JPH0877727A - Ｃｄ−ｒｏｍディスク再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】メモリの余分な使用スペースを減らして、メモ
リを有効利用し装置全体の処理速度を向上させることを
目的とする。 【構成】 ＥＣＣ符号は訂正／バッファ兼用ＲＡＭ１２
２に設けた少なくとも１ＢＬＯＣＫのＥＣＣ符号を格納
できる一時格納領域に記録され、データと共に一定の方
式にしたがって読み出し訂正処理をする。訂正処理を施
している間、次のデータを読み込む。訂正が終了してい
なければ、１ＢＬＯＣＫより大きめに確保したＥＣＣ符
号の格納領域の未使用部にＰ、Ｑパリティを読み込み、
訂正処理が終了したら先程使用していた領域に読み込む
ようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＣＤ−ＲＯＭ装置に係
り、ディジタル信号の訂正処理に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＤ−ＲＯＭディスク装置の主目的はホ
ストコンピュータなどの外部デバイスからの命令によ
り、目的とする位置をサーチしディスクに記録されてい
るデータの中から目的のデータを光ピックアップにより
読み出し、ＣＤ訂正、ＣＤ−ＲＯＭ訂正処理を施した
後、Ｉ／Ｆを経て外部デバイスに転送することである。

【０００３】近年ではＣＤ−ＲＯＭディスク装置に対す
る高速動作の要求が高まってきており、そのスペックは
年々厳しいものになってきている。これらの要求を満足
するために必要な技術として高速サーチ、Ｎ倍速でのデ
ータの読み出しなどの高速再生、高速エラー検出・訂
正、外部デバイスへの高速転送等があり、ＣＤ−ＲＯＭ
ディスク装置内の各機能を向上させる様々な工夫が凝ら
されている。

【０００４】図７は従来のＣＤ−ＲＯＭ再生装置の構成
図である。光学式ピックアップ６０１によりディスク６
０２から読み出された信号はＲＦアンプ回路６０３に供
給する。ＲＦアンプ回路６０３は光学式ピックアップ６
０１の出力からフォーカスエラー信号やトラッキングエ
ラー信号を抽出して、フォーカス・トラッキング制御回
路６０４に供給すると共にレベルスライス・ＰＬＬ回路
６０５へ増幅したＲＦ信号を供給する。

【０００５】レベルスライス・ＰＬＬ回路６０５は得ら
れたＲＦ信号を２値化しＥＦＭ信号を得ると同時に、こ
のＥＦＭ信号を読み取るためにＥＦＭ信号に同期したＰ
ＬＬクロック６０６を生成する。レベルスライス・ＰＬ
Ｌ回路６０５内の電圧制御発振器の基本周波数は１倍速
時の４．３２１８ＭＨｚであり、４倍速では１７．２８
７２ＭＨｚとなる。

【０００６】２値化したＥＦＭ信号はＣＤ同期検出回路
６０７およびＣＤ信号処理回路６０８へ供給する。ＣＤ
同期検出回路６０７はＰＬＬクロック６０６を用いて、
周期的なＣＤの同期信号を検出する。検出された同期信
号はＣＤ信号処理回路６０８およびディスクモータ制御
回路６０９へ供給する。

【０００７】ディスクモータ制御回路６０９は供給され
た時間軸変動を有する再生ＣＤ同期信号７．３５ＫＨｚ
とマスタークロック６１０（１６．９３４４ＭＨｚ）を
１／２３０４分周して得られるＸ’ＴＡＬ系信号７．３
５ＫＨｚの周波数、および位相を比較することによりエ
ラー成分を抽出して、電圧に変換・増幅しディスクモー
タ６１１にフィードバックする。

【０００８】一方、ＣＤ信号処理回路６０８はＰＬＬク
ロック６０６とＣＤ同期検出回路６０７からの同期信号
を用いて、レベルスライス・ＰＬＬ回路６０５より供給
されるＥＦＭ信号のデータ分離・復調を行い、ＰＬＬク
ロック６０６によりＣＤ訂正用ＲＡＭ６１２にデータを
書き込む。

