JPH0862559A - テトラヒドロキナゾリン化合物、それを含有する液晶組成物、それを有する液晶素子及びそれらを用いた表示方法、表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 応答速度が速く、コントラストが高く、応答
速度の温度依存性を軽減させるのに効果的なテトラヒド
ロキナゾリン化合物、これを含む液晶組成物、及び該液
晶組成物を使用する液晶素子並びにそれらを用いた表示
方法及び表示装置を提供する。 【構成】 ６−ペンチル−２−（４−デシルフェニル）
−５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリンなどのテト
ラヒドロキナゾリン化合物、該化合物の少なくとも１種
を含有する液晶組成物、及び該液晶組成物を１対の電極
基板間に配置してなる液晶素子ならびにそれらを用いた
表示方法および表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なテトラヒドロキ
ナゾリン化合物、それを含有する液晶組成物およびそれ
を使用した液晶素子並びにそれらを用いた表示方法、表
示装置に関し、さらに詳しくは電界に対する応答特性が
改善された新規な液晶組成物、およびそれを使用した液
晶表示素子や液晶−光シャッター等に利用される液晶素
子並びにそれらを用いた表示方法、該液晶素子を表示に
使用した表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、液晶は電気光学素子として種
々の分野で応用されている。現在実用化されている液晶
素子はほとんどが、例えばエム シャット（Ｍ．Ｓｃｈ
ａｄｔ）とダブリュ ヘルフリッヒ（Ｗ．Ｈｅｌｆｒｉ
ｃｈ）著“アプライド フィジックス レターズ”
（“Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ
ｓ”）Ｖｏｌ．１８，Ｎｏ．４（１９７１．２．１５）
Ｐ．１２７〜１２８の“Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｅｐｅｎｄ
ｅｎｔ Ｏｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ａ
Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌ”に示されたＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍ
ａｔｉｃ）型の液晶を用いたものである。

【０００３】これらは、液晶の誘電的配列効果に基づい
ており、液晶分子の誘電異方性のために平均分子軸方向
が、加えられた電場により特定の方向に向く効果を利用
している。これらの素子の光学的な応答速度の限界はミ
リ秒であるといわれ、多くの応用のためには遅すぎる。

【０００４】一方、大型平面ディスプレイへの応用で
は、価格、生産性などを考え合わせると単純マトリクス
方式による駆動が最も有力である。単純マトリクス方式
においては、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に
構成した電極構成が採用され、その駆動のためには、走
査電極群に順次周期的にアドレス信号を選択印加し、信
号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同期させ
て並列的に選択印加する時分割駆動方式が採用されてい
る。

【０００５】しかし、この様な駆動方式の素子に前述し
たＴＮ型の液晶を採用すると走査電極が選択され、信号
電極が選択されない領域、或いは走査電極が選択され
ず、信号電極が選択される領域（所謂“半選択点”）に
も有限に電界がかかってしまう。

【０００６】選択点にかかる電圧と、半選択点にかかる
電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に垂直に配列
させるのに要する電圧閾値がこの中間の電圧値に設定さ
れるならば、表示素子は正常に動作するわけであるが、
走査線数（Ｎ）を増加して行なった場合、画面全体（１
フレーム）を走査する間に一つの選択点に有効な電界が
かかっている時間（ｄｕｔｙ比）が１／Ｎの割合で減少
してしまう。

【０００７】このために、くり返し走査を行なった場合
の選択点と非選択点にかかる実効値としての電圧差は、
走査線数が増えれば増える程小さくなり、結果的には画
像コントラストの低下やクロストークが避け難い欠点と
なっている。

【０００８】この様な現象は、双安定性を有さない液晶
（電極面に対し、液晶分子が水平に配向しているのが安
定状態であり、電界が有効に印加されている間のみ垂直
に配向する）を時間的蓄積効果を利用して駆動する（即
ち、繰り返し走査する）ときに生ずる本質的には避け難
い問題点である。

【０００９】この点を改良する為に、電圧平均化法、２
周波駆動法や、多重マトリクス法等が既に提案されてい
るが、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画
面化や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことに
よって頭打ちになっているのが現状である。

【００１０】この様な従来型の液晶素子の欠点を改善す
るものとして、双安定性を有する液晶素子の使用がクラ
ーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガウェル（Ｌａｇｅｒｗａ
ｌｌ）により提案されている（特開昭５６−１０７２１
６号公報、米国特許第４，３６７，９２４号明細書
等）。双安定性液晶としては、一般にカイラルスメクテ
ィックＣ相（ＳｍＣ^＊ 相）又はＨ相（ＳｍＨ^＊ 相）
を有する強誘電性液晶が用いられる。

【００１１】この強誘電性液晶は電界に対して第１の光
学的安定状態と第２の光学的安定状態からなる双安定状
態を有し、従って前述のＴＮ型の液晶で用いられた光学
変調素子とは異なり、例えば一方の電界ベクトルに対し
て第１の光学的安定状態に液晶が配向し、他方の電界ベ
クトルに対しては第２の光学的安定状態に液晶が配向さ
れている。また、この型の液晶は、加えられる電界に応
答して、上記２つの安定状態のいずれかを取り、且つ電
界の印加のないときはその状態を維持する性質（双安定
性）を有する。

【００１２】以上の様な双安定性を有する特徴に加え
て、強誘電性液晶は高速応答性であるという優れた特徴
を持つ。それは強誘電性液晶の持つ自発分極と印加電場
が直接作用して配向状態の転移を誘起するためであり、
誘電率異方性と電場の作用による応答速度より３〜４オ
ーダー速い。

【００１３】この様に強誘電性液晶はきわめて優れた特
性を潜在的に有しており、このような性質を利用するこ
とにより、上述した従来のＴＮ型素子の問題点の多くに
対して、かなり本質的な改善が得られる。特に、高速光
学光シャッターや高密度、大画面ディスプレイへの応用
が期待される。このため強誘電性を持つ液晶材料に関し
ては広く研究がなされているが、現在までに開発された
強誘電性液晶材料は、低温作動特性、高速応答性、コン
トラスト等を含めて液晶素子に用いる十分な特性を備え
ているとは言い難い。

【００１４】応答時間ｒと自発分極の大きさＰｓおよび
粘度ηの間には、下記の式［１］

【００１５】

【数１】 （ただし、Ｅは印加電界である。）の関係が存在する。

【００１６】したがって、応答速度を速くするには、 （ア）自発分極の大きさＰｓを大きくする （イ）粘度ηを小さくする （ウ）印加電界Ｅを大きくする 方法がある。

【００１７】しかし印加電界は、ＩＣ等で駆動するため
上限があり、出来るだけ低い方が望ましい。よって、実
際には粘度ηを小さくするか、自発分極の大きさＰｓの
値を大きくする必要がある。

【００１８】一般的に自発分極の大きい強誘電性カイラ
ルスメクチック液晶化合物においては、自発分極のもた
らすセルの内部電界も大きく、双安定状態をとり得る素
子構成への制約が多くなる傾向にある。又、いたずらに
自発分極を大きくしても、それにつれて粘度も大きくな
る傾向にあり、結果的には応答速度はあまり速くならな
いことが考えられる。

【００１９】また、実際のディスプレイとしての使用温
度範囲が例えば５〜４０℃程度とした場合、応答速度の
変化が一般に２０倍程もあり、駆動電圧および周波数に
よる調節の限界を越えているのが現状である。

【００２０】また、一般に、液晶の複屈折を利用した液
晶素子の場合、直交ニコル下での透過率は、下記の
［２］式で表わされる。

【００２１】

【数２】 ［２］式中、Ｉ_０ は入射光強度、Ｉは透過光強度、θ
_ａ は以下で定義される見かけのチルト角、Δｎは屈折
率異方性、ｄは液晶層の膜厚そして、λは入射光の波長
である。

【００２２】前述の非らせん構造におけるチルト角θ_ａ
は、第１と第２の配向状態でのねじれ配列した液晶分
子の平均分子軸方向の角度として現われることになる。
［２］式によれば、見かけのチルト角θ_ａ が２２．５
°の角度の時最大の透過率となり、双安定性を実現する
非らせん構造でのチルト角θ_ａ は２２．５°にできる
限り近いことが必要である。

【００２３】しかしながら、前述のクラークとラガウォ
ールによって発表された双安定性を示す非らせん構造の
強誘電性液晶に対して適用した場合には、下記の如き問
題点を有し、コントラスト低下の原因となっている。

