JPH0773513A - 情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
情報記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0773513A JPH0773513A JP5217704A JP21770493A JPH0773513A JP H0773513 A JPH0773513 A JP H0773513A JP 5217704 A JP5217704 A JP 5217704A JP 21770493 A JP21770493 A JP 21770493A JP H0773513 A JPH0773513 A JP H0773513A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 繰り返し記録消去での信頼性を向上させた相
変化光ディスク、及びその製造方法を提供する。 【構成】 基板、この基板上に形成された光ビームを照
射し、照射部分に状態変化を生じさせて情報を記録する
相変化型の記録膜、並びに基板と記録膜との間、記録膜
の上の少なくとも一方に形成された誘電体保護膜を有す
る情報記録媒体である。前記保護膜と記録膜との間に
は、保護膜材料と記録膜材料との混合膜からなる境界層
を有する。境界層は、保護膜材料と記録膜材料とが所定
の割合で予め混合された混合材料を用いて、又は各材料
を同時に用いて成膜することができる。保護膜に近い側
で保護膜材料の割合が多くなるように、境界層に濃度勾
配を設けてもよい。
変化光ディスク、及びその製造方法を提供する。 【構成】 基板、この基板上に形成された光ビームを照
射し、照射部分に状態変化を生じさせて情報を記録する
相変化型の記録膜、並びに基板と記録膜との間、記録膜
の上の少なくとも一方に形成された誘電体保護膜を有す
る情報記録媒体である。前記保護膜と記録膜との間に
は、保護膜材料と記録膜材料との混合膜からなる境界層
を有する。境界層は、保護膜材料と記録膜材料とが所定
の割合で予め混合された混合材料を用いて、又は各材料
を同時に用いて成膜することができる。保護膜に近い側
で保護膜材料の割合が多くなるように、境界層に濃度勾
配を設けてもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報の記録再生に用い
られる情報記録媒体に係り、特に、相変化型の光ディス
ク及びその製造方法に関する。
られる情報記録媒体に係り、特に、相変化型の光ディス
ク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、情報の記録再生に用いられる相変
化型の光ディスク（以下、「相変化光ディスク」と称す
る）として、カルコゲナイド系材料を記録膜として用い
た光ディスクが検討されている。相変化光ディスクの従
来技術については、「書換え可能光ディスク材料」（奥
田昌宏著、株式会社工業調査会発行、１９８９年５月２
０日初版発行）に詳しく記載されている。
化型の光ディスク（以下、「相変化光ディスク」と称す
る）として、カルコゲナイド系材料を記録膜として用い
た光ディスクが検討されている。相変化光ディスクの従
来技術については、「書換え可能光ディスク材料」（奥
田昌宏著、株式会社工業調査会発行、１９８９年５月２
０日初版発行）に詳しく記載されている。
【０００３】この相変化光ディスクは、カルコゲナイド
系記録膜の結晶相、非晶質相の相変化による反射率変化
を利用して情報の記録再生を行なうものであり、その動
作は、次のようにして行なわれる。 １）スパッタ、蒸着などで成膜された非晶質の記録膜
に、加熱アニール処理又は光ビーム照射を行なって、記
録膜を結晶相とする。これを初期（結晶）化という。 ２）短パルス、高パワーの記録パルスで結晶相の記録膜
を溶融、急冷し非晶質化して記録マークとする。 ３）長パルス、低パワーの消去パルスで非晶質相の記録
マークを結晶化し、記録マークを消去する。 また、消去パルスに記録パルスを重畳させて、オーバー
ライトを行なうことも検討されている。
系記録膜の結晶相、非晶質相の相変化による反射率変化
を利用して情報の記録再生を行なうものであり、その動
作は、次のようにして行なわれる。 １）スパッタ、蒸着などで成膜された非晶質の記録膜
に、加熱アニール処理又は光ビーム照射を行なって、記
録膜を結晶相とする。これを初期（結晶）化という。 ２）短パルス、高パワーの記録パルスで結晶相の記録膜
を溶融、急冷し非晶質化して記録マークとする。 ３）長パルス、低パワーの消去パルスで非晶質相の記録
マークを結晶化し、記録マークを消去する。 また、消去パルスに記録パルスを重畳させて、オーバー
ライトを行なうことも検討されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来用いられている相
変化光ディスクは、基板上に誘電体保護膜、相変化記録
膜、誘電体保護膜、金属または合金反射膜、及び保護膜
が順次形成された構造である。
変化光ディスクは、基板上に誘電体保護膜、相変化記録
膜、誘電体保護膜、金属または合金反射膜、及び保護膜
が順次形成された構造である。
【０００５】このような相変化光ディスクでは、オーバ
ーライトの記録消去の繰り返しにより繰り返し特性が劣
化するという問題があった。具体的には、従来の相変化
光ディスクでオーバーライトの繰り返しを行なった場
合、繰り返し回数が千回から１０万回程度でエラーが発
生して限界となっていた。しかしながら、計算機の補助
記憶装置としての使用を考えると、１００万回以上の繰
り返し記録消去特性が必要とされている。
ーライトの記録消去の繰り返しにより繰り返し特性が劣
化するという問題があった。具体的には、従来の相変化
光ディスクでオーバーライトの繰り返しを行なった場
合、繰り返し回数が千回から１０万回程度でエラーが発
生して限界となっていた。しかしながら、計算機の補助
記憶装置としての使用を考えると、１００万回以上の繰
り返し記録消去特性が必要とされている。
【０００６】そこで、本発明の目的は、繰り返し記録消
去での信頼性を向上させた相変化光ディスクの製造方法
を提供することにある。また、本発明の目的は、繰り返
し記録消去での信頼性を向上させた相変化光ディスクを
提供することにある。
去での信頼性を向上させた相変化光ディスクの製造方法
を提供することにある。また、本発明の目的は、繰り返
し記録消去での信頼性を向上させた相変化光ディスクを
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明（請求項１）は、記録膜材料を用いて基板上
に記録膜を成膜する工程、前記記録膜を成膜する工程の
前、又は後の少なくとも一方において、保護膜材料を用
いて保護膜を成膜する工程、及び、前記記録膜と保護膜
との間に、保護膜材料の微粉末と記録膜材料の微粉末と
を所定の割合で混合した混合材料を用いて境界層を成膜
する工程を具備することを特徴とする情報記録媒体の製
造方法を提供する。
に、本発明（請求項１）は、記録膜材料を用いて基板上
に記録膜を成膜する工程、前記記録膜を成膜する工程の
前、又は後の少なくとも一方において、保護膜材料を用
いて保護膜を成膜する工程、及び、前記記録膜と保護膜
との間に、保護膜材料の微粉末と記録膜材料の微粉末と
を所定の割合で混合した混合材料を用いて境界層を成膜
する工程を具備することを特徴とする情報記録媒体の製
造方法を提供する。
【０００８】また、本発明（請求項２）は、記録膜材料
を用いて基板上に記録膜を成膜する工程、前記記録膜を
成膜する工程の前、又は後の少なくとも一方において、
保護膜材料を用いて保護膜を成膜する工程、及び、前記
記録膜と保護膜との間に、保護膜材料と記録膜材料とを
同時に用いて保護膜材料と記録膜材料との混合材料から
なる境界層を成膜する工程を具備することを特徴とする
情報記録媒体の製造方法を提供する。
を用いて基板上に記録膜を成膜する工程、前記記録膜を
成膜する工程の前、又は後の少なくとも一方において、
保護膜材料を用いて保護膜を成膜する工程、及び、前記
記録膜と保護膜との間に、保護膜材料と記録膜材料とを
同時に用いて保護膜材料と記録膜材料との混合材料から
