JPH04366440A - 情報記録媒体の製造方法 - Google Patents
情報記録媒体の製造方法Info
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- JPH04366440A JPH04366440A JP3143368A JP14336891A JPH04366440A JP H04366440 A JPH04366440 A JP H04366440A JP 3143368 A JP3143368 A JP 3143368A JP 14336891 A JP14336891 A JP 14336891A JP H04366440 A JPH04366440 A JP H04366440A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 61
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 34
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018321 SbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004481 Ta2O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録再生で用い
られる光ディスク、光カード、光テープなどの情報記録
媒体の製造方法に関する。
られる光ディスク、光カード、光テープなどの情報記録
媒体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】基板上に薄膜を設け、この薄膜に記録す
べき情報を有する光ビームを照射することにより上記薄
膜に局所的に光学特製の変化を生じさせ、これにより情
報の記録を行うことが可能な情報記録媒体において、基
板上に少なくとも反射層を備えてなる情報記録媒体で、
前記反射層が、アルミニウム(Al)に少なくともチタ
ン(Ti)を添加してなる材料からなる、情報記録媒体
を用いたものとして以下のような特許出願がなされてい
る。
べき情報を有する光ビームを照射することにより上記薄
膜に局所的に光学特製の変化を生じさせ、これにより情
報の記録を行うことが可能な情報記録媒体において、基
板上に少なくとも反射層を備えてなる情報記録媒体で、
前記反射層が、アルミニウム(Al)に少なくともチタ
ン(Ti)を添加してなる材料からなる、情報記録媒体
を用いたものとして以下のような特許出願がなされてい
る。
【0003】特開平2−126446号公報は、基板上
に少なくとも磁性膜と反射層を備えてなる光磁記録媒体
において、前記反射層が、アルミニウム(Al)にチタ
ンTi)または銅を添加してなることを特徴とする光磁
記録媒体に関するものである。アルミニウムに対するチ
タンの添加効果について記述されているが、その製造方
法については発明となる説明はなされていない。
に少なくとも磁性膜と反射層を備えてなる光磁記録媒体
において、前記反射層が、アルミニウム(Al)にチタ
ンTi)または銅を添加してなることを特徴とする光磁
記録媒体に関するものである。アルミニウムに対するチ
タンの添加効果について記述されているが、その製造方
法については発明となる説明はなされていない。
【0004】特開平2−128332号公報は、記録用
ビームの照射を受けて変化を生じる情報記録用薄膜を有
する記録媒体において、上記情報記録用薄膜に隣接して
形成した無機物および有機物のうち少なくとも一者から
なる保護層に接して、Al、Cu、Ag、およびAuよ
りなるA群より選ばれた少なくとも一者と、Ti、V、
Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Zr、Nb、Mo、R
h、Pd、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pt、
Pb、Bi、およびCよりなるB群より選ばれた少なく
とも一者を主成分とする層を有することを特徴とする情
報記録用部材に関するものである。アルミニウムに対し
てチタンを添加したときの繰り返し特性について記述さ
れているが、その製造方法については発明となる説明は
なされていない。
ビームの照射を受けて変化を生じる情報記録用薄膜を有
する記録媒体において、上記情報記録用薄膜に隣接して
形成した無機物および有機物のうち少なくとも一者から
なる保護層に接して、Al、Cu、Ag、およびAuよ
りなるA群より選ばれた少なくとも一者と、Ti、V、
Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Zr、Nb、Mo、R
