JPH09129822A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48724—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/485—Material
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- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48747—Copper (Cu) as principal constituent
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Abstract
封止工程を簡略化するとともに、高価な部品を用いるこ
となく製造コストを低減し、かつ電力用素子が発する熱
の放熱効率を高めて、製品定格を向上した半導体装置を
得る。 【解決手段】 電力用素子101および制御用素子10
2は水平に配置されたリードフレーム103aおよび1
03b上の所定位置に配置されている。放熱板104の
主面上にはエポキシ樹脂などで絶縁層105が形成さ
れ、絶縁層105の主面上には、所定の回路パターンに
合わせて回路パターン層106が形成され、回路パター
ン層106の上にはリードフレーム103aおよび10
3bが配置されている。
Description
半導体装置に関し、特にリードフレーム上に電力用素子
および制御用素子を配置した半導体装置に関する。
制御するための制御用素子を内蔵してモジュール化され
たインテリジェントパワーモジュール型半導体装置(以
後IPMと略記)が開発されている。
として、IPM100の構成を断面図として示す。図1
2において、IPM100は電力用素子1および制御用
素子2を載置するための土台となるとともに、通電時に
電力用素子1が発する熱を外部に放熱する金属性の放熱
板3を備えている。放熱板3の主面上には、DBC(ダ
イレクトボンドカッパ)基板4aおよび4bが半田付け
により接合されている(図においては半田を符号SDで
示す)。ここで、DBC基板とは、アルミナセラミック
ス板の両主面上に、銅箔を酸化結合により直接に接合し
たものである。
所定の回路パターンが形成され、当該回路パターンに合
わせて電力用素子1および、電力用素子1と外部との電
気的接続を行う主端子5が半田付けにより接合されてい
る。電力用素子1はIGBT(Insulated Gate Bipolar
Transistor)1aとフリーホイールダイオード(Free
wheeling diode)1bとを備えている。主端子5はDB
C基板4aの一方の主面に対して垂直方向に延在するよ
うに配置されている。
DBC基板4cが半田付けにより接合されている。そし
て、DBC基板4cの主面上には制御用素子2および、
制御用素子2と外部との電気的接続を行う制御端子6が
半田付けにより接合されている。制御端子6はDBC基
板4cの一方の主面に対して垂直方向に延在するように
配置されている。
7aを介して電力用素子1に与えられ、電力用素子1の
入出力はアルミワイヤ配線W2を介して主端子5に接続
され、制御用素子2はアルミワイヤ配線W3を介して制
御端子6に電気的に接続されている。なお、電力用素子
1と制御用素子2との間はアルミワイヤ配線W4により
電気的に接続されている。
は、制御用素子2はDBC基板4cを介してDBC基板
bの上に配置されている。これは、電力用素子1の定格
が極めて大きい場合、電力用素子1の動作によって生じ
るノイズが制御用素子2に及ぼす影響を低減するための
構成であり、DBC基板4cは電気的なノイズに対する
シールドとして機能する。なお、IPM100の製品定
格としては例えば出力電流600A、耐電圧2000V
程度のものが得られる。なお、IPM100はDBC基
板4bの上のDBC基板4cをシールドとして用いるの
で、シールド層付加型の半導体装置と呼称される。
として、DBC基板を有しないIPM200の構成を断
面図として示す。図13において、IPM200は電力
用素子11および制御用素子12を載置するための土台
となるとともに、通電時に電力用素子11が発する熱を
外部に放熱する金属性の放熱板13を備えている。放熱
板13の主面上にはエポキシ樹脂などで絶縁層14が形
成され、絶縁層14の主面上には、所定の回路パターン
に合わせて形成された回路パターン層15が設けられて
いる。回路パターン層15は、例えば銅とアルミのクラ
ッド箔で形成され、絶縁層14の主面上に特殊な接着剤
(図示せず)で接着されている。ここで、放熱板13、
絶縁層14、回路パターン層15で構成される板状体を
絶縁金属基板IMと呼称する。
ンに合わせて電力用素子11および、電力用素子11と
外部との電気的接続を行う主端子18が半田付けにより
接合されている(図においては半田を符号SDで示
す)。電力用素子11はIGBT(Insulated Gate Bip
olar Transistor)11aとフリーホイールダイオード
(Free wheeling diode)11bとを備えている。主端
子18は回路パターン層15の主面に対して垂直方向に
延在するように配置されている。
用素子12の配置に対応してガラスエポキシ基板(glas
s cloth epoxy resin substrate)16が特殊な接着剤
(図示せず)で接着されている。ガラスエポキシ基板1
6の主面上には回路パターン層15の回路パターンに合
わせて形成された導体層17が設けられている。なお、
導体層17はガラスエポキシ基板16の製造過程におい
て、例えば銅箔を加熱圧着して形成される。
び、制御用素子12と外部との電気的接続を行う制御端
子19が半田付けにより接合されている。制御端子19
は導体層17の主面に対して垂直方向に延在するように
