JPH0887709A

JPH0887709A - 磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0887709A
Application number: JP22300494A
Authority: JP
Inventors: Seiichi Ogata; 誠一小形; Takushi Tadano; 拓志但野; Tadashi Saito; 正斎藤; Atsushi Sato; 敦佐藤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1994-09-19
Filing date: 1994-09-19
Publication date: 1996-04-02

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、最適記録電流の低減を図ることが
できる磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目
的とする。【構成】金属磁性膜により磁路の少なくとも一部が構
成されてなる一対の磁気コア半体１，２同士を突き合わ
せて接合一体化し、その突き合わせ面間に磁気ギャップ
を形成してなる磁気ヘッドの製造方法において、上記磁
気ヘッドの厚みＨが形成されるように所定の大きさにヘ
ッドチップを切り出すに際し、その切り出し面１ａ，１
ｂ，２ａ，２ｂの表面粗さが、最大高さＲｍａｘ≦２μ
ｍとなるような切断工程を備えたことにより、製造され
た磁気ヘッドは、巻線溝に巻装されるコイルの単位捲数
当たりのインダクタンスＬを小さい値とすることがで
き、最適記録電流の低減が図られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばビデオテープレ
コーダー（ＶＴＲ）やデジタルオーディオテープレコー
ダー（Ｒ−ＤＡＴ）等の高密度記録可能な磁気記録再生
装置に搭載して好適な磁気ヘッド及びその製造方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ビデオテープレコーダーやデジ
タルオーディオテープレコーダー等の磁気記録再生装置
においては、高画質化等を目的として情報信号の短波長
記録化が進められており、これに対応して磁性粉に強磁
性金属粉末を用いた、いわゆるメタルテープや、ベース
フィルム上に強磁性金属材料を直接被着した蒸着テープ
等の高抗磁力磁気記録媒体が使用されるようになってき
ている。

【０００３】一方、これに対処すべく磁気ヘッドの分野
においても研究が進められており、高抗磁力磁気記録媒
体を可能ならしめるため、コア材料に金属磁性材料を用
いるとともに狭トラック化を図った磁気ヘッドが開発さ
れている。

【０００４】このような磁気ヘッドの代表的なものとし
て、非磁性材料よりなる基板で高透磁率かつ高飽和磁束
密度を有する金属磁性膜を挟み込んでなる磁気コア半体
を、突き合わせガラス融着により接合一体化した、いわ
ゆるラミネートタイプの磁気ヘッドが知られている。

【０００５】このようなラミネートタイプの磁気ヘッド
は、上記金属磁性膜の膜厚を制御することでトラック幅
を簡単に狭トラック化が図られるため高密度記録を行う
ことができること、構造的に疑似ギャップが発生しない
こと、さらに、上記ガラス融着等により簡単に製造でき
ること等種々の利点を有する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
ラミネートタイプの磁気ヘッドは、磁気記録の高密度化
に伴いさらなる高出力化が要求されている。この高出力
化の点からは巻線溝に巻装されるコイルの本数を増やす
必要があるが、コイルの本数を増やすと装置本体内部の
温度が上昇する。しかし、他方、ＶＴＲ等の磁気記録装
置の小型化により、小電力化および装置本体内部の温度
上昇を抑制する必要がある。したがって、これらの要請
から最適記録電流（ＯｕｔｐｕｔＲｅｃｏｒｄＣｕ
ｒｒｅｎｔ）の低減が望まれている。

【０００７】この最適記録電流の低減には、高飽和磁束
密度化やコア効率を挙げる手法もあるが、効果的な手法
としては、巻線溝に巻装される単位捲き数当たり（捲き
線コイル１捲き当たり）のインダクタンスＬを小さくす
ることにより、コイルの捲き数を多くする手法が挙げら
れる。そして、この単位捲数当たりのインダクタンスＬ
を小さくするには、上記のようなラミネートタイプの磁
気ヘッド金属磁性膜を積層してなる磁気コアを有する磁
気ヘッドが有利である。

【０００８】しかしながら、高密度磁気記録を行うため
に磁気ヘッドのトラック幅が狭くなると、磁路の断面積
が減少することからコア効率が低下し、結果的に最適記
録電流の低減に結びつかなくなるという問題を有してい
た。