h、Pd、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pt、
Pb、Bi、およびCよりなるB群より選ばれた少なく
とも一者を主成分とする層を有することを特徴とする情
報記録用部材に関するものである。アルミニウムに対し
てチタンを添加したときの繰り返し特性について記述さ
れているが、その製造方法については発明となる説明は
なされていない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来は、アルミニウム
に対してチタンを添加したときの特性については記述さ
れているが、その製造方法については発明となる説明は
なされていない。
に対してチタンを添加したときの特性については記述さ
れているが、その製造方法については発明となる説明は
なされていない。
【0006】基板上に少なくとも反射層を備えてなる情
報記録媒体において、前記反射層がアルミニウム(Al
)に少なくともチタン(Ti)を添加している材料から
なり、該反射層をスパッタ法で形成するとき、良質なA
l合金反射膜を得るためには、スパッタ条件に大きく依
存する。
報記録媒体において、前記反射層がアルミニウム(Al
)に少なくともチタン(Ti)を添加している材料から
なり、該反射層をスパッタ法で形成するとき、良質なA
l合金反射膜を得るためには、スパッタ条件に大きく依
存する。
【0007】そこで、この発明は、基板上に少なくとも
反射層を備えてなる情報記録媒体において、前記反射層
が、アルミニウム(Al)に少なくともチタン(Ti)
を添加してなる材料からなり、該反射層をスパッタ法で
形成するときに、良質なAl合金反射膜を得るための情
報記録媒体の製造方法を提供するものである。
反射層を備えてなる情報記録媒体において、前記反射層
が、アルミニウム(Al)に少なくともチタン(Ti)
を添加してなる材料からなり、該反射層をスパッタ法で
形成するときに、良質なAl合金反射膜を得るための情
報記録媒体の製造方法を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、基板上に少なくとも反射層を備えてなる
情報記録媒体において、前記反射層が、アルミニウム(
Al)に少なくともチタン(Ti)を添加してなる材料
からなり、該反射層をスパッタ法で形成するときに、ス
パッタ室内を百万分の5Torr 以下の真空度にして
から該材料の原料となるターゲットをスパッタするもの
である。
決するために、基板上に少なくとも反射層を備えてなる
情報記録媒体において、前記反射層が、アルミニウム(
Al)に少なくともチタン(Ti)を添加してなる材料
からなり、該反射層をスパッタ法で形成するときに、ス
パッタ室内を百万分の5Torr 以下の真空度にして
から該材料の原料となるターゲットをスパッタするもの
である。
【0009】
【作用】アルミニウム(Al)に少なくともチタン(T
i)を添加してなる材料からなる反射層をスパッタ法で
形成するときに、スパッタ室内を百万分の5Torr
以下の真空度にしてから該材料の原料となるターゲット
をスパッタすることにより、スパッタするときの雰囲気
を清浄に保て、不純物となる有害ガス成分を除去できる
のでピンホール、酸化膜などのない良質な反射層を形成
することができる。
i)を添加してなる材料からなる反射層をスパッタ法で
形成するときに、スパッタ室内を百万分の5Torr
以下の真空度にしてから該材料の原料となるターゲット
をスパッタすることにより、スパッタするときの雰囲気
を清浄に保て、不純物となる有害ガス成分を除去できる
のでピンホール、酸化膜などのない良質な反射層を形成
することができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
【0011】図1に情報記録媒体としての相変化型光デ
スク1の層構成の1例を模式的に示す。図1において、
2は光デスク基板であり、この光デスク基板2の片面に
保護層3、記録層4、保護層5、反射層6、保護層7を
順次積層した構成となっている。
スク1の層構成の1例を模式的に示す。図1において、
2は光デスク基板であり、この光デスク基板2の片面に
保護層3、記録層4、保護層5、反射層6、保護層7を
順次積層した構成となっている。
【0012】この光デスク1の層構成は単板の場合の例
であり、記録層4のある面を内側にしてこの単板の2枚
の光デスク1を貼合わせ両面使用の光デスクとすること
も可能である。また、用途に応じて保護層3、保護層5
、保護層7はそれぞれ省略することも可能である。
であり、記録層4のある面を内側にしてこの単板の2枚
の光デスク1を貼合わせ両面使用の光デスクとすること