配置されている。制御用素子12からの制御信号はアル
ミワイヤ配線W1を介して電力用素子11に与えられ、
電力用素子11の入出力はアルミワイヤ配線W2を介し
て主端子18に接続され、制御用素子12はアルミワイ
ヤ配線W3を介して制御端子19に電気的に接続されて
いる。
は、制御用素子12はガラスエポキシ基板16の回路パ
ターン層15上に配置され、ガラスエポキシ基板16は
絶縁金属基板IM上に配置されている。ここで、絶縁層
14と回路パターン層15を合わせて第1層と呼称し、
ガラスエポキシ基板16と導体層17を合わせて第2層
と呼称すると、制御用素子12は第1層および第2層に
よって電気的なノイズから保護されることになる。
の定格が比較的大きい場合、電力用素子11の動作によ
って生じるノイズが制御用素子12に及ぼす影響を低減
することができる。なお、IPM200の製品定格とし
ては例えば出力電流75A、耐電圧1200V程度のも
のが得られる。なお、IPM200は第1層および第2
層を有した2層基板を使用しているので2層基板使用型
の半導体装置と呼称される。
を示す。図14において絶縁金属基板IMを取り囲むよ
うに樹脂ケース20が装着され、絶縁金属基板IMを底
板、樹脂ケース20を側壁として箱体が形成されてい
る。そして、箱体の内部には電力用素子11および制御
用素子12を埋め込むようにシリコンゲル21が注入さ
れ、シリコンゲル21の上部には箱体を密閉するための
樹脂蓋22が、例えばエポキシ樹脂によって形成されて
いる。また、IPM100においても同様に樹脂ケース
を用いて箱体を形成し、シリコンゲルを注入し樹脂を硬
化させて密閉する構成となっている。
する必要があり、また、樹脂ケースを絶縁金属基板IM
あるいは放熱板3に装着する工程が必要であった。さら
に、絶縁金属基板IMや2層になった基板はコスト的に
高価であり製造コストの点では問題があった。そこで、
最近では樹脂ケースを使用せず、トランスファー成形
(transfer molding)により樹脂封止を行う、トランス
ファーモールド型の半導体装置が製作されている。
ーモールド型の半導体装置としてIPM300の構成を
断面図として示す。図15において、電力用素子31お
よび制御用素子32は水平に配置されたリードフレーム
33aおよび33b上の所定位置に載置されている。そ
して、制御用素子32からの制御信号はアルミワイヤ配
線W1を介して電力用素子31に与えられ、電力用素子
31の入出力はアルミワイヤ配線W2を介してリードフ
レーム33aに電気的に接続され、制御用素子32はア
ルミワイヤ配線W3を介してリードフレーム33bに電
気的に接続されている。
の下部には、通電時に電力用素子31が発する熱を外部
に放熱する金属性の放熱板34がモールド樹脂MRを介
して設けられ、放熱板34と、リードフレーム33aお
よび33bとその上に設けられた電力用素子31および
制御用素子32はモールド樹脂MRによって封止されて
いる。このようにリードフレーム33aおよび33b上
に電力用素子31および制御用素子32を配置すること
で、トランスファー成形により樹脂封止することが可能
となる。
より樹脂封止されたIPM300においては、リードフ
レーム33aと放熱板34との間にはモールド樹脂MR
が介在しているので、通電時に電力用素子31が発する
熱はモールド樹脂MRを介して放熱板34に伝達される
ことになる。従って、IPM100およびIPM200
に比べて放熱効率は低く、電力用素子1あるいは電力用
素子11のような定格の大きな電力用素子には対応でき
ず、IPM300の製品定格としては例えば出力電流3
0A、耐電圧1200V程度であった。
IPM100およびIPM200では樹脂ケースを使用
して樹脂封止する必要があり、樹脂ケースを絶縁金属基
板IMあるいは放熱板3に装着する工程が必要であっ
た。さらに、絶縁金属基板IMや2層基板はコスト的に
高価(2層基板の価格は同一面積の絶縁金属基板の2〜
3倍)であり製造コストが高いという問題があった。
形により樹脂封止を行うので、IPM100およびIP
M200に比べて樹脂封止工程は簡略化され、絶縁金属
基板IMや2層になった基板を使用しないのでコスト的
には安価であるが、電力用素子31が発する熱はモール
ド樹脂MRを介して放熱板34に伝達されるので、IP
M100およびIPM200に比べて放熱効率が低く、
電力用素子31の定格を大きくできないという問題があ
った。また、少しでも放熱効率を高めるには、リードフ
レーム33aと放熱板34との間のモールド樹脂MRを
極力薄く均一にしなければならず、2度に分けてモール
ドを行う必要があるなど、加工性に問題があった。
めになされたもので、トランスファー成形を用いること
により樹脂封止工程を簡略化するとともに、高価な部品
を用いることなく製造コストを低減し、かつ電力用素子
が発する熱の放熱効率を高めて、製品定格を向上した半
導体装置を得ることを目的とする。
載の半導体装置は、絶縁金属基板と、第1と第2の回路
部を有し、前記絶縁金属基板上に設けられたリードフレ
ームと、前記リードフレームの前記第1の回路部の上に
設けられた電力用素子と、前記リードフレームの前記第
2の回路部の上に設けられ、前記電力用素子を制御する
制御用素子とを備え、前記絶縁金属基板は、前記半導体
装置の動作時に前記電力用素子が発する熱を外部に放熱
する放熱板と、前記放熱板の上主面の上に形成された絶
縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記第1と第2の回
路部にそれぞれ対応する第1と第2の回路パターンを有
する回路パターン層とを有し、前記リードフレームの前
記第1と第2の回路部が、前記第1および第2の回路パ
ターン上にそれぞれ接合され、前記放熱板の下主面が露
出するようにトランスファー成形により樹脂封止されて