【００２４】第１に、従来のラビング処理したポリイミ
ド膜によって配向させて得られた非らせん構造の強誘電
性液晶での見かけのチルト角θ_ａ （２つの安定状態の
分子軸のなす角度の１／２）が強誘電性液晶でのチルト
角（後述の図４に示す三角錐の頂角の１／２の角度θ）
と較べて小さくなっている為に透過率が低い。

【００２５】第２に電界を印加しないスタテック状態に
おけるコントラストは高くても、電圧を印加して駆動表
示を行った場合に、マトリックス駆動における非選択期
間の微少電界により液晶分子が揺らぐ為に黒が淡くな
る。

【００２６】以上、述べたように強誘電性液晶素子を実
用化するためには、高速応答性を有し、応答速度の温度
依存性が小さく、かつコントラストの高いカイラルスメ
クチック相を示す液晶組成物が要求される。

【００２７】さらにディスプレイの均一なスイッチン
グ、良好な視角特性、低温保存性、駆動ＩＣへの負荷の
軽減などのために液晶組成物の自発分極、カイラルスメ
クチックＣピッチ、コレステリックピッチ、液晶相をと
る温度範囲、光学異方性、チルト角、誘電異方性などを
適正化する必要がある。

【００２８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
の強誘電性液晶素子を実用できるようにするために、応
答速度が速く、しかもその温度依存性を軽減させ、また
コントラストを高くするのに効果的なテトラヒドロキナ
ゾリン化合物、これを含む液晶組成物、特に強誘電性カ
イラルスメクチック液晶組成物、および該液晶組成物を
使用する液晶素子並びにそれらを用いた表示方法および
表示装置を提供することにある。

【００２９】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は下記の一
般式（Ｉ）

【００３０】

【化４】Ｒ_１−Ｑ−Ｐｈ−Ｒ_２ （Ｉ）

【００３１】（式中、Ｒ_１は炭素原子数が１〜１８の直
鎖状、分岐状または環状のアルキル基を示す。ただし、
該アルキル基中の１つもしくは２つ以上の−ＣＨ_２−は
ヘテロ原子が隣接しない条件で−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ
−，−ＯＣＯ−，−ＣＯＯ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ≡
Ｃ−に置き換えられていてもよい。Ｒ_２は炭素原子数が
１０〜２０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基を
示す。ただし、該アルキル基中の１つもしくは２つ以上
の−ＣＨ_２−はヘテロ原子が隣接しない条件で−Ｏ−，
−Ｓ−，−ＣＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＯＯ−，−ＣＨ＝
ＣＨ−，−Ｃ≡Ｃ−に置き換えられていてもよい。Ｑは
５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリン−２，６−ジ
イルを示し、Ｐｈは１，４−フェニレンを示す。）

【００３２】で表わされる新規なテトラヒドロキナゾリ
ン化合物、該化合物の少なくとも１種を含有する液晶組
成物、及び該液晶組成物を１対の電極基板間に配置して
なる液晶素子並びにそれらに表示方法、表示装置を提供
するものである。

【００３３】尚、本発明の一般式（Ｉ）のテトラヒドロ
キナゾリン化合物は、それ自体単独で液晶であるか否か
は特に限定されず、他の液晶性化合物等と組み合わされ
た液晶組成物中で、その一成分として適切な機能を奏
し、優れた特性を付与するものであるが、化合物の特性
や安定性等の点で液晶性化合物であることが好ましい。

【００３４】一般式（Ｉ）で表わされるテトラヒドロキ
ナゾリン化合物のうち液晶相の温度幅、混和性、粘性、
配向性等の観点から好ましい化合物としてＲ_１ が炭素
原子数１〜１０の直鎖状アルキル基である化合物があげ
られる。また、液晶相の温度幅、他の液晶との相溶性あ
るいは配向性などの点から、さらに好ましい化合物とし
てＲ_２ が炭素原子数１０〜１８の直鎖状アルキル基、
アルコキシ基、アルカノイルオキシ基である化合物があ
げられる。

【００３５】西ドイツ公開特許公報第２９５１０９９号
には、６−アルキル−２−（４−アルキルフェニル）−
５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリンが示されてい
る。しかし、該西ドイツ公開特許公報第２９５１０９９
号に示されている化合物は、フェニル基に結合している
アルキル基が炭素原子数８までであり、実施例で具体的
に開示されている化合物はＮ相のみをもつ化合物であ
る。また、用途としてはＴＮＣ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅ
ｍａｔｉｃ ｃｅｌｌ）あるいはコレステリック−ネマ
チック相転移の原理に基づく電気光学表示素子に用いる
ための化合物であることが記載されている。

【００３６】本発明者らは、フェニル基に結合している
アルキル基の炭素原子数を１０から２０とすることによ
り、スメクチック相を有する液晶性化合物を製造し、こ
の化合物を少なくとも１種含有する強誘電性カイラルス
メクチック液晶組成物およびそれを使用した液晶素子が
良好な配向性、高速応答性、応答速度の温度依存性の軽
減等の諸特性の改良がなされ、良好な表示特性が得られ
ることを見い出したものである。

【００３７】また、本発明のテトラヒドロキナゾリン化
合物は他の化合物との相溶性がよく、液晶組成物として
の自発分極、カイラルスメクチックＣピッチ、Ｃｈピッ
チ、液晶相をとる温度範囲、光学異方性、チルト角、誘
電異方性などの調整に使用することも可能である。

【００３８】次に、前記一般式（Ｉ）で示されるテトラ
ヒドロキナゾリン化合物の合成法の一例を以下に示す。

【００３９】

【化５】 （Ｒ_３はＲ_２または、縮合条件で安定でありＲ_２ に変
換可能な基、Ｒ_１，Ｒ_２，Ｑ，Ｐｈは前記定義のとうり
である） 次に一般式（Ｉ）で示されるテトラヒドロキナゾリン化
合物の具体的な構造式を示す。

【００４０】

【化６】 （１） Ｃ₂ Ｈ₅ −Ｑ−Ｐｈ−Ｃ₁₀Ｈ₂₁ （２） Ｃ₅ Ｈ₁₁−Ｑ−Ｐｈ−Ｃ₁₀Ｈ₂₁ （３） Ｃ₁₀Ｈ₂₁−Ｑ−Ｐｈ−Ｃ₁₂Ｈ₂₅ （４） Ｃ₅ Ｈ₁₁−Ｑ−Ｐｈ−ＯＣ₁₀Ｈ₂₁ （５） Ｃ₁₂Ｈ₂₅−Ｑ−Ｐｈ−ＯＣ₁₈Ｈ₃₇ （６） Ｃ₆ Ｈ₁₃−Ｑ−Ｐｈ−ＣＯＯＣ₁₂Ｈ₂₅ （７） Ｃ₈ Ｈ₁₇−Ｑ−Ｐｈ−Ｃ₂₀Ｈ₄₁ （８） Ｃ₁₀Ｈ₂₁−Ｑ−Ｐｈ−ＯＣ₁₂Ｈ₂₅ （９） Ｃ₁₈Ｈ₃₇−Ｑ−Ｐｈ−Ｃ₁₈Ｈ₃₇ （１０） Ｃ₅ Ｈ₁₁−Ｑ−Ｐｈ−ＯＣＯＣ₁₀Ｈ₂₁ （１１） Ｃ₄ Ｈ₉ −Ｑ−Ｐｈ−ＯＣ₁₆Ｈ₃₃ （１２） Ｃ₁₀Ｈ₂₁−Ｑ−Ｐｈ−ＯＣＯＣ₁₂Ｈ₂₅ （１３） Ｃ₆ Ｈ₁₃−Ｑ−Ｐｈ−ＯＣＨ₂ ＣＨ₂ ＯＣ₈ Ｈ₁₇ （１４） Ｃ₈ Ｈ₁₇−Ｑ−Ｐｈ−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨＣ₈ Ｈ₁₇ （１５） Ｃ₁₀Ｈ₂₁−Ｑ−Ｐｈ−ＯＣＯ（ＣＨ₂ ）₈ Ｃ≡ＣＨ

