JPH0868757A - 試料表面評価方法 - Google Patents
試料表面評価方法Info
- Publication number
- JPH0868757A JPH0868757A JP20319294A JP20319294A JPH0868757A JP H0868757 A JPH0868757 A JP H0868757A JP 20319294 A JP20319294 A JP 20319294A JP 20319294 A JP20319294 A JP 20319294A JP H0868757 A JPH0868757 A JP H0868757A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- semiconductor substrate
- light
- photoluminescence
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡便かつ迅速に試料表面状態だけに関する発
光スペクトルを検出する。 【構成】 微動台１４上に内部が真空であるクライオス
タット８を設け、クライオスタット８内にヒートシンク
１２を設け、ヒートシンク１２に液体窒素を貯蔵するタ
ンク１３を設け、ヒートシンク１２上にマウント用真空
グリース１１により半導体基板試料７を取り付け、レー
ザビーム１を対物レンズ４によってビーム径を数μｍ程
度まで集光させて半導体基板試料７の端面を照射し、半
導体基板試料７からのフォトルミネッセンス光および反
射光を対物レンズ４を通して受光し、ビームスプリッタ
３でフォトルミネッセンス光２と反射光とを分離させた
後、分光器５および光検出器６によってフォトルミネッ
センス光２のスペクトルを検出する。
光スペクトルを検出する。 【構成】 微動台１４上に内部が真空であるクライオス
タット８を設け、クライオスタット８内にヒートシンク
１２を設け、ヒートシンク１２に液体窒素を貯蔵するタ
ンク１３を設け、ヒートシンク１２上にマウント用真空
グリース１１により半導体基板試料７を取り付け、レー
ザビーム１を対物レンズ４によってビーム径を数μｍ程
度まで集光させて半導体基板試料７の端面を照射し、半
導体基板試料７からのフォトルミネッセンス光および反
射光を対物レンズ４を通して受光し、ビームスプリッタ
３でフォトルミネッセンス光２と反射光とを分離させた
後、分光器５および光検出器６によってフォトルミネッ
センス光２のスペクトルを検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は試料表面状態を評価す
る試料表面評価方法、特に半導体結晶成長時やプロセス
処理時に発生する半導体基板の表面付近の各種準位を評
価する試料表面評価方法に関するものである。
る試料表面評価方法、特に半導体結晶成長時やプロセス
処理時に発生する半導体基板の表面付近の各種準位を評
価する試料表面評価方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】結晶成長やプロセス処理の際に生ずる表
面付近のダメージは半導体デバイスの特性を決定づける
重要な要因である。このため、近年の高集積化の要求に
伴い、高品質の微小デバイスを制作するためには、簡便
で正確な試料表面評価方法が必要不可欠とされている。
面付近のダメージは半導体デバイスの特性を決定づける
重要な要因である。このため、近年の高集積化の要求に
伴い、高品質の微小デバイスを制作するためには、簡便
で正確な試料表面評価方法が必要不可欠とされている。
【０００３】従来においては、走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）、走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ）による試料の表面凹凸の直接観察や、フォト
ルミネッセンス（ＰＬ）法、カソードルミネッセンス
（ＣＬ）法による結晶試料の表面付近の光学特性測定に
よって、試料表面状態の評価がなされてきた。
Ｍ）、走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、原子間力顕微鏡
（ＡＦＭ）による試料の表面凹凸の直接観察や、フォト
ルミネッセンス（ＰＬ）法、カソードルミネッセンス
（ＣＬ）法による結晶試料の表面付近の光学特性測定に
よって、試料表面状態の評価がなされてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、走査型
電子顕微鏡、走査トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡によ
る試料表面評価方法では、試料表面の凹凸に関する情報