いる。
は、絶縁基体と、第1と第2の回路部を有し、前記絶縁
基体上に設けられたリードフレームと、前記リードフレ
ームの前記第1の回路部の上に設けられた電力用素子
と、前記リードフレームの前記第2の回路部の上に設け
られ、前記電力用素子を制御する制御用素子と、前記絶
縁基体の下主面が接合され、前記半導体装置の動作時に
前記電力用素子が発する熱を外部に放熱する放熱板とを
備え、前記絶縁基体は、熱伝導性の絶縁基板と、前記絶
縁基板上に形成され、前記第1と第2の回路部にそれぞ
れ対応する第1と第2の回路パターンを有する回路パタ
ーン層と、前記絶縁基板の下主面に形成されて、前記放
熱板の上主面と接合される導体層とを有し、前記リード
フレームの前記第1と第2の回路部が、前記第1および
第2の回路パターン上にそれぞれ接合され、前記放熱板
の下主面が露出するようにトランスファー成形により樹
脂封止されている。
は、絶縁基体と、第1と第2の回路部を有し、前記絶縁
基体上に設けられたリードフレームと、前記リードフレ
ームの前記第1の回路部の上に設けられた電力用素子
と、前記リードフレームの前記第2の回路部の上に設け
られ、前記電力用素子を制御する制御用素子とを備え、
前記絶縁基体は、熱伝導性の絶縁基板と、前記絶縁基板
上に形成され、前記第1と第2の回路部にそれぞれ対応
する第1と第2の回路パターンを有する回路パターン層
と、前記絶縁基板の下主面に形成された導体層とを有
し、前記リードフレームの前記第1と第2の回路部が、
前記第1および第2の回路パターン上にそれぞれ接合さ
れ、前記導体層の下主面が露出するようにトランスファ
ー成形により樹脂封止されている。
は、前記第2の回路部と前記第2の回路パターンとは絶
縁性接着剤によって接合されている。
は、絶縁金属基板と、所定の回路部を有し、前記絶縁金
属基板上に設けられたリードフレームと、前記絶縁金属
基板の上に設けられた電力用素子と、前記リードフレー
ムの前記回路部の上に設けられ、前記電力用素子を制御
する制御用素子とを備え、前記リードフレームは前記電
力用素子と接続されるリードをさらに有し、前記絶縁金
属基板は、動作時に前記電力用素子が発する熱を外部に
放熱する放熱板と、前記放熱板の上に形成された絶縁層
と、前記絶縁層上に形成され、前記電力用素子が直接に
接合される第1の回路パターンと、前記リードフレーム
の前記所定の回路部に対応する第2の回路パターンとを
有する回路パターン層とを有し、前記リードフレームの
前記所定の回路部が、前記第2の回路パターン上に接合
され、前記リードが前記第1の回路パターンに接合さ
れ、前記放熱板の下主面が露出するようにトランスファ
ー成形により樹脂封止されている。
は、絶縁基体と、所定の回路部を有し、前記絶縁基体上
に設けられたリードフレームと、前記絶縁基体上に設け
られた電力用素子と、前記リードフレームの前記回路部
の上に設けられ、前記電力用素子を制御する制御用素子
と、前記絶縁基体の下主面が接合され、前記半導体装置
の動作時に前記電力用素子が発する熱を外部に放熱する
放熱板とを備え、前記リードフレームは前記電力用素子
と接続されるリードをさらに有し、前記絶縁基体は、熱
伝導性の絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、前記
電力用素子が直接に接合される第1の回路パターンと、
前記リードフレームの前記所定の回路部に対応する第2
の回路パターンとを有する回路パターン層と、前記絶縁
基板の下主面に形成され、前記放熱板の上主面と接合さ
れる導体層とを有し、前記リードフレームの前記所定の
回路部が、前記第2の回路パターン上に接合され、前記
リードが前記第1の回路パターンに接合され、前記放熱
板の下主面が露出するようにトランスファー成形により
樹脂封止されている。
は、絶縁基体と、所定の回路部を有し、前記絶縁基体上
に設けられたリードフレームと、前記絶縁基体上に設け
られた電力用素子と、前記リードフレームの前記回路部
の上に設けられ、前記電力用素子を制御する制御用素子
とを備え、前記リードフレームは前記電力用素子と接続
されるリードをさらに有し、前記絶縁基体は、熱伝導性
の絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、前記電力用
素子が直接に接合される第1の回路パターンと、前記リ
ードフレームの前記所定の回路部に対応する第2の回路
パターンとを有する回路パターン層と、前記絶縁基板の
下主面に形成された導体層とを有し、前記リードフレー
ムの前記所定の回路部が、前記第2の回路パターン上に
接合され、前記リードが前記第1の回路パターンに接合
され、前記導体層の下主面が露出するようにトランスフ
ァー成形により樹脂封止されている。
は、前記回路部と前記第2の回路パターンとが絶縁性接
着剤によって接合されている。
は、前記電力用素子は、その上主面が前記リードおよび
前記回路部の上主面とほぼ同じ高さとなるように接合さ
れている。
形態1として、図1および図2を用いてIPM1000
の構成について説明する。図1において、電力用素子1
01および制御用素子102は水平に配置されたリード
フレーム103aおよび103b上の所定位置に配置さ
れている。そしてIPM1000はリードフレーム10
3aおよび103bを配置するための土台となるととも
に、通電時に電力用素子101が発する熱を外部に放熱
する金属性の放熱板104を備えている。
どで絶縁層105が形成されている。絶縁層105は熱
伝導率を高めるためレジンの比率を少なくしている。一
例としては、フィラー成分が重量の8割を占めるような
組成とする。
ターンに合わせて形成され、回路パターンとしてだけで
なく電気的なノイズに対するシールドとしても機能する
回路パターン層106が設けられている。
ミのクラッド箔で形成され、絶縁層105の主面上に特
