JPH0876068A - 光外部強度変調器 - Google Patents
光外部強度変調器Info
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Abstract
うことを可能とする。 【構成】加算器5にて、AM変調器65にて主信号を低
周波信号発振器3が発生する低周波信号で振幅変調した
のちに、加算器5にてバイアス電圧印加回路4が発生す
るバイアス電圧を重畳して得られる信号を変調信号と
し、この変調信号により光外部強度変調素子にて光を外
部強度変調する。初期バイアス設定回路20では電源投
入時において、充電用コンデンサ21および抵抗器22
からなる積分回路によりバイアス電圧印加回路4の入力
端をグランドレベルとしたのち、やがて誤差増幅器13
が出力する制御電圧をバイアス電圧印加回路4の入力端
に与える。
Description
調素子を用いた光外部強度変調器に関する。
外部強度変調を行う場合、動作点をある一定の位置に固
定するために変調信号にDC電圧(バイアス電圧)を重
畳する。しかし干渉型の光外部強度変調素子は、動作点
が温度、経年変化あるいは印加電圧等により変化する、
いわゆるドリフトが生じる。図7はドリフト電圧の経時
変化の一例を示す図である。
いた光外部強度変調器では一般に、バイアス電圧のレベ
ルを適宜調整して最適安定点に制御することが行われて
いる。
示す図である。この図に示す光外部強度変調器は、ロッ
クインアンプを用いた手法により動作点を最適な位置に
制御するものである。
あり、光源2が発した光を変調信号に基づいて強度変調
する。変調信号は、AM変調器65において主信号を低
周波信号発振器3が発生する所定周波数の低周波信号で
振幅変調(AM変調)したものに、バイアス電圧印加回
路4が発生するバイアス電圧を加算器5において重畳す
ることにより得られる。
の光信号として出力されるが、この際、光分岐器6によ
ってその一部が分岐され、光・電気変換器7にも入力さ
れる。光分岐器6によって分岐された光信号は、光・電
気変換器7にて電気信号に変換されたのち、バンドパス
フィルタまたはローパスフィルタからなるフィルタ8に
入力されて低周波信号が抽出される。そしてこの様にし
て抽出された低周波信号は、低周波信号発振器3が出力
する低周波信号と掛け算器9において掛け算されること
により検波され、検波信号が得られる。
パスフィルタ10を通した後に、比較器11において参
照電圧源12が発生する参照電圧と比較し、その差分に
相当する電圧レベルを有した信号を得る。そしてこの信
号を誤差増幅器13にて増幅してバイアス電圧印加回路
4の制御電圧を生成する。
3から与えられる制御電圧のレベルに応じてバイアス電
圧を増減することにより、動作点を調整する。さて、干
渉型の光外部強度変調素子は、光外部強度変調素子1の
出力光の強度変化が、主信号に重畳されるバイアス電圧
に対して周期関数となるという特徴を有する。すなわ
ち、光外部強度変調素子1の出力光の強度とバイアス電
圧との関係は、図9に示すものとなる。従って上述の構
成の光外部強度変調器においては、動作安定点が図9に
示すように複数存在する。
DCドリフトを有するという特徴がある。このDCドリ
フトとは、印加されたDC電圧に応じて動作点がずれる
現象であり、一般には印加電圧が正の電圧なら正の電圧
の方向へと一方向に増加する傾向がある。また印加電圧
が大きいほど、DCドリフトの量が大きい。
せることは困難であり、電源電圧などによりバイアス電
圧の可変範囲は限られている。このため、電源投入後の
初期状態において、複数の動作安定点のうちで可変範囲
の上限または下限に近いバイアス電圧により達成される
動作安定点にて動作が安定すると、バイアス電圧は可変
範囲の上限または下限の近傍に設定されるため、制御の
ダイナミックレンジが狭くなり、制御が飽和してしまう
までの時間が短くなってしまう。すなわち、光外部強度
変調器の連続動作時間(連続動作寿命)が短くなってし
まう。
源投入時にバイアス電圧が可変範囲の上限近くに設定さ
れたケースAでは、バイアス電圧が可変範囲の中央近く
に設定されたケースBに比較して連続動作時間(連続動
作寿命)が著しく短くなる。
外部強度変調器では、電源投入後の初期状態において
は、複数の制御安定点のうちのいずれに安定するかが不
定であり、このためバイアス電圧は可変範囲の上限また