しか得られず、半導体基板の表面付近の光学的特性を評
価する際には不十分である。
電子顕微鏡、走査トンネル顕微鏡、原子間力顕微鏡によ
る試料表面評価方法では、試料表面の凹凸に関する情報
しか得られず、半導体基板の表面付近の光学的特性を評
価する際には不十分である。
【０００５】一方、フォトルミネッセンス法、カソード
ルミネッセンス法では、半導体基板の表面の光学的特性
を評価することができるが、従来技術では励起光を結晶
試料の表面に対して垂直に照射していたため、試料表面
状態に関する発光と試料の内部に侵入した励起光による
バルク状態に関する発光とを分離して評価することが困
難であるから、試料表面状態だけに関する発光スペクト
ルを検出することができないという問題点がある。
ルミネッセンス法では、半導体基板の表面の光学的特性
を評価することができるが、従来技術では励起光を結晶
試料の表面に対して垂直に照射していたため、試料表面
状態に関する発光と試料の内部に侵入した励起光による
バルク状態に関する発光とを分離して評価することが困
難であるから、試料表面状態だけに関する発光スペクト
ルを検出することができないという問題点がある。
【０００６】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、簡便かつ迅速に試料表面状態だけに関す
る発光スペクトルを検出することができる試料表面評価
方法を提供することを目的とする。
されたもので、簡便かつ迅速に試料表面状態だけに関す
る発光スペクトルを検出することができる試料表面評価
方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、試料表面にビーム状の励起光
を照射して、フォトルミネッセンス光を検出する試料表
面評価方法において、上記励起光を上記試料表面にほぼ
平行に照射する。
め、この発明においては、試料表面にビーム状の励起光
を照射して、フォトルミネッセンス光を検出する試料表
面評価方法において、上記励起光を上記試料表面にほぼ
平行に照射する。
【０００８】この場合、上記励起光の波長を変化させ
る。
る。
【０００９】また、上記励起光の照射位置を変化させ
る。
る。
【００１０】また、上記フォトルミネッセンス光を光フ
ァイバを介して検出する。
ァイバを介して検出する。
【００１１】
【作用】この試料表面評価方法においては、励起光によ
り試料表面近傍のみを選択的に励起することができる。
り試料表面近傍のみを選択的に励起することができる。
【００１２】また、励起光の波長を変化させたときに
は、励起光の試料表面への浸入深さを変化させることが
できる。
は、励起光の試料表面への浸入深さを変化させることが
できる。
【００１３】また、励起光の照射位置を変化させたとき
には、各照射位置からのフォトルミネッセンス光を検出
することができる。
には、各照射位置からのフォトルミネッセンス光を検出
することができる。
【００１４】また、フォトルミネッセンス光を光ファイ
バを介して検出したときには、有効にフォトルミネッセ
ンス光を受光することができる。
バを介して検出したときには、有効にフォトルミネッセ
ンス光を受光することができる。
【００１５】
【実施例】以下にこの発明に係る試料表面評価方法の実
施例を図面を参照にしながら説明する。
施例を図面を参照にしながら説明する。
【００１６】（１）試料端面上方励起上方受光型方式 図１はこの発明に係る試料表面評価方法を実施するため
の装置を示す概略断面図である。図に示すように、微動
台１４上に内部が真空であるクライオスタット８が設け
られ、クライオスタット８に窓９が設けられ、クライオ
スタット８内に銅製のヒートシンク１２が設けられ、ヒ
ートシンク１２に冷却用の液体窒素を貯蔵するタンク１
３が設けられ、ヒートシンク１２上に熱伝導の良いマウ
ント用真空グリース１１により半導体基板試料７が取り
付けられ、窓９の上方にレーザビーム発生装置１７が設
けられ、レーザビーム発生装置１７は発生するレーザビ
ーム１の波長を変化させることができ、レーザビーム発
生装置１７と窓９との間にビームスプリッタ３、対物レ
ンズ４が設けられ、ビームスプリッタ３の近傍に分光器
５が設けられ、分光器５で分光された光を検出する光検
出器６が設けられている。
の装置を示す概略断面図である。図に示すように、微動
台１４上に内部が真空であるクライオスタット８が設け
られ、クライオスタット８に窓９が設けられ、クライオ
スタット８内に銅製のヒートシンク１２が設けられ、ヒ
ートシンク１２に冷却用の液体窒素を貯蔵するタンク１
３が設けられ、ヒートシンク１２上に熱伝導の良いマウ
ント用真空グリース１１により半導体基板試料７が取り
付けられ、窓９の上方にレーザビーム発生装置１７が設
けられ、レーザビーム発生装置１７は発生するレーザビ
