JPH0897743A - 複合高周波部品 - Google Patents
複合高周波部品Info
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- JPH0897743A JPH0897743A JP6233204A JP23320494A JPH0897743A JP H0897743 A JPH0897743 A JP H0897743A JP 6233204 A JP6233204 A JP 6233204A JP 23320494 A JP23320494 A JP 23320494A JP H0897743 A JPH0897743 A JP H0897743A
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- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
- H01P1/20336—Comb or interdigital filters
- H01P1/20345—Multilayer filters
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- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/088—Stacked transmission lines
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H7/463—Duplexers
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プリント基板上における占有面積・体積が小
さく、またインピーダンスマッチング用回路を新たに付
加する必要のない、高周波部品とフィルタ部品の複合高
周波部品を提供する。 【構成】多層基板10の外面にダイオードD1,D2、
グランド用外部電極G2、送信回路用外部電極TX1、
受信回路用外部電極RX1、アンテナ回路用外部電極A
NT1、コントロール端子用外部電極Vc11,Vc2
2を形成し、多層基板10の内部にストリップライン電
極L11,L21,L31,L41,L51、コンデン
サ電極C11,C12,C13,C14,C15,C2
1,C22,C31,C32,C33,C34,C3
5,C41,C51,C61,C62,C63,C7
1、C81,C91,グランド用外部電極G1を形成し
た複合高周波部品である。
さく、またインピーダンスマッチング用回路を新たに付
加する必要のない、高周波部品とフィルタ部品の複合高
周波部品を提供する。 【構成】多層基板10の外面にダイオードD1,D2、
グランド用外部電極G2、送信回路用外部電極TX1、
受信回路用外部電極RX1、アンテナ回路用外部電極A
NT1、コントロール端子用外部電極Vc11,Vc2
2を形成し、多層基板10の内部にストリップライン電
極L11,L21,L31,L41,L51、コンデン
サ電極C11,C12,C13,C14,C15,C2
1,C22,C31,C32,C33,C34,C3
5,C41,C51,C61,C62,C63,C7
1、C81,C91,グランド用外部電極G1を形成し
た複合高周波部品である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は複合高周波部品に関し、
特に高周波スイッチ部品等の高周波部品とフィルタ部品
とを接続してなる複合高周波部品に関する。
特に高周波スイッチ部品等の高周波部品とフィルタ部品
とを接続してなる複合高周波部品に関する。
【0002】
【従来の技術】高周波部品である高周波スイッチ部品
は、図10に示すように、デジタル携帯電話などにおい
て、送信回路TXとアンテナANTとの接続および受信
回路RXとアンテナANTとの接続を切り換えるために
用いられる。
は、図10に示すように、デジタル携帯電話などにおい
て、送信回路TXとアンテナANTとの接続および受信
回路RXとアンテナANTとの接続を切り換えるために
用いられる。
【0003】高周波部品の一例として、高周波スイッチ
部品1の回路図を図11に示す。高周波スイッチ部品1
は、アンテナANT,送信回路TXおよび受信回路RX
に、信号ラインV1により接続される。送信回路TXに
は、コンデンサC1を介して、高周波デバイスであるダ
イオードD1のアノードが接続される。ダイオードD1
のアノードは、第1の伝送線路であるストリップライン
L1、およびコンデンサC4の直列回路を介し、グラン
ドに接地される。ストリップラインL1の線路長として
は、送信回路TXからの送信信号の波長をλとしたと
き、λ/4以下となるように設定される。また、ストリ
ップラインL1とコンデンサC4との中間点には、コン
トロール端子Vc1が接続される。コントロール端子V
c1には、高周波スイッチ部品1の切り換えを行うため
のコントロール回路が接続される。そして、ダイオード
D1の両端(アノード・カソード間)には、第1の伝送
線路であるストリップラインL3、およびコンデンサC
6の直列回路が接続される。さらに、ダイオードD1の
カソードは、コンデンサC2を介して、アンテナANT
に接続される。
部品1の回路図を図11に示す。高周波スイッチ部品1