【００４１】

【化７】 （１９） Ｃ₂ Ｈ₅ −Ｑ−Ｐｈ−Ｃ₁₁Ｈ₂₃ （２１） ＣＨ₃ Ｏ（ＣＨ₂ ）₄ −Ｑ−Ｐｈ−Ｃ₁₂Ｈ₂₅ （２２） Ｃ₆ Ｈ₁₃Ｏ（ＣＨ₂ ）₂ −Ｑ−Ｐｈ−ＯＣＯＣ₁₆Ｈ₃₃ （２３） Ｃ₅ Ｈ₁₁−Ｑ−Ｐｈ−ＳＣ₁₂Ｈ₂₅ （２６） Ｃ₁₄Ｈ₂₉−Ｑ−Ｐｈ−Ｃ₁₆Ｈ₃₃ （２９） Ｃ₁₆Ｈ₃₃−Ｑ−Ｐｈ−ＣＯＯＣ₁₈Ｈ₃₇ （３０） Ｃ₁₁Ｈ₂₃−Ｑ−Ｐｈ−Ｃ₁₅Ｈ₃₁ （３１） Ｃ₅ Ｈ₁₁−Ｑ−Ｐｈ−Ｃ₁₈Ｈ₁₇ （３２） Ｃ₁₀Ｈ₂₁−Ｑ−Ｐｈ−ＣＯＣ₁₂Ｈ₂₅

【００４２】

【化８】 （３５） Ｃ₁₀Ｈ₂₁−Ｑ−Ｐｈ−ＯＣ₁₀Ｈ₂₁ （３６） Ｃ₁₀Ｈ₂₁−Ｑ−Ｐｈ−ＯＣＯＣ₁₀Ｈ₂₁

【００４３】本発明の液晶組成物は前記一般式（Ｉ）で
示されるテトラヒドロキナゾリン化合物の少なくとも一
種と他の液晶性化合物１種以上とを適当な割合で混合す
ることにより得ることができる。併用する他の液晶性化
合物の数は１〜５０、好ましくは１〜３０、より好まし
くは３〜３０の範囲である。

【００４４】また、本発明による液晶組成物は強誘電性
液晶組成物、特に強誘電性カイラルスメクチック液晶組
成物が好ましい。

【００４５】本発明で用いる他の液晶性化合物として
は、特開平４−２７２９８９号公報（２３）〜（３９）
ページに記載の化合物（ＩＩＩ）〜（ＸＩＩ）、好まし
い化合物（ＩＩＩａ）〜（ＸＩＩｄ）、更に好ましい化
合物（ＩＩＩａａ）〜（ＸＩＩｄｂ）が挙げられる。更
に、次の一般式（ＸＩＩＩ）〜（ＸＶＩＩＩ）で示され
る液晶性化合物も用いることができる。

【００４６】

【化９】 Ｒ'₇−［Ｐｙ２］−Ｘ'₇−［Ｐｈ］−Ｘ'₈−（［ＰｈＹ'₇］）_N−［Ｔｎ］−Ｒ' ₈ （ＸＩＩＩ） Ｒ’₇−Ｘ’₉−［Ｐｙ２］−［Ｐｈ］−ＯＣＯ−［Ｐｈ４Ｆ］ （ＸＩＶ） Ｒ’₇−Ｘ’₉−［Ｐｙ２］−［Ｐｈ］−ＯＣＯ−［Ｐｈ３４Ｆ］ （ＸＶ） Ｒ'₇−（［ＰｈＹ'₇］）_Q−［Ｔｚ１］−［ＰｈＹ'₈］−Ｘ'₇−（［ＰｈＹ'₉］ ）_R−（［Ｃｙ］）_T−Ｘ’₁₀−Ｒ'₈ （ＸＶＩ） Ｒ'₇−［Ｂｏ２］−Ａ'₄−Ｘ’₉−Ｒ'₈ （ＸＶＩＩ） Ｒ'₇−［Ｂｔ２］−Ａ'₄−Ｘ’₉−Ｒ'₈ （ＸＶＩＩＩ）

【００４７】ここでＲ'₇、Ｒ'₈は水素原子又は炭素数１
〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該ア
ルキル基中の１つもしくは隣接しない２つ以上の−ＣＨ
₂ −はヘテロ原子が隣接しない条件で−Ｏ−、−ＣＯ
−、−ＣＨ（ＣＮ）−、−Ｃ（ＣＮ）（ＣＨ₃ ）−に置
き換えられていてもよい。

【００４８】更にＲ'₇、Ｒ'₈は好ましくは下記のｉ）〜
ｖｉｉｉ）である。

【００４９】ｉ） 炭素数１〜１５の直鎖アルキル基

【００５０】

【化１０】 ｐ：０〜５、 ｑ：２〜１１ 整数 光学活性でもよい

【００５１】

【化１１】 ｒ：０〜６、 ｓ：０または１、 ｔ：１〜１４ 整
数 光学活性でもよい

【００５２】

【化１２】 ｗ：１〜１４ 整数 光学活性でもよい

【００５３】

【化１３】 Ａ：０〜２、 Ｂ：１〜１５ 整数 光学活性でもよい

【００５４】

【化１４】 Ｃ：０〜２、 Ｄ：１〜１５ 整数 光学活性でもよい

【００５５】ｖｉｉ） −Ｈ

【００５６】

【化１５】 ｕは０、１、ｖは１〜１５の整数を示す。

【００５７】

【化１６】 ｘは０〜２、ｙは１〜１５の整数を示す。

【００５８】Ｎ、Ｑ、Ｒ、Ｔ：０または１ Ｙ'₇、
Ｙ'₈、Ｙ'₉：ＨまたはＦ Ａ'₄：Ｐｈ、Ｎｐ Ｘ'₇、Ｘ'₈、Ｘ’₉：単結合、−
ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ₂ Ｏ−、−ＯＣＨ₂ −

【００５９】（ＸＩＩＩ）の好ましい化合物として（Ｘ
ＩＩＩａ）が挙げられる。

【００６０】

【化１７】 Ｒ'₇−［Ｐｙ２］−［Ｐｈ］−ＯＣＯ−［Ｔｎ］−Ｒ'₈ （ＸＩＩＩａ）

【００６１】（ＸＶＩ）の好ましい化合物として（ＸＶ
Ｉａ）、（ＸＶＩｂ）が挙げられる。

【００６２】

【化１８】 Ｒ'₇−［Ｔｚ１］−［Ｐｈ］−Ｘ’₇−Ｒ'₈ （ＸＶＩａ） Ｒ'₇−［ＰｈＹ'₇］−［Ｔｚ１］−［ＰｈＹ'₈］−Ｘ’₇−Ｒ'₈ （ＸＶＩｂ）

【００６３】（ＸＶＩＩ）の好ましい化合物として（Ｘ
ＶＩＩａ）、（ＸＶＩＩｂ）が挙げられる。

【００６４】

【化１９】 Ｒ'₇−［Ｂｏａ２］−［Ｐｈ］−Ｏ−Ｒ'₈ （ＸＶＩＩａ） Ｒ'₇−［Ｂｏａ２］−［Ｎｐ］−Ｏ−Ｒ'₈ （ＸＶＩＩｂ）

【００６５】（ＸＶＩＩＩ）の好ましい化合物として
（ＸＶＩＩＩａ）〜（ＸＶＩＩＩｃ）が挙げられる。

【００６６】

【化２０】 Ｒ'₇−［Ｂｔｂ２］−［Ｐｈ］−Ｒ'₈ （ＸＶＩＩＩａ） Ｒ'₇−［Ｂｔｂ２］−［Ｐｈ］−Ｏ−Ｒ'₈ （ＸＶＩＩＩｂ） Ｒ'₇−［Ｂｔｂ２］−［Ｎｐ］−Ｏ−Ｒ'₈ （ＸＶＩＩＩｃ）

【００６７】（ＸＶＩａ）、（ＸＶＩｂ）の好ましい化
合物として（ＸＶＩｂａ）〜（ＸＶＩｂｃ）が挙げられ
る。

【００６８】

【化２１】 Ｒ'₇−［Ｔｚ１］−［Ｐｈ］−Ｏ−Ｒ'₈ （ＸＶＩａａ） Ｒ'₇−［Ｐｈ］−［Ｔｚ１］−［Ｐｈ］−Ｒ'₈ （ＸＶＩｂａ） Ｒ'₇−［Ｐｈ］−［Ｔｚ１］−［Ｐｈ］−Ｏ−Ｒ'₈ （ＸＶＩｂｂ） Ｒ'₇−［Ｐｈ］−［Ｔｚ１］−［Ｐｈ］−ＯＣＯ−Ｒ'₈ （ＸＶＩｂｃ）

【００６９】Ｐｈ、Ｐｙ２、Ｔｎ等の略記については以
下の基を示す。

【００７０】

【化２２】

【００７１】本発明のテトラヒドロキナゾリン化合物
と、１種以上の上述の液晶性化合物、あるいは液晶組成
物とを混合する場合、混合して得られた液晶組成物中に
占める本発明のテトラヒドロキナゾリン化合物の割合は
１重量％〜８０重量％、好ましくは１重量％〜６０重量
％、さらに好ましくは１重量％〜４０重量％とすること
が望ましい。

