JPH09143673A - Vacuum vapor deposition device - Google Patents
Vacuum vapor deposition deviceInfo
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- JPH09143673A JPH09143673A JP31041795A JP31041795A JPH09143673A JP H09143673 A JPH09143673 A JP H09143673A JP 31041795 A JP31041795 A JP 31041795A JP 31041795 A JP31041795 A JP 31041795A JP H09143673 A JPH09143673 A JP H09143673A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の蒸着膜の成
形に使用されない無効蒸着物を回収することができる真
空蒸着装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum vapor deposition apparatus capable of recovering ineffective vapor deposits that are not used for forming vapor deposition films on substrates.
【０００２】[0002]
【従来の技術】真空蒸着（vacuum vapor deposition)
は、真空中で金属を加熱して蒸発させ、蒸発金属を基板
（被処理材）の表面に凝固させて被膜を作る成膜プロセ
スである。かかる成膜プロセスにおいて、蒸着用金属
（蒸発材料）を加熱するために電子ビームを用い、帯状
の連続して走行する基板に金属を蒸着させる連続真空蒸
着装置が従来から知られている。この連続真空蒸着装置
は、通常の湿式メッキでは扱えない窒化物、炭化物、酸
化物などの蒸着が可能であり、かつ付着速度が大きいな
どの長所を有している。2. Description of the Related Art Vacuum vapor deposition
Is a film forming process in which a metal is heated and evaporated in a vacuum, and the evaporated metal is solidified on the surface of a substrate (material to be processed) to form a film. In such a film forming process, a continuous vacuum vapor deposition apparatus has been conventionally known in which an electron beam is used to heat a metal for vapor deposition (evaporation material) and vapor deposits the metal on a strip-shaped substrate that continuously runs. This continuous vacuum vapor deposition apparatus has the advantages that it can vapor deposit nitrides, carbides, oxides, etc., which cannot be handled by ordinary wet plating, and has a high deposition rate.
【０００３】図５は従来の真空蒸着装置の全体構成図で
ある。図に示す真空蒸着装置は、入側と出側に設けられ
る真空シール装置、予備加熱室、成膜室などからなり、
大気圧でアンコイラーから巻き戻された鋼板などからな
るストリップ（基板１）を入側真空シール装置を通して
真空状態とし、予備加熱室で予備加熱した後、成膜室で
成膜し、成膜後に出側真空シール装置を通し真空状態を
解除して大気圧中に取り出し、リコイラーで巻き取るよ
うになっている。FIG. 5 is an overall configuration diagram of a conventional vacuum vapor deposition apparatus. The vacuum vapor deposition apparatus shown in the figure consists of a vacuum sealing device provided on the inlet and outlet sides, a preheating chamber, a film forming chamber, etc.
A strip (substrate 1) made of steel sheet or the like unwound from an uncoiler at atmospheric pressure is put into a vacuum state through an inlet-side vacuum seal device, preheated in a preheating chamber, then film-formed in the film-forming chamber, and then discharged after film-forming. The vacuum state is released through the side vacuum seal device, the vacuum state is taken out, and it is taken up by the recoiler.
