JPH09143696A - Formation of film with vacuum deposition device and device therefor - Google Patents
Formation of film with vacuum deposition device and device thereforInfo
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- JPH09143696A JPH09143696A JP30127795A JP30127795A JPH09143696A JP H09143696 A JPH09143696 A JP H09143696A JP 30127795 A JP30127795 A JP 30127795A JP 30127795 A JP30127795 A JP 30127795A JP H09143696 A JPH09143696 A JP H09143696A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、連続して走行する
基板に蒸発材料を蒸着して被膜を成形する真空蒸着装置
の成膜方法および真空蒸着装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming method of a vacuum evaporation apparatus and a vacuum evaporation apparatus for forming a coating film by evaporating an evaporation material on a substrate which continuously runs.
【０００２】[0002]
【従来の技術】真空蒸着（vacuum vapor deposition)
は、真空中で金属を加熱して蒸発させ、蒸発金属を基板
（被処理材）の表面に凝固させて被膜を作る成膜プロセ
スである。かかる成膜プロセスにおいて、蒸着用金属
（蒸発材料）を加熱するために電子ビームを用い、帯状
の連続して走行する基板に金属を蒸着させる連続真空蒸
着装置が従来から知られている。この連続真空蒸着装置
は、通常の湿式メッキでは扱えない窒化物、炭化物、酸
化物などの蒸着が可能であり、かつ付着速度が大きいな
どの長所を有している。2. Description of the Related Art Vacuum vapor deposition
Is a film forming process in which a metal is heated and evaporated in a vacuum, and the evaporated metal is solidified on the surface of a substrate (material to be processed) to form a film. In such a film forming process, a continuous vacuum vapor deposition apparatus has been conventionally known in which an electron beam is used to heat a metal for vapor deposition (evaporation material) and vapor deposits the metal on a strip-shaped substrate that continuously runs. This continuous vacuum vapor deposition apparatus has the advantages that it can vapor deposit nitrides, carbides, oxides, etc., which cannot be handled by ordinary wet plating, and has a high deposition rate.
【０００３】図６は従来の真空蒸着装置の全体構成図で
ある。図に示す真空蒸着装置は、入側と出側に設けられ
る真空シール装置、予備加熱室、成膜室などからなり、
大気圧でアンコイラーから巻き戻された鋼板などからな
るストリップ（基板１）を入側真空シール装置を通して
真空状態とし、予備加熱室で予備加熱した後、成膜室で
成膜し、成膜後に出側真空シール装置を通し真空状態を
解除して大気圧中に取り出し、リコイラーで巻き取るよ
うになっている。FIG. 6 is an overall configuration diagram of a conventional vacuum vapor deposition apparatus. The vacuum vapor deposition apparatus shown in the figure consists of a vacuum sealing device provided on the inlet and outlet sides, a preheating chamber, a film forming chamber, etc.
A strip (substrate 1) made of steel sheet or the like unwound from an uncoiler at atmospheric pressure is put into a vacuum state through an inlet-side vacuum seal device, preheated in a preheating chamber, then film-formed in the film-forming chamber, and then discharged after film-forming. The vacuum state is released through the side vacuum seal device, the vacuum state is taken out, and it is taken up by the recoiler.
【０００４】成膜室は、電子ビーム２を放射する電子銃
３と、蒸発材料４を収容する複数のルツボ５と、それら
のルツボ５を内蔵し真空排気された真空チャンバー６と
からなり、その蒸発材料４の湯面に電子ビーム２を照射
して加熱、蒸発させて、真空チャンバー６内を連続して
走行する帯状の基板１に、蒸発材料４を蒸着して被膜
（以下、蒸着膜という）を成形している。なお、電子ビ
ーム２は、図示しない偏向磁極装置により発生する磁界
により、偏向されて蒸発材料４の湯面に照射されてい
る。The film forming chamber comprises an electron gun 3 for emitting an electron beam 2, a plurality of crucibles 5 for containing an evaporation material 4, and a vacuum chamber 6 containing these crucibles 5 and evacuated. The surface of the evaporation material 4 is irradiated with the electron beam 2 to be heated and evaporated, and the evaporation material 4 is vapor-deposited on the strip-shaped substrate 1 which continuously runs in the vacuum chamber 6 (hereinafter, referred to as an evaporation film). ) Is molded. The electron beam 2 is deflected by a magnetic field generated by a deflection magnetic pole device (not shown) and is applied to the molten metal surface of the evaporation material 4.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述した真空蒸着装置
において、蒸着膜の蒸着範囲や蒸着膜の合金部における
蒸発材料の混合割合は、電子銃の出力を変えたり、電子
ビームの照射位置、照射時間などのパターンを変えたり
することにより蒸気の広がりを変えて調節していた。し
かし、このように電子ビームを制御する真空蒸着装置の
成膜方法では、電子ビームの変更により、蒸発材料の温
度が変化し、蒸発材料の蒸発量が変化し、蒸気の広がり
が変化し、ようやく蒸着膜が変化する、という段階を踏
まなければ、蒸着膜の蒸着範囲や蒸着膜の合金部におけ
る蒸発材料の混合割合を調節することができなかった。
したがって、電子ビームの変更から蒸着膜が変化するま
での応答時間が長く、さらに、その時々の蒸発材料の蒸
気密度分布により蒸気の広がりは変化するため、その時
の成り行きに任せるしかなく、所望の蒸着膜を成形する
ことができず、蒸着膜を制御できる範囲が非常に狭い、
などの問題点があった。In the above-mentioned vacuum vapor deposition apparatus, the output range of the electron gun is changed, the electron beam irradiation position, the irradiation position of the electron beam are changed depending on the vapor deposition range of the vapor deposition film and the mixing ratio of the vaporization material in the alloy portion of the vapor deposition film. It was adjusted by changing the spread of steam by changing patterns such as time. However, in the film forming method of the vacuum vapor deposition apparatus which controls the electron beam as described above, the temperature of the evaporation material is changed by the change of the electron beam, the evaporation amount of the evaporation material is changed, and the spread of the vapor is changed. Without taking the step of changing the vapor deposition film, the vapor deposition range of the vapor deposition film and the mixing ratio of the evaporation material in the alloy portion of the vapor deposition film could not be adjusted.
Therefore, the response time from the change of the electron beam to the change of the vapor deposition film is long, and further, the spread of the vapor changes depending on the vapor density distribution of the evaporation material at that time, so it is left to the course of time at that time and the desired vapor deposition The film cannot be formed, and the controllable range of the deposited film is very narrow.
There were problems such as.
【０００６】本発明は、上記課題を解決するために創案
されたものである。すなわち、蒸着膜の制御範囲を拡大
するとともに、蒸着膜が変化するまでの応答時間を短縮
することができる真空蒸着装置の成膜方法および真空蒸
着装置を提供することを目的とする。The present invention was created to solve the above problems. That is, it is an object of the present invention to provide a film forming method for a vacuum vapor deposition apparatus and a vacuum vapor deposition apparatus capable of expanding the control range of the vapor deposition film and shortening the response time until the vapor deposition film changes.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、電子ビ
ームを放射する電子銃と、蒸発材料を収容する複数のル
ツボと、それらのルツボを内蔵し真空排気された真空チ
ャンバーとを備え、その蒸発材料の湯面に電子ビームを
照射して加熱、蒸発させて、真空チャンバー内を連続し
て走行する帯状の基板に、蒸発材料を蒸着して被膜を成
形する真空蒸着装置の成膜方法において、上記複数のル
ツボのそれぞれに対し、蒸気の広がりを調節可能に規制
することにより、蒸着膜の蒸発材料の混合割合を調節す
る、ことを特徴とする真空蒸着装置の成膜方法が提供さ
れる。According to the present invention, there are provided an electron gun for emitting an electron beam, a plurality of crucibles for containing an evaporation material, and a vacuum chamber containing the crucibles and being evacuated. A film forming method of a vacuum vapor deposition apparatus for forming a coating film by vaporizing the vaporization material on a strip-shaped substrate that continuously travels in a vacuum chamber by irradiating the surface of the vaporization material with an electron beam to heat and vaporize it. In, in each of the plurality of crucibles, by adjusting the spread of the vapor to be adjustable, the mixing ratio of the evaporation material of the vapor deposition film is adjusted, the film forming method of the vacuum vapor deposition device is provided. It
【０００８】電子ビームを放射する電子銃と、蒸発材料
を収容する複数のルツボと、それらのルツボを内蔵し真
空排気された真空チャンバーとを備え、その蒸発材料の
湯面に電子ビームを照射して加熱、蒸発させて、真空チ
ャンバー内を連続して走行する帯状の基板に、蒸発材料
を蒸着して被膜を成形する真空蒸着装置において、上記
複数のルツボのそれぞれに対し、上記基板の進行方向の
上流側と下流側の両側に、上記基板の進行方向と交差す
る方向に設けられた蒸気流規制板と、その各蒸気流規制
板を昇降させるアクチュエータと、その各アクチュエー
タを制御する制御装置と、を有し、上記蒸気流規制板を
昇降させることにより、蒸気の広がりを規制し、蒸着膜
の蒸発材料の混合割合を調節する、ことを特徴とする真
空蒸着装置が提供される。An electron gun for radiating an electron beam, a plurality of crucibles for containing the evaporation material, and a vacuum chamber evacuated and having these crucibles built therein are provided, and the molten metal surface of the evaporation material is irradiated with the electron beam. In a vacuum vapor deposition apparatus that heats and evaporates, evaporates, and vaporizes an evaporation material to form a film on a belt-shaped substrate that continuously travels in a vacuum chamber, in the traveling direction of the substrate with respect to each of the plurality of crucibles. On both the upstream side and the downstream side of the steam flow restricting plate provided in a direction intersecting the traveling direction of the substrate, an actuator for moving up and down each steam flow restricting plate, and a control device for controlling each actuator. The vacuum vapor deposition apparatus is characterized in that the vapor flow regulating plate is moved up and down to regulate the spread of vapor and adjust the mixing ratio of the evaporation material of the vapor deposition film. It is.
【０００９】上述の本発明の真空蒸着装置の成膜方法お
よび真空蒸着装置によれば、電子銃の出力を変えたり、
電子ビームの照射位置、照射時間などのパターンを変え
たりすることなく、蒸気流規制板により強制的に蒸気の
広がりを規制しているため、蒸気流規制板の昇降によ
り、瞬時に蒸気の広がりが変化し、蒸着膜が変化する。
したがって、蒸着膜の制御範囲を拡大するとともに、蒸
着膜が変化するまでの応答時間を短縮することができ
る。According to the film forming method of the vacuum vapor deposition apparatus and the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention described above, the output of the electron gun is changed,
The vapor flow restriction plate forcibly restricts the spread of the steam without changing the pattern such as the electron beam irradiation position and irradiation time. Changes, and the deposited film changes.
Therefore, the control range of the deposited film can be expanded and the response time until the deposited film is changed can be shortened.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を図１から図５を参照して説明する。なお、各図にお
いて従来と共通する部分には同一の符号を付して使用す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In each drawing, the same parts as those in the conventional art are designated by the same reference numerals and used.
【００１１】本発明の真空蒸着装置の成膜方法および真
空蒸着装置は、図６に示した従来の真空蒸着装置とほぼ
同様の真空蒸着装置に適用されるものであり（説明は省
略する）、蒸発材料の蒸気の広がりを調節可能に規制す
ることにより、蒸着膜の蒸着範囲や蒸着膜の合金部にお
ける蒸発材料の混合割合を調節し、蒸着膜の制御範囲を
拡大するとともに、蒸着膜が変化するまでの応答時間を
短縮しようとするものである。The film forming method of the vacuum vapor deposition apparatus and the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention are applied to a vacuum vapor deposition apparatus almost similar to the conventional vacuum vapor deposition apparatus shown in FIG. By controlling the spread of vapor of the evaporation material to be adjustable, the evaporation range of the evaporation film and the mixing ratio of the evaporation material in the alloy part of the evaporation film can be adjusted to expand the control range of the evaporation film and change the evaporation film. It is intended to shorten the response time until it does.
【００１２】図１は、本発明の真空蒸着装置を示す構成
図である。なお、本図は図６で説明した真空蒸着装置の
真空チャンバー６内のみを図示したものである。図に示
す成膜装置は、２つのルツボ１０，１１に収容された蒸
発材料１２，１３の湯面に電子ビーム２を照射して加
熱、蒸発させて、真空チャンバー内を連続して走行する
帯状の基板１に、蒸発材料１２，１３を蒸着して被膜を
成形するものであって、ルツボ１０，１１のそれぞれに
対し、基板１の進行方向の上流側と下流側の両側に、基
板１の進行方向と交差する方向に設けられた蒸気流規制
板１４，１５，１６，１７と、その各蒸気流規制板１
４，１５，１６，１７を上昇または下降させるアクチュ
エータ１８，１９，２０，２１と、その各アクチュエー
タを制御する制御装置と、を有するものである。なお、
蒸発材料１２，１３の蒸気の広がりを一点鎖線で示して
いる。FIG. 1 is a block diagram showing a vacuum vapor deposition apparatus of the present invention. It should be noted that this drawing shows only the inside of the vacuum chamber 6 of the vacuum vapor deposition apparatus described in FIG. The film forming apparatus shown in the figure is a strip-shaped device that continuously elevates the vaporized materials 12 and 13 housed in the two crucibles 10 and 11 by irradiating the surface of the vaporized materials 12 and 13 with an electron beam 2 to heat and evaporate them. The vapor deposition materials 12 and 13 are vapor-deposited on the substrate 1 to form a coating film, and the crucibles 10 and 11 are provided with the substrate 1 on both the upstream side and the downstream side in the traveling direction of the substrate 1. Steam flow restricting plates 14, 15, 16, 17 provided in a direction intersecting the traveling direction, and each steam flow restricting plate 1
It has actuators 18, 19, 20, 21 for raising or lowering 4, 15, 16, 17 and a control device for controlling the respective actuators. In addition,
The spread of the vapor of the evaporation materials 12 and 13 is indicated by a chain line.
【００１３】図に示すように、ルツボ１０，１１は基板
１の進行方向の上流側と下流側とに平行に設置されてお
り、例えば、その上流側のルツボ１１には蒸発材料１３
として密着性のよいアルミニウムが収容されており、下
流側のルツボ１０には蒸発材料１２として耐食性の高い
アルミマンガンが収容されている。したがって、図の三
角形斜線部ではアルミニウムとアルミマンガンの蒸気が
混合しており、基板１にはアルミニウムとアルミマンガ
ンの合金膜が蒸着する。As shown in the figure, the crucibles 10 and 11 are installed in parallel to the upstream side and the downstream side of the traveling direction of the substrate 1. For example, the evaporation material 13 is provided in the crucible 11 on the upstream side.
As the evaporation material 12, aluminum manganese having high corrosion resistance is stored in the crucible 10 on the downstream side. Therefore, aluminum and aluminum-manganese vapor are mixed in the shaded area in the figure, and an alloy film of aluminum and aluminum-manganese is deposited on the substrate 1.
【００１４】上記蒸気流規制板１４，１５，１６，１７
は、ルツボ１０，１１の長手方向とほぼ同じ長さを有し
ており、その下端に上記アクチュエータ１８，１９，２
０，２１の先端が連結され、各アクチュエータ１８，１
９，２０，２１の作動により、各蒸気流規制板１４，１
５，１６，１７は昇降する。このアクチュエータ１８，
１９，２０，２１の設置数は、その出力や蒸気流規制板
１４，１５，１６，１７の大きさなどの諸条件により、
１つの蒸気流規制板１４，１５，１６，１７に対して１
つでもよいし、複数でもよい。なお、アクチュエータ１
８，１９，２０，２１は、図示しない支持台により真空
チャンバー内に固定されている。The vapor flow restricting plates 14, 15, 16, 17
Has substantially the same length as the longitudinal direction of the crucibles 10 and 11, and the lower ends of the actuators 18, 19 and 2 have the same length.
The tips of 0 and 21 are connected to each actuator 18, 1
By the operation of 9, 20, and 21, each steam flow restricting plate 14, 1
5, 16 and 17 move up and down. This actuator 18,
The number of 19, 20, 21 installed depends on various conditions such as the output and the size of the steam flow restricting plates 14, 15, 16, 17.
1 for each steam flow control plate 14, 15, 16, 17
One or more may be used. The actuator 1
8, 19, 20, and 21 are fixed in the vacuum chamber by a support (not shown).
【００１５】上述したアクチュエータ１８，１９，２
０，２１は、パソコンなどの制御装置によりそれぞれ単
独に制御することができるようになっている。なお、こ
の制御装置は真空チャンバー外に設置されている。The above-mentioned actuators 18, 19, 2
0 and 21 can be independently controlled by a control device such as a personal computer. The controller is installed outside the vacuum chamber.