【０００９】このデータをマスタークロック６１０でＣ
Ｄ訂正用ＲＡＭ６１２から読み出すことによりディスク
モータ６１１による時間軸変動を吸収する。読み出した
データは同時に訂正処理を行い、その出力信号をＳＷ６
１３により補間回路６１４、またはＣＤ−ＲＯＭ同期検
出回路６１５、デ・スクランブル回路６１６に供給す
る。

【００１０】ＳＷ６１３の切り替えはシステムコントロ
ール回路６１７より出力されるオーディオ／ＲＯＭ切り
替え指示信号により行う。指示信号がオーディオの時は
補間回路６１４にデータを供給し、データに訂正不能を
示すエラーフラグが付いている時はデータの補間を行
い、その出力をＤ／Ａコンバータ６１８に供給する。

【００１１】Ｄ／Ａコンバータ６１８は供給されたディ
ジタル信号をアナログ信号に変換し、Ｄ／Ａコンバータ
６１８内のローパスフィルターを通過させて再生オーデ
ィオ信号６１９として出力する。また、指示信号がＲＯ
Ｍの時はＣＤ−ＲＯＭ形式のフォーマットに書き直され
たデータをＣＤ−ＲＯＭ同期検出回路６１５およびデ・
スクランブル回路６１６に供給する。

【００１２】ＣＤ−ＲＯＭ同期検出回路６１５はマスタ
ークロック６１０を用いることによりデータの同期信号
の検出を行う。得られた同期信号はＣＤ−ＲＯＭ訂正回
路６２０およびデ・スクランブル回路６１６に供給す
る。デ・スクランブル回路６１６はＣＤ−ＲＯＭ同期信
号を基準にデータのスクランブルを解除し、その出力を
ＣＤ−ＲＯＭ訂正回路６２０に供給する。

【００１３】ＣＤ−ＲＯＭ訂正回路６２０に供給された
データは、一旦訂正用の訂正ＲＡＭ６２１に格納し、そ
の後一定の訂正方式に従って再びＣＤ−ＲＯＭ訂正回路
６２０に読み出し訂正処理する。訂正処理後のデータ及
び訂正フラグはＩ／Ｆ制御部６２２より外部デバイス６
２３へ供給するため、バッファーＲＡＭ６２４へ内部バ
ス６２５を通して転送する。

【００１４】また、訂正処理の判定結果はシステムコン
トローラ６１７に、訂正終了フラグはシステムコントロ
ーラ６１７およびバッファＲＡＭ制御回路６２６に供給
する。バッファＲＡＭ制御回路６２６は訂正処理された
データの読み出し制御およびホストコンピュータなどの
外部デバイス６２３からＩ／Ｆ制御部６２２を経由して
送られてきたデータの書き込み制御や読み出し制御を行
う。

【００１５】Ｉ／Ｆ制御部６２２はバッファＲＡＭ６２
４から読み出したデータの外部デバイス６２３への転
送、および外部デバイス６２３との交信制御をシステム
コントローラ６１７の指示に従い制御する。システムコ
ントローラ６１７は制御信号６２７によりサーチ、Ｉ／
Ｆ指示制御、各回路の動作のＯＮ／ＯＦＦなどＣＤ−Ｒ
ＯＭ全体の動作制御および訂正判定結果より訂正不能時
のリトライ動作指示を行う。サーチ指示信号は送りモー
タ制御回路６２８に送り、送りモータ制御回路６２８は
送りモータ６２９へ制御信号を供給する。

【００１６】ここで、ＣＤ−ＲＯＭの訂正処理について
詳しく述べる。１６ｂｉｔで実質的な意味を成すデータ
はＭＳＢ８ｂｉｔおよびＬＳＢ８ｂｉｔの２シンボルに
分けて訂正する。この際ＣＤ信号処理回路６０８より送
られてくるデータに１ｂｉｔの補正フラグがついてお
り、誤りの可能性のあるものには”１”が記録されてい
る。したがって訂正に必要なデータは９ｂｉｔを１単位
とする。