も可能である。また、用途に応じて保護層3、保護層5
、保護層7はそれぞれ省略することも可能である。
【0013】光デスク基板2は、透明で経時変化が少な
い材料、例えばポリメチルメタクリレート(PMMA)
のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキ
シ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で形成される。 記録フォーマットに応じて連続溝、サンプルサーボマー
ク、プリフォーマットマーク等が形成される。
い材料、例えばポリメチルメタクリレート(PMMA)
のようなアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキ
シ樹脂、スチレン樹脂、またはガラス等で形成される。 記録フォーマットに応じて連続溝、サンプルサーボマー
ク、プリフォーマットマーク等が形成される。
【0014】記録層4は、光ビーム(記録ビ−ム)Lに
よる熱的エネルギーの賦与により光学定数が変化する、
少なくともTe、Sb、Ge、Inから選ばれる3種以
上を主成分とする材料などの相変化材料で形成されてい
る。
よる熱的エネルギーの賦与により光学定数が変化する、
少なくともTe、Sb、Ge、Inから選ばれる3種以
上を主成分とする材料などの相変化材料で形成されてい
る。
【0015】例えば、光ビームLによる熱的エネルギー
の賦与により光学定数が変化する材料としては、GeS
bTe系、InSbTe系、GeTeIn系の少なくと
も3元系の材料などを用いることができる。これらの光
学特性が変化する材料は、真空蒸着法、スパッタ法など
で形成できる。記録層4の膜厚としては、実用上数nm
〜数umの範囲であることが好ましい。
の賦与により光学定数が変化する材料としては、GeS
bTe系、InSbTe系、GeTeIn系の少なくと
も3元系の材料などを用いることができる。これらの光
学特性が変化する材料は、真空蒸着法、スパッタ法など
で形成できる。記録層4の膜厚としては、実用上数nm
〜数umの範囲であることが好ましい。
【0016】また、保護層3,5は、記録層4を挟むよ
うに配設されており、光ビ−ムLの照射により記録層4
が、飛散したり、穴があいてしまうことを防止する役割
を有している。また記録のときの記録層4の加熱、冷却
の熱拡散を制御する役割もある。
うに配設されており、光ビ−ムLの照射により記録層4
が、飛散したり、穴があいてしまうことを防止する役割
を有している。また記録のときの記録層4の加熱、冷却
の熱拡散を制御する役割もある。
【0017】この保護層2,3は、Si02 、Si0
、AlN、Al2 O3 、Zr02 、TiO2 、
Ta2 O3 、ZnS、Si、Ge、またはこれらの
混合膜等を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成す
ることができる。保護層2、3の膜厚は実用上数nm〜
umであることが好ましい。反射層6は、記録層4の光
学的変化を光学的にエンハンスして再生信号を増大させ
る効果と記録層4の冷却効果がある。
、AlN、Al2 O3 、Zr02 、TiO2 、
Ta2 O3 、ZnS、Si、Ge、またはこれらの
混合膜等を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成す
ることができる。保護層2、3の膜厚は実用上数nm〜
umであることが好ましい。反射層6は、記録層4の光
学的変化を光学的にエンハンスして再生信号を増大させ
る効果と記録層4の冷却効果がある。
【0018】本発明では、特にこの反射層6にアルミニ
ウム(Al)に少なくともチタン(Ti)を添加してな
る材料を用い、該反射層6をスパッタ法で形成するとき
に、スパッタ室内を百万分の5Torr 以下の真空度
にしてから該材料の原料となるターゲットをスパッタす
るものである。反射層6の膜厚は、実用上数nm〜数u
mであることが好ましい。
ウム(Al)に少なくともチタン(Ti)を添加してな
る材料を用い、該反射層6をスパッタ法で形成するとき
に、スパッタ室内を百万分の5Torr 以下の真空度
にしてから該材料の原料となるターゲットをスパッタす
るものである。反射層6の膜厚は、実用上数nm〜数u
mであることが好ましい。
【0019】保護層7は、相変化光デスク1を取扱う上
での傷、ほこり等を防止するために配設されるものであ
り、通常、紫外線硬化型樹脂などにより形成される。こ
の保護層7は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法
により反射層4の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化