ーム１の波長を変化させることができ、レーザビーム発
生装置１７と窓９との間にビームスプリッタ３、対物レ
ンズ４が設けられ、ビームスプリッタ３の近傍に分光器
５が設けられ、分光器５で分光された光を検出する光検
出器６が設けられている。
【００１７】図１に示した装置によって半導体基板試料
７の表面状態を評価するには、まず励起光であるレーザ
ビーム１を対物レンズ４によってビーム径を数μｍ程度
まで集光させ、図２に示すように、半導体基板試料７の
端面１５を照射する。そして、半導体基板試料７からの
フォトルミネッセンス光および反射光を対物レンズ４を
通して受光し、ビームスプリッタ３でフォトルミネッセ
ンス光２と反射光とを分離させた後、分光器５および光
検出器６によってフォトルミネッセンス光２のスペクト
ルを検出する。
７の表面状態を評価するには、まず励起光であるレーザ
ビーム１を対物レンズ４によってビーム径を数μｍ程度
まで集光させ、図２に示すように、半導体基板試料７の
端面１５を照射する。そして、半導体基板試料７からの
フォトルミネッセンス光および反射光を対物レンズ４を
通して受光し、ビームスプリッタ３でフォトルミネッセ
ンス光２と反射光とを分離させた後、分光器５および光
検出器６によってフォトルミネッセンス光２のスペクト
ルを検出する。
【００１８】図３は図１に示した装置を用いて８１Ｋの
低温で測定したノンドープ（non-dope）ＩｎＰからなる
半導体基板試料７の端面（へき開面）１５付近でのフォ
トルミネッセンススペクトルを示すグラフである。レー
ザビーム１としてはＨｅ−Ｎｅレーザビーム（波長０．
６３３μｍ）を使用し、対物レンズ４によってレーザビ
ーム１は焦点位置で約３μｍ程度に絞られている。図３
中の線ａ、ｂ、ｃで示されたスペクトルはそれぞれ半導
体基板試料７に対するレーザビーム１の照射位置が図４
に示されたＡ、Ｂ、Ｃの場合に対応している。
低温で測定したノンドープ（non-dope）ＩｎＰからなる
半導体基板試料７の端面（へき開面）１５付近でのフォ
トルミネッセンススペクトルを示すグラフである。レー
ザビーム１としてはＨｅ−Ｎｅレーザビーム（波長０．
６３３μｍ）を使用し、対物レンズ４によってレーザビ
ーム１は焦点位置で約３μｍ程度に絞られている。図３
中の線ａ、ｂ、ｃで示されたスペクトルはそれぞれ半導
体基板試料７に対するレーザビーム１の照射位置が図４
に示されたＡ、Ｂ、Ｃの場合に対応している。
【００１９】図３の線ａは半導体基板試料７の上面１６
にレーザビーム１が垂直に照射した場合のスペクトルで
あり、半導体基板試料７の内部のバルク状態からの発光
であるメインピーク（ピーク波長９０４ｎｍ）と表面状
態からの発光に対応する長波側の幅の広いサブピーク
（ピーク波長９２０ｎｍ付近）とが合わさったスペクト
ルとなっている。レーザビーム１を半導体基板試料７に
対して垂直に入射させていた従来のフォトルミネッセン
ス法では、このようなスペクトルが得られており、表面
状態のみを分離して評価することが困難であった。とこ
ろが、レーザビーム１の照射位置が半導体基板試料７の
端面１５付近にある場合には、発光スペクトルの形状が
大きく変化する。
にレーザビーム１が垂直に照射した場合のスペクトルで
あり、半導体基板試料７の内部のバルク状態からの発光
であるメインピーク（ピーク波長９０４ｎｍ）と表面状
態からの発光に対応する長波側の幅の広いサブピーク
（ピーク波長９２０ｎｍ付近）とが合わさったスペクト
ルとなっている。レーザビーム１を半導体基板試料７に
対して垂直に入射させていた従来のフォトルミネッセン
ス法では、このようなスペクトルが得られており、表面
状態のみを分離して評価することが困難であった。とこ
ろが、レーザビーム１の照射位置が半導体基板試料７の
端面１５付近にある場合には、発光スペクトルの形状が
大きく変化する。
【００２０】図３の線ｂは照射位置が端面１５にある場
合のスペクトルである。この場合には、レーザビーム１
の一部分しか半導体基板試料７の内部に侵入していない
から、バルク状態からの発光であるメインピークの強度
が線ａの場合と比較して半分近くに減少している。一
方、長波側のサブピークの強度は減少しておらず、表面
状態のみが選択的に励起されつつあることがわかる。
合のスペクトルである。この場合には、レーザビーム１
の一部分しか半導体基板試料７の内部に侵入していない
から、バルク状態からの発光であるメインピークの強度
が線ａの場合と比較して半分近くに減少している。一
方、長波側のサブピークの強度は減少しておらず、表面
状態のみが選択的に励起されつつあることがわかる。
【００２１】図３の線ｃは照射位置が半導体基板試料７
の端面１５よりさらに１５μｍ程度離れ、レーザビーム
１が端面１５に対してほぼ平行に照射し、表面状態のみ
