JPH0896411A - 情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】記録層の非晶質状態と結晶状態との光吸収の差
を改善し高記録密度化に適した情報記録媒体およびその
製造方法を提供することを目的とする。 【構成】基板６上に、誘電体保護層３、相変化記録層
１、誘電体保護層２、光吸収性保護層７、反射層４、樹
脂保護層５がこの順に形成されて相変化光ディスクが構
成される。この光吸収性保護層７は、誘電体材料と金
属、半金属または半導体材料とを含むものである。
を改善し高記録密度化に適した情報記録媒体およびその
製造方法を提供することを目的とする。 【構成】基板６上に、誘電体保護層３、相変化記録層
１、誘電体保護層２、光吸収性保護層７、反射層４、樹
脂保護層５がこの順に形成されて相変化光ディスクが構
成される。この光吸収性保護層７は、誘電体材料と金
属、半金属または半導体材料とを含むものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、相変化型の記録層を備
え、情報の記録再生に用いられる光ディスク等の情報記
録媒体およびその製造方法に関する。
え、情報の記録再生に用いられる光ディスク等の情報記
録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報の記録再生で用いられる相変化型の
光ディスクとしては、カルコゲナイド系材料を記録層に
用いた光ディスク（以下、相変化光ディスクと略記す
る）が検討されている。相変化光ディスクの従来技術に
ついては、「書換え可能光ディスク材料」奥田昌宏著、
株式会社工業調査会発行、１９８９年５月２０日初版発
行、に詳しい。
光ディスクとしては、カルコゲナイド系材料を記録層に
用いた光ディスク（以下、相変化光ディスクと略記す
る）が検討されている。相変化光ディスクの従来技術に
ついては、「書換え可能光ディスク材料」奥田昌宏著、
株式会社工業調査会発行、１９８９年５月２０日初版発
行、に詳しい。
【０００３】相変化光ディスクは、カルコゲナイド系記
録層の結晶相、非晶質相の相変化を利用して情報の記録
再生を行なう。従来の相変化光ディスクの動作は次のよ
うに行なわれている。
録層の結晶相、非晶質相の相変化を利用して情報の記録
再生を行なう。従来の相変化光ディスクの動作は次のよ
うに行なわれている。
【０００４】１）スパッタ、蒸着などで成膜された記録
層は非晶質であるので、加熱アニール処理または光ビー
ム照射などで、記録層を結晶相とする。これを初期（結
晶）化という。
層は非晶質であるので、加熱アニール処理または光ビー
ム照射などで、記録層を結晶相とする。これを初期（結
晶）化という。
【０００５】２）短パルス、高パワーの記録パルスで結
晶相の記録層を溶融、急冷し非晶質化して記録マークと
する。 ３）長パルス、低パワーの消去パルスで非晶質相の記録
マークを結晶化し、記録マークを消去する。
晶相の記録層を溶融、急冷し非晶質化して記録マークと
する。 ３）長パルス、低パワーの消去パルスで非晶質相の記録
マークを結晶化し、記録マークを消去する。
【０００６】また、消去パワーに記録パワーを重畳させ
て、オーバーライトを行なうことも検討されている。相
変化光ディスクの層構成としては、光ディスク基板上、
誘電体保護層、相変化記録層、誘電体保護層、金属また
は合金反射膜を積層したものが、この分野で一般に用い
られている。
て、オーバーライトを行なうことも検討されている。相
変化光ディスクの層構成としては、光ディスク基板上、
誘電体保護層、相変化記録層、誘電体保護層、金属また
は合金反射膜を積層したものが、この分野で一般に用い
られている。
【０００７】光ディスク基板と相変化記録層との間に金
属膜を設けた層構成については、特開昭６２−２２６４
４６号公報、特開平４−２６５５４１号公報に開示され
ている。
属膜を設けた層構成については、特開昭６２−２２６４
４６号公報、特開平４−２６５５４１号公報に開示され
ている。
【０００８】特開昭６２−２２６４４６号公報には、光
ディスク基板と相変化記録層との間に半透明の金属膜を
設けた層構成で、記録層の記録感度を向上させるために
光吸収層として半透明の金属膜を設けることが記載され
ている。
ディスク基板と相変化記録層との間に半透明の金属膜を
設けた層構成で、記録層の記録感度を向上させるために
光吸収層として半透明の金属膜を設けることが記載され
ている。
【０００９】一方、特開平４−２６５５４１号公報に
は、光ディスク基板と相変化記録層との間に金属膜を設
けた層構成として、ディスクの光反射率を高めることが
記載されている。
は、光ディスク基板と相変化記録層との間に金属膜を設
けた層構成として、ディスクの光反射率を高めることが
記載されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の相変化光ディス
クの層構成は、上述したように、基板上に誘電体保護
層、相変化記録層、誘電体保護層、金属または合金の反
射膜、さらに紫外線硬化樹脂膜を積層したものが一般的
であるが、この層構成の相変化光ディスクでは、記録層
の光吸収が非晶質状態の方が結晶状態よりかなり大きい
ために高記録密度で記録変調歪を生じ易い。これは非晶
質状態の記録マークの上にオーバライトした記録マーク
の形状のほうが、結晶状態の消去トラックに記録したと
きの記録マークより光吸収が大きいためマーク形状が大
きくなるためである。
クの層構成は、上述したように、基板上に誘電体保護
層、相変化記録層、誘電体保護層、金属または合金の反
射膜、さらに紫外線硬化樹脂膜を積層したものが一般的
であるが、この層構成の相変化光ディスクでは、記録層
の光吸収が非晶質状態の方が結晶状態よりかなり大きい
ために高記録密度で記録変調歪を生じ易い。これは非晶
質状態の記録マークの上にオーバライトした記録マーク
の形状のほうが、結晶状態の消去トラックに記録したと
きの記録マークより光吸収が大きいためマーク形状が大
きくなるためである。
【００１１】この発明はかかる事情に鑑みてなされたも
のであって、記録層の非晶質状態と結晶状態との光吸収
の差を改善し高記録密度化に適した情報記録媒体および
その製造方法を提供することを目的とする。
のであって、記録層の非晶質状態と結晶状態との光吸収
の差を改善し高記録密度化に適した情報記録媒体および
その製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、第１に、基板と、光ビームを受光し、受
光部分が状態変化を生じることにより情報が記録される
相変化型の記録層と、記録層の上に設けられた誘電体保
護層と、金属または合金からなるの反射層と、前記誘電
体保護層と前記反射層との間に設けられ、誘電体材料と
金属、半金属または半導体材料とを含む光吸収性保護層
とを有することを特徴とする情報記録媒体を提供するも
のである。
決するために、第１に、基板と、光ビームを受光し、受
光部分が状態変化を生じることにより情報が記録される
相変化型の記録層と、記録層の上に設けられた誘電体保
護層と、金属または合金からなるの反射層と、前記誘電
体保護層と前記反射層との間に設けられ、誘電体材料と
金属、半金属または半導体材料とを含む光吸収性保護層
とを有することを特徴とする情報記録媒体を提供するも
のである。
【００１３】第２に、基板と、光ビームを受光し、受光
部分が状態変化を生じることにより情報が記録される相
変化型の記録層と、前記基板と前記記録層との間に設け
られた誘電体保護層と、前記基板と前記誘電体保護層と
の間に設けられ、誘電体材料と金属、半金属または半導
体材料とを含む光吸収性保護層とを有することを特徴と
する情報記録媒体を提供するものである。
部分が状態変化を生じることにより情報が記録される相
変化型の記録層と、前記基板と前記記録層との間に設け
られた誘電体保護層と、前記基板と前記誘電体保護層と
の間に設けられ、誘電体材料と金属、半金属または半導
体材料とを含む光吸収性保護層とを有することを特徴と
する情報記録媒体を提供するものである。
【００１４】第３に、基板と、光ビームを受光し、受光
部分が状態変化を生じることにより情報が記録される相
変化型の記録層と、前記基板と前記記録層との間および
／または前記記録層の上に設けられた誘電体保護層と、
前記記録層と前記誘電体保護層との間および／または前
記基板と前記記録層との間に設けられ、誘電体材料と金
属、半金属または半導体材料とを含む光吸収性保護層と
を有することを特徴とする情報記録媒体を提供するもの
である。
部分が状態変化を生じることにより情報が記録される相
変化型の記録層と、前記基板と前記記録層との間および
／または前記記録層の上に設けられた誘電体保護層と、
前記記録層と前記誘電体保護層との間および／または前
記基板と前記記録層との間に設けられ、誘電体材料と金
属、半金属または半導体材料とを含む光吸収性保護層と
を有することを特徴とする情報記録媒体を提供するもの
である。
【００１５】第４に、基板と、光ビームを受光し、受光
部分が状態変化を生じることにより情報が記録される相
変化型の記録層と、金属または合金からなる反射層と、
前記記録層と前記反射層との間に設けられ、誘電体材料
と金属、半金属または半導体材料とを含む光吸収性保護
層とを有することを特徴とする情報記録媒体を提供する
ものである。
部分が状態変化を生じることにより情報が記録される相
変化型の記録層と、金属または合金からなる反射層と、
前記記録層と前記反射層との間に設けられ、誘電体材料
と金属、半金属または半導体材料とを含む光吸収性保護