は下限の近傍に設定されて連続動作時間が短くなってし
まうおそれがあった。
たものであり、その目的とするところは、長期間に亙っ
て安定的に光の外部強度変調を行うことができる光外部
強度変調器を提供することにある。
めに第1の発明は、所定の低周波信号を発生する例えば
低周波信号発振器などの低周波信号発生手段と、バイア
ス電圧を発生する例えばバイアス電圧印加回路などのバ
イアス発生手段と、主信号を前記低周波信号で振幅変調
したのちに前記バイアス電圧を重畳して得られる信号を
変調信号として干渉型光外部強度変調素子に与える例え
ば加算回路などの重畳手段と、前記干渉型光外部強度変
調素子の出力光から前記低周波信号に相当する成分を抽
出する、例えば光分岐器、光・電気変換器およびフィル
タよりなる低周波信号抽出手段と、この低周波信号抽出
手段により抽出された低周波信号に基づいて前記バイア
ス電圧の電圧レベルを制御する、例えば掛け算回路、ロ
ーパスフィルタ、比較器、参照電圧源および誤差増幅器
からなるバイアス制御手段と、初期設定手段とを備え、
電源投入時に、前記バイアス電圧を所定の電圧レベルに
制御するようにした。
るバイアス発生手段を、バイアス制御手段より与えられ
る制御電圧に応じた電圧レベルのバイアス電圧を発生す
るものとするとともに、初期設定手段を、バイアス発生
手段の前記制御電圧の入力端とグランドとの間に介挿さ
れた積分回路とした。
るバイアス発生手段を、制御電圧入力端に与えられる制
御電圧に応じた電圧レベルのバイアス電圧を発生するも
のでとするとともに、かつ初期設定手段を、所定の電圧
レベルのバイアス電圧に対応する制御電圧を発生する例
えば初期バイアス設定電圧源などの電源手段と、この電
源手段が発生する制御電圧およびバイアス制御手段より
与えられる制御電圧のいずれかを前記制御電圧入力端に
選択的に与える例えばスイッチなどの選択手段と、電源
投入時の所定期間に亙り、前記電源手段が発生する制御
電圧を選択するように前記選択手段を制御する例えばス
イッチ制御手段などの選択制御手段とを備えた。
る初期設定手段に、電源手段が発生する制御電圧の電圧
レベルを周囲温度に基づいて制御する温度補償手段を備
えた。
発生する例えば低周波信号発振器などの低周波信号発生
手段と、バイアス電圧を発生する例えばバイアス電圧印
加回路などのバイアス発生手段と、主信号を前記低周波
信号で振幅変調したのちに前記バイアス電圧を重畳して
得られる信号を変調信号として干渉型光外部強度変調素
子に与える例えば加算回路などの重畳手段と、前記干渉
型光外部強度変調素子の出力光から前記低周波信号に相
当する成分を抽出する、例えば光分岐器、光・電気変換
器およびフィルタよりなる低周波信号抽出手段と、この
低周波信号抽出手段により抽出された低周波信号に基づ
いて前記バイアス電圧の電圧レベルを制御する、例えば
掛け算回路、ローパスフィルタ、比較器、参照電圧源お
よび誤差増幅器からなるバイアス制御手段と、前記バイ
アス電圧を所定の電圧レベルに制御する例えば初期バイ
アス設定電圧源およびスイッチよりなる初期設定手段
と、前記バイアス電圧が所定の許容範囲内にあるか否か
を判定する、例えば絶対値回路、比較器および参照電圧
源からなる判定手段と、初期設定制御手段とを備え、電
源投入時の所定期間に前記判定手段により前記バイアス
電圧が所定の許容範囲内にないと判定されたとき、前記
所定期間内において前記初期設定手段に前記バイアス電
圧を所定の電圧レベルに固定させるようにした。
記低周波信号で振幅変調したのちに前記バイアス電圧を
重畳して変調信号が得られ、この変調信号により干渉型
光外部強度変調素子にて光が外部強度変調される。前記
バイアス電圧は、電源投入時には、常にまたは前記バイ
アス電圧の電圧レベルが所定範囲から外れている時に、
初期設定手段によって所定の電圧レベルに確実に制御さ
れる。従って、前記バイアス電圧の初期値は常に所定の
電圧レベルに制御される。そして以降において前記バイ
アス電圧は、前記干渉型光外部強度変調素子の出力光か
ら前記低周波信号に相当する成分が低周波信号抽出手段
により抽出され、ここで抽出された低周波信号に基づい
てバイアス制御手段により可変制御される。
アス電圧の可変範囲の中間点付近の電圧レベルまたは前
記バイアス電圧の可変範囲の中間点付近の電圧レベルの
バイアス電圧により制御される動作点に最も近い動作安
