation material,
Equipped with a vacuum chamber that has these crucibles built in and is evacuated, the surface of the vaporized material is irradiated with an electron beam to heat and vaporize it, and vaporizes to a strip-shaped substrate that continuously runs in the vacuum chamber. In a vacuum vapor deposition apparatus for vapor depositing a material to form a coating film, a plurality of crucibles juxtaposed in parallel with the traveling direction of the substrate, and an actuator for moving each of the crucibles toward or away from the substrate. There is provided a vacuum evaporation apparatus characterized by the above.
【００１１】上述の本発明の構成によれば、基板の幅方
向に異なる蒸発材料を蒸着させて、その基板の表面に性
質の異なる蒸着膜を成形することができ、さらに、その
蒸着膜の膜厚を容易に変化させることができる。According to the above-described structure of the present invention, different evaporation materials can be vapor-deposited in the width direction of the substrate to form vapor-deposited films having different properties on the surface of the substrate. The thickness can be easily changed.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を図１から図５を参照して説明する。なお、各図にお
いて従来と共通する部分には同一の符号を付して使用す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In each drawing, the same parts as those in the conventional art are designated by the same reference numerals and used.
【００１３】本発明の真空蒸着装置の成膜方法および真
空蒸着装置は、図６に示した従来の真空蒸着装置とほぼ
同様の真空蒸着装置に適用されるものであり（説明は省
略する）、基板の幅方向に２種類以上の異なる蒸発材料
を蒸着させて、その基板の表面に２種類以上の性質の異
なる蒸着膜を成形しようとするものである。The film forming method of the vacuum vapor deposition apparatus and the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention are applied to a vacuum vapor deposition apparatus which is substantially the same as the conventional vacuum vapor deposition apparatus shown in FIG. In this method, two or more kinds of different evaporation materials are vapor-deposited in the width direction of the substrate to form two or more kinds of vapor-deposited films having different properties on the surface of the substrate.
【００１４】図１は、本発明の真空蒸着装置における成
膜室の斜視図である。なお、成膜室の内部を部分的に透
視して図示している。図に示す真空蒸着装置における成
膜室は、電子ビーム２を放射する電子銃３と、２種類の
異なる蒸発材料８，９をそれぞれ収容する２つのルツボ
５，６と、それらのルツボ５，６を内蔵し、図示しない
真空装置により排気されて蒸着に適した真空度（例えば
１０-3〜１０-5Ｔｏｒｒ程度）に保持される真空チャン
バー７と、その真空チャンバー７内に磁界を発生させる
磁界発生装置４と、を備えており、電子ビーム２を磁界
により偏向させて蒸発材料８，９の湯面に照射し、加
熱、蒸発させて、真空チャンバー７内を連続して走行す
る帯状の基板１に、その幅方向に２種類の異なる蒸発材
料８，９を蒸着させて、基板１の幅方向に２種類以上の
性質の異なる被膜（蒸着膜）を成形するものである。FIG. 1 is a perspective view of a film forming chamber in the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention. Note that the inside of the film forming chamber is partially transparently illustrated. The film forming chamber in the vacuum vapor deposition apparatus shown in the figure has an electron gun 3 that emits an electron beam 2, two crucibles 5 and 6 respectively containing two different evaporation materials 8 and 9, and the crucibles 5 and 6. And a vacuum chamber 7 which is evacuated by a vacuum device (not shown) and is maintained at a vacuum degree suitable for vapor deposition (for example, about 10 −3 to 10 −5 Torr), and a magnetic field for generating a magnetic field in the vacuum chamber 7. And a generator 4 for deflecting the electron beam 2 by a magnetic field to irradiate the molten metal surfaces of the evaporation materials 8 and 9 to heat and evaporate them, and to continuously run in the vacuum chamber 7. 1, two kinds of different evaporation materials 8 and 9 are vapor-deposited in the width direction to form two or more kinds of coating films (deposition films) having different properties in the width direction of the substrate 1.