【００１７】ＣＤ−ＲＯＭ訂正回路６２０へ供給したデ
ータは一旦訂正ＲＡＭ６２１に記憶する。訂正は２３５
２ＢｙｔｅのＢＬＯＣＫ単位で行われるが、対象となる
のは同期信号を除く２３４０Ｂｙｔｅである。Ｐ系列と
Ｑ系列の２通りの訂正方式があり、一定の法則に従って
記録されたデータを選択し計算を行う。

【００１８】Ｐ系列はデータ２４Ｂｙｔｅ、パリティ２
Ｂｙｔｅの２６Ｂｙｔｅを１ＬＩＮＥとする４３ＬＩＮ
Ｅから構成されている。一方、Ｑ系列はデータ４３Ｂｙ
ｔｅ、パリティ２Ｂｙｔｅの４５Ｂｙｔｅを１ＬＩＮＥ
とする２６ＬＩＮＥで構成されている。１ＬＩＮＥごと
にシンドローム計算を行い、その結果より訂正処理を行
う。訂正箇所があれば訂正ＲＡＭ６２１に書き直す。

【００１９】訂正終了後、データはＩ／Ｆ制御部６２２
より外部デバイス６２３へ転送するためバッファＲＡＭ
６２４へ転送する。上記のようにＣＤ−ＲＯＭ訂正にお
いては訂正ＲＡＭ６２１に格納したデータをバッファＲ
ＡＭ６２４に移しており二重手間となっている。そこで
訂正ＲＡＭ６２１とバッファＲＡＭ６２４を兼用するこ
とにより時間的な無駄を改善する。訂正ＲＡＭ６２１は
９ｂｉｔのセルを単位とするメモリであり、バッファＲ
ＡＭ６２４は８ｂｉｔのセルを単位とするメモリである
ので、これら２つのメモリを１つに統一するにはどちら
か一方のセルサイズに合わせる必要がある。

【００２０】また、バッファＲＡＭ６２４は外部デバイ
ス６２３へ一回のアクセスでより多くのデータを転送す
るため、大きな容量を有している。したがって、訂正Ｒ
ＡＭ６２１とバッファＲＡＭ６２４を兼用する場合、メ
モリの大きさはバッファＲＡＭ６２４の容量に依存す
る。訂正の際に使用するＥＣＣ符号は１ＢＬＯＣＫあた
り２７６Ｂｙｔｅを占めており、訂正終了後は不必要な
ものとなる。

【００２１】したがって、図８のようにＥＣＣ符号を含
む入力されるデータをそのままメモリ７０１に格納して
いった場合、訂正後不要になったＥＣＣ符号は記録され
たままとなり外部デバイス６２３が必要とするデータを
記憶する領域を小さくするという問題があった。ここで
訂正／バッファ兼用ＲＡＭとして９ｂｉｔのセルを単位
とするメモリをバッファメモリとして使用する再生装置
を考える。Ｉ／Ｆ制御部６２２より外部デバイス６２３
へデータを転送する際にはデータ・補正フラグという順
序で送らねばならない。

【００２２】したがって、メモリからのデータの読み出
しが１Ｂｙｔｅ単位で行われることを考えると、メモリ
に２回同じアドレスを出力して必要な部分のデータある
いは補正フラグのみを使用するか、８Ｂｙｔｅ分のデー
タを読み込んで上位１ｂｉｔの補正フラグを集めてメモ
リに保管して置く必要があった。そのため処理時間の増
大を招いたり、メモリの不要な使用等の問題があった。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】上記したように訂正Ｒ
ＡＭとバッファＲＡＭを兼用する場合、外部デバイスに
転送しない部分を含む全入力データをそのまま記録して
いたのでは、訂正の際のＥＣＣ符号の記録領域が無駄に
なるという欠点があった。また９ｂｉｔのセルを１単位
とするメモリにおいては、外部デバイスへデータを転送
する場合、無駄なアクセスを必要としたり、余分なメモ
リ領域を必要とするなどの欠点があった。そこで、本発
明では上記欠点を改善し、余分な使用スペースを減らし
てメモリの有効利用へと結び付けることや処理速度を向
上させることを目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明では、ＣＤ−ＲＯＭディスクに記録された
第１の情報データを読出す情報データ読出し手段と、前
記情報データ読出し手段により読出した前記第１の情報
データを前記ＣＤ−ＲＯＭディスクの記録フォーマット
に応じてディジタル信号処理するディジタル信号処理手
段と、前記ディジタル信号処理手段により処理された第
２の情報データを外部機器に入出力するための外部イン
ターフェース手段と、前記ディジタル信号処理手段によ
り処理される前記第１の情報データのうち、前記外部機
器が必要とするデータを一時的に記憶する第１の記憶手
段と、前記ディジタル信号処理手段により処理される前
記第１の情報データのうち、誤り訂正用のデータを少な
くとも１セクタ分だけ一時的に記憶する第２の記憶手段
とを具備している。