定点に動作点を制御することができる電圧レベルに設定
しておけば、電源投入時には制御ダイナミックレンジの
中央付近の動作安定点に最初に動作が安定する。
例につき説明する。図1は本発明の第1実施例に係る光
外部強度変調器の構成を示す図である。なお、図8と同
一部分には同一符号を付する。
素子1、光源2、低周波信号発振器3、加算器5、光分
岐器6、光・電気変換器7、フィルタ8、掛け算器9、
ローパスフィルタ10、比較器11、参照電圧源12、
誤差増幅器13、初期バイアス設定回路20およびAM
変調器65から構成される。
源2が発した光を加算器5から与えられる変調信号に基
づいて強度変調する。低周波信号発振器3は、所定周波
数の低周波信号を発生し、AM変調器65および掛け算
器9にそれぞれ与える。
振器3が発生する所定周波数の低周波信号で振幅変調す
る。加算器5は、AM変調器65で得られた信号に、初
期バイアス設定回路20が発生するバイアス電圧を重畳
して変調信号を生成し、光外部強度変調素子1に与え
る。
力光の一部を分岐し、光・電気変換器7に与える。光・
電気変換器7は、光分岐器6から与えられた光信号を電
気信号に変換し、フィルタ8に与える。
ローパスフィルタからなり、光・電気変換器7から与え
られる電気信号中の低周波信号を抽出し、掛け算器9に
与える。
低周波信号に対して低周波信号発振器3が出力する低周
波信号を掛け算することによりフィルタ8から与えられ
る低周波信号を検波し、これにより得られる検波信号を
ローパスフィルタ10に与える。
与えられる検波信号から高周波成分を除去し、比較器1
1に与える。比較器11は、ローパスフィルタ10から
与えられた検波信号を参照電圧源12が発生する参照電
圧と比較し、その差分に相当する電圧レベルを有した信
号を誤差増幅器13に与える。
れる信号を増幅し、初期バイアス設定回路20の制御電
圧を生成する。初期バイアス設定回路20は図2に示す
ように、バイアス電圧印加回路4、充電用コンデンサ2
1および抵抗器22からなる。
を発生して加算器5に与える。このバイアス電圧印加回
路4は、誤差増幅器13から与えられる制御電圧のレベ
ルに応じてバイアス電圧を増減する。なおここでは、バ
イアス電圧はグランドレベルを中心として正負の両方向
に変化させることができるものとする。
は、それぞれバイアス電圧印加回路4の入力端とグラン
ドとの間に配置されており、積分回路を構成している。
以上のように本実施例の光外部強度変調器は、基本的に
は図8に示された従来の光外部強度変調器と同様な構成
をなすが、バイアス電圧印加回路4の入力端とグランド
との間に充電用コンデンサ21および抵抗器22からな
る積分回路を配置した点が本実施例の特徴的な構成であ
る。
調器の動作を説明する。まず、光外部強度変調素子1で
の光信号の強度変調に係る動作およびバイアス電圧の制
御動作に関しては、図8に示された従来の光外部強度変
調器と同様にして行われる。しかし本実施例では、電源
投入時において次のような特徴的な動作が行われる。
いてバイアス電圧印加回路4の入力端は、電源投入時に
はグランドレベルとなっている。このためバイアス電圧
印加回路4は、初期状態においてはバイアス電圧をグラ
ンドレベルに設定する。
電位は、充電用コンデンサ21が誤差増幅器13の出力
電圧により充電されるにしたがって上昇し、やがて誤差
増幅器13の出力レベルに一致する。
を基準として増減がなされることになる。これにより、
光外部強度変調素子1の動作は、複数の動作安定点のう
ちでグランドレベルに近いバイアス電圧により達成され
る動作安定点(以下、最適安定点と称する)に最初に安
定することになる。すなわち、光外部強度変調素子1の
動作が電源投入後に最初に安定したときには、バイアス
電圧は可変範囲の中央であるグランドレベルの近傍に設
定されることになる。従って、制御のダイナミックレン
ジが広く確保されることになり、連続動作時間が長くな
る。
くの場合、グランドレベル以外のバイアス電圧により達
成される。このため前述の第1実施例の構成の場合、電
源投入時には、常にバイアス電圧をグランドレベルから
最適安定点を達成できるレベルまで変化させる必要があ
り、しかもそのバイアス電圧の制御に要する時間、すな
わち制御速度は充電用コンデンサ21によって決まって
しまい、動作安定点に安定するまでに要する時間が大き