【００１５】基板１としては通常の炭素鋼鋼板やステン
レス鋼板などが使用される。ルツボ５，６は、図示する
ように、基板１の進行方向と平行となるように並置され
ており、上述したようにそれぞれ異なる蒸着材料８，９
が収容されている。例えば、基板１の幅方向の一方の側
（ルツボ５側）に耐食性が要求され、他方の側（ルツボ
６側）に加工性が要求される場合には、ルツボ５の蒸着
材料８としては耐食性に優れたアルミマンガンを使用
し、ルツボ６の蒸着材料９としては加工性のよいアルミ
ニウムを使用する。なお、この蒸着材料８，９は、図示
しない供給装置によりルツボ５，６内に供給されるよう
になっている。電子銃３は基板１の進行方向の上流側と
下流側に各１台設けられ、それぞれルツボ５，６の両端
部に電子ビーム２を照射するようになっている。なお、
基板１の幅方向の両側に電子銃３を設けるようにしても
よい。磁界発生装置４は基板１の進行方向に２台並べて
設けられ、それぞれ対向する磁界電極４ａ，４ｂを有
し、その磁界電極４ａ，４ｂの間に磁界を発生させてそ
れぞれの電子ビーム２の方向を曲げて蒸発材料８，９の
湯面に向けるようになっている。As the substrate 1, an ordinary carbon steel plate, a stainless steel plate or the like is used. As shown in the drawing, the crucibles 5 and 6 are juxtaposed so as to be parallel to the traveling direction of the substrate 1, and as described above, the different vapor deposition materials 8 and 9 are used.
Is housed. For example, when corrosion resistance is required on one side (the crucible 5 side) in the width direction of the substrate 1 and workability is required on the other side (the crucible 6 side), the corrosion resistance as the vapor deposition material 8 of the crucible 5 is high. Aluminum manganese, which is excellent in heat resistance, is used, and aluminum having good workability is used as the vapor deposition material 9 of the crucible 6. The vapor deposition materials 8 and 9 are supplied into the crucibles 5 and 6 by a supply device (not shown). One electron gun 3 is provided on each of the upstream side and the downstream side in the traveling direction of the substrate 1, and the electron beam 2 is irradiated to both ends of the crucibles 5 and 6, respectively. In addition,
The electron guns 3 may be provided on both sides of the substrate 1 in the width direction. The two magnetic field generators 4 are arranged side by side in the traveling direction of the substrate 1, have magnetic field electrodes 4a and 4b facing each other, and generate a magnetic field between the magnetic field electrodes 4a and 4b so that the direction of each electron beam 2 is increased. Is bent to face the molten metal surface of the evaporation materials 8 and 9.
【００１６】図２は図１に示す成膜室の正面断面図であ
る。なお、成膜室の内部のみを示し、基板１とルツボ
５，６以外は省略してある。また、基板１の進行方向
は、紙面の表から裏に向かう方向であり、蒸発材料８，
９の蒸気の広がりは一点鎖線で示している。図に示すよ
うに、ルツボ５，６は基板１の進行方向と平行となるよ
うに並置されている。図の三角形斜線部では蒸発材料
８，９の蒸気が混合しており、その混合蒸気と接触する
基板１の部分には蒸発材料８，９の合金膜が成形され
る。したがって、ルツボ５，６同志を近づけて設置すれ
ば、この合金膜の幅は広くなり、ルツボ５，６同志を離
して設置すれば、この合金膜の幅は狭くなる。このよう
にして、性質の異なる膜（すなわち蒸発材料８による蒸
着膜、蒸発材料９による蒸着膜および蒸発材料８，９の
合金膜）を、基板１の幅方向に成形することができる。FIG. 2 is a front sectional view of the film forming chamber shown in FIG. Note that only the inside of the film forming chamber is shown, and the substrate 1 and the crucibles 5 and 6 are omitted. The traveling direction of the substrate 1 is from the front side to the back side of the paper surface, and the evaporation material 8,
The vapor spread of No. 9 is shown by a dashed line. As shown in the drawing, the crucibles 5 and 6 are juxtaposed so as to be parallel to the traveling direction of the substrate 1. The vapors of the evaporation materials 8 and 9 are mixed in the shaded area of the triangle in the figure, and an alloy film of the evaporation materials 8 and 9 is formed on the portion of the substrate 1 that is in contact with the mixed vapor. Therefore, if the crucibles 5 and 6 are installed close to each other, the width of the alloy film is widened, and if the crucibles 5 and 6 are installed apart from each other, the width of the alloy film is narrowed. In this way, films having different properties (that is, a vapor deposition film of the evaporation material 8, a vapor deposition film of the evaporation material 9 and an alloy film of the evaporation materials 8 and 9) can be formed in the width direction of the substrate 1.