層とを有することを特徴とする情報記録媒体を提供する
ものである。
【００１６】第５に、第３または第４の発明における光
吸収保護層を構成する金属、半金属、または半導体材料
が記録層材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶し
ないものであることを特徴とする情報記録媒体を提供す
るものである。
吸収保護層を構成する金属、半金属、または半導体材料
が記録層材料よりも融点が高く、記録膜材料とは固溶し
ないものであることを特徴とする情報記録媒体を提供す
るものである。
【００１７】さらに、第６に、基板と、光ビームを受光
し、受光部分が状態変化を生じることにより情報が記録
される相変化型の記録層と、誘電体材料と金属、半金属
または半導体材料とを含む光吸収性保護層とを有する情
報記録媒体の製造方法であって、前記記録膜材料、前記
光吸収性保護層材料、を気相法にて大気に曝すことなく
真空中で連続して形成することを特徴とする情報記録媒
体の製造方法を提供するものである。
し、受光部分が状態変化を生じることにより情報が記録
される相変化型の記録層と、誘電体材料と金属、半金属
または半導体材料とを含む光吸収性保護層とを有する情
報記録媒体の製造方法であって、前記記録膜材料、前記
光吸収性保護層材料、を気相法にて大気に曝すことなく
真空中で連続して形成することを特徴とする情報記録媒
体の製造方法を提供するものである。
【００１８】
【作用】相変化光ディスク（情報記録媒体）は、この技
術分野では一般的に、基板上に誘電体保護層、相変化記
録層、誘電体保護層、金属または合金の反射膜、さらに
紫外線硬化樹脂層を積層したものが用いられている。こ
のような層構成の相変化光ディスクでは、記録層の光吸
収が非晶質状態の方が結晶状態よりかなり大きいために
高記録密度で記録変調歪を生じ易い。これは非晶質状態
の記録マークの上にオーバライトした記録マークの形状
の方が、結晶状態の消去トラックに記録したときの記録
マークより光吸収が大きいためマーク形状が大きくなる
ためである。
術分野では一般的に、基板上に誘電体保護層、相変化記
録層、誘電体保護層、金属または合金の反射膜、さらに
紫外線硬化樹脂層を積層したものが用いられている。こ
のような層構成の相変化光ディスクでは、記録層の光吸
収が非晶質状態の方が結晶状態よりかなり大きいために
高記録密度で記録変調歪を生じ易い。これは非晶質状態
の記録マークの上にオーバライトした記録マークの形状
の方が、結晶状態の消去トラックに記録したときの記録
マークより光吸収が大きいためマーク形状が大きくなる
ためである。
【００１９】そこでこの発明ではこの記録層の非晶質状
態と結晶状態との光吸収の差の改善に着目し、誘電体材
料に金属材料を混合した保護層を用いることで記録層の
非晶質状態と結晶状態との光吸収の差を調整して変調歪
を低減しようというものである。
態と結晶状態との光吸収の差の改善に着目し、誘電体材
料に金属材料を混合した保護層を用いることで記録層の
非晶質状態と結晶状態との光吸収の差を調整して変調歪
を低減しようというものである。
【００２０】さらに、記録層材料よりも融点が高く、記
録層材料とは固溶しない金属、半金属または半導体材料
を誘電体材料に混合した保護層を設けることによって記
録層に接してこのような保護層を用いることも可能とな
る。
録層材料とは固溶しない金属、半金属または半導体材料
を誘電体材料に混合した保護層を設けることによって記
録層に接してこのような保護層を用いることも可能とな
る。
【００２１】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。 （第１の実施例）図１は本発明の第１の実施例に係る相
変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この
図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスク
は、光ディスク基板６上に、保護層３、記録層１、保護
層２、光吸収性保護層７、反射層４、保護層５がこの順
に形成された層構成を有している。
に説明する。 （第１の実施例）図１は本発明の第１の実施例に係る相
変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この
図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスク
は、光ディスク基板６上に、保護層３、記録層１、保護
層２、光吸収性保護層７、反射層４、保護層５がこの順
に形成された層構成を有している。
【００２２】この層構成は単板の場合の例であり、記録
層１のある面を内側にしてこの単板光ディスク２枚を貼
り合わせ両面使用の光ディスクとすることも可能であ
る。また、用途によっては、保護層３、保護層５、はそ
れぞれ省略することも可能である。
層１のある面を内側にしてこの単板光ディスク２枚を貼
り合わせ両面使用の光ディスクとすることも可能であ
る。また、用途によっては、保護層３、保護層５、はそ
れぞれ省略することも可能である。
【００２３】光ディスク基板６は、透明で経時変化が少
ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で形成され
る。記録フォーマットに応じて連続溝、サンプルサーボ
マーク、プリフォーマットマーク等が形成される。
ない材料、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エ
ポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で形成され
る。記録フォーマットに応じて連続溝、サンプルサーボ
マーク、プリフォーマットマーク等が形成される。
【００２４】記録層１は、光ビームが照射されることに
より状態が変化する材料で形成されている。このような
相変化型材料としては、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、Ｇｅ
ＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系
等のカルコゲナイド系アモルファス半導体材料やＩｎＳ
ｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体材
料などを用いることができる。この記録層１は、真空蒸
着法やスパッタリング法等で形成することができる。こ
の記録層１の膜厚としては、実用上数ｎｍ〜数μｍの範
囲であることが好ましい。
より状態が変化する材料で形成されている。このような
相変化型材料としては、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、Ｇｅ
ＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系
等のカルコゲナイド系アモルファス半導体材料やＩｎＳ
ｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体材
料などを用いることができる。この記録層１は、真空蒸
着法やスパッタリング法等で形成することができる。こ
の記録層１の膜厚としては、実用上数ｎｍ〜数μｍの範
囲であることが好ましい。
【００２５】保護層２，３は、記録層１を挟むように配
設されており、記録ビームの照射により記録層１が、飛
散したり、穴があいてしまうことを防止する役割を有し
ている。また記録のときの記録層の加熱，冷却の熱拡散
を制御する役割もある。この保護層２，３は、ＳｉＯ
2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、またはこれらの混合材料等
を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成することが
できる。保護層２，３の膜厚は実用上数ｎｍ〜数μｍで
あることが好ましい。
設されており、記録ビームの照射により記録層１が、飛
散したり、穴があいてしまうことを防止する役割を有し
ている。また記録のときの記録層の加熱，冷却の熱拡散
を制御する役割もある。この保護層２，３は、ＳｉＯ
2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、またはこれらの混合材料等
を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成することが
できる。保護層２，３の膜厚は実用上数ｎｍ〜数μｍで
あることが好ましい。
【００２６】反射層４は、記録層の光学的変化を光学的
にエンハンスして再生信号を増大させる効果と記録層の
冷却効果がある。この反射層４は、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、
Ｎｉ−Ｃｒ、またはこれらを主成分とした合金等の金属
膜を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成すること
ができる。反射層の膜厚は、実用上数ｎｍ〜数μｍであ
ることが好ましい。
にエンハンスして再生信号を増大させる効果と記録層の
冷却効果がある。この反射層４は、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、
Ｎｉ−Ｃｒ、またはこれらを主成分とした合金等の金属
膜を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成すること