殊な接着剤(図示せず)で接着されている。ここで、放
熱板104、絶縁層105、回路パターン層106で構
成される板状体を絶縁金属基板IMと呼称する。
ンに合わせて、半田付けによりリードフレーム103a
が接合されている(図においては半田層を符号SDで示
す)。そして、リードフレーム103aの上には半田付
けにより電力用素子101が接合されている。電力用素
子101はIGBT101aとフリーホイールダイオー
ド101bとを備えている。
ターンに合わせて、絶縁性接着剤IAが塗布され、絶縁
性接着剤IAによりリードフレーム103bが接合され
ている。絶縁性接着剤IAとしては、シリコン系接着剤
あるいはエポキシ系接着剤を使用する。
子102が半田付けにより接合されている(半田層は省
略する)。制御用素子102からの制御信号は、ワイヤ
ボンディングにより設けられたアルミワイヤ配線W1を
介して電力用素子101に与えられ、電力用素子101
の入出力はアルミワイヤ配線W2を介してリードフレー
ム103aに電気的に接続され、制御用素子102はア
ルミワイヤ配線W3を介してリードフレーム103bに
電気的に接続されている。また、IGBT101aとフ
リーホイールダイオード101bとの間はアルミワイヤ
配線W4によって電気的に接続されている。
(リードフレームが配置された側とは反対側の面)を除
く部分と、モールド後にリードフレーム103aおよび
103bの外部リードとなる部分以外はモールド樹脂M
Rによって封止されている。
こで、図1は図2におけるA−A線での断面を矢視方向
から見た図であるが、図2においては簡単化のためモー
ルド樹脂MRは省略している。
は電力用素子側回路パターンPCと、電力用素子側回路
パターンPCから延在するリード群L1が接続されるフ
レームFRとを有し、リードフレーム103bは制御用
素子側回路パターンSCと、制御用素子側回路パターン
SCから延在するリード群L2が接続されるフレームF
Rとを有している。ここで、図2に示す構成はリードフ
レームの中の一部分であり、リードフレームは同様の構
成を複数有している。
子側回路パターンPCが接合される部分と制御用素子側
回路パターンSCが接合される部分とに分離されてお
り、電気的なノイズに対するシールドとして使用する場
合には、制御用素子側回路パターンSCが接合される部
分を接地電位に接続する。
レームFR間は2つの接合体JMで接続されている。な
お、電力用素子側回路パターンPCおよび制御用素子側
回路パターンSCから延在するリード群L1およびL
2、接合体JMはフレームFRと一体で形成されてい
る。なお、絶縁金属基板IMの左右端部には貫通孔が設
けられており、IPM1000の使用にあたって、IP
M1000を外付けの放熱板などにネジ止めで接合する
ためのものである。これは、他の実施例においても同様
である。
および103bを回路パターン層106上に接合するこ
とでトランスファー成形により樹脂封止することが可能
となる。
本発明に係る実施の形態1によれば、リードフレーム1
03aおよび103bを絶縁金属基板IMに接合するこ
とで、動作時に電力用素子101が発する熱は、半田層
SD、銅とアルミのクラッド箔で形成された回路パター
ン層106および熱伝導率が高い絶縁層105を介して
放熱板104に伝わるので、リードフレームと放熱板の
間にモールド樹脂が介在するIPM300に比べて放熱
効率が向上する。従って、電力用素子101の定格を大
きくすることができ、IPM1000の製品定格として
は例えば出力電流75A、耐電圧1200V程度とする
ことが可能となる。
着剤IAを用いて回路パターン層106に接合するの
で、リードフレーム103bが回路パターン層106か
ら電気的に絶縁され、回路パターン層106が電気的な
ノイズに対するシールドとして機能する。従って、リー
ドフレーム103b上に配置される制御用素子102は
電気的なノイズから保護されることになる。従来の半導
体装置として示したIPM100およびIPM200に
おいても、制御用素子を電気的なノイズから保護する構
成は有していたが、本発明に係るIPM1000では、
コスト的に安価な絶縁性接着剤を用いるので、DBC基
板4cを用いて電気的絶縁を行うIPM100および、
ガラスエポキシ基板16と導体層17とで構成される第
2層を用いて電気的絶縁を行うIPM200に比べて、
製造コストを低減することができる。
3bを回路パターン層106上に接合することでトラン
スファー成形により樹脂封止することが可能となり、し
かも、リードフレームと放熱板の間にはモールド樹脂を
介在させないので、従来の半導体装置として示したIP
M300のように、2回に分けてトランスファー成形を
する必要がなく、1回のトランスファー成形で済むこと
になる。
説明した本発明に係る半導体装置の実施の形態1では、
リードフレーム103bを絶縁性接着剤IAを用いて回
路パターン層106に接合する構成を示したが、リード
フレーム103b上に配置される制御用素子102を電
気的なノイズから保護する必要がなければ、絶縁性接着
剤IAの代わりに半田を用いてリードフレーム103b
と回路パターン層106とを接合しても良い。この場
合、半田により個々の回路パターン間が導通しないよう
に、半田層SDを回路パターン形状に合わせて形成する
必要がある。
説明した本発明に係る半導体装置の実施の形態1は、従
来の半導体装置として示したIPM300の製品定格を
向上させるという観点に立脚していたが、IPM300
の部品点数を削減することで、製造コストを低減すると
いう観点に立脚すれば図3に示すような構成となる。
1および制御用素子102は水平に配置されたリードフ
レーム103aおよび103b上の所定位置に配置さ
れ、制御用素子102からの制御信号はアルミワイヤ配
線W1を介して電力用素子101に与えられ、電力用素
