JPH0883685A - White el element - Google Patents
White el elementInfo
- Publication number
- JPH0883685A JPH0883685A JP6219877A JP21987794A JPH0883685A JP H0883685 A JPH0883685 A JP H0883685A JP 6219877 A JP6219877 A JP 6219877A JP 21987794 A JP21987794 A JP 21987794A JP H0883685 A JPH0883685 A JP H0883685A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- zns
- white
- thick
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、薄型でかつ平板状の表
示手段として好適に用いられる薄膜ＥＬ（エレクトロル
ミネセンス）素子で、特に白色ＥＬ素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film EL (electroluminescence) device which is suitable for use as a thin and flat display means, and more particularly to a white EL device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】エレクトロルミネセンス（電界効果）と
いう現象を応用した薄膜ＥＬ素子は、発光デバイスとし
て平面薄型ディスプレイに用いられている。2. Description of the Related Art A thin film EL element that applies a phenomenon called electroluminescence (field effect) is used as a light emitting device in a flat thin display.
【０００３】薄膜ＥＬ素子の発光色は、その素子のもつ
発光層の材料によって定まる。従来から、発光層の材料
として、母体材料にはＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ等が選ば
れ、発光中心材料には、例えば遷移金属元素群の中から
選ばれている。The emission color of the thin film EL device is determined by the material of the light emitting layer of the device. Conventionally, as the material of the light emitting layer, ZnS, CaS, SrS or the like has been selected as the base material, and as the emission center material, for example, from the group of transition metal elements.
【０００４】これらの組み合わせにより、ＺｎＳ：Ｍｎ
等を用いた黄色発光素子、ＺｎＳ：Ｔｂ等を用いた緑色
発光素子、ＣａＳ：Ｅｕ或いはＺｎＳ：Ｓｍ等を用いた
赤色発光素子、及びＳｒＳ：Ｃｅ或いはＺｎＳ：Ｔｍ等
を用いた青色発光素子等が知られている。By combining these, ZnS: Mn
Etc., a yellow light emitting element, ZnS: Tb etc. green light emitting element, CaS: Eu or ZnS: Sm etc. red light emitting element, and SrS: Ce or ZnS: Tm etc. blue light emitting element etc. It has been known.
【０００５】また、白色発光素子としては、ＳｒＳ：Ｃ
ｅ，Ｅｕ或いはＺｎＳ：Ｐｒ等の単膜発光層や、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ／ＣａＳ：Ｅｕ、或いは特開昭６２−７４９８
６に開示されているＳｒＳ：Ｃｅ／ＺｎＳ：Ｍｎ等の積
層発光層等が知られている。As a white light emitting element, SrS: C is used.
e, Eu or ZnS: Pr single film light emitting layer, Sr
S: Ce / CaS: Eu, or JP-A-62-7498
A laminated light emitting layer of SrS: Ce / ZnS: Mn and the like disclosed in No. 6 is known.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
発光素子のうち、実用化されているものはＺｎＳ：Ｍｎ
を用いた黄色発光素子のみであり、他の発光素子につい
ては十分な発光輝度が得られておらず、実用化には至っ
ていない。However, among the above-mentioned light emitting devices, the one which has been put into practical use is ZnS: Mn.
Only the yellow light emitting element using is used, and other light emitting elements have not obtained sufficient emission brightness, and have not been put to practical use.
【０００７】ＥＬディスプレイの発展を妨げているの
は、高輝度で色純度の高い白色発光素子が見つかってい
ない点にある。What has hindered the development of EL displays is that no white light-emitting element with high brightness and high color purity has been found.
【０００８】現在実用化されているＺｎＳ：Ｍｎを用い
た黄色発光素子を利用して白色発光素子を得ようとする
と、その補色である青色発光素子の高性能化が必要にな
ってくる。In order to obtain a white light emitting device by utilizing a yellow light emitting device using ZnS: Mn which is currently in practical use, it is necessary to improve the performance of a blue light emitting device which is a complementary color to the white light emitting device.