くなってしまう場合がある。
る時間を短縮するための実施例を以下に説明する。本実
施例の光外部強度変調器は、基本的には前記第1実施例
における光外部強度変調器と同様な構成をなすが、初期
バイアス設定回路20の構成が異なる。
回路20の構成を示す図である。なお、図1および図2
と同一部分には同一符号を付し、その詳細な説明は省略
する。
20は、バイアス電圧印加回路4、スイッチ31、スイ
ッチ制御回路32、初期バイアス設定電圧源33および
抵抗器34からなる。
制御の下に開閉し、誤差増幅器13から出力される制御
電圧のバイアス電圧印加回路4への入力をON/OFF
する。
時定数などを用いたアナログ的なタイマまたはカウンタ
などを用いたディジタル的なタイマなどを有して構成さ
れ、電源投入時の所定期間にのみスイッチ31を開放す
る。
電圧印加回路4とグランドとの間に、抵抗器34と直列
に配置されている。そして初期バイアス設定電圧源33
は、スイッチ31が開放状態にあるときに、バイアス電
圧印加回路4の入力端に所定の初期バイアス設定電圧を
印加する。初期バイアス設定電圧は例えば、光外部強度
変調器が標準状態(例えば標準温度下で、かつ動作特性
に経時変化が生じていない状態)にあるときにおいて動
作点を最適安定点に制御することができるバイアス電圧
に対応するレベルに設定される。
には、スイッチ制御回路32により所定期間にのみスイ
ッチ31が開放される。これによりバイアス電圧印加回
路4の入力端には、初期バイアス設定電圧源33が発生
する初期バイアス設定電圧が印加され、バイアス電圧印
加回路4からは光外部強度変調器が標準状態にあるとき
において動作点を最適安定点に制御することができるバ
イアス電圧が出力されることになる。従って光外部強度
変調器が標準状態にあれば、この時点において、動作点
が最適安定点に制御されることとなる。
度変調器の動作特性にドリフトが生じていると、スイッ
チ31が開放された状態においては、動作点は最適安定
点からずれることになる。この場合には、所定期間が終
了してスイッチ制御回路32によりスイッチ31が閉じ
られ、誤差増幅器13が出力する制御電圧がバイアス電
圧印加回路4に与えられるようになれば、上記ずれを補
償するようにバイアス電圧が制御される。このときのバ
イアス電圧の変化量は、ドリフト量に相当する量だけで
あり、最小限となる。
施例と同様に、電源投入時において光外部強度変調素子
1の動作は、最適安定点に最初に安定することになり、
連続動作時間が長くなる。
のようにバイアス電圧をグランドレベルから制御するの
ではなく、所定状態において動作点を最適安定点に制御
することができるレベルから立ち上げるとともに、所定
状態からの状態変位により生じる最適安定点の変動分に
相当する量だけバイアス電圧を変化させるので、電源投
入時におけるバイアス電圧の変化量を小さくすることが
でき、より迅速に動作点を最適安定点に制御することが
できる。
つき説明する。図4は本実施例に係る光外部強度変調器
における初期バイアス設定回路20の構成を示す図であ
る。なお、図1乃至図3と同一部分には同一符号を付
し、その詳細な説明は省略する。
は前記第1実施例および第2実施例における光外部強度
変調器と同様な構成をなすが、初期バイアス設定回路2
0の構成が異なる。
定回路20は図4に示すように、前記第2実施例におけ
る初期バイアス設定回路に温度補償回路41を付加した
構成をなす。
じて初期バイアス設定電圧源33が発生する初期バイア
ス設定電圧のレベルを可変制御する。温度補償回路41
は、温度変化にともなう最適安定点のずれを考慮して、
動作点を最適安定点に制御することができるバイアス電
圧に対応する初期バイアス設定電圧を発生するよう初期
バイアス設定電圧源33を制御する。
施例と同様にバイアス電圧は、初期バイアス設定電圧源
33が出力する初期バイアス設定電圧により、動作点を
最適安定点に制御することができるレベルの近傍のレベ
ルとされたのち、誤差増幅器13が出力する制御電圧に
より動作点を最適安定点に制御することができるレベル
に微調整される。従って、電源投入時において光外部強
度変調素子1の動作は、迅速かつ確実に最適安定点に安
定することになり、連続動作時間が長くなる。
圧のレベルを周囲温度の変化に応じて補償しているの
で、初期バイアス設定電圧に応じたバイアス電圧によっ