ができる。反射層の膜厚は、実用上数ｎｍ〜数μｍであ
ることが好ましい。
【００２７】保護層５は、相変化光ディスクを取り扱う
上での傷、ほこり等を防止するために配設されるもので
あり、通常紫外線硬化樹脂などにより形成される。この
保護層５は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法に
より反射層４の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化さ
せて形成する。この保護層５の膜厚としては、実用上数
μｍ〜数百μｍの範囲であることが好ましい。
上での傷、ほこり等を防止するために配設されるもので
あり、通常紫外線硬化樹脂などにより形成される。この
保護層５は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法に
より反射層４の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化さ
せて形成する。この保護層５の膜厚としては、実用上数
μｍ〜数百μｍの範囲であることが好ましい。
【００２８】光吸収性保護層７は、誘電体材料と金属材
料、半金属材料または半導体材料（以下、金属材料等と
記す）との混合材料からなる。誘電体材料は、使用する
光ビームの波長に対して光吸収を持たないが、用いる光
ビームの波長に対して光吸収を有する金属材料等を混合
することによって、適切な光吸収性を持たせることがで
きる。すなわち、誘電体材料と金属材料等とを適宜の割
合で混合することにより、所望の層厚で所望の光吸収性
を持たせることができるのである。光吸収性の点のみを
考慮するとこのような目的の保護層を金属材料等のみで
構成することが考えられるが、この場合には光吸収が高
いため薄い膜に限られ、媒体設計の自由度が低下してし
まう。なお、金属材料等には、金属等の単体、合金、お
よび金属間化合物のいずれも含む。
料、半金属材料または半導体材料（以下、金属材料等と
記す）との混合材料からなる。誘電体材料は、使用する
光ビームの波長に対して光吸収を持たないが、用いる光
ビームの波長に対して光吸収を有する金属材料等を混合
することによって、適切な光吸収性を持たせることがで
きる。すなわち、誘電体材料と金属材料等とを適宜の割
合で混合することにより、所望の層厚で所望の光吸収性
を持たせることができるのである。光吸収性の点のみを
考慮するとこのような目的の保護層を金属材料等のみで
構成することが考えられるが、この場合には光吸収が高
いため薄い膜に限られ、媒体設計の自由度が低下してし
まう。なお、金属材料等には、金属等の単体、合金、お
よび金属間化合物のいずれも含む。
【００２９】上記誘電体材料としては、使用する光ビー
ムの波長に対して光吸収を持たない誘電体材料を用いる
ことができる。例えば半導体レーザの波長に対しては、
ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、Ｔ
ｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、ＳｉＣ、ＳｉＮなどの材
料、またはこれらの混合材料等を用いることができる。
ムの波長に対して光吸収を持たない誘電体材料を用いる
ことができる。例えば半導体レーザの波長に対しては、
ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、Ｔ
ｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、ＳｉＣ、ＳｉＮなどの材
料、またはこれらの混合材料等を用いることができる。
【００３０】上記金属材料としては、使用する光ビーム
の波長に対して光吸収を有する金属材料あるいは半金属
や半導体材料を用いることができる。例えば半導体レー
ザの波長に対しては、元素周期表の３族ａのＹ、４族ａ
のＴｉ，Ｚｒ、５族ａのＶ，Ｎｂ，Ｔａ、６族ａのＣ
ｒ，Ｍｏ，Ｗ、７族ａのＭｎ、８族のＦｅ，Ｒｕ，Ｃ
ｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ、１族ｂのＣｕ，Ａ
ｇ，Ａｕ、２族ｂのＺｎ，Ｃｄ、３族ｂのＢ，Ａｌ，Ｉ
ｎ、４族ｂのＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ、５族ｂのＳ
ｂ，Ｂｉ、６族ｂのＳｅ，Ｔｅ、などのまたはこれらの
混合材料等を用いることができる。
の波長に対して光吸収を有する金属材料あるいは半金属
や半導体材料を用いることができる。例えば半導体レー
ザの波長に対しては、元素周期表の３族ａのＹ、４族ａ
のＴｉ，Ｚｒ、５族ａのＶ，Ｎｂ，Ｔａ、６族ａのＣ
ｒ，Ｍｏ，Ｗ、７族ａのＭｎ、８族のＦｅ，Ｒｕ，Ｃ
ｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ、１族ｂのＣｕ，Ａ
ｇ，Ａｕ、２族ｂのＺｎ，Ｃｄ、３族ｂのＢ，Ａｌ，Ｉ
ｎ、４族ｂのＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ、５族ｂのＳ
ｂ，Ｂｉ、６族ｂのＳｅ，Ｔｅ、などのまたはこれらの
混合材料等を用いることができる。
【００３１】また、光吸収性保護層７の誘電体材料と金
属材料等との混合比は、要求される光吸収性に応じて適
宜設定される。すなわち、誘電体材料は本質的に吸収係
数が０であるから、吸収係数が０より大きい値になるよ
うに金属材料等の量を適宜設定する。そして、吸収係数
が０．０１以上９．０以下になるように金属材料等の量
を設定することが好ましい。吸収係数が０．０１以下で
は光吸収効果が小さく、９．０以上では吸収性が高いの
でこの層厚を厚くすることができず、光ディスクの設計
マージンが狭くなってしまう。
属材料等との混合比は、要求される光吸収性に応じて適
宜設定される。すなわち、誘電体材料は本質的に吸収係
数が０であるから、吸収係数が０より大きい値になるよ
うに金属材料等の量を適宜設定する。そして、吸収係数
が０．０１以上９．０以下になるように金属材料等の量
を設定することが好ましい。吸収係数が０．０１以下で
は光吸収効果が小さく、９．０以上では吸収性が高いの
でこの層厚を厚くすることができず、光ディスクの設計
マージンが狭くなってしまう。
【００３２】この光吸収性保護層７の膜厚は、実用上光
吸収性保護層としての機能から光記録の記録再生で使用
される光ビームを完全には遮断しない膜厚で、さらに光
学的、熱的要件から数ｎｍから数μｍの範囲の所定の膜
厚が設定されることが望ましい。
吸収性保護層としての機能から光記録の記録再生で使用
される光ビームを完全には遮断しない膜厚で、さらに光
学的、熱的要件から数ｎｍから数μｍの範囲の所定の膜
厚が設定されることが望ましい。
【００３３】この光吸収性保護層７はスパッタリングま
たは真空蒸着などの気相法で形成することができる。例
えば、スパッタリングでは、光吸収性保護層７を構成す
る材料の金属または合金のターゲットを用いる。また
は、光吸収性保護層７を構成する材料のターゲットを用
いて同時スパッタ法により形成することも可能である。
たは真空蒸着などの気相法で形成することができる。例
えば、スパッタリングでは、光吸収性保護層７を構成す
る材料の金属または合金のターゲットを用いる。また
は、光吸収性保護層７を構成する材料のターゲットを用
いて同時スパッタ法により形成することも可能である。
【００３４】金属薄膜は活性で吸着性が高いので、真空
を破ることなく、記録層１、保護層２、光吸収性保護層
７、反射層４、を連続して成膜することが望ましい。 （第２の実施例）図２は本発明の第２の実施例に係る相
変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この
図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスク
は、光ディスク基板６上に、光吸収性保護層７、保護層
３、記録層１、保護層２、反射層４、保護層５がこの順
に形成された層構成を有している。この実施例では、光
ディスクの構造上、光吸収保護層７の位置が第１の実施
例とは異なっている。
を破ることなく、記録層１、保護層２、光吸収性保護層
７、反射層４、を連続して成膜することが望ましい。 （第２の実施例）図２は本発明の第２の実施例に係る相
変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この
図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスク
は、光ディスク基板６上に、光吸収性保護層７、保護層
３、記録層１、保護層２、反射層４、保護層５がこの順
に形成された層構成を有している。この実施例では、光
ディスクの構造上、光吸収保護層７の位置が第１の実施
例とは異なっている。
【００３５】この層構成は単板の場合の例であり、第１
の実施例と同様、記録層１のある面を内側にしてこの単
板光ディスク２枚を貼り合わせ両面使用の光ディスクと
することも可能である。また、用途に応じて、保護層５
は省略することも可能である。
の実施例と同様、記録層１のある面を内側にしてこの単
板光ディスク２枚を貼り合わせ両面使用の光ディスクと
することも可能である。また、用途に応じて、保護層５
は省略することも可能である。
【００３６】この実施例において、基板６、光吸収性保
護層７、保護層３、記録層１、保護層２、反射層４、保
護層５はそれぞれ第１の実施例と同様に構成されてい