させて形成する。この保護層7の膜厚としては、実用上
数um〜数百umの範囲であることが好ましい。
での傷、ほこり等を防止するために配設されるものであ
り、通常、紫外線硬化型樹脂などにより形成される。こ
の保護層7は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法
により反射層4の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化
させて形成する。この保護層7の膜厚としては、実用上
数um〜数百umの範囲であることが好ましい。
【0020】特に、この発明においては層構成を急冷構
造とすることが望ましく、保護層3または保護層5に熱
伝導率の大きな材料を用いることが望ましい。また、記
録層4の光学特性が変化する材料も、非晶質化し易い材
料であることが好ましい。さらに、記録層4の膜厚を薄
くすること、反射層6側の保護層5の膜厚を薄くするこ
とも有効である。
造とすることが望ましく、保護層3または保護層5に熱
伝導率の大きな材料を用いることが望ましい。また、記
録層4の光学特性が変化する材料も、非晶質化し易い材
料であることが好ましい。さらに、記録層4の膜厚を薄
くすること、反射層6側の保護層5の膜厚を薄くするこ
とも有効である。
【0021】さらに、大きな信号を得るためには、光学
特性が変化する材料の光学変化量が大きいことが、また
オーバーライト動作を行うためには高速消去が可能でな
ければならない。このような材料として、少なくともT
e、Sb、Ge、Inから選ばれる3種以上を主成分と
する材料が有効である。例えば、GeSbTe系、In
SbTe系、GeTeIn系の少なくても3元系の材料
をあげることができる。
特性が変化する材料の光学変化量が大きいことが、また
オーバーライト動作を行うためには高速消去が可能でな
ければならない。このような材料として、少なくともT
e、Sb、Ge、Inから選ばれる3種以上を主成分と
する材料が有効である。例えば、GeSbTe系、In
SbTe系、GeTeIn系の少なくても3元系の材料
をあげることができる。
【0022】ここでは記録層1としてGe−Sb−Te
系材料を用い、反射層6としてAl−5at%Ti合金
膜を用い、保護層3,5としてZnS−20mo1%S
iO2混合膜を用い、保護層7として紫外線硬化型樹脂
膜(UV硬化膜)を用い、光デスク基板2としてポリカ
−ボネ−ド基板(PC基板)を用いた上述の図1の層構
成の相変化光デスク1について実施例を示す。ついで、
図2及び図3を参照し、この実施例に係わる情報記録媒
体としての光デスク1の製造方法の一例について説明す
る。
系材料を用い、反射層6としてAl−5at%Ti合金
膜を用い、保護層3,5としてZnS−20mo1%S
iO2混合膜を用い、保護層7として紫外線硬化型樹脂
膜(UV硬化膜)を用い、光デスク基板2としてポリカ
−ボネ−ド基板(PC基板)を用いた上述の図1の層構
成の相変化光デスク1について実施例を示す。ついで、
図2及び図3を参照し、この実施例に係わる情報記録媒
体としての光デスク1の製造方法の一例について説明す
る。
【0023】図2はこの実施例の情報記録媒体を製造す
るために用いられるスパッタリング装置の概略構成を示
す縦断面図、図3はその横断面図である。図中10は真
空容器を示し、この真空容器10は、その底面にガス導
入ポート11及びガス排気ポート12を有している。ガ
ス排出ポート12は排気装置13に接続されており、こ
の排気装置13により排出ポート12を介して真空容器
10が排気される。
るために用いられるスパッタリング装置の概略構成を示
す縦断面図、図3はその横断面図である。図中10は真
空容器を示し、この真空容器10は、その底面にガス導
入ポート11及びガス排気ポート12を有している。ガ
ス排出ポート12は排気装置13に接続されており、こ
の排気装置13により排出ポート12を介して真空容器
10が排気される。
【0024】また、ガス導入ポート11はアルゴンガス
ボンベ14に接続されており、このボンベ14から真空
容器10内にガス導入ポート11を介してスパッタリン
グガスとしてのアルゴンガスが導入される。
ボンベ14に接続されており、このボンベ14から真空
容器10内にガス導入ポート11を介してスパッタリン
グガスとしてのアルゴンガスが導入される。
【0025】真空容器10内の上部には、基板支持用の
円盤状の回転基台15がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に光ディスク基板2が支持され、図示し
ないモータによって回転されるようになっている。また