を励起している場合のスペクトルである。線ａの場合の
スペクトルと線ｃの場合のスペクトルとを比較すれば明
らかなように、線ｃの場合にはバルク状態からの発光で
あるメインピークは完全に消失しており、表面状態から
の発光である長波側の幅の広いサブピークのみが観測さ
れている。したがって、レーザビーム１を端面１５に対
してほぼ平行に照射すれば、従来のフォトルミネッセン
ス法では困難であった半導体基板試料７の内部のバルク
状態からの発光と表面状態からの発光とを完全に分離で
き、端面１５の表面状態のみの光学特性を測定すること
が可能である。
の端面１５よりさらに１５μｍ程度離れ、レーザビーム
１が端面１５に対してほぼ平行に照射し、表面状態のみ
を励起している場合のスペクトルである。線ａの場合の
スペクトルと線ｃの場合のスペクトルとを比較すれば明
らかなように、線ｃの場合にはバルク状態からの発光で
あるメインピークは完全に消失しており、表面状態から
の発光である長波側の幅の広いサブピークのみが観測さ
れている。したがって、レーザビーム１を端面１５に対
してほぼ平行に照射すれば、従来のフォトルミネッセン
ス法では困難であった半導体基板試料７の内部のバルク
状態からの発光と表面状態からの発光とを完全に分離で
き、端面１５の表面状態のみの光学特性を測定すること
が可能である。
【００２２】このように、図１に示した装置を使用した
試料表面評価方法においては、表面状態のみの光学特性
を測定することが可能であり、表面状態のみの光学特性
の中には、表面近傍での化学組成の変化やダメージなど
に関する有益な情報が含まれているため、得られた結果
を結晶成長条件あるいはプロセス条件に反映させれば、
結晶の品質向上ならびにプロセス技術の進歩、ひいては
半導体デバイスの特性向上に飛躍的発展が期待できる。
また、レーザビーム１の波長を変化させることができ、
レーザビーム１の波長に応じて半導体基板試料７の内部
への侵入長を変化させることができるから、端面１５の
表面状態の深さ方向の変化についての知見を得ることも
可能である。また、クライオスタット８は微動台１４の
上に設置されており、クライオスタット８をＸ、Ｙ、Ｚ
方向にμｍオーダで迅速に移動することができるから、
レーザビーム１の照射位置を半導体基板試料７の各面に
対してμｍオーダで走査できるので、レーザビーム１が
端面１５に対してほぼ平行に入射し、端面１５の表面状
態のみを励起できる条件を容易に見出すことができると
ともに、照射エリア１８を端面１５内で走査できるた
め、端面１５内での表面状態の分布を調べることも可能
である。また、半導体基板試料７を液体窒素温度（７７
Ｋ）付近まで冷却することができるから、熱的擾乱によ
ってかき消されていた表面状態に対するより詳細な情報
を得ることができる。
試料表面評価方法においては、表面状態のみの光学特性
を測定することが可能であり、表面状態のみの光学特性
の中には、表面近傍での化学組成の変化やダメージなど
に関する有益な情報が含まれているため、得られた結果
を結晶成長条件あるいはプロセス条件に反映させれば、
結晶の品質向上ならびにプロセス技術の進歩、ひいては
半導体デバイスの特性向上に飛躍的発展が期待できる。
また、レーザビーム１の波長を変化させることができ、
レーザビーム１の波長に応じて半導体基板試料７の内部
への侵入長を変化させることができるから、端面１５の
表面状態の深さ方向の変化についての知見を得ることも
可能である。また、クライオスタット８は微動台１４の
上に設置されており、クライオスタット８をＸ、Ｙ、Ｚ
方向にμｍオーダで迅速に移動することができるから、
レーザビーム１の照射位置を半導体基板試料７の各面に
対してμｍオーダで走査できるので、レーザビーム１が
端面１５に対してほぼ平行に入射し、端面１５の表面状
態のみを励起できる条件を容易に見出すことができると
ともに、照射エリア１８を端面１５内で走査できるた
め、端面１５内での表面状態の分布を調べることも可能
である。また、半導体基板試料７を液体窒素温度（７７
Ｋ）付近まで冷却することができるから、熱的擾乱によ
ってかき消されていた表面状態に対するより詳細な情報
を得ることができる。
【００２３】（２）試料上面上方励起側方受光型方式 図５はこの発明に係る他の試料表面評価方法を実施する
ための装置の一部を示す概略斜視図である。図に示すよ
うに、図１に示すヒートシンク１２上に試料取付治具３
５が取り付けられ、試料取付治具３５のあおり角θを微
調整する機構（図示せず）が設けられ、試料取付治具３
５に半導体基板試料３０が取り付けられ、半導体基板試
料３０の上面３１の近傍に受光用の光ファイバ３３が設
けられている。
ための装置の一部を示す概略斜視図である。図に示すよ
うに、図１に示すヒートシンク１２上に試料取付治具３
５が取り付けられ、試料取付治具３５のあおり角θを微