なる境界層を成膜する工程を具備することを特徴とする
情報記録媒体の製造方法を提供する。
【０００９】さらに本発明（請求項６）は、基板、この
基板上に形成された光ビームを照射することにより照射
部分に状態変化を生じさせて情報を記録する相変化型の
記録膜、及び基板と記録膜との間並びに記録膜の上の少
なくとも一方に形成された誘電体保護膜を具備し、前記
保護膜と記録膜との間に、保護膜材料と記録膜材料との
混合材料からなる境界層を有することを特徴とする情報
記録媒体を提供する。
基板上に形成された光ビームを照射することにより照射
部分に状態変化を生じさせて情報を記録する相変化型の
記録膜、及び基板と記録膜との間並びに記録膜の上の少
なくとも一方に形成された誘電体保護膜を具備し、前記
保護膜と記録膜との間に、保護膜材料と記録膜材料との
混合材料からなる境界層を有することを特徴とする情報
記録媒体を提供する。
【００１０】またさらに本発明（請求項７）は、基板、
この基板上に形成された光ビームを照射することにより
照射部分に状態変化を生じさせて情報を記録する相変化
型の記録膜、及び基板と記録膜との間並びに記録膜の上
の少なくとも一方に形成された誘電体保護膜を具備し、
前記保護膜と記録膜との間に、保護膜材料と記録膜材料
との混合材料からなる境界層であって、保護膜に近い側
で保護膜材料の比率が多くなるような濃度勾配を有する
境界層を有することを特徴とする情報記録媒体を提供す
る。
この基板上に形成された光ビームを照射することにより
照射部分に状態変化を生じさせて情報を記録する相変化
型の記録膜、及び基板と記録膜との間並びに記録膜の上
の少なくとも一方に形成された誘電体保護膜を具備し、
前記保護膜と記録膜との間に、保護膜材料と記録膜材料
との混合材料からなる境界層であって、保護膜に近い側
で保護膜材料の比率が多くなるような濃度勾配を有する
境界層を有することを特徴とする情報記録媒体を提供す
る。
【００１１】
【作用】本発明の相変化光ディスクは、誘電体保護膜と
記録膜との間に、保護膜材料と記録膜材料との混合材料
からなる境界層を有している。このような境界層におい
ては、記録膜と保護膜とが物理的に混合されているの
で、保護膜と記録膜との密着性を向上させることができ
る。
記録膜との間に、保護膜材料と記録膜材料との混合材料
からなる境界層を有している。このような境界層におい
ては、記録膜と保護膜とが物理的に混合されているの
で、保護膜と記録膜との密着性を向上させることができ
る。
【００１２】前記混合材料からなる境界層が、保護膜に
近い側でこの保護膜材料の比率が多くなるような濃度勾
配を有する場合には、同種類の材料同士の密着力が強い
ことから、誘電体保護膜と記録膜との付着性をより改善
することができる。
近い側でこの保護膜材料の比率が多くなるような濃度勾
配を有する場合には、同種類の材料同士の密着力が強い
ことから、誘電体保護膜と記録膜との付着性をより改善
することができる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を示
し、本発明をより具体的に説明する。図１は、本発明の
一実施例に係る相変化光ディスクを示す断面図である。
図１に示す本発明の光ディスク１は、光ディスク基板２
の上に、誘電体保護膜３、境界層４、記録膜５、境界層
６、誘電体保護膜７、反射膜８、及び保護膜９が順次積
層された構造を有する。
し、本発明をより具体的に説明する。図１は、本発明の
一実施例に係る相変化光ディスクを示す断面図である。
図１に示す本発明の光ディスク１は、光ディスク基板２
の上に、誘電体保護膜３、境界層４、記録膜５、境界層
６、誘電体保護膜７、反射膜８、及び保護膜９が順次積
層された構造を有する。
【００１４】光ディスク基板２の材料としては、透明で
経時変化が少ない材料、例えば、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、又はガラス等
を用いることができる。この基板２には、記録フォーマ
ットに応じて連続溝、サンプルサーボマーク、又はプリ
フォーマットマーク等が形成される。
経時変化が少ない材料、例えば、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、又はガラス等
を用いることができる。この基板２には、記録フォーマ
ットに応じて連続溝、サンプルサーボマーク、又はプリ
フォーマットマーク等が形成される。
【００１５】記録膜５は、光ビームが照射されることに
より相状態が変化する材料で形成される。このような相
変化型材料としては、例えば、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ
系、ＧｅＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、又はＧ
ｅＳｂＴｅ系等のカルコゲナイド系アモルファス半導体
材料や、ＩｎＳｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の
化合物半導体材料などが挙げられる。この記録膜５は、
真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成技術を用い
て形成することができ、その膜厚は、数ｎｍ〜数μｍの
範囲であることが実用上好ましい。
より相状態が変化する材料で形成される。このような相
変化型材料としては、例えば、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ
系、ＧｅＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、又はＧ
ｅＳｂＴｅ系等のカルコゲナイド系アモルファス半導体
材料や、ＩｎＳｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の
化合物半導体材料などが挙げられる。この記録膜５は、
真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成技術を用い
て形成することができ、その膜厚は、数ｎｍ〜数μｍの
範囲であることが実用上好ましい。
【００１６】保護膜３及び７は、それぞれ境界層４及び
５を介して記録膜５を挟むように配設されており、記録
ビームの照射により記録膜５が飛散したり、穴があくこ
とを防止する役割を有している。また、記録時の記録膜
の加熱、冷却の熱拡散を制御する役割もある。この保護
膜３及び７は、例えば、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、
Ｓｉ、Ｇｅ、又はこれらの混合材料等を用いて、真空蒸
着法やスパッタリング法などで形成することができる。
保護膜３及び７の厚さは、実用上、数ｎｍ〜数μｍの範
囲であることが好ましい。
５を介して記録膜５を挟むように配設されており、記録
ビームの照射により記録膜５が飛散したり、穴があくこ
とを防止する役割を有している。また、記録時の記録膜
の加熱、冷却の熱拡散を制御する役割もある。この保護
膜３及び７は、例えば、ＳｉＯ2 、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ3 、ＺｎＳ、
Ｓｉ、Ｇｅ、又はこれらの混合材料等を用いて、真空蒸
着法やスパッタリング法などで形成することができる。
保護膜３及び７の厚さは、実用上、数ｎｍ〜数μｍの範
囲であることが好ましい。
【００１７】境界層４及び６は、記録膜材料と保護膜材
料との混合材料から構成することができ、その膜厚は、
数ｎｍ〜数μｍの範囲内であることが実用上好ましい。
境界層を成膜するための２種類の材料は、あらかじめ所
定の割合で混合したものを用いても、成膜の際に同時に
用いて境界層を成膜してもよい。２種類の材料を同時に
用いる場合には、保護膜と記録膜とを構成する材料の２
元同時スパッタ法又は２元同時蒸着法などで形成するこ
とができる。例えば、スパッタリング法により形成する
場合には、記録膜材料と保護膜材料とを所定の割合で混
合し、加圧圧縮した混合ターゲットを用いる方法、又は
記録膜材料ターゲットと保護膜材料ターゲットとを同時
にスパッタリングする方法とが挙げられる。