【０００９】上述の特開昭６２−７４９８６に開示され
た白色発光素子は、ＳｒＳ：Ｃｅの性能が劣っており、
やや緑がかった青色を呈するので、全体的にも緑がかっ
た白色を呈してしまう。The white light emitting device disclosed in the above-mentioned JP-A-62-14986 is inferior in the performance of SrS: Ce,
Since it has a slightly greenish blue color, it also has a greenish white color overall.
【００１０】高性能の青色発光素子が実現すれば、Ｚｎ
Ｓ：Ｍｎを用いた黄色発光素子と組み合わせることによ
り、高性能の白色発光素子も実現できる。If a high-performance blue light emitting device is realized, Zn
By combining with a yellow light emitting device using S: Mn, a high performance white light emitting device can be realized.
【００１１】本発明は、以上の課題を解決すべく、高性
能の青色発光素子を用いて、色純度の高い高性能の白色
発光素子を提供することである。In order to solve the above problems, the present invention is to provide a high performance white light emitting device having high color purity by using a high performance blue light emitting device.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
白色ＥＬ素子は、いずれか一方が透光性を有する一対の
電極間に母体材料と発光中心材料とを含むＥＬ発光層が
配置され、前記ＥＬ発光層と電極との間に絶縁層がそれ
ぞれ配置されたＥＬ構造体を備えており、前記ＥＬ発光
層がＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層とＺｎＳ：Ｍｎ層の積層か
らなることを特徴としている。In a white EL device according to claim 1 of the present invention, an EL light emitting layer containing a host material and an emission center material is arranged between a pair of electrodes, one of which has a light transmitting property. And an EL structure in which an insulating layer is respectively disposed between the EL light emitting layer and the electrode, and the EL light emitting layer is composed of a stack of a Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce layer and a ZnS: Mn layer. It is characterized by that.
【００１３】本発明の請求項２記載の白色ＥＬ素子は、
請求項１の構成において、上記ＥＬ発光層が、下部絶縁
膜の上にＺｎＳ：Ｍｎ層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層、Ｚ
ｎＳ：Ｍｎ層を順次積層して形成されていることを特徴
としている。The white EL device according to claim 2 of the present invention is
The EL light emitting layer according to claim 1, wherein the EL light emitting layer is a ZnS: Mn layer, a Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce layer, and a Z layer on the lower insulating film.
It is characterized in that it is formed by sequentially stacking nS: Mn layers.
【００１４】本発明の請求項３記載の白色ＥＬ素子は、
請求項１の構成において、上記ＥＬ発光層が、下部絶縁
膜の上にＺｎＳ：Ｍｎ層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層を順
次積層して形成されていることを特徴としている。A white EL device according to claim 3 of the present invention is
The structure of claim 1 is characterized in that the EL light emitting layer is formed by sequentially stacking a ZnS: Mn layer and a Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce layer on the lower insulating film.
【００１５】[0015]
【作用】上記請求項１の構成によれば、従来のＳｒＳ：
Ｃｅ発光層に比べて色純度の良い青色発光を呈するＳｒ
2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ発光層と、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層とを積
層することにより、色純度の良い白色発光素子を得るこ
とができる。According to the structure of claim 1, the conventional SrS:
Sr that emits blue light with better color purity than the Ce light emitting layer
By stacking the 2 Ga 2 S 5 : Ce light emitting layer and the ZnS: Mn light emitting layer, a white light emitting element with good color purity can be obtained.
【００１６】上記請求項２の構成によれば、Ｓｒ2Ｇａ2
Ｓ5：Ｃｅ層をＺｎＳ：Ｍｎ層で挟む構造にすることに
より、交流駆動における極性の対称性が得られ、かつ、
上下絶縁膜との密着性の良いＺｎＳ：Ｍｎ層が発光層と
絶縁層の境界面に形成されることとなり、膜の剥離等を
防止することができ、安定したＥＬ素子を得ることがで
きる。According to the second aspect of the present invention , Sr 2 Ga 2
With the structure in which the S 5 : Ce layer is sandwiched by the ZnS: Mn layers, polar symmetry in AC driving can be obtained, and
A ZnS: Mn layer having good adhesion to the upper and lower insulating films is formed on the boundary surface between the light emitting layer and the insulating layer, peeling of the film can be prevented, and a stable EL element can be obtained.