調整する機構（図示せず）が設けられ、試料取付治具３
５に半導体基板試料３０が取り付けられ、半導体基板試
料３０の上面３１の近傍に受光用の光ファイバ３３が設
けられている。
【００２４】図５に示した装置を用いた試料表面評価方
法においては、半導体基板試料３０は水平面（ＸＹ面）
に対してほぼ垂直に立った配置となる。したがって、上
方からのレーザビーム１は半導体基板試料３０の上面３
１に対してほぼ平行に入射し、上面３１の表面近傍のみ
が選択的に光励起される。ここで、上面３１はドライプ
ロセスや結晶成長等による処理を施された結晶面であ
り、デバイス特性を決定するようなダメージを含んだ面
であるから、照射エリア３２からのフォトルミネッセン
ス光３４をモニタすれば、上面３１の表面付近のダメー
ジに関する直接的な知見が得られる。ただし、通常半導
体基板試料３０としては上面３１の面積が数ｃｍ2程度
の大きさのものを扱うため、照射エリア３２はかなり拡
がっているから、光ファイバ３３を通してフォトルミネ
ッセンス光３４を受光することにより、空間分解能を上
げることができ、より正確に測定することができる。さ
らに、微動台１４を用いて照射エリア３２を試料面３１
内で走査すれば、ダメージ等の面内分布を測定すること
が可能となる。また、あおり角θを微調整する機構が設
けられているから、レーザビーム１の上面３１に対する
入射角度を調整できるので、平行励起の条件を容易に探
すことができる。
法においては、半導体基板試料３０は水平面（ＸＹ面）
に対してほぼ垂直に立った配置となる。したがって、上
方からのレーザビーム１は半導体基板試料３０の上面３
１に対してほぼ平行に入射し、上面３１の表面近傍のみ
が選択的に光励起される。ここで、上面３１はドライプ
ロセスや結晶成長等による処理を施された結晶面であ
り、デバイス特性を決定するようなダメージを含んだ面
であるから、照射エリア３２からのフォトルミネッセン
ス光３４をモニタすれば、上面３１の表面付近のダメー
ジに関する直接的な知見が得られる。ただし、通常半導
体基板試料３０としては上面３１の面積が数ｃｍ2程度
の大きさのものを扱うため、照射エリア３２はかなり拡
がっているから、光ファイバ３３を通してフォトルミネ
ッセンス光３４を受光することにより、空間分解能を上
げることができ、より正確に測定することができる。さ
らに、微動台１４を用いて照射エリア３２を試料面３１
内で走査すれば、ダメージ等の面内分布を測定すること
が可能となる。また、あおり角θを微調整する機構が設
けられているから、レーザビーム１の上面３１に対する
入射角度を調整できるので、平行励起の条件を容易に探
すことができる。
【００２５】なお、上述実施例においては、試料として
半導体基板試料７、３０を用いたが、試料として各種発
光材料を用いてもよい。また、上述実施例においては、
ビーム状の励起光としてレーザビーム１を用いたが、白
色光源をレンズで集光したものなどの他のビーム状の励
起光を用いてもよい。また、上述実施例においては、ヒ
ートシンク１２に冷却用の液体窒素を貯蔵するタンク１
３を設けたが、ヒートシンクに液体ヘリウムを貯蔵する
タンクを設けてもよい。
半導体基板試料７、３０を用いたが、試料として各種発
光材料を用いてもよい。また、上述実施例においては、
ビーム状の励起光としてレーザビーム１を用いたが、白
色光源をレンズで集光したものなどの他のビーム状の励
起光を用いてもよい。また、上述実施例においては、ヒ
ートシンク１２に冷却用の液体窒素を貯蔵するタンク１
３を設けたが、ヒートシンクに液体ヘリウムを貯蔵する
タンクを設けてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る試
料表面評価方法においては、励起光により試料表面近傍
のみを選択的に励起することができるから、簡便かつ迅
速に試料表面状態だけに関する発光スペクトルを検出す
ることができる。
料表面評価方法においては、励起光により試料表面近傍
のみを選択的に励起することができるから、簡便かつ迅
速に試料表面状態だけに関する発光スペクトルを検出す
ることができる。
【００２７】また、励起光の波長を変化させたときに
は、励起光の試料表面への浸入深さを変化させることが
できるから、試料表面状態の深さ方法の変化を評価する
ことができる。
は、励起光の試料表面への浸入深さを変化させることが
できるから、試料表面状態の深さ方法の変化を評価する
ことができる。
【００２８】また、励起光の照射位置を変化させたとき
には、各照射位置からのフォトルミネッセンス光を検出
することができるから、表面状態の面内分布を測定する
ことができる。
には、各照射位置からのフォトルミネッセンス光を検出
することができるから、表面状態の面内分布を測定する
ことができる。