る。また、この実施例でも第１の実施例と同様、真空を
破ることなく、光ディスク基板６上に光吸収性保護層
７、保護層３、記録層１、保護層２、反射層４、を連続
して成膜することが望ましい。
護層７、保護層３、記録層１、保護層２、反射層４、保
護層５はそれぞれ第１の実施例と同様に構成されてい
る。また、この実施例でも第１の実施例と同様、真空を
破ることなく、光ディスク基板６上に光吸収性保護層
７、保護層３、記録層１、保護層２、反射層４、を連続
して成膜することが望ましい。
【００３７】また、この実施例の応用例として、光ディ
スク基板６上に誘電体の保護層を設けその上に光吸収性
保護層７、保護層３、記録層１、保護層２、反射層４、
を配設することもできる。光ディスク基板６上の誘電体
の該保護層は、保護層３と同様の材料を用いることがで
き、所定の膜厚に設定することができる。 （第３の実施例）図３は本発明の第３の実施例に係る相
変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この
図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスク
は、光ディスク基板６上に、保護層３、光吸収性保護層
７、記録層１、光吸収性保護層８、保護層２、反射層
４、保護層５がこの順に形成された層構成を有してい
る。
スク基板６上に誘電体の保護層を設けその上に光吸収性
保護層７、保護層３、記録層１、保護層２、反射層４、
を配設することもできる。光ディスク基板６上の誘電体
の該保護層は、保護層３と同様の材料を用いることがで
き、所定の膜厚に設定することができる。 （第３の実施例）図３は本発明の第３の実施例に係る相
変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この
図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスク
は、光ディスク基板６上に、保護層３、光吸収性保護層
７、記録層１、光吸収性保護層８、保護層２、反射層
４、保護層５がこの順に形成された層構成を有してい
る。
【００３８】この層構成は単板の場合の例であり、第１
および第２の実施例と同様、記録層１のある面を内側に
してこの単板光ディスク２枚を貼り合わせ両面使用の光
ディスクとすることも可能である。また、用途に応じ
て、保護層３、保護層５はそれぞれ省略することも可能
である。
および第２の実施例と同様、記録層１のある面を内側に
してこの単板光ディスク２枚を貼り合わせ両面使用の光
ディスクとすることも可能である。また、用途に応じ
て、保護層３、保護層５はそれぞれ省略することも可能
である。
【００３９】この実施例において、基板６、保護層３、
記録層１、保護層２、反射層４、保護層５はそれぞれ従
前の実施例と同様に構成されている。光吸収性保護層７
は、保護層３と記録層１との間に配設され、誘電体材料
と金属材料との混合材料からなる。誘電体材料は、使用
する光ビームの波長に対して光吸収を持たないが、用い
る光ビームの波長に対して光吸収を有する金属材料ある
いは半金属や半導体材料を混合することによって、保護
層に光吸収性を持たせることができる。この光吸収性保
護層７も従前の実施例と基本的に同様に構成されるが、
この層が記録層１に接していることから、記録層１との
間の拡散を防止するために、光吸収性保護層７を構成す
る金属材料等の融点は記録層１の融点よりも高いことが
望ましい。このような材料であれば光ビームが照射され
た際に記録層材料とは固溶しない。また、金属材料等の
融点は記録層１の摂氏での融点の３倍以上であることが
一層望ましい。融点の半分以下の温度では冷間加工状態
となり拡散が抑制されるためである。
記録層１、保護層２、反射層４、保護層５はそれぞれ従
前の実施例と同様に構成されている。光吸収性保護層７
は、保護層３と記録層１との間に配設され、誘電体材料
と金属材料との混合材料からなる。誘電体材料は、使用
する光ビームの波長に対して光吸収を持たないが、用い
る光ビームの波長に対して光吸収を有する金属材料ある
いは半金属や半導体材料を混合することによって、保護
層に光吸収性を持たせることができる。この光吸収性保
護層７も従前の実施例と基本的に同様に構成されるが、
この層が記録層１に接していることから、記録層１との
間の拡散を防止するために、光吸収性保護層７を構成す
る金属材料等の融点は記録層１の融点よりも高いことが
望ましい。このような材料であれば光ビームが照射され
た際に記録層材料とは固溶しない。また、金属材料等の
融点は記録層１の摂氏での融点の３倍以上であることが
一層望ましい。融点の半分以下の温度では冷間加工状態
となり拡散が抑制されるためである。
【００４０】例えば、融点が約６００℃のＧｅＳｅＴｅ
系の記録層に対しては、融点が約１８００℃以上のＷ、
Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔ
ｃ、Ｒｈ、Ｚｒなど、及びこれらの合金やその他の化合
物、例えば、Ｔａ−Ｗ、Ｍｏ−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉ、Ｎｂ−
Ａｌなどが適している。
系の記録層に対しては、融点が約１８００℃以上のＷ、
Ｔａ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔ
ｃ、Ｒｈ、Ｚｒなど、及びこれらの合金やその他の化合
物、例えば、Ｔａ−Ｗ、Ｍｏ−Ｓｉ、Ｗ−Ｓｉ、Ｎｂ−
Ａｌなどが適している。
【００４１】光吸収性保護層８は、保護層２と記録層１
との間に配設され、光吸収性保護層７と同様の誘電体材
料と金属材料との混合材料からなり、光吸収性保護層７
と同様に構成される。また、この光吸収性保護層８も記
録層１に接していることから、光吸収性保護層８を構成
する金属材料等の融点は記録層１の融点よりも高いこと
が望ましく、記録層１の摂氏での融点の３倍以上である
ことが望ましい。さらに、この光吸収性保護層８は、光
吸収性保護層７と同様の方法で形成される。
との間に配設され、光吸収性保護層７と同様の誘電体材
料と金属材料との混合材料からなり、光吸収性保護層７
と同様に構成される。また、この光吸収性保護層８も記
録層１に接していることから、光吸収性保護層８を構成
する金属材料等の融点は記録層１の融点よりも高いこと
が望ましく、記録層１の摂氏での融点の３倍以上である
ことが望ましい。さらに、この光吸収性保護層８は、光
吸収性保護層７と同様の方法で形成される。
【００４２】光吸収性保護層７と光吸収性保護層８を構
成する材料は、上記要件を満たしていれば同じ材料でも
よいし、また異なる材料でもよい。また、光吸収性保護
層７かあるいは光吸収性保護層８のどちらかを省いた構
成とすることもできる。
成する材料は、上記要件を満たしていれば同じ材料でも
よいし、また異なる材料でもよい。また、光吸収性保護
層７かあるいは光吸収性保護層８のどちらかを省いた構
成とすることもできる。
【００４３】金属薄膜は活性で吸着性が高いので、真空
を破ることなく、保護層３、光吸収保護層７、記録層
１、光吸収性保護層８、保護層２、反射層４を連続して
成膜することが望ましい。 （第４の実施例）図４は本発明の第４の実施例に係る相
変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この
図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスク
は、光ディスク基板６上に、保護層３、記録層１、光吸
収性保護層７、反射層４、保護層５がこの順に形成され
た層構成を有している。
を破ることなく、保護層３、光吸収保護層７、記録層
１、光吸収性保護層８、保護層２、反射層４を連続して
成膜することが望ましい。 （第４の実施例）図４は本発明の第４の実施例に係る相
変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この
図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスク
は、光ディスク基板６上に、保護層３、記録層１、光吸
収性保護層７、反射層４、保護層５がこの順に形成され
た層構成を有している。
【００４４】この層構成は単板の場合の例であり、従前
の実施例と同様、記録層１のある面を内側にしてこの単
板光ディスク２枚を貼り合わせ両面使用の光ディスクと
することも可能である。また、用途に応じて、保護層
３、保護層５は、それぞれ省略することも可能である。
の実施例と同様、記録層１のある面を内側にしてこの単
板光ディスク２枚を貼り合わせ両面使用の光ディスクと
することも可能である。また、用途に応じて、保護層
３、保護層５は、それぞれ省略することも可能である。
【００４５】この実施例において、基板６、保護層３、
記録層１、光吸収性保護層７、反射層４、保護層５はそ
れぞれ従前の実施例と同様に構成されている。光吸収性
保護層７は、反射層４と記録層１との間に配設される。
この実施例においても第３の実施例と同様、光吸収性保
護層７が記録層１に接していることから、記録層１との
間の拡散を防止するために、光吸収性保護層７を構成す
る金属材料等の融点は記録層１の融点よりも高いことが
望ましく、記録層１の摂氏での融点の３倍以上であるこ
とが望ましい。
記録層１、光吸収性保護層７、反射層４、保護層５はそ
れぞれ従前の実施例と同様に構成されている。光吸収性
保護層７は、反射層４と記録層１との間に配設される。
この実施例においても第３の実施例と同様、光吸収性保