【００２５】

【作用】このように構成されたものにおいては、ディジ
タル信号処理手段により処理される第１の情報データの
うち、外部機器が必要とするデータを一時的に第１の記
録手段に記録し、この情報データのうち誤り訂正用のデ
ータを少なくとも１セクタ分だけ一時的に第２の記憶手
段に記録することにより、効率のよりメモリの利用が可
能となり、全体の処理速度を向上することができる。

【００２６】

【実施例】この発明の実施例を図面を参照し、詳細に説
明する。図１はこの発明の一実施例を示すＣＤ−ＲＯＭ
ディスク再生装置の構成図である。光学式ピックアップ
１０１によりディスク１０２から読み出された信号はＲ
Ｆアンプ回路１０３に供給する。

【００２７】ＲＦアンプ回路１０３は光学式ピックアッ
プ１０１の出力からフォーカスエラー信号やトラッキン
グエラー信号を抽出しフォーカス・トラッキング制御回
路１０４に供給すると共にレベルスライス・ＰＬＬ回路
１０５へ増幅したＲＦ信号を供給する。

【００２８】レベルスライス・ＰＬＬ回路１０５は供給
されたＲＦ信号を２値化しＥＦＭ信号を得ると同時に、
このＥＦＭ信号を読み取るためにＥＦＭ信号に同期した
ＰＬＬクロック１０６を生成する。レベルスライス・Ｐ
ＬＬ回路１０５内の電圧制御発振器の基本周波数は１倍
速時の４．３２１８ＭＨｚであり、４倍速では１７．２
８７２ＭＨｚとなる。

【００２９】２値化したＥＦＭ信号はＣＤ同期検出回路
１０７およびＣＤ信号処理回路１０８へ供給する。ＣＤ
同期検出回路１０７はＰＬＬクロック１０６を用いて、
周期的なＣＤの同期信号を検出する。検出された同期信
号はＣＤ信号処理回路１０８およびディスクモータ制御
回路１０９へ供給する。

【００３０】ディスクモータ制御回路１０９は供給され
た時間軸変動を有する再生ＣＤ同期信号７．３５ＫＨｚ
とマスタークロック１２８（１６．９３４４ＭＨｚ）を
１／２３０４分周して得られるＸ’ＴＡＬ系信号７．３
５ＫＨｚの周波数、および位相を比較することによりエ
ラー成分を抽出して、電圧に変換・増幅しディスクモー
タ１１０にフィードバックする。

【００３１】一方、ＣＤ信号処理回路１０８はＰＬＬク
ロック１０６とＣＤ同期検出回路１０７からの同期信号
を用いて、レベルスライス・ＰＬＬ回路１０５より供給
されるＥＦＭ信号のデータ分離・復調を行い、ＰＬＬク
ロック１０６によりＣＤ用訂正ＲＡＭ１１１にデータを
書き込む。このデータをマスタークロック１１２でＣＤ
用訂正ＲＡＭ１１１から読み出すことによりディスクモ
ータ１１０による時間軸変動を吸収する。

【００３２】読み出したデータは同時に訂正処理を行
い、その出力信号をＳＷ１１３により補間回路１１４、
またはＣＤ−ＲＯＭ同期検出回路１１５、デ・スクラン
ブル回路１１６に供給する。ＳＷ１１３の切り替えはシ
ステムコントロール回路１１６より出力されるオーディ
オ／ＲＯＭ切り替え指示信号１１７により行う。指示信
号がオーディオの時は補間回路１１４にデータを供給
し、データに訂正不可能を示すエラーフラグが付いてい
る場合はデータの補間を行い、その出力をＤ／Ａコンバ
ータ１１８に供給する。