【００１７】図３および図４は、図２に示す真空蒸着装
置に蒸発材料の蒸気の広がりを規制する規制板を設けた
図である。これらの図に示す真空蒸着装置は、基板１の
進行方向と平行となるように並置された２つのルツボ
５，６と、それらのルツボ５，６同志の間に平行に設け
られ蒸発材料８，９の蒸気の広がりを規制する規制板１
０と、その規制板１０を上下方向および／または基板１
の幅方向に移動させる規制板移動装置１４と、その規制
板移動装置１４を制御する制御装置と、を有するもので
ある。上記規制板１０は、矩形であり、ルツボ５，６と
ほぼ同じ長さを有し、高温雰囲気中で剛性を維持できる
材質である。上記規制板移動装置１４は、規制板１０を
上下方向に移動させる昇降アクチュエータ１１と、その
昇降アクチュエータ１１を支持する支持台１２と、規制
板１０を基板１の幅方向に移動させる水平アクチュエー
タ１３とからなり、昇降アクチュエータ１１の先端が規
制板１０の下端と連結され、水平アクチュエータ１３の
先端が支持台１２に連結されている。昇降アクチュエー
タ１１および水平アクチュエータ１３は、エアシリン
ダ、油圧シリンダ、モータ駆動のねじ機構などが用いら
れ、パソコンなどの制御装置によりそれぞれ単独に制御
することができるようになっている。また、その設置数
は各アクチュエータ１１，１３の出力や規制板１０の大
きさなどの諸条件により、１つの規制板１０に対して１
つでもよいし、複数でもよい。なお、この制御装置は真
空チャンバー外に設置されており、水平アクチュエータ
１３は図示しない支持台により真空チャンバー内に固定
されている。3 and 4 are diagrams in which the vacuum vapor deposition apparatus shown in FIG. 2 is provided with a regulating plate for regulating the spread of the vapor of the evaporation material. The vacuum vapor deposition apparatus shown in these figures has two crucibles 5 and 6 arranged in parallel so as to be parallel to the traveling direction of the substrate 1, and an evaporation material 8 provided in parallel between the crucibles 5 and 6. Regulation plate 1 for regulating the spread of steam of 9
0 and its regulating plate 10 in the vertical direction and / or the substrate 1
The restriction plate moving device 14 for moving the restriction plate moving device 14 in the width direction and the control device for controlling the restriction plate moving device 14. The regulation plate 10 has a rectangular shape, has substantially the same length as the crucibles 5 and 6, and is made of a material that can maintain rigidity in a high temperature atmosphere. The regulation plate moving device 14 includes a lift actuator 11 that moves the regulation plate 10 in the vertical direction, a support base 12 that supports the lift actuator 11, and a horizontal actuator 13 that moves the regulation plate 10 in the width direction of the substrate 1. The lifting actuator 11 has a tip connected to the lower end of the regulation plate 10, and the horizontal actuator 13 has a tip connected to the support 12. An air cylinder, a hydraulic cylinder, a motor-driven screw mechanism, and the like are used for the lift actuator 11 and the horizontal actuator 13, and they can be independently controlled by a control device such as a personal computer. Further, the number of installations is 1 for one regulation plate 10 depending on various conditions such as the outputs of the actuators 11 and 13 and the size of the regulation plate 10.
One or more may be used. The control device is installed outside the vacuum chamber, and the horizontal actuator 13 is fixed inside the vacuum chamber by a support (not shown).
【００１８】図３は昇降アクチュエータ１１のみを作動
させたときの図であり、図４は図３の状態から水平アク
チュエータ１３のみを作動させたときの図である。な
お、図２に示す蒸気の混合部（三角形斜線部）と同じ蒸
気の混合部を有するような規制板１０の位置を基準とす
る。FIG. 3 is a diagram when only the lifting actuator 11 is operated, and FIG. 4 is a diagram when only the horizontal actuator 13 is operated from the state of FIG. The position of the regulating plate 10 having the same vapor mixing portion as the vapor mixing portion (triangle hatched portion) shown in FIG. 2 is used as a reference.
