JPH0855931A - 面実装半導体搭載装置及び面実装半導体搭載装置用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 熱放散性に優れ、多端子対応ができ、且つ、
低コストで比較的簡単に製造可能で、構造的にも複雑で
ない、表面実装型半導体装置を提供する。 【構成】 貫通孔を有する金属板の全表面を絶縁層によ
り覆った基板を用いて半導体素子を搭載し、樹脂で封止
したプラスチックパッケージであって、前記基板の半導
体素子を搭載した一方の面には、半導体素子を搭載する
ためのダイパッド部と、半導体素子と金属ワイヤーによ
り結線されるボンディングパッド部と、該ボンディング
パッドから前記貫通孔部まで達する配線とを設けてお
り、前記基板の他方の面には、前記配線と接続し、貫通
孔の内部を埋め、且つ外部へ突出した金属製の外部接続
端子を設けている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，樹脂封止型半導体装置
（プラスチックパッケージ）に関し、詳しくは、熱放散
性が優れ、且つ多端子（ピン）化に対応できる面実装型
半導体装置とその基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩのＡＳＩＣに
代表されるように、ますます高集積化、高機能化になっ
ている。高集積化、高機能化された半導体装置において
は、信号の高速処理のためには、パッケージ内のインダ
クタンスが無視できない状況になってきて、パッケージ
内のインダクタンスを低減するために、電源、グランド
の接続端子数を多くし、実質的なインダクタンスを下げ
るようにして、対応してきた。この為、半導体装置の高
集積化、高機能化は外部端子（ピン）の総数の増加とな
り、ますます多端子（ピン）化が求められるようになっ
てきた。多端子（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやスタ
ンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコ
ン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｏｒ）等の半導体装置化には、ＰＧＡ（Ｐｉｎ
Ｇｒｉｄ Ａｒａｙ）やＱＦＰ（Ｑｕａｒｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）等のピン挿入型、あるいは表面実装
型パッケージが用いられており、ＰＧＡでは４００ピン
クラスが、ＱＦＰでは３００ピンクラスのものまでが実
用化に至ってきている。

【０００３】しかしながら、近年の半導体素子の信号処
理の高速化及び高性能（機能）化は、更に多くの端子を
必要としている。これに対応するには、ＰＧＡではパッ
ケージサイズを大きくせざるをえない為、実装効率面で
の低下を招くことになり好ましくない。また、ＱＦＰで
は、外部端子ピッチを狭めることにより、更なる多端子
化に対応できるが、外部端子を狭ピッチ化した場合、外
部端子自体の幅も狭める必要があり、外部端子強度が低
下させることとなる。その結果、端子成形（ガルウイン
グ化）の位置精度あるいは平坦精度等において問題を生
じてしまう。また、ＱＦＰでは、アウターリードのピッ
チが、０．４ｍｍ、０．３ｍｍと更にピッチが狭くなる
につれ、これら狭ピッチの実装工程が難しくなってき
て、高度なボード実装技術を実現せねばならない等の障
害（問題）をかかえている。