【００３３】Ｄ／Ａコンバータ１１８は供給されたディ
ジタル信号をアナログ信号に変換し、Ｄ／Ａコンバータ
１１８内のローパスフィルターを通過させて再生オーデ
ィオ信号１１９として出力する。また、指示信号がＲＯ
Ｍの時はＣＤ−ＲＯＭ形式のフォーマットに書き直され
たデータをＣＤ−ＲＯＭ同期検出回路１１５およびデ・
スクランブル回路１１６に供給する。

【００３４】ＣＤ−ＲＯＭ同期検出回路１１５はマスタ
ークロック１１２を用いての同期信号を検出を行う。得
られた同期信号はＣＤ−ＲＯＭ訂正回路１２０およびデ
・スクランブル回路１１６に供給する。デ・スクランブ
ル回路１１６はＣＤ−ＲＯＭ同期信号を基準にＣＤ−Ｒ
ＯＭデータのスクランブルを解除し、その出力をＣＤ−
ＲＯＭ訂正回路１２０に供給する。

【００３５】ＣＤ−ＲＯＭ訂正回路１２０に供給された
データは、一旦、内部バス１２１を通して、訂正／バッ
ファ兼用ＲＡＭ１２２に格納され、その後一定の訂正方
式に従って再びＣＤ−ＲＯＭ訂正回路１２０に読み出し
訂正処理する。訂正処理後のデータは書き直す。

【００３６】また、訂正処理の判定結果はシステムコン
トローラ１１６に、訂正終了フラグはシステムコントロ
ーラ１１６および訂正／バッファ兼用ＲＡＭ制御回路１
２３に供給する。訂正／バッファ兼用ＲＡＭ制御回路１
２３は訂正処理されたデータの読み出し制御およびホス
トコンピュータなどの外部デバイス１２４からＩ／Ｆ制
御部１２５を経由して送られてきたデータの書き込み制
御や読み出し制御を行う。

【００３７】Ｉ／Ｆ制御回路１２５は訂正／バッファ兼
用ＲＡＭ１２２から読み出したデータの外部デバイス１
２４への転送、および外部デバイス１２４との交信制御
をシステムコントローラ１１６の指示に従い制御する。
システムコントローラ１１６は制御信号１１７によりサ
ーチ、Ｉ／Ｆ指示制御、各回路の動作のＯＮ／ＯＦＦな
どＣＤ−ＲＯＭ全体の動作制御および訂正判定結果より
訂正不能時のリトライ動作指示を行う。

【００３８】サーチ指示信号は送りモータ制御回路１２
６に送られ、送りモータ制御回路１２６は送りモータ１
２７に制御信号を送ってピックアップを移動させる。図
２はこの実施例におけるＣＤ−ＲＯＭ訂正処理を示す構
成図である。図２において、デ・スクランブル回路１１
６及びＣＤ−ＲＯＭ同期検出回路１１５よりＣＤ−ＲＯ
Ｍ訂正回路１２０に送られてきたデータは、一旦訂正／
バッファ兼用ＲＡＭ１２２に格納する。

【００３９】この時ＥＣＣ符号は訂正／バッファ兼用Ｒ
ＡＭ１２２に設けた少なくとも１ＢＬＯＣＫのＥＣＣ符
号を格納できる一時格納領域に記録され、データと共に
一定の方式にしたがって読み出し訂正処理をする。訂正
処理を施している間、次のデータを読み込むが、ＥＣＣ
符号を読込むとき先の訂正が終了していれば先程使用し
ていた一時格納領域に次のデータを読み込む。

【００４０】訂正が終了していなければ、１ＢＬＯＣＫ
より大きめに確保したＥＣＣ符号の格納領域の未使用部
にＰ、Ｑパリティを読み込み、訂正処理が終了したら先
程使用していた領域に読み込むようにする。このように
ＥＣＣ格納領域は読み込み／訂正を交互に行う事により
使用する。訂正／バッファ兼用ＲＡＭ１２２が一杯にな
ったら、内部バス１２１を通してＩ／Ｆ制御部１２５よ
り外部デバイス１２４へデータを転送する。

