JP5604076B2 - 光通信モジュール及び光通信モジュールの制御方法 - Google Patents
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Description
PF=(Acoef・IF_mon+Bcoef)・MPD_mon ・・・(1)
ここで、IF_monは、IFモニター部20で検出されたIFモニター値であり、MPD_monは、IMPDモニター部22で検出されたMPDモニター値であるとする。また、Acoef及びBcoefは光通信モジュール毎に算出、設定される係数である。Acoef及びBcoefは例えば以下のようにして算出することとしてよい。
Acoef=(PF2/MPD2−PF1/MPD1)/(IF2−IF1) ・・・(2)
Bcoef=(PF2/MPD2)−Acoef・IF2 ・・・(3)
PF=(Acoef・Th_mon+Bcoef)・MPD_mon ・・・(4)
ここで、Th_monは、温度モニター部32で検出された温度モニター値であり、MPD_monは、IMPDモニター部22で検出されたMPDモニター値であることとする。また、Acoef及びBcoefは光通信モジュール毎に算出、設定する係数である。Acoef及びBcoefは例えば以下のようにして算出することとしてよい。
Acoef=(PF2/MPD2−PF1/MPD1)/(Th2−Th1) ・・・(5)
Bcoef=(PF2/MPD2)−Acoef・Th2 ・・・(6)
Claims (9)
- レーザーを発光するレーザー発光素子と、
前記レーザー発光素子の後方光出力を受光する受光素子と、
前記受光素子に流れる電流を検知するモニター手段と、
変調信号とバイアス電圧とに基づいて変調した電圧に応じて前記レーザー発光素子により発光されるレーザーを吸収する電界吸収型光変調素子と、
前記電界吸収型光変調素子の温度と相関して変化するデータを検出する検出手段と、
少なくともバイアス電圧と前記データとの関係を定めたメモリに格納された関係データに基づいて、前記検出手段により検出されるデータに対応するバイアス電圧を設定する設定手段と、
前記モニター手段により検知される前記受光素子に流れる電流と前記検出手段により検出されるデータに基づいて出力光強度を算出する算出手段と、
前記算出手段により算出された出力光強度を出力するモニター出力手段と、
を含むことを特徴とする光通信モジュール。 - 前記検出手段により検出されるデータは、前記電界吸収型光変調素子の温度と正の相関があり、
前記関係データは、前記データが増加するにつれ、前記バイアス電圧が増加するように定める
ことを特徴とする請求項1に記載の光通信モジュール。 - 前記検出手段は、前記レーザー発光素子に供給される駆動電流を検出し、
前記設定手段は、バイアス電圧と駆動電流との関係を定めた関係データに基づいて、前記検出手段により検出される駆動電流に対応するバイアス電圧を設定する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光通信モジュール。 - 前記検出手段は、前記光通信モジュールの温度を検出し、
前記設定手段は、バイアス電圧と前記検出される温度との関係を定めた関係データに基づいて、前記検出手段により検出される温度に対応するバイアス電圧を設定する
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光通信モジュール。 - 前記関係データは、前記レーザー発光素子に供給する電流を制御する電流設定値と前記検出される温度との関係を定め、
前記設定手段は、前記検出手段により検出される温度に対応する電流設定値を設定する
ことを特徴とする請求項4に記載の光通信モジュール。 - 前記算出手段は、前記検出手段により検出される駆動電流のモニター値をIF_mon、前記モニター手段により検知された電流を電圧変換したモニター値をMPD_monとした場合に、前記光通信モジュールからの出力光強度PFを以下の式(1)により算出し、
PF=(Acoef・IF_mon+Bcoef)・MPD_mon (1)
それぞれ温度条件が異なる第1及び第2の条件において、第1の条件において得られた前記光通信モジュールからの光出力強度をPF1、そのときのIF_monの値をIF1、MPD_monの値をMPD1とし、第2の条件において得られた前記光通信モジュールからの光出力強度をPF2、そのときのIF_monの値をIF2、MPD_monの値をMPD2とした場合に、AcoefとBcoefとはそれぞれ以下の式(2)及び(3)により算出される
Acoef=(PF2/MPD2−PF1/MPD1)/(IF2−IF1) (2)
Bcoef=(PF2/MPD2)−Acoef・IF2 (3)
ことを特徴とする請求項3に記載の光通信モジュール。 - 前記算出手段は、前記検出手段により検出される温度のモニター値をT_mon、前記モニター手段により検知された電流を電圧変換したモニター値をMPD_monとした場合に、前記光通信モジュールからの出力光強度PFを以下の式(4)により算出し、
PF=(Acoef・T_mon+Bcoef)・MPD_mon (4)
それぞれ温度条件が異なる第1及び第2の条件において、第1の条件において得られた前記光通信モジュールからの光出力強度をPF1、そのときのT_monの値をTh1、MPD_monの値をMPD1とし、第2の条件において得られた前記光通信モジュールからの光出力強度をPF2、そのときのT_monの値をTh2、MPD_monの値をMPD2とした場合に、AcoefとBcoefとはそれぞれ以下の式(5)及び(6)により算出される
Acoef=(PF2/MPD2−PF1/MPD1)/(Th2−Th1) (5)
Bcoef=(PF2/MPD2)−Acoef・Th2 (6)
ことを特徴とする請求項4又は5に記載の光通信モジュール。 - 前記関係データは、変調信号の振幅、クロスポイント、及びバイアス電圧と前記検出されるデータとの関係を定め、
前記設定手段は、前記検出手段により検出されるデータに対応する振幅、クロスポイント、及びバイアス電圧を設定する
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の光通信モジュール。 - レーザーを発光するレーザー発光素子と、前記レーザー発光素子の後方光出力を受光する受光素子と、前記受光素子に流れる電流を検知するモニター手段と、変調信号とバイアス電圧とに基づいて変調した電圧に応じて前記レーザー発光素子により発光されるレーザーを吸収する電界吸収型光変調素子と、を含む光通信モジュールの制御方法であって、
前記電界吸収型光変調素子の温度と相関して変化するデータを検出する検出ステップと、
少なくともバイアス電圧と前記データとの関係を定めたメモリに格納された関係データに基づいて、前記検出ステップで検出されるデータに対応するバイアス電圧を設定する設定ステップと、
前記モニター手段により検知される前記受光素子に流れる電流と前記検出ステップで検出されるデータに基づいて出力光強度を算出するステップと、
前記算出された出力光強度を出力するステップと、
を含むことを特徴とする光通信モジュールの制御方法。
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