【０００９】このような傾向は、特に、磁気ヘッドのト
ラック幅Ｔｗが、Ｔｗ≦１６μｍの狭トラックの磁気ヘ
ッドにおいて顕著にみられる。

【００１０】そこで、本発明は、金属磁性膜を積層して
なる一対の磁気コア半体同士を突き合わせて接合一体化
してなる磁気ヘッドにおいて、最適記録電流の低減を図
ることができる磁気ヘッド及びその製造方法を提供する
ことを目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記問題
を解決すべく鋭意研究を進めた結果、磁気ヘッドの磁気
コアの厚さ方向における表側と裏側の表面粗さが、巻線
溝に巻装されるコイルの単位捲き数当たりのインダクタ
ンスの低減に影響することを見出した。これは、上記表
面粗さが粗いと、コイルの捲き線状態に影響を与え、磁
束が漏れる量が大きくなるという点に着目したものであ
る。

【００１２】そこで、本発明に係る磁気ヘッドは、金属
磁性膜により磁路の少なくとも一部が構成されてなる一
対の磁気コア半体同士を突き合わせて接合一体化し、そ
の突き合わせ面間に磁気ギャップを形成してなる磁気ヘ
ッドにおいて、上記磁気コアの厚さ方向における表側と
裏側の各表面粗さが、最大高さＲｍａｘ≦２μｍである
ことを特徴とする。

【００１３】また、上記磁気ヘッドのトラック幅Ｔｗ
が、Ｔｗ≦１６μｍであることを特徴とする。

【００１４】また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
は、金属磁性膜により磁路の少なくとも一部が構成され
てなる一対の磁気コア半体同士を突き合わせて接合一体
化し、その突き合わせ面間に磁気ギャップを形成してな
る磁気ヘッドの製造方法において、上記磁気ヘッドの厚
みが形成されるように所定の大きさにヘッドチップを切
り出すに際し、その切り出し面の表面粗さが、最大高さ
Ｒｍａｘ≦２μｍとなるような切断工程を備えたことを
特徴とする。

【００１５】

【作用】本発明に係る磁気ヘッドは、磁気コアの厚さ方
向における表側と裏側の表面粗さが、Ｒｍａｘ≦２μｍ
であることを特徴とし、また、上記磁気ヘッドの厚みが
形成されるように所定の大きさにヘッドチップを切り出
すに際し、その切り出し面の表面粗さが、Ｒｍａｘ≦２
μｍとして切断することを特徴とするものである。

【００１６】このような磁気ヘッドは、上記表面粗さが
Ｒｍａｘ≦２μｍの磁気ヘッドは、Ｒｍａｘ＜２μｍの
磁気ヘッドと比較し、巻線溝に巻装されるコイルの単位
捲数当たりのインダクタンスＬを小さい値とすることが
できる。

【００１７】したがって、例えば、周波数１０ＭＨ_Zに
おけるインダクタンスＬが約０．５μＨになるようにコ
イルの捲き数を調整すると、上記表面粗さがＲｍａｘ≦
２μｍの磁気ヘッドは、Ｒｍａｘ＜２μｍの磁気ヘッド
と比較し、コイルの捲き数を多くすることができる。そ
の結果、最適記録電流の低減が図られる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１９】作製される磁気ヘッドの構成本実施例が対象とする磁気ヘッドは、図１に示すよう
に、金属磁性膜３が膜厚方向より一対の基板１１，１２
により挟み込まれてなる磁気コア半体１と、同様に金属
磁性膜４が膜厚方向より一対の基板１３，１４により挟
み込まれてなる磁気コア半体２が、上記金属磁性膜３，
４を突き合わせるようにして接合一体化されたものであ
る。そして、上記金属磁性膜３，４の突き合わせ面間に
は、ギャップｇ₁（フロントギャップ）と、ギャップｇ
₂（バックギャップ）が形成され、該金属磁性膜３，４
により閉磁路が構成されている。本実施例では、磁気ヘ
ッドのトラック幅Ｔｗが≦１６μｍの狭トラック幅とさ
れている。