【０００４】成膜室は、電子ビーム２を放射する電子銃
３と、蒸発材料４を収容し、基板１の進行方向に並列し
て設けられた複数（図では２つ）のルツボ５と、それら
のルツボ５を内蔵し真空排気された真空チャンバー６と
からなり、その蒸発材料４の湯面に電子ビーム２を照射
して加熱、蒸発させて、真空チャンバー６内を連続して
走行する帯状の基板１に、蒸発材料４を蒸着して被膜
（以下、蒸着膜という）を成形している。なお、電子ビ
ーム２は、図示しない偏向磁極装置により発生する磁界
により、偏向されて蒸発材料４の湯面に照射されてい
る。The film forming chamber contains an electron gun 3 which emits an electron beam 2, a plurality of crucibles 5 (two in the figure) which are arranged in parallel in the traveling direction of the substrate 1 and contain an evaporation material 4. It comprises a crucible 5 and a vacuum chamber 6 which is evacuated and is evacuated, and the molten metal surface of the evaporation material 4 is irradiated with an electron beam 2 to heat and evaporate the evaporating material 4 to continuously run in the vacuum chamber 6. The evaporation material 4 is vapor-deposited on the substrate 1 to form a coating film (hereinafter referred to as vapor deposition film). The electron beam 2 is deflected by a magnetic field generated by a deflection magnetic pole device (not shown) and is applied to the molten metal surface of the evaporation material 4.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述した真空蒸着装置
において、真空チャンバー内で電子銃から電子ビームを
照射し、ルツボの蒸発材料を溶解、蒸発させて蒸気流を
発生させて基板に蒸着させる際には、蒸気流の一部はル
ツボから基板へ至るまでの間に真空チャンバーの内壁に
蒸着してしまう（これを無効蒸着物という）。そこで、
このような位置には一般に防着板を真空チャンバー内に
固定して設け、真空チャンバー自体への蒸着を防止し、
防着板に付着した無効蒸着物を回収している。しかし、
真空蒸着装置のライン上では、幅の異なる基板が連結さ
れて連続的に流されて、蒸着膜が成形されているため、
幅の広い基板に合わせて防着板を固定すれば、幅の狭い
基板を蒸着するときに、その隙間から蒸気が漏れてしま
い、真空チャンバーに付着してしまう。また、逆に、幅
の狭い基板に合わせて防着板を固定すれば、幅の広い基
板を蒸着するときに、防着板が邪魔になり、基板に蒸着
膜を均一な膜厚で成形することができない。さらに、一
般にルツボの幅は、幅の広い基板に合わせられているた
め、幅の狭い基板を蒸着するときには、過剰の蒸気が発
生し、無効蒸着物が増加してしまう、などの問題があっ
た。In the above-described vacuum vapor deposition apparatus, when an electron beam is irradiated from an electron gun in a vacuum chamber to melt and vaporize the evaporation material of the crucible to generate a vapor flow for vapor deposition on a substrate. In addition, a part of the vapor flow is vapor-deposited on the inner wall of the vacuum chamber between the crucible and the substrate (this is called an ineffective vapor deposit). Therefore,
At such a position, a deposition preventive plate is generally fixedly provided in the vacuum chamber to prevent vapor deposition on the vacuum chamber itself,
The ineffective deposits attached to the deposition preventive plate are collected. But,
On the line of the vacuum vapor deposition device, substrates with different widths are connected and continuously flowed to form a vapor deposition film.
If the adhesion-preventing plate is fixed to the wide substrate, vapor will leak from the gap when depositing the narrow substrate and adhere to the vacuum chamber. On the contrary, if the deposition preventive plate is fixed to the narrow substrate, the deposition preventive plate becomes an obstacle when the wide substrate is vapor-deposited, and the vapor deposition film is formed on the substrate with a uniform film thickness. I can't. Further, since the width of the crucible is generally adjusted to the wide substrate, there is a problem that when vapor-depositing the narrow substrate, excessive vapor is generated and the amount of ineffective deposits increases. .
【０００６】本発明は、上記課題を解決するために創案
されたものである。すなわち、基板の幅に関係なく無効
蒸着物を効率よく回収することができる真空蒸着装置を
提供することを目的とする。The present invention was created to solve the above problems. That is, it is an object of the present invention to provide a vacuum vapor deposition apparatus capable of efficiently collecting ineffective vapor deposits regardless of the width of a substrate.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、電子ビ
ームを放射する電子銃と、蒸発材料を収容するルツボ
と、そのルツボを内蔵し真空排気された真空チャンバー
とを備え、その蒸発材料の湯面に電子ビームを照射して
加熱、蒸発させて、真空チャンバー内を連続して走行す
る帯状の基板に、蒸発材料を蒸着して被膜を成形する真
空蒸着装置において、上記ルツボから上記基板に至る蒸
発材料の蒸気の移動経路の周囲に設けられた回収パネル
と、その基板の両側に設けられた回収パネルを基板の幅
に対応させて基板の幅方向に移動させるアクチュエータ
と、そのアクチュエータを制御する制御装置と、を設け
たことを特徴とする真空蒸着装置が提供される。According to the present invention, there is provided an electron gun for emitting an electron beam, a crucible for containing an evaporation material, and a vacuum chamber in which the crucible is built and which is evacuated to vacuum. In a vacuum vapor deposition apparatus for irradiating an electron beam on the molten metal surface to heat and evaporate the vaporized material to vapor-deposit evaporation material onto a strip-shaped substrate continuously running in a vacuum chamber to form a film, from the crucible to the substrate. The recovery panel provided around the movement path of the vapor of the evaporation material reaching to, the actuator that moves the recovery panels provided on both sides of the substrate in the width direction of the substrate corresponding to the width of the substrate, and the actuator. There is provided a vacuum vapor deposition device, which is provided with a control device for controlling.