【００１７】上記請求項３の構成によれば、Ｓｒ2Ｇａ2
Ｓ5：Ｃｅ層と下部絶縁膜の間にＺｎＳ：Ｍｎ層を形成
することにより、絶縁膜との密着性の良いＺｎＳ：Ｍｎ
層が発光層と絶縁層の境界面に形成されることとなり、
膜の剥離等を防止することができ、かつ、薄型の発光素
子を得ることができる。According to the structure of claim 3, Sr 2 Ga 2
By forming a ZnS: Mn layer between the S 5 : Ce layer and the lower insulating film, ZnS: Mn having good adhesion to the insulating film.
A layer will be formed at the interface between the light emitting layer and the insulating layer,
It is possible to prevent peeling of the film, and to obtain a thin light emitting device.
【００１８】[0018]
【実施例】以下に、本発明の実施例を示す。以下の実施
例で用いたＥＬ構造体は、ガラス等で実現される透光性
基板の一方の表面に、下部電極、下部絶縁膜、発光層、
上部絶縁膜、上部電極を順次積層した構造をもつもので
ある。EXAMPLES Examples of the present invention will be shown below. The EL structure used in the following examples has a lower electrode, a lower insulating film, a light emitting layer, and a light emitting layer on one surface of a transparent substrate made of glass or the like.
It has a structure in which an upper insulating film and an upper electrode are sequentially stacked.
【００１９】図１は、本発明の一実施例である白色ＥＬ
素子の構造を示す断面図である。FIG. 1 shows a white EL which is an embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows the structure of an element.
【００２０】ガラス等で実現される透光性基板１の一方
の表面に、ＩＴＯ等の透明電極で実現される下部電極２
を、ＥＢ蒸着法、高周波スパッタ法等により、２００ｎ
ｍ程度の膜厚になるように形成する。A lower electrode 2 made of a transparent electrode such as ITO is formed on one surface of a transparent substrate 1 made of glass or the like.
To 200n by EB evaporation, high frequency sputtering, etc.
It is formed to have a film thickness of about m.
【００２１】下部絶縁膜３は、高周波スパッタ法等で４
０ｎｍ程度の厚さにＳｉＯ2を堆積し、さらに２００ｎ
ｍ程度の厚さにＳｉ3Ｎ4を堆積して得られる。The lower insulating film 3 is formed by a high frequency sputtering method or the like 4
SiO 2 is deposited to a thickness of about 0 nm, and further 200 n
It is obtained by depositing Si 3 N 4 to a thickness of about m.
【００２２】ＥＬ発光層１９の形成法としては、ＥＢ蒸
着法や高周波スッパタ法等が用いられる。ＺｎＳ：Ｍｎ
層とＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層を別々の成長法により形成
することも可能であるが、生産性等を考慮すると同一の
成長法によって形成したほうが望ましい。本実施例で
は、すべて高周波スパッタ法を用いて発光層を形成し
た。 ＺｎＳ：Ｍｎ層は、Ｍｎを０．４５ｗ％含むＺｎ
Ｓ：Ｍｎ焼結ターゲットを使用し、基板温度１００〜３
００℃、Ａｒガス中スパッタにより下部層１４を１００
〜３００ｎｍ，上部層１６を５０〜２００ｎｍの厚さに
形成する。As a method of forming the EL light emitting layer 19, an EB vapor deposition method, a high frequency sputtering method, or the like is used. ZnS: Mn
It is possible to form the layer and the Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce layer by separate growth methods, but it is preferable to form them by the same growth method in consideration of productivity and the like. In this embodiment, the light emitting layer is formed by the high frequency sputtering method. The ZnS: Mn layer contains Zn containing 0.45% by weight of Mn.