料との混合材料から構成することができ、その膜厚は、
数ｎｍ〜数μｍの範囲内であることが実用上好ましい。
境界層を成膜するための２種類の材料は、あらかじめ所
定の割合で混合したものを用いても、成膜の際に同時に
用いて境界層を成膜してもよい。２種類の材料を同時に
用いる場合には、保護膜と記録膜とを構成する材料の２
元同時スパッタ法又は２元同時蒸着法などで形成するこ
とができる。例えば、スパッタリング法により形成する
場合には、記録膜材料と保護膜材料とを所定の割合で混
合し、加圧圧縮した混合ターゲットを用いる方法、又は
記録膜材料ターゲットと保護膜材料ターゲットとを同時
にスパッタリングする方法とが挙げられる。
【００１８】さらに、この境界層の保護膜に近い側が保
護膜材料の割合が多くなるように濃度勾配を設けると、
保護膜と記録膜との結合がより強固となって、２つの層
の密着性をいっそう向上させることができる。この濃度
勾配を有する境界層は、境界層を構成するための２種類
の材料の割合を、成膜時間とともに変化させることによ
り成膜することができる。
護膜材料の割合が多くなるように濃度勾配を設けると、
保護膜と記録膜との結合がより強固となって、２つの層
の密着性をいっそう向上させることができる。この濃度
勾配を有する境界層は、境界層を構成するための２種類
の材料の割合を、成膜時間とともに変化させることによ
り成膜することができる。
【００１９】なお、記録膜材料と保護膜材料との混合材
料からなる境界層は、熱伝導度、屈折率及び消衰係数
が、前記２つの材料の間の値となる。したがって、熱伝
導度、屈折率及び消衰係数が、そのような値である材料
もまた、境界層の材料として使用することができる。
料からなる境界層は、熱伝導度、屈折率及び消衰係数
が、前記２つの材料の間の値となる。したがって、熱伝
導度、屈折率及び消衰係数が、そのような値である材料
もまた、境界層の材料として使用することができる。
【００２０】具体的には、ＧｅＳｂＴｅ記録膜及びＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 保護膜の熱伝導度は、それぞれ、約０．０
０１４（ｋｃａｌ／ｃｍ・ｓ・Ｋ）、及び約０．００１
６（ｋｃａｌ／ｃｍ・ｓ・Ｋ）であり、ＧｅＳｂＴｅ
（５０ｍｏｌ％）ＺｎＳ−ＳｉＯ2 （５０ｍｏｌ％）の
混合材料からなる本発明の境界層の熱伝導度は、約０．
００１５（ｋｃａｌ／ｃｍ・ｓ・Ｋ）である。
Ｓ−ＳｉＯ2 保護膜の熱伝導度は、それぞれ、約０．０
０１４（ｋｃａｌ／ｃｍ・ｓ・Ｋ）、及び約０．００１
６（ｋｃａｌ／ｃｍ・ｓ・Ｋ）であり、ＧｅＳｂＴｅ
（５０ｍｏｌ％）ＺｎＳ−ＳｉＯ2 （５０ｍｏｌ％）の
混合材料からなる本発明の境界層の熱伝導度は、約０．
００１５（ｋｃａｌ／ｃｍ・ｓ・Ｋ）である。
【００２１】屈折率に着目すると、ＧｅＳｂＴｅ記録膜
の屈折率は、波長８３０ｎｍのとき結晶状態で約５．
７、非晶質状態で約４．５であり、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 保
護膜の屈折率は、波長８３０ｎｍのとき約２．１であ
る。ＧｅＳｂＴｅ（５０ｍｏｌ％）ＺｎＳ−ＳｉＯ2
（５０ｍｏｌ％）の混合材料からなる本発明の境界層の
屈折率は、波長８３０ｎｍのとき、結晶状態で約３．
９、非晶質状態で約３．３となる。この例の場合には、
屈折率が２．１より大きく４．５より小さい誘電体が該
当する。例えば、Ｚｒ、ＣｅＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｎＳ、
Ｂｉ2 Ｏ3 、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、Ｓｂ2 Ｓ3 、ＣｄＴ
ｅ、Ｓｉ、Ｇｅなどが挙げられる。
の屈折率は、波長８３０ｎｍのとき結晶状態で約５．
７、非晶質状態で約４．５であり、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 保
護膜の屈折率は、波長８３０ｎｍのとき約２．１であ
る。ＧｅＳｂＴｅ（５０ｍｏｌ％）ＺｎＳ−ＳｉＯ2
（５０ｍｏｌ％）の混合材料からなる本発明の境界層の
屈折率は、波長８３０ｎｍのとき、結晶状態で約３．
９、非晶質状態で約３．３となる。この例の場合には、
屈折率が２．１より大きく４．５より小さい誘電体が該
当する。例えば、Ｚｒ、ＣｅＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｎＳ、
Ｂｉ2 Ｏ3 、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、Ｓｂ2 Ｓ3 、ＣｄＴ
ｅ、Ｓｉ、Ｇｅなどが挙げられる。
【００２２】また、消衰係数に着目すると、ＧｅＳｂＴ
ｅ記録膜の消衰係数は、波長８３０ｎｍのとき結晶状態
で約３．６、非晶質状態で約１．３であり、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 保護膜の消衰係数は、波長８３０ｎｍのとき０で
ある。ＧｅＳｂＴｅ（５０ｍｏｌ％）ＺｎＳ−ＳｉＯ2
（５０ｍｏｌ％）の混合材料からなる本発明の境界層の
消衰係数は、波長８３０ｎｍのとき、結晶状態で約１．
８、非晶質状態で約０．６となる。この例の場合には、
消衰係数が０より大きく０．６より小さい誘電体が該当
する。例えば、Ｚｒ、ＣｅＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｎＳ、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、Ｓｂ2 Ｓ3 、ＣｄＴｅ、
Ｓｉ、Ｇｅなどの誘電体と、ＧｅＳｂＴｅ記録膜又はそ
の他の金属、金属合金との混合膜を使用することができ
る。
ｅ記録膜の消衰係数は、波長８３０ｎｍのとき結晶状態
で約３．６、非晶質状態で約１．３であり、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2 保護膜の消衰係数は、波長８３０ｎｍのとき０で
ある。ＧｅＳｂＴｅ（５０ｍｏｌ％）ＺｎＳ−ＳｉＯ2
（５０ｍｏｌ％）の混合材料からなる本発明の境界層の
消衰係数は、波長８３０ｎｍのとき、結晶状態で約１．
８、非晶質状態で約０．６となる。この例の場合には、
消衰係数が０より大きく０．６より小さい誘電体が該当
する。例えば、Ｚｒ、ＣｅＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｎＳ、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、Ｓｂ2 Ｓ3 、ＣｄＴｅ、
Ｓｉ、Ｇｅなどの誘電体と、ＧｅＳｂＴｅ記録膜又はそ
の他の金属、金属合金との混合膜を使用することができ
る。
【００２３】反射膜８は、記録層の光学的変化を光学的
にエンハンスして、再生信号を増大させる効果と記録層
の冷却効果とを有する。この反射膜８としては、Ａｕ、
Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｒ、又はこれらを主成分とした合
金等を原料として真空蒸着法又はスパッタリング法など
で形成された金属膜を用いることができ、その厚さは、
実用上、数ｎｍ〜数μｍの範囲内であることが好まし
い。
にエンハンスして、再生信号を増大させる効果と記録層
の冷却効果とを有する。この反射膜８としては、Ａｕ、
Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｒ、又はこれらを主成分とした合
金等を原料として真空蒸着法又はスパッタリング法など
で形成された金属膜を用いることができ、その厚さは、
実用上、数ｎｍ〜数μｍの範囲内であることが好まし
い。
【００２４】保護層９は、相変化光ディスクを取り扱う
際の傷、ほこり等を防止するために、通常紫外線効果樹
脂を用いて形成することができ、具体的には、スピンコ
ート法を用いて反射層８の表面に紫外線硬化樹脂を塗布
した後、紫外線を照射して硬化させて形成する。この保
護層９の厚さとしては、実用上、数μｍ〜数百μｍの範
囲であることが好ましい。
際の傷、ほこり等を防止するために、通常紫外線効果樹