護層７が記録層１に接していることから、記録層１との
間の拡散を防止するために、光吸収性保護層７を構成す
る金属材料等の融点は記録層１の融点よりも高いことが
望ましく、記録層１の摂氏での融点の３倍以上であるこ
とが望ましい。
【００４６】金属薄膜は活性で吸着性が高いので、真空
を破ることなく、記録層１、光吸収性保護層７、反射層
４、を連続して成膜することが望ましい。 （第５の実施例）図５は本発明の第５の実施例に係る相
変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この
図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスク
は、光ディスク基板６上に、保護層３、記録層１、光吸
収性保護層７、保護層５がこの順に形成された層構成を
有している。
を破ることなく、記録層１、光吸収性保護層７、反射層
４、を連続して成膜することが望ましい。 （第５の実施例）図５は本発明の第５の実施例に係る相
変化光ディスクの層構成を模式的に示す図である。この
図に示すように、この実施例に係る相変化光ディスク
は、光ディスク基板６上に、保護層３、記録層１、光吸
収性保護層７、保護層５がこの順に形成された層構成を
有している。
【００４７】この層構成は単板の場合の例であり、従前
の実施例と同様、記録層１のある面を内側にしてこの単
板光ディスク２枚を貼り合わせ両面使用の光ディスクと
することも可能である。また、用途に応じて、保護層
３、保護層５は、それぞれ省略することも可能である。
の実施例と同様、記録層１のある面を内側にしてこの単
板光ディスク２枚を貼り合わせ両面使用の光ディスクと
することも可能である。また、用途に応じて、保護層
３、保護層５は、それぞれ省略することも可能である。
【００４８】この実施例において、基板６、保護層３、
記録層１、光吸収性保護層７、保護層５はそれぞれ従前
の実施例と同様に構成されている。光吸収性保護層７
は、記録層１の上に配設される。この実施例においても
第３および第４の実施例と同様、光吸収性保護層７が記
録層１に接していることから、記録層１との間の拡散を
防止するために、光吸収性保護層７を構成する金属材料
等の融点は記録層１の融点よりも高いことが望ましく、
記録層１の摂氏での融点の３倍以上であることが望まし
い。
記録層１、光吸収性保護層７、保護層５はそれぞれ従前
の実施例と同様に構成されている。光吸収性保護層７
は、記録層１の上に配設される。この実施例においても
第３および第４の実施例と同様、光吸収性保護層７が記
録層１に接していることから、記録層１との間の拡散を
防止するために、光吸収性保護層７を構成する金属材料
等の融点は記録層１の融点よりも高いことが望ましく、
記録層１の摂氏での融点の３倍以上であることが望まし
い。
【００４９】金属薄膜は活性で吸着性が高いので、真空
を破ることなく、記録層１、光吸収性保護層７を連続し
て成膜することが望ましい。 （製造方法）図６を参照しながら上記第１ないし第５の
実施例に係る情報記録媒体（相変化光ディスク）の製造
方法の一例について説明する。
を破ることなく、記録層１、光吸収性保護層７を連続し
て成膜することが望ましい。 （製造方法）図６を参照しながら上記第１ないし第５の
実施例に係る情報記録媒体（相変化光ディスク）の製造
方法の一例について説明する。
【００５０】図６はこの実施例の情報記録媒体を製造す
るために用いられるスパッタリング装置の概略構成を示
す縦断面図、図７はその横断面図である。図中参照符号
１０は真空容器を示し、この真空容器１０は、その底面
にガス導入ポート１１及びガス排出ポート１２を有して
いる。ガス排出ポート１２は排気装置１３に接続されて
おり、排気装置１３により排出ポート１２を介して真空
容器１０内が排気される。またガス導入ポート１１はア
ルゴンガスボンベ１４に接続されており、このボンベ１
４から真空容器１０内にガス導入ポート１１を介してス
パッタリングガスとしてのアルゴンガスが導入される。
るために用いられるスパッタリング装置の概略構成を示
す縦断面図、図７はその横断面図である。図中参照符号
１０は真空容器を示し、この真空容器１０は、その底面
にガス導入ポート１１及びガス排出ポート１２を有して
いる。ガス排出ポート１２は排気装置１３に接続されて
おり、排気装置１３により排出ポート１２を介して真空
容器１０内が排気される。またガス導入ポート１１はア
ルゴンガスボンベ１４に接続されており、このボンベ１
４から真空容器１０内にガス導入ポート１１を介してス
パッタリングガスとしてのアルゴンガスが導入される。
【００５１】真空容器１０内の上部には、基板支持用の
円盤状の回転基台１５がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に基板６が支持され、図示しないモータ
ーによって回転されるようになっている。
円盤状の回転基台１５がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に基板６が支持され、図示しないモータ
ーによって回転されるようになっている。
【００５２】また、真空容器１０内の底部近傍には、基
台１５に対向するように、各層を構成する記録層１用の
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料からなるスパッタリング源２
１、保護層２及び３用のＺｎＳ系材料からなるスパッタ
リング源２２、反射層４用のＡｌ系合金からなるスパッ
タリング源２３、及び本発明に係わる光吸収性保護層７
および／または光吸収性保護層８用の材料、例えばＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 −Ｗからなるスパッタリング源２４が配設
されており、各スパッタリング源には図示しない高周波
電源が接続されている。
台１５に対向するように、各層を構成する記録層１用の
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料からなるスパッタリング源２
１、保護層２及び３用のＺｎＳ系材料からなるスパッタ
リング源２２、反射層４用のＡｌ系合金からなるスパッ
タリング源２３、及び本発明に係わる光吸収性保護層７
および／または光吸収性保護層８用の材料、例えばＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 −Ｗからなるスパッタリング源２４が配設
されており、各スパッタリング源には図示しない高周波
電源が接続されている。
【００５３】これらのスパッタリング源２１，２２，２
３，２４の上部には、それぞれモニタ装置（スパッタリ
ング源２１，２３にそれぞれ対応するモニタ装置２５，
２７のみ図示）が設けられており、これらモニタ装置に
より各スパッタリング源からのスパッタリング量をモニ
タし、各層が所定の膜厚になるように各スパッタリング
源のスパッタリング時間を調節するようになっている。
３，２４の上部には、それぞれモニタ装置（スパッタリ
ング源２１，２３にそれぞれ対応するモニタ装置２５，
２７のみ図示）が設けられており、これらモニタ装置に
より各スパッタリング源からのスパッタリング量をモニ
タし、各層が所定の膜厚になるように各スパッタリング
源のスパッタリング時間を調節するようになっている。
【００５４】このようなスパッタリング装置において
は、まず排気装置により真空容器１０内を例えば１０-6
Ｔｏｒｒ台の真空度まで排気する。次いでガス導入ポー
ト１１を介して容器１０内にアルゴンガスを導入しつ
つ、排気装置１３の排気量を調節して真空容器１０内を
所定のアルゴンガス雰囲気に保持する。この状態で、基
板６を回転させつつ、各スパッタリング源に層構成の順
番に所定時間所定の電力を印加する。これにより、基板
６に所定の層構成を形成することができる。
は、まず排気装置により真空容器１０内を例えば１０-6
Ｔｏｒｒ台の真空度まで排気する。次いでガス導入ポー
ト１１を介して容器１０内にアルゴンガスを導入しつ
つ、排気装置１３の排気量を調節して真空容器１０内を
所定のアルゴンガス雰囲気に保持する。この状態で、基
板６を回転させつつ、各スパッタリング源に層構成の順
番に所定時間所定の電力を印加する。これにより、基板
６に所定の層構成を形成することができる。
【００５５】本発明では特に、光吸収性保護層７（光吸
収性保護層８を有する第３の実施例の層構成では光吸収
性保護層７および光吸収性保護層８）の成膜の前後で真
空容器１０を開けて大気に曝すことなく光吸収性保護層
７および／または光吸収性保護層８を成膜する。これに
よって、光吸収性保護層７および／または光吸収性保護
層８及び記録層１の酸化やゴミの混入を防止することが
でき、光吸収性保護層７および／または光吸収性保護層
８の記録層１との密着性を優れたものにすることができ
る。
収性保護層８を有する第３の実施例の層構成では光吸収
性保護層７および光吸収性保護層８）の成膜の前後で真
空容器１０を開けて大気に曝すことなく光吸収性保護層
７および／または光吸収性保護層８を成膜する。これに
よって、光吸収性保護層７および／または光吸収性保護
層８及び記録層１の酸化やゴミの混入を防止することが
でき、光吸収性保護層７および／または光吸収性保護層
８の記録層１との密着性を優れたものにすることができ
る。
【００５６】（実験例）上記製造方法で以下に示す層構
成のディスクＮｏ．１，２，３，４，５を作製した。
成のディスクＮｏ．１，２，３，４，５を作製した。
【００５７】また、記録特性の比較のために、図８に示