【０００８】上述の本発明の構成によれば、ルツボから
基板に至る蒸発材料の蒸気の移動経路の基板の両側に設
けられた回収パネルを基板の幅に対応させて基板の幅方
向に移動させることにより、基板の幅が変化したときの
基板と回収パネルの隙間を無くすことができ、無効蒸着
物が真空チャンバーに付着するのを防止することができ
る。According to the above-mentioned configuration of the present invention, the recovery panels provided on both sides of the substrate of the moving path of the vapor of the evaporation material from the crucible to the substrate are moved in the width direction of the substrate in correspondence with the width of the substrate. As a result, it is possible to eliminate the gap between the substrate and the recovery panel when the width of the substrate changes, and prevent the ineffective vapor deposition material from adhering to the vacuum chamber.
【０００９】また、本発明の実施の形態によれば、上記
ルツボの蒸発材料を収容する部分の内面に幅方向に摺動
可能に設けられ、その蒸発材料を収容する部分の幅を基
板の幅に対応して変更するルツボ幅変更板と、そのルツ
ボ幅変更板を移動させるアクチュエータと、を設けるこ
とが好ましい。上述の本発明の構成によれば、ルツボ幅
変更板により、ルツボの蒸発材料を収容する部分の幅を
基板の幅に対応して変更させているため、基板の幅が変
化したときの過剰な蒸気の発生を抑制することができ
る。Further, according to the embodiment of the present invention, the crucible is provided slidably in the width direction on the inner surface of the portion containing the evaporation material, and the width of the portion containing the evaporation material is the width of the substrate. It is preferable to provide a crucible width changing plate that changes according to the above and an actuator that moves the crucible width changing plate. According to the configuration of the present invention described above, since the width of the portion of the crucible that accommodates the evaporation material is changed in accordance with the width of the substrate by the crucible width changing plate, an excessive amount when the width of the substrate changes Generation of steam can be suppressed.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を図１から図４を参照して説明する。なお、各図にお
いて従来と共通する部分には同一の符号を付して使用す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In each drawing, the same parts as those in the conventional art are designated by the same reference numerals and used.
【００１１】本発明の真空蒸着装置は、図５に示した従
来の真空蒸着装置とほぼ同様の真空蒸着装置に適用され
るものであり（説明は省略する）、基板の蒸着膜の成形
に使用されない無効蒸着物を効率よく回収しようとする
ものである。The vacuum vapor deposition apparatus of the present invention is applied to a vacuum vapor deposition apparatus which is almost the same as the conventional vacuum vapor deposition apparatus shown in FIG. 5 (the description is omitted), and is used for forming a vapor deposition film on a substrate. It is intended to efficiently recover the ineffective vapor deposits that are not retained.
【００１２】図１は、本発明の真空蒸着装置を示す構成
図である。なお、本図は図５で説明した真空蒸着装置の
真空チャンバー６内のみを図示したものである。図に示
す真空蒸着装置は、ルツボ５に収容された蒸発材料４の
湯面に電子ビーム（図示せず）を照射して加熱、蒸発さ
せて、真空チャンバー６内を連続して走行する帯状の基
板１に、蒸発材料４を蒸着して被膜を成形するものであ
って、ルツボ５から基板１に至る蒸発材料４の蒸気の移
動経路の周囲に設けられた回収パネル７と、その内の基
板１の両側に設けられた回収パネル７Ｌ，７Ｒを基板１
の幅に対応させて基板１の幅方向に移動させるアクチュ
エータ８，９と、そのアクチュエータ８，９を制御する
制御装置と、を設けたものである。なお、蒸気の広がり
（蒸気流）を一点鎖線で示し、無効蒸着物となる過剰な
蒸気を三角形散点部で示している。FIG. 1 is a block diagram showing a vacuum vapor deposition apparatus of the present invention. It should be noted that this drawing shows only the inside of the vacuum chamber 6 of the vacuum vapor deposition apparatus described in FIG. The vacuum vapor deposition apparatus shown in the drawing radiates an electron beam (not shown) on the molten metal surface of the evaporation material 4 housed in the crucible 5 to heat and evaporate it, so that the vacuum chamber 6 continuously travels inside the vacuum chamber 6. A vapor deposition material 4 is vapor-deposited on a substrate 1 to form a coating film. The recovery panel 7 is provided around a movement path of vapor of the evaporation material 4 from the crucible 5 to the substrate 1, and a substrate therein. The recovery panels 7L and 7R provided on both sides of the substrate 1
The actuators 8 and 9 that move in the width direction of the substrate 1 in accordance with the width of the substrate 1 and the control device that controls the actuators 8 and 9 are provided. It should be noted that the spread of vapor (vapor flow) is shown by a chain line, and excess vapor that becomes ineffective vapor deposition is shown by triangular points.