【０００４】これら従来のＰＧＡやＱＦＰ等のパッケー
ジがかかえる実装効率、実装性の問題を回避するため
に、半田ボールをパッケージの外部端子に置き換えた面
実装型パッケージであるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ
Ａｒｒａｙ）と呼ばれるプラスチックパッケージが開発
されてきた。このＢＧＡは、入出力端子を増やすため
に、両面配線基板の片面に半導体素子を搭載し、もう一
方の面に球状の半田を取付けた外部端子用電極を設け、
スルー・ホールを通じて半導体素子と外部端子用電極と
の導通をとっていた。球状の半田をアレイ状に並べるこ
とにより、端子ピッチの間隔を従来のリードフレームを
用いた半導体装置より広くすることができ、この結果、
半導体装置の実装工程を難しくせず、入出力端子の増加
に対応できた。ＢＧＡは、一般に図７に示すような構造
である。図７（ｂ）は図７（ａ）の裏面（基板）側から
みた図で図７（ｃ）はスルホール７５０部を示したもの
である。このＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイミド系樹
脂）を代表とする耐熱性有する平板（樹脂板）の基材７
０２の片面に半導体素子７０１を搭載するダイパッド７
０５と半導体素子７０１からボンディングワイヤ７０８
により電気的に接続されるボンディングパッド７１０を
もち、もう一方の面に、外部回路半導体搭載装置との電
気的、物理的接続を行う格子状あるいは千鳥状に配置さ
れた半田ボールにより形成した外部端子７０６をもち、
外部接続端子７０６とボンディングパッド７１０の間を
配線７０４とスルーホール７５０、配線７０４Ａにより
電気的に接続している構造である。この様な耐熱樹脂基
材を用いて構成される、従来型のＢＧＡは、比較的コス
トも安く、多端子実装に対応した半導体装置を実現でき
るものである。 このＢＧＡの場合、半導体素子７０１
で生じた熱は、半導体素子７０１、配線７０４、スルー
ホール７５０、配線７０４Ａ、外部端子７０６を経由し
て外部の配線回路へと伝達される。図７（ｃ）に示すよ
うに基板の中央部ダイバッド７０５領域のＢＴレジンに
貫通孔を設け、貫通孔内部に無電解メッキ電解メッキ７
１８を施した熱伝導ビア７５１を設け搭載するプリント
基板にダイレクトに熱を逃がすことで、熱放散性を向上
させている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記耐熱性基材（樹脂
板）を用いて構成される従来型のプラスチックＢＧＡ
は、搭載した半導体素子とワイヤ結線を行う為の回路形
成と、半導体装置化した後にプリント基板実装する為の
端子形成とが耐熱性基材を挟んで両面に存在することと
なる為、スルーホールを介した両面回路を形成する必要
があり、回路形成が複雑となる。耐熱性基材を用いて構
成されるプラスチックＢＧＡ用の基板を製造するための
プロセスは、樹脂基板の孔あけや表裏金属の導通メッキ
処理あるいは、スルーホールのティンディング処理を施
したフオトエッチングといった、工程が必要で、全体と
して長い工程となる。これに加えて、高密度化を実現す
る為の回路形成プロセスには制約が多く、低コストに製
造することが難しい。また、半導体素子の搭載及びワイ
ヤ結線した後に半導体素子搭載面側に樹脂モールドを施
す為、スルホールを樹脂モールドラインよりも外側に配
置形成しなければならない。その為半導体素子から外部
端子に至るまでのリード長さが長くなることに加えて、
スルーホールの加工径サイズが半導体装置自体の大きさ
を律速させることになる等構造上の制約が多い。更に、
耐熱性基材（樹脂板）に孔あけ後、銅メッキ処理を施し
て、形成される熱伝導ビアは半導体素子の直下に対する
熱放散性はある程度良いものの、パッケージ全域に熱拡
散する効果がない為、熱放散性にはまだ問題がある。本
発明は、これらの問題を解決しようとするもので、熱放
散性に優れた、多端子対応のでき、且つ、低コストで比
較的簡単に製造可能な、構造的にも複雑でない、樹脂封
止型の面実装半導体装置を提供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】又、本発明の面実装半導
体搭載装置は、貫通孔を有する金属板の全表面を絶縁層
により覆った基材を用いて回路を形成した基板に半導体
素子を搭載し、樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置
（プラスチックパッケージ）であって、前記基板の半導
体素子を搭載した一方の面には、半導体素子を搭載する
ためのダイパッド部と、半導体素子と金属ワイヤーによ
り結線されるボンディングパッド部と、該ボンディング
パッドから前記貫通孔部まで達する配線とを設けてお
り、前記基板の他方の面には、前記配線と接続し、貫通
孔の内部を埋め、且つ外部へ突出した金属製の外部接続
端子を設けていることを特徴とするものである。そし
て、上記において、基材の貫通孔は、半導体素子側が、
面実装半導体搭載装置外側よりも小径であることを特徴
とするものである。。又、上記において、基板は半導体
素子搭載領域内に配線を設け、且つ、前記配線と接続
し、貫通孔の内部を埋め、且つ外部へ突出した金属製の
外部接続端子を設けていることを特徴とするものであ
り、半導体素子は基板の配線上に設けられた絶縁テープ
を介して固定されていることを特徴とするものである。
更に、上記において、外部接続端子側の面に、貫通孔の
内部を埋め、且つ外部へ突出した金属製の放熱用端子を
設けたことを特徴とするものである。本発明の半導体装
置用基板は、貫通孔を有する金属板の全表面を絶縁層に
より覆った基材の片面に、半導体素子を搭載するダイパ
ッド部と、半導体素子と金属ワイヤーにより結線される
ボンディングパッド部と、該ボンディングパッドから前
記貫通孔部まで達する配線とを形成したことを特徴とす
るものである。