脂を用いて形成することができ、具体的には、スピンコ
ート法を用いて反射層８の表面に紫外線硬化樹脂を塗布
した後、紫外線を照射して硬化させて形成する。この保
護層９の厚さとしては、実用上、数μｍ〜数百μｍの範
囲であることが好ましい。
【００２５】なお、以上説明した層構成は、単板の場合
の例であり、記録膜５のある面を内側にして、この単板
光ディスク２枚を貼り合わせて、両面使用の光ディスク
とすることも可能である。また、用途に応じて、保護膜
３及び７のいずれか一方を省略することも可能である。
の例であり、記録膜５のある面を内側にして、この単板
光ディスク２枚を貼り合わせて、両面使用の光ディスク
とすることも可能である。また、用途に応じて、保護膜
３及び７のいずれか一方を省略することも可能である。
【００２６】次に、スパッタリング装置を用いて本発明
の相変化光ディスクの製造する方法を説明する。図２
に、本発明の相変化型光ディスクを製造するためのスパ
ッタリング装置の一例を示す。図２（ａ）は、装置の概
略構成を表わし、図２（ｂ）は、スパッタリング装置２
０のＡ−Ａ′断面を表わす。このスパッタリング装置２
０においては、保護膜材料の微粉末と記録膜材料の微粉
末とを所定の割合で混合し、加圧圧縮した混合ターゲッ
トを使用する。
の相変化光ディスクの製造する方法を説明する。図２
に、本発明の相変化型光ディスクを製造するためのスパ
ッタリング装置の一例を示す。図２（ａ）は、装置の概
略構成を表わし、図２（ｂ）は、スパッタリング装置２
０のＡ−Ａ′断面を表わす。このスパッタリング装置２
０においては、保護膜材料の微粉末と記録膜材料の微粉
末とを所定の割合で混合し、加圧圧縮した混合ターゲッ
トを使用する。
【００２７】図２（ａ）において、２１は真空容器を示
し、この真空容器２１の底面にガス導入ポート２２及び
ガス排気ポート２３が取り付けられている。ガス排出ポ
ート２３は、排気装置２４に接続されており、この排気
装置２４により排出ポート２３を介して真空容器２１内
が排気される。また、ガス導入ポート２２は、アルゴン
ガスボンベ２５に接続されており、このボンベ２５から
真空容器２１内にガス導入ポート２２を介してスパッタ
リングガスとしてのアルゴンガスが導入される。
し、この真空容器２１の底面にガス導入ポート２２及び
ガス排気ポート２３が取り付けられている。ガス排出ポ
ート２３は、排気装置２４に接続されており、この排気
装置２４により排出ポート２３を介して真空容器２１内
が排気される。また、ガス導入ポート２２は、アルゴン
ガスボンベ２５に接続されており、このボンベ２５から
真空容器２１内にガス導入ポート２２を介してスパッタ
リングガスとしてのアルゴンガスが導入される。
【００２８】真空容器２１内の上部には、基板支持用の
円盤状の回転基台２６がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に基板２が支持され、図示しないモータ
ーによって回転される。また、真空容器２１内の底部近
傍には、基台２６に対向するように、各層を成膜するた
めのターゲットが配設されている。すなわち、記録層５
用の記録膜材料からなるターゲット２７、保護膜３及び
７用の誘電体材料からなるターゲット２８、反射層８用
の反射膜材料からなるターゲット２９、及び本発明に係
わる境界層４及び６用の保護膜材料の微粉末と記録膜材
料の微粉末とを所定の混合比で均一となるように混合
し、加圧圧縮することにより形成された混合材料ターゲ
ット３０が配設されている。各ターゲット２７、２８、
２９及び３０には、それぞれ高周波電源３１、３２、３
３及び３４が接続されている。これらのターゲット２
７、２８、２９及び３０の上部には、それぞれモニタ装
置３５、３６、３７及び３８が設けられており、これら
モニタ装置により各ターゲットからのスパッタリング量
をモニタし、記録層が所定の組成になるように各ターゲ
ットに投入する電力量を調節する。
円盤状の回転基台２６がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に基板２が支持され、図示しないモータ
ーによって回転される。また、真空容器２１内の底部近
傍には、基台２６に対向するように、各層を成膜するた
めのターゲットが配設されている。すなわち、記録層５
用の記録膜材料からなるターゲット２７、保護膜３及び
７用の誘電体材料からなるターゲット２８、反射層８用
の反射膜材料からなるターゲット２９、及び本発明に係
わる境界層４及び６用の保護膜材料の微粉末と記録膜材
料の微粉末とを所定の混合比で均一となるように混合
し、加圧圧縮することにより形成された混合材料ターゲ
ット３０が配設されている。各ターゲット２７、２８、
２９及び３０には、それぞれ高周波電源３１、３２、３
３及び３４が接続されている。これらのターゲット２
７、２８、２９及び３０の上部には、それぞれモニタ装
置３５、３６、３７及び３８が設けられており、これら
モニタ装置により各ターゲットからのスパッタリング量
をモニタし、記録層が所定の組成になるように各ターゲ
ットに投入する電力量を調節する。
【００２９】このようなスパッタリング装置を用いて成
膜する場合、まず排気装置２４により真空容器２１内を
百万分の１Ｔｏｒｒ台まで排気するが、本発明において
は、百万分の５Ｔｏｒｒ以下まで排気する。
膜する場合、まず排気装置２４により真空容器２１内を
百万分の１Ｔｏｒｒ台まで排気するが、本発明において
は、百万分の５Ｔｏｒｒ以下まで排気する。
【００３０】次いで、ガス導入ポート２２を介して容器
２１内にアルゴンガスを導入しつつ、排気装置２４の排
気量を調節して真空容器２１内を所定のアルゴン雰囲気
に保持する。この状態で、基板２を回転させつつ、各タ
ーゲットに層構成の順番に所定時間所定の電力を印加す
ることにより、基板２に所定の層構成を形成することが
できる。
２１内にアルゴンガスを導入しつつ、排気装置２４の排
気量を調節して真空容器２１内を所定のアルゴン雰囲気
に保持する。この状態で、基板２を回転させつつ、各タ
ーゲットに層構成の順番に所定時間所定の電力を印加す
ることにより、基板２に所定の層構成を形成することが
できる。
【００３１】即ち、保護膜材料ターゲット２８、混合材
料ターゲット３０、記録膜材料ターゲット２７、混合材
料ターゲット３０、保護膜材料ターゲット２８を基板２
の上に順次スパッタすることで、保護膜と記録膜との間
に境界層を形成することができる。得られた層の上に、
さらに反射膜材料ターゲット２９をスパッタし、紫外線
硬化樹脂をスピンコートすることによって、本発明の相
変化光ディスクが得られる。
料ターゲット３０、記録膜材料ターゲット２７、混合材
料ターゲット３０、保護膜材料ターゲット２８を基板２
の上に順次スパッタすることで、保護膜と記録膜との間
に境界層を形成することができる。得られた層の上に、
さらに反射膜材料ターゲット２９をスパッタし、紫外線
硬化樹脂をスピンコートすることによって、本発明の相
変化光ディスクが得られる。
【００３２】このように、混合材料からなる境界層を、
記録膜と保護膜との間に形成することによって、記録膜
と保護膜との密着性が向上する。特に、この方法におい
ては境界層用の混合ターゲットを用いて成膜するので、
均一な組成の境界層を正確な膜厚で形成することがで
き、安定した品質のディスクが得られる。
記録膜と保護膜との間に形成することによって、記録膜
と保護膜との密着性が向上する。特に、この方法におい
ては境界層用の混合ターゲットを用いて成膜するので、
均一な組成の境界層を正確な膜厚で形成することがで
き、安定した品質のディスクが得られる。
【００３３】次に、上述の装置を用いて、濃度勾配を設
けた境界層を形成する場合について説明する。この場合
には、保護膜材料ターゲットと混合材料ターゲットとの
２つのターゲット、又は、記録膜材料ターゲットと混合
材料ターゲットとの２つのターゲットを用いて、各ター
ゲットの高周波電源の出力電力を変化させることによっ
て、境界層を形成することができる。
けた境界層を形成する場合について説明する。この場合
には、保護膜材料ターゲットと混合材料ターゲットとの
２つのターゲット、又は、記録膜材料ターゲットと混合
材料ターゲットとの２つのターゲットを用いて、各ター
