JPH09116040A - 半導体装置用リードレス外囲器 - Google Patents
半導体装置用リードレス外囲器Info
- Publication number
- JPH09116040A JPH09116040A JP27255095A JP27255095A JPH09116040A JP H09116040 A JPH09116040 A JP H09116040A JP 27255095 A JP27255095 A JP 27255095A JP 27255095 A JP27255095 A JP 27255095A JP H09116040 A JPH09116040 A JP H09116040A
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- JP
- Japan
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- substrate
- insulating material
- cap
- cut
- leadless
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板とキヤップの位置ずれがなく、かつ位置
合わせ部の強度を向上させた、新規な半導体装置用リー
ドレス外囲器を提供する。 【解決手段】 絶縁物から成る基板1の角部に切り欠き
部3を形成することにより、半導体素子6をマウントす
る際の位置合わせ精度を向上すると共に、両者の接着面
積を増すことにより機械的強度を大きくして、半導体装
置としての信頼性を長期にわたって維持可能とした。
合わせ部の強度を向上させた、新規な半導体装置用リー
ドレス外囲器を提供する。 【解決手段】 絶縁物から成る基板1の角部に切り欠き
部3を形成することにより、半導体素子6をマウントす
る際の位置合わせ精度を向上すると共に、両者の接着面
積を増すことにより機械的強度を大きくして、半導体装
置としての信頼性を長期にわたって維持可能とした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置特に高
周波用ICに適用するリードレス外囲器の改良に係る。
周波用ICに適用するリードレス外囲器の改良に係る。
【0002】
【従来の技術】放熱量並びにリードピンが多い半導体素
子例えば高周波用IC等を必要とする電子回路をアセン
ブリ(Assembly)するには、いわゆるリードレ
ス外囲器が最近使用されており、これにより形成された
半導体装置を図5、6及び図7、8により説明する。
子例えば高周波用IC等を必要とする電子回路をアセン
ブリ(Assembly)するには、いわゆるリードレ
ス外囲器が最近使用されており、これにより形成された
半導体装置を図5、6及び図7、8により説明する。
【0003】この半導体装置は、図6及び図8の断面図
に示すように、半導体素子10を例えば半田(図示せ
ず)により、ガラエポ又はセラミック等の絶縁物製の基
板11に半田等により固着し、これに、合成樹脂から成
るキヤップ12を固定する方法が採られている。
に示すように、半導体素子10を例えば半田(図示せ
ず)により、ガラエポ又はセラミック等の絶縁物製の基
板11に半田等により固着し、これに、合成樹脂から成
るキヤップ12を固定する方法が採られている。
【0004】図では、簡単に単一の半導体素子だけを記
載したが、他の電子部品も搭載して所定の電子回路を構
成する場合もあり、いずれも基板11の表面部分にいわ
ゆるスクリーン印刷等により形成された配線層(図示せ
ず)を利用・接続する。
載したが、他の電子部品も搭載して所定の電子回路を構
成する場合もあり、いずれも基板11の表面部分にいわ
ゆるスクリーン印刷等により形成された配線層(図示せ
ず)を利用・接続する。
【0005】基板11には、いわゆるスルーホールを形
成し、これを介して裏面に導電性金属からなる電極13
を設けて、配線層と接続して外部との接続を可能にして
いる。
成し、これを介して裏面に導電性金属からなる電極13
を設けて、配線層と接続して外部との接続を可能にして
いる。
【0006】合成樹脂製のキヤップ12は、図5や図8
に明らかなように内部が中空であり、その端部と基板1
1の外周間を接着剤により固着してリードレス外囲器か
ら成る半導体装置を完成していた(図6参照)。
に明らかなように内部が中空であり、その端部と基板1
1の外周間を接着剤により固着してリードレス外囲器か
ら成る半導体装置を完成していた(図6参照)。
【0007】基板11の外周とは、その厚さ方向である
側面又は配線層が形成される基板11の周縁を包含す
る。
側面又は配線層が形成される基板11の周縁を包含す
る。
【0008】この接着工程に先立って、半導体素子10
を絶縁物製の基板11に半田等により固着するには、基
準点が2カ所以上あるマウンター(図示せず)を利用す
る。しかし、その精度が十分でないと、絶縁物製の基板