【００７２】また、本発明のテトラヒドロキナゾリン化
合物を２種以上用いる場合は、混合して得られた液晶組
成物中に占める本発明のテトラヒドロキナゾリン化合物
２種以上の混合物の割合は１重量％〜８０重量％、好ま
しくは１重量％〜６０重量％、さらに好ましくは１重量
％〜４０重量％とすることが望ましい。

【００７３】更に、本発明の強誘電性液晶素子における
強誘電性液晶層は、先に示したようにして作成した強誘
電性液晶組成物を真空中、等方性液体温度まで加熱し、
素子セル中に封入し、徐々に冷却して液晶層を形成させ
常圧に戻すことが好ましい。

【００７４】図１は強誘電性液晶素子の構成の説明のた
めに、本発明の強誘電性液晶層を有する液晶素子の一例
を示す断面概略図である。

【００７５】図１を参照して、液晶素子は、それぞれ透
明電極３および絶縁性配向制御層４を設けた一対のガラ
ス基板２間にカイラルスメクチック相を示す液晶層１を
配置し、且つその層厚をスペーサー５で設定してなるも
のであり、一対の透明電極３間にリード線６を介して電
源７より電圧を印加可能に接続する。また一対の基板２
は、一対のクロスニコル偏光板８により挟持され、その
一方の外側には光源９が配置される。

【００７６】２枚のガラス基板２には、それぞれＩｎ_２
Ｏ_３ ，ＳｎＯ_２ あるいはＩＴＯ（インジウム チン
オキサイド；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等
の薄膜から成る透明電極３が被覆されている。その上に
ポリイミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテート植
毛布等でラビングして、液晶をラビング方向に配列する
ための絶縁性配向制御層４が形成されている。

【００７７】また、絶縁物質として、例えばシリコン窒
化物、水素を含有するシリコン窒化物、シリコン炭化
物、水素を含有するシリコン炭化物、シリコン酸化物、
硼素窒化物、水素を含有する硼素窒化物、セリウム酸化
物、アルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタン
酸化物やフッ化マグネシウムなどの無機物質絶縁層を形
成し、その上にポリビニルアルコール、ポリイミド、ポ
リアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシレ
ン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセ
タール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミ
ド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユ
リヤ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジスト樹脂などの有
機絶縁物質を配向制御層として、２層で絶縁性配向制御
層４が形成されてもよく、また無機物質絶縁性配向制御
層あるいは有機物質絶縁性配向制御層単層であっても良
い。

【００７８】この絶縁性配向制御層が無機系ならば蒸着
法などで形成でき、有機系ならば有機絶縁物質を溶解さ
せた溶液、またはその前駆体溶液（溶剤に０．１〜２０
重量％、好ましくは０．２〜１０重量％）を用いて、ス
ピンナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷法、スプ
レー塗布法、ロール塗布法等で塗布し、所定の硬化条件
下（例えば加熱下）で硬化させ形成させることができ
る。

【００７９】絶縁性配向制御層４の層厚は通常１０Å〜
１μｍ、好ましくは１０Å〜３０００Å、さらに好まし
くは１０Å〜１０００Åが適している。

【００８０】この２枚のガラス基板２はスペーサー５に
よって任意の間隔に保たれている。例えば、所定の直径
を持つシリカビーズ、アルミナビーズをスペーサーとし
てガラス基板２枚で挟持し、周囲をシール材、例えばエ
ポキシ系接着材を用いて密封する方法がある。その他、
スペーサーとして高分子フィルムやガラスファイバーを
使用しても良い。この２枚のガラス基板の間に強誘電性
液晶が封入されている。

【００８１】強誘電性液晶が封入された強誘電性液晶層
１は、一般には０．５〜２０μｍ、好ましくは１〜５μ
ｍである。

【００８２】透明電極３からはリード線によって外部の
電源７に接続されている。また、ガラス基板２の外側に
は、偏光板８が貼り合わせてある。図１の例は透過型で
あり、光源９を備えている。

【００８３】図２は、強誘電性を利用した液晶素子の動
作説明のために、セルの例を模式的に描いたものであ
る。２１ａと２１ｂは、それぞれＩｎ_２ Ｏ_３ ，Ｓｎ
Ｏ_２あるいはＩＴＯ（インジウム チン オキサイド；
Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の薄膜からなる
透明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間
に液晶分子層２２がガラス面に垂直になるよう配向した
ＳｍＣ^＊ 相又はＳｍＨ^＊ 相の液晶が封入されてい
る。太線で示した線２３が液晶分子を表わしており、こ
の液晶分子２３はその分子に直交した方向に双極子モー
メント（Ｐ⊥）２４を有している。基板２１ａと２１ｂ
上の電極間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶
分子２３のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ
⊥）２４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子２３は
配向方向を変えることができる。液晶分子２３は、細長
い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率
異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにク
ロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって光
学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容易に
理解される。

【００８４】本発明における光学変調素子で好ましく用
いられる液晶セルは、その厚さを充分に薄く（例えば１
０μ以下）することができる。このように液晶層が薄く
なるにしたがい、図３に示すように電界を印加していな
い状態でも液晶分子のらせん構造がほどけ、その双極子
モーメントＰａまたはＰｂは上向き（３４ａ）又は下向
き（３４ｂ）のどちらかの状態をとる。このようなセル
に、図３に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる電界
Ｅａ又はＥｂを電圧印加手段３１ａと３１ｂにより付与
すると、双極子モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂの電界
ベクトルに対応して上向き３４ａ又は下向き３４ｂと向
きを変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状態３
３ａかあるいは第２の安定状態３３ｂの何れか一方に配
向する。

【００８５】このような強誘電性液晶素子を光学変調素
子として用いることの利点は、先にも述べたが２つあ
る。その第１は、応答速度が極めて速いことであり、第
２は液晶分子の配向が双安定性を有することである。第
２の点を、例えば図３によって更に説明すると、電界Ｅ
ａを印加すると液晶分子は第１の安定状態３３ａに配向
するが、この状態は電界を切っても安定である。又、逆
向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安定状
態３３ｂに配向して、その分子の向きを変えるが、やは
り電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える電
界ＥａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、それ
ぞれ前の配向状態にやはり維持されている。

【００８６】図５は本発明で用いた駆動波形の一例であ
る。図５（Ａ）の中のＳ_Ｓ は選択された走査線に印加
する選択走査波形を、Ｓ_Ｎは選択されていない非選択走
査波形を、Ｉ_Ｓ は選択されたデータ線に印加する選択
情報波形（黒）を、Ｉ_Ｎ は選択されていないデータ線
に印加する非選択情報信号（白）を表わしている。ま
た、図中（Ｉ_Ｓ −Ｓ_Ｓ ）と（Ｉ_Ｎ −Ｓ_Ｓ ）は選
択された走査線上の画素に印加する電圧波形で、電圧
（Ｉ_Ｓ −Ｓ_Ｓ）が印加された画素は黒の表示状態をと
り、電圧（Ｉ_Ｎ −Ｓ_Ｓ ）が印加された画素は白の表
示状態をとる。

【００８７】図５（Ｂ）は図（Ａ）に示す駆動波形で、
図６に示す表示を行ったときの時系列波形である。図５
に示す駆動例では、選択された走査線上の画素に印加さ
れる単一極性電圧の最小印加時間Δｔが書込み位相ｔ_２
の時間に相当し、１ラインクリヤｔ_１位相の時間が２
Δｔに設定されている。

【００８８】さて、図５に示した駆動波形の各パラメー
タＶ_Ｓ ，Ｖ_Ｉ ，Δｔの値は使用する液晶材料のスイ
ッチング特性によって決定される。ここでは、バイアス
比Ｖ_Ｉ ／（Ｖ_Ｉ ＋Ｖ_Ｓ ）＝１／３に固定されてい
る。

【００８９】バイアス比を大きくすることにより駆動適
正電圧の幅を大きくすることは可能であるが、バイアス
比を増すことは情報信号の振幅を大きくすることを意味
し、画質的にはちらつきの増大、コントラストの低下を
招き好ましくない。我々の検討ではバイアス比１／３〜
１／４程度が実用的であった。

【００９０】本発明の液晶素子を表示パネル部に使用
し、図７及び図８に示した走査線アドレス情報をもつ画
像情報なるデータフォーマット及びＳＹＮＣ信号による
通信同期手段をとることにより、液晶表示装置を実現す
る。