ゲットの高周波電源の出力電力を変化させることによっ
て、境界層を形成することができる。
【００３４】図３に、保護膜材料ターゲットと混合材料
ターゲットとを用いて境界層を形成する際の出力電力の
変化を示す。図３（ａ）は、保護膜３の上に記録膜５を
成膜する場合、すなわち境界層４を形成する際の保護膜
材料ターゲットと混合材料ターゲットへの投入電力の変
化を示す。図３（ａ）において、直線ａ1 及びｂ1 は、
それぞれ、保護膜材料ターゲットへの投入電力の変化、
及び混合材料ターゲットへの投入電力の変化を示す。具
体的には、保護膜材料ターゲット２９の高周波電源３２
の出力電力を、電源制御装置３６により連続的又は不連
続的に低下させつつ（直線ａ1 ）、混合材料ターゲット
３０の高周波電源３４の出力電力を、電力制御装置３８
によって連続的又は不連続的に上昇させる（直線ｂ1 ）
ことによって、保護膜に近い側で保護膜材料の割合が多
い境界層を形成することができる。
ターゲットとを用いて境界層を形成する際の出力電力の
変化を示す。図３（ａ）は、保護膜３の上に記録膜５を
成膜する場合、すなわち境界層４を形成する際の保護膜
材料ターゲットと混合材料ターゲットへの投入電力の変
化を示す。図３（ａ）において、直線ａ1 及びｂ1 は、
それぞれ、保護膜材料ターゲットへの投入電力の変化、
及び混合材料ターゲットへの投入電力の変化を示す。具
体的には、保護膜材料ターゲット２９の高周波電源３２
の出力電力を、電源制御装置３６により連続的又は不連
続的に低下させつつ（直線ａ1 ）、混合材料ターゲット
３０の高周波電源３４の出力電力を、電力制御装置３８
によって連続的又は不連続的に上昇させる（直線ｂ1 ）
ことによって、保護膜に近い側で保護膜材料の割合が多
い境界層を形成することができる。
【００３５】図３（ｂ）には、記録膜５の上に保護膜７
を成膜する場合、すなわち境界層６を形成する際の保護
膜材料ターゲットと混合材料ターゲットへの投入電力の
変化を示す。図３（ｂ）において、直線ａ2 及びｂ2
は、それぞれ、保護膜材料ターゲットへの投入電力の変
化、及び混合材料ターゲットへの投入電力の変化を示
す。具体的には、保護膜材料ターゲット２９の高周波電
源３２の出力電力を、電源制御装置３６により連続的又
は不連続的に上昇させつつ（直線ａ2 ）、混合材料ター
ゲット３０の高周波電源３４の出力電力を、電力制御装
置３８によって連続的又は不連続的に低下させる（直線
ｂ2 ）ことによって、保護膜に近い側で保護膜材料の割
合が多い境界層６を形成することができる。
を成膜する場合、すなわち境界層６を形成する際の保護
膜材料ターゲットと混合材料ターゲットへの投入電力の
変化を示す。図３（ｂ）において、直線ａ2 及びｂ2
は、それぞれ、保護膜材料ターゲットへの投入電力の変
化、及び混合材料ターゲットへの投入電力の変化を示
す。具体的には、保護膜材料ターゲット２９の高周波電
源３２の出力電力を、電源制御装置３６により連続的又
は不連続的に上昇させつつ（直線ａ2 ）、混合材料ター
ゲット３０の高周波電源３４の出力電力を、電力制御装
置３８によって連続的又は不連続的に低下させる（直線
ｂ2 ）ことによって、保護膜に近い側で保護膜材料の割
合が多い境界層６を形成することができる。
【００３６】得られた保護膜７の上に、反射膜材料ター
ゲット２９をスパッタした後、紫外線硬化樹脂をスピン
コートすることにより、反射膜８及び保護膜９を形成し
て、境界層に濃度勾配を有する本発明の光ディスクが得
られる。
ゲット２９をスパッタした後、紫外線硬化樹脂をスピン
コートすることにより、反射膜８及び保護膜９を形成し
て、境界層に濃度勾配を有する本発明の光ディスクが得
られる。
【００３７】上述のようにして境界層に濃度勾配を設け
た場合には、保護膜材料ターゲットと混合材料ターゲッ
トとを用いるので、特に保護膜と境界層との密着性を向
上させることができる。
た場合には、保護膜材料ターゲットと混合材料ターゲッ
トとを用いるので、特に保護膜と境界層との密着性を向
上させることができる。
【００３８】なお、記録膜材料ターゲット２７と混合材
料ターゲット３０との２つのターゲットを用いた場合
も、同様にして濃度勾配を有する境界層を形成すること
ができる。この場合は、図３における直線ａ及びｂは、
それぞれ、混合材料ターゲットへの投入電力の変化、及
び記録膜材料ターゲットへの投入電力の変化に相当す
る。この場合には、記録膜材料ターゲットと混合材料タ
ーゲットとを用いるので、特に記録膜と境界層との密着
性を向上させることができる。
料ターゲット３０との２つのターゲットを用いた場合
も、同様にして濃度勾配を有する境界層を形成すること
ができる。この場合は、図３における直線ａ及びｂは、
それぞれ、混合材料ターゲットへの投入電力の変化、及
び記録膜材料ターゲットへの投入電力の変化に相当す
る。この場合には、記録膜材料ターゲットと混合材料タ
ーゲットとを用いるので、特に記録膜と境界層との密着
性を向上させることができる。
【００３９】保護膜と境界層、又は記録膜と境界層との
間のいずれかの密着性を向上させることによって、結果
として保護膜と記録膜との密着性を向上させることがで
きる。
間のいずれかの密着性を向上させることによって、結果
として保護膜と記録膜との密着性を向上させることがで
きる。
【００４０】次に、本発明の他の方法を説明する。図４
に、本発明の相変化型光ディスクを製造するためのスパ
ッタリング装置の一例を示す。図４（ａ）は、装置の概
略構成を表わし、図４（ｂ）は、スパッタリング装置５
０のＢ−Ｂ′断面を示す。このスパッタリング装置５０
においては、混合材料ターゲットを使用しないこと以外
は、図２（ａ）に示す装置と同様である。
に、本発明の相変化型光ディスクを製造するためのスパ
ッタリング装置の一例を示す。図４（ａ）は、装置の概
略構成を表わし、図４（ｂ）は、スパッタリング装置５
０のＢ−Ｂ′断面を示す。このスパッタリング装置５０
においては、混合材料ターゲットを使用しないこと以外
は、図２（ａ）に示す装置と同様である。
【００４１】すなわち、真空容器５１の底面には、ガス
導入ポート５２及びガス排気ポート５３が取り付けられ
ており、真空容器内は、排気装置５４に接続された排気
ポートを介して排気される。また、スパッタリングガス
としてのアルゴンガスは、ガス導入ポート５２を経て、
アルゴンガスボンベ５５から真空容器内に導入される。
導入ポート５２及びガス排気ポート５３が取り付けられ
ており、真空容器内は、排気装置５４に接続された排気
ポートを介して排気される。また、スパッタリングガス
としてのアルゴンガスは、ガス導入ポート５２を経て、
アルゴンガスボンベ５５から真空容器内に導入される。
【００４２】真空容器５１内の上部には、基板支持用の
円盤状の回転基台５６がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に支持された基板２は、図示しないモー
ターによって回転する。また、真空容器５１内の底部近
傍には、基台５６に対向するように、各層を成膜するた
めのターゲットが配設されている。すなわち、記録層５
用の記録膜材料からなるターゲット５７、保護膜３及び
７用の誘電体材料からなるターゲット５８、反射層８用
の反射膜材料からなるターゲット５９が配設されてい
る。各ターゲット５７、５８及び５９には、それぞれ高
周波電源６０、６１及び６１が接続されている。これら
のターゲット５７、５８及び５９の上部には、それぞれ
モニタ装置６６、６７及び６８が設けられており、これ
らモニタ装置により各ターゲットからのスパッタリング
量をモニタし、記録層が所定の組成になるように各ター
ゲットに投入する電力量を調節する。
円盤状の回転基台５６がその面を水平にして配設されて
おり、その下面に支持された基板２は、図示しないモー
ターによって回転する。また、真空容器５１内の底部近
傍には、基台５６に対向するように、各層を成膜するた
めのターゲットが配設されている。すなわち、記録層５
用の記録膜材料からなるターゲット５７、保護膜３及び
７用の誘電体材料からなるターゲット５８、反射層８用
の反射膜材料からなるターゲット５９が配設されてい
る。各ターゲット５７、５８及び５９には、それぞれ高