【００１３】上記基板１としては通常の炭素鋼鋼板やス
テンレス鋼板などが使用される。図１において、基板１
の進行方向は紙面の表から裏に向かう方向であり、その
幅はＤ1 である。As the substrate 1, an ordinary carbon steel plate, a stainless steel plate or the like is used. In FIG. 1, a substrate 1
Is in the direction from the front to the back of the paper, and its width is D 1 .
【００１４】上記回収パネル７は、基板１の進行方向の
上流側、下流側および基板１の両側に全部で４枚あり、
四角錐台形状をなすように設けられている。上流側と下
流側の回収パネル７，７（図示せず）は、真空チャンバ
ー６内に固定されており、基板１の両側に設けられた回
収パネル７Ｌ，７Ｒの裏面にのみ上記アクチュエータ
８，９の先端が連結されて基板１の幅方向に平行移動で
きるようになっている。また、これらの回収パネル７の
裏面には、回収パネル７の内面に付着した無効蒸着物を
溶融して回収パネル７の内面に添って滴下させるヒータ
（図示せず）が設けられている。さらに、回収パネル７
の下端面の下には、回収パネル７と同じ長さを有する受
け皿１０が設けられており、溶融された無効蒸着物を回
収するようになっている。この受け皿１０は、図示する
ように回収パネル７に固定して回収パネル７Ｌ，７Ｒの
移動に伴って移動するようにしてもよいし、回収パネル
７Ｌ，７Ｒの可動範囲の全域をカバーするように幅の広
いものを真空チャンバー６内に固定してもよい。There are a total of four recovery panels 7 on the upstream and downstream sides of the substrate 1 in the traveling direction and on both sides of the substrate 1,
It is provided so as to form a truncated pyramid shape. The upstream and downstream recovery panels 7, 7 (not shown) are fixed in the vacuum chamber 6, and the actuators 8, 9 are provided only on the back surfaces of the recovery panels 7L, 7R provided on both sides of the substrate 1. The tips of the substrates are connected so that they can be translated in the width direction of the substrate 1. A heater (not shown) is provided on the rear surface of the recovery panel 7 to melt the ineffective vapor deposition material attached to the inner surface of the recovery panel 7 and drop it along the inner surface of the recovery panel 7. Furthermore, the collection panel 7
A tray 10 having the same length as that of the recovery panel 7 is provided below the lower end surface of the so that the molten ineffective deposit is recovered. The tray 10 may be fixed to the collection panel 7 as shown in the figure and moved along with the movement of the collection panels 7L and 7R, or may cover the entire movable range of the collection panels 7L and 7R. A wide object may be fixed in the vacuum chamber 6.
【００１５】上記アクチュエータ８，９は、エアシリン
ダ、油圧シリンダ、モータ駆動のねじ機構などが用いら
れ、パソコンなどの制御装置によりそれぞれ単独に制御
することができるようになっている。また、その設置数
はアクチュエータ８，９の出力や回収パネル７Ｌ，７Ｒ
の大きさなどの諸条件により、１つでもよいし、複数で
もよい。なお、この制御装置は真空チャンバー６外に設
置されており、各アクチュエータ８，９は図示しない支
持台により真空チャンバー６内に固定されている。The actuators 8 and 9 include air cylinders, hydraulic cylinders, screw mechanisms driven by motors, etc., and can be independently controlled by a control device such as a personal computer. Also, the number of installations is the output of the actuators 8 and 9 and the collection panels 7L and 7R.
Depending on various conditions such as size, the number may be one or more. The control device is installed outside the vacuum chamber 6, and the actuators 8 and 9 are fixed inside the vacuum chamber 6 by a support (not shown).