S: Mn sintering target is used, and substrate temperature is 100 to 3
The lower layer 14 is formed by sputtering in Ar gas at 00 ° C.
.About.300 nm, the upper layer 16 is formed to a thickness of 50 to 200 nm.
【００２３】Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層１５は、発光中心
のＣｅを２ｍｏｌ％と、電荷補償剤のＫを含むＳｒ2Ｇ
ａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ焼結ターゲットを用いて、基板温度を
５０〜３００℃にして、Ｈ2Ｓを３〜１０％含むＡｒガ
ス中スパッタにより４００〜１０００ｎｍの厚さに形成
する。The Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce layer 15 contains Sr 2 G containing 2 mol% of Ce as an emission center and K as a charge compensator.
Using an a 2 S 5 : Ce, K sintered target, the substrate temperature is set to 50 to 300 ° C. and sputtering is performed in Ar gas containing 3 to 10% of H 2 S to form a thickness of 400 to 1000 nm.
【００２４】上部絶縁膜７として、１００ｎｍ程度のＳ
ｉ2Ｎ4膜と３０ｎｍ程度のＡｌ2Ｏ3膜の積層を高周波ス
パッタ法等により形成する。As the upper insulating film 7, S having a thickness of about 100 nm is used.
A stack of an i 2 N 4 film and an Al 2 O 3 film having a thickness of about 30 nm is formed by a high frequency sputtering method or the like.
【００２５】その後、６３０〜７００℃に設定された真
空雰囲気中において１時間程度の熱処理を施し、さらに
Ａｌ等からなる上部電極を真空蒸着法等によって形成す
る。図２は、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ発光層、ＺｎＳ：Ｍ
ｎ発光層それぞれの単膜でのＥＬ発光スペクトルを示す
図である。After that, heat treatment is performed for about 1 hour in a vacuum atmosphere set at 630 to 700 ° C., and an upper electrode made of Al or the like is further formed by a vacuum vapor deposition method or the like. FIG. 2 shows the Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce emission layer, ZnS: M.
It is a figure which shows the EL emission spectrum in the single film of each n light emitting layer.
【００２６】図３は、ケリー図上で発光色の色座標を示
したものである。参考としてＳｒＳ：Ｃｅの発光色座標
も示してある。２層の積層発光層はそれぞれ単膜の発光
色座標を結んだ線上の任意の発光色を得ることができ
る。FIG. 3 shows the color coordinates of the luminescent color on the Kelly diagram. For reference, the luminescent color coordinates of SrS: Ce are also shown. Each of the two laminated light emitting layers can obtain an arbitrary light emitting color on a line connecting the light emitting color coordinates of the single film.
【００２７】この図を見れば、従来のＺｎＳ：Ｍｎ／Ｓ
ｒＳ：Ｃｅ積層発光層では、色座標を結んだ線がケリー
図上の白色領域の周辺部を通り、色純度の良い白色発光
を得ることができないことが分かる。Looking at this figure, the conventional ZnS: Mn / S
In the rS: Ce laminated light emitting layer, the line connecting the color coordinates passes through the peripheral portion of the white region on the Kelly diagram, and it can be seen that white light emission with good color purity cannot be obtained.
【００２８】これに対し、本発明の発光層では、色座標
を結んだ線が白色領域の中央部を通り、色純度の良い白
色発光を得ることができる。本実施例において作製した
ＥＬ素子では、色座標で（０．３６，０．３７）の純粋
な白色発光を得ることができた。On the other hand, in the light emitting layer of the present invention, the line connecting the color coordinates passes through the center of the white region, and white light emission with good color purity can be obtained. With the EL device manufactured in this example, pure white light emission of (0.36, 0.37) in color coordinates could be obtained.
【００２９】図４は、本発明の別の実施例である白色Ｅ
Ｌ素子の構造を示す断面図である。第一の実施例と同様
にして、透光性基板１、下部電極２、下部絶縁膜３、発
光層２９、上部絶縁膜７、上部電極８をこの順で形成す
る。FIG. 4 shows another embodiment of the present invention, white E.