11と合成樹脂製のキヤップ12の接着される位置が合
わなくなって接着強度が不十分になり、半導体素子の信
頼性に支障をきたす。
を絶縁物製の基板11に半田等により固着するには、基
準点が2カ所以上あるマウンター(図示せず)を利用す
る。しかし、その精度が十分でないと、絶縁物製の基板
11と合成樹脂製のキヤップ12の接着される位置が合
わなくなって接着強度が不十分になり、半導体素子の信
頼性に支障をきたす。
【0009】そのマウント精度を確保するのは、基準点
に絶縁物製の基板11の角を合わせると共に、半導体素
子10を把持するコレクタの内部形状も絶えず一定に維
持する必要がある。
に絶縁物製の基板11の角を合わせると共に、半導体素
子10を把持するコレクタの内部形状も絶えず一定に維
持する必要がある。
【0010】しかし、これらの要件を満足できないこと
もあるために、図5,図7並びに図8に示すように、絶
縁物製の基板11とキヤップ12に、凸部14及びこれ
に嵌合する凹部15を相対的に形成する方法が採られて
いる。
もあるために、図5,図7並びに図8に示すように、絶
縁物製の基板11とキヤップ12に、凸部14及びこれ
に嵌合する凹部15を相対的に形成する方法が採られて
いる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】マウンターを利用して
半導体素子10を絶縁物製の基板11の所定の位置すな
わち配線層にマウントするには、前記のようにマウンタ
ーの基準点に絶縁物製の基板11の例えば角部を合わせ
てから、コレット(図示せず)により把持された半導体
素子10を半田を介して固着する。
半導体素子10を絶縁物製の基板11の所定の位置すな
わち配線層にマウントするには、前記のようにマウンタ
ーの基準点に絶縁物製の基板11の例えば角部を合わせ
てから、コレット(図示せず)により把持された半導体
素子10を半田を介して固着する。
【0012】しかし、角部のように狭い場所に合わせて
一定状態を確保するのは難しく必ずしも良い精度が確保
できない。
一定状態を確保するのは難しく必ずしも良い精度が確保
できない。
【0013】更に絶縁物製の基板11に半導体素子10
を固着するのに利用する半田層は、包含される空気等を
抜くためにいわゆるスクラブ運動をコレットにより行っ
てボイド(Void)の発生を抑制するのが一般的であ
る。このため、コレットの内部形状並びにその把持状態
等によっては、半導体素子10の位置が変化する場合が
発生した。
を固着するのに利用する半田層は、包含される空気等を
抜くためにいわゆるスクラブ運動をコレットにより行っ
てボイド(Void)の発生を抑制するのが一般的であ
る。このため、コレットの内部形状並びにその把持状態
等によっては、半導体素子10の位置が変化する場合が
発生した。
【0014】このように、コレットにより把持された半
導体素子10の一定の位置にないと、前記のように絶縁
物製の基板11に対する半導体素子10の接着工程に不
良が生ずる。
導体素子10の一定の位置にないと、前記のように絶縁
物製の基板11に対する半導体素子10の接着工程に不
良が生ずる。
【0015】又図7並びに図8に示した凸部14及びこ
れに嵌合する凹部15を形成する方式では、機械的強度
が損なわれる欠点がある。
れに嵌合する凹部15を形成する方式では、機械的強度
が損なわれる欠点がある。
【0016】このような事情により成された本発明で
は、基板とキヤップの位置ずれがなく、かつ位置合わせ
部の強度を向上させた、新規な半導体装置用リードレス
外囲器を提供する。
は、基板とキヤップの位置ずれがなく、かつ位置合わせ
部の強度を向上させた、新規な半導体装置用リードレス
外囲器を提供する。
【0017】
【課題を解決するための手段】第1の発明は、絶縁物製
の基板と,この基板表面部分に形成されかつこの表面以
外の面に導出された配線層と,前記基板の角部に設置さ
れた切り欠き部と,前記絶縁物性の基板を覆う中空のキ
ヤップと,前記切り欠き部に対応する位置に合わせて配
置されかつ外挿するこの中空のキヤップの足部と,前記
キヤップの足部と前記切り欠き部間に配置する固着層と
に特徴がある。
の基板と,この基板表面部分に形成されかつこの表面以
外の面に導出された配線層と,前記基板の角部に設置さ
れた切り欠き部と,前記絶縁物性の基板を覆う中空のキ
ヤップと,前記切り欠き部に対応する位置に合わせて配
置されかつ外挿するこの中空のキヤップの足部と,前記
キヤップの足部と前記切り欠き部間に配置する固着層と
に特徴がある。
【0018】第2の発明は、前記基板をセラミックによ
り構成する点に特徴がある。
り構成する点に特徴がある。
【0019】
【作用】本発明に係る半導体装置用リードレス外囲器
は、絶縁物から成る基板の角部に切り欠き部を形成する
ことにより、半導体素子をマウントする際の位置合わせ
精度を向上すると共に、両者の接着面積を増すことによ