【００１９】図３において、昇降アクチュエータ１１の
みを作動させて、規制板１０を基準位置から上昇させる
と、蒸発材料８，９の蒸気の広がりが規制され、図示す
るように、蒸気の混合部（三角形斜線部）が狭くなる。
つまり、蒸発材料８による蒸着膜、蒸発材料９による蒸
着膜および蒸発材料８，９の合金膜の境界を変化させる
ことができる。この場合には、蒸発材料８，９の合金膜
の幅を狭く、蒸発材料８，９による蒸着膜の幅を広く成
形することができる。また、規制板１０を基準位置から
下降させれば、蒸気の混合部（三角形斜線部）が広くな
り、蒸発材料８，９の合金膜の幅を広く、蒸発材料８，
９による蒸着膜の幅を狭く成形することができる。In FIG. 3, when only the elevating actuator 11 is operated to raise the regulating plate 10 from the reference position, the spread of the vapor of the vaporized materials 8 and 9 is regulated, and as shown in the figure, the vapor mixing portion ( Triangle hatched area) becomes narrower.
That is, the boundary between the vapor deposition film of the vaporization material 8, the vapor deposition film of the vaporization material 9 and the alloy film of the vaporization materials 8 and 9 can be changed. In this case, the width of the alloy film of the evaporation materials 8 and 9 can be narrowed, and the width of the vapor deposition film of the evaporation materials 8 and 9 can be widened. Further, when the regulating plate 10 is lowered from the reference position, the vapor mixing portion (triangular hatched portion) becomes wider, and the width of the alloy film of the evaporation materials 8 and 9 becomes wider.
The width of the vapor deposition film formed by 9 can be narrowed.
【００２０】図４において、図３に示す状態から、さら
に水平アクチュエータ１３を作動させて、支持台１２、
昇降アクチュエータ１１および規制板１０を、ルツボ５
寄り（左方向）に移動させると、蒸発材料８，９の蒸気
の広がりが規制され、蒸発材料８の蒸気の広がりは狭く
なり、蒸発材料９の蒸気の広がりは広くなる。したがっ
て、蒸発材料８，９の蒸気の混合部（三角形斜線部）
は、図示するように、ルツボ５寄り（左方向）に移動す
る。この場合には、蒸発材料８による蒸着膜および蒸発
材料８，９の合金膜の幅を狭く、蒸発材料９による蒸着
膜の幅のみを広く成形することができる。また、図とは
反対にルツボ６寄り（右方向）に規制板１０を移動させ
れば、蒸発材料９による蒸着膜および蒸発材料８，９の
合金膜の幅を狭く、蒸発材料８による蒸着膜の幅のみを
広く成形することができる。その他にも、昇降アクチュ
エータ１１と水平アクチュエータ１３の制御方法によ
り、様々に境界を変化させて基板１に膜を成形すること
ができる。In FIG. 4, the horizontal actuator 13 is further operated from the state shown in FIG.
The lifting actuator 11 and the regulation plate 10 are attached to the crucible 5
When it is moved to the side (to the left), the spread of the vapor of the evaporation materials 8 and 9 is restricted, the spread of the vapor of the evaporation material 8 is narrowed, and the spread of the vapor of the evaporation material 9 is widened. Therefore, the mixed part of the vapor of the vaporized materials 8 and 9 (triangle hatched part)
Moves toward the crucible 5 (to the left) as illustrated. In this case, the vapor deposition film of the evaporation material 8 and the alloy film of the vaporization materials 8 and 9 can be narrowed in width, and only the width of the vapor deposition film of the evaporation material 9 can be widened. On the other hand, if the regulating plate 10 is moved toward the crucible 6 (to the right) contrary to the figure, the width of the vapor deposition film of the evaporation material 9 and the alloy film of the vaporization materials 8 and 9 is narrowed, and the vapor deposition film of the evaporation material 8 is formed. It is possible to form only a wide width. In addition, a film can be formed on the substrate 1 by changing the boundary in various ways by controlling the lifting actuator 11 and the horizontal actuator 13.