It is sectional drawing which shows the structure of L element. Similarly to the first embodiment, the transparent substrate 1, the lower electrode 2, the lower insulating film 3, the light emitting layer 29, the upper insulating film 7 and the upper electrode 8 are formed in this order.
【００３０】ＥＬ発光層２９の形成法としては、第一の
実施例と同様の理由により、すべて高周波スパッタ法を
用いて発光層を形成した。As the method of forming the EL light emitting layer 29, the light emitting layer was formed by the high frequency sputtering method for the same reason as in the first embodiment.
【００３１】ＺｎＳ：Ｍｎ層２４は、Ｍｎを０．４５ｗ
％含むＺｎＳ：Ｍｎ焼結ターゲットを使用し、基板温度
１００〜３００℃、Ａｒガス中スパッタにより２００〜
４００ｎｍの厚さに形成する。The ZnS: Mn layer 24 contains 0.45 W of Mn.
% ZnS: Mn sintered target is used, the substrate temperature is 100 to 300 ° C., and the sputtering rate is 200 to 200 in Ar gas.
It is formed to a thickness of 400 nm.
【００３２】Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層２５は、発光中心
のＣｅを２ｍｏｌ％と、電荷補償剤のＫを含むＳｒ2Ｇ
ａ2Ｓ5：Ｃｅ，Ｋ焼結ターゲットを用いて、基板温度を
５０〜３００℃にして、Ｈ2Ｓを３〜１０％含むＡｒガ
ス中スパッタにより４００〜１０００ｎｍの厚さに形成
する。The Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce layer 25 contains Sr 2 G containing 2 mol% of Ce as an emission center and K as a charge compensator.
Using an a 2 S 5 : Ce, K sintered target, the substrate temperature is set to 50 to 300 ° C. and sputtering is performed in Ar gas containing 3 to 10% of H 2 S to form a thickness of 400 to 1000 nm.
【００３３】この実施例においても、第一の実施例と同
様に色純度の良い白色発光が得られた。また、第一の実
施例の効果に加えて、薄型のＥＬ発光素子が得られる。Also in this example, white light emission with good color purity was obtained as in the first example. In addition to the effect of the first embodiment, a thin EL light emitting device can be obtained.
【００３４】[0034]
【発明の効果】本発明の請求項１に係る白色ＥＬ素子
は、以上のように、黄色発光素子として性能の高いＺｎ
Ｓ：Ｍｎと、青色発光素子として性能の高いＳｒ2Ｇａ2
Ｓ5：Ｃｅとを積層させてＥＬ発光素子を構成すること
により、色純度の良い白色発光素子を得ることができ
る。As described above, the white EL device according to claim 1 of the present invention is a Zn EL device having high performance as a yellow light emitting device.
S: Mn and Sr 2 Ga 2 having high performance as a blue light emitting element
By stacking S 5 : Ce to form an EL light emitting element, a white light emitting element with good color purity can be obtained.
【００３５】したがって、ＥＬモノクロディスプレイ
や、カラーフィルタと併用させてＥＬカラーディスプレ
イなどに応用できる。また、ＬＣＤのバックライトなど
にも応用することができる。Therefore, it can be applied to an EL monochrome display or an EL color display in combination with a color filter. Further, it can be applied to a backlight of LCD and the like.
【００３６】本発明の請求項２に係る白色ＥＬ素子は、
上記ＥＬ発光層をＺｎＳ：Ｍｎ層でＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃ
ｅ層を挟む構造としている。The white EL device according to claim 2 of the present invention is
The EL emission layer is a ZnS: Mn layer and Sr 2 Ga 2 S 5 : C.
It has a structure sandwiching the e layer.