り機械的強度を大きくして、半導体装置としての信頼性
を長期にわたって維持可能とした。
は、絶縁物から成る基板の角部に切り欠き部を形成する
ことにより、半導体素子をマウントする際の位置合わせ
精度を向上すると共に、両者の接着面積を増すことによ
り機械的強度を大きくして、半導体装置としての信頼性
を長期にわたって維持可能とした。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明に係る実施例を図1乃至図
4により説明する。
4により説明する。
【0021】半導体装置特に高周波用ICに適用するリ
ードレス外囲器には、従来と同じくガラエポやセラミッ
クより構成される絶縁物性の基板1と、合成樹脂性のキ
ヤップ2により構成され、絶縁物性の基板1の表面部分
には図示しない配線層を例えばスクリーン印刷により設
け、この配線層は基板1の厚さ方向である側面に形成し
た導電性金属層から構成する接地電極3(図4参照)に
接続する。
ードレス外囲器には、従来と同じくガラエポやセラミッ
クより構成される絶縁物性の基板1と、合成樹脂性のキ
ヤップ2により構成され、絶縁物性の基板1の表面部分
には図示しない配線層を例えばスクリーン印刷により設
け、この配線層は基板1の厚さ方向である側面に形成し
た導電性金属層から構成する接地電極3(図4参照)に
接続する。
【0022】又絶縁物性の基板1には、裏面に達するい
わゆるスルーホール(図示せず)を設けて前記配線層等
と接続する電極3′(図2参照)を設け外部の電子機器
に接続可能とする。
わゆるスルーホール(図示せず)を設けて前記配線層等
と接続する電極3′(図2参照)を設け外部の電子機器
に接続可能とする。
【0023】本実施例に係る半導体装置用リードレス外
囲器は図1に明らかなように、絶縁物性の基板1の角部
に切り欠き部4を設置するのが特徴である。この切り欠
き部4は図2及び図3に示すように、厚さ方向の一部を
残す例(図2参照)と、全部を切断する場合(図3参
照)のいずれでも良い。
囲器は図1に明らかなように、絶縁物性の基板1の角部
に切り欠き部4を設置するのが特徴である。この切り欠
き部4は図2及び図3に示すように、厚さ方向の一部を
残す例(図2参照)と、全部を切断する場合(図3参
照)のいずれでも良い。
【0024】又、合成樹脂例えばナイロン製の中空のキ
ヤップ2は、内部の空間を囲った形状であり、絶縁物性
の基板1の切り欠き部4を覆う足部5(図3と図4参
照)を設置して、接着面積の増大につなげる。なお、中
空のキヤップ2の足部5に連続する部分の長さは2mm
程度、幅は0.3mmである。
ヤップ2は、内部の空間を囲った形状であり、絶縁物性
の基板1の切り欠き部4を覆う足部5(図3と図4参
照)を設置して、接着面積の増大につなげる。なお、中
空のキヤップ2の足部5に連続する部分の長さは2mm
程度、幅は0.3mmである。
【0025】切り欠き部3を設置した絶縁物性の基板1
に、例えば高周波用ICをマウンターによりマウントす
るには、高周波用ICを把持したコレット(図示せず)
を所定の位置に移動させてから、図示しない半田層を介
して両者を固着する。この際半田層内に包含される空気
等を外部に放散させるために、コレットによりスクラブ
運動を行う。
に、例えば高周波用ICをマウンターによりマウントす
るには、高周波用ICを把持したコレット(図示せず)
を所定の位置に移動させてから、図示しない半田層を介
して両者を固着する。この際半田層内に包含される空気
等を外部に放散させるために、コレットによりスクラブ
運動を行う。
【0026】このマウント工程に先立って、絶縁物製の
基板1は、マウンターの基準点に多少の余裕を持って切
り欠き部4を位置合わせされており、ここにコレットに
把持された高周波用ICを運ぶ。しかもスクラブ運動を
行っても位置合わせがズレても切り欠き部4により吸収
できる。
基板1は、マウンターの基準点に多少の余裕を持って切
り欠き部4を位置合わせされており、ここにコレットに
把持された高周波用ICを運ぶ。しかもスクラブ運動を
行っても位置合わせがズレても切り欠き部4により吸収
できる。
【0027】このようなマウント工程を終えてから切り
欠き部3を備えた絶縁物製の基板1にキヤップ2を接着
する工程に移行する。
欠き部3を備えた絶縁物製の基板1にキヤップ2を接着
する工程に移行する。
【0028】キヤップ2には、切り欠き部4に対応する
部分に足部5が形成されており、図1及び図2間の点線
で示されるように両者を一体とする(図2参照)が、接
触部分には予め接着材を塗布しておいて、両者間に固着
層7(図4参照)を形成して、半導体装置が完成され
る。なお、図面には、簡略化して一個の半導体素子しか
記載しなかったが、場合によっては複数の半導体素子や
電子部品により所定の電子回路を構成する場合もあるこ
とを付記する。
部分に足部5が形成されており、図1及び図2間の点線
で示されるように両者を一体とする(図2参照)が、接