は、アンテナANT,送信回路TXおよび受信回路RX
に、信号ラインV1により接続される。送信回路TXに
は、コンデンサC1を介して、高周波デバイスであるダ
イオードD1のアノードが接続される。ダイオードD1
のアノードは、第1の伝送線路であるストリップライン
L1、およびコンデンサC4の直列回路を介し、グラン
ドに接地される。ストリップラインL1の線路長として
は、送信回路TXからの送信信号の波長をλとしたと
き、λ/4以下となるように設定される。また、ストリ
ップラインL1とコンデンサC4との中間点には、コン
トロール端子Vc1が接続される。コントロール端子V
c1には、高周波スイッチ部品1の切り換えを行うため
のコントロール回路が接続される。そして、ダイオード
D1の両端(アノード・カソード間)には、第1の伝送
線路であるストリップラインL3、およびコンデンサC
6の直列回路が接続される。さらに、ダイオードD1の
カソードは、コンデンサC2を介して、アンテナANT
に接続される。
【0004】アンテナANTに接続されたコンデンサC
2には、さらに第1の伝送線路であるストリップライン
L2とコンデンサC3との直列回路を介して、受信回路
RXが接続される。ストリップラインL2の線路長も、
ストリップラインL1と同様に、λ/4以下となるよう
に設定される。また、ストリップラインL2とコンデン
サC3との中間点には、高周波デバイスであるダイオー
ドD2のアノードが接続される。そして、ダイオードD
2のカソードは、コンデンサC5を介し、グランドに接
地される。さらに、ダイオードD2とコンデンサC5と
の中間点には、コントロール端子Vc2が接続される。
コントロール端子Vc2には、コントロール端子Vc1
と同様に、高周波スイッチ部品1の切り換えを行うため
のコントロール回路が接続され、高周波スイッチ部品1
の回路を構成している。
2には、さらに第1の伝送線路であるストリップライン
L2とコンデンサC3との直列回路を介して、受信回路
RXが接続される。ストリップラインL2の線路長も、
ストリップラインL1と同様に、λ/4以下となるよう
に設定される。また、ストリップラインL2とコンデン
サC3との中間点には、高周波デバイスであるダイオー
ドD2のアノードが接続される。そして、ダイオードD
2のカソードは、コンデンサC5を介し、グランドに接
地される。さらに、ダイオードD2とコンデンサC5と
の中間点には、コントロール端子Vc2が接続される。
コントロール端子Vc2には、コントロール端子Vc1
と同様に、高周波スイッチ部品1の切り換えを行うため
のコントロール回路が接続され、高周波スイッチ部品1
の回路を構成している。
【0005】このように構成された高周波スイッチ部品
1を用いて送信を行う場合、コントロール端子Vc1に
正のバイアス電圧を印加し、コントロール端子Vc2に
負のバイアス電圧を印加する。この電圧は、ダイオード
D1,D2に対し順方向のバイアス電圧として働くため
に、ダイオードD1,D2をONにする。このとき、コ
ンデンサC1乃至C5,C6によって直流分がカットさ
れ、ダイオードD1,D2を含む回路にのみコントロー
ル端子Vc1,Vc2に加えられた電圧が印加される。
従って、ストリップラインL2がダイオードD2により
接地されて送信周波数で共振し、インピーダンスがほぼ
無限大となるため、送信回路TXからの送信信号は、受
信回路RX側にはほとんど伝送されることなく、コンデ
ンサC1,ダイオードD1,コンデンサC2を経てアン
テナANTに伝送される。なお、ストリップラインL1
は、コンデンサC4を介して接地されているため、送信
周波数で共振しインピーダンスがほぼ無限大となり、送
信信号がアース側へ漏れることを防止している。
1を用いて送信を行う場合、コントロール端子Vc1に
正のバイアス電圧を印加し、コントロール端子Vc2に
負のバイアス電圧を印加する。この電圧は、ダイオード
D1,D2に対し順方向のバイアス電圧として働くため
に、ダイオードD1,D2をONにする。このとき、コ
ンデンサC1乃至C5,C6によって直流分がカットさ
れ、ダイオードD1,D2を含む回路にのみコントロー
ル端子Vc1,Vc2に加えられた電圧が印加される。
従って、ストリップラインL2がダイオードD2により
接地されて送信周波数で共振し、インピーダンスがほぼ
無限大となるため、送信回路TXからの送信信号は、受
信回路RX側にはほとんど伝送されることなく、コンデ
ンサC1,ダイオードD1,コンデンサC2を経てアン
テナANTに伝送される。なお、ストリップラインL1
は、コンデンサC4を介して接地されているため、送信
周波数で共振しインピーダンスがほぼ無限大となり、送
信信号がアース側へ漏れることを防止している。
【0006】一方、受信時には、コントロール端子Vc
1に負のバイアス電圧を印加し、コントロール端子Vc
2に正のバイアス電圧を印加する。この電圧は、ダイオ
ードD1,D2に対し逆方向のバイアス電圧として働く
ため、ダイオードD1,D2はOFF状態になり、アン
テナANTからの受信信号は、コンデンサC2,ストリ
ップラインL2,コンデンサC3を経て受信回路RXに
伝送され、送信回路TX側にはほとんど伝送されない。
1に負のバイアス電圧を印加し、コントロール端子Vc
2に正のバイアス電圧を印加する。この電圧は、ダイオ
ードD1,D2に対し逆方向のバイアス電圧として働く