子101の入出力はアルミワイヤ配線W2を介してリー
ドフレーム103aに電気的に接続され、制御用素子1
02はアルミワイヤ配線W3を介してリードフレーム1
03bに電気的に接続されている。そして、モールド後
にリードフレーム103aおよび103bの外部リード
となる部分以外はモールド樹脂MRによって封止されて
いる。
4、絶縁層105、回路パターン層106が不要とな
り、製造コストを低減することができる。なお、使用に
あたっては、モールド樹脂MRの下面(リードフレーム
が配置された側とは反対側の面)を外付けの放熱板に接
合して放熱させることになる。
形態2として、図4および図5を用いてIPM2000
の構成について説明する。図4において、回路パターン
層106の上には回路パターンに合わせて、半田付けに
よりリードフレーム203aが接合されている(図にお
いては半田層を符号SDで示す)。また、回路パターン
層106の上には半田付けにより電力用素子101が直
接に接合されている。また、回路パターン層106の上
には回路パターンに合わせて、絶縁性接着剤IAが塗布
され、絶縁性接着剤IAによりリードフレーム203b
が接合されている。なお、図1を用いて説明したIPM
1000と同一の構成については同一の符号を付し、重
複する説明は省略する。
こで、図4は図5におけるA−A線での断面を矢視方向
から見た図であるが、図5においては簡単化のためモー
ルド樹脂MRは省略している。
には電力用素子側回路パターンPCは設けられておら
ず、フレームFRから延在するリード群L1が回路パタ
ーン層106上に接続されている。
本発明に係る実施の形態2によれば、電力用素子101
を回路パターン層106の上に直接に接合することによ
り、動作時に電力用素子101が発する熱がリードフレ
ーム203aを介さずに直接に回路パターン層106に
与えられることになり、リードフレーム203aを介し
て熱を伝達するIPM1000に比べて放熱効率が向上
する。
レーム203aおよび203bの主面の高さをほぼ一致
させることができるので、電力用素子101からリード
フレーム203aおよび203bにかけて設けられるア
ルミ配線の高さを低くすることができ、製造コストを低
減することができる。
を行う場合、金型内に高い圧力で樹脂を注入するので、
アルミ配線の高さが高いとアルミ配線が樹脂に押されて
倒れ、アルミ配線どうしが接触したり、隣接するリード
とアルミ配線とが接触して不良品が発生することがある
が、アルミ配線の高さを低くすることでこのような問題
が解消され、製造歩留まりが向上することになる。
明した本発明に係る半導体装置の実施の形態2では、リ
ードフレーム203bを絶縁性接着剤IAを用いて回路
パターン層106に接合する構成を示したが、リードフ
レーム203b上に配置される制御用素子102を電気
的なノイズから保護する必要がなければ、絶縁性接着剤
IAの代わりに半田を用いてリードフレーム203bと
回路パターン層106とを接合しても良い。この場合、
半田により個々の回路パターン間が導通しないように、
半田層SDを回路パターン形状に合わせて形成する必要
がある。
形態3として、図6および図7を用いてIPM3000
の構成について説明する。図6において、電力用素子3
01および制御用素子302は水平に配置されたリード
フレーム103aおよび103b上の所定位置に配置さ
れている。そしてIPM3000はリードフレーム10
3aおよび103bを配置するための土台となるととも
に、通電時に電力用素子301が発する熱を外部に放熱
する金属性の放熱板104を備えている。
レクトボンドカッパ)基板305が半田付けにより接合
されている(図においては半田層を符号SDで示す)。
ここで、DBC基板とは、アルミナセラミックス(Al
2O3)板の両主面上に、銅箔を酸化結合により直接に接
合して銅箔層としたものである。なお、アルミナセラミ
ックス板の代わりに窒化アルミ(AlN)板を用いても
良い。ただし、この場合、銅箔は接着剤により接合され
る。
には所定の回路パターンが形成され回路パターン層30
6となっている。DBC基板305の一方の主面上の銅
箔層は放熱板104との半田付けを容易にするための導
体層307となっている。
パターンに合わせてリードフレーム103aおよび10
3bが接合されている。リードフレーム103aは半田
付けにより接合され(図においては半田層を符号SDで
示す)、リードフレーム103aの上には半田付けによ
り電力用素子301が接合されている。電力用素子30
1はIGBT301aとフリーホイールダイオード30
1bとを備えている。また、DBC基板305の導体層
307は半田付けにより放熱板104に接合されてい
る。
着剤IAにより接合されている。そして、リードフレー
ム103bの上には制御用素子302が半田付けにより
接合されている(半田層は省略する)。制御用素子30
2からの制御信号は、ワイヤボンディングにより設けら
れたアルミワイヤ配線W1を介して電力用素子301に
与えられ、電力用素子301の入出力はアルミワイヤ配
線W2を介してリードフレーム103aに電気的に接続
され、制御用素子302はアルミワイヤ配線W3を介し
てリードフレーム103bに電気的に接続されている。
また、IGBT301aとフリーホイールダイオード3
01bとの間はアルミワイヤ配線W4によって電気的に
接続されている。なお、図1を用いて説明したIPM1
000と同一の構成については同一の符号を付し、重複
する説明は省略する。
こで、図6は図7におけるA−A線での断面を矢視方向
から見た図であるが、図7においては簡単化のためモー
ルド樹脂MRは省略している。
および103bの電力用素子側回路パターンPCおよび
制御用素子側回路パターンSCはDBC基板305上の
回路パターン層306に合わせて配置されている。
子側回路パターンPCが接合される部分と制御用素子側