【００１６】図２は、図１において基板の幅が変化した
ときの図である。図に示すように基板１の幅はＤ1 から
Ｄ2 に狭くなっている。このように基板１の幅が変化し
たときには、制御装置に変化後の基板１の幅Ｄ2 の値を
入力して、その基板１の幅Ｄ 2 に対応する回収パネル７
Ｌ，７Ｒの移動距離を制御装置で計算し、その計算結果
をアクチュエータ８，９に転送し、回収パネル７Ｌ，７
Ｒを所定距離だけ平行移動させる。このとき、回収パネ
ル７Ｌ，７Ｒは、蒸発材料４の蒸気の広がりが基板１の
蒸着膜の成形に必要な最小限となるように移動されるた
め、回収パネル７Ｌ，７Ｒに付着する無効蒸着物が増加
することになるが、基板１と回収パネル７Ｌ，７Ｒの隙
間を最小限にしているため、蒸発材料４の蒸気が隙間か
ら漏れて真空チャンバー６に付着するのを防止すること
ができる。また、真空チャンバー６内に基板１の幅を計
測するセンサ（図示せず）を設け、そのセンサの出力を
制御装置に転送することにより、回収パネル７Ｌ，７Ｒ
の移動距離を自動的に計算するようにしてもよい。な
お、基板１の幅が広くなったときは、例えば、図２の状
態（基板１の幅Ｄ2 ）から図１の状態（基板１の幅
Ｄ1 ）になるように回収パネル７Ｌ，７Ｒを移動させれ
ばよい。FIG. 2 shows that the width of the substrate has changed in FIG.
FIG. As shown in the figure, the width of the substrate 1 is D1From
DTwoIt is narrow. In this way the width of the substrate 1 changes
The width D of the substrate 1 after the change to the control deviceTwoThe value of
Enter the width D of the board 1 TwoCollection panel 7 corresponding to
Calculate the moving distance of L, 7R by the control device, and the calculation result
Is transferred to the actuators 8 and 9, and the recovery panels 7L and 7
Translate R by a predetermined distance. At this time, the recovery panel
7L and 7R, the spread of the vapor of the evaporation material 4 is
Moved to the minimum required for forming the deposited film
Therefore, the amount of ineffective vapor deposition on the collection panels 7L and 7R increases
However, the gap between the substrate 1 and the recovery panels 7L and 7R
Since the space is minimized, is the vapor of the evaporation material 4 a gap?
From leaking and sticking to the vacuum chamber 6
Can be. In addition, the width of the substrate 1 is measured in the vacuum chamber 6.
Provide a sensor (not shown) to measure the output of that sensor
By transferring to the control device, recovery panels 7L, 7R
The moving distance of may be automatically calculated. What
When the width of the substrate 1 becomes wider, for example, the state of FIG.
State (width D of substrate 1Two) To the state of FIG. 1 (width of substrate 1
D1Move the recovery panels 7L and 7R so that
I just need.
【００１７】図３は、本発明の真空蒸着装置の他の実施
の形態を示す構成図であり、図１と同様なものである。
ただし、受け皿１０は省略してある。この真空蒸着装置
は、回収パネル７Ｌ，７Ｒの移動に加えて、基板１の幅
に対応してルツボ１１の蒸発材料４を収容する部分の幅
をも変更しようとするものである。図に示すように、ル
ツボ１１の蒸発材料４を収容する部分の内面に幅方向に
摺動可能に設けられ、その蒸発材料４を収容する部分の
幅を基板１の幅に対応して変更するルツボ幅変更板１
２，１２と、そのルツボ幅変更板１２，１２を移動させ
るアクチュエータ１３，１４とを設け、それらのアクチ
ュエータ１３，１４を回収パネル７Ｌ，７Ｒの移動を制
御する制御装置により制御するものである。FIG. 3 is a block diagram showing another embodiment of the vacuum vapor deposition apparatus of the present invention, which is similar to FIG.
However, the tray 10 is omitted. In addition to the movement of the recovery panels 7L and 7R, this vacuum vapor deposition device also attempts to change the width of the portion of the crucible 11 that accommodates the evaporation material 4 in accordance with the width of the substrate 1. As shown in the drawing, the crucible 11 is provided slidably in the width direction on the inner surface of the portion containing the evaporation material 4, and the width of the portion containing the evaporation material 4 is changed according to the width of the substrate 1. Crucible width changing plate 1
2, 12 and actuators 13, 14 for moving the crucible width changing plates 12, 12 are provided, and these actuators 13, 14 are controlled by a control device for controlling the movement of the recovery panels 7L, 7R.