ため、ダイオードD1,D2はOFF状態になり、アン
テナANTからの受信信号は、コンデンサC2,ストリ
ップラインL2,コンデンサC3を経て受信回路RXに
伝送され、送信回路TX側にはほとんど伝送されない。
【0007】このように、高周波スイッチ部品1は、コ
ントロール端子Vc1,Vc2に印加するバイアス電圧
をコントロールすることにより、送受の信号を切り換え
ることができる。
ントロール端子Vc1,Vc2に印加するバイアス電圧
をコントロールすることにより、送受の信号を切り換え
ることができる。
【0008】なお、ストリップラインL3とコンデンサ
C6の直列回路は、コンデンサC6とOFF時のダイオ
ードD1との合成静電容量と、ストリップラインL3の
インダクタンス成分とで共振する並列共振回路を形成
し、かつその共振周波数を受信信号の周波数と一致させ
た周波数で共振させることにより、ダイオードD1のO
FF時のストリップラインL3との接続点のインピーダ
ンスを増加させ、挿入損失や反射損失を低減させるのに
用いられる。
C6の直列回路は、コンデンサC6とOFF時のダイオ
ードD1との合成静電容量と、ストリップラインL3の
インダクタンス成分とで共振する並列共振回路を形成
し、かつその共振周波数を受信信号の周波数と一致させ
た周波数で共振させることにより、ダイオードD1のO
FF時のストリップラインL3との接続点のインピーダ
ンスを増加させ、挿入損失や反射損失を低減させるのに
用いられる。
【0009】高周波スイッチには、上述した回路構成の
他にも様々なものがあり、例えば、特開平6−1970
42号,特開平6−197043号に記載された回路構
成の高周波スイッチ部品、特願平5−219798号に
て出願中の回路構成の高周波スイッチ部品等がある。
他にも様々なものがあり、例えば、特開平6−1970
42号,特開平6−197043号に記載された回路構
成の高周波スイッチ部品、特願平5−219798号に
て出願中の回路構成の高周波スイッチ部品等がある。
【0010】また、高周波デバイスには、前述したダイ
オードの他、トランジスタ,FET等を用いたものがあ
り、伝送線路には、前述したストリップラインの他、コ
ープレーナライン等を用いたものがある。
オードの他、トランジスタ,FET等を用いたものがあ
り、伝送線路には、前述したストリップラインの他、コ
ープレーナライン等を用いたものがある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のような
高周波部品にフィルタ部品を接続して使用する場合、従
来は高周波部品とフィルタ部品とを別々に設計・製作し
ていたため、プリント基板上において大きな占有面積・
体積を必要とし、回路配置の融通性を悪くするという問
題があった。また、高周波部品とフィルタ部品のインピ
ーダンスマッチングを行うために、高周波部品およびフ
ィルタ部品に、新たにインピーダンスマッチング用回路
を付加しなければならないという問題があった。さら
に、前記インピーダンスマッチング用回路を設計するた
めの時間も余分に必要となるという問題があった。
高周波部品にフィルタ部品を接続して使用する場合、従
来は高周波部品とフィルタ部品とを別々に設計・製作し
ていたため、プリント基板上において大きな占有面積・
体積を必要とし、回路配置の融通性を悪くするという問
題があった。また、高周波部品とフィルタ部品のインピ
ーダンスマッチングを行うために、高周波部品およびフ
ィルタ部品に、新たにインピーダンスマッチング用回路
を付加しなければならないという問題があった。さら
に、前記インピーダンスマッチング用回路を設計するた
めの時間も余分に必要となるという問題があった。
【0012】本発明は、これらの問題点を解消するため
になされたものであり、プリント基板上における占有面
積・体積を小さくし、回路配置の融通性を良くするとと
もに、インピーダンスマッチング用回路を不要とする複
合高周波部品を提供することを目的とする。
になされたものであり、プリント基板上における占有面
積・体積を小さくし、回路配置の融通性を良くするとと
もに、インピーダンスマッチング用回路を不要とする複
合高周波部品を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明に係る複合高周波
部品は、上記目的を達成するため、複数の誘電体層を積
層してなる多層基板の外面に高周波デバイスを搭載し、
少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上
に、グランド電極および前記高周波デバイスに接続した
信号ラインとを形成し、前記信号ラインと同一平面上に
は、前記信号ラインと前記グランド電極間に接続した第
1の伝送線路を形成し、該第1の伝送線路を介して前記
高周波デバイスにバイアス電圧をかけてなる高周波部品
と、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層
上に第2の伝送線路を形成してなり、前記高周波部品に
対し、前記第2の伝送線路を前記信号ラインにより接続
するフィルタ部品とを備えたことを特徴とする。また、
前記高周波デバイスとしてダイオードを用い、また前記
伝送線路としてストリップラインを用い、さらに前記高
周波部品を高周波スイッチ部品としたことを特徴とす