【０００７】

【作用】本発明の面実装半導体搭載装置は、上記のよう
な構成にすることにより、熱放散性の優れた、多端子
（ピン）対応のできるもので、且つ、低コストで作製の
できる簡単な構造としている。また、基材の貫通孔の径
を半導体素子搭載側で小とすることにより、配線の引回
しエリアを大きくとれ、配線の自由度を上げている。更
に、半導体素子の領域に、配線を設け、且つ、そこから
貫通孔の内部を埋め、且つ外部へ突出した金属製の外部
接続端子へと接続させることにより、ボンディングパッ
トより外側に位置する貫通孔（外部端子）の数により、
半導体搭載装置の端子（ピン）数が制限されることはな
く、半導体搭載装置の端子（ピン）数の制限は大幅に緩
和される。又、外部へ突出した金属製の外部接続端子と
同様な構造の放熱用の接続端子を設けていることに熱放
散性を一層良いものとしている。又、本発明の半導体装
置用基板は、上記のような構成にすることにより、従来
のスルホール付き耐熱性基板（樹脂基板）からなる両面
配線回路基板に比べ、製造プロセスを簡略化でき、且つ
安価なものとしている。そして、従来の両面配線回路基
板のようにスルーホールを設ける必要がなく、スルホー
ル位置により制約をうけない為、半導体装置自体の小型
化に大きく寄与できる。金属板をコアとしている為、半
導体素子を搭載した場合には、熱放散性の高いものとし
ている

【０００８】

【実施例】本発明の面実装半導体搭載装置の第一の実施
例を以下、図にそって説明する。図１（ａ）は実施例の
面実装半導体搭載装置の内部構造を示す要部斜視図で、
図１（ｂ）は外部接続端子部における断面図であり、図
２（ａ）は配線部を含む断面図で、図２（ｂ）はボンデ
ィングパッド部を示す斜視図、図２（ｃ）は貫通孔部の
斜視断面図である。図１中、１００は面実装半導体搭載
装置、１０１は半導体、１０２は基板、１０３はモール
ドレジン（樹脂）、１０４は配線、１０５はダイパッ
ド、１０６は外部接続端子との配線接続部、１０６Ａは
外部接続端子、１０７は放熱用端子との配線接続部、１
０７Ａは放熱用接続端子、１０８はボンディングワイ
ヤ、１１０はボンディングパッド、１１１はパイロット
ホールである。本実施例の面実装半導体搭載装置は、基
板１０２の半導体素子１０１側の面に、半導体素子１０
１を搭載するダイパッド部１０５と半導体素子１０１と
ボンディングワイヤー１０８により結線されるボンデイ
ングパッド部１１０と、ボンディングパッド１１０から
外部接続端子との配線接続部１０６まで達する配線１０
４を設けている。そして、基板１０２の他方の面には、
基板１０２の貫通孔の内部から半導体搭載装置１００の
外側に突出するように一体となった金属製の外部接続端
子１０６Ａとを設け、外部接続端子との配線接続部１０
６と接続させている。また、必要に応じて、基板１０２
の半導体素子１０１側に、放熱用端子への配線接続部１
０７（図示していない）を設けておき、外部接続端子と
の配線接続部１０６と同様に、基板１０２の貫通孔の内
部から半導体搭載装置１００の外側に突出するように一
体となった金属製の放熱用端子１０７Ａとを接続させ
る。半導体素子１０１と外部回路とは、半導体素子の端
子部、ボンディングワヤイヤ１０８、配線１０４、外部
接続端子との配線接続部１０６、外部接続端子１０６
Ａ、外部回路端末の順に接続されている。基板１０２は
金属平板１２０をコアとするもので、図２（ａ）のよう
に、その両面は絶縁層１２１で覆われており、この絶縁
層上に配線１０４やボンディングパッド１１０が設けら
れている。

【０００９】ボンディングパッド１１０部には図２
（ａ）に示すように、金属箔１２４のソルダーレジスト
１２５（東京応化工業株式会社製、ＯＰＳＲ−５６００
エポキシアクリレール）に覆われていない部分のみ無
電解メッキにより金がめっきされており、ここで、半導
体素子１０１の端子（パッド）とワイヤボンディングが
なされている。ボンディングパッド１１０部以外の、配
線１０４、外部接続端子との配線接続部１０６の金属箔
１２４は、ソルダーレジスト１２５覆われている。