【００２１】図５は、図２に示す真空蒸着装置に膜厚を
制御するためのアクチュエータを設けた図である。図に
示す真空蒸着装置は、基板１の進行方向と平行となるよ
うに並置された２つのルツボ５，６と、各ルツボ５，６
を支持するルツボ支持台１５，１６と、各ルツボ５，６
を基板１に接近または離反させる２つのアクチュエータ
１７，１８と、それらのアクチュエータ１７，１８を制
御する制御装置と、を有するものである。上記アクチュ
エータ１７，１８の先端は、ルツボ支持台１５，１６の
下面に連結され、パソコンなどの制御装置によりそれぞ
れ単独に制御することができるようになっている。その
設置数は各アクチュエータ１７，１８の出力やルツボ
５，６およびルツボ支持台１５，１６の大きさなどの諸
条件により、１つのルツボ５，６に対して１つでもよい
し、複数でもよい。なお、この制御装置は真空チャンバ
ー外に設置されており、各アクチュエータ１７，１８は
図示しない支持台により真空チャンバー内に固定されて
いる。このようにルツボ５，６をそれぞれ単独に昇降さ
せることにより、蒸気密度を変化させて、蒸着膜の膜厚
を容易に変化させることができる。FIG. 5 is a diagram in which an actuator for controlling the film thickness is provided in the vacuum vapor deposition apparatus shown in FIG. The vacuum vapor deposition apparatus shown in the figure has two crucibles 5 and 6 arranged in parallel so as to be parallel to the traveling direction of the substrate 1, and each crucible 5 and 6.
Crucible support bases 15 and 16 for supporting the crucibles 5 and 6
It has two actuators 17 and 18 for moving the substrate 1 toward and away from the substrate 1 and a control device for controlling these actuators 17 and 18. The tips of the actuators 17 and 18 are connected to the lower surfaces of the crucible support bases 15 and 16 and can be independently controlled by a control device such as a personal computer. Depending on various conditions such as the outputs of the actuators 17 and 18, the sizes of the crucibles 5 and 6 and the crucible support bases 15 and 16, the number of installations may be one for each crucible 5, 6 or may be plural. . The control device is installed outside the vacuum chamber, and the actuators 17 and 18 are fixed inside the vacuum chamber by a support (not shown). By moving the crucibles 5 and 6 independently in this way, the vapor density can be changed and the film thickness of the vapor deposition film can be easily changed.
【００２２】さらに、図示しないが、図３および図４に
示す蒸気の広がりを規制する規制板１０と、図５に示す
蒸着膜の膜厚を調節するアクチュエータ１７，１８との
両方を設けるようにしてもよい。また、基板１の幅方向
に加えて基板１の進行方向にも複数のルツボを設けるよ
うにしてもよい。Further, although not shown, both the regulating plate 10 for regulating the spread of vapor shown in FIGS. 3 and 4 and the actuators 17, 18 for regulating the film thickness of the vapor deposition film shown in FIG. 5 are provided. May be. Further, in addition to the width direction of the substrate 1, a plurality of crucibles may be provided in the traveling direction of the substrate 1.
【００２３】上述したように、本発明の真空蒸着装置の
成膜方法および真空蒸着装置によれば、基板１の幅方向
に性質の異なる蒸着膜を成形することができるととも
に、蒸発材料８，９の蒸気の広がりや蒸気密度を種々に
変化させることができるため、蒸着膜の境界や膜厚を容
易に変化させることができ、所望の蒸着膜を成形するこ
とができる。As described above, according to the film forming method of the vacuum vapor deposition apparatus and the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention, vapor deposition films having different properties can be formed in the width direction of the substrate 1 and the evaporation materials 8 and 9 are formed. Since the spread of the vapor and the vapor density can be variously changed, the boundary and the film thickness of the vapor deposition film can be easily changed, and a desired vapor deposition film can be formed.