【００９１】図中、符号はそれぞれ以下の通りである。 １０１ 強誘電性液晶表示装置 １０２ グラフィックスコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査線駆動回路 １０５ 情報線駆動回路 １０６ デコーダ １０７ 走査信号発生回路 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生回路 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ

【００９２】画像情報の発生は、本体装置側のグラフィ
ックスコントローラ１０２にて行われ、図７及び図８に
示した信号転送手段にしたがって表示パネル１０３に転
送される。グラフィックスコントローラ１０２は、ＣＰ
Ｕ（中央演算処理装置、以下ＧＣＰＵ１１２と略す）及
びＶＲＡＭ（画像情報格納用メモリ）１１４を核に、ホ
ストＣＰＵ１１３と液晶表示装置１０１間の画像情報の
管理や通信をつかさどっており、本発明の制御方法は主
にこのグラフィックスコントローラ１０２上で実現され
るものである。なお、該表示パネルの裏面には光源が配
置されている。

【００９３】

【実施例】以下、実施例により本発明について更に詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。

【００９４】実施例１ ６−ペンチル−２−（４−デシルフェニル）−５，６，
７，８−テトラヒドロキナゾリン（例示化合物Ｎｏ．
２）の製造 （工程１）４−ペンチル−２−ヒドロキシメチレン−シ
クロヘキサノンの合成無水エーテル３５ｍｌに水素化ナ
トリウム１．１９ｇ（６０％油性、２９．７ｍｍｏｌ）
を加え氷水冷下で撹拌した。そこへエタノール０．１７
ｍｌを加えた後、４−ペンチルシクロヘキサノン５．０
０ｇ（２９．７ｍｍｏｌ）およびギ酸エチル３．３０ｇ
（４４．６ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。滴下
後、室温で８時間撹拌し、水にあけエーテル層を分離し
た。水層を酢酸エチルで２回抽出した。水層を６Ｎ塩酸
で酸性とし、酢酸エチルで抽出し、水洗後、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを濾別後、溶媒を
留去して４−ペンチル−２−ヒドロキシメチレン−シク
ロヘキサノン４．５５ｇを得た。収率７８．０％。

【００９５】（工程２）６−ペンチル−２−（４−デシ
ルフェニル）−５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリ
ンの合成 ４−ペンチル−２−ヒドロキシメチレンシクロヘキサノ
ン０．７ｇ（３．５６ｍｍｏｌ）、４−デシルベンズア
ミジン塩酸塩１．０６ｇ（３．５６ｍｍｏｌ）、ナトリ
ウムメトキシド０．４８ｇ（８．８８ｍｍｏｌ）および
エタノール１２ｍｌを加え、還流下６時間撹拌した。そ
の後水にあけ酢酸エチルで抽出した。水洗後、無水硫酸
ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを濾別し、溶媒
を減圧下にて留去した。残渣をシリカゲルカラム（展開
溶媒：トルエン）で精製し、エタノールで２回再結晶
し、６−ペンチル−２−（４−デシルフェニル）−５，
６，７，８−テトラヒドロキナゾリン０．５８ｇを得
た。収率３８．７％。

【００９６】

【数３】

【００９７】実施例２ ６−ペンチル−２−（４−デシルオキシフェニル）−
５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリン（例示化合物
Ｎｏ．４）の製造 （工程１）６−ペンチル−２−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリンの合成 ４−ペンチル−２−ヒドロキシメチレンシクロヘキサノ
ン４．４０ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）、４−ヒドロキシベ
ンズアミジン塩酸塩３．５１ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）、
ナトリウムメトキシド４．２４ｇ（７８．４ｍｍｏｌ）
およびエタノール６０ｍｌを加え、還流下で１０時間撹
拌した。その後、水にあけ６Ｎ塩酸で酸性とし酢酸エチ
ルで抽出し、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。
硫酸ナトリウムを濾別した後、溶媒を留去し、残渣をシ
リカゲルカラム（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル＝２
／１）で精製し、ヘキサンで結晶化したあと冷凍庫に入
れ、濾取し冷ヘキサンで洗った。乾燥後、６−ペンチル
−２−（４−ヒドロキシフェニル）−５，６，７，８−
テトラヒドロキナゾリン２．１２ｇを得た。収率３１．
９％。

【００９８】（工程２）６−ペンチル−２−（４−デシ
ルオキシフェニル）−５，６，７，８−テトラヒドロキ
ナゾリンの合成 ６−ペンチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）−５，
６，７，８−テトラヒドロキナゾリン０．１２ｇ（０．
４０ｍｍｏｌ）、ヨードデカン０．１１ｇ（０．４０ｍ
ｍｏｌ）、水酸化カリウム０．０３ｇ（８５％、０．４
５ｍｍｏｌ）およびＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド）５ｍｌを加え、１１０℃で５時間撹拌した。反応
後、水にあけ、トルエンで抽出し、水洗後無水硫酸ナト
リウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを濾別した後、溶媒
を留去し残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒：トルエ
ン）で精製し、エタノールから再結晶して６−ペンチル
−２−（４−デシルオキシフェニル）−５，６，７，８
−テトラヒドロキナゾリン０．１ｇを得た。収率５７．
１％。

【００９９】

【数４】

【０１００】実施例３ ６−ペンチル−２−（４−ウンデカノイルオキシフェニ
ル）−５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリン（例示
化合物Ｎｏ．１０）の製造 ６−ペンチル−２−（４−ヒドロキシフェニル）−５，
６，７，８−テトラヒドロキナゾリン０．２０ｇ（０．
６７ｍｍｏｌ）、ウンデカン酸０．１２ｇ（０．６７ｍ
ｍｏｌ）、ジシクロヘキシルカルボジイミド０．１３ｇ
（０．６７ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジ
ン０．０２ｇおよび塩化メチレン２０ｍｌを加え、室温
で５時間撹拌した。生成したジシクロヘキシル尿素を濾
別し、塩化メチレンで洗い濾液とあわせ、減圧下に濃縮
した。残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒：トルエン）
により精製し、エタノールから再結晶して、６−ペンチ
ル−２−（４−ウンデカノイルオキシフェニル）−５，
６，７，８−テトラヒドロキナゾリン０．１８ｇを得
た。収率５８．１％。

【０１０１】

【数５】

【０１０２】実施例４ ６−デシル−２−（４−デシルオキシフェニル）−５，
６，７，８−テトラヒドロキナゾリン（例示化合物Ｎ
ｏ．３５）の製造 （工程１）４−デシル−２−ヒドロキシメチレン−シク
ロヘキサノンの合成無水エーテル５０ｍｌに水素化ナト
リウム０．８４ｇ（６０％油性、２１．０ｍｍｏｌ）を
加え、氷水冷下で撹拌した。そこへエタノール０．１７
ｍｌを加えた後、４−デシルシクロヘキサノン５．００
ｇ（２１．０ｍｍｏｌ）およびギ酸エチル２．３３ｇ
（３１．５ｍｍｏｌ）を４０分かけて滴下した。滴下
後、室温で８時間撹拌し水にあけ、エーテル層を分離し
た。水層を酢酸エチルで２回抽出した。次いで水層を６
Ｎ塩酸で酸性とし、酢酸エチルで抽出し、水洗後、無水
硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを濾別した
後、溶媒を留去して、４−デシル−２−ヒドロキシメチ
レンシクロヘキサノン４．２ｇを得た。収率７５．０
％。

【０１０３】（工程２）６−デシル−２−（４−ヒドロ
キシルフェニル）−５，６，７，８−テトラヒドロキナ
ゾリンの合成 ４−デシル−２−ヒドロキシメチレンシクロヘキサノン
２．０ｇ（７．５ｍｍｏｌ）、４−ヒドロキシベンズア
ミジン塩酸塩１．１８ｇ（７．５ｍｍｏｌ）、ナトリウ
ムメトキシド１．４２ｇ（２６．３ｍｍｏｌ）およびエ
タノール５０ｍｌを加え、還流下で１０時間撹拌した。
その後、水にあけ６Ｎ塩酸で酸性とし、酢酸エチルで抽
出し、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナ
トリウムを濾別した後、溶媒を留去し残渣をシリカゲル
カラム（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル＝２／１）で
精製し、ヘキサンで結晶化したあと冷凍庫へ入れ濾取
し、冷ヘキサンで洗った。乾燥後、６−デシル−（２−
ヒドロキシフェニル）−５，６，７，８−テトラヒドロ
キナゾリン１．０７ｇを得た。収率３８．９％。