周波電源６０、６１及び６１が接続されている。これら
のターゲット５７、５８及び５９の上部には、それぞれ
モニタ装置６６、６７及び６８が設けられており、これ
らモニタ装置により各ターゲットからのスパッタリング
量をモニタし、記録層が所定の組成になるように各ター
ゲットに投入する電力量を調節する。
【００４３】このようなスパッタリング装置を用いて成
膜する場合、まず、真空容器５１内を例えば百万分の１
Ｔｏｒｒ台まで、特に本発明においては、百万分の５Ｔ
ｏｒｒ以下まで排気する。
膜する場合、まず、真空容器５１内を例えば百万分の１
Ｔｏｒｒ台まで、特に本発明においては、百万分の５Ｔ
ｏｒｒ以下まで排気する。
【００４４】次いで、容器５１内にアルゴンガスを導入
して、所定のアルゴン雰囲気に保持する。この状態で基
板２を回転させつつ、各ターゲットに層構成の順番に所
定時間所定の電力を印加することにより、基板２に所定
の層構成を形成することができる。
して、所定のアルゴン雰囲気に保持する。この状態で基
板２を回転させつつ、各ターゲットに層構成の順番に所
定時間所定の電力を印加することにより、基板２に所定
の層構成を形成することができる。
【００４５】この方法においては、基板２の上に、保護
膜材料ターゲット５８、保護膜材料ターゲット５８と記
録膜材料ターゲット５７との同時スパッタ、記録膜材料
ターゲット５７、保護膜材料ターゲット５８と記録膜材
料ターゲット５７との同時スパッタ、保護膜材料ターゲ
ット５８、反射膜材料ターゲット５９を順次スパッタす
ることで、保護膜と記録膜との間に境界層を形成するこ
とができる。さらに、反射膜８上に紫外線硬化樹脂をス
ピンコートすることにより保護膜を形成して、本発明の
記録媒体１が得られる。
膜材料ターゲット５８、保護膜材料ターゲット５８と記
録膜材料ターゲット５７との同時スパッタ、記録膜材料
ターゲット５７、保護膜材料ターゲット５８と記録膜材
料ターゲット５７との同時スパッタ、保護膜材料ターゲ
ット５８、反射膜材料ターゲット５９を順次スパッタす
ることで、保護膜と記録膜との間に境界層を形成するこ
とができる。さらに、反射膜８上に紫外線硬化樹脂をス
ピンコートすることにより保護膜を形成して、本発明の
記録媒体１が得られる。
【００４６】境界層４又は６は、所定の組成となるよう
に保護膜材料ターゲット５８と記録膜材料ターゲット５
７とに印加する電力を所定の値に設定して、基板２を回
転させながら保護膜材料ターゲット５８と記録膜材料タ
ーゲット５７とを同時にスパッタすることにより形成す
ることができる。
に保護膜材料ターゲット５８と記録膜材料ターゲット５
７とに印加する電力を所定の値に設定して、基板２を回
転させながら保護膜材料ターゲット５８と記録膜材料タ
ーゲット５７とを同時にスパッタすることにより形成す
ることができる。
【００４７】この方法においては、境界層を形成するた
めに同時スパッタを行なうので、境界層用のターゲット
を用意する必要がなく、スパッタ装置も小型化できる。
また、各ターゲットへの印加電圧を時間とともに変化さ
せることで、境界層の膜厚方向の組成を変化させること
が容易である。
めに同時スパッタを行なうので、境界層用のターゲット
を用意する必要がなく、スパッタ装置も小型化できる。
また、各ターゲットへの印加電圧を時間とともに変化さ
せることで、境界層の膜厚方向の組成を変化させること
が容易である。
【００４８】次に、上述の装置を用いて、濃度勾配を設
けた境界層を形成する場合について説明する。境界層
は、保護膜材料ターゲットと記録膜材料ターゲットとの
２つのターゲットを用いて、各ターゲットの高周波電源
の出力電力を変化させることによって形成することがで
きる。
けた境界層を形成する場合について説明する。境界層
は、保護膜材料ターゲットと記録膜材料ターゲットとの
２つのターゲットを用いて、各ターゲットの高周波電源
の出力電力を変化させることによって形成することがで
きる。
【００４９】図５に、保護膜材料ターゲットと記録膜材
料ターゲットとを用いて境界層を形成する際の出力電力
の変化を示す。図５（ａ）は、保護膜３の上に記録膜５
を成膜する場合、すなわち境界層４を形成する際の保護
膜材料ターゲットと記録膜材料ターゲットへの投入電力
の変化を示す。図５（ａ）において、直線ｃ1 及びｄ1
は、それぞれ、保護膜材料ターゲットへの投入電力の変
化、及び記録膜材料ターゲットへの投入電力の変化を示
す。具体的には、保護膜材料ターゲット５８の高周波電
源６１の出力電力を、電源制御装置６４により連続的又
は不連続的に低下させつつ（直線ｃ1 ）、記録膜材料タ
ーゲット５７の高周波電源６０の出力電力を、電力制御
装置６３によって連続的又は不連続的に上昇させる（直
線ｃ1 ）ことによって、保護膜に近い側で保護膜材料の
割合が多い境界層を形成することができる。
料ターゲットとを用いて境界層を形成する際の出力電力
の変化を示す。図５（ａ）は、保護膜３の上に記録膜５
を成膜する場合、すなわち境界層４を形成する際の保護
膜材料ターゲットと記録膜材料ターゲットへの投入電力
の変化を示す。図５（ａ）において、直線ｃ1 及びｄ1
は、それぞれ、保護膜材料ターゲットへの投入電力の変
化、及び記録膜材料ターゲットへの投入電力の変化を示
す。具体的には、保護膜材料ターゲット５８の高周波電
源６１の出力電力を、電源制御装置６４により連続的又
は不連続的に低下させつつ（直線ｃ1 ）、記録膜材料タ
ーゲット５７の高周波電源６０の出力電力を、電力制御
装置６３によって連続的又は不連続的に上昇させる（直
線ｃ1 ）ことによって、保護膜に近い側で保護膜材料の
割合が多い境界層を形成することができる。
【００５０】図５（ｂ）には、記録膜５の上に保護膜７
を成膜する場合、すなわち境界層６を形成する際の保護
膜材料ターゲットと記録膜材料ターゲットへの投入電力
の変化を示す。図５（ｂ）において、直線ｃ2 及びｄ2
は、それぞれ、保護膜材料ターゲットへの投入電力の変
化、及び記録膜材料ターゲットへの投入電力の変化を示
す。具体的には、保護膜材料ターゲット５８の高周波電
源６１の出力電力を、電源制御装置６４により連続的又
は不連続的に上昇させつつ（直線ｃ2 ）、記録膜材料タ
ーゲット５７の高周波電源６０の出力電力を、電力制御
装置６３によって連続的又は不連続的に低下させる（直
線ｄ2 ）ことによって、保護膜に近い側で保護膜材料の
割合が多い境界層６を形成することができる。
を成膜する場合、すなわち境界層６を形成する際の保護
膜材料ターゲットと記録膜材料ターゲットへの投入電力
の変化を示す。図５（ｂ）において、直線ｃ2 及びｄ2
は、それぞれ、保護膜材料ターゲットへの投入電力の変
化、及び記録膜材料ターゲットへの投入電力の変化を示
す。具体的には、保護膜材料ターゲット５８の高周波電
源６１の出力電力を、電源制御装置６４により連続的又
は不連続的に上昇させつつ（直線ｃ2 ）、記録膜材料タ
ーゲット５７の高周波電源６０の出力電力を、電力制御
装置６３によって連続的又は不連続的に低下させる（直
線ｄ2 ）ことによって、保護膜に近い側で保護膜材料の
割合が多い境界層６を形成することができる。
【００５１】このようにして得られた保護膜７の上に、
反射膜材料ターゲット５９をスパッタリングした後、紫
外線硬化樹脂をスピンコートすることにより、反射膜８
及び保護膜９を形成して図１に示す本発明の光ディスク
が得られる。
反射膜材料ターゲット５９をスパッタリングした後、紫
外線硬化樹脂をスピンコートすることにより、反射膜８
及び保護膜９を形成して図１に示す本発明の光ディスク
が得られる。
【００５２】記録膜材料ターゲット５７と保護膜材料タ
ーゲット５８との２元同時スパッタで組成勾配を有する
境界層を形成するので、境界層で記録膜と保護膜との境
界を連続的に変化させることができ、境界での熱応力を
緩和し、密着性をさらに向上させることができる。さら
に、この方法では、各ターゲットへの印加電圧を時間と
ともに変化させるので、境界層の膜厚方向の組成を変化
させることが容易であり、また、境界層用のターゲット
を設ける必要がなく、スパッタ装置も小型化できる。
ーゲット５８との２元同時スパッタで組成勾配を有する
境界層を形成するので、境界層で記録膜と保護膜との境