す層構成の記従来例１に係るディスクＮｏ．６を作製し
た。この従来例のディスクＮｏ．１は第１の実施例の光
ディスクから光吸収保護層７を除いた構成、すなわち、
基板６上に、保護層３、記録層１、保護層２、反射層
４、保護層５を順に形成した層構成を有している。
す層構成の記従来例１に係るディスクＮｏ．６を作製し
た。この従来例のディスクＮｏ．１は第１の実施例の光
ディスクから光吸収保護層７を除いた構成、すなわち、
基板６上に、保護層３、記録層１、保護層２、反射層
４、保護層５を順に形成した層構成を有している。
【００５８】ディスクＮｏ．１は、前述の実施例１に係
わるもので、反射層４と保護層２の間にＺｎＳ−ＳｉＯ
2 −Ｗからなる光吸収性保護層７を設けたものである。
各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３（１００
ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ系
保護層２（１０ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗ光吸収性
保護層７（２５ｎｍ）、Ａｌ系反射層４（１００ｎｍ）
とした。
わるもので、反射層４と保護層２の間にＺｎＳ−ＳｉＯ
2 −Ｗからなる光吸収性保護層７を設けたものである。
各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３（１００
ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ系
保護層２（１０ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗ光吸収性
保護層７（２５ｎｍ）、Ａｌ系反射層４（１００ｎｍ）
とした。
【００５９】ディスクＮｏ．２は、前述の実施例２に係
わるもので、基板１側の保護層３を介してＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 −Ｗからなる光吸収性保護層７を設けたものであ
る。各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層（１０
０ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗ光吸収性保護層７（２
５ｎｍ）、ＺｎＳ系保護層３（１０ｎｍ）、ＧｅＳｂＴ
ｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ系保護層２（２５ｎ
ｍ）、Ａｌ系反射層４（１００ｎｍ）とした。
わるもので、基板１側の保護層３を介してＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2 −Ｗからなる光吸収性保護層７を設けたものであ
る。各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層（１０
０ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗ光吸収性保護層７（２
５ｎｍ）、ＺｎＳ系保護層３（１０ｎｍ）、ＧｅＳｂＴ
ｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ系保護層２（２５ｎ
ｍ）、Ａｌ系反射層４（１００ｎｍ）とした。
【００６０】ディスクＮｏ．３は、前述の実施例３に係
わるもので、基板１側の保護層３と記録層１との間及び
記録層１と保護層２の間にＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗからな
る光吸収性保護層７及び８を設けたものである。
わるもので、基板１側の保護層３と記録層１との間及び
記録層１と保護層２の間にＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗからな
る光吸収性保護層７及び８を設けたものである。
【００６１】各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護
層３（１００ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗ光吸収性保
護層７（１０ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎ
ｍ）、Ｗ光吸収性保護層８（１０ｎｍ）、ＺｎＳ系保護
層２（２５ｎｍ）、Ａｌ系反射層４（１００ｎｍ）とし
た。
層３（１００ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗ光吸収性保
護層７（１０ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎ
ｍ）、Ｗ光吸収性保護層８（１０ｎｍ）、ＺｎＳ系保護
層２（２５ｎｍ）、Ａｌ系反射層４（１００ｎｍ）とし
た。
【００６２】ディスクＮｏ．４は、前述の実施例４に係
わるもので、反射層４と記録層１の間にＺｎＳ−ＳｉＯ
2 −Ｗからなる光吸収性保護層７を設けたものである。
各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３（１００
ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 −Ｗ光吸収性保護層７（２５ｎｍ）、Ａｌ系反
射層４（１００ｎｍ）とした。
わるもので、反射層４と記録層１の間にＺｎＳ−ＳｉＯ
2 −Ｗからなる光吸収性保護層７を設けたものである。
各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３（１００
ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ−
ＳｉＯ2 −Ｗ光吸収性保護層７（２５ｎｍ）、Ａｌ系反
射層４（１００ｎｍ）とした。
【００６３】ディスクＮｏ．５は、前述の実施例５に係
わるもので、記録層１の上にＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗから
なる光吸収性保護層７を設けたものである。各層の膜厚
は、基板６側からＺｎＳ系保護層３（１００ｎｍ）、Ｇ
ｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −
Ｗ光吸収性保護層７（５００ｎｍ）とした。
わるもので、記録層１の上にＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｗから
なる光吸収性保護層７を設けたものである。各層の膜厚
は、基板６側からＺｎＳ系保護層３（１００ｎｍ）、Ｇ
ｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 −
Ｗ光吸収性保護層７（５００ｎｍ）とした。
【００６４】また、上記従来例に係るディスクＮｏ．６
の各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３（１０
０ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ
系保護層２（２５ｎｍ）、Ａｌ系反射層４（１００ｎ
ｍ）とした。
の各層の膜厚は、基板６側からＺｎＳ系保護層３（１０
０ｎｍ）、ＧｅＳｂＴｅ記録層１（２０ｎｍ）、ＺｎＳ
系保護層２（２５ｎｍ）、Ａｌ系反射層４（１００ｎ
ｍ）とした。
【００６５】なお、ディスクは直径８６ｍｍの基板を用
いた。また、各ディスクの特性の評価は波長６８０ｎｍ
の光ビームを使用した。光吸収性保護層としては上述し
たようにＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体にＷを混合したものを
用いた。Ｗは融点が約３３８０℃で記録層１のＧｅＳｂ
Ｔｅの融点約６００℃の３倍以上高温であり、熱的安定
性にも優れている。記録層１に接して使用する場合、Ｇ
ｅＳｂＴｅとの濡れ性も優れている。波長６８０ｎｍに
おいて、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体の光学定数を測定する
と屈折率２．０であるが、これにＷを同時にスパッタ法
で混合すると屈折率２．８、吸収係数０．４となった。
この混合したときの屈折率と吸収係数は、混合するＷの
量によって調整できる。
いた。また、各ディスクの特性の評価は波長６８０ｎｍ
の光ビームを使用した。光吸収性保護層としては上述し
たようにＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体にＷを混合したものを
用いた。Ｗは融点が約３３８０℃で記録層１のＧｅＳｂ
Ｔｅの融点約６００℃の３倍以上高温であり、熱的安定
性にも優れている。記録層１に接して使用する場合、Ｇ
ｅＳｂＴｅとの濡れ性も優れている。波長６８０ｎｍに
おいて、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 誘電体の光学定数を測定する
と屈折率２．０であるが、これにＷを同時にスパッタ法
で混合すると屈折率２．８、吸収係数０．４となった。
この混合したときの屈折率と吸収係数は、混合するＷの
量によって調整できる。
【００６６】以上、６種類のディスクの記録層の光吸収
特性の評価を光学計算により行った。光学計算で用いた
各膜の波長６８０ｎｍにおける光学定数を表１に示す。
これらは、実験的に求めた実測値である。