【００１０】基板１０２の貫通孔部は、図２（ｂ）に示
すように、基板の両面を絶縁する絶縁層１２１で貫通孔
部表面全体は覆われており、絶縁層上に形成された金属
箔１２４からなる外部接続端子との配線接続部１０６
は、貫通孔部を埋め、面実装半導体搭載装置１００の外
側へ突出した金属からなる外部接続端子１０６Ａに接続
している。

【００１１】本実施例の面実装半導体搭載装置は、この
ように、金属平板１２０をコアとした基板を用いてお
り、熱放散性が極めてよく、半導体素子１０１が搭載さ
れた面とは反対側の面全体に、基板１０２の貫通孔内か
ら一体となって外部へ突出するように設けられた金属か
らなる外部接続端子１０６Ａを設けており、多端子（ピ
ン）化に対応できる構造である。又、外部接続端子１０
６Ａ側の面に放熱用端子１０７Ａを設けていることに熱
放散性を一層良いものとしている。

【００１２】次に、本発明の面実装半導体搭載装置の第
二の実施例をあげる。図３（ａ）は本実施例面実装半導
体搭載装置の内部構造を示す要部斜視図で、図３（ｂ）
はその半導体素子を含む断面図である。図３中、３０１
は半導体素子、３０２は基板、３０３はモールドレジン
（樹脂）、３０４、３０３ｂは配線、３０６は外部接続
端子との配線接続部、３０６Ａは外部接続端子、３０８
はボンディングワイヤ、３１０はボンディングパッド、
３１１はバイロットホール、３２０金属平板、３２１は
絶縁層、３２２は絶縁テープである。本実施例の面実装
半導体搭載装置は、配線３０３ｂ、外部接続端子との配
線接続部３０６を基板３０２の半導体素子３０１のある
領域にも設け、外部接続端子との配線接続部３０６を介
して、外部接続端子３０６Ａへと接続するものである。
第一の実施例が、ボンディングパットより外側に位置す
る貫通孔（外部端子）の数により、半導体搭載装置の端
子（ピン）数が制限されていたが、本実施例の場合は、
基板３０２の半導体素子３０１搭載領域からも端子（ピ
ン）をとることができ、半導体搭載装置の端子（ピン）
数の制限は大幅に緩和される。

【００１３】本実施例の面実装半導体搭載装置は、図３
（ｂ）に示すように、配線３０４ｂ、外部接続端子との
配線接続部３０６と半導体素子３０１の間に絶縁テープ
３２２を設けることにより、このような構造を可能にし
ている。絶縁テープ３２２としては、ポリイミドテープ
の両面にシリコン変性ポリイミドからなる接着材層を設
けた半導体素子接着用のテープ（住友ベークライト製の
ＩＴＡ−１０３０）等がある。本実施例は、第一の実施
例より更に、多端子（ピン）化に適した構造と言える。

【００１４】次いで、本発明の面実装半導体装置の第三
の実施例を挙げる。図４（ａ）は本実施例面実装半導体
装置の外部接続端子部の断面図であり、図４（ｂ）は実
施例１や実施例２における外部接続端子部の断面図であ
る。図４中、４０２は基板、４０４は配線、４０６は外
部接続端子との配線接続部、４０６Ａは外部接続端子、
４２０は金属平板、４２１は絶縁層である。本実施例の
場合、接続用端子４０６Ａを設ける貫通孔の基板４０２
の配線４０３側（半導体素子搭載側）の孔径は小とし、
反対側の孔径は略、第一の実施例、第二の実施例と同様
に大きい孔径としている。この為、配線の引回しエリア
が増すこととなり、配線の自由度が増し、配線数を増や
すことが可能となる。