て動作点をより最適安定点の近くに制御できる。
つき説明する。図4は本実施例に係る光外部強度変調器
における初期バイアス設定回路20の構成を示す図であ
る。なお、図1乃至図3と同一部分には同一符号を付
し、その詳細な説明は省略する。
は前記第1実施例および第2実施例における光外部強度
変調器と同様な構成をなすが、初期バイアス設定回路2
0の構成が異なるとともに、絶対値回路51および初期
バイアス設定合否判定回路52を有する点が本実施例の
光外部強度変調器の特徴的な構成となっている。
うに、バイアス電圧印加回路4、スイッチ31、初期バ
イアス設定電圧源33および抵抗器34からなる。絶対
値回路51は、初期バイアス設定回路20のバイアス電
圧印加回路4から出力されるバイアス電圧の絶対値を検
出し、対応するレベルの検出電圧を初期バイアス設定合
否判定回路52に与える。
に示すように、比較器61、参照電圧源62、ANDゲ
ート63およびタイマ64からなる。比較器61は、絶
対値回路51から与えられる検出電圧と参照電圧源62
が発生する所定の参照電圧とを比較し、参照電圧が検出
電圧を上回ったときに「H」レベルを出力する。
よって開閉され、タイマ64の出力が「H」レベルのと
きに比較器61の出力を初期バイアス設定回路20のス
イッチ31へと与える。スイッチ31はANDゲート6
3の出力が「H」レベルであるときに開放状態となる。
所定の時間を計時する。そしてタイマ64は、計時中に
おいて「H」レベルを出力する。次に以上のように構成
された光外部強度変調器の動作を説明する。
強度変調に係る動作およびバイアス電圧の制御動作に関
しては、図8に示された従来の光外部強度変調器と同様
にして行われる。しかし本実施例では、電源投入時にお
いて次のような特徴的な動作が行われる。
設定合否判定回路52においてタイマ64が計時を開始
し、所定時間を計時するまで「H」レベルを出力する。
これによりANDゲート63は、所定期間に亙って比較
器61の出力を初期バイアス設定回路20のスイッチ3
1へと与える状態となる。
加回路4から出力されるバイアス電圧の絶対値、すなわ
ちバイアス電圧のレベルのグランドレベルからのずれを
検出している。また比較器61では、絶対値回路51が
出力する検出電圧と参照電圧源62が発生する所定の参
照電圧とを比較している。かくして絶対値回路51、比
較器61および参照電圧源62により、バイアス電圧の
レベルがグランドレベルの近傍の所定範囲内にあるか否
かの判断が行われ、バイアス電圧のレベルがグランドレ
ベルの近傍の所定範囲から外れている時に比較器61か
ら「H」レベルが出力される。
64の計時期間)においてバイアス電圧のレベルがグラ
ンドレベルの近傍の所定範囲から外れていると、AND
ゲート63からスイッチ31へと「H」レベルが与えら
れることになる。従ってスイッチ31は開放状態とな
り、バイアス電圧印加回路4の入力端に初期バイアス設
定電圧源33が発生する初期バイアス設定電圧が印加さ
れるようになる。これにより、前述した第2実施例と同
様にして、バイアス電圧は光外部強度変調器が標準状態
にあるときにおいて動作点を最適安定点に制御すること
ができるレベルに設定される。
が出力する制御電圧によりバイアス電圧のレベルがグラ
ンドレベルの近傍の所定範囲内に設定されていれば、比
較器61およびANDゲート63からは「H」レベルが
出力されないので、スイッチ31は閉じたままとされ
る。従って、誤差増幅器13が出力する制御電圧によっ
て、動作点を動作安定点に制御するためのバイアス電圧
の制御がなされる。このときには、初期状態においてバ
イアス電圧のレベルがグランドレベルの近傍の所定範囲
内にあるので、バイアス電圧は動作点を最適安定点に制
御するように調整される。
において光外部強度変調素子1の動作は、確実に最適安
定点に安定することになり、連続動作時間が長くなる。
また本実施例によれば、電源投入時におけるバイアス電
圧のレベルがグランドレベルの近傍の所定範囲内にあ
り、誤差増幅器13が出力する制御電圧、すなわち本来
の制御系であるフィードバック系により、バイアス電圧
のレベルを動作点を最適安定点に制御できるレベルに調
整できるのであれば、初期バイアス設定電圧源33を用
いることなしに、そのまま誤差増幅器13が出力する制
御電圧による制御を行うので、初期バイアス設定電圧源