【００４１】図３は、この実施例における訂正／バッフ
ァ兼用ＲＡＭの記憶領域の時間的な使用状況を示すタイ
ムチャート図である。まずデータを読み込むと共に訂正
／バッファ兼用ＲＡＭ１２２内のＥＣＣ符号の記録領域
にはＰ、Ｑパリティが格納される。

【００４２】１ＢＬＯＣＫ分のデータの読み込みが終了
し訂正が始まると、次のデータを読み込み始める。ＥＣ
Ｃ符号以外の部分の読み込みが終わったとき先の訂正が
終了していれば、ＥＣＣ符号は先程格納したＰ、Ｑパリ
ティの訂正／バッファ兼用ＲＡＭ１２２内のＥＣＣ符号
の記録領域にそのまま上書きする。

【００４３】訂正が終了していなければ、１ＢＬＯＣＫ
より大きめに確保しておいた訂正／バッファ兼用ＲＡＭ
１２２内のＥＣＣ符号の記録領域にＥＣＣ符号を格納
し、訂正が終了した時点で今まで使用していた領域に記
録を行うようにする。この動作を繰り返し行うことで、
ＥＣＣ符号データを格納するのに必要な領域は少なくと
も２７６Ｂｙｔｅで済むためメモリ容量を少なくするこ
とができる。

【００４４】この実施例においては、訂正の際にのみ必
要なＥＣＣ誤り訂正符号を訂正／バッファ兼用ＲＡＭ１
２２内に設けた１ＢＬＯＣＫ程度の記憶領域に何度も上
書きし格納できるので、訂正後不必要なＥＣＣ誤り訂正
符号を記憶する無駄がなく、訂正／バッファ兼用ＲＡＭ
１２２内の記憶領域を有効に使用することができる。

【００４５】図４はこの発明のもう一つの実施例のＣＤ
−ＲＯＭ訂正処理を示す構成図である。デ・スクランブ
ル訂正回路１１６よりＣＤ−ＲＯＭ訂正回路１２０へ送
られてきたデータは、ＣＤ−ＲＯＭ同期検出回路１１５
より送られてきた同期信号によりスクランブルを解除し
た後、ＥＣＣ符号以外は内部バス１２１を通して訂正／
バッファ兼用ＲＡＭ３０２へ、ＥＣＣ符号は、ＬＳＩチ
ップＢ内に設けられた少なくとも１ＢＬＯＣＫ分のＥＣ
Ｃ符号を格納することのできるＥＣＣ符号記憶領域３０
１へ一旦格納する。

【００４６】その後、１ＢＬＯＣＫ分のデータを訂正／
バッファ兼用ＲＡＭ３０２およびＥＣＣ符号記憶領域３
０１から読み出し訂正する。訂正が始まると次のデータ
が訂正／バッファ兼用ＲＡＭ３０２とＥＣＣ符号記憶領
域３０１の未使用領域に記録される。

【００４７】この実施例においては、訂正の際にのみ必
要なＥＣＣ誤り訂正符号をＬＳＩチップＢ内部に設けた
１ＢＬＯＣＫ程度のＥＣＣ符号記憶領域３０１に上書き
し格納できるので、訂正後不必要なＥＣＣ誤り訂正符号
を記憶する無駄がなく、訂正／バッファ兼用ＲＡＭ３０
２の記憶領域を有効に使用することができる。

【００４８】図５は、この発明のさらにもう一つの実施
例のＣＤ−ＲＯＭ訂正処理を示す構成図である。デ・ス
クランブル回路１１６よりＣＤ−ＲＯＭ訂正回路１２０
へ送られてきた９ｂｉｔのデータはＣＤ−ＲＯＭ同期検
出回路１１５より送られてきた同期信号によりスクラン
ブルを解除した後、ＣＤ−ＲＯＭデータ８ｂｉｔと補正
フラグ１ｂｉｔに分けられ、それぞれ訂正／バッファ兼
用ＲＡＭ４０１あるいは補正フラグ記憶領域４０２へ格
納される。