、真空容器10内の底部近傍には、回転基台15に対向
するように、各層を構成する記録層4用のGe−Sb−
Te系材料からなるスパッタリング源21、保護層3及
び5用のZnS−20mo1%SiO2 混合膜からな
るスパッタリング源22、及び本発明に係わる反射層6
用のAl−3at%Ti合金膜からなるスパッタリング
源23が配設されており、各スパッタリング源には図示
しない高周波電源が接続されている。これらのスパッタ
リング源21,22,23の上部には、それぞれモニタ
装置24,25,26が設けられており、これらモニタ
装置24,25,26により各スパッタリング源21,
22,23からのスパッタリング量をモニタし、記録層
4が所定の組成になるように各スパッタリング源に投入
する電力量を調節するようになっている。
円盤状の回転基台15がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に光ディスク基板2が支持され、図示し
ないモータによって回転されるようになっている。また
、真空容器10内の底部近傍には、回転基台15に対向
するように、各層を構成する記録層4用のGe−Sb−
Te系材料からなるスパッタリング源21、保護層3及
び5用のZnS−20mo1%SiO2 混合膜からな
るスパッタリング源22、及び本発明に係わる反射層6
用のAl−3at%Ti合金膜からなるスパッタリング
源23が配設されており、各スパッタリング源には図示
しない高周波電源が接続されている。これらのスパッタ
リング源21,22,23の上部には、それぞれモニタ
装置24,25,26が設けられており、これらモニタ
装置24,25,26により各スパッタリング源21,
22,23からのスパッタリング量をモニタし、記録層
4が所定の組成になるように各スパッタリング源に投入
する電力量を調節するようになっている。
【0026】このようなスパッタリング装置においては
、まず、排気装置13により真空容器10内を例えば百
万分の1Torr 台まで排気する。本発明においては
特に、排気装置13により真空容器10内を百万分の5
Torr 台、好ましくは百万分の2Torr 台まで
排気するものである。
、まず、排気装置13により真空容器10内を例えば百
万分の1Torr 台まで排気する。本発明においては
特に、排気装置13により真空容器10内を百万分の5
Torr 台、好ましくは百万分の2Torr 台まで
排気するものである。
【0027】ついで、ガス導入ポート11を介して真空
容器10内にアルゴンガスを導入しつつ、排気装置13
の排気量を調節して真空容器10内を所定のアルゴンガ
ス雰囲気に保持する。この状態で、基板6を回転させつ
つ、各スパッタリング源21,22,23に層構成の順
番に所定時間所定の電力を印加する。これにより、光デ
ィスク基板2に所定の層構成を形成することができる。 (実験例)スパッタリング装置においては、まず、排気
装置13により真空容器10内を例えば百万分の1To
rr 台まで排気する。このときの真空度によって、A
l−Ti合金膜が形成されるかどうか調べた。スパッタ
リング源は上記実施例と同じである。表1にその結果を
示す。
容器10内にアルゴンガスを導入しつつ、排気装置13
の排気量を調節して真空容器10内を所定のアルゴンガ
ス雰囲気に保持する。この状態で、基板6を回転させつ
つ、各スパッタリング源21,22,23に層構成の順
番に所定時間所定の電力を印加する。これにより、光デ
ィスク基板2に所定の層構成を形成することができる。 (実験例)スパッタリング装置においては、まず、排気
装置13により真空容器10内を例えば百万分の1To
rr 台まで排気する。このときの真空度によって、A
l−Ti合金膜が形成されるかどうか調べた。スパッタ
リング源は上記実施例と同じである。表1にその結果を
示す。
【0028】
【表1】
【0029】以上の実験結果から明らかのようにAl−
Ti合金膜を形成するためには、排気装置13により真
空容器10内を百万分の5Torr 以下まで排気する
ことが有効であることが判明した。
Ti合金膜を形成するためには、排気装置13により真
空容器10内を百万分の5Torr 以下まで排気する
ことが有効であることが判明した。
【0030】また、排気装置13により真空容器10内
を百万分の5Torr以下まで排気して形成したAl−
Ti合金は、ピンホール、不純物の取り込み、酸化膜な
どの形成がなく、光学的に十分な反射率をしめした。
を百万分の5Torr以下まで排気して形成したAl−
Ti合金は、ピンホール、不純物の取り込み、酸化膜な
どの形成がなく、光学的に十分な反射率をしめした。
【0031】一方、排気装置13により真空容器10内
の百万分の5Torr以下まで排気しなかった場合は、