【００２０】また、上記磁気ヘッドにおいては、一方の
磁気コア半体２の対向面に、その一端によりフロントギ
ャップｇ₁のデプス（深さ）ｄを規制するとともに、図
示しないコイルを巻装するための巻線溝８が設けられて
いる。なお、この巻線溝８と対向する反対側の各側面に
は、コイルの巻装状態を良好なものとなすための巻線ガ
イド溝１８，１９が設けられている。

【００２１】そして特に、上記磁気コア半対１，２の厚
さ方向における表側１ａ，２ａと裏側１ｂ，２ｂの各表
面粗さが、Ｒｍａｘ≦２μｍであるように構成されてい
る。なお、上記磁気コア半体１，２の厚さ方向における
表側１ａ，２ａと裏側１ｂ，２ｂの一方のは、磁気ヘッ
ドを装置本体内部の回転ドラム等に取り付ける場合に、
基台としてのヘッドベースに貼り付ける貼着面となる面
である。

【００２２】また、上記金属磁性膜３，４は、高周波帯
域での渦電流損失を回避するため、絶縁膜と交互に何層
にも積層されている。

【００２３】上記金属磁性膜３、４は、各種強磁性材料
の他に、例えば高飽和磁束密度を有し、かつ軟磁気特性
に優れた強磁性合金材料が使用できるが、かかる強磁性
合金材料としては従来より公知のものがいずれも使用で
き、結晶質であるか、非結晶質であるかを問わない。

【００２４】例示するならば、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金
（センダスト）、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ
系合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ系
合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇａ系合
金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｒｕ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ
−Ａｌ系合金等が挙げられる。また、耐蝕性や耐摩耗性
等の一層の向上を図るために、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ，
Ｒｅ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖ等の少なくとも一種
を添加したものであってもよい。また、酸素含有センダ
スト，窒素含有センダスト、酸素含有Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇａ
−Ｒｕ系合金、窒素含有Ｆｅ−Ｓｉ−Ｇａ−Ｒｕ系合金
等の結晶質磁性膜でも良い。さらには、Ｆｅ系微結晶
膜、Ｃｏ系微結晶膜を用いてもよい。

【００２５】また、強磁性非晶質合金、いわゆるアモル
ファス合金（例えば、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏの１つ以上の元
素とＰ，Ｃ，Ｂ，Ｓｉの１つ以上の元素からなる合金、
またはこれらを主成分としているＡｌ，Ｇｅ，Ｂｅ，Ｓ
ｎ，Ｉｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｎｂ等を含んだ合金等のメタル−メタロイド系アモルフ
ァス合金、或いはＣｏ，Ｈｆ，Ｚｒ等の遷移元素や希土
類元素等を主成分とするメタル−メタル系アモルファス
合金）等が挙げられる。

【００２６】これら金属磁性膜３，４の成膜方法として
は、膜厚制御性に優れるスパッタリング法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、イオンビーム法等に代表
される真空薄膜形成技術が採用されている。

【００２７】また、上記基板１１、１２、１３、１４に
は、フェライト材の他に、非磁性フェライト、酸化ジル
コニウム系セラミック、結晶化ガラス、非磁性酸化鉄系
セラミック、ＢａＴｉＯ₃，Ｋ₂ＴｉＯ₃等のチタン酸
系セラミック等が用いられる。

【００２８】上記磁気ヘッドにおいては、基板１１，１
２，１３，１４を用いていることから、磁気ギャップの
トラック幅Ｔｗは、上記金属磁性膜３，４の膜厚によっ
て決定される。本実施例では、磁気ヘッドのトラック幅
Ｔｗが≦１６μｍの狭トラック幅とされている。

【００２９】なお、磁気記録媒体摺動面には、磁気記録
媒体との当たりを確保するための段差１６，１７が設け
られている。

【００３０】また、この磁気ヘッドは、上記磁気コア半
体１，２同士を融着ガラス２０によって接合一体化され
ている。

【００３１】磁気ヘッドの製造方法先ず、図２に示すように、磁性晶フェライト材よりなる
基板２１と、重ね合わる基板２２を用意する。そして、
上記の一方の基板２１の主面に鏡面加工を施す。

【００３２】なお、本実施例では、上記基板２１とし
て、単結晶の磁性フェライト材を用いたが、これに限ら
ず多結晶の磁性フェライト材や、これら単結晶と多結晶
の接合フェライト材、さらには、非磁性フェライト，Ｂ
ａＴｉＯ₃，Ｋ₂ＴｉＯ₃，結晶化ガラス等の非磁性材
等も使用可能である。

【００３３】また、本実施例に用いた上記単結晶フェラ
イトの結晶面の指数を図２に示す。すなわち、フェライ
ト結晶の切り出しの結晶方位を摺動方向において（１０
０）面が現れるようにした。但し、上記結晶面の指数と
は異なる単結晶フェライト、或いは、接合基板等を用い
てもよい。

【００３４】本実施例に用いた上記単結晶フェライトの
面指数は、図２に示すように用いた。すなわち、フェラ
イト結晶の切り出しの結晶方位を摺動方向において（１
００）面が現れるようにした。但し、上記の面指数とは
異なる単結晶フェライト、或いは、接合フェライト基板
を用いてもよい。

【００３５】次に、図２及び図３に示すように、上記基
板２１に絶縁膜２６を介して金属磁性膜２５を積層す
る。

【００３６】ここで、本実施例においては、上記基板２
１上に、ＳｉＯ₂膜２４を形成し、このＳｉＯ₂膜２４
上にマスクスパッタを用いて必要最小限の面積に金属磁
性膜２５を形成する。

【００３７】まず、上記基板２１に金属磁性膜２５を成
膜する前提として、基板２１との付着力向上のための下
地層として５０ｎｍ厚のＳｉＯ₂膜２４が成膜した。こ
こで、成膜される下地層としては、上記ＳｉＯ₂膜２４
の他、Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物
膜、或いは、Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属膜及びそ
れらの合金膜、或いは、それらを組み合わせた積層膜を
用いても良い。

【００３８】その後、上記ＳｉＯ₂膜２４上にマスクス
パッタを用いて金属磁性膜２５を形成する。この金属磁
性膜２５の厚さは、高周波特性向上のために一層当たり
の２〜５μｍとし、目的とするトラック幅Ｔｗの１〜３
倍程度の膜厚となる様に絶縁膜２６を介して数層積層す
る必要がある。なお、この絶縁膜２６に関しては、０．
１〜０．３μｍ厚のＳｉＯ_2,Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物膜、
Ｓｉ₃Ｏ₄等の窒化物膜等を用いれば良い。本実施例で
は、トラック幅Ｔｗを５μｍとするために一層当たりの
金属磁性膜２５の厚さを３μｍとし、絶縁膜２６として
の０．２μｍ厚のＳｉＯ_2,膜２４を介して三層重ね合わ
せた。

【００３９】次いで、図４及び図５に示すように、上記
金属磁性膜２５の表面と重ね合わせ側のフェライト基板
２２の表面にもスパッタリングを用いて０．１〜０．５
μｍ厚の低融点ガラス膜２７を形成する。このガラス膜
２７は、上記基板２１の金属磁性膜２５上の表面か、或
いは、金属磁性膜２５を形成していない重ね合わせ側の
基板２２の表面かの少なくとも一方の表面に形成しても
良い。なお、本実施例では、スパッタリングによって形
成されたガラス膜２７を用いたが、スピンコーティング
等によって塗布されたフリットガラスを用いてもよい。

【００４０】また、このガラス膜２７の成膜に際して
は、上記磁性基板２１の金属磁性膜２５と重ね合わせ側
の基板２２のフェライトと、低融点ガラス膜２７との反
応防止を目的として、ＳｉＯ_2,Ｔａ₂Ｏ₅等の酸化物
膜、Ｓｉ₃Ｏ₄等の窒化物膜、Ｃｒ，Ａｌ，ＳｉＰｔ等
の金属膜、これらの合金膜、或いは、それらを組み合わ
せた積層膜を予めスパッタリング等を用いて形成してお
いても良い。本実施例では、０．１μｍ厚のＣｒ膜２８
を上記磁性基板２１の金属磁性膜２５と重ね合わせ側の
基板２２のフェライトとの反応防止を目的として成膜し
た後に、０．２μｍ厚のＰｂ系のガラス膜２７をやはり
スパッタリングを用いて形成した。

【００４１】以上のようにして、金属磁性膜２５が積層
された基板２１に重ね合わせ側の基板２２を圧着しなが
ら５００〜７００°Ｃに加熱接合して、図６及び図７に
示すように、接合基板３０を作製する。なお、図７は、
図６の接合基板３０の拡大断面図である。

【００４２】次いで、上記接合基板３０を目的とするア
ジマス角と同角度で切り出す。すなわち、図８に示すよ
うに、上記接合基板３０のＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ
線から、図９に示すように、所定の大きさからなる一対
の磁気コア半体ブロック３１，３１を得る。

【００４３】次いで、同図９に示すように、上記一対の
磁気コア半体ブロック３１，３１の不要な部分を平面研
削盤を用いて除去する。すなわち、上記一対の磁気コア
半体ブロック３１，３１の上記切り出し方向に沿って絶
縁膜２６を介して成膜した金属磁性膜２５が現れるまで
基板２１の不要な部分を上記基板２１の前記（１００）
面から平面研削盤を用いて除去する。そして、その後、
巻線溝８とガラス溝１５等を形成する。

【００４４】次いで、図１０に示すように、トラック幅
Ｔｗの規制溝３３を上記各対磁気コア半体ブロック３
１，３１の機械加工により長手方向に沿って形成する。
このトラック幅規制溝３３の磁気ギャップ対向面のトラ
ック幅Ｔｗが規制される。本実施例では、磁気ヘッドの
トラック幅Ｔｗが≦１６μｍの狭トラック幅とされてい
る。

【００４５】ここで、同図１０に示すように、スパッタ
リング等を用いて融着ガラス２０との反応を防止する防
止膜２９を形成しても良い。この反応防止膜２９として
は、厚み０．０５μｍ以上のＳｉＯ₂，Ｔａ₂Ｏ₅等の
酸化物膜Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化物膜、或いは、Ｃｒ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｐｔ等の金属膜及びそれらの合金膜及びそれ
らの合金膜、或いは、それらを組み合わせた積層膜を用
いれば良い。本実施例では、トラック幅規制溝２８を形
成した後、０．２μｍ厚のＣｒからなる反応防止膜２９
をスパッタリングを用いて形成した。

【００４６】次いで、図１１に示すように、ポリッシン
グ等を用いてフロントギャップｇ₁面に鏡面加工を施し
た後、磁気ギャップ対向面全体にＳｉＯ₂等により膜ギ
ャップ膜を形成する。

【００４７】次いで、巻線溝８同士、トラック幅規制３
３同士等の位置合わせを行った後、図１２に示すよう
に、上記一対の磁気コア半体ブロック３１，３１をガラ
スを流し込みながら融着ガラス２０によりギャップ接合
を行う。

【００４８】次いで、巻線溝８の加工、当たり幅加工等
を行った後に、図１に示すように、目的とするチップ厚
に切断する。すなわち、磁気コアの厚みＨとなるよう
に、Ｆ１−Ｆ１，Ｆ２−Ｆ２方向から所定の大きさのヘ
ッドチップに切り出す。

【００４９】この切断の後、磁気記録媒体摺動面には、
磁気記録媒体との当たりを確保するための段差１６，１
７を設ける。また、この切断されたヘッドチップに対し
て磁気記録媒体摺動面となる部分を円筒研磨するととも
に、巻線溝８にコイルを確実に巻装するための切り欠き
溝１８，１９を切削加工する。このようにして、磁気ヘ
ッドが図１に示すように完成する。実験結果上記チップ厚の切断に際しては、そのチップ厚Ｈを２２
０μｍとした。

【００５０】この目的とするチップ厚に切断する工程に
おいて、切断に用いる砥石の砥粒径及び切断時の加工条
件を変えて、図１に示すように、目的とするチップ厚Ｈ
となるように切り出す。

【００５１】すなわち、磁気コアの厚みＨとなるように
Ｆ１−Ｆ１，Ｆ２−Ｆ２方向から所定の大きさのヘッド
チップに切り出すに際し、その切り出し面１ａ，２ａ，
１ｂ，２ｂの表面粗さが、最大高さＲｍａｘ＝０．５μ
ｍ〜６μｍとしたヘッドチップを切断した。その後、こ
のヘッドチップに対して磁気記録媒体摺動面となる部分
を円筒研磨等を行って各種の表面粗さが種々相違する磁
気ヘッドを多数製造した。