【００４９】その後、１ＢＬＯＣＫ分のデータを訂正／
バッファ兼用ＲＡＭ４０１および補正フラグ記憶領域４
０２から読みだし訂正する。訂正が開始されると次のデ
ータが訂正／バッファ兼用ＲＡＭ４０１および補正フラ
グ記憶領域４０２の未使用領域に読み込まれる。

【００５０】次の訂正が開始されたら、訂正の終了した
補正フラグを８ｂｉｔごとにまとめ、訂正／バッファ兼
用ＲＡＭ４０１に記録する。その後、記録の終了した補
正フラグの部分に次のデータを読み込んでくる。このと
きＥＣＣ符号は、訂正／バッファ兼用ＲＡＭ４０１に少
なくとも１ＢＬＯＣＫ分の領域を確保して記録される。

【００５１】この実施例においては、１ｂｉｔセルを単
位とする２ＢＬＯＣＫの補正フラグ記憶領域４０２をＬ
ＳＩチップＣの内部に設け、訂正の際にはその記憶領域
から補正フラグデータを読み出し、訂正後８ｂｉｔごと
にまとめて訂正／バッファ兼用ＲＡＭ４０１に格納する
ことにより、訂正および外部デバイスへの転送という２
つの処理に対して効率的な補正フラグデータの読み出し
が可能となる。

【００５２】図６は、この発明のさらにもう一つの実施
例のＣＤ−ＲＯＭ訂正処理を示す構成図である。この実
施例は図４及び図５に示す実施例を組み合わせたもので
ある。デ・スクランブル回路１１６よりＣＤ−ＲＯＭ訂
正回路１２０へ送られてきた９ｂｉｔのデータは、ＣＤ
−ＲＯＭ同期検出回路１１５より送られてきた同期信号
によりスクランブルを解除した後、ＣＤ−ＲＯＭデータ
８ｂｉｔと補正フラグ１ｂｉｔに分けられる。

【００５３】ＣＤ−ＲＯＭデータのうちＥＣＣ符号はＥ
ＣＣ符号記憶領域５０１に、それ以外は訂正／バッファ
兼用ＲＡＭ５０２に記録される。補正フラグは補正フラ
グ記憶領域５０３に記録される。

【００５４】その後、１ＢＬＯＣＫ分のデータを訂正／
バッファ兼用ＲＡＭ５０２、ＥＣＣ符号記憶領域５０１
及び補正フラグ記憶領域５０３から読み出し訂正する。
訂正が始まると次のデータが訂正／バッファ兼用ＲＡＭ
５０２、ＥＣＣ符号記憶領域５０１及びの補正フラグ記
憶領域５０３の未使用領域に記録される。

【００５５】次の訂正が開始されたら、訂正の終了した
補正フラグを８ｂｉｔごとにまとめ、訂正／バッファ兼
用ＲＡＭ５０２に記録する。その後、記録の終了した補
正フラグの部分に次のデータを読み込んでくる。このと
きＥＣＣ符号は、ＥＣＣ符号記憶領域５０１に少なくと
も１ＢＬＯＣＫ分の領域を確保して記録される。

【００５６】この実施例においては、ＬＳＩチップＡ３
内部に１ＢＬＯＣＫ程度のＥＣＣ符号記憶領域５０１と
２ＢＬＯＣＫの補正フラグの補正フラグ記憶領域５０３
を設けてあるので、外部デバイスへのデータ転送に必要
なデータのみを訂正／バッファＲＡＭ５０２の記憶領域
に記憶することができ、記憶領域を有効に使用できると
共に訂正の際にはデータを容易かつ無駄なく読み出すこ
とができる。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ＣＤ−ＲＯＭ訂正においてＥＣＣ符号をメモリに格
納する場合、少なくとも１ＢＬＯＣＫ分のＥＣＣ符号の
大きさを持つメモリ領域を設けて、記録／訂正を繰り返
し行うことにより、訂正ＲＡＭとバッファＲＡＭを兼用
した時無駄になるＥＣＣ符号の格納領域を最少限に抑え
ることができる。そのため一度に多くのデータを処理す
ることができ、データの処理時間の向上に効果がある。
またメモリを小さくすることが出来るため集積回路の面
積も小さくすることができコストを抑えることができ
る。また、補正フラグの扱いにおいても一時記憶領域に
格納することによりメモリへの無駄な動作をなくす事が
でき、同様の効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１はこの発明の一実施例を示すＣＤ−ＲＯＭ
ディスク再生装置の構成図である。