【００２９】また、フォトルミネッセンス光を光ファイ
バを介して検出したときには、有効にフォトルミネッセ
ンス光を受光することができるから、より正確に測定す
ることができる。
バを介して検出したときには、有効にフォトルミネッセ
ンス光を受光することができるから、より正確に測定す
ることができる。
【図１】この発明に係る試料表面評価方法を実施するた
めの装置を示す概略断面図である。
めの装置を示す概略断面図である。
【図２】図１に示した装置の一部を示す斜視図である。
【図３】図１に示した装置を用いて測定されたフォトル
ミネッセンススペクトルを示すグラフである。
ミネッセンススペクトルを示すグラフである。
【図４】半導体基板試料に対するレーザビームの照射位
置を示す図である。
置を示す図である。
【図５】この発明に係る他の試料表面評価方法を実施す
るための装置の一部を示す概略斜視図である。
るための装置の一部を示す概略斜視図である。
１…レーザビーム ２…フォトルミネッセンス光 ７…半導体基板試料 ３０…半導体基板試料 ３３…光ファイバ ３４…フォトルミネッセンス光
Claims (4)
- 【請求項１】試料表面にビーム状の励起光を照射して、
フォトルミネッセンス光を検出する試料表面評価方法に
おいて、上記励起光を上記試料表面にほぼ平行に照射す
ることを特徴とする試料表面評価方法。 - 【請求項２】上記励起光の波長を変化させることを特徴
とする請求項１に記載の試料表面評価方法。 - 【請求項３】上記励起光の照射位置を変化させることを
特徴とする請求項１または２に記載の試料表面評価方
法。 - 【請求項４】上記フォトルミネッセンス光を光ファイバ
を介して検出することを特徴とする請求項１、２または
３に記載の試料表面評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20319294A JPH0868757A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 試料表面評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20319294A JPH0868757A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 試料表面評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0868757A true JPH0868757A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16469994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20319294A Pending JPH0868757A (ja) | 1994-08-29 | 1994-08-29 | 試料表面評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0868757A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004504595A (ja) * | 2000-07-18 | 2004-02-12 | ゲルザン エスタブリッシュメント | 宝石を検査する機器 |
| CN100424499C (zh) * | 2006-01-06 | 2008-10-08 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 基于步进扫描的红外调制光致发光谱的方法及装置 |
| WO2011153410A1 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Hemlock Semiconductor Corporation | A method for measuring bulk impurities of semiconductor materials using edge - on photoluminescence |
| CN103134779A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-06-05 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 快速检测ii型红外超晶格界面质量的光谱方法和装置 |
-
1994
- 1994-08-29 JP JP20319294A patent/JPH0868757A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004504595A (ja) * | 2000-07-18 | 2004-02-12 | ゲルザン エスタブリッシュメント | 宝石を検査する機器 |