界を連続的に変化させることができ、境界での熱応力を
緩和し、密着性をさらに向上させることができる。さら
に、この方法では、各ターゲットへの印加電圧を時間と
ともに変化させるので、境界層の膜厚方向の組成を変化
させることが容易であり、また、境界層用のターゲット
を設ける必要がなく、スパッタ装置も小型化できる。
【００５３】次に、本発明の方法を用いて実際にディス
クを作製し、その特性を評価した。 （実施例１）図２に示すスパッタリング装置を用いて、
ポリカーボネート樹脂基板上に、保護膜、境界層、記録
膜、境界層、保護膜、及び反射膜を順次形成した後、紫
外線硬化樹脂をスピンコート法により反射膜の上に塗布
して、ディスクを作製した。なお、記録膜材料ターゲッ
ト、保護膜材料ターゲット、混合材料ターゲット及び反
射膜材料ターゲットとしては、それぞれ、ＧｅＳｂＴｅ
合金ターゲット、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット、（Ｇｅ
ＳｂＴｅ）５０（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）５０（ｍｏｌ％）
混合ターゲット、及びＡｌ合金ターゲットを使用した用
いた。得られたディスクをディスクＡとした。 （実施例２）図４に示すスパッタリング装置を用いて、
境界層に濃度勾配を設ける以外は、実施例１と同様にデ
ィスクを作製した。記録膜材料ターゲット、保護膜材料
ターゲット、及び反射膜材料ターゲットとしては、それ
ぞれ、ＧｅＳｂＴｅ合金ターゲット、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
ターゲット、及びＡｌ合金ターゲットを使用した。得ら
れたディスクをディスクＢとした。
クを作製し、その特性を評価した。 （実施例１）図２に示すスパッタリング装置を用いて、
ポリカーボネート樹脂基板上に、保護膜、境界層、記録
膜、境界層、保護膜、及び反射膜を順次形成した後、紫
外線硬化樹脂をスピンコート法により反射膜の上に塗布
して、ディスクを作製した。なお、記録膜材料ターゲッ
ト、保護膜材料ターゲット、混合材料ターゲット及び反
射膜材料ターゲットとしては、それぞれ、ＧｅＳｂＴｅ
合金ターゲット、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ターゲット、（Ｇｅ
ＳｂＴｅ）５０（ＺｎＳ−ＳｉＯ2 ）５０（ｍｏｌ％）
混合ターゲット、及びＡｌ合金ターゲットを使用した用
いた。得られたディスクをディスクＡとした。 （実施例２）図４に示すスパッタリング装置を用いて、
境界層に濃度勾配を設ける以外は、実施例１と同様にデ
ィスクを作製した。記録膜材料ターゲット、保護膜材料
ターゲット、及び反射膜材料ターゲットとしては、それ
ぞれ、ＧｅＳｂＴｅ合金ターゲット、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
ターゲット、及びＡｌ合金ターゲットを使用した。得ら
れたディスクをディスクＢとした。
【００５４】得られたディスクＢには、記録膜側でＧｅ
ＳｂＴｅが多く、保護膜側でＺｎＳ−ＳｉＯが多い、
（ＧｅＳｂＴｅ）−（ＺｎＳ−ＳｉＯ）組成傾斜膜から
なる境界層が形成されていた。 （比較例）図４に示すスパッタリング装置及びターゲッ
トを用いて、境界層を形成しない以外は、実施例２と同
様にディスクを作製した。得られたディスクをディスク
Ｃとした。
ＳｂＴｅが多く、保護膜側でＺｎＳ−ＳｉＯが多い、
（ＧｅＳｂＴｅ）−（ＺｎＳ−ＳｉＯ）組成傾斜膜から
なる境界層が形成されていた。 （比較例）図４に示すスパッタリング装置及びターゲッ
トを用いて、境界層を形成しない以外は、実施例２と同
様にディスクを作製した。得られたディスクをディスク
Ｃとした。
【００５５】ディスクＣの層構成を図７に示す。相変化
型光ディスク１０は、基板１１上に、誘電体保護膜１
２、記録膜１３、誘電体保護膜１４、反射膜１５、及び
保護膜１６が順次積層された構造であった。各膜は、本
発明の光ディスクと同様の機能を有するものである。
型光ディスク１０は、基板１１上に、誘電体保護膜１
２、記録膜１３、誘電体保護膜１４、反射膜１５、及び
保護膜１６が順次積層された構造であった。各膜は、本
発明の光ディスクと同様の機能を有するものである。
【００５６】ディスクＡ，Ｂ及びＣを、それぞれ直径９
０ｍｍのディスクとし、ディスク回転数３６０ｒｐｍ、
ＣＡＶ、２〜７ｐｐｍ記録で、記録パルス４５ｎｓ、オ
ーバーライトの記録パワー１２ｍＷ、消去パワー６ｍＷ
で、オーバーライトを行ない、その繰り返し特性を評価
した。
０ｍｍのディスクとし、ディスク回転数３６０ｒｐｍ、
ＣＡＶ、２〜７ｐｐｍ記録で、記録パルス４５ｎｓ、オ
ーバーライトの記録パワー１２ｍＷ、消去パワー６ｍＷ
で、オーバーライトを行ない、その繰り返し特性を評価
した。
【００５７】図６に、オーバーライト回数とエラー率と
の関係を示す。図６において、直線ｅ、ｆ及びｇは、そ
れぞれディスクＡ，Ｂ及びＣのエラー率を表わす。この
結果から、従来構成のディスクＣは、２０万回の繰り返
しでエラー率が２桁程度増加するが、本発明の境界層を
有するディスクＡ及びＢでは、１００万回の繰り返しで
もエラー率が増加しないことがわかる。
の関係を示す。図６において、直線ｅ、ｆ及びｇは、そ
れぞれディスクＡ，Ｂ及びＣのエラー率を表わす。この
結果から、従来構成のディスクＣは、２０万回の繰り返
しでエラー率が２桁程度増加するが、本発明の境界層を
有するディスクＡ及びＢでは、１００万回の繰り返しで
もエラー率が増加しないことがわかる。
【００５８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
記録膜と保護膜との間に境界層を有するので、オーバー
ライトの繰り返しに耐え得る信頼性に優れた相変化光デ
ィスクを提供することができる。また、境界層に濃度勾
配を設けることにより、反射層への熱伝導特性も向上す
るので、記録パワーマージンを向上させることができ
る。
記録膜と保護膜との間に境界層を有するので、オーバー
ライトの繰り返しに耐え得る信頼性に優れた相変化光デ
ィスクを提供することができる。また、境界層に濃度勾
配を設けることにより、反射層への熱伝導特性も向上す
るので、記録パワーマージンを向上させることができ
る。
【図１】本発明の相変化光ディスク記録媒体の断面図。
【図２】本発明の相変化光ディスク記録媒体の製造方法
に使用されるスパッタ装置を示す図。
に使用されるスパッタ装置を示す図。
【図３】本発明の相変化光ディスク記録媒体の製造方法
における、スパッタ時間と投入電力との関係を示す図。
における、スパッタ時間と投入電力との関係を示す図。
【図４】本発明の相変化光ディスク記録媒体の製造方法
に使用されるスパッタ装置を示す図。
に使用されるスパッタ装置を示す図。
【図５】本発明の相変化光ディスク記録媒体の製造方法
における、スパッタ時間と投入電力との関係を示す図。
における、スパッタ時間と投入電力との関係を示す図。
【図６】オーバーライト回数とエラー率との関係を示す
図。
図。
【図７】従来の相変化光ディスク記録媒体の断面図。
１…相変化光ディスク、２…光ディスク基板、３…保護
膜、４…境界層 ５…記録膜、６…境界層、７…保護膜、８…反射層、９
…保護膜 １０…相変化光ディスク、１１…光ディスク基板、１２
…保護膜 １３…記録膜、１４…保護膜、１５…反射層、１６…保
護膜 ２０…スパッタリング装置、２１…真空容器、２２…ガ
ス導入ポート ２３…ガス排気ポート、２４…排気装置、２５…ガスボ
ンベ ２６…回転基台、２７…記録膜用ターゲット、２８…保
護膜用ターゲット ２９…反射膜用ターゲット、３０…混合ターゲット、３
１…高周波電源 ３２…高周波電源、３３…高周波電源、３４…高周波電
源 ３５…電源制御装置、３６…電源制御装置、３７…電源
制御装置 ３８…電源制御装置、３９…モニタ装置、４０…モニタ
装置 ４１…モニタ装置、４２…モニタ装置、４３…外部電源 ５０…スパッタリング装置、５１…真空容器、５２…ガ
ス導入ポート ５３…ガス排気ポート、５４…排気装置、５５…ガスボ
ンベ、５６…回転基台 ５７…記録膜用ターゲット、８…保護膜用ターゲット ５９…反射膜用ターゲット、６０…高周波電源、６１…