特性の評価を光学計算により行った。光学計算で用いた
各膜の波長６８０ｎｍにおける光学定数を表１に示す。
これらは、実験的に求めた実測値である。
【００６７】
【表１】
【００６８】その結果を第９図から第１４図に示す。図
９はディスクＮｏ．１の記録層が非晶質状態（実線）と
結晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図は１
０はディスクＮｏ．２の記録層が非晶質状態（実線）と
結晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図１１
はディスクＮｏ．３の記録層が非晶質状態（実線）と結
晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図１２
は、ディスクＮｏ．４の記録層が非晶質状態（実線）と
結晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図１３
はディスク５の記録層が非晶質状態（実線）と結晶状態
（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図１４は従来例
ディスクＮｏ．６の記録層が非晶質状態（実線）と結晶
状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。表２に各デ
ィスクの記録層の吸収率の比較をまとめて示す。
９はディスクＮｏ．１の記録層が非晶質状態（実線）と
結晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図は１
０はディスクＮｏ．２の記録層が非晶質状態（実線）と
結晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図１１
はディスクＮｏ．３の記録層が非晶質状態（実線）と結
晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図１２
は、ディスクＮｏ．４の記録層が非晶質状態（実線）と
結晶状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図１３
はディスク５の記録層が非晶質状態（実線）と結晶状態
（点線）の場合の各層の光吸収を示す。図１４は従来例
ディスクＮｏ．６の記録層が非晶質状態（実線）と結晶
状態（点線）の場合の各層の光吸収を示す。表２に各デ
ィスクの記録層の吸収率の比較をまとめて示す。
【００６９】
【表２】
【００７０】これらの結果から明らかなように、従来例
のディスクＮｏ．６では、非晶質状態のほうが結晶状態
より記録層の光吸収が１２％大きい。これに対して本発
明の実施例であるディスクＮｏ．１からディスクＮｏ．
５では記録層の光吸収率差がいずれも１２％より小さく
なり、非晶質状態と結晶状態の記録層の光吸収差が従来
の光ディスクよりも改善されていることが確認される。
特にディスク５では結晶状態の方が非晶質状態よりも記
録層の光吸収が大きくなっており、非晶質状態と結晶状
態の記録層の光吸収差の改善の効果が大きい。
のディスクＮｏ．６では、非晶質状態のほうが結晶状態
より記録層の光吸収が１２％大きい。これに対して本発
明の実施例であるディスクＮｏ．１からディスクＮｏ．
５では記録層の光吸収率差がいずれも１２％より小さく
なり、非晶質状態と結晶状態の記録層の光吸収差が従来
の光ディスクよりも改善されていることが確認される。
特にディスク５では結晶状態の方が非晶質状態よりも記
録層の光吸収が大きくなっており、非晶質状態と結晶状
態の記録層の光吸収差の改善の効果が大きい。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、従
来の相変化光ディスクよりも記録層における非晶質状態
と結晶状態との光吸収の差を少なくすることができ、高
記録密度化に適した情報記録媒体およびその製造方法を
提供することができる。
来の相変化光ディスクよりも記録層における非晶質状態
と結晶状態との光吸収の差を少なくすることができ、高
記録密度化に適した情報記録媒体およびその製造方法を
提供することができる。
【００７２】またこの発明ではこの光吸収性保護層と記
録層、誘電体保護層、または反射膜との付着力の改善の
効果も期待できるのでより信頼性の向上した相変化光デ
ィスクを提供することができる。
録層、誘電体保護層、または反射膜との付着力の改善の
効果も期待できるのでより信頼性の向上した相変化光デ
ィスクを提供することができる。
【００７３】さらに、相変化型の記録層と接して該光吸
収性保護層を設けることによって上の誘電体保護層ある
いは反射膜を省略することも可能となり、ディスクの低
コスト化が図れる。
収性保護層を設けることによって上の誘電体保護層ある
いは反射膜を省略することも可能となり、ディスクの低
コスト化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例に係る相変化光ディスクの断
面図。
面図。
【図２】この発明の他の実施例に係る相変化光ディスク
の断面図。
の断面図。
【図３】この発明のさらに他の実施例に係る相変化光デ
ィスクの断面図。
ィスクの断面図。
【図４】この発明のさらに他の実施例に係る相変化光デ
ィスクの断面図。
ィスクの断面図。
【図５】この発明のさらに他の実施例に係る相変化光デ
ィスクの断面図。
ィスクの断面図。
【図６】この発明に係る情報記録媒体を製造するために
用いられるスパッタリング装置の概略構成を示す縦断面
図。
用いられるスパッタリング装置の概略構成を示す縦断面
図。
【図７】図６のスパッタリング装置の横断面図である。
【図８】従来の相変化光ディスクの層構成を模式的に示
す図である。
す図である。
【図９】この発明の実験例において作成した相変化光デ
ィスクＮｏ．１の光吸収特性の評価を示す図。
ィスクＮｏ．１の光吸収特性の評価を示す図。
【図１０】この発明の実験例において作成した相変化光
ディスクＮｏ．２の光吸収特性の評価を示す図。
ディスクＮｏ．２の光吸収特性の評価を示す図。
【図１１】この発明の実験例において作成した相変化光
ディスクＮｏ．３の光吸収特性の評価を示す図。
ディスクＮｏ．３の光吸収特性の評価を示す図。
【図１２】この発明の実験例において作成した相変化光
ディスクＮｏ．４の光吸収特性の評価を示す図。
ディスクＮｏ．４の光吸収特性の評価を示す図。
【図１３】この発明の実験例において作成した相変化光
ディスクＮｏ．５の光吸収特性の評価を示す図。
ディスクＮｏ．５の光吸収特性の評価を示す図。
【図１４】従来の相変化光ディスクＮｏ．６の光吸収特
性の評価を示す図。
性の評価を示す図。
１…記録層、２…保護層、３…保護層、４…反射層、５
…保護層、６…光ディスク基板、７，８…光吸収性保護
層、９…保護層、１０…真空容器、１１…ガス導入ポー
ト、１２…ガス排気ポート、１３…排気装置、１４…ア
ルゴンガスボンベ、１５…回転台、２１，２２，２３，
２４…スパッタリング源、２５，２７…モニタ装置。
…保護層、６…光ディスク基板、７，８…光吸収性保護
層、９…保護層、１０…真空容器、１１…ガス導入ポー
ト、１２…ガス排気ポート、１３…排気装置、１４…ア
ルゴンガスボンベ、１５…回転台、２１，２２，２３，
２４…スパッタリング源、２５，２７…モニタ装置。
Claims (8)
- 【請求項１】 基板と、 光ビームを受光し、受光部分が状態変化を生じることに
より情報が記録される相変化型の記録層と、 この記録層の上に設けられた誘電体保護層と、 金属または合金からなる反射層と、 前記誘電体保護層と前記反射層との間に設けられ、誘電
体材料と金属、半金属または半導体材料とを含む光吸収
性保護層と、を有することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項２】 基板と、 光ビームを受光し、受光部分が状態変化を生じることに
より情報が記録される相変化型の記録層と、 前記基板と前記記録層との間に設けられた誘電体保護層
と、 前記基板と前記誘電体保護層との間に設けられ、誘電体
材料と金属、半金属または半導体材料とを含む光吸収性
保護層と、を有することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項３】 基板と、 光ビームを受光し、受光部分が状態変化を生じることに
より情報が記録される相変化型の記録層と、 前記基板と前記記録層との間および／または前記記録層
の上に設けられた誘電体保護層と、 前記記録層と前記誘電体保護層との間および／または前
記基板と前記記録層との間に設けられ、誘電体材料と金
属、半金属または半導体材料とを含む光吸収性保護層
と、を有することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項４】 基板と、 光ビームを受光し、受光部分が状態変化を生じることに
より情報が記録される相変化型の記録層と、 金属または合金からなる反射層と、 前記記録層と前記反射層との間に設けられ、誘電体材料
と金属、半金属または半導体材料とを含む光吸収性保護
層と、を有することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項５】 前記光吸収性保護層の金属、半金属また
は半導体材料は、前記記録膜の材料よりも融点が高く、
記録膜材料とは固溶しないものであることを特徴とする
請求項３または請求項４に記載の情報記録媒体。 - 【請求項６】 前記光吸収性保護層の誘電体材料は、Ｓ