回路パターンSCが接合される部分とに分離されてお
り、電気的なノイズに対するシールドとして使用する場
合には、制御用素子側回路パターンSCが接合される部
分を接地電位に接続する。
本発明に係る実施の形態3によれば、リードフレーム1
03aおよび103bをDBC基板305上に接合する
ことで、動作時に電力用素子301が発する熱は、半田
層SDとDBC基板305を介して放熱板104に伝わ
る。DBC基板305を構成するアルミナセラミックス
(Al2O3)板あるいは窒化アルミ(AlN)板は、エ
ポキシ樹脂などに比べて熱伝導率が良好であり、放熱板
104上にエポキシ樹脂などで絶縁層105を形成する
IPM1000およびIPM2000に比べて放熱効率
が向上する。従って、電力用素子301の定格を大きく
することができ、IPM3000の製品定格としては例
えば出力電流600A、耐電圧2000V程度とするこ
とが可能となる。なお、熱伝導率のデータの一例として
は、熱伝導率の単位をW/(m・K)とすると、エポキシ
樹脂の熱伝導率が3に対して、アルミナセラミックスの
熱伝導率は21、窒化アルミの熱伝導率は130という
データが得られている。
説明した本発明に係る半導体装置の実施の形態3では、
リードフレーム103bを絶縁性接着剤IAを用いて回
路パターン層306に接合する構成を示したが、リード
フレーム103b上に配置される制御用素子302を電
気的なノイズから保護する必要がなければ、絶縁性接着
剤IAの代わりに半田を用いてリードフレーム103b
と回路パターン層306とを接合しても良い。この場
合、半田により個々の回路パターン間が導通しないよう
に、半田層SDを回路パターン形状に合わせて形成する
必要がある。
説明した本発明に係る半導体装置の実施の形態3は、放
熱板104を土台としてその上にDBC基板305を配
置した構成を示したが、放熱板104を設けずにDBC
基板305を土台としても良い。
においてDBC基板305の下面(リードフレームが配
置された側とは反対側の面)はモールド樹脂MRに覆わ
れておらず、DBC基板305の導体層307は露出し
ている。
4が不要となり、製造コストを低減することができる。
なお、使用にあたっては、DBC基板305の導体層3
07を、図示しない外付けの放熱板に接合して放熱させ
ることになる。
形態4として、図9および図10を用いてIPM400
0の構成について説明する。図9において、DBC基板
305の回路パターン層306の回路パターンに合わせ
てリードフレーム203aが半田付けにより接合されて
いる。また、リードフレーム203aの上には半田付け
により電力用素子301が直接に接合されている。
パターンに合わせて、絶縁性接着剤IAが塗布され、絶
縁性接着剤IAによりリードフレーム203bが接合さ
れている。なお、図6を用いて説明したIPM3000
と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説
明は省略する。
ここで、図9は図10におけるA−A線での断面を矢視
方向から見た図であるが、図10においては簡単化のた
めモールド樹脂MRは省略している。
aには電力用素子側回路パターンPCは設けられておら
ず、フレームFRから延在するリード群L1が回路パタ
ーン層306の回路パターン接続されている。
本発明に係る実施の形態4によれば、電力用素子301
を銅箔層CL1の上に直接に接合することにより、動作
時に電力用素子301が発する熱がリードフレーム20
3aを介さずに直接に回路パターン層306に与えられ
ることになり、リードフレーム203aを介して熱を伝
達するIPM3000に比べて放熱効率が向上する。
レーム203aおよび203bの主面の高さをほぼ一致
させることができるので、電力用素子301からリード
フレーム203aおよび203bにかけて設けられるア
ルミ配線の高さを低くすることができ、製造コストを低
減することができる。
を行う場合、金型内に高い圧力で樹脂を注入するので、
アルミ配線の高さが高いとアルミ配線が樹脂に押されて
倒れ、アルミ配線どうしが接触したり、隣接するリード
とアルミ配線とが接触して不良品が発生することがある
が、アルミ配線の高さを低くすることでこのような問題
が解消され、製造歩留まりが向上することになる。
説明した本発明に係る半導体装置の実施の形態4では、
リードフレーム103bを絶縁性接着剤IAを用いて回
路パターン層306に接合する構成を示したが、リード
フレーム103b上に配置される制御用素子302を電
気的なノイズから保護する必要がなければ、絶縁性接着
剤IAの代わりに半田を用いてリードフレーム103b
と回路パターン層306とを接合しても良い。この場
合、半田により個々の回路パターン間が導通しないよう
に、半田層SDを回路パターン形状に合わせて形成する
必要がある。
説明した本発明に係る半導体装置の実施の形態4は、放
熱板104を土台としてその上にDBC基板305を配
置した構成を示したが、放熱板104を設けずにDBC
基板305を土台としても良い。
11においてDBC基板305の下面(リードフレーム
が配置された側とは反対側の面)はモールド樹脂MRに
覆われておらず、DBC基板305の導体層307は露
出している。
4が不要となり、製造コストを低減することができる。
なお、使用にあたっては、DBC基板305の下面の銅
箔を、図示しない外付けの放熱板に接合して放熱させる
ことになる。
によれば、半導体装置の動作時に電力用素子から発生す
る熱が、リードフレーム、回路パターン層、絶縁層を介
して放熱板に伝わるので、リードフレームと放熱板との
間にモールド樹脂が介在する構成に比べて放熱効率が向
上する。従って、電力用素子の定格を大きくすることが
できる。また、リードフレームを使用するのでトランス
ファ成形が可能となり、製造工程を簡略化できるととも