【図２】図１の実施例におけるＣＤ−ＲＯＭ訂正処理を
示す構成図である。

【図３】図１の実施例における訂正／バッファ兼用ＲＡ
Ｍのタイムチャート図である。

【図４】この発明のもう一つの実施例のＣＤ−ＲＯＭ訂
正処理を示す構成図である。

【図５】この発明のさらにもう一つの実施例のＣＤ−Ｒ
ＯＭ訂正処理を示す構成図である。

【図６】この発明のさらにもう一つの実施例のＣＤ−Ｒ
ＯＭ訂正処理を示す構成図である。

【図７】従来のＣＤ−ＲＯＭ再生装置の構成図である。

【図８】従来のＥＣＣ符号および補正フラグの記憶方法
を示す構成図である。

【符号の説明】

１０１…光学式ピックアップ、１０２…ディスク、１０
３…ＲＦアンプ回路、１０４…フォーカス・トラッキン
グ制御回路、１０５…レベルスライス・ＰＬＬ回路、１
０６…ＰＬＬクロック、１０７…ＣＤ同期検出回路、１
０８…ＣＤ信号処理回路、１０９…ディスクモータ制御
回路、１１０…ディスクモータ、１１１…ＣＤ用訂正Ｒ
ＡＭ、１１２…マスタークロック、１１３…スイッチ、
１１４…穂間回路、１１５…ＣＤ−ＲＯＭ同期検出回
路、１１６…デ・スクランブル回路、１１７…オーディ
オ／ＲＯＭ切り替え指示信号、１１８…Ｄ／Ａコンバー
タ、１１９…再生オーディオ信号、１２０…ＣＤ−ＲＯ
Ｍ訂正回路、１２１…内部バス、１２２…訂正／バッフ
ァ兼用ＲＡＭ、１２３…訂正／バッファ兼用ＲＡＭ制御
回路、１２４…外部デバイス、１２５…Ｉ／Ｆ制御部、
１２６…モータ制御回路、１２７…送りモータ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 20/12 9295−5Ｄ Ｈ０３Ｍ 13/00 8730−5Ｋ (72)発明者 玉田 雄三 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＣＤ−ＲＯＭディスクに記録された第１
   の情報データを読出す情報データ読出し手段と、 前記情報データ読出し手段により読出した前記第１の情
   報データを前記ＣＤ−ＲＯＭディスクの記録フォーマッ
   トに応じてディジタル信号処理するディジタル信号処理
   手段と、 前記ディジタル信号処理手段により処理された第２の情
   報データを外部機器に入出力するための外部インターフ
   ェース手段と、 前記ディジタル信号処理手段により処理される前記第１
   の情報データのうち、前記外部機器が必要とするデータ
   を一時的に記憶する第１の記憶手段と、 前記ディジタル信号処理手段により処理される前記第１
   の情報データのうち、誤り訂正用のデータを少なくとも
   １セクタ分だけ一時的に記憶する第２の記憶手段とを具
   備したことを特徴とするＣＤ−ＲＯＭディスク再生装
   置。
2. 【請求項２】 前記ディジタル信号処理手段、前記外部
   インターフェース手段はＬＳＩチップ内に設けられ、前
   記第１の記憶手段および第２の記憶手段は、前記ＬＳＩ
   チップ外に設けられた訂正／バッファ兼用ＲＡＭである
   ことを特徴とする請求項１記載のＣＤ−ＲＯＭディスク
   再生装置。
3. 【請求項３】 前記ディジタル信号処理手段、前記外部
   インターフェース手段、第２の記憶手段はＬＳＩチップ
   内に設けられ、前記第１の記憶手段は、前記ＬＳＩチッ
   プ外に設けられた訂正／バッファ兼用ＲＡＭであること
   を特徴とする請求項１記載のＣＤ−ＲＯＭディスク装
   置。