【００３７】したがって、交流駆動における極性の対称
性が高まり、かつ、下部絶縁膜との密着性の良いＺｎ
Ｓ：Ｍｎ層が発光層と絶縁層の境界面に形成されるの
で、膜の剥離を防ぎ、安定したＥＬ素子が得られる。ま
た、上部ＺｎＳ：Ｍｎ層により、製膜後の処理（Ａｌ電
極のエッチング等）における、大気や水によるＳｒ2Ｇ
ａ2Ｓ5：Ｃｅ層のダメージを防ぐことができる。Therefore, the symmetry of the polarities in the AC drive is enhanced, and Zn having good adhesion to the lower insulating film is used.
Since the S: Mn layer is formed on the boundary surface between the light emitting layer and the insulating layer, peeling of the film is prevented and a stable EL element is obtained. In addition, by the upper ZnS: Mn layer, Sr 2 G in the atmosphere or water in the processing after film formation (etching of Al electrode, etc.)
a 2 S 5 : Damage to the Ce layer can be prevented.
【００３８】本発明の請求項３に係る白色ＥＬ素子は、
上記ＥＬ発光層を２層にし、下部にＺｎＳ：Ｍｎ層、上
部にＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層をもつ構造としている。A white EL device according to claim 3 of the present invention is
The EL light-emitting layer has two layers, a ZnS: Mn layer at the bottom and a Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce layer at the top.
【００３９】したがって、絶縁膜との密着性の良いＺｎ
Ｓ：Ｍｎ層が発光層と下部絶縁膜の境界面に形成される
ので、膜の剥離を防ぎ、安定したＥＬ素子が得られると
ともに、薄型化が図れる。また、２層構造なので製作工
程が簡単になる。Therefore, Zn having good adhesion to the insulating film
Since the S: Mn layer is formed on the boundary surface between the light emitting layer and the lower insulating film, peeling of the film can be prevented, a stable EL element can be obtained, and thinning can be achieved. Also, the two-layer structure simplifies the manufacturing process.
【図１】本発明に係る白色ＥＬ素子の実施例を示す断面
図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a white EL device according to the present invention.
【図２】ＺｎＳ：Ｍｎ発光層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ発
光層それぞれの単膜でのＥＬ発光スペクトルを表すグラ
フである。FIG. 2 is a graph showing an EL emission spectrum of a single film of each of a ZnS: Mn light emitting layer and a Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce light emitting layer.
【図３】ＺｎＳ：Ｍｎ発光層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ発
光層、ＳｒＳ：Ｃｅ発光層それぞれの発光色の色座標を
ケリー図上に示した図である。FIG. 3 is a diagram showing, on a Kerry diagram, color coordinates of emission colors of a ZnS: Mn light emitting layer, a Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce light emitting layer, and a SrS: Ce light emitting layer.
【図４】本発明に係る白色ＥＬ素子の別の実施例を示す
断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the white EL element according to the present invention.
１ 透光性基板 ２ 下部電極 ３ 下部絶縁膜 ７ 上部絶縁膜 ８ 上部電極 １４ 下部ＺｎＳ：Ｍｎ層 １５、２５ Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層 １６ 上部ＺｎＳ：Ｍｎ層 １９、２９ ＥＬ発光層 ２４ ＺｎＳ：Ｍｎ層1 translucent substrate 2 lower electrode 3 lower insulating film 7 upper insulating film 8 upper electrode 14 lower ZnS: Mn layer 15, 25 Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce layer 16 upper ZnS: Mn layer 19, 29 EL light emitting layer 24 ZnS: Mn layer
Claims (3)
極間に、母体材料と発光中心材料とを含むＥＬ発光層が
配置され、前記ＥＬ発光層と電極との間に絶縁層がそれ
ぞれ配置されたＥＬ構造体を備える白色ＥＬ素子におい
て、 前記ＥＬ発光層がＳｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層とＺｎＳ：Ｍ
ｎ層の積層からなることを特徴とする白色ＥＬ素子。1. An EL light emitting layer including a base material and an emission center material is disposed between a pair of electrodes, one of which has a light transmitting property, and an insulating layer is provided between the EL light emitting layer and the electrode. In a white EL device having an EL structure arranged, the EL light emitting layer comprises a Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce layer and a ZnS: M layer.