る。また、前記フィルタ部品としてローパスフィルタ部
品を用いたことを特徴とする。
部品は、上記目的を達成するため、複数の誘電体層を積
層してなる多層基板の外面に高周波デバイスを搭載し、
少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上
に、グランド電極および前記高周波デバイスに接続した
信号ラインとを形成し、前記信号ラインと同一平面上に
は、前記信号ラインと前記グランド電極間に接続した第
1の伝送線路を形成し、該第1の伝送線路を介して前記
高周波デバイスにバイアス電圧をかけてなる高周波部品
と、少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層
上に第2の伝送線路を形成してなり、前記高周波部品に
対し、前記第2の伝送線路を前記信号ラインにより接続
するフィルタ部品とを備えたことを特徴とする。また、
前記高周波デバイスとしてダイオードを用い、また前記
伝送線路としてストリップラインを用い、さらに前記高
周波部品を高周波スイッチ部品としたことを特徴とす
る。また、前記フィルタ部品としてローパスフィルタ部
品を用いたことを特徴とする。
【0014】
【作用】上記の構成によれば、前記高周波部品と前記フ
ィルタ部品とを、複数の誘電体層を積層してなる一つの
多層基板に形成し、複合高周波部品とすることにより、
従来の別々に形成した高周波部品とフィルタ部品を接続
したものに比べて、全体の寸法が小さくなる。また、高
周波部品の回路とフィルタ部品の回路を複合して同時設
計することにより、高周波部品の回路とフィルタ部品の
回路のインピーダンスマッチングを施した設計を行うこ
とができる。
ィルタ部品とを、複数の誘電体層を積層してなる一つの
多層基板に形成し、複合高周波部品とすることにより、
従来の別々に形成した高周波部品とフィルタ部品を接続
したものに比べて、全体の寸法が小さくなる。また、高
周波部品の回路とフィルタ部品の回路を複合して同時設
計することにより、高周波部品の回路とフィルタ部品の
回路のインピーダンスマッチングを施した設計を行うこ
とができる。
【0015】
【実施例】以下、本発明による複合高周波部品の実施例
を図面を用いて説明する。なお、従来例と同一若しくは
同等の部分は、同じ符号を付してその説明を省略する。
を図面を用いて説明する。なお、従来例と同一若しくは
同等の部分は、同じ符号を付してその説明を省略する。
【0016】図1に、本発明の実施例における複合高周
波部品2の回路図を示す。本実施例では、送信回路TX
と、高周波スイッチ部品1のコンデンサC1の一端との
間に、バターワース型のローパスフィルタ部品であるL
PF部品F1を接続する。ここで、LPF部品F1は、
第2の伝送線路であるストリップラインL4,L5、お
よびコンデンサC7,C8,C9から構成される。な
お、LPF部品F1の接続関係は周知であるためその説
明を省略する。
波部品2の回路図を示す。本実施例では、送信回路TX
と、高周波スイッチ部品1のコンデンサC1の一端との
間に、バターワース型のローパスフィルタ部品であるL
PF部品F1を接続する。ここで、LPF部品F1は、
第2の伝送線路であるストリップラインL4,L5、お
よびコンデンサC7,C8,C9から構成される。な
お、LPF部品F1の接続関係は周知であるためその説
明を省略する。
【0017】図2に、複合高周波部品2の断面図を示
す。複合高周波部品2は、多層基板10を含む。多層基
板10は、図3に示すように、第1の誘電体層〜第15
の誘電体層11,12,13,14,15,16,1
7,18,19,20,21,22,23,24,25
を上から順次積層することによって形成される。第1の
誘電体層11上にはダイオードD1,D2が搭載され
る。また、第2から第5の誘電体層12,13,14,
15、および第7,第10,第14の誘電体層17,2
0,24上にはコンデンサ電極C51、C11,C2
1,C31、C12,C22,C32、C13,C3
3,C61、C15,C35,C63、C41、C7
1,C81,C91がそれぞれ形成される。また、第6
の誘電体層16上にはコンデンサ電極C14,C34,
C62、ストリップライン電極L31が形成され、第
8,第12の誘電体層18,22上にはストリップライ
ン電極L41,L51、L11,L21がそれぞれ形成
される。また、第9,第11,第13,第15の誘電体
層19,21,23,25上にはグランド電極G1がそ
れぞれ形成される。さらに、第15の誘電体層25の下
面(図3中に25uと符号を付す)には送信回路用外部
電極TX1、受信回路用外部電極RX1、アンテナ用外
部電極ANT1、コントロール用外部電極Vc11,V
c22、グランド用外部電極G2が形成される。そし
て、誘電体層11乃至25には信号ライン電極(図示せ
ず)とビアホール電極(図示せず)を必要な箇所に形成
し、また多層基板10の外面にも外部電極(図示せず)
を形成して適宜接続することにより、図1に示す回路構
成と等価に、複合高周波部品2を構成してなるものであ
る。
す。複合高周波部品2は、多層基板10を含む。多層基
板10は、図3に示すように、第1の誘電体層〜第15
の誘電体層11,12,13,14,15,16,1
7,18,19,20,21,22,23,24,25
を上から順次積層することによって形成される。第1の