【０１０４】（工程３）６−デシル−２−（４−デシル
オキシフェニル）−５，６，７，８−テトラヒドロキナ
ゾリンの合成 ６−デシル−２−（４−ヒドロキシフェニル）−５，
６，７，８−テトラヒドロキナゾリン０．２ｇ（０．５
５ｍｍｏｌ）、ヨードデカン０．１５ｇ（０．５５ｍｍ
ｏｌ）、水酸化カリウム０．０５ｇ（８５％、０．７６
ｍｍｏｌ）およびＤＭＦ８ｍｌを加え、１１０℃で６時
間撹拌した。反応後水にあけ、トルエンで抽出し、水洗
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを
濾別した後、溶媒を留去し残渣をシリカゲルカラム（展
開溶媒：トルエン）で精製し、エタノールから再結晶し
て、６−デシル−２−（４−デシルオキシフェニル）−
５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリン０．１４ｇを
得た。収率５０．１％。

【０１０５】

【数６】

【０１０６】実施例５ ６−デシル−２−（４−ドデシルオキシフェニル）−
５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリン（例示化合物
Ｎｏ．８）の製造 ６−デシル−２−（４−ヒドロキシフェニル）−５，
６，７，８−テトラヒドロキナゾリン０．２５ｇ（０．
６８ｍｍｏｌ）、ヨードドデカン０．１９ｇ（０．６８
ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム０．０５ｇ（８５％、０．
７５ｍｍｏｌ）およびＤＭＦ８ｍｌを加え、１１０℃で
６時間撹拌した。反応後水にあけ、トルエンで抽出し、
水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウ
ムを濾別した後、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラ
ム（展開溶媒：トルエン）で精製し、エタノールから再
結晶して、６−デシル−２−（４−ドデシルオキシフェ
ニル）−５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリン０．
１７ｇを得た。収率４８．０％。

【０１０７】

【数７】

【０１０８】実施例６ ６−デシル−２−（４−ウンデカノイルオキシフェニ
ル）−５，６，７，８−テトラヒドロキナゾリン（例示
化合物Ｎｏ．３６）の製造 ６−デシル−２−（４−ヒドロキシフェニル）−５，
６，７，８−テトラヒドロキナゾリン０．２ｇ（０．５
５ｍｍｏｌ）、ウンデカン酸０．１ｇ（０．５５ｍｍｏ
ｌ）、ジシクロヘキシルカルボジイミド０．１１ｇ
（０．５５ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジ
ン０．０２ｇおよび塩化メチレン２０ｍｌを加え室温で
５時間撹拌した。生成したジシクロヘキシル尿素を濾別
し、塩化メチレンで洗い濾液とあわせ、減圧下に濃縮し
た。残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒：トルエン）で
精製し、エタノールから再結晶して、６−デシル−２−
（４−ウンデカノイルオキシフェニル）−５，６，７，
８−テトラヒドロキナゾリン０．１６ｇを得た。収率５
４．４％。

【０１０９】

【数８】

【０１１０】実施例７ 下記化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ａを作
成した。

【０１１１】

【化２３】

【０１１２】更にこの液晶組成物Ａに対して、以下に示
す例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組
成物Ｂを作成した。

【０１１３】

【化２４】

【０１１４】実施例８ ２枚の０．７ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガ
ラス板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、
さらにこの上にＳｉＯ_２ を蒸着させ絶縁層とした。ガ
ラス板上にシランカップリング剤［信越化学（株）製Ｋ
ＢＭ−６０２］０．２％イソプロピルアルコール溶液を
回転数２０００ｒ．ｐ．ｍのスピンナーで１５秒間塗布
し、表面処理を施した。この後、１２０℃にて２０分間
加熱乾燥処理を施した。

【０１１５】さらに表面処理を行なったＩＴＯ膜付きの
ガラス板上にポリイミド樹脂前駆体［東レ（株）ＳＰ−
５１０］１．５％ジメチルアセトアミド溶液を回転数２
０００ｒ．ｐ．ｍのスピンナーで１５秒間塗布した。成
膜後、６０分間，３００℃加熱縮合焼成処理を施した。
この時の塗膜の膜厚は約２５０Åであった。

【０１１６】この焼成後の被膜には、アセテート植毛布
によるラビング処理がなされ、その後イソプロピルアル
コール液で洗浄し、平均粒径２μｍのシリカビーズを一
方のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理
軸が互いに平行となる様にし、接着シール剤［リクソン
ボンド（チッソ（株））］を用いてガラス板をはり合わ
せ、６０分間，１００℃にて加熱乾燥しセルを作成し
た。

【０１１７】このセルに実施例７で混合した液晶組成物
Ｂを等方性液体状態で注入し、等方相から２０℃／ｈで
２５℃まで徐冷することにより、強誘電性液晶素子を作
成した。このセルのセル厚をベレック位相板によって測
定したところ約２μｍであった。

【０１１８】この強誘電性液晶素子を使ってピーク・ト
ウ・ピーク電圧Ｖｐｐ＝２０Ｖの電圧印加により直交ニ
コル下での光学的な応答（透過光量変化０〜９０％）を
検知して応答速度（以後、光学応答速度という）を測定
した。その測定結果を次に示す。

【０１１９】

【表１】 １０℃ ２５℃ ４０℃ 応答速度 ４１１μｓｅｃ ２１４μｓｅｃ １２０μｓｅｃ

【０１２０】比較例１ 実施例７で混合した液晶組成物Ａをセル内に注入する以
外は全く実施例８と同様の方法で強誘電性液晶素子を作
成し、光学応答速度を測定した。その測定結果を次に示
す。

【０１２１】

【表２】 １０℃ ２５℃ ４０℃ 応答速度 ６６８μｓｅｃ ３４０μｓｅｃ １８２μｓｅｃ

【０１２２】実施例９ 実施例７で使用した例示化合物のかわりに以下に示す例
示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物
Ｃを作成した。

【０１２３】

【化２５】

【０１２４】液晶組成物Ｃをセル内に注入する以外は全
く実施例８と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【０１２５】

【表３】 １０℃ ２５℃ ４０℃ 応答速度 ４０２μｓｅｃ ２０９μｓｅｃ １１６μｓｅｃ

【０１２６】実施例１０ 下記化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ｄを作
成した。

【０１２７】

【化２６】

【０１２８】更にこの液晶組成物Ｄに対して、以下に示
す例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組
成物Ｅを作成した。

【０１２９】

【化２７】

【０１３０】液晶組成物Ｅをセル内に注入する以外は全
く実施例８と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【０１３１】

【表４】 １０℃ ２５℃ ４０℃ 応答速度 ５０８μｓｅｃ ２４９μｓｅｃ １４０μｓｅｃ

【０１３２】比較例２ 実施例１０で混合した液晶組成物Ｅをセル内に注入する
以外は全く実施例８と同様の方法で強誘電性液晶素子を
作成し、光学応答速度を測定した。その結果を次に示
す。

【０１３３】

【表５】 １０℃ ２５℃ ４０℃ 応答速度 ７８４μｓｅｃ ３７３μｓｅｃ １９７μｓｅｃ

【０１３４】実施例１１ 実施例１０で混合した例示化合物の代わりに以下に示す
化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成物Ｆ
を作成した。

【０１３５】

【化２８】

【０１３６】液晶組成物Ｆをセル内に注入する以外は全
く実施例８と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【０１３７】

【表６】 １０℃ ２５℃ ４０℃ 応答速度 ４８９μｓｅｃ ２４２μｓｅｃ １３９μｓｅｃ

【０１３８】実施例１２ 下記化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ｇを作
成した。

【０１３９】

【化２９】

【０１４０】更にこの液晶組成物Ｇに対して、以下に示
す例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組
成物Ｈを作成した。

【０１４１】

【化３０】

【０１４２】液晶組成物Ｈをセル内に注入する以外は全
く実施例８と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【０１４３】

【表７】 １０℃ ２５℃ ４０℃ 応答速度 ４２２μｓｅｃ ２１４μｓｅｃ １１４μｓｅｃ

【０１４４】比較例３ 実施例１２で混合した液晶組成物Ｇをセル内に注入する
以外は全く実施例８と同様の方法で強誘電性液晶素子を
作成し、光学応答速度を測定した。その測定結果を次に
示す。

【０１４５】

【表８】 １０℃ ２５℃ ４０℃ 応答速度 ６５３μｓｅｃ ３１７μｓｅｃ １５９μｓｅｃ

【０１４６】実施例１３ 実施例１２で使用した例示化合物の代わりに以下に示す
例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物Ｉを作成した。

【０１４７】

【化３１】

【０１４８】液晶組成物Ｉをセル内に注入する以外は全
く実施例８と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
光学応答速度を測定し、スイッチング状態を観察した。
この液晶素子内の均一配向性は良好であり、モノドメイ
ン状態が得られた。その測定結果を次に示す。