に部品点数も削減でき、製造コストを削減することがで
きる。
よれば、半導体装置の動作時に電力用素子から発生する
熱が、熱伝導性に優れた絶縁基板を有する絶縁基体を介
して放熱板に伝わるので放熱効率がさらに向上する。従
って、電力用素子の定格をさらに大きくすることができ
る。また、リードフレームを使用するのでトランスファ
成形が可能となり、製造工程を簡略化できるとともに部
品点数も削減でき、製造コストを削減することができ
る。
よれば、半導体装置の動作時に電力用素子から発生する
熱が、熱伝導性に優れた絶縁基板を有する絶縁基体を介
して放熱板に伝わるので放熱効率がさらに向上する。従
って、電力用素子の定格をさらに大きくすることができ
る。また、リードフレームを使用するのでトランスファ
成形が可能となり、製造工程を簡略化できるとともに部
品点数も削減でき、製造コストを削減することができ
る。放熱板が不要となるので、製造コストを低減するこ
とができる。
よれば、リードフレームの第2の回路部と第2の回路パ
ターンとは絶縁性接着剤によって接合されるので、第2
の回路部が第2の回路パターンから電気的に絶縁され、
第2の回路パターンが電気的なノイズに対するシールド
として機能する。従って、第2の回路部に搭載される制
御用素子が電気的なノイズから保護されることになる。
また、絶縁性接着剤は他の絶縁手段に比べてコスト的に
安価であるので、製造コストを低減することができる。
よれば、半導体装置の動作時に電力用素子から発生する
熱が、リードフレームを介さずに直接に絶縁金属基板の
回路パターン層に伝わるのでリードフレームを介して熱
を伝達する構成に比べて放熱効率が向上する。従って、
電力用素子の定格を大きくすることができる。また、リ
ードフレームを使用するのでトランスファ成形が可能と
なり、製造工程を簡略化できるとともに部品点数も削減
でき、製造コストを削減することができる。
よれば、半導体装置の動作時に電力用素子から発生する
熱が、リードフレームを介さずに直接に絶縁基体の回路
パターン層に伝わるのでリードフレームを介して熱を伝
達する構成に比べて放熱効率が向上する。従って、電力
用素子の定格を大きくすることができる。また、リード
フレームを使用するのでトランスファ成形が可能とな
り、製造工程を簡略化できるとともに部品点数も削減で
き、製造コストを削減することができる。
よれば、半導体装置の動作時に電力用素子から発生する
熱が、リードフレームを介さずに直接に絶縁基体の回路
パターン層に伝わるのでリードフレームを介して熱を伝
達する構成に比べて放熱効率が向上する。また、リード
フレームを使用するのでトランスファ成形が可能とな
り、製造工程を簡略化できるとともに部品点数も削減で
き、製造コストを削減することができる。また、放熱板
が不要となるので、製造コストを低減することができ
る。
よれば、リードフレームの回路部と回路パターン層の第
2の回路パターンとは絶縁性接着剤によって接合される
ので、回路部が第2の回路パターンから電気的に絶縁さ
れ、第2の回路パターンが電気的なノイズに対するシー
ルドとして機能する。従って、回路部に搭載される制御
用素子が電気的なノイズから保護されることになる。ま
た、絶縁性接着剤は他の絶縁手段に比べてコスト的に安
価であるので、製造コストを低減することができる。
よれば、電力用素子の上主面がリードフレームのリード
および回路部の上主面とほぼ同じ高さとなっているの
で、電力用素子とリードフレームのリードおよび回路部
との間にワイヤ配線を設ける場合に、ワイヤ配線の高さ
を低くすることができ、製造コストを低減することがで
きる。また、トランスファー成形により樹脂封止を行う
場合、金型内に高い圧力で樹脂を注入するので、ワイヤ
配線の高さが高いとワイヤ配線が樹脂に押されて倒れ、
ワイヤ配線どうしが接触したり、隣接するリードとワイ
ヤ配線とが接触して不良品が発生することがあるが、ワ
イヤ配線の高さを低くすることでこのような問題が解消
され、製造歩留まりが向上することになる。
成を説明する断面図である。
成を説明する平面図である。
形例の構成を説明する断面図である。
成を説明する断面図である。
成を説明する平面図である。
成を説明する断面図である。
成を説明する平面図である。
形例の構成を説明する断面図である。
成を説明する断面図である。
構成を説明する平面図である。
変形例の構成を説明する断面図である。
面図である。
面図である。
面図である。
面図である。
素子、103a,103b,203a,203b リー
ドフレーム、104 放熱板、105 絶縁層、10
6,306 回路パターン層、305 DBC基板、3
07 導体層、IA 絶縁性接着剤、IM 絶縁金属基
板、SC 制御用素子側回路パターン、PC 電力用素
子側回路パターン、JM 接合体。
Claims (9)
- 【請求項1】 半導体装置であって、 絶縁金属基板と、 第1と第2の回路部を有し、前記絶縁金属基板上に設け
られたリードフレームと、 前記リードフレームの前記第1の回路部の上に設けられ
た電力用素子と、 前記リードフレームの前記第2の回路部の上に設けら
れ、前記電力用素子を制御する制御用素子とを備え、 前記絶縁金属基板は、 前記半導体装置の動作時に前記電力用素子が発する熱を
外部に放熱する放熱板と、 前記放熱板の上主面の上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層上に形成され、前記第1と第2の回路部にそ
れぞれ対応する第1と第2の回路パターンを有する回路
パターン層とを有し、 前記リードフレームの前記第1と第2の回路部が、前記
第1および第2の回路パターン上にそれぞれ接合され、 前記放熱板の下主面が露出するようにトランスファー成
形により樹脂封止された半導体装置。 - 【請求項2】 半導体装置であって、 絶縁基体と、 第1と第2の回路部を有し、前記絶縁基体上に設けられ