ｉＯ2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、Ｔｉ
Ｏ2 、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、およびこ
れらの混合材料からなるなる群から選択される少なくと
も一種であることを特徴とする請求項１ないし請求項４
のいずれか１項に記載の情報記録媒体。 - 【請求項７】 前記光吸収性保護層の金属材料、半金属
または半導体材料は、周期律表の３族ａのＹ、４族ａの
Ｔｉ，Ｚｒ、５族ａのＶ，Ｎｂ，Ｔａ、６族ａのＣｒ，
Ｍｏ，Ｗ、７族ａのＭｎ、８族のＦｅ，Ｒｕ，Ｃｏ，Ｒ
ｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ、１族ｂのＣｕ，Ａｇ，Ａ
ｕ、２族ｂのＺｎ，Ｃｄ、３族ｂのＢ，Ａｌ，Ｉｎ、４
族ｂのＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ、５族ｂのＳｂ，Ｂ
ｉ、６族ｂのＳｅ，Ｔｅ、およびこれらの混合材料から
なる群から選択少なくとも一種であることを特徴とする
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の情報記
録媒体。 - 【請求項８】基板と、光ビームを受光し、受光部分が状
態変化を生じること態の変化を生じさせて情報を記録す
る相変化型の記録層と、誘電体材料と金属、半金属また
は半導体材料とを含む光吸収性保護層とを有する情報記
録媒体の製造方法であって、 前記記録膜材料、前記光吸収性保護層材料、を気相法に
て大気に曝すことなく真空中で連続して形成することを
特徴とする情報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22654794A JP3516996B2 (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 情報記録媒体およびその製造方法 |
| US08/528,668 US5652036A (en) | 1994-09-21 | 1995-09-15 | Information recording medium and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22654794A JP3516996B2 (ja) | 1994-09-21 | 1994-09-21 | 情報記録媒体およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003368865A Division JP2004111048A (ja) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | 情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0896411A true JPH0896411A (ja) | 1996-04-12 |
| JP3516996B2 JP3516996B2 (ja) | 2004-04-05 |
Family
ID=16846868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3516996B2 (ja) |
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| KR19980059950A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 구자홍 | 상변화형 광디스크 |
| KR19980059959A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 구자홍 | 상변화형 광디스크 및 그의 제조방법 |
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| WO1999044199A1 (fr) * | 1998-02-24 | 1999-09-02 | Sony Corporation | Support d'enregistrement optique |
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| JPH08329525A (ja) * | 1995-03-27 | 1996-12-13 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体および情報メモリー装置 |
| JPH10289479A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-27 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| US5972459A (en) * | 1997-04-25 | 1999-10-26 | Sony Corporation | Optical recording medium and optical disk apparatus |
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| JP4018340B2 (ja) * | 1998-06-18 | 2007-12-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 書換可能型光学情報媒体 |
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| JP2000348397A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-12-15 | Tdk Corp | 情報媒体、情報再生方法および情報再生装置 |
| FR2813138B1 (fr) * | 2000-08-21 | 2002-11-29 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement optique multi-niveau a puits thermique transparent pour systeme de lecture/ecriture par laser |
| TW554341B (en) * | 2000-12-15 | 2003-09-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Optical information medium and its use |
| TW584849B (en) * | 2001-07-12 | 2004-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information recording medium and recording method using the same |
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| EP1480208B1 (en) * | 2003-05-20 | 2006-03-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for manufacturing the medium |
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| JPS62139152A (ja) * | 1985-12-12 | 1987-06-22 | Fujitsu Ltd | 光デイスク |
| JPH0777040B2 (ja) * | 1986-03-28 | 1995-08-16 | 株式会社東芝 | 光記録媒体 |
| JPS63261548A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Hitachi Ltd | 光デイスク |
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| JPH04265541A (ja) * | 1991-02-20 | 1992-09-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 光記録媒体 |
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1994
- 1994-09-21 JP JP22654794A patent/JP3516996B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-09-15 US US08/528,668 patent/US5652036A/en not_active Expired - Lifetime
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| US6551679B1 (en) | 1998-02-24 | 2003-04-22 | Sony Corporation | Optical recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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