誘電体層11上にはダイオードD1,D2が搭載され
る。また、第2から第5の誘電体層12,13,14,
15、および第7,第10,第14の誘電体層17,2
0,24上にはコンデンサ電極C51、C11,C2
1,C31、C12,C22,C32、C13,C3
3,C61、C15,C35,C63、C41、C7
1,C81,C91がそれぞれ形成される。また、第6
の誘電体層16上にはコンデンサ電極C14,C34,
C62、ストリップライン電極L31が形成され、第
8,第12の誘電体層18,22上にはストリップライ
ン電極L41,L51、L11,L21がそれぞれ形成
される。また、第9,第11,第13,第15の誘電体
層19,21,23,25上にはグランド電極G1がそ
れぞれ形成される。さらに、第15の誘電体層25の下
面(図3中に25uと符号を付す)には送信回路用外部
電極TX1、受信回路用外部電極RX1、アンテナ用外
部電極ANT1、コントロール用外部電極Vc11,V
c22、グランド用外部電極G2が形成される。そし
て、誘電体層11乃至25には信号ライン電極(図示せ
ず)とビアホール電極(図示せず)を必要な箇所に形成
し、また多層基板10の外面にも外部電極(図示せず)
を形成して適宜接続することにより、図1に示す回路構
成と等価に、複合高周波部品2を構成してなるものであ
る。
【0018】このような複合高周波部品を製造するにあ
たっては、誘電体セラミックグリーンシートが準備され
る。そして、誘電体セラミックグリーンシート上に、各
電極・信号ラインの形状に応じて電極ペーストが印刷さ
れる。次に、所定形状に電極ペーストが印刷された誘電
体セラミックグリーンシートを積層し、焼成することに
よって、誘電体層が積層してなる多層基板が形成され
る。この多層基板の外面に電極ペーストが印刷され、そ
れを焼き付けることによって外部電極が形成される。こ
の際、誘電体セラミックグリーンシートを積層した後、
外部電極の形状に電極ペーストを印刷し、一体焼成する
ことによって複合高周波部品を形成してもよい。
たっては、誘電体セラミックグリーンシートが準備され
る。そして、誘電体セラミックグリーンシート上に、各
電極・信号ラインの形状に応じて電極ペーストが印刷さ
れる。次に、所定形状に電極ペーストが印刷された誘電
体セラミックグリーンシートを積層し、焼成することに
よって、誘電体層が積層してなる多層基板が形成され
る。この多層基板の外面に電極ペーストが印刷され、そ
れを焼き付けることによって外部電極が形成される。こ
の際、誘電体セラミックグリーンシートを積層した後、
外部電極の形状に電極ペーストを印刷し、一体焼成する
ことによって複合高周波部品を形成してもよい。
【0019】このように構成した複合高周波部品では、
前記高周波部品と前記フィルタ部品とを、複数の誘電体
層を積層することにより、一つの多層基板に形成してな
るもので、従来の別々に形成した高周波部品とフィルタ
部品を接続してなるものに比べて、全体の寸法を小さく
することができるため、プリント基板上における占有面
積・体積を小さくすることができる。また、高周波部品
の回路とフィルタ部品の回路を複合して同時設計するこ
とにより、高周波部品の回路とフィルタ部品の回路のイ
ンピーダンスマッチングを施した設計を行うことができ
るため、インピーダンスマッチング用回路を新たに付加
する必要がなくなり、回路的に簡略化がなされる。さら
に、前記インピーダンスマッチング用回路を設計するた
めの時間も不要とすることができる。
前記高周波部品と前記フィルタ部品とを、複数の誘電体
層を積層することにより、一つの多層基板に形成してな
るもので、従来の別々に形成した高周波部品とフィルタ
部品を接続してなるものに比べて、全体の寸法を小さく
することができるため、プリント基板上における占有面
積・体積を小さくすることができる。また、高周波部品
の回路とフィルタ部品の回路を複合して同時設計するこ
とにより、高周波部品の回路とフィルタ部品の回路のイ
ンピーダンスマッチングを施した設計を行うことができ
るため、インピーダンスマッチング用回路を新たに付加
する必要がなくなり、回路的に簡略化がなされる。さら
に、前記インピーダンスマッチング用回路を設計するた
めの時間も不要とすることができる。
【0020】なお、本発明の一実施例においては、多層
基板中にコンデンサとストリップラインとを形成するこ
とについて述べたが、多層基板の表面または内部に、チ
ップ抵抗や印刷抵抗等の抵抗部品を形成することも可能
である。
基板中にコンデンサとストリップラインとを形成するこ
とについて述べたが、多層基板の表面または内部に、チ
ップ抵抗や印刷抵抗等の抵抗部品を形成することも可能
である。
【0021】また、本発明の一実施例においては、高周
波部品とフィルタ部品の接続関係として、送信回路TX
と高周波スイッチ部品1の間にLPF部品F1を接続す
る場合について述べたが、送信回路TXまたは受信回路
RXまたはアンテナANTと、高周波スイッチ部品1と
の間に、任意にLPF部品F1を接続する場合において
も、上述した実施例と同様の作用効果を得ることができ
る。
波部品とフィルタ部品の接続関係として、送信回路TX
と高周波スイッチ部品1の間にLPF部品F1を接続す
る場合について述べたが、送信回路TXまたは受信回路
RXまたはアンテナANTと、高周波スイッチ部品1と