【００２４】なお、本発明は上述した実施の形態に限定
されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更でき
ることは勿論である。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
【００２５】[0025]
【発明の効果】上述した本発明の真空蒸着装置の成膜方
法および真空蒸着装置によれば、基板の進行方向と平行
となるように並置された複数のルツボに、それぞれ異な
る蒸発材料を収容し、蒸発させることにより、基板の幅
方向に性質の異なる蒸着膜を成形することができる。ま
た、蒸発材料の蒸気を規制する規制板を設けることによ
り、その蒸気の混合割合を調節し、各蒸発材料による蒸
着膜およびその混合蒸気による合金膜の境界を様々に変
化させることができる。さらに、各ルツボを基板に接近
または離反させることにより、蒸着膜の膜厚を種々に変
化させることができる。したがって、基板の幅方向で異
なる性質を要求される場合に容易に対処することができ
る、などの優れた効果を有する。According to the film forming method of the vacuum vapor deposition apparatus and the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention described above, different evaporation materials are accommodated in a plurality of crucibles juxtaposed so as to be parallel to the traveling direction of the substrate. By evaporating, a vapor deposition film having different properties can be formed in the width direction of the substrate. Further, by providing a regulating plate for regulating the vapor of the evaporation material, the mixing ratio of the vapor can be adjusted, and the boundary between the vapor deposition film of each evaporation material and the alloy film of the vapor mixture can be variously changed. Furthermore, the film thickness of the vapor deposition film can be variously changed by moving each crucible toward or away from the substrate. Therefore, it has an excellent effect that it is possible to easily cope with the case where different properties are required in the width direction of the substrate.
【図１】本発明の真空蒸着装置における成膜室の斜視図
である。FIG. 1 is a perspective view of a film forming chamber in a vacuum vapor deposition apparatus of the present invention.
【図２】図１に示す成膜室の正面断面図である。FIG. 2 is a front sectional view of the film forming chamber shown in FIG.
【図３】図２に示す真空蒸着装置に蒸発材料の蒸気の広
がりを規制する規制板を設けたものであり、その昇降ア
クチュエータのみを作動させたときの図である。FIG. 3 is a diagram showing the vacuum vapor deposition apparatus shown in FIG. 2 provided with a regulating plate for regulating the spread of vapor of an evaporation material, and when only the lifting actuator is operated.
【図４】図２に示す真空蒸着装置に蒸発材料の蒸気の広
がりを規制する規制板を設けたものであり、図３の状態
から水平アクチュエータのみを作動させたときの図であ
る。4 is a diagram showing the vacuum vapor deposition apparatus shown in FIG. 2 provided with a regulating plate for regulating the spread of vapor of an evaporation material, and is a diagram when only the horizontal actuator is operated from the state of FIG.
【図５】図２に示す真空蒸着装置に膜厚を制御するため
のアクチュエータを設けた図である。5 is a diagram in which an actuator for controlling the film thickness is provided in the vacuum vapor deposition device shown in FIG.
【図６】従来の真空蒸着装置の全体構成図である。FIG. 6 is an overall configuration diagram of a conventional vacuum vapor deposition device.
１ 基板 ２ 電子ビーム ３ 電子銃 ４ 磁界発生装置 ５，６ ルツボ ７ 真空チャンバー ８，９ 蒸発材料 １０ 規制板 １１ 昇降アクチュエータ １２ 支持台 １３ 水平アクチュエータ １４ 規制板移動装置 １５，１６ ルツボ支持台 １７，１８ アクチュエータ ２０ ルツボ ２１ 蒸発材料 1 Substrate 2 Electron Beam 3 Electron Gun 4 Magnetic Field Generator 5,6 Crucible 7 Vacuum Chamber 8, 9 Evaporation Material 10 Control Plate 11 Lifting Actuator 12 Support Stand 13 Horizontal Actuator 14 Control Plate Moving Device 15, 16 Crucible Support Stand 17, 18 Actuator 20 Crucible 21 Evaporative material
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 昭博 神奈川県横浜市磯子区新中原町１番地 石 川島播磨重業株式会社技術研究所内 (72)発明者 松田 至康 神奈川県横浜市磯子区新中原町１番地 石 川島播磨重業株式会社横浜エンジニアリン グセンター内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akihiro Nomura No. 1 Shin-Nakahara-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Ishi Kawashima Harima Heavy Industries Co., Ltd. Technical Research Institute (72) Innovator, Yoshida Matsuda New Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Nakahara Town No. 1 Ishikawajima Harima Heavy Industries Co., Ltd. Yokohama Engineering Center
Claims (3)
料を収容する複数のルツボと、それらのルツボを内蔵し
真空排気された真空チャンバーとを備え、その蒸発材料
の湯面に電子ビームを照射して加熱、蒸発させて、真空
チャンバー内を連続して走行する帯状の基板に、蒸発材
料を蒸着して被膜を成形する真空蒸着装置の成膜方法に
おいて、 上記基板の幅方向に異なる蒸発材料を蒸着させて、その
基板の表面に性質の異なる蒸着膜を成形する、ことを特
徴とする真空蒸着装置の成膜方法。1. An electron gun for radiating an electron beam, a plurality of crucibles for containing evaporation material, and a vacuum chamber which is provided with these crucibles and is evacuated to vacuum. In a film forming method of a vacuum evaporation apparatus, which evaporates an evaporation material to form a film on a belt-shaped substrate which is irradiated, heated and evaporated to continuously move in a vacuum chamber, different evaporation is performed in the width direction of the substrate. A method of forming a film in a vacuum evaporation apparatus, comprising: evaporating a material to form an evaporation film having different properties on the surface of the substrate.