Al−Ti合金が形成されず、膜が付着しても、透明な
膜となり、反射層6としては不適合であった。
の百万分の5Torr以下まで排気しなかった場合は、
Al−Ti合金が形成されず、膜が付着しても、透明な
膜となり、反射層6としては不適合であった。
【0032】以上、相変化光デスク1の実施例について
説明したが、本発明は、それに限定されるものではなく
、情報の記録再生で用いられる光デスク、光カード、光
テープなどの反射層を用いる情報記録媒体の製造方法に
関して適用できる。その他、本発明の要旨を変えない範
囲で種々変形実施可能なことは勿論である。
説明したが、本発明は、それに限定されるものではなく
、情報の記録再生で用いられる光デスク、光カード、光
テープなどの反射層を用いる情報記録媒体の製造方法に
関して適用できる。その他、本発明の要旨を変えない範
囲で種々変形実施可能なことは勿論である。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板上に少なくとも反射層を備えてなる情報記録媒体に
おいて、前記反射層がアルミニウム(Al)に少なくと
もチタン(Ti)を添加してなる材料からなり、該反射
層をスパッタ法で形成するときに、良質なAl合金反射
膜を得るための情報記録媒体の製造方法を提供すること
ができるといった効果を奏する。
基板上に少なくとも反射層を備えてなる情報記録媒体に
おいて、前記反射層がアルミニウム(Al)に少なくと
もチタン(Ti)を添加してなる材料からなり、該反射
層をスパッタ法で形成するときに、良質なAl合金反射
膜を得るための情報記録媒体の製造方法を提供すること
ができるといった効果を奏する。
【図1】この発明に適用される相変化型光デスクの断面
を摸式的に示す図。
を摸式的に示す図。
【図2】この発明に用いられるスパッタリング装置の概
略構成を示す縦断面図。
略構成を示す縦断面図。
【図3】この発明に用いられるスパッタリング装置の横
断面図。
断面図。
1…光デスク、2…光デスク基板、3…保護層、4…記
録層、5…保護層、6…反射層、7…保護層、10…真
空容器、11…ガス導入ポート、12…ガス排気ポート
、13…排気装置、14…アルゴンガスボンベ、15…
回転基台、21…スパッタリング源、22…スパッタリ
ング源、23…スパッタリング源、24…モニタ装置、
25…モニタ装置、26…モニタ装置。
録層、5…保護層、6…反射層、7…保護層、10…真
空容器、11…ガス導入ポート、12…ガス排気ポート
、13…排気装置、14…アルゴンガスボンベ、15…
回転基台、21…スパッタリング源、22…スパッタリ
ング源、23…スパッタリング源、24…モニタ装置、
25…モニタ装置、26…モニタ装置。
Claims (1)
- 【請求項1】 基板上に少なくとも反射層を備えてい
る情報記録媒体において、前記反射層が、アルミニウム
(Al)に少なくともチタン(Ti)を添加している材
料からなり、該反射層をスパッタ法で形成するときに、
スパッタ室内を百万分の5Torr 以下の真空度にし
てから該材料の原料となるターゲットをスパッタするこ
とを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3143368A JPH04366440A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 情報記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3143368A JPH04366440A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 情報記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04366440A true JPH04366440A (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15337162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3143368A Pending JPH04366440A (ja) | 1991-06-14 | 1991-06-14 | 情報記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04366440A (ja) |
-
1991
- 1991-06-14 JP JP3143368A patent/JPH04366440A/ja active Pending
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