の間に、任意にLPF部品F1を接続する場合において
も、上述した実施例と同様の作用効果を得ることができ
る。
【0022】例えば、図4に示すように、アンテナAN
Tと高周波スイッチ部品1の間にLPF部品F1を接続
する場合、また図5に示すように、受信回路RXと高周
波スイッチ部品1の間にLPF部品F1を接続する場
合、また図6に示すように、送信回路TXと高周波スイ
ッチ部品F1の間、およびアンテナANTと高周波スイ
ッチ部品1の間にLPF部品F1を接続する場合、また
図7に示すように、送信回路TXと高周波スイッチ部品
1の間、および受信回路RXと高周波スイッチ部品1の
間にLPF部品F1を接続する場合、また図8に示すよ
うに、受信回路RXと高周波スイッチ部品1の間、およ
びアンテナANTと高周波スイッチ部品1の間にLPF
部品F1を接続する場合、また図9に示すように、送信
回路TXと高周波スイッチ部品1の間、受信回路RXと
高周波スイッチ部品1の間、およびアンテナANTと高
周波スイッチ部品1の間にLPF部品F1を接続する場
合等があげられる。
Tと高周波スイッチ部品1の間にLPF部品F1を接続
する場合、また図5に示すように、受信回路RXと高周
波スイッチ部品1の間にLPF部品F1を接続する場
合、また図6に示すように、送信回路TXと高周波スイ
ッチ部品F1の間、およびアンテナANTと高周波スイ
ッチ部品1の間にLPF部品F1を接続する場合、また
図7に示すように、送信回路TXと高周波スイッチ部品
1の間、および受信回路RXと高周波スイッチ部品1の
間にLPF部品F1を接続する場合、また図8に示すよ
うに、受信回路RXと高周波スイッチ部品1の間、およ
びアンテナANTと高周波スイッチ部品1の間にLPF
部品F1を接続する場合、また図9に示すように、送信
回路TXと高周波スイッチ部品1の間、受信回路RXと
高周波スイッチ部品1の間、およびアンテナANTと高
周波スイッチ部品1の間にLPF部品F1を接続する場
合等があげられる。
【0023】また、本発明の一実施例においては、高周
波部品と接続するフィルタ部品として、LPF(ローパ
スフィルタ)の部品を用いるものについて述べたが、L
PFに換えてHPF(ハイパスフィルタ)、またはBP
F(バンドパスフィルタ)、またはBEF(バンドエリ
ミネーションフィルタ)の部品を前記高周波部品と接続
して複合化することも可能である。
波部品と接続するフィルタ部品として、LPF(ローパ
スフィルタ)の部品を用いるものについて述べたが、L
PFに換えてHPF(ハイパスフィルタ)、またはBP
F(バンドパスフィルタ)、またはBEF(バンドエリ
ミネーションフィルタ)の部品を前記高周波部品と接続
して複合化することも可能である。
【0024】次に、本発明による具体的な形状効果につ
いて、フィルタ部品としてLPF(ローパスフィルタ)
部品を用いた場合を例にとり説明する。誘電体層を積層
した多層基板からなる、6.3×5.0×3.0mmの
寸法の高周波スイッチ部品、および4.5×3.2×
2.0mmの寸法のLPF部品を、一つの多層基板に形
成した複合高周波部品とすることにより、全体の寸法を
前記高周波スイッチ部品と変わらない6.3×5.0×
3.0mmとすることができ、プリント基板上における
占有面積・体積を小さくすることができた。また、高周
波部品の回路とLPF部品の回路を複合して同時設計す
ることにより、従来の高周波部品およびLPF部品に付
加する必要があった、インピーダンスマッチング用回路
が不要となった。
いて、フィルタ部品としてLPF(ローパスフィルタ)
部品を用いた場合を例にとり説明する。誘電体層を積層
した多層基板からなる、6.3×5.0×3.0mmの
寸法の高周波スイッチ部品、および4.5×3.2×
2.0mmの寸法のLPF部品を、一つの多層基板に形
成した複合高周波部品とすることにより、全体の寸法を
前記高周波スイッチ部品と変わらない6.3×5.0×
3.0mmとすることができ、プリント基板上における
占有面積・体積を小さくすることができた。また、高周
波部品の回路とLPF部品の回路を複合して同時設計す
ることにより、従来の高周波部品およびLPF部品に付
加する必要があった、インピーダンスマッチング用回路
が不要となった。
【0025】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
周波部品とフィルタ部品とを、複数の誘電体層を積層し
てなる一つの多層基板に形成して構成することにより、
複合高周波部品としてなるもので、従来の別々に形成し
た高周波部品とフィルタ部品を接続したものに比べて、
全体の寸法を小さくすることができるため、プリント基
板上における占有面積・体積を小さくすることができ
る。また、高周波部品の回路とフィルタ部品の回路を複
合して同時設計することにより、高周波部品の回路とフ
ィルタ部品の回路のインピーダンスマッチングを施した
設計を行うことができるため、インピーダンスマッチン
グ用回路を新たに付加する必要がなくなり、回路的に簡
略化がなされる。。さらに、前記インピーダンスマッチ
ング用回路を設計するための時間も不要とすることがで
きる。
周波部品とフィルタ部品とを、複数の誘電体層を積層し
てなる一つの多層基板に形成して構成することにより、
複合高周波部品としてなるもので、従来の別々に形成し