触部分には予め接着材を塗布しておいて、両者間に固着
層7(図4参照)を形成して、半導体装置が完成され
る。なお、図面には、簡略化して一個の半導体素子しか
記載しなかったが、場合によっては複数の半導体素子や
電子部品により所定の電子回路を構成する場合もあるこ
とを付記する。
【0029】
【発明の効果】このように本発明に係る半導体装置用リ
ードレス外囲器は、絶縁物製基板の角部に切り欠き部を
形成したので、半導体素子をマウントする際の位置合わ
せ精度が向上され、このためにキヤップを正確に接着で
き、ひいては半導体装置の信頼性を長期にわたって保証
できる。
ードレス外囲器は、絶縁物製基板の角部に切り欠き部を
形成したので、半導体素子をマウントする際の位置合わ
せ精度が向上され、このためにキヤップを正確に接着で
き、ひいては半導体装置の信頼性を長期にわたって保証
できる。
【図1】本発明の実施例を示す上面図である。
【図2】図1の絶縁物製の基板にキヤップを接着した半
導体装置を示す断面図である。
導体装置を示す断面図である。
【図3】図2の半導体装置に形成される電極を示す斜視
図である。
図である。
【図4】キヤップの足部を示す斜視図である。
【図5】従来のリードレス外囲器の絶縁物製の基板の上
面図である。
面図である。
【図6】図5の基板にキヤップを取り付けた状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図7】図6の欠点を矯正用絶縁物製の基板の上面図で
ある。
ある。
【図8】図6の矯正用絶縁物製の基板にキヤップを取り
付けた状態を示す断面図である。
付けた状態を示す断面図である。
1、11:半導体基板、 2、12:キヤップ、 3′:電極、 3:切り欠き部、 4:キヤップ、 5:足部、 10:半導体素子、 7:固着層、 13、3′:電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南 裕二 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝多摩川工場内
Claims (2)
- 【請求項1】 絶縁物製の基板と,この基板表面部分に
形成されかつこの表面以外の面に導出された配線層と,
前記基板の角部に設置された切り欠き部と,前記絶縁物
性の基板を覆う中空のキヤップと,前記切り欠き部に対
応する位置に合わせて配置されかつ外挿するこの中空の
キヤップの足部と,前記キヤップの足部と前記切り欠き
部間に配置する固着層とを具備することを特徴とする半
導体装置用リードレス外囲器 - 【請求項2】前記基板をセラミックにより構成すること
を特徴とする請求項1記載の半導体装置用リードレス外
囲器
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27255095A JPH09116040A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体装置用リードレス外囲器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27255095A JPH09116040A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体装置用リードレス外囲器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09116040A true JPH09116040A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17515472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27255095A Pending JPH09116040A (ja) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 半導体装置用リードレス外囲器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09116040A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100674206B1 (ko) * | 2005-01-25 | 2007-01-25 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP27255095A patent/JPH09116040A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100674206B1 (ko) * | 2005-01-25 | 2007-01-25 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020205 |