【０１４９】

【表９】 １０℃ ２５℃ ４０℃ 応答速度 ４０１μｓｅｃ ２０２μｓｅｃ １１０μｓｅｃ

【０１５０】実施例７〜１３より明らかな様に、本発明
による液晶組成物Ｂ，Ｃ，Ｅ，Ｆ，ＨおよびＩを含有す
る強誘電性液晶素子は、低温における作動特性、高速応
答性が改善され、また光学応答速度の温度依存性も軽減
されたものとなっている。

【０１５１】実施例１４ 実施例８で使用したポリイミド樹脂前駆体１．５％ジメ
チルアセトアミド溶液に代えて、ポリビニルアルコール
樹脂［クラレ（株）製ＰＵＡ−１１７］２％水溶液を用
いた他は全く同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、
実施例８と同様の方法で光学応答速度を測定した。その
測定結果を次に示す。

【０１５２】

【表１０】 １０℃ ２５℃ ４０℃ 応答速度 ４０８μｓｅｃ ２１１μｓｅｃ １１８μｓｅｃ

【０１５３】実施例１５ 実施例８で使用したＳｉＯ_２ を用いずに、ポリイミド
樹脂だけで配向制御層を作成した以外は全く実施例８と
同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例８と同
様の方法で光学応答速度を測定した。その測定結果を次
に示す。

【０１５４】

【表１１】 １０℃ ２５℃ ４０℃ 応答速度 ４１２μｓｅｃ ２１４μｓｅｃ １２１μｓｅｃ

【０１５５】実施例１４，１５より明らかな様に、素子
構成を変えた場合でも本発明に従う強誘電性液晶組成物
を含有する素子は、実施例８と同様に低温作動特性が非
常に改善され、かつ応答速度の温度依存性が軽減された
ものとなっている。

【０１５６】実施例１７ 下記化合物を下記の重量部で混合し、液晶組成物Ｊを作
成した。

【０１５７】

【化３２】

【０１５８】更にこの液晶組成物Ｊに対して、以下に示
す例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組
成物Ｋを作成した。

【０１５９】

【化３３】

【０１６０】次に、これらの液晶組成物を以下の手順で
作成したセルを用いて、光学的な応答を観察した。２枚
の０．７ｍｍ厚のガラス板を用意し、それぞれのガラス
板上にＩＴＯ膜を形成し、電圧印加電極を作成し、さら
にこの上にＳｉＯ_２ を蒸着させ絶縁層とした。ガラス
板上にシランカップリング剤［信越化学（株）製ＫＢＭ
−６０２］０．２％イソプロピルアルコール溶液を回転
数２０００ｒ．ｐ．ｍのスピンナーで１５秒間塗布し、
表面処理を施した。この後、１２０℃にて２０分間加熱
乾燥処理を施した。

【０１６１】さらに表面処理を行なったＩＴＯ膜付きの
ガラス板上にポリイミド樹脂前駆体［東レ（株）ＳＰ−
５１０］１．０％ジメチルアセトアミド溶液を回転数３
０００ｒ．ｐ．ｍのスピンナーで１５秒間塗布した。成
膜後、６０分間，３００℃加熱縮合焼成処理を施した。
この時の塗膜の膜厚は約１２０Åであった。

【０１６２】この焼成後の被膜には、アセテート植毛布
によるラビング処理がなされ、その後イソプロピルアル
コール液で洗浄し、平均粒径１．５μｍのシリカビーズ
を一方のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング
処理軸が互いに平行となる様にし、接着シール剤［リク
ソンボンド（チッソ（株））］を用いてガラス板をはり
合わせ、６０分間，１００℃にて加熱乾燥しセルを作成
した。

【０１６３】このセルのセル厚をベレック位相板によっ
て測定したところ約１．５μｍであった。このセルに液
晶組成物Ｋを等方性液体状態で注入し、等方相から２０
℃／ｈで２５℃まで徐冷することにより、強誘電性液晶
素子を作成した。

【０１６４】ここの強誘電性液晶素子を用いて前述した
図５に示す駆動波形（１／３バイアス比）で３０℃にお
ける駆動時のコントラストを測定した結果、１２．２で
あった。

【０１６５】比較例４ 実施例１６で混合した液晶組成物Ｊをセル内に注入する
以外は全く実施例１６と同様の方法で強誘電性液晶素子
を作成し、同様の駆動波形を用い３０℃における駆動時
のコントラストを測定した。その結果、コントラストは
６．７であった。

【０１６６】実施例１７ 実施例１６で使用した例示化合物の代わりに以下に示す
例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物Ｌを作成した。

【０１６７】

【化３４】

【０１６８】この液晶組成物を用いた以外は全く実施例
１６と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例
１６と同様の駆動波形を用いて３０℃における駆動時の
コントラストを測定した。その結果、コントラストは１
１．７であった。

【０１６９】実施例１８ 実施例１６で使用した例示化合物の代わりに以下に示す
例示化合物を各々以下に示す重量部で混合し、液晶組成
物Ｍを作成した。

【０１７０】

【化３５】

【０１７１】この液晶組成物を用いた以外は全く実施例
１６と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例
１６と同様の駆動波形を用いて３０℃における駆動時の
コントラストを測定した。その結果、コントラストは１
０．８であった。

【０１７２】実施例１６〜１８より明らかな様に、本発
明による液晶組成物Ｋ，ＬおよびＭを含有する強誘電性
液晶素子は、駆動時におけるコントラストが高くなって
いる。

【０１７３】実施例１９ 実施例１６で使用したポリイミド樹脂前駆体１．０％ジ
メチルアセトアミド溶液に代えて、ポリビニルアルコー
ル樹脂［クラレ（株）製ＰＵＡ−１１７］２％水溶液を
用いた他は全く実施例１６と同様の方法で強誘電性液晶
素子を作成し、実施例１６と同様の方法で３０℃におけ
る駆動時のコントラストを測定した結果、コントラスト
は１４．９であった。

【０１７４】実施例２０ 実施例１６で使用したＳｉＯ_２ を用いずに、ポリイミ
ド樹脂だけで配向制御層を作成した以外は全く実施例１
６と同様の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１
６と同様の方法で３０℃における駆動時のコントラスト
を測定した結果、コントラストは１５．３であった。

【０１７５】実施例２１ 実施例１６で使用したポリイミド樹脂前駆体１．０％ジ
メチルアセトアミド溶液に代えて、ポリアミド酸（日立
化成（株）製、ＬＱ１８０２）１％ＮＭＰ溶液を用い、
２７０℃で１時間焼成した以外は全く実施例１６と同様
の方法で強誘電性液晶素子を作成し、実施例１６と同様
の方法で３０℃における駆動時のコントラストを測定し
た。その結果コントラストは１７．６であった。

【０１７６】実施例１９，２０および２１より明らかな
様に、素子構成を変えた場合でも本発明に従う強誘電性
液晶組成物を含有する素子は、実施例１６と同様に高い
コントラストが得られている。また、駆動波形を変えた
場合においても詳細に検討した結果、同様に本発明の強
誘電性液晶組成物を含有する液晶素子の方がより高いコ
ントラストが得られることが判明した。

【０１７７】

【発明の効果】本発明のテトラヒドロキナゾリン化合物
を含有する液晶組成物は、液晶組成物が示す強誘電性を
利用して動作させることが出来る。このようにして利用
されうる本発明の強誘電性液晶素子は、スイッチング特
性が良好で、高速応答性、光学応答速度の温度依存性の
軽減、高コントラスト等の優れた特性を有する液晶素子
とすることができる。

【０１７８】なお、本発明の液晶素子を表示素子として
光源、駆動回路等と組み合わせた表示装置は良好な装置
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】カイラルスメクチック相を示す液晶を用いた液
晶素子の一例の断面概略図である。