た高周波部品とフィルタ部品を接続したものに比べて、
全体の寸法を小さくすることができるため、プリント基
板上における占有面積・体積を小さくすることができ
る。また、高周波部品の回路とフィルタ部品の回路を複
合して同時設計することにより、高周波部品の回路とフ
ィルタ部品の回路のインピーダンスマッチングを施した
設計を行うことができるため、インピーダンスマッチン
グ用回路を新たに付加する必要がなくなり、回路的に簡
略化がなされる。。さらに、前記インピーダンスマッチ
ング用回路を設計するための時間も不要とすることがで
きる。
【図1】本発明の実施例である、複合高周波部品の回路
図である。
図である。
【図2】本発明の実施例である、複合高周波部品の断面
図である。
図である。
【図3】本発明の実施例である、複合高周波部品の分解
斜視図である。
斜視図である。
【図4】本発明の変形例である、複合高周波部品の回路
構成図である。
構成図である。
【図5】本発明の他の変形例である、複合高周波部品の
回路構成図である。
回路構成図である。
【図6】本発明のさらに他の変形例である、複合高周波
部品の回路構成図である。
部品の回路構成図である。
【図7】本発明のさらに他の変形例である、複合高周波
部品の回路構成図である。
部品の回路構成図である。
【図8】本発明のさらに他の変形例である、複合高周波
部品の回路構成図である。
部品の回路構成図である。
【図9】本発明のさらに他の変形例である、複合高周波
部品の回路構成図である。
部品の回路構成図である。
【図10】従来の高周波部品の回路構成図である。
【図11】従来の高周波部品の回路図である。
2 複合高周波部品 1 高周波スイッチ部品 F1 LPF部品 10 多層基板 11,12,13,14,15,16,17,18,1
9,20,21,22,23,24,25 誘電体層
9,20,21,22,23,24,25 誘電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 充英 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 田中 浩二 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 上田 達也 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (3)
- 【請求項1】複数の誘電体層を積層してなる多層基板の
外面に高周波デバイスを搭載し、少なくとも前記多層基
板の外面または前記誘電体層上に、グランド電極および
前記高周波デバイスに接続した信号ラインとを形成し、
前記信号ラインと同一平面上には、前記信号ラインと前
記グランド電極間に接続した第1の伝送線路を形成し、
該第1の伝送線路を介して前記高周波デバイスにバイア
ス電圧をかけてなる高周波部品と、 少なくとも前記多層基板の外面または前記誘電体層上に
第2の伝送線路を形成してなり、前記高周波部品に対
し、前記第2の伝送線路を前記信号ラインにより接続す
るフィルタ部品とを備えたことを特徴とする、複合高周
波部品。 - 【請求項2】前記高周波デバイスとしてダイオードを用
い、また前記伝送線路としてストリップラインを用い、
さらに前記高周波部品を高周波スイッチ部品としたこと
を特徴とする、請求項1に記載の複合高周波部品。 - 【請求項3】前記フィルタ部品としてローパスフィルタ
部品を用いたことを特徴とする、請求項1または請求項
2のいずれかに記載の複合高周波部品。
Priority Applications (20)
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---|---|---|---|
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DE69521860T DE69521860T2 (de) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Zusammengestellte Hochfrequenz-Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
EP01100590A EP1113521A1 (en) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Method of forming a composite high frequency apparatus |
EP01100589A EP1113520B1 (en) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Composite high frequency apparatus |
EP02005653A EP1215748B1 (en) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Composite high frequency apparatus |
DE1215748T DE1215748T1 (de) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Zusammengestellte Hochfrequenz-Vorrichtung |