【００１８】上記ルツボ幅変更板１２，１２はルツボ１
１よりも背が高く、その突出部にアクチュエータ１３，
１４の先端が連結されている。このアクチュエータ１
３，１４は、それぞれ単独に制御することができるよう
になっており、その出力やルツボ幅変更板１２の大きさ
などの諸条件により、その設置数は１つでもよいし、複
数でもよい。なお、各アクチュエータ１３，１４は図示
しない支持台により真空チャンバー６内に固定されてい
る。また、図示しないが、アクチュエータ１３，１４の
先端をルツボ１１の側面を貫通してルツボ幅変更板１
２，１２に連結して移動させるようにしてもよい。The crucible width changing plates 12 and 12 are the crucible 1
It is taller than 1, and the actuator 13,
The tips of 14 are connected. This actuator 1
3, 14 can be independently controlled, and depending on various conditions such as the output thereof and the size of the crucible width changing plate 12, the number thereof may be one or plural. The actuators 13 and 14 are fixed in the vacuum chamber 6 by a support (not shown). Although not shown, the tip ends of the actuators 13 and 14 penetrate the side surface of the crucible 11 to change the width of the crucible 1.
You may make it move by connecting with 2 and 12.
【００１９】図４は、図３において基板の幅が変化した
ときの図である。図に示すように基板１の幅はＤ1 から
Ｄ2 に狭くなっている。このように基板１の幅が変化し
たときには、制御装置によりルツボ幅変更板１２の移動
距離を計算し、その計算結果をアクチュエータ１３，１
４に転送し、ルツボ幅変更板１２，１２を所定距離だけ
平行移動させる。回収パネル７Ｌ，７Ｒの移動について
は上述したとおりである。このように、基板１の幅に対
応してルツボ１１の蒸発材料４を収容する部分の幅を変
更することにより、基板１の蒸着膜の成形に使用されな
い過剰の蒸気の発生を抑制して無駄を省くことができる
とともに、回収パネル７Ｌ，７Ｒに付着する無効蒸着物
を減少させて無効蒸着物を効率よく回収することができ
る。FIG. 4 is a diagram when the width of the substrate changes in FIG. As shown in the figure, the width of the substrate 1 is narrowed from D 1 to D 2 . When the width of the substrate 1 changes in this way, the control unit calculates the moving distance of the crucible width changing plate 12, and the calculated result is used as the actuator 13,1.
4, and the crucible width changing plates 12 and 12 are moved in parallel by a predetermined distance. The movement of the recovery panels 7L and 7R is as described above. In this way, by changing the width of the portion of the crucible 11 that accommodates the evaporation material 4 in accordance with the width of the substrate 1, it is possible to suppress the generation of excess vapor that is not used for forming the vapor deposition film on the substrate 1 and waste it. It is possible to reduce the amount of ineffective vapor deposition material that adheres to the recovery panels 7L and 7R and efficiently recover the ineffective vapor deposition material.
【００２０】なお、本発明は上述した実施の形態に限定
されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更でき
ることは勿論である。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
【００２１】[0021]
【発明の効果】上述した本発明の真空蒸着装置によれ
ば、基板の幅の変化に対応して無効蒸着物を回収するた
めの回収パネルを移動させているため、基板の幅が変化
しても、基板と回収パネルとの隙間を最小限に抑制する
こができ、蒸発材料の蒸気が漏れて無効蒸着物として真
空チャンバー内に付着するのを防止することができる。
また、基板の幅の変化に対応してルツボの幅をも変更す
ることにより、過剰の蒸気の発生を抑制し、回収パネル
に付着する無効蒸着物を減少させ、無効蒸着物を効率よ
く回収することができる、などの優れた効果を有する。According to the above-described vacuum vapor deposition apparatus of the present invention, since the recovery panel for recovering the ineffective vapor deposition material is moved corresponding to the change in the width of the substrate, the width of the substrate changes. Also, the gap between the substrate and the recovery panel can be minimized, and the vapor of the evaporation material can be prevented from leaking and adhering to the vacuum chamber as an ineffective vapor deposition product.
In addition, by changing the width of the crucible in response to the change in the width of the substrate, the generation of excess vapor is suppressed, the amount of ineffective vapor deposited on the recovery panel is reduced, and the ineffective vapor deposit is efficiently recovered. It has an excellent effect such as being able to.