【００１６】続いて、図２から図５を参照して本発明の
真空蒸着装置の成膜方法について説明する。なお、図１
に示すルツボ１０，１１の位置を基準とし、制御装置は
省略する。図２は、アクチュエータ１９，２０のみを作
動させて、ルツボ１０の上流側の蒸気流規制板１５およ
びルツボ１１の下流側の蒸気流規制板１６をほぼ同じ高
さまで上昇させたときの図である。図示するように蒸気
流規制板１５，１６を上昇させると、基板１下の蒸発材
料１２の上流側の蒸気の広がり、および蒸発材料１３の
下流側の蒸気の広がりを瞬時に狭めることができ、蒸発
材料１２，１３の混合割合（図の両矢印で示す部分）を
少なくすることができる。したがって、蒸発材料１２，
１３が基板１に蒸着した部分は厚く、混合した蒸発材料
１２，１３が基板１に蒸着した合金部は薄い蒸着膜を成
形することができる。また、蒸発材料１２，１３の温度
や蒸発量の変化などの物理現象を介在させることなく蒸
気の広がりを変化させることができるため、その膜厚が
変化するまでの応答時間を短縮することができる。な
お、図に示す状態において、ルツボ１０の下流側の蒸気
流規制板１４およびルツボ１１の上流側の蒸気流規制板
１７を昇降させて、蒸発材料１２，１３の蒸気の広がり
を調節してもよい。Next, the film forming method of the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
The positions of the crucibles 10 and 11 shown in FIG. FIG. 2 is a diagram when only the actuators 19 and 20 are operated to raise the vapor flow regulating plate 15 on the upstream side of the crucible 10 and the vapor flow regulating plate 16 on the downstream side of the crucible 11 to almost the same height. . As illustrated, when the vapor flow restricting plates 15 and 16 are raised, the spread of vapor on the upstream side of the evaporation material 12 under the substrate 1 and the spread of vapor on the downstream side of the evaporation material 13 can be narrowed instantaneously, It is possible to reduce the mixing ratio of the evaporation materials 12 and 13 (the portion indicated by the double-headed arrow in the figure). Therefore, the evaporation material 12,
The portion where 13 is deposited on the substrate 1 is thick, and the alloy portion where the mixed evaporation materials 12 and 13 are deposited on the substrate 1 can form a thin vapor deposition film. Further, since the spread of the vapor can be changed without intervening physical phenomena such as changes in the temperature and evaporation amount of the evaporation materials 12 and 13, the response time until the film thickness changes can be shortened. . In the state shown in the figure, even if the vapor flow regulating plate 14 on the downstream side of the crucible 10 and the vapor flow regulating plate 17 on the upstream side of the crucible 11 are moved up and down to adjust the spread of the vapor of the evaporation materials 12 and 13. Good.
【００１７】また、図３は、アクチュエータ１９，２０
のみを作動させて、ルツボ１０の上流側の蒸気流規制板
１５およびルツボ１１の下流側の蒸気流規制板１６をほ
ぼ同じ高さまで下降させたときの図である。図示するよ
うに蒸気流規制板１５，１６を下降させると、基板１下
の蒸発材料１２の上流側の蒸気の広がり、および蒸発材
料１３の下流側の蒸気の広がりを瞬時に広げることがで
き、蒸発材料１２，１３の混合割合（図の両矢印で示す
部分）を多くすることができる。したがって、蒸発材料
１２，１３が基板１に蒸着した部分は薄く、混合した蒸
発材料１２，１３が基板１に蒸着した合金部は厚い蒸着
膜を成形することができる。また、蒸発材料１２，１３
の温度や蒸発量の変化などの物理現象を介在させること
なく蒸気の広がりを変化させることができるため、その
膜厚が変化するまでの応答時間を短縮することができ
る。なお、図に示す状態において、ルツボ１０の下流側
の蒸気流規制板１４およびルツボ１１の上流側の蒸気流
規制板１７を上昇または下降させて、蒸発材料１２，１
３の蒸気の広がりを調節してもよい。Further, FIG. 3 shows actuators 19 and 20.
FIG. 6 is a diagram when only the steam flow restricting plate 15 on the upstream side of the crucible 10 and the steam flow restricting plate 16 on the downstream side of the crucible 11 are moved down to substantially the same height by operating only the steam generator. As illustrated, when the vapor flow restricting plates 15 and 16 are lowered, the spread of vapor on the upstream side of the evaporation material 12 under the substrate 1 and the spread of vapor on the downstream side of the evaporation material 13 can be instantaneously expanded. It is possible to increase the mixing ratio of the evaporation materials 12 and 13 (the portion indicated by the double-headed arrow in the figure). Therefore, the portion where the evaporation materials 12 and 13 are vapor-deposited on the substrate 1 is thin, and the alloy portion where the mixed evaporation materials 12 and 13 are vapor-deposited on the substrate 1 can be formed into a thick vapor deposition film. Also, the evaporation material 12, 13
Since the spread of the vapor can be changed without intervening physical phenomena such as the change in temperature and the amount of evaporation, the response time until the film thickness changes can be shortened. In the state shown in the figure, the vapor flow restricting plate 14 on the downstream side of the crucible 10 and the vapor flow restricting plate 17 on the upstream side of the crucible 11 are moved up or down to evaporate materials 12, 1
The spread of the steam of 3 may be adjusted.