A white EL device comprising a stack of n layers.
Ｓ：Ｍｎ層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層、ＺｎＳ：Ｍｎ層
を順次積層して形成されていることを特徴とする請求項
１記載の白色ＥＬ素子。2. The EL light emitting layer comprises Zn on the lower insulating film.
The white EL device according to claim 1, wherein the white EL device is formed by sequentially stacking an S: Mn layer, a Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce layer, and a ZnS: Mn layer.
Ｓ：Ｍｎ層、Ｓｒ2Ｇａ2Ｓ5：Ｃｅ層を順次積層して形
成されていることを特徴とする請求項１記載の白色ＥＬ
素子。3. The EL light emitting layer is formed on the lower insulating film by Zn.
The white EL according to claim 1, wherein the S: Mn layer and the Sr 2 Ga 2 S 5 : Ce layer are sequentially laminated.
element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6219877A JPH0883685A (en) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | White el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6219877A JPH0883685A (en) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | White el element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883685A true JPH0883685A (en) | 1996-03-26 |
Family
ID=16742464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6219877A Pending JPH0883685A (en) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | White el element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0883685A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0740490A4 (en) * | 1994-11-14 | 1997-02-12 | Mitsui Mining & Smelting Co | Thin-film electroluminescent element |
| US6074575A (en) * | 1994-11-14 | 2000-06-13 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Thin film electro-luminescence device |
| KR100435203B1 (en) * | 2001-08-17 | 2004-06-09 | 주식회사 진우엔지니어링 | White light-emitting organic electroluminescent device for back light and liquid crystal display device using itself |
| JP2007258060A (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Denso Corp | El display device |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP6219877A patent/JPH0883685A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0740490A4 (en) * | 1994-11-14 | 1997-02-12 | Mitsui Mining & Smelting Co | Thin-film electroluminescent element |
| US6074575A (en) * | 1994-11-14 | 2000-06-13 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Thin film electro-luminescence device |
| KR100435203B1 (en) * | 2001-08-17 | 2004-06-09 | 주식회사 진우엔지니어링 | White light-emitting organic electroluminescent device for back light and liquid crystal display device using itself |
| JP2007258060A (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Denso Corp | El display device |
| JP4710682B2 (en) * | 2006-03-24 | 2011-06-29 | 株式会社デンソー | EL display device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11297477A (en) | Organic el color display | |
| JPH0511399B2 (en) | ||
| JPH0883685A (en) | White el element | |
| JP2004039468A (en) | Organic el color display | |
| JP2006202685A (en) | Self-light-emitting display device | |
| JPH08162273A (en) | Thin film el element | |
| WO2000072637A1 (en) | Organic el color display | |
| JP3533710B2 (en) | Electroluminescence device and multicolor electroluminescence device | |
| JPH02265194A (en) | Color thin-film el panel | |
| JPH03194895A (en) | Multicolor el display | |
| JPS63299092A (en) | Thin film electroluminescent panel | |
| JPH1092580A (en) | Thin film electroluminescent element and manufacture thereof | |
| JPH0266867A (en) | Color el display device and manufacture thereof | |
| JPH08102359A (en) | Manufacture of electroluminescent element | |
| JPH01142593A (en) | Thin film electroluminescent panel | |
| JP3976892B2 (en) | Thin film EL device | |
| JPH09134783A (en) | Thin film electroluminescent panel | |
| JPH10308282A (en) | Thin film electroluminescence element and its manufacture | |
| JPH07235381A (en) | Thin film type electroluminescent element | |
| JPH03187191A (en) | Thin film el device | |
| JPH02236991A (en) | El device and manufacture thereof | |
| JPH0266868A (en) | Color el display device and manufacture thereof | |
| JP2532506B2 (en) | Color EL display device | |
| JPH01146288A (en) | Multicolor thin film electroluminescent element | |
| JPH1083886A (en) | Manufacture of thin-film electroluminescent element |