EP01100588A EP1113519B1 (en) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Composite high frequency apparatus |
DE69531375T DE69531375T2 (de) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Zusammengestellte Hochfrequenz-Vorrichtung |
DE69532619T DE69532619T2 (de) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Zusammengestellte Hochfrequenz-Vorrichtung |
DE69531368T DE69531368T2 (de) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Zusammengestellte Hochfrequenz-Vorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
DE69531370T DE69531370T2 (de) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Zusammengestellte Hochfrequenz-Vorrichtung |
EP01103863A EP1111708B1 (en) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Composite high frequency apparatus and method of forming same |
DE29522384U DE29522384U1 (de) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Zusammengesetzte Hochfrequenzvorrichtung |
DE69531371T DE69531371T2 (de) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Zusammengestellte Hochfrequenz-Vorrichtung |
EP03005265A EP1331687B1 (en) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Composite high frequency apparatus |
EP03022629A EP1378958A1 (en) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Composite high frequency apparatus |
EP95402177A EP0704925B1 (en) | 1994-09-28 | 1995-09-28 | Composite high frequency apparatus and method for forming same |
US09/070,319 US5990732A (en) | 1994-09-28 | 1998-04-30 | Composite high frequency apparatus and method of forming same |
HK02104984.8A HK1044417B (zh) | 1994-09-28 | 2002-07-03 | 複合高頻裝置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6233204A JP3031178B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 複合高周波部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0897743A true JPH0897743A (ja) | 1996-04-12 |
JP3031178B2 JP3031178B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=16951389
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6233204A Expired - Lifetime JP3031178B2 (ja) | 1994-09-28 | 1994-09-28 | 複合高周波部品 |
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---|---|
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EP (8) | EP1113519B1 (ja) |
JP (1) | JP3031178B2 (ja) |
DE (7) | DE69532619T2 (ja) |
HK (1) | HK1044417B (ja) |
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