| CN100424499C (zh) * | 2006-01-06 | 2008-10-08 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 基于步进扫描的红外调制光致发光谱的方法及装置 |
| WO2011153410A1 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Hemlock Semiconductor Corporation | A method for measuring bulk impurities of semiconductor materials using edge - on photoluminescence |
| US9261464B2 (en) | 2010-06-04 | 2016-02-16 | Hemlock Semiconductor Corporation | Applying edge-on photoluminescence to measure bulk impurities of semiconductor materials |
| CN103134779A (zh) * | 2013-01-31 | 2013-06-05 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 快速检测ii型红外超晶格界面质量的光谱方法和装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7113276B1 (en) | Micro defects in semi-conductors | |
| KR950010389B1 (ko) | 반도체 결함 검출 방법 | |
| JP4248249B2 (ja) | 半導体のマイクロ欠陥の検出と分類 | |
| CN100430716C (zh) | 用于表征微电子特征部件质量的方法和装置 | |
| US5381016A (en) | Method and apparatus for measuring photoluminescence in crystal | |
| KR100582627B1 (ko) | 정보 획득 장치, 단면 평가 장치 및 단면 평가 방법 | |
| JP3917154B2 (ja) | 半導体試料の欠陥評価方法及び装置 | |
| US20040253751A1 (en) | Photothermal ultra-shallow junction monitoring system with UV pump | |
| US7212288B2 (en) | Position modulated optical reflectance measurement system for semiconductor metrology | |
| JPH0590368A (ja) | 半導体結晶中の深い準位密度分布の評価方法 | |
| WO2004010121A1 (en) | Detection method and apparatus | |
| US7499168B2 (en) | Combined modulated optical reflectance and electrical system for ultra-shallow junctions applications | |
| JPH0868757A (ja) | 試料表面評価方法 | |
| WO1992022805A1 (en) | Surface analysis apparatus | |
| US11293871B2 (en) | Raman spectroscopy based measurement system | |
| JPH01182738A (ja) | 化合物半導体結晶の不純物測定方法 | |
| JPH09243569A (ja) | 半導体基板の評価装置および評価方法 | |
| JPH095237A (ja) | ラマンスペクトル測定装置及び測定方法 | |
| JP3275022B2 (ja) | 結晶内のフォトルミネッセンス計測装置 | |
| JP3836987B2 (ja) | 半導体評価装置 | |
| WO2004008119A1 (en) | Detection method and apparatus | |
| JPH11354598A (ja) | ウェハ検査装置 | |
| JPH01182739A (ja) | 化合物半導体結晶の歪測定方法 | |
| JP4066431B2 (ja) | 近接場光プローブ作製装置及びその作製方法 | |
| JPH1019693A (ja) | 半導体装置のストレス測定方法 |