33を用いた初期設定動作を省略して光外部強度変調素
子1の動作が最適安定点に安定するまでの時間を短縮す
ることができる。
のではない。例えば第4実施例の光外部強度変調器にお
いても、初期バイアス設定回路20に第3実施例の光外
部強度変調器のように温度補償回路を設けるようにして
も良い。このほか、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種
々の変形実施が可能である。
投入時には、常にまたは前記バイアス電圧の電圧レベル
が所定範囲から外れている時に、初期設定手段によって
所定の電圧レベルに制御するとともに、以降において前
記バイアス電圧は、干渉型光外部強度変調素子の出力光
から抽出した低周波信号に基づいてバイアス制御手段に
より可変制御するようにしたので、長期間に亙って安定
的に光の外部強度変調を行うことができる光外部強度変
調器となる。
図。
おける初期バイアス設定回路20の具体的な構成を示す
図。
おける初期バイアス設定回路20の具体的な構成を示す
図。
おける初期バイアス設定回路20の具体的な構成を示す
図。
構成を示す図。
よび初期バイアス設定回路20の具体的な構成を示す
図。
とバイアス電圧との関係を示す図。
の関係を示す図。
Claims (5)
- 【請求項1】 干渉型光外部強度変調素子を用いた光外
部強度変調器において、 所定の低周波信号を発生する低周波信号発生手段と、 バイアス電圧を発生するバイアス発生手段と、 主信号を前記低周波信号で振幅変調したのちに前記バイ
アス電圧を重畳して得られる信号を変調信号として前記
干渉型光外部強度変調素子に与える重畳手段と、 前記干渉型光外部強度変調素子の出力光から前記低周波
信号に相当する成分を抽出する低周波信号抽出手段と、 この低周波信号抽出手段により抽出された低周波信号に
基づいて前記バイアス電圧の電圧レベルを制御するバイ
アス制御手段と、 電源投入時に、前記バイアス電圧を所定の電圧レベルに
制御する初期設定手段とを具備したことを特徴とする光
外部強度変調器。 - 【請求項2】 バイアス発生手段は、バイアス制御手段
より与えられる制御電圧に応じた電圧レベルのバイアス
電圧を発生するものであり、かつ初期設定手段は、バイ
アス発生手段の前記制御電圧の入力端に介挿された積分
回路であることを特徴とする請求項1に記載の光外部強
度変調器。 - 【請求項3】 バイアス発生手段は、制御電圧入力端に
与えられる制御電圧に応じた電圧レベルのバイアス電圧
を発生するものであり、 かつ初期設定手段は、 所定の電圧レベルのバイアス電圧に対応する制御電圧を
発生する電源手段と、 この電源手段が発生する制御電圧およびバイアス制御手
段より与えられる制御電圧のいずれかを前記制御電圧入
力端に選択的に与える選択手段と、 電源投入時の所定期間に亙り、前記電源手段が発生する
制御電圧を選択するように前記選択手段を制御する選択
制御手段とを有することを特徴とする請求項1に記載の
光外部強度変調器。 - 【請求項4】 初期設定手段に、電源手段が発生する制
御電圧の電圧レベルを周囲温度に基づいて制御する温度
補償手段を備えたことを特徴とする請求項3に記載の光
外部強度変調器。 - 【請求項5】 干渉型光外部強度変調素子を用いた光外
部強度変調器において、 所定の低周波信号を発生する低周波信号発生手段と、 バイアス電圧を発生するバイアス発生手段と、 主信号を前記低周波信号で振幅変調したのちに前記バイ
アス電圧を重畳して得られる信号を変調信号として前記
干渉型光外部強度変調素子に与える重畳手段と、 前記干渉型光外部強度変調素子の出力光から前記低周波
信号に相当する成分を抽出する低周波信号抽出手段と、 この低周波信号抽出手段により抽出された低周波信号に
基づいて前記バイアス電圧の電圧レベルを制御するバイ
アス制御手段と、 前記バイアス電圧を所定の電圧レベルに制御する初期設
定手段と、 前記バイアス電圧が所定の許容範囲内にあるか否かを判
定する判定手段と、 電源投入時の所定期間に前記判定手段により前記バイア
ス電圧が所定の許容範囲内にないと判定されたとき、前
記所定期間内において前記初期設定手段に前記バイアス
電圧を所定の電圧レベルに固定させる初期設定制御手段
とを具備したことを特徴とする光外部強度変調器。
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