【図１】本発明の真空蒸着装置を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing a vacuum vapor deposition device of the present invention.
【図２】図１において基板の幅が変化したときの図であ
る。FIG. 2 is a diagram when the width of the substrate changes in FIG.
【図３】本発明の真空蒸着装置の他の実施の形態を示す
構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram showing another embodiment of the vacuum vapor deposition device of the present invention.
【図４】図３において基板の幅が変化したときの図であ
る。FIG. 4 is a diagram when the width of the substrate changes in FIG.
【図５】従来の真空蒸着装置の全体構成図である。FIG. 5 is an overall configuration diagram of a conventional vacuum vapor deposition device.
１ 基板 ２ 電子ビーム ３ 電子銃 ４ 蒸発材料 ５ ルツボ ６ 真空チャンバー ７ 回収パネル ８，９ アクチュエータ １０ 受け皿 １１ ルツボ １２ ルツボ幅変更板 １３，１４ アクチュエータ 1 substrate 2 electron beam 3 electron gun 4 evaporation material 5 crucible 6 vacuum chamber 7 recovery panel 8, 9 actuator 10 saucer 11 crucible 12 crucible width changing plate 13, 14 actuator
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 昭博 神奈川県横浜市磯子区新中原町１番地 石 川島播磨重業株式会社技術研究所内 (72)発明者 松田 至康 神奈川県横浜市磯子区新中原町１番地 石 川島播磨重業株式会社横浜エンジニアリン グセンター内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akihiro Nomura No. 1 Shin-Nakahara-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Ishi Kawashima Harima Heavy Industries Co., Ltd. Technical Research Institute (72) Innovator, Yoshida Matsuda New Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Nakahara Town No. 1 Ishikawajima Harima Heavy Industries Co., Ltd. Yokohama Engineering Center
Claims (2)
料を収容するルツボと、そのルツボを内蔵し真空排気さ
れた真空チャンバーとを備え、その蒸発材料の湯面に電
子ビームを照射して加熱、蒸発させて、真空チャンバー
内を連続して走行する帯状の基板に、蒸発材料を蒸着し
て被膜を成形する真空蒸着装置において、 上記ルツボから上記基板に至る蒸発材料の蒸気の移動経
路の周囲に設けられた回収パネルと、その基板の両側に
設けられた回収パネルを基板の幅に対応させて基板の幅
方向に移動させるアクチュエータと、そのアクチュエー
タを制御する制御装置と、を設けたことを特徴とする真
空蒸着装置。1. An electron gun for radiating an electron beam, a crucible for containing an evaporation material, and a vacuum chamber evacuated and having the crucible built therein, and irradiating an electron beam on a molten metal surface of the evaporation material. In a vacuum vapor deposition apparatus that heats and evaporates to vapor-deposit evaporation material onto a strip-shaped substrate that continuously travels in a vacuum chamber to form a film, a vapor movement path of evaporation material from the crucible to the substrate A collection panel provided around the board, an actuator for moving the collection panel provided on both sides of the board in the width direction of the board corresponding to the width of the board, and a control device for controlling the actuator are provided. A vacuum vapor deposition device characterized by.
内面に幅方向に摺動可能に設けられ、その蒸発材料を収
容する部分の幅を基板の幅に対応して変更するルツボ幅
変更板と、そのルツボ幅変更板を移動させるアクチュエ
ータと、を設けた請求項１記載の真空蒸着装置。2. A crucible width changing plate which is provided slidably in the width direction on the inner surface of a portion of the crucible for containing the evaporation material, and which changes the width of the portion for containing the evaporation material according to the width of the substrate. The vacuum vapor deposition apparatus according to claim 1, further comprising: an actuator that moves the crucible width changing plate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31041795A JPH09143673A (en) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | Vacuum vapor deposition device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31041795A JPH09143673A (en) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | Vacuum vapor deposition device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143673A true JPH09143673A (en) | 1997-06-03 |
Family
ID=18005011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31041795A Pending JPH09143673A (en) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | Vacuum vapor deposition device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09143673A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106597139A (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-26 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ionization rate detection device and method |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP31041795A patent/JPH09143673A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106597139A (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-26 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | Ionization rate detection device and method |
| CN106597139B (en) * | 2015-10-15 | 2019-07-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | A kind of ionization level detection device and method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050822 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050825 |
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Effective date: 20051214 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |