JPH0883685A - 白色ｅｌ素子 - Google Patents
白色ｅｌ素子Info
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- JPH0883685A JPH0883685A JP6219877A JP21987794A JPH0883685A JP H0883685 A JPH0883685 A JP H0883685A JP 6219877 A JP6219877 A JP 6219877A JP 21987794 A JP21987794 A JP 21987794A JP H0883685 A JPH0883685 A JP H0883685A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＺｎＳ：Ｍｎ層とＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層の
積層からなるＥＬ発光層を有する白色ＥＬ素子であっ
て、前記ＥＬ発光層はＺｎＳ：Ｍｎ層でＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層を挟む構造、或いは、下部絶縁膜上にＺｎ
Ｓ：Ｍｎ層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層を順次積層した構
造である。 【効果】 色純度の良い白色ＥＬ素子が得られる。
積層からなるＥＬ発光層を有する白色ＥＬ素子であっ
て、前記ＥＬ発光層はＺｎＳ：Ｍｎ層でＳｒ2Ｇａ
2Ｓ5：Ｃｅ層を挟む構造、或いは、下部絶縁膜上にＺｎ
Ｓ：Ｍｎ層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層を順次積層した構
造である。 【効果】 色純度の良い白色ＥＬ素子が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄型でかつ平板状の表
示手段として好適に用いられる薄膜ＥＬ（エレクトロル
ミネセンス）素子で、特に白色ＥＬ素子に関する。
示手段として好適に用いられる薄膜ＥＬ（エレクトロル
ミネセンス）素子で、特に白色ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネセンス（電界効果）と
いう現象を応用した薄膜ＥＬ素子は、発光デバイスとし
て平面薄型ディスプレイに用いられている。
いう現象を応用した薄膜ＥＬ素子は、発光デバイスとし
て平面薄型ディスプレイに用いられている。
【０００３】薄膜ＥＬ素子の発光色は、その素子のもつ
発光層の材料によって定まる。従来から、発光層の材料
として、母体材料にはＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ等が選ば
れ、発光中心材料には、例えば遷移金属元素群の中から
選ばれている。
発光層の材料によって定まる。従来から、発光層の材料
として、母体材料にはＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ等が選ば
れ、発光中心材料には、例えば遷移金属元素群の中から
選ばれている。
【０００４】これらの組み合わせにより、ＺｎＳ：Ｍｎ
等を用いた黄色発光素子、ＺｎＳ：Ｔｂ等を用いた緑色
発光素子、ＣａＳ：Ｅｕ或いはＺｎＳ：Ｓｍ等を用いた
赤色発光素子、及びＳｒＳ：Ｃｅ或いはＺｎＳ：Ｔｍ等
を用いた青色発光素子等が知られている。
等を用いた黄色発光素子、ＺｎＳ：Ｔｂ等を用いた緑色
発光素子、ＣａＳ：Ｅｕ或いはＺｎＳ：Ｓｍ等を用いた
赤色発光素子、及びＳｒＳ：Ｃｅ或いはＺｎＳ：Ｔｍ等
を用いた青色発光素子等が知られている。
【０００５】また、白色発光素子としては、ＳｒＳ：Ｃ
ｅ，Ｅｕ或いはＺｎＳ：Ｐｒ等の単膜発光層や、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ／ＣａＳ：Ｅｕ、或いは特開昭６２−７４９８
６に開示されているＳｒＳ：Ｃｅ／ＺｎＳ：Ｍｎ等の積
層発光層等が知られている。
ｅ，Ｅｕ或いはＺｎＳ：Ｐｒ等の単膜発光層や、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ／ＣａＳ：Ｅｕ、或いは特開昭６２−７４９８
６に開示されているＳｒＳ：Ｃｅ／ＺｎＳ：Ｍｎ等の積
層発光層等が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
発光素子のうち、実用化されているものはＺｎＳ：Ｍｎ
を用いた黄色発光素子のみであり、他の発光素子につい
ては十分な発光輝度が得られておらず、実用化には至っ
ていない。
発光素子のうち、実用化されているものはＺｎＳ：Ｍｎ
を用いた黄色発光素子のみであり、他の発光素子につい
ては十分な発光輝度が得られておらず、実用化には至っ
ていない。
【０００７】ＥＬディスプレイの発展を妨げているの
は、高輝度で色純度の高い白色発光素子が見つかってい
ない点にある。
は、高輝度で色純度の高い白色発光素子が見つかってい
ない点にある。
【０００８】現在実用化されているＺｎＳ：Ｍｎを用い
た黄色発光素子を利用して白色発光素子を得ようとする
と、その補色である青色発光素子の高性能化が必要にな
ってくる。
た黄色発光素子を利用して白色発光素子を得ようとする
と、その補色である青色発光素子の高性能化が必要にな
ってくる。
【０００９】上述の特開昭６２−７４９８６に開示され
た白色発光素子は、ＳｒＳ：Ｃｅの性能が劣っており、
やや緑がかった青色を呈するので、全体的にも緑がかっ
た白色を呈してしまう。
た白色発光素子は、ＳｒＳ：Ｃｅの性能が劣っており、
やや緑がかった青色を呈するので、全体的にも緑がかっ
た白色を呈してしまう。
【００１０】高性能の青色発光素子が実現すれば、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎを用いた黄色発光素子と組み合わせることによ
り、高性能の白色発光素子も実現できる。
Ｓ：Ｍｎを用いた黄色発光素子と組み合わせることによ
り、高性能の白色発光素子も実現できる。
【００１１】本発明は、以上の課題を解決すべく、高性
能の青色発光素子を用いて、色純度の高い高性能の白色
発光素子を提供することである。
能の青色発光素子を用いて、色純度の高い高性能の白色
発光素子を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
白色ＥＬ素子は、いずれか一方が透光性を有する一対の
電極間に母体材料と発光中心材料とを含むＥＬ発光層が
配置され、前記ＥＬ発光層と電極との間に絶縁層がそれ
ぞれ配置されたＥＬ構造体を備えており、前記ＥＬ発光
層がＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層とＺｎＳ：Ｍｎ層の積層か
らなることを特徴としている。
白色ＥＬ素子は、いずれか一方が透光性を有する一対の
電極間に母体材料と発光中心材料とを含むＥＬ発光層が
配置され、前記ＥＬ発光層と電極との間に絶縁層がそれ
ぞれ配置されたＥＬ構造体を備えており、前記ＥＬ発光
層がＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層とＺｎＳ：Ｍｎ層の積層か
らなることを特徴としている。
【００１３】本発明の請求項２記載の白色ＥＬ素子は、
請求項１の構成において、上記ＥＬ発光層が、下部絶縁
膜の上にＺｎＳ：Ｍｎ層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層、Ｚ
ｎＳ：Ｍｎ層を順次積層して形成されていることを特徴
としている。
請求項１の構成において、上記ＥＬ発光層が、下部絶縁
膜の上にＺｎＳ：Ｍｎ層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層、Ｚ
ｎＳ：Ｍｎ層を順次積層して形成されていることを特徴
としている。
【００１４】本発明の請求項３記載の白色ＥＬ素子は、
請求項１の構成において、上記ＥＬ発光層が、下部絶縁
膜の上にＺｎＳ：Ｍｎ層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層を順
次積層して形成されていることを特徴としている。
請求項１の構成において、上記ＥＬ発光層が、下部絶縁
膜の上にＺｎＳ：Ｍｎ層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層を順
次積層して形成されていることを特徴としている。
【００１５】
【作用】上記請求項１の構成によれば、従来のＳｒＳ：
Ｃｅ発光層に比べて色純度の良い青色発光を呈するＳｒ
2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ発光層と、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層とを積
層することにより、色純度の良い白色発光素子を得るこ
とができる。
Ｃｅ発光層に比べて色純度の良い青色発光を呈するＳｒ
2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ発光層と、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層とを積
層することにより、色純度の良い白色発光素子を得るこ
とができる。
【００１６】上記請求項２の構成によれば、Ｓｒ2Ｇａ2
Ｓ5：Ｃｅ層をＺｎＳ：Ｍｎ層で挟む構造にすることに
より、交流駆動における極性の対称性が得られ、かつ、
上下絶縁膜との密着性の良いＺｎＳ：Ｍｎ層が発光層と
絶縁層の境界面に形成されることとなり、膜の剥離等を
防止することができ、安定したＥＬ素子を得ることがで
きる。
Ｓ5：Ｃｅ層をＺｎＳ：Ｍｎ層で挟む構造にすることに
より、交流駆動における極性の対称性が得られ、かつ、
上下絶縁膜との密着性の良いＺｎＳ：Ｍｎ層が発光層と
絶縁層の境界面に形成されることとなり、膜の剥離等を
防止することができ、安定したＥＬ素子を得ることがで
きる。
【００１７】上記請求項３の構成によれば、Ｓｒ2Ｇａ2
Ｓ5：Ｃｅ層と下部絶縁膜の間にＺｎＳ：Ｍｎ層を形成
することにより、絶縁膜との密着性の良いＺｎＳ：Ｍｎ
層が発光層と絶縁層の境界面に形成されることとなり、
膜の剥離等を防止することができ、かつ、薄型の発光素
子を得ることができる。
Ｓ5：Ｃｅ層と下部絶縁膜の間にＺｎＳ：Ｍｎ層を形成
することにより、絶縁膜との密着性の良いＺｎＳ：Ｍｎ
層が発光層と絶縁層の境界面に形成されることとなり、
膜の剥離等を防止することができ、かつ、薄型の発光素
子を得ることができる。
【００１８】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示す。以下の実施
例で用いたＥＬ構造体は、ガラス等で実現される透光性
基板の一方の表面に、下部電極、下部絶縁膜、発光層、
上部絶縁膜、上部電極を順次積層した構造をもつもので
ある。
例で用いたＥＬ構造体は、ガラス等で実現される透光性
基板の一方の表面に、下部電極、下部絶縁膜、発光層、
上部絶縁膜、上部電極を順次積層した構造をもつもので
ある。
【００１９】図１は、本発明の一実施例である白色ＥＬ
素子の構造を示す断面図である。
素子の構造を示す断面図である。
【００２０】ガラス等で実現される透光性基板１の一方
の表面に、ＩＴＯ等の透明電極で実現される下部電極２
を、ＥＢ蒸着法、高周波スパッタ法等により、２００ｎ
ｍ程度の膜厚になるように形成する。
の表面に、ＩＴＯ等の透明電極で実現される下部電極２
を、ＥＢ蒸着法、高周波スパッタ法等により、２００ｎ
ｍ程度の膜厚になるように形成する。
【００２１】下部絶縁膜３は、高周波スパッタ法等で４
０ｎｍ程度の厚さにＳｉＯ2を堆積し、さらに２００ｎ
ｍ程度の厚さにＳｉ3Ｎ4を堆積して得られる。
０ｎｍ程度の厚さにＳｉＯ2を堆積し、さらに２００ｎ
ｍ程度の厚さにＳｉ3Ｎ4を堆積して得られる。
【００２２】ＥＬ発光層１９の形成法としては、ＥＢ蒸
着法や高周波スッパタ法等が用いられる。ＺｎＳ：Ｍｎ
層とＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層を別々の成長法により形成
することも可能であるが、生産性等を考慮すると同一の
成長法によって形成したほうが望ましい。本実施例で
は、すべて高周波スパッタ法を用いて発光層を形成し
た。 ＺｎＳ：Ｍｎ層は、Ｍｎを０．４５ｗ％含むＺｎ
Ｓ：Ｍｎ焼結ターゲットを使用し、基板温度１００〜３
００℃、Ａｒガス中スパッタにより下部層１４を１００
〜３００ｎｍ，上部層１６を５０〜２００ｎｍの厚さに
形成する。
着法や高周波スッパタ法等が用いられる。ＺｎＳ：Ｍｎ
層とＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層を別々の成長法により形成
することも可能であるが、生産性等を考慮すると同一の
成長法によって形成したほうが望ましい。本実施例で
は、すべて高周波スパッタ法を用いて発光層を形成し
た。 ＺｎＳ：Ｍｎ層は、Ｍｎを０．４５ｗ％含むＺｎ
Ｓ：Ｍｎ焼結ターゲットを使用し、基板温度１００〜３
００℃、Ａｒガス中スパッタにより下部層１４を１００
〜３００ｎｍ，上部層１６を５０〜２００ｎｍの厚さに
形成する。
【００２３】Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層１５は、発光中心
のＣｅを２ｍｏｌ％と、電荷補償剤のＫを含むＳｒ2Ｇ
ａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ焼結ターゲットを用いて、基板温度を
５０〜３００℃にして、Ｈ2Ｓを３〜１０％含むＡｒガ
ス中スパッタにより４００〜１０００ｎｍの厚さに形成
する。
のＣｅを２ｍｏｌ％と、電荷補償剤のＫを含むＳｒ2Ｇ
ａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ焼結ターゲットを用いて、基板温度を
５０〜３００℃にして、Ｈ2Ｓを３〜１０％含むＡｒガ
ス中スパッタにより４００〜１０００ｎｍの厚さに形成
する。
【００２４】上部絶縁膜７として、１００ｎｍ程度のＳ
ｉ2Ｎ4膜と３０ｎｍ程度のＡｌ2Ｏ3膜の積層を高周波ス
パッタ法等により形成する。
ｉ2Ｎ4膜と３０ｎｍ程度のＡｌ2Ｏ3膜の積層を高周波ス
パッタ法等により形成する。
【００２５】その後、６３０〜７００℃に設定された真
空雰囲気中において１時間程度の熱処理を施し、さらに
Ａｌ等からなる上部電極を真空蒸着法等によって形成す
る。図２は、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ発光層、ＺｎＳ：Ｍ
ｎ発光層それぞれの単膜でのＥＬ発光スペクトルを示す
図である。
空雰囲気中において１時間程度の熱処理を施し、さらに
Ａｌ等からなる上部電極を真空蒸着法等によって形成す
る。図２は、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ発光層、ＺｎＳ：Ｍ
ｎ発光層それぞれの単膜でのＥＬ発光スペクトルを示す
図である。
【００２６】図３は、ケリー図上で発光色の色座標を示
したものである。参考としてＳｒＳ：Ｃｅの発光色座標
も示してある。２層の積層発光層はそれぞれ単膜の発光
色座標を結んだ線上の任意の発光色を得ることができ
る。
したものである。参考としてＳｒＳ：Ｃｅの発光色座標
も示してある。２層の積層発光層はそれぞれ単膜の発光
色座標を結んだ線上の任意の発光色を得ることができ
る。
【００２７】この図を見れば、従来のＺｎＳ：Ｍｎ／Ｓ
ｒＳ：Ｃｅ積層発光層では、色座標を結んだ線がケリー
図上の白色領域の周辺部を通り、色純度の良い白色発光
を得ることができないことが分かる。
ｒＳ：Ｃｅ積層発光層では、色座標を結んだ線がケリー
図上の白色領域の周辺部を通り、色純度の良い白色発光
を得ることができないことが分かる。
【００２８】これに対し、本発明の発光層では、色座標
を結んだ線が白色領域の中央部を通り、色純度の良い白
色発光を得ることができる。本実施例において作製した
ＥＬ素子では、色座標で（０．３６，０．３７）の純粋
な白色発光を得ることができた。
を結んだ線が白色領域の中央部を通り、色純度の良い白
色発光を得ることができる。本実施例において作製した
ＥＬ素子では、色座標で（０．３６，０．３７）の純粋
な白色発光を得ることができた。
【００２９】図４は、本発明の別の実施例である白色Ｅ
Ｌ素子の構造を示す断面図である。第一の実施例と同様
にして、透光性基板１、下部電極２、下部絶縁膜３、発
光層２９、上部絶縁膜７、上部電極８をこの順で形成す
る。
Ｌ素子の構造を示す断面図である。第一の実施例と同様
にして、透光性基板１、下部電極２、下部絶縁膜３、発
光層２９、上部絶縁膜７、上部電極８をこの順で形成す
る。
【００３０】ＥＬ発光層２９の形成法としては、第一の
実施例と同様の理由により、すべて高周波スパッタ法を
用いて発光層を形成した。
実施例と同様の理由により、すべて高周波スパッタ法を
用いて発光層を形成した。
【００３１】ＺｎＳ：Ｍｎ層２４は、Ｍｎを０．４５ｗ
％含むＺｎＳ：Ｍｎ焼結ターゲットを使用し、基板温度
１００〜３００℃、Ａｒガス中スパッタにより２００〜
４００ｎｍの厚さに形成する。
％含むＺｎＳ：Ｍｎ焼結ターゲットを使用し、基板温度
１００〜３００℃、Ａｒガス中スパッタにより２００〜
４００ｎｍの厚さに形成する。
【００３２】Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層２５は、発光中心
のＣｅを２ｍｏｌ％と、電荷補償剤のＫを含むＳｒ2Ｇ
ａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ焼結ターゲットを用いて、基板温度を
５０〜３００℃にして、Ｈ2Ｓを３〜１０％含むＡｒガ
ス中スパッタにより４００〜１０００ｎｍの厚さに形成
する。
のＣｅを２ｍｏｌ％と、電荷補償剤のＫを含むＳｒ2Ｇ
ａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ焼結ターゲットを用いて、基板温度を
５０〜３００℃にして、Ｈ2Ｓを３〜１０％含むＡｒガ
ス中スパッタにより４００〜１０００ｎｍの厚さに形成
する。
【００３３】この実施例においても、第一の実施例と同
様に色純度の良い白色発光が得られた。また、第一の実
施例の効果に加えて、薄型のＥＬ発光素子が得られる。
様に色純度の良い白色発光が得られた。また、第一の実
施例の効果に加えて、薄型のＥＬ発光素子が得られる。
【００３４】
【発明の効果】本発明の請求項１に係る白色ＥＬ素子
は、以上のように、黄色発光素子として性能の高いＺｎ
Ｓ：Ｍｎと、青色発光素子として性能の高いＳｒ2Ｇａ2
Ｓ5：Ｃｅとを積層させてＥＬ発光素子を構成すること
により、色純度の良い白色発光素子を得ることができ
る。
は、以上のように、黄色発光素子として性能の高いＺｎ
Ｓ：Ｍｎと、青色発光素子として性能の高いＳｒ2Ｇａ2
Ｓ5：Ｃｅとを積層させてＥＬ発光素子を構成すること
により、色純度の良い白色発光素子を得ることができ
る。
【００３５】したがって、ＥＬモノクロディスプレイ
や、カラーフィルタと併用させてＥＬカラーディスプレ
イなどに応用できる。また、ＬＣＤのバックライトなど
にも応用することができる。
や、カラーフィルタと併用させてＥＬカラーディスプレ
イなどに応用できる。また、ＬＣＤのバックライトなど
にも応用することができる。
【００３６】本発明の請求項２に係る白色ＥＬ素子は、
上記ＥＬ発光層をＺｎＳ：Ｍｎ層でＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃ
ｅ層を挟む構造としている。
上記ＥＬ発光層をＺｎＳ：Ｍｎ層でＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃ
ｅ層を挟む構造としている。
【００３７】したがって、交流駆動における極性の対称
性が高まり、かつ、下部絶縁膜との密着性の良いＺｎ
Ｓ：Ｍｎ層が発光層と絶縁層の境界面に形成されるの
で、膜の剥離を防ぎ、安定したＥＬ素子が得られる。ま
た、上部ＺｎＳ：Ｍｎ層により、製膜後の処理（Ａｌ電
極のエッチング等）における、大気や水によるＳｒ2Ｇ
ａ2Ｓ5：Ｃｅ層のダメージを防ぐことができる。
性が高まり、かつ、下部絶縁膜との密着性の良いＺｎ
Ｓ：Ｍｎ層が発光層と絶縁層の境界面に形成されるの
で、膜の剥離を防ぎ、安定したＥＬ素子が得られる。ま
た、上部ＺｎＳ：Ｍｎ層により、製膜後の処理（Ａｌ電
極のエッチング等）における、大気や水によるＳｒ2Ｇ
ａ2Ｓ5：Ｃｅ層のダメージを防ぐことができる。
【００３８】本発明の請求項３に係る白色ＥＬ素子は、
上記ＥＬ発光層を２層にし、下部にＺｎＳ：Ｍｎ層、上
部にＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層をもつ構造としている。
上記ＥＬ発光層を２層にし、下部にＺｎＳ：Ｍｎ層、上
部にＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層をもつ構造としている。
【００３９】したがって、絶縁膜との密着性の良いＺｎ
Ｓ：Ｍｎ層が発光層と下部絶縁膜の境界面に形成される
ので、膜の剥離を防ぎ、安定したＥＬ素子が得られると
ともに、薄型化が図れる。また、２層構造なので製作工
程が簡単になる。
Ｓ：Ｍｎ層が発光層と下部絶縁膜の境界面に形成される
ので、膜の剥離を防ぎ、安定したＥＬ素子が得られると
ともに、薄型化が図れる。また、２層構造なので製作工
程が簡単になる。
【図１】本発明に係る白色ＥＬ素子の実施例を示す断面
図である。
図である。
【図２】ＺｎＳ：Ｍｎ発光層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ発
光層それぞれの単膜でのＥＬ発光スペクトルを表すグラ
フである。
光層それぞれの単膜でのＥＬ発光スペクトルを表すグラ
フである。
【図３】ＺｎＳ：Ｍｎ発光層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ発
光層、ＳｒＳ：Ｃｅ発光層それぞれの発光色の色座標を
ケリー図上に示した図である。
光層、ＳｒＳ：Ｃｅ発光層それぞれの発光色の色座標を
ケリー図上に示した図である。
【図４】本発明に係る白色ＥＬ素子の別の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
１ 透光性基板 ２ 下部電極 ３ 下部絶縁膜 ７ 上部絶縁膜 ８ 上部電極 １４ 下部ＺｎＳ：Ｍｎ層 １５、２５ Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層 １６ 上部ＺｎＳ：Ｍｎ層 １９、２９ ＥＬ発光層 ２４ ＺｎＳ：Ｍｎ層
Claims (3)
- 【請求項１】 いずれか一方が透光性を有する一対の電
極間に、母体材料と発光中心材料とを含むＥＬ発光層が
配置され、前記ＥＬ発光層と電極との間に絶縁層がそれ
ぞれ配置されたＥＬ構造体を備える白色ＥＬ素子におい
て、 前記ＥＬ発光層がＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層とＺｎＳ：Ｍ
ｎ層の積層からなることを特徴とする白色ＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記ＥＬ発光層が、下部絶縁膜上にＺｎ
Ｓ：Ｍｎ層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層、ＺｎＳ：Ｍｎ層
を順次積層して形成されていることを特徴とする請求項
１記載の白色ＥＬ素子。 - 【請求項３】 上記ＥＬ発光層が、下部絶縁膜上にＺｎ
Ｓ：Ｍｎ層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層を順次積層して形
成されていることを特徴とする請求項１記載の白色ＥＬ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6219877A JPH0883685A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 白色ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6219877A JPH0883685A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 白色ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883685A true JPH0883685A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16742464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6219877A Pending JPH0883685A (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 白色ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883685A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0740490A4 (en) * | 1994-11-14 | 1997-02-12 | Mitsui Mining & Smelting Co | ELECTROLUMINESCENT THIN-LAYER ELEMENT |
| US6074575A (en) * | 1994-11-14 | 2000-06-13 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Thin film electro-luminescence device |
| KR100435203B1 (ko) * | 2001-08-17 | 2004-06-09 | 주식회사 진우엔지니어링 | 백라이트용 백색 유기발광소자 및 이를 이용한 액정디스플레이 장치 |
| JP2007258060A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Denso Corp | Ｅｌ表示装置 |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP6219877A patent/JPH0883685A/ja active Pending
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
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