料を収容する複数のルツボと、それらのルツボを内蔵し
真空排気された真空チャンバーとを備え、その蒸発材料
の湯面に電子ビームを照射して加熱、蒸発させて、真空
チャンバー内を連続して走行する帯状の基板に、蒸発材
料を蒸着して被膜を成形する真空蒸着装置において、 上記基板の進行方向と平行となるように並置された複数
のルツボと、それらのルツボ同志の間に平行に設けられ
蒸発材料の蒸気の広がりを規制する規制板と、その規制
板を上下方向および／または基板の幅方向に移動させる
規制板移動装置と、その規制板移動装置を制御する制御
装置と、を有する、ことを特徴とする真空蒸着装置。2. An electron gun for radiating an electron beam, a plurality of crucibles for containing an evaporation material, and a vacuum chamber which is provided with these crucibles and is evacuated to vacuum. In a vacuum vapor deposition apparatus that irradiates, heats and vaporizes, and vaporizes evaporation material to form a film on a belt-shaped substrate that continuously runs in a vacuum chamber. Regulated crucibles, regulation plates that are provided in parallel between the crucibles and regulate the spread of vapor of the evaporation material, and regulation plates that move the regulation plates in the vertical direction and / or the width direction of the substrate. A vacuum vapor deposition apparatus comprising: a device; and a control device for controlling the regulating plate moving device.
料を収容する複数のルツボと、それらのルツボを内蔵し
真空排気された真空チャンバーとを備え、その蒸発材料
の湯面に電子ビームを照射して加熱、蒸発させて、真空
チャンバー内を連続して走行する帯状の基板に、蒸発材
料を蒸着して被膜を成形する真空蒸着装置において、 上記基板の進行方向と平行となるように並置された複数
のルツボと、それらのルツボのそれぞれを基板に接近ま
たは離反させるアクチュエータと、を有する、ことを特
徴とする真空蒸着装置。3. An electron gun for radiating an electron beam, a plurality of crucibles for containing an evaporation material, and a vacuum chamber in which the crucibles are built and which are evacuated, and the electron beam is applied to a molten metal surface of the evaporation material. In a vacuum vapor deposition apparatus that irradiates, heats and vaporizes, and vaporizes evaporation material to form a film on a belt-shaped substrate that continuously runs in a vacuum chamber. Vacuum evaporation apparatus, comprising: a plurality of crucibles that are formed; and an actuator that moves each of the crucibles toward or away from the substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31041695A JPH09143678A (en) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | Film formation with vacuum vapor deposition apparatus and vacuum vapor deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31041695A JPH09143678A (en) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | Film formation with vacuum vapor deposition apparatus and vacuum vapor deposition apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143678A true JPH09143678A (en) | 1997-06-03 |
Family
ID=18005000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31041695A Pending JPH09143678A (en) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | Film formation with vacuum vapor deposition apparatus and vacuum vapor deposition apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09143678A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083546A (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma display device and its manufacturing method |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP31041695A patent/JPH09143678A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083546A (en) * | 2000-09-08 | 2002-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma display device and its manufacturing method |
| JP4626035B2 (en) * | 2000-09-08 | 2011-02-02 | パナソニック株式会社 | Method for manufacturing plasma display device |
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