【００５２】他方、上記と同一の製造条件で製造し、表
面粗さをＲｍａｘ＝６μｍとして作製した磁気ヘッド比
較例とした。なお、最大高さＲｍａｘとは、（ＪＩＳ
Ｂ０６０１）に規定される。

【００５３】このようにして実験した結果、上記表面粗
さがＲｍａｘ≦２μｍの磁気ヘッドは、Ｒｍａｘ＝６μ
ｍの上記比較例の磁気ヘッドと比較し、巻線溝８に巻装
されるコイルの単位捲数当たり（捲き線コイル１捲き当
たり）のインダクタンスＬは、７５％〜９０％という低
い値を示した。これは、上記表面粗さＲｍａｘの値が大
きいと、コイルの捲き線状態に影響を与え、磁束が漏れ
る量が大きくなるからである。

【００５４】そこで次に、周波数１０ＭＨ_Zにおけるイ
ンダクタンスＬが約０．５μＨになるようにコイルの捲
き数を調整したところ、コイルの捲き数（ターン）は、
Ｒｍａｘ＞２μｍの磁気ヘッドでは、１２ターン、２μ
ｍ≧Ｒｍａｘ＞１μｍの磁気ヘッドでは１３ターン、Ｒ
ｍａｘ≦１μｍの磁気ヘッドでは１４ターンとすること
ができた。

【００５５】上記結果から明らかなように、上記磁気ヘ
ッドの製造方法において、一対の磁気コア半体ブロック
からヘッドチップに切り出すに際し、その切り出し面１
ａ，２ａ，１ｂ，２ｂの表面粗さは、Ｒｍａｘ≦２μｍ
が好ましいことが分かる。さらに望ましくは、Ｒｍａｘ
≦２μｍよりも小さければ小さいほど、コイルの捲き数
（ターン）を多くすることができることとなる。

【００５６】特に上記実施例のような磁気ヘッドのトラ
ック幅Ｔｗが、Ｔｗ≦１６μｍのような狭トラックのも
ので、磁路の断面積が少ない磁気ヘッドにおいて、最適
記録電流を低減することができることとなる。

【００５７】そこで実際に、これらの磁気ヘッドの周波
数１０ＭＨｚにおける最適記録電流の測定を行った。こ
の最適記録電流の測定にあたっては、固定ヘッド方式の
電磁変換特性測定装置を用い相対速度１０ｍ／ｓで行っ
た。また、磁気テープには、市販の８ミリビデオ用の磁
気テープを用いた。

【００５８】その結果、Ｒｍａｘ＝６μｍの比較例の磁
気ヘッドを０ｄＢとした場合、最適記録電流は、２μｍ
≧Ｒｍａｘ＞１μｍの磁気ヘッドでは−０．７ｄＢとな
り、Ｒｍａｘ≦１μｍの磁気ヘッドでは−１．２ｄＢと
なった。

【００５９】以上から明らかなように、本実施例に係る
磁気ヘッドは、最適記録電流（ＯｕｔｐｕｔＲｅｃｏ
ｒｄＣｕｒｒｅｎｔ）の低減が有効に図られることが
分かる。

【００６０】なお、本実施例では、いわゆるラミネート
タイプの磁気ヘッドについて説明したが、金属磁性薄膜
を磁気ギャップ形成面に平行に成膜した、いわゆるメタ
ル・イン・ギャップタイプの磁気ヘッドにも実験した結
果、上記実施例と同様、最適記録電流の低減が図られ
た。

【００６１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気ヘッドは、金属磁性膜により磁路の少なくと
も一部が構成されてなる一対の磁気コア半体同士を突き
合わせて接合一体化し、その突き合わせ面間に磁気ギャ
ップを形成してなる磁気ヘッドにおいて、磁気コアの厚
さ方向における表側と裏側の各表面粗さが、最大高さＲ
ｍａｘ≦２μｍであることを特徴とする。また、本発明
に係る磁気ヘッドの製造方法は、金属磁性膜により磁路
の少なくとも一部が構成されてなる一対の磁気コア半体
同士を突き合わせて接合一体化し、その突き合わせ面間
に磁気ギャップを形成してなる磁気ヘッドにおいて、上
記磁気ヘッドの厚みが形成されるように所定の大きさの
ヘッドチップを切り出すに際し、その切り出し面の表面
粗さが、Ｒｍａｘ≦２μｍとして切断することを特徴と
する。