【００１５】次に、実施例の面実装半導体搭載装置の製
造方法を簡単に説明する。先ず、図５（ａ）に示すよう
な、多数の貫通孔５３０（とパイロットホール５１１）
を有する形状の４２合金（４２％Ｎｉ−鉄合金）からな
る金属平板５２０を用いて、厚さ５〜１０μｍの粘着性
あるいは接着性を有する絶縁層５２１を全面コーテイン
グした基材５０２Ａを用意した。基材５０２Ａの貫通孔
５３０部の表面も絶縁層５２１で覆われている。貫通孔
５３０の形状を図５（ｃ）に示す。図５（ｃ）（イ）の
半導体素子側が小孔となっているのは、第三の実施例の
もので、図５（ｃ）（ロ）の半導体素子側と外部が同じ
孔径となっているのが、第一、第二の実施例のものであ
る。次に、基材５０２Ａの一方の面に厚さ１８μｍの金
属箔（銅箔）５２４を積層し、図５（ｂ）に示すよう
な、断面を持つ基材５０２Ｂを作製した。次いで、金属
箔（銅箔）５２４部を製版エッチングして、金属箔パタ
ーン５２４Ａからなる、半導体素子搭載のためのダイパ
ッドや、ボンディングパッド、配線部、外部接続端子と
の接続用端子部を作製した。次いで、ダイパッドとボン
ディングパッド領域を除く基材５０２Ｂの半導体素子搭
載する面側の表面は厚さ２０μｍのソルダーレジストで
表面を被膜した後、ダイパッド、ボンディングパッド領
域には下地ニッケルメッキを施し、電解金メッキを行い
基板５０２を得た。尚、電解金メッキに代え無電解金、
あるいは、電解パラジウム、無電解パラジウムメッキを
行っても良い。次いで、このようにして作製された基板
を用い、半導体素子を基板のダイパッド部へダイボンデ
ィングして搭載し、半導体素子のパッドと基板のボンデ
ィングパッドとをワイボンディングにて結線した。この
後、封止用レジン（エポキシ樹脂、日東電工株式会社
製、ｎｐ−１９０））にて半導体素子と配線等をモール
ドした後、半導体素子搭載側とは反対の面側から、片面
ティンディングされた貫通孔部に半田ボールを搭載する
かあるいは、半田ペーストをスクリーン印刷した後、溶
解して、基板の貫通孔部内部から半導体装置の外側に突
出した球状の半田ボールを形成して、本実施例の面実装
半導体搭載装置を作製した。

【００１６】次に、実施例の面実装半導体搭載装置に用
いられた基板の作製方法について、図６の工程図に基づ
いて、詳しく説明する。 先ず、板厚０．１２５ｍｍの４２合金（４２％Ｎｉ−鉄
合金）の金属コイルに、エッチングプロセスにより、直
径０．５ｍｍの貫通孔を１ｍｍ間隔で格子状に形成し
た。（Ａ） 次に粘着性あるいは接着性を有する絶縁樹脂を貫通孔が
形成された金属コイルの全表面に形成し、基板の作製を
行なった。（Ｂ） この工程は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１３５部、
Ｐ−フエニレジアミン５部、ピロメリット酸二無水物１
０部、トリエチルアミン３部からなる混合液と、メタノ
ールを１：１に混合した電着液中に、金属コイルを浸漬
し、５０ｍｍの間隔に設置したステンレス製の電極板を
陰極に、金属コイルを陽極になるように５０Ｖの電圧を
１０分間印加することで、金属コイルの全表面にポリア
ミック酸薄膜からなる絶縁層を形成した。片面の絶縁層
上に熱圧着あるいはラミネートすることにより厚さ１８
μｍの銅を成分とする金属箔を接着した。このとき、基
板は、絶縁層、金属板、絶縁層、金属箔の４層構造とな
っている。

【００１７】次に配線、ダイパッド、ボンディングパッ
ドの形成をおこなった。基板の両面に旭化成製のドライ
フイルムＡＱ−２５３６のラミネートをおこなった。
（Ｃ） 配線、ダイパッドボンディングパッドの形状をフオトマ
スクを用いて、露光、現像を行いレジストパターン膜を
形成し、このレジストパターン膜を耐腐蝕膜としてエッ
チングにより金属箔パターンの形成を行った。この後、
レジストの剥離を行い、配線の形成工程を終了した。
（Ｄ） 次に以下のようにしてダイパッド、ボンディングパッド
部に無電解メッキを行っい所望の面実装半導体装置搭載
用基板を得た。（Ｅ） 基板の配線を形成した面に、東京応化工業株式会社製ソ
ルダーレジスト（ＯＰＳＲ−５６００ エポキシアクリ
レール）を１５μｍの厚さでスクリーン印刷にて塗布
し、露光後、現像を行った後に、１５０°Ｃのキュアを
行い、，ダイパッド、ボンディングパッドを除く表面に
ソルダーレジストを形成し、無電解ニッケルメッキでダ
イパッド、ボンディングパッドに膜厚３μｍのニッケル
膜を形成した後、奥野製薬工業株式会社製無電解パラジ
ウム−リンメッキ液「ムデン−ノーブルＰＤ」により膜
厚０．２μｍのパラジウム膜を形成した。