【００１８】さらに、図４は、アクチュエータ１８，２
１のみを作動させて、ルツボ１０の下流側の蒸気流規制
板１４およびルツボ１１の上流側の蒸気流規制板１７を
ほぼ同じ高さまで上昇させたときの図である。図示する
ように蒸気流規制板１４，１７を上昇させると、基板１
下の蒸発材料１２の下流側の蒸気の広がり、および蒸発
材料１３の上流側の蒸気の広がりを瞬時に狭めることが
でき、蒸発材料１２，１３の混合割合はそのままで、蒸
気全体の広がり（図の両矢印で示す部分）を狭くするこ
とができる。したがって、蒸発材料１２，１３が基板１
に蒸着した部分は薄い蒸着膜を成形することができる。
また、蒸発材料１２，１３の温度や蒸発量の変化などの
物理現象を介在させることなく蒸気の広がりを変化させ
ることができるため、その膜厚が変化するまでの応答時
間を短縮することができる。なお、図に示す状態におい
て、ルツボ１０の上流側の蒸気流規制板１５およびルツ
ボ１１の下流側の蒸気流規制板１６を上昇または下降さ
せて、蒸発材料１２，１３の蒸気の混合割合を変化させ
てもよい。Further, FIG. 4 shows the actuators 18, 2
It is a figure when only 1 is operated and the steam flow restricting plate 14 on the downstream side of the crucible 10 and the steam flow restricting plate 17 on the upstream side of the crucible 11 are raised to substantially the same height. As shown, when the vapor flow restricting plates 14 and 17 are raised, the substrate 1
The spread of the vapor on the downstream side of the lower vaporization material 12 and the spread of the vapor on the upstream side of the vaporization material 13 can be narrowed instantaneously, and the mixing ratio of the vaporization materials 12 and 13 remains unchanged. (The part indicated by the double-headed arrow) can be narrowed. Therefore, the evaporation materials 12 and 13 are
A thin vapor deposition film can be formed on the portion vapor-deposited on.
Further, since the spread of the vapor can be changed without intervening physical phenomena such as changes in the temperature and evaporation amount of the evaporation materials 12 and 13, the response time until the film thickness changes can be shortened. . In the state shown in the figure, the vapor flow regulating plate 15 on the upstream side of the crucible 10 and the vapor flow regulating plate 16 on the downstream side of the crucible 11 are raised or lowered to change the mixing ratio of the vapors of the evaporation materials 12 and 13. You may let me.
【００１９】さらに、図５は、アクチュエータ２１のみ
を作動させて、ルツボ１１の上流側の蒸気流規制板１７
のみを下降させたときの図である。図示するように蒸気
流規制板１７を下降させると、蒸発材料１３の上流側の
蒸気の広がりを瞬時に広げることができ、蒸発材料１
２，１３の混合割合はそのままで、蒸発材料１３の蒸気
の広がり（図の両矢印で示す部分）のみを広くすること
ができる。したがって、蒸発材料１２が基板１に蒸着し
た部分は厚い蒸着膜を成形することができる。また、蒸
発材料１２，１３の温度や蒸発量の変化などの物理現象
を介在させることなく蒸気の広がりを変化させることが
できるため、その膜厚が変化するまでの応答時間を短縮
することができる。なお、図に示す状態において、ルツ
ボ１０の両側の蒸気流規制板１４，１５およびルツボ１
１の下流側の蒸気流規制板１６を上昇または下降させ
て、蒸発材料１２の蒸気の広がりを調節したり、蒸発材
料１２，１３の蒸気の混合割合を変化させてもよい。Further, in FIG. 5, only the actuator 21 is operated so that the vapor flow restricting plate 17 on the upstream side of the crucible 11 is operated.
It is a figure when only one is lowered. As illustrated, when the vapor flow restricting plate 17 is lowered, the spread of the vapor on the upstream side of the evaporation material 13 can be instantly widened, and the evaporation material 1
It is possible to widen only the spread of the vapor of the evaporation material 13 (the portion indicated by the double-headed arrow in the figure) while keeping the mixing ratio of 2 and 13 unchanged. Therefore, a thick evaporated film can be formed on the portion where the evaporation material 12 is evaporated on the substrate 1. Further, since the spread of the vapor can be changed without intervening physical phenomena such as changes in the temperature and evaporation amount of the evaporation materials 12 and 13, the response time until the film thickness changes can be shortened. . It should be noted that in the state shown in the drawing, the vapor flow restricting plates 14 and 15 on both sides of the crucible 10 and the crucible 1 are provided.