高周波電源 ６２…高周波電源、６３…電源制御装置、６４…電源制
御装置 ６５…電源制御装置、６６…モニタ装置、６７…モニタ
装置 ６８…モニタ装置、６９…外部電源。
膜、４…境界層 ５…記録膜、６…境界層、７…保護膜、８…反射層、９
…保護膜 １０…相変化光ディスク、１１…光ディスク基板、１２
…保護膜 １３…記録膜、１４…保護膜、１５…反射層、１６…保
護膜 ２０…スパッタリング装置、２１…真空容器、２２…ガ
ス導入ポート ２３…ガス排気ポート、２４…排気装置、２５…ガスボ
ンベ ２６…回転基台、２７…記録膜用ターゲット、２８…保
護膜用ターゲット ２９…反射膜用ターゲット、３０…混合ターゲット、３
１…高周波電源 ３２…高周波電源、３３…高周波電源、３４…高周波電
源 ３５…電源制御装置、３６…電源制御装置、３７…電源
制御装置 ３８…電源制御装置、３９…モニタ装置、４０…モニタ
装置 ４１…モニタ装置、４２…モニタ装置、４３…外部電源 ５０…スパッタリング装置、５１…真空容器、５２…ガ
ス導入ポート ５３…ガス排気ポート、５４…排気装置、５５…ガスボ
ンベ、５６…回転基台 ５７…記録膜用ターゲット、８…保護膜用ターゲット ５９…反射膜用ターゲット、６０…高周波電源、６１…
高周波電源 ６２…高周波電源、６３…電源制御装置、６４…電源制
御装置 ６５…電源制御装置、６６…モニタ装置、６７…モニタ
装置 ６８…モニタ装置、６９…外部電源。
Claims (10)
- 【請求項１】 記録膜材料を用いて基板上に記録膜を成
膜する工程、 前記記録膜を成膜する工程の前、又は後の少なくとも一
方において、保護膜材料を用いて保護膜を成膜する工
程、及び、 前記記録膜と保護膜との間に、保護膜材料の微粉末と記
録膜材料の微粉末とを所定の割合で混合した混合材料を
用いて境界層を成膜する工程を具備することを特徴とす
る情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 記録膜材料を用いて基板上に記録膜を成
膜する工程、 前記記録膜を成膜する工程の前、又は後の少なくとも一
方において、保護膜材料を用いて保護膜を成膜する工
程、及び、 前記記録膜と保護膜との間に、保護膜材料と記録膜材料
とを同時に用いて保護膜材料と記録膜材料との混合材料
からなる境界層を成膜する工程を具備することを特徴と
する情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 記録膜材料を用いて基板上に記録膜を成
膜する工程、 前記記録膜を成膜する工程の前、又は後の少なくとも一
方において、保護膜材料を用いて保護膜を成膜する工
程、及び、 前記記録膜と保護膜との間に、保護膜材料と記録膜材料
とが所定の割合で混合された混合材料及び保護膜材料を
用いて、保護膜に近い側で保護膜材料の割合が多くなる
ように、前記保護膜材料及び／又は混合材料の割合を連
続的又は不連続的に変化させて濃度勾配を有する境界層
を成膜する工程を具備することを特徴とする情報記録媒
体の製造方法。 - 【請求項４】 記録膜材料を用いて基板上に記録膜を成
膜する工程、 前記記録膜を成膜する工程の前、又は後の少なくとも一
方において、保護膜材料を用いて保護膜を成膜する工
程、及び前記記録膜と保護膜との間に、保護膜材料と記
録膜材料とが所定の割合で混合された混合材料及び記録
膜材料を用いて、保護膜に近い側で保護膜材料の割合が
多くなるように、前記記録膜材料及び／又は混合材料の
割合を連続的又は不連続的に変化させて濃度勾配を有す
る境界層を成膜する工程を具備することを特徴とする情
報記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 記録膜材料を用いて基板上に記録膜を成
膜する工程、 前記記録膜を成膜する工程の前、又は後の少なくとも一
方において、保護膜材料を用いて保護膜を成膜する工
程、及び前記記録膜と保護膜との間に、保護膜材料と記
録膜材料とを用いて、保護膜に近い側で保護膜材料の割
合が多くなるように、前記記録膜材料及び／又は保護膜
材料の割合を連続的又は不連続的に変化させて濃度勾配
を有する境界層を成膜する工程を具備することを特徴と
する情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 基板、この基板上に形成された光ビーム
を照射することにより照射部分に状態変化を生じさせて
情報を記録する相変化型の記録膜、及び基板と記録膜と
の間並びに記録膜の上の少なくとも一方に形成された誘
電体保護膜を具備し、前記保護膜と記録膜との間に、保
護膜材料と記録膜材料との混合材料からなる境界層を有
することを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項７】 基板、この基板上に形成された光ビーム
を照射することにより照射部分に状態変化を生じさせて
情報を記録する相変化型の記録膜、及び基板と記録膜と
の間並びに記録膜の上の少なくとも一方に形成された誘
電体保護膜を具備し、前記保護膜と記録膜との間に、保
護膜材料と記録膜材料との混合材料からなる境界層であ
って、保護膜に近い側で保護膜材料の比率が多くなるよ
うな濃度勾配を有する境界層を有することを特徴とする
情報記録媒体。 - 【請求項８】 基板、この基板上に形成された光ビーム
を照射することにより照射部分に状態変化を生じさせて
情報を記録する相変化型の記録膜、及び基板と記録膜と
の間並びに記録膜の上の少なくとも一方に形成された誘
電体保護膜を具備し、前記保護膜と記録膜との間に、記
録膜材料の熱伝導度と保護膜材料の熱伝導度との間の熱
伝導度を有する境界層を含むことを特徴とする情報記録
媒体。 - 【請求項９】 基板、この基板上に形成された光ビーム
を照射することにより照射部分に状態変化を生じさせて
情報を記録する相変化型の記録膜、及び基板と記録膜と
の間並びに記録膜の上の少なくとも一方に形成された誘
電体保護膜を具備し、前記保護膜と記録膜との間に、記
録膜材料の屈折率と保護膜材料の屈折率との間の屈折率
を有する境界層を含むことを特徴とする情報記録媒体。 - 【請求項１０】 基板、この基板上に形成された光ビー
ムを照射することにより照射部分に状態変化を生じさせ
て情報を記録する相変化型の記録膜、及び基板と記録膜
との間並びに記録膜の上の少なくとも一方に形成された
誘電体保護膜を具備し、前記保護膜と記録膜との間に、
記録膜材料の消衰係数と保護膜材料の消衰係数との間の
消衰係数を有する境界層を含むことを特徴とする情報記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5217704A JPH0773513A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 情報記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5217704A JPH0773513A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 情報記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773513A true JPH0773513A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16708432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5217704A Pending JPH0773513A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 情報記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773513A (ja) |
-
1993
- 1993-09-01 JP JP5217704A patent/JPH0773513A/ja active Pending
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