【図２】液晶のもつ強誘電性を利用した液晶素子の動作
説明のために素子セルの一例を模式的に表わす斜視図で
ある。

【図３】液晶のもつ強誘電性を利用した液晶素子の動作
説明のために素子セルの一例を模式的に表わす斜視図で
ある。

【図４】チルト角（θ）を示す説明図である。

【図５】本発明で用いる液晶素子の駆動法の波形図であ
る。

【図６】図５（Ｂ）に示す時系列駆動波形で実際の駆動
を行ったときの表示パタ−ンの模式図である。

【図７】強誘電性を利用した液晶素子を有する液晶表示
装置とグラフィックスコントローラを示すブロック構成
図である。

【図８】液晶表示装置とグラフィックスコントローラと
の間の画像情報通信タイミングチャート図である。

【符号の説明】

１ カイラルスメクチック相を有する液晶層 ２ ガラス基板 ３ 透明電極 ４ 絶縁性配向制御層 ５ スペーサー ６ リード線 ７ 電源 ８ 偏光板 ９ 光源 Ｉ_０ 入射光 Ｉ 透過光 ２１ａ 基板 ２１ｂ 基板 ２２ カイラルスメクチック相を有する液晶層 ２３ 液晶分子 ２４ 双極子モーメント（Ｐ⊥） ３１ａ 電圧印加手段 ３１ｂ 電圧印加手段 ３３ａ 第１の安定状態 ３３ｂ 第２の安定状態 ３４ａ 上向きの双極子モーメント ３４ｂ 下向きの双極子モーメント Ｅａ 上向きの電界 Ｅｂ 下向きの電界 １０１ 強誘電性液晶表示装置 １０２ グラフィックスコントローラ １０３ 表示パネル １０４ 走査線駆動回路 １０５ 情報線駆動回路 １０６ デコーダ １０７ 走査信号発生回路 １０８ シフトレジスタ １０９ ラインメモリ １１０ 情報信号発生回路 １１１ 駆動制御回路 １１２ ＧＣＰＵ １１３ ホストＣＰＵ １１４ ＶＲＡＭ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 333/38 Ｃ０９Ｋ 19/34 9279−4Ｈ // Ｃ０７Ｄ 213/55 (72)発明者 山田 容子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 中村 真一 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で示されるテトラヒド
   ロキナゾリン化合物。 【化１】Ｒ_１−Ｑ−Ｐｈ−Ｒ_２ （Ｉ） （式中、Ｒ_１は炭素原子数が１〜１８の直鎖状、分岐状
   または環状のアルキル基を示す。ただし、該アルキル基
   中の１つもしくは２つ以上の−ＣＨ_２−はヘテロ原子が
   隣接しない条件で−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ−，−ＯＣＯ
   −，−ＣＯＯ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ≡Ｃ−に置き換
   えられていてもよい。Ｒ_２は炭素原子数が１０〜２０の
   直鎖状、分岐状または環状のアルキル基を示す。ただ
   し、該アルキル基中の１つもしくは２つ以上の−ＣＨ_２
   −はヘテロ原子が隣接しない条件で−Ｏ−，−Ｓ−，−
   ＣＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＯＯ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−
   Ｃ≡Ｃ−に置き換えられていてもよい。Ｑは５，６，
   ７，８−テトラヒドロキナゾリン−２，６−ジイルを示
   し、Ｐｈは１，４−フェニレンを示す。）
2. 【請求項２】 前記一般式（Ｉ）において、Ｒ_１が炭素
   原子数１〜１０の直鎖状アルキル基である請求項１記載
   のテトラヒドロキナゾリン化合物。
3. 【請求項３】 前記一般式（Ｉ）において、Ｒ_２が炭素
   原子数１０〜１８の直鎖状アルキル基、アルコキシ基ま
   たはアルカノイルオキシ基である請求項１記載のテトラ
   ヒドロキナゾリン化合物。
4. 【請求項４】 請求項１記載のテトラヒドロキナゾリン
   化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする液
   晶組成物。
5. 【請求項５】 一般式（Ｉ）で示されるテトラヒドロキ
   ナゾリン化合物を前記液晶組成物に対して１〜８０重量
   ％含有する請求項４記載の液晶組成物。
6. 【請求項６】 一般式（Ｉ）で示されるテトラヒドロキ
   ナゾリン化合物を前記液晶組成物に対して１〜６０重量
   ％含有する請求項４記載の液晶組成物。
7. 【請求項７】 一般式（Ｉ）で示されるテトラヒドロキ
   ナゾリン化合物を前記液晶組成物に対して１〜４０重量
   ％含有する請求項４記載の液晶組成物。
8. 【請求項８】 前記液晶組成物がカイラルスメクチック
   相を有する請求項４記載の液晶組成物。
9. 【請求項９】 請求項４記載の液晶組成物を一対の電極
   基板間に配置してなることを特徴とする液晶素子。
10. 【請求項１０】 前記電極基板上に配向制御層が設けら
    れている請求項９記載の液晶素子。
11. 【請求項１１】 前記配向制御層がラビング処理された
    層である請求項１０記載の液晶素子。
12. 【請求項１２】 液晶分子の配列によって形成されたら
    せんが解除された膜厚で前記一対の電極基板を配置する
    請求項９記載の液晶素子。
13. 【請求項１３】 請求項９記載の液晶素子を有すること
    を特徴とする表示装置。
14. 【請求項１４】 さらに液晶素子の駆動回路を有する請
    求項１３記載の表示装置。
15. 【請求項１５】 光源を有する請求項１３記載の表示装
    置。
16. 【請求項１６】 下記一般式（Ｉ）で示されるテトラヒ
    ドロキナゾリン化合物の少なくとも一種を含有する液晶
    組成物を用いた表示方法。 【化２】Ｒ_１−Ｑ−Ｐｈ−Ｒ_２ （Ｉ） （式中、Ｒ_１は炭素原子数が１〜１８の直鎖状、分岐状
    または環状のアルキル基を示す。ただし、該アルキル基
    中の１つもしくは２つ以上の−ＣＨ_２ −はヘテロ原子
    が隣接しない条件で−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ−，−ＯＣ
    Ｏ−，−ＣＯＯ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ≡Ｃ−に置き
    換えられていてもよい。Ｒ_２は炭素原子数が１０〜２０
    の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基を示す。ただ
    し、該アルキル基中の１つもしくは２つ以上の−ＣＨ_２
    −はヘテロ原子が隣接しない条件で−Ｏ−，−Ｓ−，
    −ＣＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＯＯ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，
    −Ｃ≡Ｃ−に置き換えられていてもよい。Ｑは５，６，
    ７，８−テトラヒドロキナゾリン−２，６−ジイルを示
    し、Ｐｈは１，４−フェニレンを示す。）
17. 【請求項１７】 前記一般式（Ｉ）において、Ｒ_１が炭
    素原子数１〜１０の直鎖状アルキル基である請求項１６
    記載の表示方法。
18. 【請求項１８】 前記一般式（Ｉ）において、Ｒ_２が炭
    素原子数１０〜１８の直鎖状アルキル基、アルコキシ基
    またはアルカノイルオキシ基である請求項１６記載の表
    示方法。
19. 【請求項１９】 一般式（Ｉ）で示されるテトラヒドロ
    キナゾリン化合物を前記液晶組成物に対して１〜８０重
    量％含有する請求項１６記載の表示方法。
20. 【請求項２０】 一般式（Ｉ）で示されるテトラヒドロ
    キナゾリン化合物を前記液晶組成物に対して１〜６０重
    量％含有する請求項１６記載の表示方法。
21. 【請求項２１】 一般式（Ｉ）で示されるテトラヒドロ
    キナゾリン化合物を前記液晶組成物に対して１〜４０重
    量％含有する請求項１６記載の表示方法。
22. 【請求項２２】 前記液晶組成物がカイラルスメクチッ
    ク相を有する請求項１６記載の表示方法。
23. 【請求項２３】 下記一般式（Ｉ）で示されるテトラヒ
    ドロキナゾリン化合物の少なくとも一種を含有する液晶
    組成物を一対の電極基板間に配置した液晶素子を用いた
    表示方法。 【化３】Ｒ_１−Ｑ−Ｐｈ−Ｒ_２ （Ｉ） （式中、Ｒ_１は炭素原子数が１〜１８の直鎖状、分岐状
    または環状のアルキル基を示す。ただし、該アルキル基
    中の１つもしくは２つ以上の−ＣＨ_２ −はヘテロ原子
    が隣接しない条件で−Ｏ−，−Ｓ−，−ＣＯ−，−ＯＣ
    Ｏ−，−ＣＯＯ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ≡Ｃ−に置き
    換えられていてもよい。Ｒ_２は炭素原子数が１０〜２０
    の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基を示す。ただ
    し、該アルキル基中の１つもしくは２つ以上の−ＣＨ_２
    −はヘテロ原子が隣接しない条件で−Ｏ−，−Ｓ−，
    −ＣＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＯＯ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，
    −Ｃ≡Ｃ−に置き換えられていてもよい。Ｑは５，６，
    ７，８−テトラヒドロキナゾリン−２，６−ジイルを示
    し、Ｐｈは１，４−フェニレンを示す。）