The vapor flow restricting plate 16 on the downstream side of 1 may be raised or lowered to adjust the spread of the vapor of the evaporation material 12 or change the mixing ratio of the vapors of the evaporation materials 12 and 13.
【００２０】上述したように、本発明の真空蒸着装置の
成膜方法および真空蒸着装置によれば、蒸発材料１２，
１３の蒸気の広がりを種々に変化させることができるた
め、蒸着膜の制御範囲を大幅に拡大することができ、電
子銃の出力を変えたり、電子ビームの照射位置、照射時
間などのパターンを変えたりすることなく容易に所望の
蒸着膜を成形することができる。As described above, according to the film forming method of the vacuum vapor deposition apparatus and the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention, the evaporation material 12,
Since the spread of 13 vapor can be changed variously, the control range of the vapor deposition film can be greatly expanded, the output of the electron gun is changed, and the pattern such as the electron beam irradiation position and irradiation time is changed. A desired vapor-deposited film can be easily formed without causing any trouble.
【００２１】なお、本発明は上述した実施の形態に限定
されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更でき
ることは勿論である。The present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
【００２２】[0022]
【発明の効果】上述した本発明の真空蒸着装置の成膜方
法および真空蒸着装置によれば、それぞれのルツボの両
側に設けられた蒸気流規制板を昇降させることにより、
蒸発材料の蒸気の広がりを強制的に規制しているため、
蒸発材料の温度や蒸発量の変化などの物理現象を介在さ
せる必要がなく、さらに電子銃の出力などを変化させる
必要もない。したがって、蒸着膜の膜厚が変化するまで
の応答時間を大幅に短縮することができる。また、蒸発
材料の蒸気の広がりを自由に変化させることができるた
め、蒸着膜の制御範囲が大幅に拡大され、所望の蒸着膜
を容易に成形することができる、などの優れた効果を有
する。According to the film forming method of the vacuum vapor deposition apparatus and the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention described above, the vapor flow regulating plates provided on both sides of each crucible are raised and lowered,
Because the vapor spread of the evaporation material is forcibly regulated,
There is no need to intervene physical phenomena such as changes in the temperature and evaporation amount of the evaporation material, and it is not necessary to change the output of the electron gun. Therefore, the response time until the thickness of the vapor deposition film changes can be significantly shortened. In addition, since the spread of the vapor of the evaporation material can be freely changed, the control range of the vapor deposition film is greatly expanded, and a desired vapor deposition film can be easily formed, which is an excellent effect.
【図１】本発明の真空蒸着装置を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a vacuum vapor deposition device of the present invention.
【図２】下流側のルツボの上流側の蒸気流規制板および
上流側のルツボの下流側の蒸気流規制板をほぼ同じ高さ
まで上昇させたときの図である。FIG. 2 is a diagram when the steam flow restricting plate on the upstream side of the crucible on the downstream side and the steam flow restricting plate on the downstream side of the crucible on the upstream side are raised to substantially the same height.
【図３】下流側のルツボの上流側の蒸気流規制板および
上流側のルツボの下流側の蒸気流規制板をほぼ同じ高さ
まで下降させたときの図である。FIG. 3 is a diagram when the steam flow restricting plate on the upstream side of the downstream crucible and the steam flow restricting plate on the downstream side of the upstream crucible are lowered to substantially the same height.
【図４】下流側のルツボの下流側の蒸気流規制板および
上流側のルツボの上流側の蒸気流規制板をほぼ同じ高さ
まで上昇させたときの図である。FIG. 4 is a diagram when the vapor flow regulating plate on the downstream side of the crucible on the downstream side and the vapor flow regulating plate on the upstream side of the crucible on the upstream side are raised to substantially the same height.
【図５】上流側のルツボの上流側の蒸気流規制板のみを
下降させたときの図である。FIG. 5 is a diagram when only the upstream steam flow restricting plate of the upstream crucible is lowered.
【図６】従来の真空蒸着装置の全体構成図である。FIG. 6 is an overall configuration diagram of a conventional vacuum vapor deposition device.