たリードフレームと、 前記リードフレームの前記第1の回路部の上に設けられ
た電力用素子と、 前記リードフレームの前記第2の回路部の上に設けら
れ、前記電力用素子を制御する制御用素子と、 前記絶縁基体の下主面が接合され、前記半導体装置の動
作時に前記電力用素子が発する熱を外部に放熱する放熱
板とを備え、 前記絶縁基体は、 熱伝導性の絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成され、前記第1と第2の回路部に
それぞれ対応する第1と第2の回路パターンを有する回
路パターン層と、 前記絶縁基板の下主面に形成されて、前記放熱板の上主
面と接合される導体層とを有し、 前記リードフレームの前記第1と第2の回路部が、前記
第1および第2の回路パターン上にそれぞれ接合され、 前記放熱板の下主面が露出するようにトランスファー成
形により樹脂封止された半導体装置。 - 【請求項3】 半導体装置であって、 絶縁基体と、 第1と第2の回路部を有し、前記絶縁基体上に設けられ
たリードフレームと、 前記リードフレームの前記第1の回路部の上に設けられ
た電力用素子と、 前記リードフレームの前記第2の回路部の上に設けら
れ、前記電力用素子を制御する制御用素子とを備え、 前記絶縁基体は、 熱伝導性の絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成され、前記第1と第2の回路部に
それぞれ対応する第1と第2の回路パターンを有する回
路パターン層と、 前記絶縁基板の下主面に形成された導体層とを有し、 前記リードフレームの前記第1と第2の回路部が、前記
第1および第2の回路パターン上にそれぞれ接合され、 前記導体層の下主面が露出するようにトランスファー成
形により樹脂封止された半導体装置。 - 【請求項4】 前記第2の回路部と前記第2の回路パタ
ーンとは絶縁性接着剤によって接合される請求項1〜請
求項3のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項5】 半導体装置であって、 絶縁金属基板と、 所定の回路部を有し、前記絶縁金属基板上に設けられた
リードフレームと、 前記絶縁金属基板の上に設けられた電力用素子と、 前記リードフレームの前記回路部の上に設けられ、前記
電力用素子を制御する制御用素子とを備え、 前記リードフレームは前記電力用素子と接続されるリー
ドをさらに有し、 前記絶縁金属基板は、 動作時に前記電力用素子が発する熱を外部に放熱する放
熱板と、 前記放熱板の上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層上に形成され、前記電力用素子が直接に接合
される第1の回路パターンと、前記リードフレームの前
記所定の回路部に対応する第2の回路パターンとを有す
る回路パターン層とを有し、 前記リードフレームの前記所定の回路部が、前記第2の
回路パターン上に接合され、前記リードが前記第1の回
路パターンに接合され、 前記放熱板の下主面が露出するようにトランスファー成
形により樹脂封止された半導体装置。 - 【請求項6】 半導体装置であって、 絶縁基体と、 所定の回路部を有し、前記絶縁基体上に設けられたリー
ドフレームと、 前記絶縁基体上に設けられた電力用素子と、 前記リードフレームの前記回路部の上に設けられ、前記
電力用素子を制御する制御用素子と、 前記絶縁基体の下主面が接合され、前記半導体装置の動
作時に前記電力用素子が発する熱を外部に放熱する放熱
板とを備え、 前記リードフレームは前記電力用素子と接続されるリー
ドをさらに有し、 前記絶縁基体は、 熱伝導性の絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成され、前記電力用素子が直接に接
合される第1の回路パターンと、前記リードフレームの
前記所定の回路部に対応する第2の回路パターンとを有
する回路パターン層と、 前記絶縁基板の下主面に形成され、前記放熱板の上主面
と接合される導体層とを有し、 前記リードフレームの前記所定の回路部が、前記第2の
回路パターン上に接合され、前記リードが前記第1の回
路パターンに接合され、 前記放熱板の下主面が露出するようにトランスファー成
形により樹脂封止された半導体装置。 - 【請求項7】 半導体装置であって、 絶縁基体と、 所定の回路部を有し、前記絶縁基体上に設けられたリー
ドフレームと、 前記絶縁基体上に設けられた電力用素子と、 前記リードフレームの前記回路部の上に設けられ、前記
電力用素子を制御する制御用素子とを備え、 前記リードフレームは前記電力用素子と接続されるリー
ドをさらに有し、 前記絶縁基体は、 熱伝導性の絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成され、前記電力用素子が直接に接
合される第1の回路パターンと、前記リードフレームの
前記所定の回路部に対応する第2の回路パターンとを有
する回路パターン層と、 前記絶縁基板の下主面に形成された導体層とを有し、 前記リードフレームの前記所定の回路部が、前記第2の
回路パターン上に接合され、前記リードが前記第1の回
路パターンに接合され、 前記導体層の下主面が露出するようにトランスファー成
形により樹脂封止された半導体装置。 - 【請求項8】 前記回路部と前記第2の回路パターンと
は絶縁性接着剤によって接合される請求項5〜請求項7
のいずれかに記載の半導体装置。 - 【請求項9】 前記電力用素子は、その上主面が前記リ
ードおよび前記回路部の上主面とほぼ同じ高さとなるよ
うに接合される請求項5〜請求項7のいずれかに記載の
半導体装置。
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