【００６２】したがって、上記のような磁気ヘッドは、
磁気ヘッドの巻線溝に巻装される単位捲き数当たりのイ
ンダクタンスＬを小さくすることにより、コイルの捲き
数を多くすることができることとなる。このため、最適
記録電流の低減が図られることにより、ＶＴＲ等の磁気
記録装置の小型化に伴う小電力化及び機器内部の温度上
昇を抑制することが可能となった。

【００６３】そして、特に上記効果は、トラック幅がＴ
ｗ≦１６μｍのような磁路の断面積が少ない磁気ヘッド
において有効に得られることとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る磁気ヘッドの一実施例を示す斜視
図である。

【図２】上記実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示す
もので、金属磁性膜が形成される基板と重ね合わせ側の
基板を準備する工程を示す斜視図である。

【図３】上記実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示す
もので、基板に絶縁膜を介して金属磁性膜を成膜する工
程を示す拡大断面図である。

【図４】上記実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示す
もので、基板にＣｒ膜とガラス膜を成膜する工程を示す
拡大断面図である。

【図５】上記実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示す
もので、重ね合わせ側の基板にＣｒ膜とガラス膜を成膜
する工程を示す拡大断面図である。

【図６】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示
すもので、基板に重ね合わせ側の基板を重ね合わせて接
合基板を製作する工程を示す斜視図である。

【図７】図６の拡大断面図である。

【図８】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示
すもので、基板に重ね合わせ側の基板を重ね合わせた接
合基板にアジマス角を付与して切断する工程を示す斜視
図である。

【図９】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示
すもので、一対の磁気コア半体ブロックの各々に巻線溝
とガラス溝を施す工程を示す斜視図である。

【図１０】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を
示すもので、一対の磁気コア半体ブロックの各々にトラ
ック幅規制溝と反応膜防止膜を施す工程を示す斜視図で
ある。

【図１１】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を
示すもので、フロントギャップ面を鏡面加工を施す工程
を示す斜視図である。

【図１２】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を
示すもので、一対の磁気コア半体ブロック同士を突き合
わせ接合一体化する工程を示す斜視図である。

【符号の説明】

１，２・・・磁気コア半体１ａ，２ａ・・・磁気コアの厚さ方向の表側１ｂ，２ｂ・・・磁気コアの厚さ方向の裏側３，４，２５・・・金属磁性膜８・・・巻線溝１１，１２，１３，１４・・・基板２１・・・基板２０・・・融着ガラス２２・・・重ね合わせ側の基板ｇ₁・・・フロントギャップｇ₂・・・バックギャップｄ・・・磁気ギャップのデプスＨ・・・磁気コアの厚みＦ１−Ｆ１，Ｆ２−Ｆ２・・・ヘッドチップの切り出し
方向Ｔｗ・・・磁気ギャップのトラック幅

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者佐藤敦東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属磁性膜により磁路の少なくとも一部
が構成されてなる一対の磁気コア半体同士を突き合わせ
て接合一体化し、その突き合わせ面間に磁気ギャップを
形成してなる磁気ヘッドにおいて、磁気コアの厚さ方向における表側と裏側の各表面粗さ
が、最大高さＲｍａｘ≦２μｍであることを特徴とする
磁気ヘッド。
【請求項２】上記磁気ヘッドのトラック幅Ｔｗが、Ｔ
ｗ≦１６μｍであることを特徴とする請求項１記載の磁
気ヘッド。
【請求項３】金属磁性膜により磁路の少なくとも一部
が構成されてなる一対の磁気コア半体同士を突き合わせ
て接合一体化し、その突き合わせ面間に磁気ギャップを
形成してなる磁気ヘッドの製造方法において、上記磁気コアの厚みが形成されるように所定の大きさの
ヘッドチップを切り出すに際し、その切り出し面の表面
粗さが、最大高さＲｍａｘ≦２μｍとして切断すること
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。