【００１８】

【発明の効果】本発明は、以上のように、熱放散性に優
れ、多端子（ピン）化に対応できる表面実装型半導体搭
載装置の提供を可能とするものであり、詳しくは、従来
のＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）におけるスルホ
ールを用いた複雑な構造のものでなく、比較的簡単な構
造で、且つ安価に製造できるＢＧＡ（ボール・グリッド
・アレイ）の提供を可能とするものである。結局、半導
体素子の高集積化、高機能化に対応できる、面実装型半
導体搭載装置の提供を可能としている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の面実装半導体搭載装置の第一の実施例
図

【図２】本発明の面実装半導体搭載装置の第一の実施例
における要部の概略図

【図３】本発明の面実装半導体搭載装置の第二の実施例
図

【図４】本発明の面実装半導体搭載装置の第三の実施例
図

【図５】本発明の面実装半導体搭載装置用基板図

【図６】本発明の面実装半導体搭載装置用基板の製造工
程図

【図７】従来のＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａ
ｙ）を説明するための図

【符号の説明】

１００ 表面実装型半
導体装置 １０１ 、３０１ 半導体素子 １０２ 、３０２ 、４０２ 基板 １０３ モールドレジ
ン（樹脂） １０４ 、３０４ 、３０４ｂ、４０４ 配線 １０５ ダイパット １０６ 、３０６ 、４０６ 外部接続端子
との配線接続部 １０６Ａ、３０６Ａ、４０６Ａ 外部接続端子 １０７ 放熱用端子と
の配線接続部 １０７Ａ 放熱用接続端
子 １０８ ボンディング
ワイヤ １１０ ボンディング
パッド １１１ パイロットホ
ール １２０ 、３２０ 、４２０ 金属平板 １２１ 、３２１ 、４２１ 絶縁層 １２４ 金属箔 １２５ ソルダーレジ
スト ３２２ 絶縁テープ ５０２Ａ、５０２Ｂ 基材 ５１１ パイロットホ
ール ５２０ 金属平板 ５２１ 絶縁層 ５２４ 金属箔（銅
箔） ５３０ 貫通孔 ７０１ 半導体素子 ７０２ 基材 ７０３ モールドレジ
ン（樹脂） ７０４、７０４Ａ 配線 ７０５ ダイパッド ７０６Ａ 外部接続端子 ７０８ ボンディング
ワイヤ ７１０ ボンディング
パッド ７１８ メッキ部 ７２４ 金属箔 ７５０ スルーホール ７５１ 熱伝導ビア

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 貫通孔を有する金属板の全表面を絶縁層
   により覆った基材を用い回路を形成した基板に半導体素
   子を搭載し、樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置であ
   って、前記基板の半導体素子を搭載した一方の面には、
   半導体素子を搭載するためのダイパッド部と、半導体素
   子と金属ワイヤーにより結線されるボンディングパッド
   部と、該ボンディングパッドから前記貫通孔部まで達す
   る配線とを設けており、前記基板の他方の面には、前記
   配線と接続し、貫通孔の内部を埋め、且つ外部へ突出し
   た金属製の外部接続端子を設けていることを特徴とする
   面実装半導体搭載装置。
2. 【請求項２】 請求項１において、基材の貫通孔は、半
   導体素子側が、面実装半導体搭載装置外側よりも小径で
   あることを特徴とする面実装半導体搭載装置。
3. 【請求項３】 請求項１ないし２において、基板は半導
   体素子搭載領域内に配線を設け、且つ、前記配線と接続
   し、貫通孔の内部を埋め、且つ外部へ突出した金属製の
   外部接続端子を設けていることを特徴とする面実装半導
   体搭載装置。
4. 【請求項４】 請求項３において、半導体素子は基板の
   配線上に設けられた絶縁テープを介して固定されている
   ことを特徴とする面実装半導体搭載装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４において、外部接続端
   子側の面に、貫通孔の内部を埋め、且つ外部へ突出した
   金属製の放熱用端子を設けたことを特徴とする面実装半
   導体搭載装置。
6. 【請求項６】 貫通孔を有する金属板の全表面を絶縁層
   により覆った基材の片面に、半導体素子を搭載するダイ
   パッド部と、半導体素子と金属ワイヤーにより結線され
   るボンディングパッド部と、該ボンディングパッドから
   前記貫通孔部まで達する配線とを形成したことを特徴と
   する面実装装半導体搭載装置用基板。