１ 基板 ２ 電子ビーム ３ 電子銃 ４ 蒸発材料 ５ ルツボ ６ 真空チャンバー １０，１１ ルツボ １２，１３ 蒸発材料 １４，１５，１６，１７ 蒸気流規制板 １８，１９，２０，２１ アクチュエータ 1 substrate 2 electron beam 3 electron gun 4 evaporation material 5 crucible 6 vacuum chamber 10,11 crucible 12, 13 evaporation material 14, 15, 16, 17 vapor flow control plate 18, 19, 20, 21 actuator
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 昭博 神奈川県横浜市磯子区新中原町１番地 石 川島播磨重業株式会社技術研究所内 (72)発明者 松田 至康 神奈川県横浜市磯子区新中原町１番地 石 川島播磨重業株式会社横浜エンジニアリン グセンター内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akihiro Nomura No. 1 Shin-Nakahara-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Ishi Kawashima Harima Heavy Industries Co., Ltd. Technical Research Institute (72) Innovator, Yoshida Matsuda New Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Nakahara Town No. 1 Ishikawajima Harima Heavy Industries Co., Ltd. Yokohama Engineering Center
Claims (2)
料を収容する複数のルツボと、それらのルツボを内蔵し
真空排気された真空チャンバーとを備え、その蒸発材料
の湯面に電子ビームを照射して加熱、蒸発させて、真空
チャンバー内を連続して走行する帯状の基板に、蒸発材
料を蒸着して被膜を成形する真空蒸着装置の成膜方法に
おいて、 上記複数のルツボのそれぞれに対し、蒸気の広がりを調
節可能に規制することにより、蒸着膜の蒸発材料の混合
割合を調節する、ことを特徴とする真空蒸着装置の成膜
方法。1. An electron gun for radiating an electron beam, a plurality of crucibles for containing evaporation material, and a vacuum chamber which is provided with these crucibles and is evacuated to vacuum. In a film forming method of a vacuum vapor deposition apparatus for forming a coating film by vaporizing an evaporation material on a belt-shaped substrate which is irradiated, heated, evaporated, and continuously runs in a vacuum chamber, for each of the plurality of crucibles, A method for forming a film in a vacuum vapor deposition apparatus, wherein the mixing ratio of the evaporation material of the vapor deposition film is adjusted by controlling the spread of vapor to be adjustable.
料を収容する複数のルツボと、それらのルツボを内蔵し
真空排気された真空チャンバーとを備え、その蒸発材料
の湯面に電子ビームを照射して加熱、蒸発させて、真空
チャンバー内を連続して走行する帯状の基板に、蒸発材
料を蒸着して被膜を成形する真空蒸着装置において、 上記複数のルツボのそれぞれに対し、上記基板の進行方
向の上流側と下流側の両側に、上記基板の進行方向と交
差する方向に設けられた蒸気流規制板と、その各蒸気流
規制板を昇降させるアクチュエータと、その各アクチュ
エータを制御する制御装置と、を有し、上記蒸気流規制
板を昇降させることにより、蒸気の広がりを規制し、蒸
着膜の蒸発材料の混合割合を調節する、ことを特徴とす
る真空蒸着装置。2. An electron gun for radiating an electron beam, a plurality of crucibles for containing an evaporation material, and a vacuum chamber which is provided with these crucibles and is evacuated to vacuum. In a vacuum vapor deposition apparatus that irradiates, heats and evaporates, vapor-deposits evaporation material onto a strip-shaped substrate that continuously travels in a vacuum chamber to form a film, for each of the plurality of crucibles. Vapor flow restricting plates provided on both upstream and downstream sides of the advancing direction in a direction intersecting the advancing direction of the substrate, actuators for moving the respective vapor flow restricting plates up and down, and control for controlling each actuator. And a device for controlling the spread of vapor and adjusting the mixing ratio of the evaporation material of the vapor deposition film by elevating and lowering the vapor flow regulating plate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30127795A JPH09143696A (en) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | Formation of film with vacuum deposition device and device therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30127795A JPH09143696A (en) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | Formation of film with vacuum deposition device and device therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143696A true JPH09143696A (en) | 1997-06-03 |
Family
ID=17894892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30127795A Pending JPH09143696A (en) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | Formation of film with vacuum deposition device and device therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09143696A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011047051A (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Method and device for producing stoichiometric composition gradient layer and layer structure |
-
1995
- 1995-11-20 JP JP30127795A patent/JPH09143696A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011047051A (en) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Method and device for producing stoichiometric composition gradient layer and layer structure |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050822 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050826 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051216 |